JPH07151820A - Testing apparatus for withstand voltage - Google Patents

Testing apparatus for withstand voltage

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JPH07151820A
JPH07151820A JP29788393A JP29788393A JPH07151820A JP H07151820 A JPH07151820 A JP H07151820A JP 29788393 A JP29788393 A JP 29788393A JP 29788393 A JP29788393 A JP 29788393A JP H07151820 A JPH07151820 A JP H07151820A
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Abstract

PURPOSE:To test the withstand voltage without degrading a sample. CONSTITUTION:A DC high voltage is applied to a sample from a high-voltage generation part 1, and a current which flows in the sample is detected by a current detection part 3. Then, on the basis of the detected current, an abnormality detection part 6 detects the abnormality such as the withstand-voltage defect, the insulation defect or the like of the sample. When the abnormality of the sample is detected by the abnormality detection part 6, a thyristor Q1 is turned on, and the high voltage which has been applied to the sample is dropped instantaneously. Instead of a high-voltage relay whose responsivity is slow, the thyristor Q1 whose responsivity is excellent is used. Thereby, when the sample is judged to be abnormal, the high voltage which has been applied to the sample is dropped instntaneously by the thyristor Q1, and withstand voltage can be tested without degrading the sample.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、非破壊で試料の耐圧の
良否を試験する耐圧試験装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a breakdown voltage tester for non-destructively testing the breakdown voltage of a sample.

【0002】[0002]

【従来の技術】耐圧試験装置は、例えば半導体素子など
の電子部品である試料に対して高電圧を印加し、その試
料に耐圧不良や絶縁不良がないかを試験するものであ
り、その耐圧不良や絶縁不良などの異常は高電圧を印加
したときに試料に流れる電流から検出するようになって
いる。ここで、従来のこの種の耐圧試験装置では、不良
であると判断されたとき、試料に印加される高電圧を高
圧リレーなどを用いて切るようになっていた。
2. Description of the Related Art A breakdown voltage tester is a device for applying a high voltage to a sample, which is an electronic component such as a semiconductor element, and testing whether the sample has a breakdown voltage defect or an insulation defect. Abnormalities such as insulation defects are detected from the current flowing through the sample when a high voltage is applied. Here, in the conventional withstand voltage test device of this type, when it is determined that the sample is defective, the high voltage applied to the sample is cut off by using a high voltage relay or the like.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように高圧リレーなどを用いて試料に印加されている高
電圧を切る方法では、高圧リレーの応答の遅れにより、
試料に大電流が流れる時間が長くなり、非破壊試験とし
ては適切ではなかった。また、この種の耐圧試験装置で
は、試験開始時に高圧リレーなどを投入し、所定電圧の
高電圧を試料に印加する場合が多い。しかし、このよう
に高圧リレーを用いて、試験開始時にいきなり高電圧を
試料に印加すると、試料が浮遊容量を有する場合、その
浮遊容量を充電する充電電流として大きな突入電流が流
れ、その充電電流のために正常な試料を不良と判断して
しまう恐れがあった。
However, in the method of cutting off the high voltage applied to the sample by using the high voltage relay or the like as described above, the response of the high voltage relay is delayed,
It took a long time for a large current to flow through the sample, making it unsuitable for nondestructive testing. In this type of withstand voltage test apparatus, a high voltage relay or the like is turned on at the start of the test, and a high voltage of a predetermined voltage is often applied to the sample. However, when a high voltage is suddenly applied to the sample at the start of the test using the high voltage relay in this way, when the sample has a stray capacitance, a large inrush current flows as a charging current for charging the stray capacitance, and the charging current Therefore, there is a risk that a normal sample may be determined to be defective.

【0004】そこで、その対策として、試料に流れる電
流から試料の異常を判別する異常判別回路において、浮
遊容量を充電する充電電流に対しては不感動にすること
が考えられる。しかしながら、このようにすると、異常
判別回路で、微少な放電電流を検出できなくなり、耐圧
試験装置の異常検出性能が悪くなるという問題があっ
た。
Therefore, as a countermeasure, it is conceivable to make the abnormality determination circuit for determining abnormality of the sample from the current flowing through the sample insensitive to the charging current for charging the stray capacitance. However, in this case, there is a problem in that the abnormality determination circuit cannot detect a minute discharge current, and the abnormality detection performance of the withstand voltage test apparatus deteriorates.

【0005】さらに、試験終了時には、高圧リレーなど
で試料に印加された高電圧を切った後に、その試料を耐
圧試験装置から取り出す必要がある。しかし、上述のよ
うに浮遊容量を有する試料の場合、その浮遊容量に高圧
電荷が蓄積された状態にあるため、感電する恐れがあっ
た。本発明は上述の点に鑑みて為されたものであり、第
1の目的とするところは、試料を劣化させることなく、
耐圧試験を行えるようにすることにあり、第2の目的と
するところは、浮遊容量を有する試料であっても、試験
開始時に突入電流が流れることがないようにすることに
あり、第3の目的とするところは、試験終了後に試料に
触れても感電の恐れがないようにすることにある。
Further, at the end of the test, it is necessary to turn off the high voltage applied to the sample by a high voltage relay or the like, and then take out the sample from the withstand voltage test apparatus. However, in the case of the sample having the stray capacitance as described above, there is a risk of electric shock because the high-voltage electric charge is accumulated in the stray capacitance. The present invention has been made in view of the above points, and a first object is to prevent deterioration of a sample,
The second purpose is to make it possible to perform a withstand voltage test, and the second purpose is to prevent inrush current from flowing at the start of the test even for a sample having a stray capacitance. The purpose is to avoid the risk of electric shock even if the sample is touched after the test.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、上記
第1の目的を達成するために、試料に印加される直流の
高電圧を発生する高電圧発生手段と、試料に印加される
高電圧の電圧値を検出する電圧検出手段と、試料に流れ
る電流を検出する電流検出手段と、試料に印加する高電
圧の値を設定する基準電圧を発生する基準電圧発生手段
と、この基準電圧発生手段の基準電圧と上記電圧検出手
段で検出された電圧値との差を求めその差を無くすよう
に高電圧発生手段から発生する高電圧の電圧値を制御す
る電圧制御手段と、上記電流検出手段で検出された電流
から試料の異常を検出する異常検出手段と、異常検出手
段で試料の異常が検出されたときオンとなり、試料に印
加された高電圧を瞬時に降圧するスイッチング素子とを
備えている。
In order to achieve the first object, the invention of claim 1 is a high voltage generating means for generating a high DC voltage applied to a sample, and a high voltage generating means. A voltage detecting means for detecting a high voltage value, a current detecting means for detecting a current flowing through the sample, a reference voltage generating means for generating a reference voltage for setting a high voltage value applied to the sample, and the reference voltage. Voltage control means for determining the difference between the reference voltage of the generating means and the voltage value detected by the voltage detecting means and controlling the voltage value of the high voltage generated by the high voltage generating means so as to eliminate the difference, and the current detecting means. An abnormality detecting means for detecting an abnormality of the sample from the current detected by the means, and a switching element which is turned on when the abnormality detecting means detects the abnormality of the sample and instantaneously steps down the high voltage applied to the sample. ing.

【0007】請求項2の発明は、上記第2の目的を達成
するために、基準電圧発生手段として、試験開始時点か
ら基準電圧の値を0Vから徐々に上昇させて適宜時間後
に試料に印加する高電圧の値を耐圧試験を行う規定値と
するものを用いてある。記載の耐圧試験装置。請求項3
の発明は、上記第3の目的を達成するために、スイッチ
ング素子を試験終了時にもオンするようにしてある。
In order to achieve the above-mentioned second object, the invention of claim 2 gradually increases the value of the reference voltage from 0V from the start of the test as a reference voltage generating means, and applies it to the sample after an appropriate time. A high voltage value is used as a specified value for the withstand voltage test. The pressure resistance test device described. Claim 3
In order to achieve the above-mentioned third object, the invention of (1) makes it possible to turn on the switching element even at the end of the test.

【0008】[0008]

【作用】請求項1の発明は、上述のように応答性の遅い
高圧リレーなどの代わりに、応答性に優れたスイッチン
グ素子、例えばサイリスタなどを用いることにより、試
料が異常であると判断されたとき、スイッチング素子で
試料に印加された高電圧を瞬時に降圧する。これによ
り、試料を劣化させることなく、耐圧試験を行えるよう
にする。
According to the invention of claim 1, it is judged that the sample is abnormal by using a switching element having excellent responsiveness, such as a thyristor, in place of the high-voltage relay having slow responsiveness as described above. At this time, the high voltage applied to the sample is instantaneously stepped down by the switching element. As a result, the breakdown voltage test can be performed without deteriorating the sample.

【0009】請求項2の発明は、基準電圧発生手段とし
て、試験開始時点から基準電圧の値を0Vから徐々に上
昇させて適宜時間後に試料に印加する高電圧の値を耐圧
試験を行う規定値とするものを用いることにより、試料
に印加される高電圧を徐々に上昇させ、試料が浮遊容量
を有するものであっても、その浮遊容量に大きな充電電
流が流れないようにする。つまりは、異常検出手段で異
常と判断される電流値よりも、浮遊容量を充電する充電
電流の電流値を小さく抑え、耐圧試験装置の異常検出機
能に影響を与えないようにする。
According to a second aspect of the present invention, as the reference voltage generating means, the value of the reference voltage is gradually increased from 0 V from the start of the test, and a high voltage value applied to the sample after an appropriate time is a prescribed value for performing the withstand voltage test. The high voltage applied to the sample is gradually increased by using the above, so that even if the sample has a stray capacitance, a large charging current does not flow in the stray capacitance. That is, the current value of the charging current for charging the stray capacitance is suppressed to be smaller than the current value determined to be abnormal by the abnormality detecting means so that the abnormality detecting function of the withstand voltage test apparatus is not affected.

【0010】請求項3の発明は、スイッチング素子を試
験終了時にもオンすることにより、試料が浮遊容量を有
するものである場合に、この浮遊容量に充電された電荷
を、試験終了時点でスイッチング素子を介して放電し、
試験終了後に試料に触れても感電することがないように
する。
According to the third aspect of the present invention, by turning on the switching element even after the test is completed, when the sample has a stray capacitance, the electric charge charged in the stray capacitance is switched at the end of the test. Discharge through
Do not get an electric shock even if you touch the sample after the test.

【0011】[0011]

【実施例】図1に本発明の耐圧試験装置を示す。なお、
その具体構成を図2に示す。本実施例の耐圧試験装置
は、基本的には、試料に印加される直流の高電圧を発生
する高電圧発生部1と、試料に印加される高電圧の電圧
値を検出する電圧検出部2と、試料に流れる電流を検出
する電流検出部3と、試料に印加する高電圧の値を設定
する基準電圧を発生する基準電圧発生部4と、この基準
電圧発生部4の基準電圧と上記電圧検出部2で検出され
た電圧値との差を求めその差を無くすように高電圧発生
部1から発生する高電圧の電圧値を制御する電圧制御部
5と、上記電流検出部3で検出された電流から試料の異
常を検出する異常検出部6と、試料に高電圧を印加する
時間、つまりは耐圧試験時間を計時する計時部7と、こ
の計時部7で設定された耐圧試験時間の終了時点、及び
上記異常検出部6で試料の異常が検出されたとき、試料
に印加された高電圧を瞬時に降圧する高電圧除去部8
と、耐圧試験の開始時及び終了時に各部に対して処理信
号を与える制御部9とで構成してある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a pressure resistance test apparatus of the present invention. In addition,
The specific configuration is shown in FIG. The withstand voltage test apparatus of this embodiment basically has a high voltage generation unit 1 that generates a high DC voltage applied to a sample and a voltage detection unit 2 that detects a voltage value of the high voltage applied to the sample. A current detecting section 3 for detecting a current flowing through the sample, a reference voltage generating section 4 for generating a reference voltage for setting a high voltage value applied to the sample, a reference voltage of the reference voltage generating section 4 and the above voltage. The voltage control unit 5 for controlling the voltage value of the high voltage generated by the high voltage generation unit 1 so as to find the difference from the voltage value detected by the detection unit 2 and eliminating the difference, and the voltage control unit 5 detected by the current detection unit 3 Abnormality detecting section 6 for detecting an abnormality of the sample from the current, a time section 7 for applying a high voltage to the sample, that is, a withstand voltage test time, and an end of the withstand voltage test time set by this timer section 7. At the time, and when the abnormality of the sample is detected by the abnormality detection unit 6 High voltage removal unit 8 stepping down a high voltage applied to the sample instantly
And a control unit 9 which gives a processing signal to each unit at the start and end of the withstand voltage test.

【0012】高電圧発生部1は、交流(正弦波)発生回
路11で発生する交流(正弦波)電圧をパワーアンプ1
2で増幅し、その増幅出力をさらに昇圧トランスT1
昇圧し、昇圧出力をダイオードブリッジDB1 及び平滑
コンデンサC1 で整流平滑して、直流の高電圧を得る構
成としてあり、平滑コンデンサC1 の両端に生じる高電
圧を試料に印加するようになっている。
The high voltage generator 1 supplies the AC (sine wave) voltage generated by the AC (sine wave) generation circuit 11 to the power amplifier 1
2 is amplified, the amplified output is further boosted by the step-up transformer T 1 , and the boosted output is rectified and smoothed by the diode bridge DB 1 and the smoothing capacitor C 1 to obtain a high DC voltage. The smoothing capacitor C 1 A high voltage generated at both ends of the sample is applied to the sample.

【0013】ここで、試料に印加される高電圧を規定値
にするために、試料に印加された電圧値を検出する電圧
検出部2と、試料に印加する高電圧の値、つまりは上記
規定値を設定する基準電圧を発生する基準電圧発生部4
と、この基準電圧発生部4の基準電圧と上記電圧検出部
2で検出された電圧値との差を求めその差を無くすよう
に高電圧発生部1から発生する高電圧の電圧値を制御す
る電圧制御部5とを備えている。
Here, in order to set the high voltage applied to the sample to a specified value, the voltage detection unit 2 for detecting the voltage value applied to the sample and the value of the high voltage applied to the sample, that is, the above specified value. Reference voltage generator 4 for generating a reference voltage for setting a value
Then, the difference between the reference voltage of the reference voltage generator 4 and the voltage value detected by the voltage detector 2 is obtained, and the voltage value of the high voltage generated from the high voltage generator 1 is controlled so as to eliminate the difference. And a voltage control unit 5.

【0014】電圧検出部2は、分圧抵抗R2 ,R3 及び
差動アンプ21で構成してあり、分圧抵抗R2 ,R3
分圧電圧と、この分圧抵抗R2 ,R3 の直列回路と後述
する電流検出回路3の電流検出抵抗R1 との分圧電圧と
の差分を差動アンプ21で増幅し、試料に印加された高
電圧に応じた電圧出力を得るようにしてある。基準電圧
発生部4は、詳細は後述するランプ(RAMP)波発生
回路40と、このランプ波発生回路40の出力電圧を元
にして基準電圧VREF を発生する可変抵抗VR1 とで構
成してある。
[0014] Voltage detector 2 Yes constituted by voltage dividing resistors R 2, R 3 and the differential amplifier 21, and the divided voltage of the voltage dividing resistors R 2, R 3, the dividing resistors R 2, R The differential amplifier 21 amplifies the difference between the divided voltage between the series circuit of 3 and the current detection resistor R 1 of the current detection circuit 3 to be described later to obtain a voltage output according to the high voltage applied to the sample. There is. The reference voltage generator 4 is composed of a ramp (RAMP) wave generation circuit 40, which will be described in detail later, and a variable resistor VR 1 which generates a reference voltage V REF based on the output voltage of the ramp wave generation circuit 40. is there.

【0015】電圧制御部5は、電圧検出部2で検出され
た検出電圧VVDと基準電圧VREF との誤差出力を発生す
る誤差アンプ51と、交流発生回路11とアンプ12と
の間に挿入され誤差アンプ51の出力に基づいて交流発
生回路11の出力を適宜減衰させるアッテネータ52と
で構成してある。上記各部2,4,5では、電圧検出部
2で検出された検出電圧VVDが基準電圧VREF に一致す
るように、誤差アンプ5の出力でアッテネータ2におけ
る減衰量を調節し、試料に印加される高電圧が基準電圧
REF で決まる規定の電圧値となるようにフィードバッ
ク制御をかけるようになっている。
The voltage control unit 5 is inserted between the error amplifier 51 that generates an error output between the detection voltage V VD detected by the voltage detection unit 2 and the reference voltage V REF , and the AC generation circuit 11 and the amplifier 12. And an attenuator 52 that appropriately attenuates the output of the AC generation circuit 11 based on the output of the error amplifier 51. In each of the units 2, 4 and 5, the attenuation amount in the attenuator 2 is adjusted by the output of the error amplifier 5 so that the detection voltage V VD detected by the voltage detection unit 2 matches the reference voltage V REF , and then applied to the sample. Feedback control is performed so that the generated high voltage becomes a prescribed voltage value determined by the reference voltage V REF .

【0016】電流検出部3としては、高電圧が試料に印
加する経路に挿入された電流検出抵抗R1 を用いてあ
る。ここで、電流検出抵抗R1 の両端にはリミッタ回路
31を接続してある。このリミッタ回路31は、万が一
電流検出抵抗R1 に異常に大きな電流が流れたときに
も、次に説明する異常検出部6の反転アンプ61に過大
な入力信号が加わることを防止するために設けてある。
なお、本実施例では、抵抗で試料に流れる電流を検出す
るようにしてあるが、例えばカレントトランスなどを用
いてもよい。
As the current detecting section 3, a current detecting resistor R 1 inserted in a path through which a high voltage is applied to the sample is used. Here, a limiter circuit 31 is connected to both ends of the current detection resistor R 1 . The limiter circuit 31 is provided in order to prevent an excessive input signal from being applied to the inverting amplifier 61 of the abnormality detection unit 6 described below even if an abnormally large current flows through the current detection resistor R 1. There is.
In this embodiment, the resistance detects the current flowing through the sample, but a current transformer or the like may be used.

【0017】異常検出部6は、電流検出抵抗R1 の両端
に発生する電圧を増幅する反転アンプ61と、その増幅
出力から高周波成分を抽出するハイパスフィルタ62
と、上記増幅出力から低周波成分を抽出するローパスフ
ィルタ63と、ハイパスフィルタ62で抽出された高周
波成分が規定値以上であるか否かを判別するコンパレー
タCMP1 と、ローパスフィルタ63で抽出された低周
波成分が規定値以上であるか否かを判別するコンパレー
タCMP2 と、耐圧試験中であることを示す後述する制
御部9の制御回路94の出力QB と夫々のコンパレータ
CMP1 ,CMP 2 のアンドをとり、試験中にいずかの
コンパレータCMP1 ,CMP2 の出力がハイレベルと
なったときに、その出力がハイレベルとなるアンド回路
AND1 ,AND2 と、夫々のアンド回路AND1 ,A
ND2 の出力のいずれかがハイレベルであるときに、ロ
ーレベルの出力を発生するノア回路NOR1 と、ノア回
路NOR1 の出力でセットされるフリップフロップ64
とで構成してある。なお、各コンパレータCMP1 ,C
MP2 の基準電圧VREF3,VREF4は可変抵抗VR3 ,V
4 で可変設定できるようになっている。
The abnormality detecting section 6 includes a current detecting resistor R1Both ends of
Inverting amplifier 61 that amplifies the voltage generated in the
High-pass filter 62 that extracts high-frequency components from the output
And a low-pass filter that extracts low-frequency components from the amplified output.
Filter 63 and the high frequency extracted by the high pass filter 62.
A comparator that determines whether the wave component is above a specified value.
Ta CMP1And the low frequency extracted by the low pass filter 63.
A comparator that determines whether the wave component is above a specified value.
Ta CMP2And the control described later, which indicates that the pressure resistance test is in progress.
Output Q of control circuit 94 of control section 9BAnd each comparator
CMP1, CMP 2Take the AND of the
Comparator CMP1, CMP2Output is high level
AND circuit whose output becomes high level when
AND1, AND2And each AND circuit AND1, A
ND2When any of the outputs of
NOR circuit NOR that generates high level output1And Noah times
Road NOR1Flip-flop 64 set by the output of
It consists of and. In addition, each comparator CMP1, C
MP2Reference voltage VREF3, VREF4Is the variable resistance VR3, V
RFourYou can change the setting with.

【0018】計時部7は、試験時間が設定されたタイマ
71と、このタイマ71の出力QTの立下りを検出する
立下り検出回路72とで構成してある。タイマ71は、
ランプ波発生回路40の出力*VTRIG(*はその信号あ
るいは入力端子がアクティブローであることを示す)で
計時動作を開始し、計時動作中はハイレベルの出力は発
生する。また、立下り検出回路72はタイマ71の立下
りを検出することにより、試験時間の終了時点を検出す
るものである。ここで、立下り検出回路72は、例え
ば、タイマ71の出力を微分する微分回路と、その微分
出力でトリガがかかるワンショットマルチバイブレータ
とで構成し、立下り検出時点で負のパルスを発生するよ
うにしてある。なお、以下に説明する立下り検出回路及
び立上り検出回路も同様の構成になっている。
The timer unit 7 is composed of a timer 71 in which a test time is set and a fall detection circuit 72 for detecting the fall of the output Q T of the timer 71. The timer 71 is
The output of the ramp wave generation circuit 40 * V TRIG (* indicates that the signal or the input terminal is active low) starts the time counting operation, and a high level output is generated during the time counting operation. Further, the fall detection circuit 72 detects the fall of the test time by detecting the fall of the timer 71. Here, the fall detection circuit 72 is composed of, for example, a differentiating circuit that differentiates the output of the timer 71 and a one-shot multivibrator that is triggered by the differentiated output, and generates a negative pulse at the time of falling detection. Is done. The falling edge detection circuit and the rising edge detection circuit described below have the same configuration.

【0019】上記制御部9は、試験の開始を示す負のパ
ルスからなるスタート信号(START)により計時動作を開
始する遅延回路91と、遅延回路91の立上りを検出す
る立上り検出回路92と、遅延回路91の立下りを検出
する立下り検出回路93と、立下り検出回路93の出力
でセットされるフリップフロップからなる制御回路94
と、制御回路94の出力QB の出力の立下りを検出する
立下り検出回路95と、立下り検出回路95の出力が得
られたときに、ハイレベルの出力を発生するフリップフ
ロップからなる出力回路96とで構成してある。
The control section 9 includes a delay circuit 91 for starting a timing operation by a start signal (START) consisting of a negative pulse indicating the start of a test, a rising detection circuit 92 for detecting the rising of the delay circuit 91, and a delay circuit. A fall detection circuit 93 for detecting the fall of the circuit 91, and a control circuit 94 including a flip-flop set by the output of the fall detection circuit 93.
An output composed of a fall detection circuit 95 for detecting the fall of the output of the output Q B of the control circuit 94, and a flip-flop for producing a high level output when the output of the fall detection circuit 95 is obtained. And a circuit 96.

【0020】なお、制御回路94では、耐圧試験を強制
的に終了させるための負のパルスからなるリセット信号
(RESET)が入力されたとき、異常検出部6のフリップフ
ロップ64で異常出力が得られたとき、タイマ71に設
定された試験動作時間が経過して立下り検出部72の出
力が入力されたときに、夫々リセットがかかるようにな
っている。
In the control circuit 94, when a reset signal (RESET) consisting of a negative pulse for forcibly ending the withstand voltage test is input, an abnormal output is obtained by the flip-flop 64 of the abnormality detecting section 6. At this time, when the test operation time set in the timer 71 elapses and the output of the fall detection unit 72 is input, each is reset.

【0021】高電圧遮断部8は、平滑コンデンサC1
両端に抵抗R4 を介して並列に接続されたサイリスタ
(SCR)Q1 と、このサイリスタQ1 のゲートにパル
ストランスPT1 を介してトリガをかけるゲートトリガ
回路81とで構成してある。さらに、ゲートトリガ回路
81は、図2に示すように、制御部9の立上り検出回路
92の出力と、立下り検出回路95の出力と、リセット
信号(RESET)とのナンドをとり、いずれかの信号がロー
レベルとなったとき、出力がハイレベルとなるナンド回
路NAND1 と、このナンド回路NAND1 の出力でオ
ン,オフ制御されるトランジスタQ3 とで構成してあ
る。
The high-voltage cutoff unit 8 has a thyristor (SCR) Q 1 connected in parallel across a smoothing capacitor C 1 via a resistor R 4 and a gate of the thyristor Q 1 via a pulse transformer PT 1. And a gate trigger circuit 81 for applying a trigger. Further, as shown in FIG. 2, the gate trigger circuit 81 takes the NAND of the output of the rising edge detection circuit 92 of the control section 9, the output of the falling edge detection circuit 95, and the reset signal (RESET), and either It is composed of a NAND circuit NAND 1 whose output becomes high level when the signal becomes low level, and a transistor Q 3 which is on / off controlled by the output of the NAND circuit NAND 1 .

【0022】ここで、本実施例では試料に印加された高
電圧を切る手段として、サイリスタQ1 を用いてある点
に特徴がある。なお、サイリスタQ1 以外にも応答性の
優れたスイッチング素子、例えばSIサイリタを用いて
もよく、さらには耐圧を満足できれば、トランジスタ、
FETなどであってもよい。また、図2に示すように、
サイリスタQ1 の耐圧を高くするために、直列接続した
2個のサイリスタQ11,Q12を用いるようにしてもよ
い。
Here, the present embodiment is characterized in that the thyristor Q 1 is used as a means for cutting off the high voltage applied to the sample. In addition to the thyristor Q 1 , a switching element having excellent responsiveness, for example, an SI thyristor may be used, and if a withstand voltage is satisfied, a transistor,
It may be a FET or the like. Also, as shown in FIG.
Two thyristors Q 11 and Q 12 connected in series may be used to increase the withstand voltage of the thyristor Q 1 .

【0023】以下に、本発明のもう1つの特徴である基
準電圧発生部4のランプ波発生部40について説明す
る。ランプ波発生回路40は、基本的には、図2に示す
ように、0Vから制御電源の電圧まで徐々に上昇する出
力を発生する積分回路41と、この積分回路41の出力
を基準電圧VREF を設定する可変抵抗VR1 に印加する
バッファB1 と、積分回路84の出力が所定電圧に達し
たことから試料に印加される高電圧が所定値に達する直
前の状態を検出するコンパレータCMP3 とで構成して
ある。
The ramp wave generator 40 of the reference voltage generator 4, which is another feature of the present invention, will be described below. As shown in FIG. 2, the ramp wave generation circuit 40 basically includes an integration circuit 41 that generates an output that gradually increases from 0 V to the voltage of the control power supply, and an output of the integration circuit 41 that is a reference voltage V REF. A buffer B 1 applied to a variable resistor VR 1 for setting a comparator, and a comparator CMP 3 for detecting a state immediately before the high voltage applied to the sample reaches a predetermined value because the output of the integrating circuit 84 has reached a predetermined voltage. It is composed of.

【0024】上記積分回路41の出力は、例えば、図3
(g)に示すように、0Vから制御電源の電圧まで徐々
に上昇する。これにより、基準電圧VREF も同図(m)
に示すように0Vから所定値まで徐々に上昇する。この
積分回路41には、可変抵抗VR2 を介して入力電圧を
印加してあり、この入力電圧を調節することにより、積
分回路41の抵抗RI を介してコンデンサCI を充電す
る充電電流を可変し、出力電圧VC の上昇速度を変化さ
せることができるようにしてある。つまり、試料は形状
などによりその浮遊容量が異なるため、試料の種別など
に応じて適切に充電電流を小さい値に抑えるために、可
変抵抗VR2 を用いて入力電圧を調節できるようにして
ある。
The output of the integrating circuit 41 is, for example, as shown in FIG.
As shown in (g), the voltage gradually increases from 0 V to the voltage of the control power supply. As a result, the reference voltage V REF is also shown in FIG.
As shown in, the voltage gradually increases from 0V to a predetermined value. An input voltage is applied to the integrating circuit 41 via a variable resistor VR 2, and a charging current for charging the capacitor C I via the resistor R I of the integrating circuit 41 is adjusted by adjusting the input voltage. It is variable so that the rising speed of the output voltage V C can be changed. That is, since the stray capacitance of the sample varies depending on the shape and the like, the input voltage can be adjusted by using the variable resistor VR 2 in order to appropriately suppress the charging current to a small value according to the type of the sample.

【0025】この積分回路41の出力には、ツェナダイ
オードZD1 を接続し、可変抵抗VR1 に印加される電
圧が必要以上に高くなることを防止してある。上記コン
パレータCMP3 ではその基準電圧を上記ツェナダイオ
ードZD1 のツェナ電圧EZよりも僅かに低い電圧(E
Z −ΔE)に設定し、積分回路41の出力がツェナ電圧
Z に達する直前の状態を、試料に印加される高電圧が
所定値に達する直前の状態として判別するようにしてあ
る。このコンパレータCMP3 の出力には、立上り検出
部42を設け、コンパレータCMP3 の立上りを検出し
たときに、負のパルスを発生するようにしてある。な
お、この立上り検出部42の出力で計時部7のタイマ7
1が計時動作を開始する。つまり、本実施例の場合に
は、基準電圧VREF が規定電圧に達するまでに時間がか
かるので、上記コンパレータCMP3を設けて、規定の
高電圧が試料に印加される時点で試験時間を計時するタ
イマ71の動作を開始させるようにしてある。
A Zener diode ZD 1 is connected to the output of the integrating circuit 41 to prevent the voltage applied to the variable resistor VR 1 from becoming higher than necessary. The reference voltage of the comparator CMP 3 is slightly lower than the Zener voltage E Z of the Zener diode ZD 1 (E
Z- ΔE), and the state immediately before the output of the integrating circuit 41 reaches the Zener voltage E Z is determined as the state immediately before the high voltage applied to the sample reaches a predetermined value. The output of the comparator CMP 3, the rising edge detection unit 42 is provided, upon detecting a rising edge of the comparator CMP 3, it is as to generate a negative pulse. It should be noted that the output of the rising detection unit 42 is used to output the timer 7 of the clock unit 7.
1 starts timing operation. In other words, in the case of the present embodiment, it takes time for the reference voltage V REF to reach the specified voltage. Therefore, the comparator CMP 3 is provided and the test time is measured at the time when the specified high voltage is applied to the sample. The operation of the timer 71 is started.

【0026】上記ランプ波発生回路40には、試験時に
オンとなり、可変抵抗VR2 から積分回路41に入力電
圧を印加できるようにするアナログスイッチSWD と、
非試験時にオンとなり、積分回路41の入力をグランド
に落とし積分回路41の動作を停止させるアナログスイ
ッチSWE と、放電抵抗RD を介してコンデンサCI
両端に接続され、非試験時にオンとなり、コンデンサC
1 の充電電荷を放電するアナログスイッチSWF とを設
けてある。これらいずれのアナログスイッチSWD 〜S
F も、基本的には、非試験時において積分回路41の
動作を完全に停止する状態に保つと共に、次回の測定を
行うために積分回路41を初期状態にするために設けて
ある。
The ramp wave generating circuit 40 has an analog switch SW D which is turned on at the time of a test so that an input voltage can be applied to the integrating circuit 41 from the variable resistor VR 2 .
It is connected to both ends of the capacitor C I through the discharge resistor R D and the analog switch SW E that turns on during non-testing and drops the input of the integrating circuit 41 to the ground, and turns on during non-testing. , Capacitor C
An analog switch SW F for discharging the charge of 1 is provided. Any of these analog switches SW D to S
W F is basically also provided to keep the operation of the integrating circuit 41 completely stopped during non-testing and to put the integrating circuit 41 into the initial state for the next measurement.

【0027】これらアナログスイッチSWD 〜SWF
他に、本実施例ではアナログスイッチSWA 〜SWC
備えている。アナログスイッチSWA は、非試験時にオ
ンとなり、誤差アンプ5の基準電圧VREF の入力端子を
グランドに接続して、可変抵抗VR1 から基準電圧V
REF が印加されることを防止するものであり、また、ア
ナログスイッチSWB は、非試験時にオンとなり、アッ
テネータ2の制御入力をグランドに落として誤差アンプ
5の出力がアッテネータ2に入力されることを防止する
ものである。これらアナログスイッチSWA ,SWB
非試験時にフィードバック制御ループを開いて耐圧試験
装置が誤動作を起こすことを防止するために設けてあ
る。
In addition to these analog switches SW D to SW F , the present embodiment includes analog switches SW A to SW C. The analog switch SW A is turned on at the time of non-test, the input terminal of the reference voltage V REF of the error amplifier 5 is connected to the ground, and the variable resistor VR 1 to the reference voltage V REF.
It is to prevent REF from being applied, and the analog switch SW B is turned on during non-test, so that the control input of the attenuator 2 is dropped to the ground and the output of the error amplifier 5 is input to the attenuator 2. Is to prevent. These analog switches SW A and SW B are provided to prevent a malfunction of the withstand voltage test device by opening a feedback control loop during non-test.

【0028】上記アナログスイッチSWA ,SWB ,S
D 〜SWF のオン,オフ制御は、上記制御部9の制御
回路94で行うようにしてある。つまりは、制御回路9
4の出力QB により、アナログスイッチSWD のオン,
オフ制御を行い、出力*QBでアナログスイッチS
A ,SWB ,SWE ,SWF のオン,オフ制御を行う
ようにしてある。
The analog switches SW A , SW B and S
The ON / OFF control of W D to SW F is performed by the control circuit 94 of the control unit 9. That is, the control circuit 9
The output Q B of 4 turns on the analog switch SW D ,
The off control is performed and the analog switch S is output at output * Q B.
ON / OFF control of W A , SW B , SW E , and SW F is performed.

【0029】アナログスイッチSWC は、差動アンプ4
aの出力に設け、その出力にコンデンサCH を接続し、
コンデンサCH の出力をバッファB2 を介して電圧計M
に出力するようにしてあり、これらアナログスイッチS
C 、コンデンサCH 及びバッファB2 でサンプルホー
ルド回路を構成してある。つまりは、フリップフロップ
64の出力*QNGがハイレベルである期間には、アナロ
グスイッチSWC はオンとなり、この期間に差動アンプ
4aの出力がコンデンサCH に加えられるようにしてお
き、そして異常が検出され、上記フリップフロップ64
の出力がローレベルとなったとき、アナログスイッチS
C がオフとなり、異常検知時点における差動アンプ4
aの出力電圧状態をコンデンサCH で保持し、その値を
電圧計Mで表示し、異常検知時の試料に印加された高電
圧の値を確認できるようにしてある。
The analog switch SW C is a differential amplifier 4
It is provided at the output of a, and a capacitor C H is connected to that output,
The output of the capacitor C H is output to the voltmeter M via the buffer B 2.
Output to the analog switch S
A sample hold circuit is composed of W C , capacitor C H and buffer B 2 . That is, while the output * Q NG of the flip-flop 64 is at the high level, the analog switch SW C is turned on, and the output of the differential amplifier 4a is added to the capacitor C H during this period, and When an abnormality is detected, the flip-flop 64
When the output of becomes the low level, the analog switch S
W C turns off and the differential amplifier 4 at the time of abnormality detection
The output voltage state of a is held by the capacitor C H , the value is displayed by the voltmeter M, and the value of the high voltage applied to the sample at the time of abnormality detection can be confirmed.

【0030】本実施例の基本動作を以下に説明する。な
お、まず試料を装着していないいわゆる無負荷運転の場
合について説明する。耐圧試験を開始する場合には、開
始スイッチなどの操作に応じて負のパルスのスタート信
号が入力される(図3(a))。このスタート信号は遅
延回路91に入力される。遅延回路91では、図3
(b)に示すようにスタート信号の立上りによりトリガ
され、一定時間(遅延時間)だけハイレベルとなる出力
D を発生する。
The basic operation of this embodiment will be described below. First, a case of so-called no-load operation in which the sample is not mounted will be described. When starting the withstand voltage test, a negative pulse start signal is input according to the operation of the start switch or the like (FIG. 3A). This start signal is input to the delay circuit 91. In the delay circuit 91, as shown in FIG.
As shown in (b), it is triggered by the rising edge of the start signal and generates an output Q D that is at a high level for a fixed time (delay time).

【0031】上記遅延回路91の出力QD は、立上り検
出部92及び立下り検出部93に入力される。ここで、
図3(c)に示す立上り検出部92の出力*CLR2
出力回路96がリセットされる。これにより、出力回路
96に保持された前回の試験結果を示す出力状態がクリ
アされる。また、この立上り検出部92の出力*CLR
2 は、高電圧遮断部8にも入力される。このとき、立上
り検出部92の出力で、ナンド回路NAND1 の出力が
ハイレベルとなり、トランジスタQ3 がオンとなり、サ
イリスタQ1 のゲートをトリガしてオンとする。このよ
うに、試験を開始する前に、サイリスタQ1 をオンとす
ることで、例えば平滑コンデンサC1 の充電電荷を放出
することで、適切に試験が行えるようにする。つまり
は、以上の動作により試験開始に際しての前処理を行
う。遅延回路91は、この前処理のための時間を設定す
るために設けてある。
The output Q D of the delay circuit 91 is input to the rising edge detecting section 92 and the falling edge detecting section 93. here,
The output circuit 96 is reset by the output * CLR 2 of the rising edge detector 92 shown in FIG. As a result, the output state indicating the previous test result held in the output circuit 96 is cleared. Also, the output * CLR of this rising detection unit 92
2 is also input to the high voltage cutoff unit 8. At this time, the output of the NAND circuit NAND 1 becomes a high level by the output of the rising detection section 92, the transistor Q 3 is turned on, and the gate of the thyristor Q 1 is triggered to be turned on. As described above, by turning on the thyristor Q 1 before starting the test, for example, the charge stored in the smoothing capacitor C 1 is discharged, so that the test can be appropriately performed. In other words, the pre-processing at the start of the test is performed by the above operation. The delay circuit 91 is provided to set the time for this preprocessing.

【0032】遅延回路91の出力の立下り時点で、図3
(d)に示す立上り検出部93の出力*BSET が出力さ
れ、制御回路94が試験状態にセットされる。このと
き、制御回路94の出力QB がハイレベルとなり、出力
*QB がローレベルとなる。制御回路94の出力QB
より、アナログスイッチSWD がオンとなり、積分回路
41に入力電圧が印加される。これにより、積分回路4
1の出力電圧VC は、図3(g)に示すように、0Vか
ら抵抗RI 及びコンデンサCI の時定数に応じて徐々に
上昇する。そして、その積分回路41の出力VC がツェ
ナダイオードZD 1 のツェナ電圧EZ に達した時点以降
は、出力VC はツェナ電圧EZ に保たれる。ツェナダイ
オードZD1 の両端電圧Vaを図3(h)に示す。
When the output of the delay circuit 91 falls, FIG.
Output * B of rising edge detection unit 93 shown in (d)SETIs output
Then, the control circuit 94 is set to the test state. This and
Output Q of the control circuit 94BBecomes high level and output
* QBBecomes low level. Output Q of control circuit 94BTo
More analog switch SWDIs turned on and the integration circuit
An input voltage is applied to 41. As a result, the integration circuit 4
1 output voltage VCIs 0V as shown in FIG.
Resistance RIAnd capacitor CIGradually according to the time constant of
To rise. Then, the output V of the integrating circuit 41CTse
N-Diode ZD 1Zener voltage EZAfter reaching
Is the output VCIs the Zener voltage EZKept in. Zenadai
Aether ZD1The voltage Va at both ends of is shown in FIG.

【0033】上記電圧VaはバッファB1 を介して高電
圧の規定値に設定する可変抵抗VR 1 に印加される。こ
こで、基準電圧VREF は、バッファB1 の出力電圧の上
昇に伴い徐々に上昇し、バッファB1 の入力電圧Vaが
ツェナ電圧EZ に達したときに、試料に規定の高電圧が
印加される状態となる。上記基準電圧VREF が誤差アン
プ51に入力されることにより、試験開始直後にその減
衰量をアッテネータ52は最大とし、徐々に減衰量を小
さくするように制御される。このときのパワーアンプ1
2の出力VPAを図3(n)に示し、平滑コンデンサC1
の両端電圧VC1を同図(p)、試料に印加される高電圧
HVを同図(g)に示す。
The voltage Va corresponds to the buffer B.1Through high power
Variable resistance VR set to the specified value of pressure 1Applied to. This
Here, the reference voltage VREFIs buffer B1Above the output voltage of
Buffer B gradually rises with rising1Input voltage Va of
Zener voltage EZReaches the specified high voltage
It is in the state of being applied. The reference voltage VREFIs the error
By inputting into the group 51, the
The attenuation is maximized by the attenuator 52 and gradually reduced.
It is controlled so that it can be extracted. Power amplifier 1 at this time
2 output VPAIs shown in FIG. 3 (n), and the smoothing capacitor C1
Voltage V acrossC1Figure (p), high voltage applied to the sample
The HV is shown in FIG.

【0034】上記電圧VaはコンパレータCMP3 にも
入力される。ここで、このコンパレータCMP3 の基準
電圧は、図3(h)に示すようにツェナダイオードZD
1 のツェナ電圧よりも若干低い電圧(Ez−ΔE)に設
定してあり、このコンパレータCMP3 により試料に所
定の高電圧が印加される状態になった直前の時点である
ことが検知される。なお、コンパレータCMP3 の基準
電圧は極力ツェナ電圧に近い方が試験時間を一定にでき
るのであるが、ツェナ電圧にはばらつきを生じた場合に
タイマ71が計時動作を開始しない恐れがある。そこ
で、これを防止するために、基準電圧をツェナ電圧より
も若干低い電圧(Ez−ΔE)に設定してある。
The voltage Va is also input to the comparator CMP 3 . Here, the reference voltage of the comparator CMP 3 is the Zener diode ZD as shown in FIG.
The voltage (Ez-ΔE) slightly lower than the Zener voltage of 1 is set, and it is detected by the comparator CMP 3 that the time immediately before the state in which a predetermined high voltage is applied to the sample is reached. Note that the reference time of the comparator CMP 3 can be set to be constant when the reference voltage is as close as possible to the Zener voltage, but the timer 71 may not start the time counting operation when the Zener voltage varies. Therefore, in order to prevent this, the reference voltage is set to a voltage (Ez-ΔE) slightly lower than the Zener voltage.

【0035】上記コンパレータCMP3 の出力(図3
(i)に示す)の立上りは立上り検出部72で検出す
る。この立上り検出部72からは図3(j)に示す負の
パルスからなる出力*VTRIGが出力され、それにより試
験時間を計時するタイマ71が計時動作を開始する。つ
まりは、試料が良品である場合には、試料にはこのタイ
マ71の計時時間(図3(k)に示すハイレベル期間)
だけ高電圧が印加される。なお、無負荷状態である場合
にも、試料が良品である場合と同様に、タイマ71に設
定された試験時間には高電圧が印加される。
The output of the comparator CMP 3 (see FIG.
The rising edge (shown in (i)) is detected by the rising edge detector 72. An output * V TRIG composed of a negative pulse shown in FIG. 3 (j) is output from the rising edge detection section 72, whereby the timer 71 for measuring the test time starts the time counting operation. In other words, when the sample is non-defective, the sample 71 measures the time measured by the timer 71 (high-level period shown in FIG. 3K).
Only a high voltage is applied. Even in the unloaded state, a high voltage is applied during the test time set in the timer 71, as in the case where the sample is non-defective.

【0036】そして、上記試験時間が終了したことを、
立下り検出部72で検出する。そのとき、立下り検出部
72からは図4(l)に示す信号*CLR4 が出力さ
れ、制御回路94がリセットされる。このとき、制御回
路94の出力QB がローレベルとなり、立下り検出回路
95から図3(v)に示す負のパルス信号*ESET が出
力される。これにより、出力回路96の出力QE がハイ
レベルとなる。この出力QE は試験が終了したことを示
すために用いられる。
When the test time is over,
The fall detection unit 72 detects it. At this time, the falling edge detector 72 outputs the signal * CLR 4 shown in FIG. 4 (l), and the control circuit 94 is reset. At this time, the output Q B of the control circuit 94 becomes low level, and the negative pulse signal * E SET shown in FIG. 3 (v) is output from the fall detection circuit 95. As a result, the output Q E of the output circuit 96 becomes high level. This output Q E is used to indicate that the test is complete.

【0037】上記立下り検出回路95の出力*ESET
高電圧遮断部8にも同時に入力され、これにより試験開
始時と同様にして、図3(o)に示すようにサイリスタ
1のゲートにトリガをかけてオンとする。このように
サイリスタQ1 がオンすることにより、平滑コンデンサ
1 の充電電荷を抵抗R4 を介して放電し、次の試験に
備える。
The output * E SET of the fall detection circuit 95 is also input to the high-voltage cutoff section 8 at the same time, and as a result, the gate of the thyristor Q 1 as shown in FIG. Trigger on to turn it on. When the thyristor Q 1 is turned on in this way, the charge stored in the smoothing capacitor C 1 is discharged through the resistor R 4 and the device is ready for the next test.

【0038】さらに、上記制御回路94の出力QB がロ
ーレベルとなることにより、アナログスイッチSWD
オフとなり、出力*QB がハイレベルとなることによ
り、アナログスイッチSWA ,SWB ,SWE ,SWF
が夫々オンとなり、積分回路51の出力が生じないよう
にすると共に、電圧制御部5の制御がかからない状態に
保つ。
Further, when the output Q B of the control circuit 94 becomes low level, the analog switch SW D is turned off, and when the output * Q B becomes high level, the analog switches SW A , SW B , SW. E , SW F
Are turned on to prevent the output of the integration circuit 51 from being generated, and the voltage control unit 5 is maintained in a state where it is not controlled.

【0039】なお、言うまでもないが、この無負荷時に
は電流検出抵抗R1 に電流が流れることはなく、反転ア
ンプ61の出力Viも図3(r)に示すように生じな
い。従って、異常検出部6のフリップフロップ64の出
力*QNGはハイレベル状態に維持される。よって、アナ
ログスイッチSWC が常時オンの状態に保持され、電圧
計Mには図3(s)に示す差動アンプ21の出力VVD
応じた電圧が表示される。
Needless to say, no current flows through the current detection resistor R 1 when there is no load, and the output Vi of the inverting amplifier 61 does not occur as shown in FIG. 3 (r). Therefore, the output * Q NG of the flip-flop 64 of the abnormality detection unit 6 is maintained in the high level state. Therefore, the analog switch SW C is always held in the ON state, and the voltmeter M displays the voltage corresponding to the output V VD of the differential amplifier 21 shown in FIG. 3 (s).

【0040】次に、良品の試料の耐圧試験を行った場合
について説明する。この場合も上記無負荷と殆ど同じに
動作する。ここで、良品の試料が浮遊容量を有する場
合、その浮遊容量が充電される場合の充電電流が流れ
る。しかし、本実施例では、無負荷時の動作で説明した
ように、試験開始時点から基準電圧VREF を0Vから徐
々に増加させ、試料に印加される高電圧も0Vから徐々
に上昇するようにしてあるので、試料が浮遊容量を有す
る場合であっても、図4(j)に示すように浮遊容量に
流れる電流は小さく抑えられる。このため、規定値の高
電圧を試験開始と同時に印加した場合のように、突入電
流が流れることがない。なお、このようにして充電電流
が小さく抑えてあるので、異常検出部6で異常検出され
ることはない。
Next, description will be made on the case where a withstand voltage test is performed on a non-defective sample. Also in this case, the operation is almost the same as the above-mentioned no load. Here, when the non-defective sample has a stray capacitance, a charging current flows when the stray capacitance is charged. However, in this embodiment, as described in the operation at no load, the reference voltage V REF is gradually increased from 0V from the start of the test, and the high voltage applied to the sample is also gradually increased from 0V. Therefore, even if the sample has a stray capacitance, the current flowing through the stray capacitance can be suppressed to a small value as shown in FIG. 4 (j). Therefore, unlike the case where a high voltage of a specified value is applied simultaneously with the start of the test, no inrush current flows. Since the charging current is kept small in this way, the abnormality detection unit 6 does not detect any abnormality.

【0041】そして、試験終了時点で、サイリスタQ1
をオンすることにより、試料の浮遊容量に蓄積された電
荷を、抵抗R5 ,抵抗R1 を介して放電する。このよう
にすれば、試験後に試料に触れても感電する恐れがな
い。なお、この試験終了時点では、無負荷時と同様に、
平滑コンデンサC1 の充電電荷も放電される。試料が耐
圧不良のものである場合は、図5(f)に示すように、
電流検出抵抗R1 に試料を介して電流が流れる。この電
流により電流検出抵抗R1 の両端に生じる電圧が反転ア
ンプ61で増幅され、ローパスフィルタ62及びハイパ
スフィルタ63に入力される。ここで、この場合には試
料が耐圧不良を起こしているので、試料には高周波的な
電流が流れる。なお、ここでいう高周波とは、絶縁不良
の際に流れる電流成分の周波数に対して高周波的という
意味である。このように耐圧不良の場合には、高周波的
な電流が流れるので、この場合の電流に応じた反転アン
プ61の出力はハイパスフィルタ62を通して、コンパ
レータCMP2 に入力される。ここで、この反転アンプ
61の出力が可変抵抗VR4 で設定された基準電圧V
REF4を越える場合、コンパレータCMP2 の出力がハイ
レベルとなる。この場合には制御回路94の出力QB
ハイレベルであるので、アンド回路AND1 の出力がハ
イレベルとなり、ノア回路NOR1 の出力がローレベル
となる。フリップフロップ64ではそのノア回路NOR
1 の出力を受けて出力QNGが図6(h)に示すようにロ
ーレベルになる。このローレベル出力は制御回路94の
クリア入力*CLR3 に入力される。これにより制御回
路94の出力がローレベルになり、立下り検出部95の
出力で負のパルス信号*ESET が生じ、出力回路96の
出力QE がハイレベルとなる。この出力回路96の出力
で試験が終了したことを示す。なお、フリップフロップ
64の出力*QNGががローレベルとなることにより、そ
れまでオン状態にあったアナログスイッチSWC がオフ
され、電圧計Mで異常が検出された時点において試料に
印加されていた高電圧の値を表示する。試験者は上記電
圧計Mの表示から試料が異常であることを確認する。
At the end of the test, thyristor Q 1
By turning on, the electric charge accumulated in the stray capacitance of the sample is discharged through the resistors R 5 and R 1 . In this way, there is no risk of electric shock even if the sample is touched after the test. At the end of this test, as with no load,
The charging charge of the smoothing capacitor C 1 is also discharged. When the sample has a poor withstand voltage, as shown in FIG.
A current flows through the current detection resistor R 1 through the sample. The voltage generated across the current detection resistor R 1 by this current is amplified by the inverting amplifier 61 and input to the low pass filter 62 and the high pass filter 63. Here, in this case, since the sample has a poor withstand voltage, a high-frequency current flows through the sample. The high frequency referred to here means a high frequency with respect to the frequency of the current component flowing at the time of insulation failure. In this way, when the breakdown voltage is poor, a high-frequency current flows, and the output of the inverting amplifier 61 corresponding to the current in this case is input to the comparator CMP 2 through the high-pass filter 62. Here, the output of the inverting amplifier 61 is the reference voltage V set by the variable resistor VR 4.
When it exceeds REF4, the output of the comparator CMP 2 becomes high level. In this case, since the output Q B of the control circuit 94 is at high level, the output of the AND circuit AND 1 becomes high level and the output of the NOR circuit NOR 1 becomes low level. In the flip-flop 64, the NOR circuit NOR
Upon receiving the output of 1 , the output Q NG becomes low level as shown in FIG. 6 (h). This low level output is input to the clear input * CLR 3 of the control circuit 94. As a result, the output of the control circuit 94 becomes low level, a negative pulse signal * E SET is generated at the output of the fall detection section 95, and the output Q E of the output circuit 96 becomes high level. The output of the output circuit 96 indicates that the test is completed. When the output * Q NG of the flip-flop 64 becomes low level, the analog switch SW C , which has been in the on state until then, is turned off, and when the abnormality is detected by the voltmeter M, it is applied to the sample. Displays the high voltage value. The tester confirms from the display on the voltmeter M that the sample is abnormal.

【0042】次に、試料が絶縁不良を起こしているもの
である場合について説明する。なお、この場合にも基本
的には試料が耐圧不良のものである場合と同様にして異
常が検出されるので、絶縁不良の場合に異なる動作につ
いてのみ説明する。このような絶縁不良を起こしている
試料には、高電圧を印加すると、低周波的な電流が流れ
る。この絶縁不良の場合に検出された電流の反転アンプ
61の出力Viは、ローパスフィルタ63を通してコン
パレータCMP1 に入力される。このときの反転アンプ
61の出力が図6(g)に示すように可変抵抗VR3
設定された基準電圧VREF3よりも大きい場合に、コンパ
レータCMP3 の出力がハイレベルとなり、アンド回路
AND1 の出力がハイレベル、ノア回路NOR1 の出力
がローレベルとなって、その出力でフリップフロップ6
4の出力*QNGが図6(h)に示すようにローレベルと
なる。これにより、電圧計MにアナログスイッチSWC
がオフとなったときの高電圧の値が表示され、それによ
り試料の異常を判別することができる。
Next, the case where the sample has a defective insulation will be described. In this case as well, basically, an abnormality is detected in the same manner as in the case where the sample has a poor withstand voltage, and therefore only the different operation in the case of a poor insulation will be described. When a high voltage is applied to a sample having such an insulation defect, a low-frequency current flows. The output Vi of the current inverting amplifier 61 detected in the case of this insulation failure is input to the comparator CMP 1 through the low-pass filter 63. When the output of the inverting amplifier 61 at this time is larger than the reference voltage V REF3 set by the variable resistor VR 3 as shown in FIG. 6 (g), the output of the comparator CMP 3 becomes high level and the AND circuit AND 1 Output becomes high level, and the output of NOR circuit NOR 1 becomes low level.
4 output * Q NG becomes low level as shown in FIG. 6 (h). As a result, the voltmeter M is connected to the analog switch SW C.
The high voltage value when is turned off is displayed, and it is possible to determine the abnormality of the sample.

【0043】ところで、本実施例では電圧計Mで試料の
異常を表示するようにしたが、アンド回路AND1 ,A
ND2 の出力を異常検出出力とすることも可能であり、
この倍には耐圧不良と絶縁不良とを識別することができ
る。
By the way, in this embodiment, the voltmeter M is used to display the abnormality of the sample. However, the AND circuit AND 1 , A
It is also possible to use the output of ND 2 as an abnormality detection output,
It is possible to distinguish between withstand voltage failure and insulation failure by a factor of two.

【0044】[0044]

【発明の効果】請求項1の発明は上述のように、試料に
印加される直流の高電圧を発生する高電圧発生手段と、
試料に印加される高電圧の電圧値を検出する電圧検出手
段と、試料に流れる電流を検出する電流検出手段と、試
料に印加する高電圧の値を設定する基準電圧を発生する
基準電圧発生手段と、この基準電圧発生手段の基準電圧
と上記電圧検出手段で検出された電圧値との差を求めそ
の差を無くすように高電圧発生手段から発生する高電圧
の電圧値を制御する電圧制御手段と、上記電流検出手段
で検出された電流から試料の異常を検出する異常検出手
段と、異常検出手段で試料の異常が検出されたときオン
となり、試料に印加された高電圧を瞬時に降圧するスイ
ッチング素子とを備えたものであり、応答性の遅い高圧
リレーなどの代わりに、応答性に優れたスイッチング素
子、例えばサイリスタなどを用いることにより、試料が
異常であると判断されたとき、スイッチング素子で試料
に印加された高電圧を瞬時に降圧することができ、この
ため試料を劣化させることなく、耐圧試験を行うことが
できる。
As described above, the invention of claim 1 comprises high voltage generating means for generating a high DC voltage applied to a sample.
Voltage detecting means for detecting a high voltage value applied to the sample, current detecting means for detecting a current flowing through the sample, and reference voltage generating means for generating a reference voltage for setting a high voltage value applied to the sample And a voltage control means for controlling the voltage value of the high voltage generated by the high voltage generation means so as to find the difference between the reference voltage of the reference voltage generation means and the voltage value detected by the voltage detection means and eliminate the difference. And an abnormality detecting means for detecting an abnormality of the sample from the current detected by the current detecting means, and it is turned on when the abnormality of the sample is detected by the abnormality detecting means to instantly step down the high voltage applied to the sample. It is equipped with a switching element, and it is judged that the sample is abnormal by using a switching element with excellent response such as a thyristor instead of a high-voltage relay with slow response. When, it is possible to step down the high voltage applied to the sample by switching elements instantly Thus without deteriorating the sample, it is possible to perform the withstand voltage test.

【0045】請求項2の発明は、基準電圧発生手段とし
て、試験開始時点から基準電圧の値を0Vから徐々に上
昇させて適宜時間後に試料に印加する高電圧の値を耐圧
試験を行う規定値とするものを用いてあるので、試料に
印加される高電圧を徐々に上昇させ、試料が浮遊容量を
有するものであっても、その浮遊容量に大きな充電電流
が流れないようにでき、これにより異常検出手段で異常
と判断される電流値よりも、浮遊容量を充電する充電電
流の電流値を小さく抑えて、耐圧試験装置の異常検出機
能に影響を与えないようにすることができる。
According to a second aspect of the present invention, as the reference voltage generating means, the value of the reference voltage is gradually increased from 0 V from the start of the test, and a high voltage value applied to the sample after an appropriate time is a specified value for performing the withstand voltage test. It is possible to increase the high voltage applied to the sample gradually so that a large charging current does not flow to the stray capacitance even if the sample has stray capacitance. It is possible to suppress the current value of the charging current for charging the stray capacitance to be smaller than the current value determined to be abnormal by the abnormality detecting means so that the abnormality detecting function of the withstand voltage test device is not affected.

【0046】請求項3の発明は、スイッチング素子を試
験終了時にもオンするようにしてあるので、試料が浮遊
容量を有するものである場合に、この浮遊容量に充電さ
れた電荷を、試験終了時点でスイッチング素子を介して
放電することができ、試験終了後に試料に触れても感電
することがない。
According to the third aspect of the present invention, since the switching element is turned on even at the end of the test, when the sample has a stray capacitance, the electric charge charged in the stray capacitance is measured at the end of the test. It is possible to discharge through the switching element, and there is no electric shock even if the sample is touched after the test.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】同上の具体回路図である。FIG. 2 is a specific circuit diagram of the above.

【図3】無負荷時の動作説明図である。FIG. 3 is an operation explanatory diagram when there is no load.

【図4】試料が良品である場合の動作説明図である。FIG. 4 is an operation explanatory diagram when the sample is a non-defective product.

【図5】試料が耐圧不良のものである場合の動作説明図
である。
FIG. 5 is an operation explanatory diagram when the sample has a poor breakdown voltage.

【図6】試料が絶縁不良を起こしている場合の動作説明
図である。
FIG. 6 is an operation explanatory diagram in the case where the sample has an insulation failure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 高電圧発生部 2 電圧検出部 3 電流検出部 4 基準電圧発生部 5 電圧制御部 6 異常検出部 40 ランプ波発生回路 Q1 ,Q2 サイリスタ1 high voltage generator 2 voltage detecting unit 3 current detector 4 the reference voltage generating unit 5 voltage controller 6 abnormality detecting unit 40 ramp generator Q 1, Q 2 thyristor

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 試料に印加される直流の高電圧を発生す
る高電圧発生手段と、試料に印加される高電圧の電圧値
を検出する電圧検出手段と、試料に流れる電流を検出す
る電流検出手段と、試料に印加する高電圧の値を設定す
る基準電圧を発生する基準電圧発生手段と、この基準電
圧発生手段の基準電圧と上記電圧検出手段で検出された
電圧値との差を求めその差を無くすように高電圧発生手
段から発生する高電圧の電圧値を制御する電圧制御手段
と、上記電流検出手段で検出された電流から試料の異常
を検出する異常検出手段と、異常検出手段で試料の異常
が検出されたときオンとなり、試料に印加された高電圧
を瞬時に降圧するスイッチング素子とを備えて成ること
を特徴とする耐圧試験装置。
1. A high voltage generation means for generating a high DC voltage applied to a sample, a voltage detection means for detecting a voltage value of the high voltage applied to the sample, and a current detection for detecting a current flowing through the sample. Means, a reference voltage generating means for generating a reference voltage for setting the value of the high voltage applied to the sample, and a difference between the reference voltage of the reference voltage generating means and the voltage value detected by the voltage detecting means is calculated. The voltage control means for controlling the voltage value of the high voltage generated by the high voltage generation means so as to eliminate the difference, the abnormality detection means for detecting the abnormality of the sample from the current detected by the current detection means, and the abnormality detection means A withstand voltage test apparatus comprising: a switching element that is turned on when an abnormality of the sample is detected and that instantaneously steps down the high voltage applied to the sample.
【請求項2】 上記基準電圧発生手段として、試験開始
時点から基準電圧の値を0Vから徐々に上昇させて適宜
時間後に試料に印加する高電圧の値を耐圧試験を行う規
定値とするものを用いて成ることを特徴とする請求項1
記載の耐圧試験装置。
2. The reference voltage generating means, wherein the value of the reference voltage is gradually increased from 0V from the start of the test, and the value of the high voltage applied to the sample after an appropriate time is used as the specified value for the withstand voltage test. It uses, It is characterized by the above-mentioned.
The pressure resistance test device described.
【請求項3】 上記スイッチング素子を試験終了時にも
オンすることを特徴とする請求項1記載の耐圧試験装
置。
3. The breakdown voltage test apparatus according to claim 1, wherein the switching element is turned on even at the end of the test.
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