JPH07147141A - 陰極線管の電子銃及びその組立方法 - Google Patents

陰極線管の電子銃及びその組立方法

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JPH07147141A
JPH07147141A JP29288393A JP29288393A JPH07147141A JP H07147141 A JPH07147141 A JP H07147141A JP 29288393 A JP29288393 A JP 29288393A JP 29288393 A JP29288393 A JP 29288393A JP H07147141 A JPH07147141 A JP H07147141A
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Yoshinori Tomihari
美徳 富張
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電界放出型陰極25を用いた冷陰極型陰極線
管の良好なスポット特性を得る。 【構成】 電界放出型陰極25はエミッタエリア25
a,25b,25cの近傍にアライメントマーク26を
配設する。制御電極27は制御孔29a,29b,29
cの近傍の前記アライメントマーク26と対応した位置
にアライメント孔30を配設する。そして、電界放出型
陰極25上に制御電極27を配置させ、電界放出型陰極
25のアライメントマーク26上に制御電極27のアラ
イメント孔30を位置合わして、両者の相対位置を決定
してマウントする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は陰極線管、特に導電性
基体上に多数の微小冷陰極をパターン状に形成した電界
放出型陰極を備えた陰極線管の電子銃に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、カラーテレビやディスプレイ等
に使用する陰極線管1は、図4に示すように、陰極線管
バルブ2のネック3内に電子銃4を収納し、電子銃4か
ら発せられる電子ビームLを、ファンネル5の外周に装
着した偏向ヨーク6により走査し、フェースパネル7の
内面に被着した蛍光膜8上に照射して、該パネル7の前
面に画像を形成するようにしたものである。
【0003】ところで、上記陰極線管1の電子銃4は陰
極にヒータカソード9を用いた熱陰極タイプであり、瞬
時起動ができない、エミッタの消耗に伴い放射性が低下
し短寿命である、小型化しにくい等の問題がある。ま
た、カラーテレビの場合には、R,G,B3本の電子銃
が必要であり、各電極間の位置出しが難しい等の問題が
あった。
【0004】このため、本出願人は、図5に示すよう
に、導電性基体10上に多数の微小冷陰極11をパター
ン状に形成し、その微小冷陰極11から電子を放出する
エミッタエリア12a,12b,12cを形成した電界
放出型陰極12を製作し、これを図6に示すように、電
子銃13に組込んで陰極線管バルブ2内に封入した冷陰
極タイプの陰極線管14を開発した。
【0005】上記電界放出型陰極12の構造自体はスピ
ント(spindt)型の電界放出型陰極装置として公
知のものであり、平面型ディスプレイ装置等に使用され
ているもので、例えば特開平4−284325号公報等
に開示されている。
【0006】微小冷陰極11は、図7に示すように、導
電性を有する、例えばSi等よりなる基体10上に、錐
体状のW,Mo等の高融点かつ低仕事関数の金属からな
り、尖鋭な先端形状を有する、例えば円錐状のカソード
電極15を形成し、その周囲にSiO2 などよりなる絶
縁層16を形成し、この絶縁層16上にMo,W,Cr
等の高融点金属からなるゲート電極17を形成した構造
のものである。
【0007】かかる構造の微小冷陰極11は半導体製造
技術を用いて容易に製造されるものであり、Si等より
なる基体10上に順次絶縁層16及びゲート電極17を
形成し、これを所定パターンで窓明けし、その窓明け部
分18の基体10上にカソード電極15を形成したもの
であり、ゲート電極17はカソード電極15の周りに開
口した窓明け部分18の絶縁層16上から開口部19の
周縁にひさし状に突出させて形成され、カソード電極1
5に対する対向電極として形成されている。
【0008】このような構造の微小冷陰極11はゲート
電極17とカソード電極15間に電圧を印加すると、カ
ソード電極15の尖った頂端に電界が集中し、この頂端
から両電極間の電位差により生じた電界強度に応じた量
の電子が矢印方向に放出される。
【0009】すなわち、カソード電極15を熱すること
なく電子放出ができ、ゲート電圧も数V乃至数十V程度
の低電圧で動作が可能である。そして、例えば、カソー
ド電極15の直径を1μm程度の大きさとする場合、カ
ソード電極15とゲート電極17間にしきい値電圧に5
〜9vの駆動電圧を印加すると、各微小冷陰極11より
1μA程度の電子が放出される。
【0010】従って、上記冷陰極の陰極線管14では電
界放出型陰極12を陰極線管の陰極として必要な300
〜500μA程度の電子ビーム値が得られるように微小
冷陰極11を数百乃至数万個と高集積度で形成してい
る。
【0011】このように構成された冷陰極型陰極線管1
4は冷陰極タイプであり、瞬時起動や、長寿命化が達成
できる。また、上記微小冷陰極11は半導体製造技術に
より多数個を高密度で製造でき、小型化が出来る上、図
5に示すように、基体10上にR,G,B用の3つの電
界放出型陰極12A,12B,12Cとなるエミッタエ
リア12a,12b,12cを同一の基体10上に同時
に高精度に形成することができ、カラーテレビにおける
R,G,Bの各電極間の相互位置を正確に位置規制して
製造することが出来る。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
電界放出型陰極12を組込んだ陰極線管14の電子銃1
3は、基本的には通常の熱陰極型陰極線管の電子銃と同
様の構造であり、例えば図8に示すように、電界放出型
陰極12の前方に、陰極線管バルブ2の管軸方向に沿っ
て、制御電極20、加速電極21、集束電極22、最終
加速電極23等を有し、スポット形状の電子ビームLを
形成させる構造が採用される。そして、ファンネル5に
装着した偏向ヨーク6の偏向磁界aで、この電子ビーム
Lを走査してフェースパネル7の蛍光膜上に照射して画
像を形成する。
【0013】この場合、電界放出型陰極12は基体10
上に多数の微小冷陰極11をパターン状に配設し、基体
10上にある面積をもったエミッタエリア12a,12
b,12cを形成したものであるから、各エミッタエリ
ア12a,12b,12cから放出される電子流は可成
の広がりを持っており、熱陰極のヒータカソードのよう
に細い円形スポット状の電子ビームLが得られない。こ
のため、電界放出型陰極12の前方に、各エミッタエリ
ア12a,12b,12cに対応して電子流を通過させ
る制御孔24a,24b,24cを形成した制御電極2
0を配置させ、この制御電極20に電圧を印加すること
により、制御孔24a,24b,24c周りに電子レン
ズを形成して、各エミッタエリア12a,12b,12
cから放出される電子流を集束させるように構成してい
る。
【0014】しかしながら、上記電界放出型陰極12は
平板構造であり、基体10上に形成された各エミッタエ
リア12a,12b,12cに制御電極20の各制御孔
24a,24b,24cを所定位置に対応して位置合わ
せすることが難いものであった。このため、位置ずれを
おこした場合、制御電極20による電子レンズの端部を
電子が通過するために歪み、正常な円形スポットの電子
ビームLが得られず、フォーカス特性が悪くなるといっ
た問題があった。
【0015】従って、本発明は電界放出型陰極を用いた
電子銃の組立における上記問題点に鑑みなされたもので
あり、電界放出型陰極の前方に配置され、各微小冷陰極
の電子流を集束させる制御電極を、その制御孔が電界放
出型陰極のエミッタエリアに対して所定位置に正確に位
置決めして組立でき、フォーカス特性の良好な陰極線管
の電子銃を得ることを目的としている。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る陰極線管の電子銃は導電性基体上に微
小冷陰極が多数個パターン状に配設され、その微小冷陰
極から電子を放出するエミッタエリアが所定パターンに
形成された電界放出型陰極と、前記電界放出型陰極の前
方に配設され前記エミッタエリアより放出された電子を
通過させる制御孔が形成された制御電極とを具備し、前
記電界放出型陰極は導電性基体上の前記エミッタエリア
の近傍にアライメントマークが配設されると共に、前記
制御電極は前記制御孔近傍の前記アライメントマークと
対応した位置に光を通過するアライメント孔が配設さ
れ、前記アライメント孔を前記アライメントマーク上に
対向配置したことを特徴としている。また、本発明に係
る陰極線管の電子銃の組立方法は電子を放出するエミッ
タエリアが導電性基体上に所定パターンで形成された電
界放出型陰極の前方に、前記電子を通過する制御孔が形
成された制御電極をマウントする電子銃の組立方法であ
って、前記電界放出型陰極のエミッタエリアの近傍にア
ライメントマークを形成すると共に、前記制御電極の制
御孔近傍の前記アライメントマークと対応した位置にア
ライメント孔を形成し、前記アライメント孔を前記アラ
イメントマークの上方に配置させ、前記アライメント孔
を介して前記アライメントマークを位置認識することに
より両者の相対位置を合わせるようにしたことを特徴と
している。
【0017】
【作用】電界放出型陰極は導電性基体のエミッタエリア
の近傍にアライメントマークが配設され、また、制御電
極の前記アライメントマークと対応した位置にアライメ
ント孔が配設されているから、電界放出型陰極上に被組
付けの制御電極を積層状に配置させ、アライメント孔よ
りアライメントマークを読み取る方法で、両者を正確に
位置合わせすることができる。
【0018】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
【0019】図1は本発明の電界放出型陰極を用いた冷
陰極型陰極線管の電子銃の組立過程を説明する側面図で
ある。
【0020】図において、25は被組立ての電界放出型
陰極であり、前記図5の電界放出型陰極12と同様に、
導電性基体10上に多数個の微小冷陰極11をパターン
状に配設し、R,G,Bの3つの電界放出型陰極25
A,25B,25Cを形成したカラー用電界放出型陰極
である。
【0021】即ち、この電界放出型陰極25は導電性基
体10上に、図2に示すように、不図示の微小冷陰極1
1多数個を円形のパターン状に配設し、R,G,Bの電
界放出型陰極25A,25B,25Cとなる円形のエミ
ッタエリア25a,25b,25cを形成し、エミッタ
エリア25a,25b,25cの各微小冷陰極11より
矢示するように電子を放出するように構成されている。
そして、導電性基体10上のエミッタエリア25a,2
5b,25cの近傍所定位置(同図では左右、上下4箇
所)に十字形状のアライメントマーク26が形成されて
いる。
【0022】尚、このアライメントマーク26は電界放
出型陰極25の製造時、微小冷陰極11などの形成と共
に、エッチング法や蒸着法などの半導体製造技術を用い
て形成され、上記エミッタエリア25a,25b,25
cとは所定配置関係で離間して形成される。
【0023】一方、上方に配置された27は電界放出型
陰極25の前方側に配置して組立られる制御電極であ
る。
【0024】この制御電極27は平板状金属板28から
なり、この金属板28の所定位置の前記電界放出型陰極
25の各エミッタエリア25a,25b,25cと対向
した位置に、電子を通過する円形の制御孔29a,29
b,29cが配設されている。制御電極27は所定のバ
イアス電圧が付与されることにより、上記制御孔29
a,29b,29cに電子レンズを形成し、各エミッタ
エリア25a,25b,25cより放出された電子を、
点線矢示するように集束する。そして、これらの制御孔
29a,29b,29cの近傍所定位置の前記アライメ
ントマーク26と対応した位置にアライメント孔30が
それぞれ配設されている。
【0025】尚、これらの制御孔29a,29b,29
cおよびアライメント孔30はそれぞれ上記電界放出型
陰極25の各エミッタエリア25a,25b,25cお
よびアライメントマーク26と対応した位置関係で、例
えばプレス打抜きにより正確に製造される。
【0026】このように構成された制御電極27は、図
1に示すように、電界放出型陰極25上に配置され、電
界放出型陰極25のアライメントマーク26上にアライ
メント孔30が位置合わせされ、両者の相対位置が決定
されてマウントされる。
【0027】即ち、まず電界放出型陰極25が不図示の
ステージ上に固定配置され、この上方に制御電極27が
不図示の、例えばXYステージ上に配置され、アライメ
ント孔30が電界放出型陰極25のアライメントマーク
26上にくるように配置される。
【0028】そして、上方に配置された、不図示の位置
検出器よりアライメント光mが投射され、アライメント
マーク26の反射光を検出し、両者の相対位置が位置合
わせされる。そして、このように位置合わせされた電界
放出型陰極25と制御電極27はアライメントマーク2
6およびアライメント孔30がそれぞれエミッタエリア
25a,25b,25cおよび制御孔29a,29b,
29cに対して所定の配置関係に配置されており、従っ
て、各制御孔29a,29b,29cをそれぞれエミッ
タエリア25a,25b,25c上に正確に位置決めし
てマウントすることができる。
【0029】尚、上記実施例において、電界放出型陰極
25は導電性基体10上にR,G,B用に3つの電界放
出型陰極25A,25B,25Cを形成したカラー用電
界放出型陰極を例示したが、モノクロ用の1つの陰極タ
イプのものにも同様に適用することができる。また、エ
ミッタエリア25a,25b,25cや制御孔29a,
29b,29cは円形としたが、これを矩形状や楕円形
等にして同様に適用することができる。
【0030】
【発明の効果】以上のように、本発明は電界放出型陰極
のエミッタエリア近傍位置にアライメントマークを配設
すると共に、前記陰極の前方に配設する制御電極の制御
孔近傍の前記アライメントマークと対応した位置にアラ
イメント孔を配設して、このアライメント孔を前記アラ
イメントマークに位置合わせして両者の相対位置を合わ
せるようにしたから、制御電極の制御孔を電界放出型陰
極のエミッタエリアに正確に位置合わせすることがで
き、フォーカス特性の優れた冷陰極型陰極線管を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の冷陰極型陰極線管の電子銃の組立過程
の要部側面図
【図2】図1の部品で電界放出型陰極の平面図
【図3】図1の部品で制御電極の平面図
【図4】従来の熱陰極型陰極線管の概略構成を示す断面
【図5】電界放出型陰極の概略構成を示す斜視図
【図6】電界放出型陰極を用いた冷陰極型陰極線管の概
略構成を示す断面図
【図7】図5の電界放出型陰極の微小冷陰極の断面図
【図8】図6の陰極線管の電子銃の構成例を示す側面図
【符号の説明】
10 導電性基体 11 微小冷陰極 25 電界放出型陰極 25a,25b,25c エミッタエリア 26 アライメントマーク 27 制御電極 29a,29b,29c 制御孔 30 アライメント孔

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導電性基体上に微小冷陰極が多数個パタ
    ーン状に配設され、その微小冷陰極から電子を放出する
    エミッタエリアが所定パターンに形成された電界放出型
    陰極と、前記電界放出型陰極の前方に配設され前記エミ
    ッタエリアより放出された電子を通過させる制御孔が形
    成された制御電極とを具備し、前記電界放出型陰極は導
    電性基体上の前記エミッタエリアの近傍にアライメント
    マークが配設されると共に、前記制御電極は前記制御孔
    近傍の前記アライメントマークと対応した位置に光を通
    過するアライメント孔が配設され、前記アライメント孔
    を前記アライメントマーク上に対向配置したことを特徴
    とする陰極線管の電子銃。
  2. 【請求項2】 電子を放出するエミッタエリアが導電性
    基体上に所定パターンで形成された電界放出型陰極の前
    方に、前記電子を通過する制御孔が形成された制御電極
    をマウントする電子銃の組立方法であって、 前記電界放出型陰極のエミッタエリアの近傍にアライメ
    ントマークを形成すると共に、前記制御電極の制御孔近
    傍の前記アライメントマークと対応した位置にアライメ
    ント孔を形成し、前記アライメント孔を前記アライメン
    トマークの上方に配置させ、前記アライメント孔を介し
    て前記アライメントマークを位置認識することにより両
    者の相対位置を合わせるようにしたことを特徴とする陰
    極線管の電子銃の組立方法。
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