JPH07140673A - Method for forming patterned polyimide coating film on substrate - Google Patents

Method for forming patterned polyimide coating film on substrate

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JPH07140673A
JPH07140673A JP30699493A JP30699493A JPH07140673A JP H07140673 A JPH07140673 A JP H07140673A JP 30699493 A JP30699493 A JP 30699493A JP 30699493 A JP30699493 A JP 30699493A JP H07140673 A JPH07140673 A JP H07140673A
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JP
Japan
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film
substrate
coating film
polyimide precursor
solvent
Prior art date
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Application number
JP30699493A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiaki Itabashi
俊明 板橋
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Du Pont KK
Original Assignee
Du Pont KK
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Publication date
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a method for forming a patterned polyimide coating film on a substrate. CONSTITUTION:In the method for forming the patterned polyimide coating film by forming a coating film by applying a photocrosslinkable polymer composition obtained by modifying a polyimide precursor with a compound having a photosensitive group on the substrate, imagewisely exposing, developing and heating the hardened coating film of the exposed part to convert to a polyimide resin coating film, a solvent mixture of non-protic polar solvent with cycloparaffin based hydrocarbon or cycloparaffin based hydrocarbon compound is used as the developer in developing process.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工業、マイ
クロエレクトロニクス工業、写真製版、ホログラムやレ
ーザー記録を含むイメージング分野などにおいて、保護
膜、絶縁膜、層間絶縁膜、パッシベーション膜、記録エ
レメント、製版材料などを、感光性基を有する化合物で
ポリイミド前駆体を変成して得られる光架橋性重合体組
成物から製造するための方法に関する。更に詳細には、
上記した光架橋性重合体組成物を基板上に施して得られ
る被膜を像様露光し、未露光部を除去することによって
所定のパターンを基板上に得るための方法に関する。
The present invention relates to a protective film, an insulating film, an interlayer insulating film, a passivation film, a recording element, a plate making in the semiconductor manufacturing industry, microelectronics industry, photolithography, imaging field including hologram and laser recording. It relates to a method for producing a material or the like from a photocrosslinkable polymer composition obtained by modifying a polyimide precursor with a compound having a photosensitive group. More specifically,
It relates to a method for obtaining a predetermined pattern on a substrate by imagewise exposing a coating film obtained by applying the above-mentioned photocrosslinkable polymer composition onto the substrate and removing the unexposed portion.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体製造工業およびマイクロエ
レクトロニクス工業において、耐熱性が高く且つ電気的
および機械的特性に優れたポリイミド樹脂等の分子構造
中に複素環基を有する樹脂が集積素子の絶縁膜やパッシ
ベーション膜として、また高密度実装基板の層間絶縁膜
として用いられてきている。
2. Description of the Related Art In recent years, in the semiconductor manufacturing industry and the microelectronics industry, a resin having a heterocyclic group in its molecular structure, such as a polyimide resin having high heat resistance and excellent electrical and mechanical properties, is an insulating film for integrated devices. It has also been used as a passivation film and as an interlayer insulating film of a high-density mounting substrate.

【0003】この樹脂で絶縁膜を形成させる場合におい
て、この絶縁膜の下層となった金属または導電体と他の
電子素子や装置等との間に回路を形成させる必要が生じ
うる。またこの樹脂で層間絶縁膜を形成させる場合にお
いても上下層の間に導電路を設けて導通を取ることが必
要となる場合が多く、樹脂膜にビアホールを設け、この
ビアホールを介して上下層を導電体で接続することにな
る。そしてこのような絶縁膜または層間絶縁膜をプロセ
ス加工性にすぐれた感光性ポリイミド前駆体組成物を用
いて形成させ、パターン形成法によって絶縁膜または層
間絶縁膜を所望のパターン化された形状のものとするこ
とが行われるようになってきた。上記した感光性ポリイ
ミド前駆体組成物を用いるパターン形成法は例えば次の
ような工程で行われる。
When an insulating film is formed of this resin, it may be necessary to form a circuit between a metal or a conductor which is a lower layer of the insulating film and another electronic element or device. In addition, when forming an interlayer insulating film with this resin, it is often necessary to provide a conductive path between the upper and lower layers to establish conduction. Therefore, a via hole is provided in the resin film and the upper and lower layers are connected via this via hole. It will be connected by a conductor. Then, such an insulating film or an interlayer insulating film is formed using a photosensitive polyimide precursor composition having excellent processability, and the insulating film or the interlayer insulating film has a desired patterned shape by a pattern forming method. Things have come to be done. The pattern forming method using the above-mentioned photosensitive polyimide precursor composition is performed, for example, in the following steps.

【0004】塗布:ポリイミド前駆体組成物ワニスを
基板上に塗布する。 ベーク:上記組成物ワニス中の用材を蒸発させて、塗
膜を形成する。 露光:紫外線露光機と所定のフォトマスクを用いて露
光する。 現像:現像液で非架橋部分を溶解除去しリンス液で洗
浄してパターンを得る。 キュアー:加熱することによってポリイミド樹脂に転
化させる。
Coating: A polyimide precursor composition varnish is coated on a substrate. Baking: The material in the above composition varnish is evaporated to form a coating film. Exposure: Exposure is performed using an ultraviolet exposure device and a predetermined photomask. Development: A non-crosslinked portion is dissolved and removed with a developing solution and washed with a rinse solution to obtain a pattern. Cure: It is converted into a polyimide resin by heating.

【0005】また、写真製版やイメージング分野におい
て、感光性ポリイミド前駆体組成物を用いて得られる製
版材料などの光記録体はその機械的強度などの優れた特
性によって注目されるようになった。そしてこのような
感光性ポリイミド前駆体の塗膜に像様露光を行い、非架
橋部分を現像液で溶解除去場合の現像液としては例えば
N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、キ
シレンやアルコール、エステル類および水の混合溶液な
どが用いられている。
Further, in the fields of photolithography and imaging, optical recording materials such as plate-making materials obtained by using a photosensitive polyimide precursor composition have been attracting attention due to their excellent properties such as mechanical strength. Then, the coating film of such a photosensitive polyimide precursor is subjected to imagewise exposure, and as a developing solution when the non-crosslinked portion is dissolved and removed by a developing solution, for example, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, xylene or alcohol is used. , A mixed solution of ester and water is used.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポリイ
ミド前駆体を用いポリイミドパターンを形成する場合、
解像度および残膜特性において優れ残渣の発生を確実に
防止するとともに現像、リンス液としての消費コストを
考慮してN−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラク
トン等のポリイミド前駆体の良溶媒と芳香族炭化水素、
アルコール、エステル類等の貧溶媒との混合溶媒が現像
液やリンス液として広く使用されている。
However, when forming a polyimide pattern using a polyimide precursor,
Excellent in resolution and residual film characteristics. Prevents the generation of residues without fail, and considers the cost of development and rinsing liquid consumption. Good solvents and aromatics for polyimide precursors such as N-methyl-2-pyrrolidone and γ-butyrolactone. hydrocarbon,
Mixed solvents with poor solvents such as alcohols and esters are widely used as developers and rinses.

【0007】同時に環境保護並びに人体への影響を考慮
した各種基準、規則が拡張され、その結果として芳香族
炭化水素系の化合物が近年規制対象となりつつあり、上
述のような現像液やリンス液として使用出来ない場合が
予想される。
At the same time, various standards and regulations in consideration of environmental protection and effects on the human body have been expanded, and as a result, aromatic hydrocarbon compounds have come to be regulated in recent years, and as a developing solution or a rinsing solution as described above. It is expected that it cannot be used.

【0008】そこでこの芳香族炭化水素化合物に代わる
貧溶媒であって芳香族炭化水素系化合物を使用したとほ
ぼ同様の解像度および残膜特性等の現像能力を呈し、ポ
リイミドパターン形成の一連の工程において芳香族炭化
水素系化合物を使用時と同じ工程制御(例えば現像時間
等)の下で現像液として使用できる溶媒が求められてい
る。ここでコスト上の利点から広く使用されている芳香
族炭化水素系化合物と比べ劣ることなくまた優れるもの
でなく同等の特性が得られることは、前述したポリイミ
ド前駆体組成物を塗布することから始まり、キュアーし
てポリイミド樹脂からなるパターンを形成する一連の工
程を実施する製造ラインを変更するを要せずそれによっ
て工程全体の生産性を維持出来る上で非常に重要であ
る。
Therefore, as a poor solvent which replaces the aromatic hydrocarbon compound, it exhibits substantially the same resolution and developing ability as the residual film characteristics when an aromatic hydrocarbon compound is used, and in a series of steps of forming a polyimide pattern. There is a demand for a solvent that can be used as a developing solution under the same process control (for example, developing time) as when an aromatic hydrocarbon compound is used. Here, it is possible to obtain equivalent properties without being inferior or superior to aromatic hydrocarbon compounds which are widely used from the cost advantage, by starting by applying the above-mentioned polyimide precursor composition. It is very important in that the productivity of the whole process can be maintained without changing the production line that carries out a series of processes for curing and forming a pattern made of a polyimide resin.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者らは上述のよう
な従来技術の問題点を解決するために鋭意研究を重ねた
結果、感光性ポリイミド前駆体組成物を基板上に施して
得られる被膜に像様露光を行い、これを現像する場合に
現像時間を短縮し同時に高い解像度と残膜率で未露光部
の残留もないパターン形成を行うことができる現像・リ
ンス液を開発して本発明を完成した。
The inventors of the present invention have conducted extensive studies to solve the above-mentioned problems of the prior art, and as a result, they are obtained by applying a photosensitive polyimide precursor composition onto a substrate. We developed a developing and rinsing solution that can perform imagewise exposure on a film and shorten the development time when developing it and at the same time perform pattern formation with high resolution and residual film rate without leaving unexposed areas. Completed the invention.

【0010】すなわち本発明は、芳香族テトラカルボン
酸またはそのモノもしくはジ酸無水物と芳香族ジアミン
とから誘導されるポリイミド前駆体を感光性基を有する
化合物で変成して得られる光架橋性重合体組成物を用意
し、これを基板上に施用して被膜を形成させ、この被膜
を像様に露光して露光部分を架橋させ、未露光部分を現
像液で溶解して除去し、架橋した露光部分の被膜を加熱
してポリイミド樹脂被膜を形成させる方法において、現
像液として非プロトン系極性溶媒とシクロパラフィン系
炭化水素またはシクロパラフィン系炭化水素化合物との
混合溶媒を使用し、またリンス液としてもシクロパラフ
ィン系炭化水素およびシクロパラフィン系炭化水素化合
物と非極性溶媒との混合溶媒を使用することを特徴とす
るものである。
That is, the present invention is a photo-crosslinkable polymer obtained by modifying a polyimide precursor derived from an aromatic tetracarboxylic acid or its mono- or di-anhydride and an aromatic diamine with a compound having a photosensitive group. A combined composition was prepared and applied on a substrate to form a film, and this film was imagewise exposed to crosslink the exposed part, and the unexposed part was dissolved and removed with a developing solution and crosslinked. In the method of heating the exposed film to form a polyimide resin film, a mixed solvent of an aprotic polar solvent and a cycloparaffinic hydrocarbon or a cycloparaffinic hydrocarbon compound is used as a developer, and a rinse liquid is used. Also, it is characterized by using a cycloparaffinic hydrocarbon or a mixed solvent of a cycloparaffinic hydrocarbon compound and a non-polar solvent.

【0011】本発明による上記した現像・リンス液を使
用することにより、従来使用されていた芳香族炭化水素
化合物を含む現像・リンス液と同等またはそれ以上の現
像能力を呈し、しかも高い解像度と残膜率で未露光部の
残留がなく、芳香族炭化水素化合物使用時と工程制御を
変える必要がなく、すなわち上記パターン形成の為の設
備を変更することがない。
By using the above-mentioned developing / rinsing solution according to the present invention, the developing / rinsing solution containing an aromatic hydrocarbon compound which has been conventionally used has a developing ability equal to or higher than that of the conventional developing / rinsing solution. There is no unexposed portion remaining in terms of film rate, and there is no need to change process control when an aromatic hydrocarbon compound is used, that is, the equipment for pattern formation is not changed.

【0012】本発明で用いられる光架橋性重合体組成物
は、次の一般式(I)
The photocrosslinkable polymer composition used in the present invention has the following general formula (I):

【化1】 [Chemical 1]

【0013】(式中Arは(Where Ar is

【化2】 [Chemical 2]

【0014】Ar′はAr 'is

【化3】 nは1または2以上のポリアミド酸の繰り返し単位を表
す)で示される芳香族テトラカルボン酸またはその酸一
無水物もしくは酸二無水物と芳香族ジアミンとから誘導
されるポリイミド前駆体すなわちポリアミド酸を感光性
基を有する化合物で変成して得られたものである。
[Chemical 3] n represents a repeating unit of one or more polyamic acid) or a polyimide precursor derived from an aromatic diamine and an aromatic tetracarboxylic acid or an acid monoanhydride or an acid dianhydride, that is, a polyamic acid. It is obtained by modification with a compound having a photosensitive group.

【0015】上記したポリアミド酸の製造に用いられる
芳香族テトラカルボン酸二無水物の具体例としては、ピ
ロメリット酸二無水物(PMDA)、3,4,3′,4′
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTD
A)、1,4,5,5−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、3,3′,4,4′−ジフェニルテトラカルボン酸
二無水物、2,2′,3,3′−ジフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物、2,3,3′,4′−ジフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシ
フェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス〔4−(3,
4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル〕プロパン二無
水物、2,2−ビス〔4−(2,3−ジカルボキシフェノ
キシ)フェニル〕プロパン二無水物、ビス(3,4−ジ
カルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4
−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物およ
びペリレン−3,4,9,10−テトラカルボン酸二無水
物、ジフェニルチオエーテルテトラカルボン酸二無水
物、およびジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水
物、並びにこれらの混合物が挙げられる。
Specific examples of the aromatic tetracarboxylic dianhydride used in the production of the above polyamic acid include pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,4,3 ', 4'.
-Benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride (BTD
A) 1,4,5,5-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride 3,3 ', 4,4'-diphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3,3'-diphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ', 4'-diphenyltetracarboxylic Acid dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis [4- (3,
4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride, 2,2-bis [4- (2,3-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride Thing, screw (3,4
-Dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride and perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride, diphenylthioether tetracarboxylic dianhydride , And diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, and mixtures thereof.

【0016】また、上記したポリアミド酸の製造に用い
られるもう一方の成分の芳香族ジアミンの具体例として
は、m−またはp−フェニレンジアミン、4,4′−ま
たは3,3′−ジアミノビフェニル、4,4′−または
3,3′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−また
は3,3′−ジアミノジフェニルメタン、4,4′−また
は3,3′−ジアミノジフェニルスルホン、4,4′−ま
たは3,3′−チオジアニリン、ビス−(4−アミノフ
ェニル)ビス(トリフルオロメチル)メタン、4,4′
−ジアミノベンゾフェノン、1,5−ジアミノナフタレ
ン、ビス−(4−アミノフェニル)−ジメチルシラン、
ビス−(4−アミノフェニル)−ジエチルシラン、ビス
−(4−アミノフェニル)−ジフェニルシラン、ビス−
(4−アミノフェニロキシ)−ジメチルシラン、ビス−
(4−アミノフェニル)−エチルホスフィンオキサイ
ド、N−〔ビス−(4−アミノフェニル)〕−N−メチ
ルアミン、N−〔ビス−(4−アミノフェニル)〕−N
−フェニルアミン、4,4′−メチレンビス−(o−ク
ロロアニリン)、4,4′−メチレンビス−(3−メチ
ルアニリン)、4,4′−メチレンビス−(2−エチル
アニレン)、4,4′−メチレンビス−(2−メトキシ
アニリン)、5,5′−メチレンビス−(2−アミノフ
ェノール)、4,4′−メチレンビス−(2−メチルア
ニリン)、4,4′−オキシビス−(2−メトキシアニ
リン)、4,4′−オキシビス−(2−クロロアニリ
ン)、5,5−オキシビス−(2−アミノフェノー
ル)、4,4′−チオビス−(2−メチルアニリン)、
4,4′−チオビス−(2−メトキシアニリン)、4,
4′−チオビス−(2−クロロアニリン)、4,4′−
スルホニルビス−(2−メチルアニリン)、4,4′−
スルホニルビス−(2−エトキシアニリン)、4,4′
−スルホニルビス−(2−クロロアニリン)、5,5′
−スルホニルビス−(2−アミノフェノール)、3,
3′−ジメチル−4,4′−ジアミノベンゾフェノン、
3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノベンゾフェノ
ン、3,3′−ジクロロ−4,4′−ジアミノベンゾフェ
ノン、4,4′−オキシジアニリン、4,4′−イソプロ
ピリデンジアニリン、3,3′−ジクロロベンチジン、
3,3′−ジメチルペンチジン、3,3′−ジメトキシベ
ンチジン、3,3′−ジカルボキシベンチジン、ジアミ
ノトルエン、4,4′−メチレンビス−(3−カルボキ
シアニリン)およびこのものの種々のエステル類、5−
アミノ−1−(4−アミノフェニル)−1,3,3−トリ
メチルインダンおよび6−アミノ−1−(4′−アミノ
フェノール)−1,3,3−トリメチルインダン、並びに
これらの混合物が挙げられる。
Specific examples of the other aromatic diamine used in the production of the above polyamic acid include m- or p-phenylenediamine, 4,4'- or 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'- or 3,3'-diaminodiphenyl ether, 4,4'- or 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'- or 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'- or 3 3,3'-thiodianiline, bis- (4-aminophenyl) bis (trifluoromethyl) methane, 4,4 '
-Diaminobenzophenone, 1,5-diaminonaphthalene, bis- (4-aminophenyl) -dimethylsilane,
Bis- (4-aminophenyl) -diethylsilane, bis- (4-aminophenyl) -diphenylsilane, bis-
(4-Aminophenyloxy) -dimethylsilane, bis-
(4-Aminophenyl) -ethylphosphine oxide, N- [bis- (4-aminophenyl)]-N-methylamine, N- [bis- (4-aminophenyl)]-N
-Phenylamine, 4,4'-methylenebis- (o-chloroaniline), 4,4'-methylenebis- (3-methylaniline), 4,4'-methylenebis- (2-ethylanilene), 4,4'- Methylenebis- (2-methoxyaniline), 5,5'-methylenebis- (2-aminophenol), 4,4'-methylenebis- (2-methylaniline), 4,4'-oxybis- (2-methoxyaniline) 4,4'-oxybis- (2-chloroaniline), 5,5-oxybis- (2-aminophenol), 4,4'-thiobis- (2-methylaniline),
4,4'-thiobis- (2-methoxyaniline), 4,
4'-thiobis- (2-chloroaniline), 4,4'-
Sulfonylbis- (2-methylaniline), 4,4'-
Sulfonylbis- (2-ethoxyaniline), 4,4 '
-Sulfonylbis- (2-chloroaniline), 5,5 '
-Sulfonylbis- (2-aminophenol), 3,
3'-dimethyl-4,4'-diaminobenzophenone,
3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-dichloro-4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-oxydianiline, 4,4'-isopropylidenedianiline, 3 , 3'-dichlorobenzidine,
3,3'-Dimethylpentidine, 3,3'-dimethoxybenzidine, 3,3'-dicarboxybenzidine, diaminotoluene, 4,4'-methylenebis- (3-carboxyaniline) and various esters thereof Kind, 5-
Amino-1- (4-aminophenyl) -1,3,3-trimethylindane and 6-amino-1- (4'-aminophenol) -1,3,3-trimethylindane, and mixtures thereof. .

【0017】このポリイミド前駆体の感光性基を有する
化合物での変成はポリイミド前駆体への感光性基を有す
る化合物の混合によるか、またはポリイミド前駆体の側
鎖への感光性基の導入によって行われる。
The modification of the polyimide precursor with a compound having a photosensitive group is carried out by mixing a compound having a photosensitive group into the polyimide precursor or by introducing a photosensitive group into a side chain of the polyimide precursor. Be seen.

【0018】ポリイミド前駆体に混合される感光性基を
有する化合物としては感光性モノマーとして知られてい
る化合物、例えばトリメチロールプロパントリアクリレ
ート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ポ
リエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレング
リコールジメタクリレート、N,N−ジメチルアミノエ
チルメタクリレート等の(メタ)アクリレート類、チオ
グリコール酸等のメルカプト化合物、フェニルスルホニ
ルマレイミド等のマレイミド類、メタクリル酸エチルイ
ソシアネート等のイソシアネート類等が挙げられる。こ
れらの感光性モノマーはポリイミド前駆体中に0.01
重量%〜100重量%の量で混合される。
The compound having a photosensitive group to be mixed with the polyimide precursor is a compound known as a photosensitive monomer, for example, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, polyethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol dimethacrylate. , (Meth) acrylates such as N, N-dimethylaminoethylmethacrylate, mercapto compounds such as thioglycolic acid, maleimides such as phenylsulfonylmaleimide, and isocyanates such as ethylmethacrylate methacrylate. These photosensitive monomers were added to the polyimide precursor in an amount of 0.01
% To 100% by weight are mixed.

【0019】またポリイミド前駆体の側鎖へ導入される
感光性基としては、炭素−炭素二重結合を有する基が代
表的で、ビニル基、アリル基、アクリル基、メタクリル
基、シンナミル基、マレイミド基等を有する基が挙げら
れるが、これらに限定されない。そしてこれらの感光性
基はエステル結合、エーテル結合、アミド結合、ウレタ
ン結合、尿素結合などの化学結合を介してポリイミド前
駆体の側鎖中に導入されるか、または芳香核に直接的に
導入されてポリイミド前駆体に感光性を付与する。
The photosensitive group introduced into the side chain of the polyimide precursor is typically a group having a carbon-carbon double bond, such as vinyl group, allyl group, acryl group, methacryl group, cinnamyl group, maleimide. Examples thereof include groups having a group, but are not limited thereto. Then, these photosensitive groups are introduced into the side chain of the polyimide precursor through a chemical bond such as an ester bond, an ether bond, an amide bond, a urethane bond, and a urea bond, or directly into an aromatic nucleus. To impart photosensitivity to the polyimide precursor.

【0020】このポリイミド前駆体の側鎖に感光性基を
導入するために用いられる化合物には例えばケイ皮酸、
ケイ皮酸クロライド、α−シアノケイ皮酸クロライド、
シンナミリデン酢酸クロライド、α−シアノシンナミリ
デン酢酸クロライド、フリルアクリル酸クロライド、ケ
イ皮酸グリシジル、メタクリル酸エチルイソシアネート
などが挙げられる。
The compound used for introducing a photosensitive group into the side chain of this polyimide precursor is, for example, cinnamic acid,
Cinnamic acid chloride, α-cyanocinnamic acid chloride,
Examples thereof include cinnamylidene acetic acid chloride, α-cyanocinnamylidene acetic acid chloride, furyl acrylic acid chloride, glycidyl cinnamate, and ethyl methacrylate methacrylate.

【0021】上記のようにしてポリイミド前駆体を感光
性基を有する化合物で変成して得られる光架橋性重合体
組成物は、その感光性を向上させる目的でこれに増感剤
を加えることができる。この増感剤としては例えばベン
ゾフェノン、4,4′−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾ
フェノン等のベンゾフェノン類、ベンゾインエーテルま
たはアントラキノンまたはチオキサントン誘導体、2,
6−ビス−(4′−ジエチルアミノベンザル)−シクロ
ヘキサノン等のビスアジド酸、1−フェニル−5−メル
カプトテトラゾール等メルカプト化合物、1−フェニル
−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボ
ニル)−オキシム等のオキシム類、2,4,5−トリフェ
ニルイミダゾリル二量体等のイミダゾール類等が挙げら
れる。
The photocrosslinkable polymer composition obtained by modifying the polyimide precursor with a compound having a photosensitive group as described above may contain a sensitizer for the purpose of improving its photosensitivity. it can. Examples of the sensitizer include benzophenones, benzophenones such as 4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone, benzoin ethers, anthraquinones or thioxanthone derivatives, and 2,
Bisazido acids such as 6-bis- (4'-diethylaminobenzal) -cyclohexanone, mercapto compounds such as 1-phenyl-5-mercaptotetrazole, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) -Oximes such as oximes, imidazoles such as 2,4,5-triphenylimidazolyl dimer, and the like.

【0022】このようにして調製された光架橋性重合体
組成物は好ましくは溶媒に溶解され基板への適用のため
に希釈されて粘度を低下させられる。この際使用される
溶媒としてはN,N′−ジメチルホルムアミド、N,N′
−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、N−メ
チルピロリドンなどが挙げられるがこれらに限定されな
い。
The photocrosslinkable polymer composition thus prepared is preferably dissolved in a solvent and diluted for application to a substrate to reduce its viscosity. The solvent used in this case is N, N'-dimethylformamide, N, N '
-Dimethylacetamide, γ-butyrolactone, N-methylpyrrolidone and the like, but are not limited thereto.

【0023】溶媒で希釈された光架橋性重合体組成物は
次いで基板上へ適用される。この基板上への適用法とし
ては、スピンコーター、ロールコーター等が代表的であ
り、基板としてはシリコンウェハー、ガリウム、ヒ素ウ
ェハー、ガラス、セラミックス、銅板またはそれら基板
上に素子を構成した基板が代表例として挙げられる。
The photocrosslinkable polymer composition diluted with a solvent is then applied onto the substrate. As a method of applying this substrate, a spin coater, a roll coater, etc. are typical, and as a substrate, a silicon wafer, gallium, arsenic wafer, glass, ceramics, a copper plate, or a substrate having elements formed on these substrates is typical. Take as an example.

【0024】このようにして基板上に適用された光架橋
性重合体組成物の塗膜は次いで乾燥工程に付される。こ
の乾燥工程では循環式オーブン、ホットプレート、赤外
線加熱器によるベークが一般的であるが、これらに限定
されない。ベーク温度は好ましくは50〜120℃が良
い。乾燥時間は膜厚によって異なるが3分〜15時間で
ある。乾燥後の膜厚は好ましくは0.1〜200μmで
あるが、この膜厚に限定されるものではない。
The coating film of the photocrosslinkable polymer composition thus applied on the substrate is then subjected to a drying step. In this drying step, baking with a circulating oven, a hot plate, or an infrared heater is generally used, but the baking is not limited to these. The baking temperature is preferably 50 to 120 ° C. The drying time varies depending on the film thickness, but is 3 minutes to 15 hours. The film thickness after drying is preferably 0.1 to 200 μm, but is not limited to this film thickness.

【0025】このようにして基板上に適用され、乾燥さ
れた光架橋性重合体組成物の塗膜は次いで像様露光に付
される。露光の方法としては、通常のフォトレジスト工
程に用いる紫外線露光機によりフォトマスクを通して紫
外線を照射する方法がとられる。露光時間は光架橋性重
合体、添加剤の種類、量および露光機の光強度等によっ
て異なるが、一般的には1秒〜1時間の間で最適な時間
が設定される。
The coating of the photocrosslinkable polymer composition thus applied to the substrate and dried is then subjected to imagewise exposure. As an exposure method, a method of irradiating ultraviolet rays through a photomask by an ultraviolet exposure device used in a usual photoresist process is used. Although the exposure time varies depending on the photocrosslinkable polymer, the kind and amount of the additive, the light intensity of the exposure machine, etc., the optimum time is generally set to 1 second to 1 hour.

【0026】露光後に更に熱処理を行う場合もあるが、
そのときの熱処理温度は40〜150℃、時間は1秒〜
1時間が良い。その際の加熱方法はベーク方法と同様に
循環式オーブン、ホットプレート、赤外線加熱器などが
用いられる。
In some cases, a heat treatment is further performed after the exposure,
The heat treatment temperature at that time is 40 to 150 ° C., and the time is 1 second to
1 hour is good. As a heating method at that time, a circulation oven, a hot plate, an infrared heater, or the like is used as in the baking method.

【0027】次いでこの像様露光後の塗膜は現像工程に
付される。現像は像様露光によって硬化され溶媒に不溶
性となった部分が基板上に残り、未露光で溶媒に可溶性
の部分を溶媒で溶解して除去することによって行われ
る。本発明ではこの現像のために使用する溶媒、すなわ
ち現像液としては該重合体の良溶媒と貧溶媒とを組み合
わせた混合溶媒であって、N,N′−ジメチルホルムア
ミド、N,N′−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラ
クトン、N−メチルピロリドン等の良溶媒と、シクロプ
ロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサ
ン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロパラフ
ィン系炭化水素、またはシクロヘキサノール、シクロヘ
キサノン等のシクロパラフィン系炭化水素の化合物から
選ばれる1種または2種類以上の混合物である貧溶媒と
の混合溶媒を使用することを特徴とするものである。環
状脂肪族炭化水素およびその化合物から選ばれる貧溶媒
と良溶媒との混合物を現像液として使用することによ
り、従来使用していて、今後環境保護のための規制によ
って使用できなくなる芳香族炭化水素からなる溶媒の使
用時と同等の現像速度、解像度、および現像後形成され
るポリイミド樹脂被膜の高い残膜率が得られ、芳香族炭
化水素を使用していたポリイミドパターン形成のための
工程ラインをそのままで使用することができる。
Then, the coating film after the imagewise exposure is subjected to a developing step. The development is carried out by removing the portion which is cured by the imagewise exposure and becomes insoluble in the solvent on the substrate, and the unexposed portion which is soluble in the solvent is dissolved and removed by the solvent. In the present invention, a solvent used for this development, that is, a developing solution is a mixed solvent in which a good solvent and a poor solvent of the polymer are combined, and is N, N'-dimethylformamide or N, N'-dimethyl. Good solvent such as acetamide, γ-butyrolactone, N-methylpyrrolidone, etc., cycloparaffinic hydrocarbon such as cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane or cycloparaffinic hydrocarbon such as cyclohexanol, cyclohexanone It is characterized in that a mixed solvent with a poor solvent, which is one kind or a mixture of two or more kinds selected from hydrogen compounds, is used. By using a mixture of a poor solvent and a good solvent selected from cycloaliphatic hydrocarbons and their compounds as a developing solution, aromatic hydrocarbons that have been used conventionally and can no longer be used due to regulations for environmental protection in the future The same development rate, resolution, and high residual film ratio of the polyimide resin film formed after development can be obtained with the same solvent, and the process line for forming the polyimide pattern, which used aromatic hydrocarbons, remains unchanged. Can be used in.

【0028】良溶媒としてはN,N′−ジメチルホルム
アミド、N,N′−ジメチルアセトアミド、シクロペン
タノン、シクロヘキサノン、N−メチルピロリドン、γ
−ブチロラクトン、ヘキサメチルリン酸トリアミド、ア
セトニトリル、テトラヒドロフラン等が挙げられるが、
該重合体を溶解するものであればこれらに限定されな
い。また、これらは単独でまたは2種類以上の混合物と
しても用いられる。
As the good solvent, N, N'-dimethylformamide, N, N'-dimethylacetamide, cyclopentanone, cyclohexanone, N-methylpyrrolidone, γ
-Butyrolactone, hexamethylphosphoric triamide, acetonitrile, tetrahydrofuran and the like,
It is not limited to these as long as it can dissolve the polymer. These may be used alone or as a mixture of two or more kinds.

【0029】貧溶媒としては、シクロプロパン、シクロ
ブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘブ
タン、シクロオクタン等のシクロパラフィン系炭化水
素、またはシクロヘキサノール、シクロヘキサノン等の
シクロパラフィン系炭化水素の化合物、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ、イソプロピルセロソルブ、n−プロピルアルコー
ル、イソブチルアルコール等が挙げられるが、これらに
限定されない。またこれらは単独でまたは2種類以上の
混合物としても用いられる。
Examples of the poor solvent include cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane and other cycloparaffinic hydrocarbon compounds, or cyclohexanol, cyclohexanone and other cycloparaffinic hydrocarbon compounds, acetone, methyl ethyl ketone and methyl. Examples thereof include, but are not limited to, cellosolve, ethyl cellosolve, isopropyl cellosolve, n-propyl alcohol, isobutyl alcohol and the like. Further, these may be used alone or as a mixture of two or more kinds.

【0030】現像液は未露光部の感光性ポリイミド前駆
体を溶解除去するものであり、その溶解性が溶媒の選択
において重要なパラメーターとなる。本発明において
は、一般によく知られている下記のSMALLの式で表
わされる凝集エネルギー密度δ、 δ=ρΣF/M ここでM:ポリマーの単位分子量 ρ:密度 F:凝集エネルギー・モル容量 を用いてその溶解性を判断するものである。それぞれの
溶媒の凝集エネルギー密度δを表1に表す。
The developing solution dissolves and removes the photosensitive polyimide precursor in the unexposed area, and its solubility is an important parameter in selecting the solvent. In the present invention, the cohesive energy density δ represented by the following well-known SMALL formula, δ = ρΣF / M, where M: unit molecular weight of polymer ρ: density F: cohesive energy / molar capacity The solubility is judged. Table 1 shows the cohesive energy density δ of each solvent.

【0031】[0031]

【表1】 [Table 1]

【0032】尚、混合溶媒の凝集エネルギー密度δMIX
は、 δMIX=(X11δ1+X22δ2・・・・)/(X11+X22
・・・・) ただし、Xη:モル分率、Vη:モル容量、δη:各成
分の凝集エネルギー密度δのような関係式によって求め
られる。これから、良溶媒としてγ−ブチロラクトンを
使用して、芳香族炭化水素であるキシレンとの混合物の
溶解性と、キシレンの代わり環状脂肪族炭化水素化合物
のシクロヘキサノンとの混合溶媒の溶解性とはほぼ同じ
であることが分かる。
The cohesive energy density δ MIX of the mixed solvent
Is δ MIX = (X 1 V 1 δ 1 + X 2 V 2 δ 2 ...) / (X 1 V 1 + X 2 V 2
...) However, X eta: molar fraction, V eta: molar volume, [delta] eta: determined by equation such as cohesive energy density [delta] of the components. From this, using γ-butyrolactone as a good solvent, the solubility of the mixture with xylene, which is an aromatic hydrocarbon, and the solubility of the mixed solvent with cyclohexanone, which is a cycloaliphatic hydrocarbon compound instead of xylene, are almost the same. It turns out that

【0033】本発明における現像液は、良溶媒と貧溶媒
との混合溶媒であり、全溶媒の重量に対してシクロヘキ
サノン等の環状脂肪族炭化水素を10〜90重量%の範
囲で用いられるが、良溶媒との混合比によって最適な量
を選べばよい。
The developing solution in the present invention is a mixed solvent of a good solvent and a poor solvent, and the cycloaliphatic hydrocarbon such as cyclohexanone is used in the range of 10 to 90% by weight based on the weight of all the solvents. The optimum amount may be selected depending on the mixing ratio with a good solvent.

【0034】これらの範囲を越えて環式脂肪族炭化水素
を混合した場合は、露光部のポリイミド前駆体も可溶し
て残膜率が低下してパターン形成ができなくなったり、
露光部にクラックが生じる等の工程上の問題が生じてく
る。現像方法はスプレー現像、ディップ現像、超音波現
像、パドル現像が挙げられる。現像されたパターン化さ
れたポリイミド前駆体の塗膜は、現像液および溶解した
ポリイミド前駆体を取り除くために直ちにリンス液で洗
浄される。リンス液は、通常貧溶媒単独でまたは2種類
以上の混合物として用いられる。
When the cycloaliphatic hydrocarbon is mixed in excess of these ranges, the polyimide precursor in the exposed area is also soluble and the residual film rate is lowered, and pattern formation becomes impossible.
This causes problems in the process such as cracks in the exposed area. Examples of the developing method include spray development, dip development, ultrasonic development and puddle development. The developed patterned polyimide precursor coating is immediately rinsed with a rinse to remove the developer and dissolved polyimide precursor. The rinse liquid is usually used alone or as a mixture of two or more kinds.

【0035】得られたパターン化されたポリイミド前駆
体の塗膜は最終温度が200〜550℃で5分〜5時間
熱硬化してポリイミド樹脂膜に転化される。この熱硬化
方法としては代表的には循環式オーブン、ホットプレー
ト、赤外線加熱器による加熱が挙げられるが、熱硬化を
達成できる限りこれらに限定されることなく別の手段を
採用してもよい。
The resulting patterned polyimide precursor coating film is thermoset at a final temperature of 200 to 550 ° C. for 5 minutes to 5 hours to be converted into a polyimide resin film. Typical examples of the heat curing method include heating with a circulation oven, a hot plate, and an infrared heater, but the heat curing method is not limited to these and other means may be adopted as long as heat curing can be achieved.

【0036】例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、酢酸ペンテル等のエルテルやアセトン、メチルエ
チルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メ
タノール、エタノール、n−プロピンアルコール、イソ
プロピルスルコール、水、1−メトキシ−2−プロパノ
ールおよびシクロプロパン、シクロブタン、シクロペン
タン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタ
ン等が挙げられるが、これらに限定されない。またシク
ロパラフィン系炭化水素とシクロヘキサノール、シクロ
ヘキサン等のシクロパラフィン系炭化水素化合物等も用
いられる。
For example, ether such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate and pental acetate, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, methanol, ethanol, n-propyne alcohol, isopropyl sulcol, water, 1-methoxy- Examples include, but are not limited to, 2-propanol and cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, and the like. Further, cycloparaffin hydrocarbons and cycloparaffin hydrocarbon compounds such as cyclohexanol and cyclohexane are also used.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明の方法を用いて光架橋性重合体組
成物をパターン形成することにより、従来、そのコスト
効率から広く使用されていたが、今後環境保護の目的か
ら使用規制を受ける芳香族炭化水素の貧溶媒に代わって
良溶媒との混合物の現像液としてポリイミド・パターン
形成法に使用することができ、そのとき芳香族炭化水素
とほぼ同等の解像度、現像速度ならびにポリイミド被膜
の残存率を以て感光性ポリイミド前駆体の未露光部にた
いしての現像を行うことができ、且つ芳香族炭化水素を
使用していた場合の上記工程を変更することなくそのま
ま適用できる。
By patterning a photocrosslinkable polymer composition using the method of the present invention, it has been widely used in the past due to its cost efficiency. It can be used in the polyimide pattern formation method as a developer of a mixture with a good solvent instead of a poor solvent of an aromatic hydrocarbon, and at that time, the resolution, the developing rate and the residual rate of the polyimide film which are almost the same as those of an aromatic hydrocarbon. Thus, the unexposed area of the photosensitive polyimide precursor can be developed and can be applied as it is without changing the above steps when an aromatic hydrocarbon is used.

【0038】次に本発明およびその効果を実施例により
説明するが、本発明はこの実施例よって限定的に解釈さ
れるものではない。
Next, the present invention and its effects will be explained with reference to examples, but the present invention is not construed as being limited to these examples.

【0039】ポリイミド前駆体製造例 3′,3,4′,4−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無
水物とメタ−フェニレンジアミンおよびオキシジアニリ
ンを混合、反応せしめてそれらのヒドロキシエチルメタ
クリレートのエステルを得た。
Preparation Example of Polyimide Precursor 3 ', 3,4', 4-benzophenone tetracarboxylic anhydride, meta-phenylenediamine and oxydianiline were mixed and reacted to obtain their hydroxyethyl methacrylate esters.

【0040】この物質にN−メチル−2−ピロリドンと
テトラエチレングリコールジアクリレートおよびトリエ
トキシシリルプロピルユリアに同量のメチルアルコール
を加えたものを1時間混合した。その後、1,4,4−ト
リメチル−2,3−ジアザビシクロ(3,2,2)ノン−
2−エン2,3−ジオキサイドおよびビス(2−オルソ
−クロロフェニル−4,5−ジフェニル)イミダゾール
と2−メルカプトベンゾキサゾールおよび2,3,6,7
−テトラヒドロ−1,1,7,7−テトラメチル−11−
オキソ−1H,5H,11H−(1)ベンゾピラノ−
〔5,7,8,ij〕キノリジン−10−カルボン酸エチ
ルエステルをこれに混合して8時間撹拌した。生成物を
濾過し、均一溶液として樹脂ワニス1を得た。
This material was mixed with N-methyl-2-pyrrolidone, tetraethylene glycol diacrylate and triethoxysilylpropyl urea plus the same amount of methyl alcohol for 1 hour. Then 1,4,4-trimethyl-2,3-diazabicyclo (3,2,2) non-
2-ene 2,3-dioxide and bis (2-ortho-chlorophenyl-4,5-diphenyl) imidazole and 2-mercaptobenzoxazole and 2,3,6,7
-Tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-11-
Oxo-1H, 5H, 11H- (1) benzopyrano-
[5,7,8, ij] quinolidine-10-carboxylic acid ethyl ester was mixed with this and stirred for 8 hours. The product was filtered to obtain Resin Varnish 1 as a uniform solution.

【0041】実施例1 シリコンウェハー上にスピンコータを用いて樹脂ワニス
1を塗布し、70℃、90℃で各3分ホットプレート上
でベークを行い10μmの膜厚を得た。この膜に3μm
〜20μmのラインアンドスペースが印刷されたフォト
マスクを密着させ、キャノン(株)製PLA−501F
露光機を用いて積算時間30秒で露光した。同時に露光
しないウェハーを用意しておき、現像時間を算出するた
めに用いた。つまりこのウェハーに塗膜されたポリイミ
ド前駆体が完全に除去される現像時間を算出し、その
1.5倍の時間で現像を行った。
Example 1 A resin varnish 1 was applied onto a silicon wafer using a spin coater and baked at 70 ° C. and 90 ° C. for 3 minutes on a hot plate to obtain a film thickness of 10 μm. 3 μm on this film
PLA-501F made by Canon Co., Ltd. with a photomask on which a line and space of ~ 20 μm is printed in close contact
Exposure was performed using an exposure machine for an integrated time of 30 seconds. A wafer that was not exposed at the same time was prepared and used to calculate the development time. That is, the development time for completely removing the polyimide precursor coated on this wafer was calculated, and the development was carried out for 1.5 times the development time.

【0042】次にγ−ブチロラクトン/シクロヘキサノ
ン=30/70(重量比)の現像液でスプレー現像を行
い、引き続きブチルアセテート/シクロヘキサノン=8
5/15をリンス液としてスプレーリンスを16秒行っ
た。現像時間は18秒であった。得られたパターンの解
像度(最も狭い線幅)は10μmであった。得られたパ
ターンはシャープでアンダーカット、膨潤などは全く見
られなかった。このようにして得られたポリイミドパタ
ーンの膜厚の変化は、ポリイミド前駆体の溶液をスピナ
によりシリコンウェハー上に形成された塗膜の厚さ10
μmに対して約97%程度であった。
Next, spray development was performed with a developing solution of γ-butyrolactone / cyclohexanone = 30/70 (weight ratio), and then butyl acetate / cyclohexanone = 8.
Spray rinsing was performed for 16 seconds using 5/15 as the rinse liquid. The development time was 18 seconds. The resolution (narrowest line width) of the obtained pattern was 10 μm. The obtained pattern was sharp and no undercut or swelling was observed. The change in the film thickness of the polyimide pattern thus obtained is determined by the fact that the thickness of the coating film formed on the silicon wafer by the solution of the polyimide precursor is 10
It was about 97% with respect to μm.

【0043】比較例 実施例と同様に塗膜を形成し、30秒露光した後、γ−
ブチロラクトン/キシレン=50/50(重量比)でス
プレー現像を行った後、キシレンでリンスしポリイミド
前駆体パターンを形成した。解像度は約10μmであっ
て、形成されたポリイミド樹脂被膜の残膜率は約94%
であった。現像に要する時間は12秒で実施例の場合と
ほぼ同じであった。
Comparative Example A coating film was formed in the same manner as in Example, exposed for 30 seconds, and then γ-
After performing spray development with butyrolactone / xylene = 50/50 (weight ratio), rinse with xylene to form a polyimide precursor pattern. The resolution is about 10 μm, and the residual film rate of the formed polyimide resin film is about 94%.
Met. The time required for development was 12 seconds, which was almost the same as that in the example.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 芳香族テトラカルボン酸またはそのモノ
もしくはジ酸無水物と芳香族ジアミンとから誘導される
ポリイミド前駆体を感光性基を有する化合物で変成して
得られる光架橋性重合体組成物を基板上に適用して被膜
を形成させ、この被膜を像様に露光し、未露光部分を現
像液で溶解して除去し、残留した露光部分の被膜を加熱
してポリイミド樹脂に転化させることにより基板上にパ
ターン化されたポリイミド樹脂被膜を形成させる方法に
おいて、現像液として非プロトン性極性溶媒とシクロパ
ラフィン系炭化水素またはシクロパラフィン系炭化水素
化合物との混合溶媒、を使用することを特徴とする上記
の方法。
1. A photocrosslinkable polymer composition obtained by modifying a polyimide precursor derived from an aromatic tetracarboxylic acid or its mono- or di-anhydride and an aromatic diamine with a compound having a photosensitive group. To form a film on the substrate, imagewise expose this film, dissolve and remove the unexposed part with a developing solution, and heat the remaining exposed part of the film to convert it to a polyimide resin. In the method for forming a patterned polyimide resin film on a substrate by using a mixed solvent of an aprotic polar solvent and a cycloparaffin hydrocarbon or a cycloparaffin hydrocarbon compound as a developer, The above method.
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