JPH0714626A - ヒ−トシ−ルコネクタ− - Google Patents
ヒ−トシ−ルコネクタ−Info
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- JPH0714626A JPH0714626A JP15201793A JP15201793A JPH0714626A JP H0714626 A JPH0714626 A JP H0714626A JP 15201793 A JP15201793 A JP 15201793A JP 15201793 A JP15201793 A JP 15201793A JP H0714626 A JPH0714626 A JP H0714626A
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- Japan
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- light
- heat seal
- seal connector
- circuit pattern
- resin
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
- H05K1/095—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks for polymer thick films, i.e. having a permanent organic polymeric binder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
Landscapes
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】 可撓性絶縁性基材1の面に導電ペ−ストで形
成された回路パタ−ン3と被接続回路基板との接合部に
異方導電手段2が施されるヒ−トシ−ルコネクタ−にお
いて、その異方導電性接着剤又は絶縁性接着剤中に、
光の波長 300〜 380nmの範囲内に吸光度 0.3以上の吸
収帯を少なくとも一つ有するベンゾフェノン系,サリシ
レ−ト系,ベンゾトリアゾ−ル系,並びにシアノアクリ
レ−ト系の有機物質類、及び波長 300〜380 nmの範
囲の光の透過率が50%以下である無機物質微粒子類より
成る光吸収物質又は光遮蔽剤の群から選択される少なく
とも一種を有効量含有させ、異方導電手段が設けられた
以外の部分に絶縁レジスト層4が設けられたヒ−トシ−
ルコネクタ−。 【効果】 本発明のヒ−トシ−ルコネクタ−は、回路間
の電気的接続部、特にその接続部の接着剤が光に対して
極めて安定に保持されるから、耐光性に優れた長期安定
に機能するコネクタ−として工業的に望ましい部材であ
る。
成された回路パタ−ン3と被接続回路基板との接合部に
異方導電手段2が施されるヒ−トシ−ルコネクタ−にお
いて、その異方導電性接着剤又は絶縁性接着剤中に、
光の波長 300〜 380nmの範囲内に吸光度 0.3以上の吸
収帯を少なくとも一つ有するベンゾフェノン系,サリシ
レ−ト系,ベンゾトリアゾ−ル系,並びにシアノアクリ
レ−ト系の有機物質類、及び波長 300〜380 nmの範
囲の光の透過率が50%以下である無機物質微粒子類より
成る光吸収物質又は光遮蔽剤の群から選択される少なく
とも一種を有効量含有させ、異方導電手段が設けられた
以外の部分に絶縁レジスト層4が設けられたヒ−トシ−
ルコネクタ−。 【効果】 本発明のヒ−トシ−ルコネクタ−は、回路間
の電気的接続部、特にその接続部の接着剤が光に対して
極めて安定に保持されるから、耐光性に優れた長期安定
に機能するコネクタ−として工業的に望ましい部材であ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ヒ−トシ−ルコネクタ
−に関し、特に、LCD,EL,ECDあるいはプラズ
マディスプレイ等の表示体の接続端子とその駆動部分を
搭載した回路基板や各種電気回路の基板間を接続するた
めのヒ−トシ−ルコネクタ−に関するものである。
−に関し、特に、LCD,EL,ECDあるいはプラズ
マディスプレイ等の表示体の接続端子とその駆動部分を
搭載した回路基板や各種電気回路の基板間を接続するた
めのヒ−トシ−ルコネクタ−に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来よりヒ−トシ−ルコネクタ−はLC
D,EL,ECDあるいはプラズマディスプレイ等の表
示体と硬質プリント配線基板(PCB)やフレキシブル
プリント配線基板(FPC)との接続、あるいはPCB
とFPCとの間の接続等に用いられている。通常、これ
ら表示器とその駆動基板は、各種電気機器の本体内に組
み込まれ、従って、外部の光からは遮蔽されて使用され
る。しかしながら、近年、LCDの視認性を重視してL
CDの背面に蛍光管を配したバックライト方式が広く採
用されるようになったため、従来は暗い環境条件下にお
いて使用されてきたヒ−トシ−ルコネクタ−に蛍光管に
よる光照射が行われようになった。
D,EL,ECDあるいはプラズマディスプレイ等の表
示体と硬質プリント配線基板(PCB)やフレキシブル
プリント配線基板(FPC)との接続、あるいはPCB
とFPCとの間の接続等に用いられている。通常、これ
ら表示器とその駆動基板は、各種電気機器の本体内に組
み込まれ、従って、外部の光からは遮蔽されて使用され
る。しかしながら、近年、LCDの視認性を重視してL
CDの背面に蛍光管を配したバックライト方式が広く採
用されるようになったため、従来は暗い環境条件下にお
いて使用されてきたヒ−トシ−ルコネクタ−に蛍光管に
よる光照射が行われようになった。
【0003】ヒ−トシ−ルコネクタ−は、従来、暗い環
境下で使用されることを前提とするものであったから光
劣化に対する対策は実質的に必要ではなかったが、上記
のように蛍光管による光照射を受けるようになるにつれ
て、回路間の電気的接続部、特にその接続部の接着剤の
光劣化が進行し、接着剤の劣化に伴うヒ−トシ−ルコネ
クタ−の電気的接続の信頼性の低下が問題となってき
た。従って、接着剤の耐光性の改善が強く要求されるよ
うになった。
境下で使用されることを前提とするものであったから光
劣化に対する対策は実質的に必要ではなかったが、上記
のように蛍光管による光照射を受けるようになるにつれ
て、回路間の電気的接続部、特にその接続部の接着剤の
光劣化が進行し、接着剤の劣化に伴うヒ−トシ−ルコネ
クタ−の電気的接続の信頼性の低下が問題となってき
た。従って、接着剤の耐光性の改善が強く要求されるよ
うになった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、上記要望
に沿って、特に接着剤に着目して、その蛍光管の高エネ
ルギ−光の影響を可及的に抑制し得る接着剤を開発すべ
く多くの試作研究を重ねた。従って、本発明の課題は、
蛍光管による光照射による回路間の電気的接続部に適用
される耐光性の改良された接着剤を提供することにあ
る。また本発明の他の課題は、上述のような欠点のない
実用的に優れたヒ−トシ−ルコネクタ−を提供すること
にある。その他の本発明の特徴ないし優れた効果は、以
下の記載から一層明らかとなるであろう。
に沿って、特に接着剤に着目して、その蛍光管の高エネ
ルギ−光の影響を可及的に抑制し得る接着剤を開発すべ
く多くの試作研究を重ねた。従って、本発明の課題は、
蛍光管による光照射による回路間の電気的接続部に適用
される耐光性の改良された接着剤を提供することにあ
る。また本発明の他の課題は、上述のような欠点のない
実用的に優れたヒ−トシ−ルコネクタ−を提供すること
にある。その他の本発明の特徴ないし優れた効果は、以
下の記載から一層明らかとなるであろう。
【0005】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、可
撓性絶縁性基材の少なくとも片面に導電ペ−ストで形成
された回路パタ−ンを有し、少なくともその回路パタ−
ンの被接続回路基板との接合部に異方導電手段が施され
るヒ−トシ−ルコネクタ−において、異方導電性接着剤
又は絶縁性接着剤中に、下記又はより成る群から選
択された光吸収物質又は光遮蔽剤より成る群から選択さ
れる少なくとも一種を有効量含有させて成ることを特徴
とするヒ−トシ−ルコネクタ−を要旨とするものであ
る。 光の波長 300〜 380nmの範囲内に吸光度 0.3以上の
吸収帯を少なくとも一つ有するベンゾフェノン系,サリ
シレ−ト系,ベンゾトリアゾ−ル系,並びにシアノアク
リレ−ト系の有機物質類。 波長 300〜380 nmの範囲の光の透過率が50%以下で
ある無機物質微粒子類。
撓性絶縁性基材の少なくとも片面に導電ペ−ストで形成
された回路パタ−ンを有し、少なくともその回路パタ−
ンの被接続回路基板との接合部に異方導電手段が施され
るヒ−トシ−ルコネクタ−において、異方導電性接着剤
又は絶縁性接着剤中に、下記又はより成る群から選
択された光吸収物質又は光遮蔽剤より成る群から選択さ
れる少なくとも一種を有効量含有させて成ることを特徴
とするヒ−トシ−ルコネクタ−を要旨とするものであ
る。 光の波長 300〜 380nmの範囲内に吸光度 0.3以上の
吸収帯を少なくとも一つ有するベンゾフェノン系,サリ
シレ−ト系,ベンゾトリアゾ−ル系,並びにシアノアク
リレ−ト系の有機物質類。 波長 300〜380 nmの範囲の光の透過率が50%以下で
ある無機物質微粒子類。
【0006】本発明のヒ−トシ−ルコネクタ−に用いら
れる有機物質類及び無機物質微粒子類は、蛍光管から発
せられる波長光、特に、 300〜 380nmの範囲の波長の
光を吸収あるいは効果的に遮蔽し得る物質類であって、
これらを光が通る箇所に含有させることが特徴的であ
る。これらの光遮蔽性質物質類が配合使用される光を遮
る箇所は、前記異方導電手段としての接着剤の他、前記
可撓性絶縁性基材,その面に形成される有機高分子物質
層、あるいは上記異方導電手段が形成された面に感圧接
着剤を介してカバ−フィルムが取付けられる場合には、
そのカバ−フィルム及び/又は感圧接着剤層が実用上有
利である。
れる有機物質類及び無機物質微粒子類は、蛍光管から発
せられる波長光、特に、 300〜 380nmの範囲の波長の
光を吸収あるいは効果的に遮蔽し得る物質類であって、
これらを光が通る箇所に含有させることが特徴的であ
る。これらの光遮蔽性質物質類が配合使用される光を遮
る箇所は、前記異方導電手段としての接着剤の他、前記
可撓性絶縁性基材,その面に形成される有機高分子物質
層、あるいは上記異方導電手段が形成された面に感圧接
着剤を介してカバ−フィルムが取付けられる場合には、
そのカバ−フィルム及び/又は感圧接着剤層が実用上有
利である。
【0007】上記本発明のヒ−トシ−ルコネクタ−に用
いられる有機物質類は、分子内に水酸基と非共有結合を
もつ原子をもつ共鳴環化構造を有し、その環化構造が高
エネルギ−光のエネルギ−を効果的に吸収する吸光度
0.3以上の吸収帯を少なくとも一つ有して 300〜 380n
mの範囲の波長の光を他のエネルギ−に変換する能力の
優れた物質類であって、ベンゾフェノン系,サリシレ−
ト系,ベンゾトリアゾ−ル系,並びにシアノアクリレ−
ト系有機化合物類が包含される。
いられる有機物質類は、分子内に水酸基と非共有結合を
もつ原子をもつ共鳴環化構造を有し、その環化構造が高
エネルギ−光のエネルギ−を効果的に吸収する吸光度
0.3以上の吸収帯を少なくとも一つ有して 300〜 380n
mの範囲の波長の光を他のエネルギ−に変換する能力の
優れた物質類であって、ベンゾフェノン系,サリシレ−
ト系,ベンゾトリアゾ−ル系,並びにシアノアクリレ−
ト系有機化合物類が包含される。
【0008】本発明において、吸収すべき光の波長を 3
00〜 380nmとしたのは 300nm以下の光は光源である
蛍光管から発せられるものではなく、また、自然光にお
いても 295nm以下の光は地表に届かないため、これ以
上の高エネルギ-光を吸収する必要はなく、 380nm以
下としたのは後述する接着剤の主成分である有機高分子
物質中の分子の各々の結合エネルギ−が70〜80kcal/mol
以上であり、従って、これより低エネルギ−の光では接
着剤が劣化を起こさないからである。更に、吸光度 0.3
以下(20mg/LEtOH)であると、光の吸収が不足して接着
剤の劣化を招くことより、吸光度を 0.3以下とした。
00〜 380nmとしたのは 300nm以下の光は光源である
蛍光管から発せられるものではなく、また、自然光にお
いても 295nm以下の光は地表に届かないため、これ以
上の高エネルギ-光を吸収する必要はなく、 380nm以
下としたのは後述する接着剤の主成分である有機高分子
物質中の分子の各々の結合エネルギ−が70〜80kcal/mol
以上であり、従って、これより低エネルギ−の光では接
着剤が劣化を起こさないからである。更に、吸光度 0.3
以下(20mg/LEtOH)であると、光の吸収が不足して接着
剤の劣化を招くことより、吸光度を 0.3以下とした。
【0009】これら有機化合物類の具体例としては、例
えば2,4-ジ- t-ブチルフェニル-3',5'- ジ-t-ブチル-4'
-ヒドロキシベンゾエ−ト,p-t-ブチルフェニルサリシ
レ−ト,2,4-ジ-ヒドロキシベンゾフェノン,2-(2'-ヒ
ドロキシ-5'-メチルフェニル)ベンゾトリアゾ−ル及び
エチル-2-シアノ-3,3-ジフェニルアクリレ−ト等が代表
的に挙げられる。これらは、単独で使用してもよいし、
二種以上を組合せて用いることもできる。また、これら
有機物質類は、これを含有させるマトリクス 100g中に
0.01〜10g程度が配合使用される。0.01g未満では上記
波長光の吸収が不足し、10gを超えるとマトリクスの物
性が低下するので好ましくない。
えば2,4-ジ- t-ブチルフェニル-3',5'- ジ-t-ブチル-4'
-ヒドロキシベンゾエ−ト,p-t-ブチルフェニルサリシ
レ−ト,2,4-ジ-ヒドロキシベンゾフェノン,2-(2'-ヒ
ドロキシ-5'-メチルフェニル)ベンゾトリアゾ−ル及び
エチル-2-シアノ-3,3-ジフェニルアクリレ−ト等が代表
的に挙げられる。これらは、単独で使用してもよいし、
二種以上を組合せて用いることもできる。また、これら
有機物質類は、これを含有させるマトリクス 100g中に
0.01〜10g程度が配合使用される。0.01g未満では上記
波長光の吸収が不足し、10gを超えるとマトリクスの物
性が低下するので好ましくない。
【0010】更に、上記無機物質微粒子類は、光透過率
が50%以下の遮光性を有する微粒状無機材料であれば何
ら制限されないが、本発明に有効に使用される粒子とし
ては、例えば、酸化かチタン,酸化鉄,カ−ボンブラッ
ク,酸化亜鉛,酸化マグネシウム,硫化亜鉛,硫化バリ
ウム,酸化鉛及び酸化カルシウム等を挙げることができ
る。これらの無機物質微粒子は、例えば、100μm以下
に粉砕して使用され、実用的には、0.01〜100μm程度
のものが有利に用いられるが、分散性を向上される目的
で、これらを有機高分子物質を結合材として多少大きな
粒径にして適用することもできる。これら無機物質微粒
子は、各種マトリクス樹脂中に可及的均一に分散させて
適用される。光透過率が50%を超えると、ヒ−トシ−ル
コネクタ−の蛍光灯の照射による光劣化の満足し得る防
止効果が得られ難い。
が50%以下の遮光性を有する微粒状無機材料であれば何
ら制限されないが、本発明に有効に使用される粒子とし
ては、例えば、酸化かチタン,酸化鉄,カ−ボンブラッ
ク,酸化亜鉛,酸化マグネシウム,硫化亜鉛,硫化バリ
ウム,酸化鉛及び酸化カルシウム等を挙げることができ
る。これらの無機物質微粒子は、例えば、100μm以下
に粉砕して使用され、実用的には、0.01〜100μm程度
のものが有利に用いられるが、分散性を向上される目的
で、これらを有機高分子物質を結合材として多少大きな
粒径にして適用することもできる。これら無機物質微粒
子は、各種マトリクス樹脂中に可及的均一に分散させて
適用される。光透過率が50%を超えると、ヒ−トシ−ル
コネクタ−の蛍光灯の照射による光劣化の満足し得る防
止効果が得られ難い。
【0011】本発明のヒ−トシ−ルコネクタ−を構成す
る可撓性絶縁性基材の少なくとも片面に前記物質又は
を含む有機高分子物質を有するものを形成するための
有機高分子物質としては、例えば塩化ビニル樹脂,酢酸
ビニル樹脂,これらの共重合体,スチレン樹脂,アクリ
ル樹脂,熱可塑性ポリエステル樹脂,熱可塑性ポリウレ
タン樹脂,ポリブタジエン,ポリビニルアルコ−ル,ポ
リビニルブチラ−ル,ポリカ−ボネ−ト樹脂,ポリアミ
ド樹脂,ポリイミド樹脂,エポキシ樹脂,アルキッド樹
脂,フェノ−ル樹脂,不飽和ポリエステル樹脂,イソプ
レンゴム,ブタジエンゴム,ブチルゴム,スチレン−ブ
タジエンゴム,ブタジエン−アクリロニトリルゴムなど
の合成ゴム、スチレン系,ポリエステル系,ポリウレタ
ン系等の熱可塑性エラストマ−などが挙げられるが、こ
れらは可撓性絶縁材料との密着性や耐熱性等を考慮して
選択され、必要であれば粘着付与剤あるいは硬化剤等の
添加をしてもよい。
る可撓性絶縁性基材の少なくとも片面に前記物質又は
を含む有機高分子物質を有するものを形成するための
有機高分子物質としては、例えば塩化ビニル樹脂,酢酸
ビニル樹脂,これらの共重合体,スチレン樹脂,アクリ
ル樹脂,熱可塑性ポリエステル樹脂,熱可塑性ポリウレ
タン樹脂,ポリブタジエン,ポリビニルアルコ−ル,ポ
リビニルブチラ−ル,ポリカ−ボネ−ト樹脂,ポリアミ
ド樹脂,ポリイミド樹脂,エポキシ樹脂,アルキッド樹
脂,フェノ−ル樹脂,不飽和ポリエステル樹脂,イソプ
レンゴム,ブタジエンゴム,ブチルゴム,スチレン−ブ
タジエンゴム,ブタジエン−アクリロニトリルゴムなど
の合成ゴム、スチレン系,ポリエステル系,ポリウレタ
ン系等の熱可塑性エラストマ−などが挙げられるが、こ
れらは可撓性絶縁材料との密着性や耐熱性等を考慮して
選択され、必要であれば粘着付与剤あるいは硬化剤等の
添加をしてもよい。
【0012】この有機高分子物質中に前記物質、を
添加する方法としては、該有機高分子物質を適当な有機
溶剤で溶解し、該物質、を混合したり、有機高分子
物質を溶融して、の物質を混合したりした後、これ
を従来公知の方法で可撓性絶縁性基材上にコ−トすれば
よい。
添加する方法としては、該有機高分子物質を適当な有機
溶剤で溶解し、該物質、を混合したり、有機高分子
物質を溶融して、の物質を混合したりした後、これ
を従来公知の方法で可撓性絶縁性基材上にコ−トすれば
よい。
【0013】本発明のヒ−トシ−ルコネクタ−を構成す
る可撓性絶縁性基材は、可撓性と絶縁性を有する材料な
らば特に制限はないが、耐熱性を有する有機高分子材料
が好都合に用いられる。そのような可撓性絶縁性基材形
成材料としては、例えば、ポリイミド,ポリエチレンテ
レフタレ−ト,ポリカ−ボネ−ト,ポリフェニレンサル
ファイド,ポリブチレンテレフタレ−ト,ポリ-1,4-シ
クロヘキサンジメチレンテレフタレ−ト,ポリアリレ−
ト及び液晶ポリマ−等の高分子樹脂類が挙げられる。こ
れらの可撓性絶縁性基材は、厚さが10〜50μmの範囲が
有利に採用される。また、その可撓性絶縁性基材は、ど
のような方法で製作してもよいが、通常、Tダイ法及び
インフレ−ション法等の押出し成形法が実用的である。
る可撓性絶縁性基材は、可撓性と絶縁性を有する材料な
らば特に制限はないが、耐熱性を有する有機高分子材料
が好都合に用いられる。そのような可撓性絶縁性基材形
成材料としては、例えば、ポリイミド,ポリエチレンテ
レフタレ−ト,ポリカ−ボネ−ト,ポリフェニレンサル
ファイド,ポリブチレンテレフタレ−ト,ポリ-1,4-シ
クロヘキサンジメチレンテレフタレ−ト,ポリアリレ−
ト及び液晶ポリマ−等の高分子樹脂類が挙げられる。こ
れらの可撓性絶縁性基材は、厚さが10〜50μmの範囲が
有利に採用される。また、その可撓性絶縁性基材は、ど
のような方法で製作してもよいが、通常、Tダイ法及び
インフレ−ション法等の押出し成形法が実用的である。
【0014】上記高分子フィルム可撓性絶縁性基材の面
に形成される回路パタ−ンは、導電性微粉末を均一に分
散含有する有機バインダ−としてのマトリクス樹脂類の
導電ペ−ストを該可撓性絶縁性基材面に印刷等によって
形成される。そのような導電ペ−ストに用いられる有機
バインダ−樹脂としては、例えば塩化ビニル系樹脂,酢
酸ビニル系樹脂,これらの共重合体、アクリル系樹脂,
熱可塑性ポリエステル樹脂,熱可塑性ポリウレタン樹
脂,ポリブタジエン,ポリイミド樹脂,ポリアミド樹
脂,エポキシ樹脂,アルキッド樹脂,フェノ−ル樹脂等
が挙げられる。その他必要に応じて、イソシアネ−ト
類,アミン類,あるいは酸無水物等の硬化剤が使用され
る。また、導電ペ−ストには必要に応じて、例えば、促
進剤,レベリング剤,分散安定剤,消泡剤,搖変剤や金
属不活性化剤などを適宜添加することができる。
に形成される回路パタ−ンは、導電性微粉末を均一に分
散含有する有機バインダ−としてのマトリクス樹脂類の
導電ペ−ストを該可撓性絶縁性基材面に印刷等によって
形成される。そのような導電ペ−ストに用いられる有機
バインダ−樹脂としては、例えば塩化ビニル系樹脂,酢
酸ビニル系樹脂,これらの共重合体、アクリル系樹脂,
熱可塑性ポリエステル樹脂,熱可塑性ポリウレタン樹
脂,ポリブタジエン,ポリイミド樹脂,ポリアミド樹
脂,エポキシ樹脂,アルキッド樹脂,フェノ−ル樹脂等
が挙げられる。その他必要に応じて、イソシアネ−ト
類,アミン類,あるいは酸無水物等の硬化剤が使用され
る。また、導電ペ−ストには必要に応じて、例えば、促
進剤,レベリング剤,分散安定剤,消泡剤,搖変剤や金
属不活性化剤などを適宜添加することができる。
【0015】導電性微粉末は、導電性を有する金属,合
金類及びカ−ボン等であって、例えば、微粉状に粉砕さ
れた銀,銀メッキ銅,銅,金,ニッケル,パラジウムや
それらの合金類やこれら金属るの一種又は二種以上をメ
ッキした樹脂粉、あるいは微粉状のファ−ネスブラッ
ク,チャンネルブラック等のカ−ボンブラック,グラフ
ァイト類の一種又は二種以上が挙げられる。金属,合金
類は、径が 0.1〜100μm程度に粉砕したものが好都合
に用いられるが、形状は粒状,鱗片状,板状,枝分かれ
状あるいはサイコロ状等のいずれであってもよい。かか
る導電性微粉末は、前記バインダ−樹脂に対し、通常、
その10〜90重量%、好ましくは、50〜90重量%が配合使
用される。
金類及びカ−ボン等であって、例えば、微粉状に粉砕さ
れた銀,銀メッキ銅,銅,金,ニッケル,パラジウムや
それらの合金類やこれら金属るの一種又は二種以上をメ
ッキした樹脂粉、あるいは微粉状のファ−ネスブラッ
ク,チャンネルブラック等のカ−ボンブラック,グラフ
ァイト類の一種又は二種以上が挙げられる。金属,合金
類は、径が 0.1〜100μm程度に粉砕したものが好都合
に用いられるが、形状は粒状,鱗片状,板状,枝分かれ
状あるいはサイコロ状等のいずれであってもよい。かか
る導電性微粉末は、前記バインダ−樹脂に対し、通常、
その10〜90重量%、好ましくは、50〜90重量%が配合使
用される。
【0016】更に、導電ペ−ストに用いられる溶剤類と
しては、用いられるバインダ−樹脂を溶解する有機溶剤
類であれば特に制限はない。その使用量は、回路パタ−
ンの形成に好都合な粘度及び揺変度に調整される。実用
上好ましい導電性ペ−スト粘度は、例えば、50〜1000ポ
イズの範囲であり、また揺変度は2〜15の範囲であっ
て、導電性微粉末の種類及び含有量とも関連して最適条
件が採用される。
しては、用いられるバインダ−樹脂を溶解する有機溶剤
類であれば特に制限はない。その使用量は、回路パタ−
ンの形成に好都合な粘度及び揺変度に調整される。実用
上好ましい導電性ペ−スト粘度は、例えば、50〜1000ポ
イズの範囲であり、また揺変度は2〜15の範囲であっ
て、導電性微粉末の種類及び含有量とも関連して最適条
件が採用される。
【0017】そのような有機溶剤としては、例えば酢酸
のメチル,エチル,イソプロピル,イソブチル,ブチル
及びアミルエステル等のエステル系溶剤;メチルエチル
ケトン,メチルイソブチルケトン,メチルイソアミルケ
トン,メチルアミルケトン,エチルアミルケトン,イソ
ブチルケトン,メトキシメチルペンタノン,シクロヘキ
サノンやジアセトンアルコ−ル等のケトン系溶剤;酢酸
メチルセロソルブ,酢酸エチルセロソルブ,酢酸ブチル
セロソルブ,酢酸メトキシブチル,酢酸メチルカルビト
−ル,酢酸エチルカルビト−ル及び酢酸ジブチルカルビ
ト−ル等のエ−テルエステル系溶剤;トリクロロエタ
ン,トリクロロエチレン等の塩素系溶剤;n−ブチルエ
−テル,ジイソアミルエ−テル,n−ブチルフェニルエ
−テル,プロピレンオキサイド及びフルフラ−ルのよう
なエ−テル系溶剤;イソプロピルアルコ−ル,イソブチ
ルアルコ−ル,アミルアルコ−ル,シクロヘキサノ−ル
等のアルコ−ル系溶剤;ベンゼン,トルエン,キシレ
ン,イソプロピルベンゼン,石油スピリット及び石油ナ
フタなどを挙げることができる。実用的に好ましい有機
溶剤はエステル系,ケトン系及びエ−テルエステル系の
溶剤である。
のメチル,エチル,イソプロピル,イソブチル,ブチル
及びアミルエステル等のエステル系溶剤;メチルエチル
ケトン,メチルイソブチルケトン,メチルイソアミルケ
トン,メチルアミルケトン,エチルアミルケトン,イソ
ブチルケトン,メトキシメチルペンタノン,シクロヘキ
サノンやジアセトンアルコ−ル等のケトン系溶剤;酢酸
メチルセロソルブ,酢酸エチルセロソルブ,酢酸ブチル
セロソルブ,酢酸メトキシブチル,酢酸メチルカルビト
−ル,酢酸エチルカルビト−ル及び酢酸ジブチルカルビ
ト−ル等のエ−テルエステル系溶剤;トリクロロエタ
ン,トリクロロエチレン等の塩素系溶剤;n−ブチルエ
−テル,ジイソアミルエ−テル,n−ブチルフェニルエ
−テル,プロピレンオキサイド及びフルフラ−ルのよう
なエ−テル系溶剤;イソプロピルアルコ−ル,イソブチ
ルアルコ−ル,アミルアルコ−ル,シクロヘキサノ−ル
等のアルコ−ル系溶剤;ベンゼン,トルエン,キシレ
ン,イソプロピルベンゼン,石油スピリット及び石油ナ
フタなどを挙げることができる。実用的に好ましい有機
溶剤はエステル系,ケトン系及びエ−テルエステル系の
溶剤である。
【0018】本発明のヒ−トシ−ルコネクタ−において
は、蛍光灯の照射光による劣化を防止するために異方導
電手段としての異方導電接着剤又は絶縁性接着剤に前記
,の物質類を含有させる方法のほか、それらの物質
類を含有する有機高分子物質の層を可撓性絶縁性基材の
少なくとも一方の面に形成させる方法、それらの物質類
を可撓性絶縁性基材に含有させる方法及びカバ−フィル
ム又はその接着剤中に含有させる方法を包含する。それ
らの各部材中に含有させる前記物質類又ははまた、
上記波長範囲の光を吸収遮断して実質的に劣化を防止し
得る有効量が添加使用される。これらの物質類は、単独
種で用いてもよいし、二種以上を選択し組合せ使用する
ことができる。
は、蛍光灯の照射光による劣化を防止するために異方導
電手段としての異方導電接着剤又は絶縁性接着剤に前記
,の物質類を含有させる方法のほか、それらの物質
類を含有する有機高分子物質の層を可撓性絶縁性基材の
少なくとも一方の面に形成させる方法、それらの物質類
を可撓性絶縁性基材に含有させる方法及びカバ−フィル
ム又はその接着剤中に含有させる方法を包含する。それ
らの各部材中に含有させる前記物質類又ははまた、
上記波長範囲の光を吸収遮断して実質的に劣化を防止し
得る有効量が添加使用される。これらの物質類は、単独
種で用いてもよいし、二種以上を選択し組合せ使用する
ことができる。
【0019】本発明のヒ−トシ−ルコネクタ−に適用さ
れる異方導電手段を形成する接着剤は、加熱によって接
着性を示すものであれば熱可塑性樹脂であっても熱硬化
性樹脂であってもよい。熱可塑性樹脂は、加熱によって
比較的低温且つ短時間に接着し、ポットライフも長く、
熱硬化性樹脂は、接着強度が大きく耐熱性が優れている
ので、ヒ−トシ−ルコネクタ−の使用の実状に応じて適
宜選択される。
れる異方導電手段を形成する接着剤は、加熱によって接
着性を示すものであれば熱可塑性樹脂であっても熱硬化
性樹脂であってもよい。熱可塑性樹脂は、加熱によって
比較的低温且つ短時間に接着し、ポットライフも長く、
熱硬化性樹脂は、接着強度が大きく耐熱性が優れている
ので、ヒ−トシ−ルコネクタ−の使用の実状に応じて適
宜選択される。
【0020】また、熱可塑性接着剤樹脂としては、ポリ
アミド系;ポリエステル系;アイオノマ−系;エチレン
−酢酸ビニル系,エチレン−アクリル酸系,エチレン−
メチルアクリレ−ト系及びエチレン−エチルアクリレ−
ト系等のポリオレフィン系合成樹脂及び各種合成ゴム系
のもの、更にはこれらの変性物や複合物等が例示され
る。また熱硬化性樹脂としては、エポキシ系,ウレタン
系,アクリル系,シリコ−ン系,クロロプレン系,及び
ニトリル系などの樹脂類、又は合成ゴム類、あるいはこ
れらの混合物が例示される。これらの熱硬化性樹脂類に
は、いずれも硬化剤や加硫剤が適宜添加され、必要に応
じて制御剤,耐熱添加剤,熱伝導向上剤,粘着付与剤や
着色剤等が添加使用される。これらの樹脂類はまた、溶
剤で溶解して適用されるが、前記導電ペ−スト形成用溶
剤類の中から適宜選択される。この接着剤に高エネルギ
−光の遮蔽能を与える場合には、この接着剤配合時に前
記物質,を溶解若しくは混合すれば良い。
アミド系;ポリエステル系;アイオノマ−系;エチレン
−酢酸ビニル系,エチレン−アクリル酸系,エチレン−
メチルアクリレ−ト系及びエチレン−エチルアクリレ−
ト系等のポリオレフィン系合成樹脂及び各種合成ゴム系
のもの、更にはこれらの変性物や複合物等が例示され
る。また熱硬化性樹脂としては、エポキシ系,ウレタン
系,アクリル系,シリコ−ン系,クロロプレン系,及び
ニトリル系などの樹脂類、又は合成ゴム類、あるいはこ
れらの混合物が例示される。これらの熱硬化性樹脂類に
は、いずれも硬化剤や加硫剤が適宜添加され、必要に応
じて制御剤,耐熱添加剤,熱伝導向上剤,粘着付与剤や
着色剤等が添加使用される。これらの樹脂類はまた、溶
剤で溶解して適用されるが、前記導電ペ−スト形成用溶
剤類の中から適宜選択される。この接着剤に高エネルギ
−光の遮蔽能を与える場合には、この接着剤配合時に前
記物質,を溶解若しくは混合すれば良い。
【0021】これらの接着剤樹脂に異方導電性を付与す
るための導電性粒子としては、金,銀,銅,ニッケル,
パラジウム,ステンレス,真鍮,半田等の金属の粒子、
タングステンカ−バイド,シリカカ−バイド,等のセラ
ミックス粒子及びカ−ボン粒子や表面を金属で被覆した
プラスチック粒子等が好都合に使用される。これらの粒
子径は、上記接着剤の塗布厚みや回路パタ−ンの隣接ラ
イン間の間隔等の兼ね合いにより、接続の安定性及び信
頼性や剥離強度の許容限界等を考慮して決定されるが、
通常、5〜150μm程度のものが実用上有利に使用され
る。また、この形状も特に限定されることはなく、例え
ば、球状,鱗片状,板状,樹枝状,サイコロ状,有突起
球状や不定形状等のいずれであっても良い。それらの形
状は含有濃度と関連して高い接続の安定性及び信頼性が
得られるように選択される。
るための導電性粒子としては、金,銀,銅,ニッケル,
パラジウム,ステンレス,真鍮,半田等の金属の粒子、
タングステンカ−バイド,シリカカ−バイド,等のセラ
ミックス粒子及びカ−ボン粒子や表面を金属で被覆した
プラスチック粒子等が好都合に使用される。これらの粒
子径は、上記接着剤の塗布厚みや回路パタ−ンの隣接ラ
イン間の間隔等の兼ね合いにより、接続の安定性及び信
頼性や剥離強度の許容限界等を考慮して決定されるが、
通常、5〜150μm程度のものが実用上有利に使用され
る。また、この形状も特に限定されることはなく、例え
ば、球状,鱗片状,板状,樹枝状,サイコロ状,有突起
球状や不定形状等のいずれであっても良い。それらの形
状は含有濃度と関連して高い接続の安定性及び信頼性が
得られるように選択される。
【0022】前段0020に説明した接着剤樹脂中に分
散させる場合、上記導電性粒子の濃度は、樹脂 100容量
部に対して 0.1〜30容量部の範囲である。 0.1容量部未
満では安定な接続が得られず、断線及び高抵抗値化が発
生して不都合である。また、30容量部を超えると異方導
電性が損なわれるので好ましくない。導電性粒子の望ま
しい含有濃度範囲は、1〜15容量部である。
散させる場合、上記導電性粒子の濃度は、樹脂 100容量
部に対して 0.1〜30容量部の範囲である。 0.1容量部未
満では安定な接続が得られず、断線及び高抵抗値化が発
生して不都合である。また、30容量部を超えると異方導
電性が損なわれるので好ましくない。導電性粒子の望ま
しい含有濃度範囲は、1〜15容量部である。
【0023】上記導電性粒子を導電ライン上に固定する
場合、導電ペ−スト中に前記導電粒子を混入して回路パ
タ−ンの形成を行うが、安定した接続を得るために接続
部の導電ラインの面積1mm2当り20個以上、好ましくは5
0個以上となるように該導電粒子を混入すればよいが、
前記した通り、回路形成時においてその印刷性に問題が
発生することもあるので、接続の安定性及び印刷版によ
る回路パタ−ンの印刷性を共に考慮に入れて粒子径を決
定する必要がある。すなわち開口部の幅、若しくは印刷
版を構成する紗や板によって形成される格子状の開口部
の一辺の長さLと粒径r及び導電ラインの厚さWが、r
>Lでは印刷不可能であり、r≪Wでは接続に安定性が
なくなるので、r<L及びr≧(1/5)Wであること
が必要となる。
場合、導電ペ−スト中に前記導電粒子を混入して回路パ
タ−ンの形成を行うが、安定した接続を得るために接続
部の導電ラインの面積1mm2当り20個以上、好ましくは5
0個以上となるように該導電粒子を混入すればよいが、
前記した通り、回路形成時においてその印刷性に問題が
発生することもあるので、接続の安定性及び印刷版によ
る回路パタ−ンの印刷性を共に考慮に入れて粒子径を決
定する必要がある。すなわち開口部の幅、若しくは印刷
版を構成する紗や板によって形成される格子状の開口部
の一辺の長さLと粒径r及び導電ラインの厚さWが、r
>Lでは印刷不可能であり、r≪Wでは接続に安定性が
なくなるので、r<L及びr≧(1/5)Wであること
が必要となる。
【0024】また、導電パタ−ンの表面には、必要に応
じて絶縁性レジスト層を設けることができる。該レジス
ト層の形成に用いられる絶縁性樹脂は、前記導電性ペ−
ストのバインダ−樹脂成分や接着剤樹脂成分等が含まれ
るが、例えば、塩化ビニル系樹脂,酢酸ビニル系樹脂,
アクリル系樹脂,熱可塑性ポリエステル樹脂,熱可塑性
ポリウレタン樹脂,ポリブタジエン,ポリイミド樹脂,
ポリアミド樹脂,エポキシ樹脂,アルキッド樹脂,フェ
ノ−ル樹脂,シリコ−ン樹脂や合成ゴム樹脂及びそれら
の変性物,複合物や混合物,更に必要に応じて、イソシ
アネ−ト類,アミン類,酸無水物等の硬化剤を加えたも
の等が包含される。そのほか、加硫剤,制御剤,耐熱添
加剤,劣化防止剤,耐熱添加剤,熱伝導向上剤,粘着付
与剤,軟化剤及び着色剤などを適宜添加使用することが
できる。
じて絶縁性レジスト層を設けることができる。該レジス
ト層の形成に用いられる絶縁性樹脂は、前記導電性ペ−
ストのバインダ−樹脂成分や接着剤樹脂成分等が含まれ
るが、例えば、塩化ビニル系樹脂,酢酸ビニル系樹脂,
アクリル系樹脂,熱可塑性ポリエステル樹脂,熱可塑性
ポリウレタン樹脂,ポリブタジエン,ポリイミド樹脂,
ポリアミド樹脂,エポキシ樹脂,アルキッド樹脂,フェ
ノ−ル樹脂,シリコ−ン樹脂や合成ゴム樹脂及びそれら
の変性物,複合物や混合物,更に必要に応じて、イソシ
アネ−ト類,アミン類,酸無水物等の硬化剤を加えたも
の等が包含される。そのほか、加硫剤,制御剤,耐熱添
加剤,劣化防止剤,耐熱添加剤,熱伝導向上剤,粘着付
与剤,軟化剤及び着色剤などを適宜添加使用することが
できる。
【0025】本発明のヒ−トシ−ルコネクタ−の作成に
おいて、導電ペ−ストのパタ−ン印刷,異方導電手段と
しての接着剤層の形成及び絶縁レジスト層の形成には、
スクリ−ン印刷手段が工業的に有利に用いられる。その
ような印刷用のスクリ−ン材としては、通常、細線の径
が10〜40μmの範囲のものが実用上好都合に使用され
る。また、そのようなスクリ−ン材は、例えば、ステン
レスで代表される鉄合金やテトロンなどの細線の平織あ
るいは綾織したものを、ニッケルメッキなどにより格子
状に形成した電鋳板を合成のフレ−ムに張ったものが一
般的に広く使用され、非印刷部分はアクリル系樹脂等の
マスク材によって目がマスクされている。
おいて、導電ペ−ストのパタ−ン印刷,異方導電手段と
しての接着剤層の形成及び絶縁レジスト層の形成には、
スクリ−ン印刷手段が工業的に有利に用いられる。その
ような印刷用のスクリ−ン材としては、通常、細線の径
が10〜40μmの範囲のものが実用上好都合に使用され
る。また、そのようなスクリ−ン材は、例えば、ステン
レスで代表される鉄合金やテトロンなどの細線の平織あ
るいは綾織したものを、ニッケルメッキなどにより格子
状に形成した電鋳板を合成のフレ−ムに張ったものが一
般的に広く使用され、非印刷部分はアクリル系樹脂等の
マスク材によって目がマスクされている。
【0026】更に、異方導電手段が形成された面に感圧
接着剤を介して形成されるカバ−フィルムには、絶縁性
で、好ましくは耐熱性のよい高分子物質が用いられる。
そのような高分子物質は、例えば、ポリイミド,ポリエ
チレンテレフタレ−ト,ポリカ−ボネ−ト,ポリフェニ
レンサルファイド,ポリブチレンテレフタレ−ト,ポリ
-1,4-シクロヘキサンジメチレンテレフタレ−ト,ポリ
アリレ−ト及び液晶ポリマ−が包含される。これらの高
分子物質類のカバ−レイフィルムは、通常、10〜50μm
の範囲の厚さに形成される。
接着剤を介して形成されるカバ−フィルムには、絶縁性
で、好ましくは耐熱性のよい高分子物質が用いられる。
そのような高分子物質は、例えば、ポリイミド,ポリエ
チレンテレフタレ−ト,ポリカ−ボネ−ト,ポリフェニ
レンサルファイド,ポリブチレンテレフタレ−ト,ポリ
-1,4-シクロヘキサンジメチレンテレフタレ−ト,ポリ
アリレ−ト及び液晶ポリマ−が包含される。これらの高
分子物質類のカバ−レイフィルムは、通常、10〜50μm
の範囲の厚さに形成される。
【0027】かかるカバ−フィルムを異方導電手段が形
成された面に接着させるための感圧接着剤としては、例
えば、でん粉,にかわ等の天然ゴム類、クロロプレン
系,ニトリル系等の合成ゴム類やシリコ−ン系,アクリ
ル系等の樹脂類が挙げられる。カバ−フィルムや感圧接
着剤に蛍光灯の高エネルギ−光を遮蔽するための前記物
質又はを適用する場合には、これを含有させる樹脂
類に予め添加配合して均一な素材とすることが重要であ
る。また、非接続回路基板に接続する接合部には、感圧
接着剤層と異方導電手段との間に離型紙が適用され、ヒ
−トシ−ルコネクタ−として使用する場合には、その離
型紙を取り除いて非接続基板が挿入される。このように
構成させることにより、ヒ−トシ−ルコネクタ−と非接
続基板との接着強度は向上し、取扱い時あるいは使用時
の振動によるコネクタ−のはがれや導通不良が減少する
という利点も得られる。
成された面に接着させるための感圧接着剤としては、例
えば、でん粉,にかわ等の天然ゴム類、クロロプレン
系,ニトリル系等の合成ゴム類やシリコ−ン系,アクリ
ル系等の樹脂類が挙げられる。カバ−フィルムや感圧接
着剤に蛍光灯の高エネルギ−光を遮蔽するための前記物
質又はを適用する場合には、これを含有させる樹脂
類に予め添加配合して均一な素材とすることが重要であ
る。また、非接続回路基板に接続する接合部には、感圧
接着剤層と異方導電手段との間に離型紙が適用され、ヒ
−トシ−ルコネクタ−として使用する場合には、その離
型紙を取り除いて非接続基板が挿入される。このように
構成させることにより、ヒ−トシ−ルコネクタ−と非接
続基板との接着強度は向上し、取扱い時あるいは使用時
の振動によるコネクタ−のはがれや導通不良が減少する
という利点も得られる。
【0028】次に、添付図面により本発明を更に具体的
に説明する。図1は、本発明のヒ−トシ−ルコネクタ−
の一例の模式的断面図で、図2及び図3は、いずれも本
発明のヒ−トシ−ルコネクタ−の異なる例の同様の断面
図である。また、図4は、図3のヒ−トシ−ルコネクタ
−の液晶基板へ接続させた後の状態を示す模式的部分断
面図である。
に説明する。図1は、本発明のヒ−トシ−ルコネクタ−
の一例の模式的断面図で、図2及び図3は、いずれも本
発明のヒ−トシ−ルコネクタ−の異なる例の同様の断面
図である。また、図4は、図3のヒ−トシ−ルコネクタ
−の液晶基板へ接続させた後の状態を示す模式的部分断
面図である。
【0029】図1のヒ−トシ−ルコネクタ−は、可撓性
絶縁性基材1の面に導電ペ−ストで形成された回路パタ
−ン3を有し、その回路パタ−ン3の被接続回路基板と
の接合部に異方導電手段2が施され、その異方導電手段
としての接着剤が前記物質又はを含有している。ま
た、異方導電手段2以外の部分には、絶縁レジスト層4
が設けられている。図2は、図1における可撓性絶縁性
基材1の上面に有機高分子物質層5が設けられ、該層5
に前記物質又はを含有せしめて成るコネクタ−の断
面が示されている。
絶縁性基材1の面に導電ペ−ストで形成された回路パタ
−ン3を有し、その回路パタ−ン3の被接続回路基板と
の接合部に異方導電手段2が施され、その異方導電手段
としての接着剤が前記物質又はを含有している。ま
た、異方導電手段2以外の部分には、絶縁レジスト層4
が設けられている。図2は、図1における可撓性絶縁性
基材1の上面に有機高分子物質層5が設けられ、該層5
に前記物質又はを含有せしめて成るコネクタ−の断
面が示されている。
【0030】図1のヒ−トシ−ルコネクタ−は、可撓性
絶縁性基材1の面に導電ペ−ストで形成された回路パタ
−ン3を有し、その回路パタ−ン3の被接続回路基板と
の接合部に異方導電手段2が施され、その異方導電手段
としての接着剤が前記物質又はを含有する。また、
異方導電手段2以外の部分には、絶縁レジスト層4が設
けられている。図2は、図1における可撓性絶縁性基材
1の上面に有機高分子物質層5が設けられ、該層5に前
記物質又はを含有せしめて成るコネクタ−の断面が
示されている。
絶縁性基材1の面に導電ペ−ストで形成された回路パタ
−ン3を有し、その回路パタ−ン3の被接続回路基板と
の接合部に異方導電手段2が施され、その異方導電手段
としての接着剤が前記物質又はを含有する。また、
異方導電手段2以外の部分には、絶縁レジスト層4が設
けられている。図2は、図1における可撓性絶縁性基材
1の上面に有機高分子物質層5が設けられ、該層5に前
記物質又はを含有せしめて成るコネクタ−の断面が
示されている。
【0031】更に、図3に示すように、可撓性絶縁性基
材1の少なくとも片面に導電ペ−ストの回路パタ−ン3
を持ち、前記回路パタ−ン上の少なくとも被接続回路基
板との接合部に異方導電手段2をもつヒ−トシ−ルコネ
クタ−又は前記3種の方法により光遮断性をもったヒ−
トシ−ルコネクタ−の前記異方導電手段2が設けられた
面のカバ−フィルム6の可撓性絶縁性基材側の面に感圧
接着剤7が設けられ、前記接続部には離型紙8が介在さ
れたヒ−トシ−ルコネクタ−において、前記カバ−フィ
ルム6又は感圧接着剤7中に前記又はの物質の少な
くとも一種を含んで可撓性絶縁性基材1の反対側から照
射される高エネルギ−光を遮蔽して異方導電手段2の光
劣化が効果的に防止される。
材1の少なくとも片面に導電ペ−ストの回路パタ−ン3
を持ち、前記回路パタ−ン上の少なくとも被接続回路基
板との接合部に異方導電手段2をもつヒ−トシ−ルコネ
クタ−又は前記3種の方法により光遮断性をもったヒ−
トシ−ルコネクタ−の前記異方導電手段2が設けられた
面のカバ−フィルム6の可撓性絶縁性基材側の面に感圧
接着剤7が設けられ、前記接続部には離型紙8が介在さ
れたヒ−トシ−ルコネクタ−において、前記カバ−フィ
ルム6又は感圧接着剤7中に前記又はの物質の少な
くとも一種を含んで可撓性絶縁性基材1の反対側から照
射される高エネルギ−光を遮蔽して異方導電手段2の光
劣化が効果的に防止される。
【0032】図4は、図3に示すヒ−トシ−ルコネクタ
−が被接続液晶基板に接続された状態の断面図で、ヒ−
トシ−ルコネクタ−と被接続液晶基板との接着強度が向
上するのでハンドリング時、あるいは使用時の振動によ
るヒ−トシ−ルコネクタ−の剥がれや導通不良が減少す
るという利点が得られている。
−が被接続液晶基板に接続された状態の断面図で、ヒ−
トシ−ルコネクタ−と被接続液晶基板との接着強度が向
上するのでハンドリング時、あるいは使用時の振動によ
るヒ−トシ−ルコネクタ−の剥がれや導通不良が減少す
るという利点が得られている。
【0033】以上のように、前記請求項1のヒ−トシ−
ルコネクタ−は、異方導電接着剤又は絶縁性接着剤中に
直接、光劣化を防止する物質が添加されて、効率良く光
劣化を防止できるし、請求項2及び3は、短否行程を用
いて光劣化を防止する。これら請求項1〜3は、可撓性
絶縁性基材の方向から照射される光を遮蔽するが、請求
項4のものは、これとは逆の方向から照射される光を遮
蔽するのみで、これらは適宜使い分けされる。
ルコネクタ−は、異方導電接着剤又は絶縁性接着剤中に
直接、光劣化を防止する物質が添加されて、効率良く光
劣化を防止できるし、請求項2及び3は、短否行程を用
いて光劣化を防止する。これら請求項1〜3は、可撓性
絶縁性基材の方向から照射される光を遮蔽するが、請求
項4のものは、これとは逆の方向から照射される光を遮
蔽するのみで、これらは適宜使い分けされる。
【0034】
【作用】本発明のヒ−トシ−ルコネクタ−は、その異方
導電手段としての接着剤層がバックライト方式における
蛍光灯の高エネルギ−光から防護されるので、長期にわ
たって安定なコネクタ−が提供され、バックライト方式
の表示器の信頼性が大幅に増大する。
導電手段としての接着剤層がバックライト方式における
蛍光灯の高エネルギ−光から防護されるので、長期にわ
たって安定なコネクタ−が提供され、バックライト方式
の表示器の信頼性が大幅に増大する。
【0035】
【実施例】具体例により、本発明を更に詳細に説明する
が、本発明は、これらに限定されない。なお、例中の部
数及び%は、特に断わりがない限り重量による。 実施例 1 固有粘度0.63と融点 263℃を有するポリエチレンテレフ
タレ−ト(PET)にこの樹脂 100部に対し 0.1部のp-
t-ブチルフェニルサリシレ−トを添加混合し、280℃の
温度で溶融押出し、これを2軸延伸して厚さ25μmの基
材フィルムを製作した。この片面にスクリ−ン版(スク
リ−ン線径20μm,紗厚20μm,開口率34%のニッケル
電鋳版)を用いてテレフタル酸,セバシン酸,エチレン
グリコ−ル及びネオペンチルグリコ−ルを原料として合
成した分子量20,000〜25,000で、ガラス転移点45℃,水
酸基価 6.0(KOH mg/g),酸価 1.0(KOH mg/g),溶解
度パラメ−タ− 9.2の飽和共重合ポリエステル樹脂 100
部をDBE(二塩基性エステル:商品名)に溶解し、こ
れにヘキサメチレンジイソシアネ−トのビウレット3量
体をメチルエチルケトオキシムでブロックして合成した
固形分85%,イソシアネ−ト含有量12%のブロックイソ
シアネ−ト化合物を混合したものをバインダ−成分と
し、酢酸エチルカルビト−ルを溶剤として加え、径が1
〜3μmの鱗片状銀粉を導電粒子として調製した導電ペ
−ストを印刷した。
が、本発明は、これらに限定されない。なお、例中の部
数及び%は、特に断わりがない限り重量による。 実施例 1 固有粘度0.63と融点 263℃を有するポリエチレンテレフ
タレ−ト(PET)にこの樹脂 100部に対し 0.1部のp-
t-ブチルフェニルサリシレ−トを添加混合し、280℃の
温度で溶融押出し、これを2軸延伸して厚さ25μmの基
材フィルムを製作した。この片面にスクリ−ン版(スク
リ−ン線径20μm,紗厚20μm,開口率34%のニッケル
電鋳版)を用いてテレフタル酸,セバシン酸,エチレン
グリコ−ル及びネオペンチルグリコ−ルを原料として合
成した分子量20,000〜25,000で、ガラス転移点45℃,水
酸基価 6.0(KOH mg/g),酸価 1.0(KOH mg/g),溶解
度パラメ−タ− 9.2の飽和共重合ポリエステル樹脂 100
部をDBE(二塩基性エステル:商品名)に溶解し、こ
れにヘキサメチレンジイソシアネ−トのビウレット3量
体をメチルエチルケトオキシムでブロックして合成した
固形分85%,イソシアネ−ト含有量12%のブロックイソ
シアネ−ト化合物を混合したものをバインダ−成分と
し、酢酸エチルカルビト−ルを溶剤として加え、径が1
〜3μmの鱗片状銀粉を導電粒子として調製した導電ペ
−ストを印刷した。
【0036】更に、異方導電手段としてクロロプレンゴ
ム 100部,NBR 100部,前記飽和共重合ポリエステル
樹脂 100部,フェノ−ル樹脂系粘着付与樹脂70部,Mg
O4部,ZnO5部及びセロソルブアセテ−ト 450部よ
りなる接着剤中に、表面を金で被覆した直径が20μmの
フェノ−ル樹脂球を5部混合して被接続基板との接続部
にスクリ−ン印刷した。更にそれ以外の部位に前記飽和
共重合ポリエステル樹脂 100部と前記ブロックイソシア
ネ−ト5部をセロソルブアセテ−ト 120部に溶解したポ
リエステル系絶縁レジストペ−ストをスクリ−ン印刷し
て絶縁レジスト層を設けた。
ム 100部,NBR 100部,前記飽和共重合ポリエステル
樹脂 100部,フェノ−ル樹脂系粘着付与樹脂70部,Mg
O4部,ZnO5部及びセロソルブアセテ−ト 450部よ
りなる接着剤中に、表面を金で被覆した直径が20μmの
フェノ−ル樹脂球を5部混合して被接続基板との接続部
にスクリ−ン印刷した。更にそれ以外の部位に前記飽和
共重合ポリエステル樹脂 100部と前記ブロックイソシア
ネ−ト5部をセロソルブアセテ−ト 120部に溶解したポ
リエステル系絶縁レジストペ−ストをスクリ−ン印刷し
て絶縁レジスト層を設けた。
【0037】実施例 2 固有粘度0.63と融点 263℃を有するPETを 280℃の温
度で溶融押出し、後に延伸して厚さ25μmの2軸延伸P
ETフィルムを製作した。この片面にスクリ−ン版(ス
クリ−ン線径20μm,紗厚20μm,開口率34%のニッケ
ル電鋳版)を用いて、テレフタル酸,セバシン酸,エチ
レングリコ−ル,ネオペンチルグリコ−ルを原料として
合成した分子量20,000〜25,000で、ガラス転移点45℃,
水酸基価6.0(KOH mg/g),酸価 1.0(KOH mg/g),溶
解度パラメ−タ− 9.2の飽和共重合ポリエステル樹脂 1
00部をDBEに溶解し、これにヘキサメチレンジイソシ
アネ−トのビウレット3量体をメチルエチルケトオキシ
ムでブロックして合成した固形分85%,イソシアネ−ト
含有量12%のブロックイソシアネ−ト化合物を混合した
ものをバインダ−成分とし、酢酸エチルカルビト−ルを
溶剤として加え、径が1〜3μmの鱗片状の銀粉を導電
粒子として混合調製した導電ペ−ストを印刷した。
度で溶融押出し、後に延伸して厚さ25μmの2軸延伸P
ETフィルムを製作した。この片面にスクリ−ン版(ス
クリ−ン線径20μm,紗厚20μm,開口率34%のニッケ
ル電鋳版)を用いて、テレフタル酸,セバシン酸,エチ
レングリコ−ル,ネオペンチルグリコ−ルを原料として
合成した分子量20,000〜25,000で、ガラス転移点45℃,
水酸基価6.0(KOH mg/g),酸価 1.0(KOH mg/g),溶
解度パラメ−タ− 9.2の飽和共重合ポリエステル樹脂 1
00部をDBEに溶解し、これにヘキサメチレンジイソシ
アネ−トのビウレット3量体をメチルエチルケトオキシ
ムでブロックして合成した固形分85%,イソシアネ−ト
含有量12%のブロックイソシアネ−ト化合物を混合した
ものをバインダ−成分とし、酢酸エチルカルビト−ルを
溶剤として加え、径が1〜3μmの鱗片状の銀粉を導電
粒子として混合調製した導電ペ−ストを印刷した。
【0038】更に、異方導電手段としてクロロプレンゴ
ム 100部,NBR 100部,前記飽和共重合ポリエステル
樹脂 100部,フェノ−ル樹脂系粘着付与樹脂70部,Mg
O4部,ZnO5部,2-ヒドロキシ-4-n-オクトキシベ
ンゾフェノン 0.5部及びセロソルブアセテ−ト 450部よ
りなる接着剤中に、表面を金で被覆した直径が20μmの
フェノ−ル樹脂球を5部混合して被接続基板との接続部
にスクリ−ン印刷を施した。更にそれ以外の部位に前記
飽和共重合ポリエステル樹脂 100部と前記ブロックイソ
シアネ−ト5部をセロソルブアセテ−ト 120部に溶解し
たポリエステル系絶縁レジストペ−ストをスクリ−ン印
刷して絶縁レジスト層を設けた。
ム 100部,NBR 100部,前記飽和共重合ポリエステル
樹脂 100部,フェノ−ル樹脂系粘着付与樹脂70部,Mg
O4部,ZnO5部,2-ヒドロキシ-4-n-オクトキシベ
ンゾフェノン 0.5部及びセロソルブアセテ−ト 450部よ
りなる接着剤中に、表面を金で被覆した直径が20μmの
フェノ−ル樹脂球を5部混合して被接続基板との接続部
にスクリ−ン印刷を施した。更にそれ以外の部位に前記
飽和共重合ポリエステル樹脂 100部と前記ブロックイソ
シアネ−ト5部をセロソルブアセテ−ト 120部に溶解し
たポリエステル系絶縁レジストペ−ストをスクリ−ン印
刷して絶縁レジスト層を設けた。
【0039】実施例 3 固有粘度0.63と融点 263℃を有するPETを 280℃の温
度で溶融押出し、後に延伸して厚さ25μmの2軸延伸P
ETフィルムを製作した。この片面に、テレフタル酸,
セバシン酸,エチレングリコ−ル,ネオペンチルグリコ
−ルを原料として合成した分子量20,000〜25,000で、ガ
ラス転移点45℃,水酸基価 6.0(KOH mg/g),酸価 1.0
(KOH mg/g),溶解度パラメ−タ− 9.2の飽和共重合ポ
リエステル樹脂 100部及び2-ヒドロキシ-4-n-オクトキ
シベンゾフェノン 0.2部をDBEに溶解し、これにヘキ
サメチレンジイソシアネ−トのビウレット3量体をメチ
ルエチルケトオキシムでブロックして合成した固形分85
%,イソシアネ−ト含有量12%のブロックイソシアネ−
ト化合物を混合したものをキスコ−タ−にて厚さ2μm
となるように塗布した。
度で溶融押出し、後に延伸して厚さ25μmの2軸延伸P
ETフィルムを製作した。この片面に、テレフタル酸,
セバシン酸,エチレングリコ−ル,ネオペンチルグリコ
−ルを原料として合成した分子量20,000〜25,000で、ガ
ラス転移点45℃,水酸基価 6.0(KOH mg/g),酸価 1.0
(KOH mg/g),溶解度パラメ−タ− 9.2の飽和共重合ポ
リエステル樹脂 100部及び2-ヒドロキシ-4-n-オクトキ
シベンゾフェノン 0.2部をDBEに溶解し、これにヘキ
サメチレンジイソシアネ−トのビウレット3量体をメチ
ルエチルケトオキシムでブロックして合成した固形分85
%,イソシアネ−ト含有量12%のブロックイソシアネ−
ト化合物を混合したものをキスコ−タ−にて厚さ2μm
となるように塗布した。
【0040】この上に、スクリ−ン版(スクリ−ン線径
20μm,紗厚20μm,開口率34%のニッケル電鋳版)を
用いて、テレフタル酸,セバシン酸,エチレングリコ−
ル,ネオペンチルグリコ−ルを原料として合成した分子
量20,000〜25,000で、ガラス転移点45℃,水酸基価 6.0
(KOH mg/g),酸価 1.0(KOH mg/g),溶解度パラメ−
タ− 9.2の飽和共重合ポリエステル樹脂 100部をDBE
に溶解し、これにヘキサメチレンジイソシアネ−トのビ
ウレット3量体をメチルエチルケトオキシムでブロック
して合成した固形分85%,イソシアネ−ト含有量12%の
ブロックイソシアネ−ト化合物を混合したものをバイン
ダ−にもち、酢酸エチルカルビト−ルを溶剤として加
え、径が1〜3μmの鱗片状の銀粉を導電粒子として調
製した導電ペ−ストを印刷した。
20μm,紗厚20μm,開口率34%のニッケル電鋳版)を
用いて、テレフタル酸,セバシン酸,エチレングリコ−
ル,ネオペンチルグリコ−ルを原料として合成した分子
量20,000〜25,000で、ガラス転移点45℃,水酸基価 6.0
(KOH mg/g),酸価 1.0(KOH mg/g),溶解度パラメ−
タ− 9.2の飽和共重合ポリエステル樹脂 100部をDBE
に溶解し、これにヘキサメチレンジイソシアネ−トのビ
ウレット3量体をメチルエチルケトオキシムでブロック
して合成した固形分85%,イソシアネ−ト含有量12%の
ブロックイソシアネ−ト化合物を混合したものをバイン
ダ−にもち、酢酸エチルカルビト−ルを溶剤として加
え、径が1〜3μmの鱗片状の銀粉を導電粒子として調
製した導電ペ−ストを印刷した。
【0041】更に、異方導電手段としてクロロプレンゴ
ム 100部,NBR 100部,前記飽和共重合ポリエステル
樹脂 100部,フェノ−ル樹脂系粘着付与樹脂70部,Mg
O4部,ZnO5部及びセロソルブアセテ−ト 450部よ
りなる接着剤中に、表面を金で被覆した直径が20μmの
フェノ−ル樹脂球を5部混合して被接続基板との接続部
にスクリ−ン印刷した。更にそれ以外の部位に前記飽和
共重合ポリエステル樹脂 100部と前記ブロックイソシア
ネ−ト5部をセロソルブアセテ−ト 120部に溶解したポ
リエステル系絶縁レジストペ−ストをスクリ−ン印刷し
て絶縁レジスト層を設けた。
ム 100部,NBR 100部,前記飽和共重合ポリエステル
樹脂 100部,フェノ−ル樹脂系粘着付与樹脂70部,Mg
O4部,ZnO5部及びセロソルブアセテ−ト 450部よ
りなる接着剤中に、表面を金で被覆した直径が20μmの
フェノ−ル樹脂球を5部混合して被接続基板との接続部
にスクリ−ン印刷した。更にそれ以外の部位に前記飽和
共重合ポリエステル樹脂 100部と前記ブロックイソシア
ネ−ト5部をセロソルブアセテ−ト 120部に溶解したポ
リエステル系絶縁レジストペ−ストをスクリ−ン印刷し
て絶縁レジスト層を設けた。
【0042】実施例 4 固有粘度0.63と融点 263℃を有するPETを 280℃の温
度で溶融押出し、後に延伸して製作した厚さ25μmの2
軸延伸PETフィルムの片面に、スクリ−ン版(スクリ
−ン線径20μm,紗厚20μm,開口率34%のニッケル電
鋳版)を用いて、テレフタル酸,セバシン酸,エチレン
グリコ−ル,ネオペンチルグリコ−ルを原料として合成
した分子量が20,000〜25,000で、ガラス転移点が45℃,
水酸基価6.0(KOH mg/g),酸価 1.0(KOH mg/g),溶
解度パラメ−タ− 9.2の飽和共重合ポリエステル樹脂 1
00部をDBEに溶解し、これにヘキサメチレンジイソシ
アネ−トのビウレット3量体をメチルエチルケトオキシ
ムでブロックして合成した固形分85%,イソシアネ−ト
含有量12%のブロックイソシアネ−ト化合物を混合した
ものをバインダ−にもち、酢酸エチルカルビト−ルを溶
剤として、径が1〜3μmの鱗片状の銀粉を導電粒子と
して含有する導電ペ−ストを印刷した。
度で溶融押出し、後に延伸して製作した厚さ25μmの2
軸延伸PETフィルムの片面に、スクリ−ン版(スクリ
−ン線径20μm,紗厚20μm,開口率34%のニッケル電
鋳版)を用いて、テレフタル酸,セバシン酸,エチレン
グリコ−ル,ネオペンチルグリコ−ルを原料として合成
した分子量が20,000〜25,000で、ガラス転移点が45℃,
水酸基価6.0(KOH mg/g),酸価 1.0(KOH mg/g),溶
解度パラメ−タ− 9.2の飽和共重合ポリエステル樹脂 1
00部をDBEに溶解し、これにヘキサメチレンジイソシ
アネ−トのビウレット3量体をメチルエチルケトオキシ
ムでブロックして合成した固形分85%,イソシアネ−ト
含有量12%のブロックイソシアネ−ト化合物を混合した
ものをバインダ−にもち、酢酸エチルカルビト−ルを溶
剤として、径が1〜3μmの鱗片状の銀粉を導電粒子と
して含有する導電ペ−ストを印刷した。
【0043】更に、異方導電手段としてクロロプレンゴ
ム 100部,NBR 100部,前記飽和共重合ポリエステル
樹脂 100部,フェノ−ル樹脂系粘着付与樹脂70部,Mg
O4部,ZnO5部及びセロソルブアセテ−ト 450部よ
りなる接着剤中に、表面を金で被覆した直径が20μmの
フェノ−ル樹脂球を5部混合して被接続基板との接続部
にスクリ−ン印刷した。更にそれ以外の部位に前記飽和
共重合ポリエステル樹脂 100部と前記ブロックイソシア
ネ−ト5部をセロソルブアセテ−ト 120部に溶解したポ
リエステル系絶縁レジストペ−ストをスクリ−ン印刷し
て絶縁レジスト層を設け、更に前記実施例1と同様の方
法で作成した厚さ15μmのポリエチレンテレフタレ−ト
フィルム基材にアクリル樹脂系の感圧接着剤を塗布し、
これを絶縁レジスト層の上に添付し、異方導電性手段と
の間に離型紙を介在させた。
ム 100部,NBR 100部,前記飽和共重合ポリエステル
樹脂 100部,フェノ−ル樹脂系粘着付与樹脂70部,Mg
O4部,ZnO5部及びセロソルブアセテ−ト 450部よ
りなる接着剤中に、表面を金で被覆した直径が20μmの
フェノ−ル樹脂球を5部混合して被接続基板との接続部
にスクリ−ン印刷した。更にそれ以外の部位に前記飽和
共重合ポリエステル樹脂 100部と前記ブロックイソシア
ネ−ト5部をセロソルブアセテ−ト 120部に溶解したポ
リエステル系絶縁レジストペ−ストをスクリ−ン印刷し
て絶縁レジスト層を設け、更に前記実施例1と同様の方
法で作成した厚さ15μmのポリエチレンテレフタレ−ト
フィルム基材にアクリル樹脂系の感圧接着剤を塗布し、
これを絶縁レジスト層の上に添付し、異方導電性手段と
の間に離型紙を介在させた。
【0044】実施例 5 固有粘度0.63と融点 263℃を有するPETを 280℃の温
度で溶融押出し、後に延伸して製作した厚さ25μmの2
軸延伸PETフィルムの片面に、スクリ−ン版(スクリ
−ン線径20μm,紗厚20μm,開口率34%のニッケル電
鋳版)を用いて、テレフタル酸,セバシン酸,エチレン
グリコ−ル,ネオペンチルグリコ−ルを原料として合成
した分子量が20,000〜25,000で、ガラス転移点が45℃,
水酸基価6.0(KOH mg/g),酸価 1.0(KOH mg/g),溶
解度パラメ−タ− 9.2の飽和共重合ポリエステル樹脂 1
00部をDBEに溶解し、これにヘキサメチレンジイソシ
アネ−トのビウレット3量体をメチルエチルケトンオキ
シムでブロックして合成した固形分85%,イソシアネ−
ト含有量12%のブロックイソシアネ−ト化合物を混合し
たものをバインダ−にもち、酢酸エチルカルビト−ルを
溶剤として、径が1〜3μmの鱗片状の銀粉を導電粒子
として含有する導電ペ−ストを印刷した。
度で溶融押出し、後に延伸して製作した厚さ25μmの2
軸延伸PETフィルムの片面に、スクリ−ン版(スクリ
−ン線径20μm,紗厚20μm,開口率34%のニッケル電
鋳版)を用いて、テレフタル酸,セバシン酸,エチレン
グリコ−ル,ネオペンチルグリコ−ルを原料として合成
した分子量が20,000〜25,000で、ガラス転移点が45℃,
水酸基価6.0(KOH mg/g),酸価 1.0(KOH mg/g),溶
解度パラメ−タ− 9.2の飽和共重合ポリエステル樹脂 1
00部をDBEに溶解し、これにヘキサメチレンジイソシ
アネ−トのビウレット3量体をメチルエチルケトンオキ
シムでブロックして合成した固形分85%,イソシアネ−
ト含有量12%のブロックイソシアネ−ト化合物を混合し
たものをバインダ−にもち、酢酸エチルカルビト−ルを
溶剤として、径が1〜3μmの鱗片状の銀粉を導電粒子
として含有する導電ペ−ストを印刷した。
【0045】更に、異方導電手段としてクロロプレンゴ
ム 100部,NBR 100部,前記飽和共重合ポリエステル
樹脂 100部,フェノ−ル樹脂系粘着付与樹脂70部,Mg
O4部,ZnO5部,白色酸化チタン30部及びセロソル
ブアセテ−ト 450部よりなる接着剤中に、表面を金で被
覆した直径が20μmのフェノ−ル樹脂球を5部混合した
ものを被接続基板との接続部にスクリ−ン印刷した。更
にそれ以外の部位に前記飽和共重合ポリエステル樹脂 1
00部と前記ブロックイソシアネ−ト5部をセロソルブア
セテ−ト 120部に溶解したポリエステル系絶縁レジスト
ペ−ストをスクリ−ン印刷して絶縁レジスト層を設け
た。
ム 100部,NBR 100部,前記飽和共重合ポリエステル
樹脂 100部,フェノ−ル樹脂系粘着付与樹脂70部,Mg
O4部,ZnO5部,白色酸化チタン30部及びセロソル
ブアセテ−ト 450部よりなる接着剤中に、表面を金で被
覆した直径が20μmのフェノ−ル樹脂球を5部混合した
ものを被接続基板との接続部にスクリ−ン印刷した。更
にそれ以外の部位に前記飽和共重合ポリエステル樹脂 1
00部と前記ブロックイソシアネ−ト5部をセロソルブア
セテ−ト 120部に溶解したポリエステル系絶縁レジスト
ペ−ストをスクリ−ン印刷して絶縁レジスト層を設け
た。
【0046】比較例 1 固有粘度0.63と融点 263℃を有するPETを 280℃の温
度で溶融押出し、これを2軸延伸して厚さ25μmの2軸
延伸PET基材フィルムを作成した。この片面にスクリ
−ン版(スクリ−ン線径20μm,紗厚20μm,開口率34
%のニッケル電鋳版)を用い、テレフタル酸,セバシン
酸,エチレングリコ−ル及びネオペンチルグリコ−ルか
ら合成した分子量20,000〜25,000、ガラス転移点45℃,
水酸基価6.0(KOH mg/g),酸価 1.0(KOH mg/g),溶
解度パラメ−タ− 9.2の飽和共重合ポリエステル樹脂 1
00部をDBEに溶解し、これにヘキサメチレンジイソシ
アネ−トのビウレット3量体をメチルエチルケトンオキ
シムでブロックして合成した固形分85%,イソシアネ−
ト含有量12%のブロックイソシアネ−ト化合物を混合し
たものをバインダ−にもち、酢酸エチルカルビト−ルを
溶剤として加え、径が1〜3μmの鱗片状銀粉を導電粒
子として調製した導電ペ−ストを印刷した。
度で溶融押出し、これを2軸延伸して厚さ25μmの2軸
延伸PET基材フィルムを作成した。この片面にスクリ
−ン版(スクリ−ン線径20μm,紗厚20μm,開口率34
%のニッケル電鋳版)を用い、テレフタル酸,セバシン
酸,エチレングリコ−ル及びネオペンチルグリコ−ルか
ら合成した分子量20,000〜25,000、ガラス転移点45℃,
水酸基価6.0(KOH mg/g),酸価 1.0(KOH mg/g),溶
解度パラメ−タ− 9.2の飽和共重合ポリエステル樹脂 1
00部をDBEに溶解し、これにヘキサメチレンジイソシ
アネ−トのビウレット3量体をメチルエチルケトンオキ
シムでブロックして合成した固形分85%,イソシアネ−
ト含有量12%のブロックイソシアネ−ト化合物を混合し
たものをバインダ−にもち、酢酸エチルカルビト−ルを
溶剤として加え、径が1〜3μmの鱗片状銀粉を導電粒
子として調製した導電ペ−ストを印刷した。
【0047】更に、異方導電手段としてクロロプレンゴ
ム 100部,NBR 100部,前記飽和共重合ポリエステル
樹脂 100部,フェノ−ル樹脂系粘着付与樹脂70部,Mg
O4部,ZnO5部及びセロソルブアセテ−ト 450部よ
りなる接着剤中に、表面を金で被覆した直径が20μmの
フェノ−ル樹脂球を5部混合して被接続基板との接続部
にスクリ−ン印刷した。それ以外の部分に前記の飽和共
重合ポリエステル樹脂100 部と前記ブロックイソシアネ
−ト5部をセロソルブアセテ−ト 120部に溶解したポリ
エステル系絶縁レジストペ−ストをスクリ−ン印刷して
絶縁レジスト層を設けた。
ム 100部,NBR 100部,前記飽和共重合ポリエステル
樹脂 100部,フェノ−ル樹脂系粘着付与樹脂70部,Mg
O4部,ZnO5部及びセロソルブアセテ−ト 450部よ
りなる接着剤中に、表面を金で被覆した直径が20μmの
フェノ−ル樹脂球を5部混合して被接続基板との接続部
にスクリ−ン印刷した。それ以外の部分に前記の飽和共
重合ポリエステル樹脂100 部と前記ブロックイソシアネ
−ト5部をセロソルブアセテ−ト 120部に溶解したポリ
エステル系絶縁レジストペ−ストをスクリ−ン印刷して
絶縁レジスト層を設けた。
【0048】上記具体例で作成したヒ−トシ−ルコネク
タ−を 150℃の温度で30kg,12秒の条件でITO基板
にヒ−トシ−ルし、JIS K7200に準じて紫外線ア−
ク灯式耐光試験機を用い、放電電流15〜17A,放電電圧
125〜145V及び63℃,50%にて光照射を行って、初期及
び100時間後の剥離強度を測定した。なお、照射は、実
施例1〜3と5及び比較例1は可撓性絶縁性基材側か
ら、また実施例4はITO基板側から行った。それらの
結果を下掲表1にまとめて示す。
タ−を 150℃の温度で30kg,12秒の条件でITO基板
にヒ−トシ−ルし、JIS K7200に準じて紫外線ア−
ク灯式耐光試験機を用い、放電電流15〜17A,放電電圧
125〜145V及び63℃,50%にて光照射を行って、初期及
び100時間後の剥離強度を測定した。なお、照射は、実
施例1〜3と5及び比較例1は可撓性絶縁性基材側か
ら、また実施例4はITO基板側から行った。それらの
結果を下掲表1にまとめて示す。
【0049】
【表 1】
【0050】
【発明の効果】本発明のヒ−トシ−ルコネクタ−は、回
路間の電気的接続部、特にその接続部の接着剤が光に対
して極めて安定に保持されるから、耐光性に優れた長期
安定に機能するコネクタ−として、工業的にも、また実
用上からも望ましい高く評価される部材である。
路間の電気的接続部、特にその接続部の接着剤が光に対
して極めて安定に保持されるから、耐光性に優れた長期
安定に機能するコネクタ−として、工業的にも、また実
用上からも望ましい高く評価される部材である。
【図1】本発明のヒ−トシ−ルコネクタ−の一例の模式
的断面図である。
的断面図である。
【図2】本発明のヒ−トシ−ルコネクタ−の他の例の同
様の断面図である。
様の断面図である。
【図3】本発明のヒ−トシ−ルコネクタ−の更に他の例
の断面図である。
の断面図である。
【図4】図3のヒ−トシ−ルコネクタ−の液晶基板への
接続後の状態を示す模式的部分断面図である。
接続後の状態を示す模式的部分断面図である。
1 可撓性絶縁性基材 2 異方導電手段 3 回路パタ−ン 4 絶縁レジスト層 5 有機高分子物質層 6 カバ−レイフィルム 7 感圧接着剤 8 離型紙 9 液晶基板(被接続基板)
Claims (5)
- 【請求項1】可撓性絶縁性基材の少なくとも片面に導電
ペ−ストで形成された回路パタ−ンを有し、少なくとも
その回路パタ−ンの被接続回路基板との接合部に異方導
電手段が施されるヒ−トシ−ルコネクタ−において、異
方導電性接着剤又は絶縁性接着剤中に、下記又はよ
り成る群から選択された光吸収物質又は光遮蔽剤より成
る群から選択される少なくとも一種を有効量含有させて
成ることを特徴とするヒ−トシ−ルコネクタ−。 光の波長 300〜 380nmの範囲内に吸光度 0.3以上の
吸収帯を少なくとも一つ有するベンゾフェノン系,サリ
シレ−ト系,ベンゾトリアゾ−ル系,並びにシアノアク
リレ−ト系の有機物質類。 波長 300〜380 nmの範囲の光の透過率が50%以下で
ある無機物質微粒子類。 - 【請求項2】可撓性絶縁性基材の少なくとも片面に導電
ペ−ストで形成された回路パタ−ンを有し、少なくとも
その回路パタ−ンの被接続回路基板との接合部に異方導
電手段が形成されたヒ−トシ−ルコネクタ−であって、
該可撓性絶縁性基材の少なくとも片面に上記請求項1に
記載の又はより成る群から選択された光吸収物質又
は光遮蔽剤より成る群から選択された少なくとも一種を
含有する有機高分子物質層を形成させて成ることを特徴
とするヒ−トシ−ルコネクタ−。 - 【請求項3】可撓性絶縁性基材の少なくとも片面に導電
ペ−ストで形成された回路パタ−ンを有し、少なくとも
その回路パタ−ンの被接続回路基板との接合部に異方導
電手段が形成されたヒ−トシ−ルコネクタ−において、
該可撓性絶縁性基材中に、上記請求項1に記載の又は
より成る群から選択された光吸収物質又は光遮蔽剤よ
り成る群から選択された少なくとも一種を含有すること
を特徴とするヒ−トシ−ルコネクタ−。 - 【請求項4】可撓性絶縁性基材の面に少なくとも導電ペ
−ストで形成された回路パタ−ンを有し、少なくともそ
の回路パタ−ンの被接続回路板との接合部に異方導電手
段が形成されたヒ−トシ−ルコネクタ−において、該異
方導電手段が形成された面にカバ−フィルム及び感圧接
着剤層が設けられ、そのカバ−フィルム及び/又は感圧
接着剤層中に上記請求項1に記載の又はより成る群
から選択された光吸収物質又は光遮蔽剤より成る群から
選択された少なくとも一種を含有する有機高分子物質層
を形成させて成ることを特徴とするヒ−トシ−ルコネク
タ−。 - 【請求項5】前記ヒ−トシ−ルコネクタ−において、前
記有機物質類の含有濃度が0.01〜10g/100gであって、
前記無機物質微粒子類の含有濃度は5〜50g/100gの範
囲である請求項1ないし4に記載のヒ−トシ−ルコネク
タ−。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15201793A JPH0714626A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | ヒ−トシ−ルコネクタ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15201793A JPH0714626A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | ヒ−トシ−ルコネクタ− |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0714626A true JPH0714626A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15531242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15201793A Pending JPH0714626A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | ヒ−トシ−ルコネクタ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0714626A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0991014A2 (en) * | 1998-09-30 | 2000-04-05 | Toppan Forms Co., Ltd | Conductive paste and method of forming antenna for transponder |
JP2000123639A (ja) * | 1998-10-12 | 2000-04-28 | Sony Chem Corp | 遮光性異方性導電性接着フィルム及び液晶表示素子 |
JP2012113851A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Tokai Rubber Ind Ltd | 配線体接続素子 |
-
1993
- 1993-06-23 JP JP15201793A patent/JPH0714626A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0991014A2 (en) * | 1998-09-30 | 2000-04-05 | Toppan Forms Co., Ltd | Conductive paste and method of forming antenna for transponder |
EP0991014A3 (en) * | 1998-09-30 | 2003-06-18 | Toppan Forms Co., Ltd | Conductive paste and method of forming antenna for transponder |
EP1484714A1 (en) * | 1998-09-30 | 2004-12-08 | Toppan Forms Co., Ltd | Conductive paste and method of forming antenna for transponder |
JP2000123639A (ja) * | 1998-10-12 | 2000-04-28 | Sony Chem Corp | 遮光性異方性導電性接着フィルム及び液晶表示素子 |
JP2012113851A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Tokai Rubber Ind Ltd | 配線体接続素子 |
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