JPH07209879A - Forming method of pattern - Google Patents

Forming method of pattern

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JPH07209879A
JPH07209879A JP442194A JP442194A JPH07209879A JP H07209879 A JPH07209879 A JP H07209879A JP 442194 A JP442194 A JP 442194A JP 442194 A JP442194 A JP 442194A JP H07209879 A JPH07209879 A JP H07209879A
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JP
Japan
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pattern
developing
polymer
solution
seconds
Prior art date
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Application number
JP442194A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Ogiya
聡 扇谷
Yoshiaki Kawai
慶明 河合
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To improve the resolution without decreasing the throughput by using two or more kinds of developers having different solubilities with photocrosslinked polymer in the order of higher solubility. CONSTITUTION:A pattern is formed in a photosensitive compsn. containing photocrosslinking polymer having a repeating unit expressed by the formula by a spray or paddle developing method in an automatic machine. Two or more kinds of developers having different solubilities with the photocrosslinking polymer are used in the order of higher solubility. As for the photocrosslinking polymer expressed by the formula, a polyimide precursor having photosensitive groups in the side chains of the repeating unit is used for example, produced by polycondensation of acid anhydride such as pyromellitic anhydride and benzophenone tetracarboxylic anhydride and diamine such as 4,4'- diaminediphenylether and 4,4-diaminediphenylsulfone.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体工業において層
間絶縁膜などを形成する際に、ポリイミド前駆体として
使用する光架橋性重合体を含む感光性組成物から解像度
の高いパターンを形成する方法に関するものである。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a method for forming a pattern with high resolution from a photosensitive composition containing a photocrosslinkable polymer used as a polyimide precursor when forming an interlayer insulating film in the semiconductor industry. It is about.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体工業において、耐熱性が高
く無機物質と比較して段差形成に優れたポリイミド樹脂
などの複素環を有する樹脂が、固体素子における絶縁膜
やパッシベーション膜として、あるいは集積回路や多層
プリントの配線板の層間絶縁膜として用いられるように
なった。層間絶縁膜を形成する場合には、上下層の導通
をとるためのバイアホールを設ける必要があるが、その
ための方法としてプロセス性に優れた感光性ポリイミド
などを用いたパターン形成方法が提案されている。
2. Description of the Related Art In recent years, in the semiconductor industry, a resin having a heterocycle such as a polyimide resin, which has high heat resistance and is excellent in forming a step as compared with an inorganic substance, is used as an insulating film or a passivation film in a solid-state element or in an integrated circuit It has also come to be used as an interlayer insulating film for wiring boards for multilayer printing. When forming an interlayer insulating film, it is necessary to provide via holes for conducting the upper and lower layers, and as a method therefor, a pattern forming method using a photosensitive polyimide having excellent processability has been proposed. There is.

【0003】これらパターン形成に用いられる材料の中
で、下記式〔I〕で示される繰り返し単位を有する光架
橋性重合体を含む感光性組成物は、それが厚膜の場合で
もパターンの形成が可能であり、また、現像時に露光部
の膜べりが殆ど無いなどの優れた特徴を有するものであ
る。
Among these materials used for pattern formation, a photosensitive composition containing a photo-crosslinkable polymer having a repeating unit represented by the following formula [I] can form a pattern even when it is a thick film. It is possible and has an excellent feature that there is almost no film slippage in the exposed portion during development.

【0004】[0004]

【化2】 [Chemical 2]

【0005】該組成物を用いるパターン形成方法は、例
えば、以下の工程順で行われる。 1 塗布 :該前駆体組成物ワニスを所定の基板上に塗布
する。 2 乾燥 :溶媒を蒸発させて、該前駆体組成物の塗膜と
する。 3 露光 :所定のフォトマスクを用いて露光する。 4 現像 :未露光部を可溶な現像液で溶解除去し、さら
に未露光部に対して貧溶媒であるリンス液によってリン
ス洗浄する。 5 熱硬化:加熱することにより、ポリイミド樹脂に転化
させ、所定のパターンを得る。
The pattern forming method using the composition is carried out, for example, in the following order of steps. 1 Application: The precursor composition varnish is applied on a predetermined substrate. 2 Drying: The solvent is evaporated to form a coating film of the precursor composition. 3 Exposure: Exposure is performed using a predetermined photomask. 4 Development: The unexposed area is dissolved and removed with a soluble developing solution, and the unexposed area is rinsed with a rinse solution which is a poor solvent. 5 Thermosetting: By heating, it is converted into a polyimide resin to obtain a predetermined pattern.

【0006】一連の工程で従来現像・リンス液として
は、該前駆体の良溶媒単独または良溶媒と貧溶媒からな
る混合物の現像液と該前駆体の貧溶媒単独または貧溶媒
の混合物のリンス液が用いられる。例えばN−メチルピ
ロリドンやγ−ブチロラクトン単独の現像液またはそれ
らとキシレンやイソプロピルアルコールの混合の現像
液、イソプロピルアルコールやキシレン単独またはそれ
らの混合物のリンス液が用いられる。また、その現像方
法としては、スプレー現像法、パドル現像法、ディップ
現像法または超音波現像法が用いられる。
In a series of steps, as a conventional developing / rinsing solution, a developing solution of a good solvent of the precursor alone or a mixture of a good solvent and a poor solvent and a rinse solution of a poor solvent of the precursor alone or a mixture of the poor solvents are used. Is used. For example, a developing solution containing N-methylpyrrolidone or γ-butyrolactone alone, a developing solution containing a mixture thereof with xylene or isopropyl alcohol, or a rinse solution containing isopropyl alcohol or xylene alone or a mixture thereof is used. As the developing method, a spray developing method, a paddle developing method, a dip developing method or an ultrasonic developing method is used.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記の方法でパターン
を形成する場合、現像液としては、それが該光架橋性重
合組成物を溶解する範囲において貧溶媒の混合比率を高
くして溶解時間を長くする方が解像度の高いパターンを
得ることができる。また、現像方法としては、スプレー
現像法およびパドル現像法が解像度といったパターン質
の均一性を最も高くできる方法であり、また自動式の装
置として最も一般的に用いられているものである。
In the case of forming a pattern by the above-mentioned method, as a developing solution, the mixing ratio of the poor solvent is increased in the range in which the developing solution dissolves the photocrosslinkable polymerization composition, and the dissolution time is increased. A longer pattern can obtain a pattern with higher resolution. Further, as a developing method, a spray developing method and a paddle developing method are methods that can maximize the uniformity of pattern quality such as resolution, and are most commonly used as an automatic apparatus.

【0008】一方、そのような一般的装置を用いる場
合、それが基板を一枚一枚処理する様な構成となってい
るため、基板一枚あたりの処理時間を制限しないと、現
像工程でのスループットを著しく落としてしまう。とこ
ろが、そのためには現像液の成分としてある程度は良溶
媒の割合を増やして該光架橋性重合組成物の溶解速度を
速めざるを得ず、そのため高い解像度を得ることが困難
となってしまう。
On the other hand, when such a general apparatus is used, it is structured so that each substrate is processed one by one. Therefore, unless the processing time for each substrate is limited, the developing process is It significantly reduces the throughput. However, for that purpose, the proportion of a good solvent as a component of the developer must be increased to some extent to accelerate the dissolution rate of the photocrosslinkable polymer composition, which makes it difficult to obtain high resolution.

【0009】[0009]

【課題を解決する為の手段】本発明者らは、以上述べた
ような従来技術の問題点を解決するための鋭意研究を重
ねた結果、以下に詳述する現像方法を用いることによ
り、スループットを損なわずに解像度の高いパターンを
得ることができた。すなわち、本発明は、下記式〔I〕
で示される繰り返し単位を有する光架橋性重合体を含む
感光性組成物からパターンを形成する方法において、自
動機械を用いたスプレーまたはパドル現像法で現像を行
うに際し、上記光架橋性重合体に対する溶解度の異なる
2種類以上の現像液をその溶解度の高い順に用いること
を特徴とするパターン形成方法である。
As a result of earnest studies for solving the problems of the prior art as described above, the present inventors have found that the throughput can be improved by using the developing method described in detail below. It was possible to obtain a pattern with high resolution without degrading. That is, the present invention provides the following formula [I]
In the method for forming a pattern from a photosensitive composition containing a photocrosslinkable polymer having a repeating unit, the solubility in the photocrosslinkable polymer when developing by a spray or paddle development method using an automatic machine. The method for forming a pattern is characterized in that two or more kinds of developing solutions having different levels are used in the order of high solubility.

【0010】[0010]

【化3】 [Chemical 3]

【0011】本発明で用いられる式〔I〕のXは、例え
ば芳香族テトラカルボン酸のカルボキシル基を除いた化
学構造を示すものであり、またYは、例えば芳香族ジア
ミンのアミノ基を除いた化学構造を示すものである。式
〔I〕の光架橋性重合体としては、例えばピロメリット
酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物等の
酸無水物と、例えば4,4′−ジアミノジフェニルエー
テル、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン等のジア
ミンとの重縮合により生成される繰り返し単位の側鎖に
感光基を有するポリイミド前駆体が挙げられる。
The X of the formula [I] used in the present invention is a chemical structure excluding the carboxyl group of aromatic tetracarboxylic acid, and the Y is excluding the amino group of aromatic diamine. It shows a chemical structure. Examples of the photocrosslinkable polymer of the formula [I] include acid anhydrides such as pyromellitic acid anhydride and benzophenone tetracarboxylic acid anhydride, and, for example, 4,4′-diaminodiphenyl ether and 4,4′-diaminodiphenyl sulfone. Polyimide precursors having a photosensitive group on the side chain of a repeating unit formed by polycondensation with a diamine such as

【0012】該前駆体に導入される感光基としては、光
により二量化または重合可能な炭素−炭素二重結合を有
する基で、ビニル基、アリル基、アクリル基、メタクリ
ル基、シンナミル基、マレイミド基を有する基が好まし
い。感光基の結合形式としては、一般的にエステル結
合、アミド結合等の共有結合とイオン結合がある。式
〔I〕で示される繰り返し単位を有する光架橋性重合体
の感光性を向上させる目的で混合される感光性化合物と
しては以下の例が挙げられる。例えば、ベンゾフェノン
および4,4′−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノ
ン等のベンゾフェノン類、ベンゾインエーテル、アント
ラキノン、チオキサントン誘導体、2,6−ビス−
(4′−ジエチルアミノベンザル)−シクロヘキサノン
等のビスアジド類、1−フェニル−5−メルカプトテト
ラゾール等のメルカプト化合物、1−フェニル−1,2
−プロパンジオン−2−(O−エトキシカルボニル)−
オキシム等のオキシム類、2,4,5−トリフェニルイ
ミダゾール二量体などのイミダゾール類などである。ま
た、感光性モノマーとして以下のものが好ましい例であ
る。例えば、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、トリメチロールプロパントリメタクリレートおよび
ジメチルアミノエチルメタクリレート等の(メタ)アク
リレート類、チオグリコールなどメルカプト化合物、フ
ェニルスルホニルマレイミド等のマレイミド類、メタク
リル酸エチルイソシアネート等のイソシアネート類など
である。これら添加剤を光架橋性重合体100重量部に
対して、0.1から50重量部添加することが好まし
い。溶媒としてはN,N′−ジメチルホルムアミド、
N,N′−ジメチルアセトアミト゛、γ−ブチロラクト
ン、N−メチルピロリドン等が好ましい。
The photosensitive group introduced into the precursor is a group having a carbon-carbon double bond which is dimerizable or polymerizable by light, such as vinyl group, allyl group, acryl group, methacryl group, cinnamyl group, maleimide. Groups having groups are preferred. The bonding form of the photosensitive group generally includes covalent bond such as ester bond and amide bond and ionic bond. Examples of the photosensitive compound mixed for the purpose of improving the photosensitivity of the photocrosslinkable polymer having the repeating unit represented by the formula [I] include the following. For example, benzophenones such as benzophenone and 4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone, benzoin ethers, anthraquinones, thioxanthone derivatives, 2,6-bis-
Bisazides such as (4'-diethylaminobenzal) -cyclohexanone, mercapto compounds such as 1-phenyl-5-mercaptotetrazole, 1-phenyl-1,2
-Propanedion-2- (O-ethoxycarbonyl)-
Examples include oximes such as oximes and imidazoles such as 2,4,5-triphenylimidazole dimers. The following are preferable examples of the photosensitive monomer. For example, (meth) acrylates such as trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate and dimethylaminoethylmethacrylate, mercapto compounds such as thioglycol, maleimides such as phenylsulfonylmaleimide, and isocyanates such as ethylmethacrylate methacrylate. is there. It is preferable to add 0.1 to 50 parts by weight of these additives to 100 parts by weight of the photocrosslinkable polymer. As the solvent, N, N'-dimethylformamide,
N, N'-dimethylacetamide, γ-butyrolactone, N-methylpyrrolidone and the like are preferable.

【0013】現像液としては、N,N′−ジメチルホル
ムアミド、N,N′−ジメチルアセトアミト゛、γ−ブ
チロラクトン、N−メチルピロリドン、ジグライム、シ
クロペンタノン等の良溶媒単独および水、キシレン、エ
タノールやイソプロピルアルコール等のアルコール類、
メチルセロソルブなどのセロソルブ類等の貧溶媒を混合
して溶解速度を調整した物が用いられる。例えば、2種
類用いる場合、良溶媒の種類としては、光架橋性重合組
成を溶解するのであれば特にこれらに限定されないが、
溶解度の観点から、現像液を溶解度の高い順に現像液
1,2,3…とすれば、現像液1の良溶媒としては、γ
−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン、ジグライ
ム、シクロペンタノンの単独液およびこれらと貧溶媒と
の混合液が好ましく、また、現像液2等としては、ジグ
ライム、シクロペンタノン、シクロヘキサノンの単独液
およびこれらと貧溶媒との混合液が好ましい。
As the developing solution, a good solvent such as N, N'-dimethylformamide, N, N'-dimethylacetamide, γ-butyrolactone, N-methylpyrrolidone, diglyme or cyclopentanone alone, water, xylene, ethanol or the like can be used. Alcohols such as isopropyl alcohol,
A substance having a dissolution rate adjusted by mixing a poor solvent such as cellosolves such as methyl cellosolve is used. For example, when two types are used, the type of good solvent is not particularly limited as long as it dissolves the photocrosslinkable polymerization composition,
From the viewpoint of solubility, if the developing solutions are the developing solutions 1, 2, 3, ... In descending order of solubility, the good solvent for the developing solution 1 is γ.
-Butyrolactone, N-methylpyrrolidone, diglyme, cyclopentanone alone and a mixture of these with a poor solvent are preferable, and as the developer 2 etc., diglyme, cyclopentanone, cyclohexanone alone and these A mixed solution with a poor solvent is preferred.

【0014】現像液1と2等は、それらの光架橋性重合
体を含む感光性組成物の溶解速度比が、解像度の観点か
ら2以上となるように選ばれるのが好ましく、さらに5
以上であることが好ましい。但し、現像液1、2等の現
像時間の和としてはスループットの観点から2分以内が
好ましく、さらに1分以内が好ましい。また、現像液1
の溶解速度は大きすぎるとパターンの崩れ等が生じて効
果がなくなってしまう為、その溶解速度としては未露光
部分の乾燥後塗膜において、1秒間あたり、2μm以下
であることが好ましい。現像液1、2等の組成はこれら
を満たすものとして選ばれるがさらに、リンス後に残渣
が残らない組成でなけれならない。
The developing solutions 1 and 2 are preferably selected such that the dissolution rate ratio of the photosensitive composition containing the photocrosslinkable polymer is 2 or more from the viewpoint of resolution, and further 5
The above is preferable. However, the sum of the developing times of the developing solutions 1 and 2 is preferably within 2 minutes from the viewpoint of throughput, and more preferably within 1 minute. Also, developer 1
If the dissolution rate is too high, the pattern will collapse and the effect will be lost. Therefore, the dissolution rate is preferably 2 μm or less per second in the coating film after drying the unexposed portion. The compositions of the developers 1, 2 and the like are selected so as to satisfy these requirements. Furthermore, the composition must not leave a residue after the rinse.

【0015】基板上への塗布法としては、スピナー、ロ
ールコーター等によるものが代表的であり、基板として
はシリコンウェハー、セラミックス、銅板等が挙げられ
る。乾燥方法としは、ホットプレートや循環式オーブン
等が好例として挙げられ、乾燥温度は50〜140℃、
さらに好ましくは、60〜100℃が良い。乾燥時間
は、厚みや乾燥方法によって異なるが、ホットプレート
で約1〜5分が好ましい。
As a coating method on the substrate, a spinner, a roll coater or the like is representative, and examples of the substrate include a silicon wafer, ceramics, a copper plate and the like. As a drying method, a hot plate, a circulation type oven or the like can be cited as a good example, and a drying temperature is 50 to 140 ° C.
More preferably, the temperature is 60 to 100 ° C. The drying time varies depending on the thickness and the drying method, but is preferably about 1 to 5 minutes on a hot plate.

【0016】露光方法としては、通常のフォトレジスト
工程に用いる露光機によりフォトマスクを通して紫外線
を照射するのが好ましい。露光時間は、光架橋重合体の
種類、添加剤の種類および露光機の光強度によって異な
るが、一般的には0. 1秒から10分の間で最適な時間
を選べば良い。また露光後に熱処理を加えることなどの
処理は、使用するワニスの性能に合わせて実施すればな
んら問題はない。
As an exposure method, it is preferable to irradiate ultraviolet rays through a photomask with an exposure device used in a usual photoresist process. The exposure time varies depending on the type of the photocrosslinking polymer, the type of additives and the light intensity of the exposing machine, but generally, the optimum time may be selected from 0.1 second to 10 minutes. There is no problem if the treatment such as the heat treatment after the exposure is carried out according to the performance of the varnish used.

【0017】現像された感光性組成物のパターン画像
は、現像液を取り除くために直ちにリンス液で洗浄す
る。リンス液としては、該感光性組成物に対する貧溶媒
を用いることが好ましく、例として、トルエン、キシレ
ン、アセトン、エチルベンゼン、メチルセロソルブ、酢
酸エチル、イソプロピルベンゼン、イソプロピルアルコ
ール、イソブチルアルコール、水等が挙げられる。
The pattern image of the developed photosensitive composition is immediately washed with a rinse liquid to remove the developer. As the rinse liquid, it is preferable to use a poor solvent for the photosensitive composition, and examples thereof include toluene, xylene, acetone, ethylbenzene, methylcellosolve, ethyl acetate, isopropylbenzene, isopropyl alcohol, isobutyl alcohol, and water. .

【0018】得られたポリイミド前駆体パターンのポリ
イミドへの転化は200℃〜500℃で5分〜3時間熱
硬化することにより行われる。方法としては循環式オー
ブン、縦型熱硬化炉、ホットプレード等が挙げられる。
The conversion of the obtained polyimide precursor pattern into polyimide is carried out by thermosetting at 200 ° C. to 500 ° C. for 5 minutes to 3 hours. Examples of the method include a circulation oven, a vertical thermosetting oven, and a hot blade.

【0019】[0019]

【実施例】次に、本発明及びその効果を実施例により説
明する。
EXAMPLES Next, the present invention and its effects will be described by way of examples.

【0020】[0020]

【合成例1】100mlのγブチロラクトンにピロメリ
ット酸無水物27.0g、2−ヒドロキシエチルメタク
リレート27.0gを溶解し、15時間室温で攪拌し
た。次に攪拌しながらチオニルクロライド23.8gを
滴下した。さらに4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル16gをγブチロラクトン50mlでスラリー状にし
たものを氷冷下で滴下し、2時間攪拌した後、10lの
イオン交換水中に攪拌しながら滴下し、沈澱物を濾過、
洗浄風乾し、淡黄色の粉末を得た。この粉末10g、ト
リメチロールプロパントリアクリレート1g、ミヒラー
ズケトン0.4g、1−フェニル−1,2−プロパンジ
オン−2−(O−エトキシカルボニル)−オキシム0.
4gをN−メチルピロリドン20mlに加え、均一溶液
を得た。この溶液を以下S−1と称する。
Synthesis Example 1 27.0 g of pyromellitic anhydride and 27.0 g of 2-hydroxyethyl methacrylate were dissolved in 100 ml of γ-butyrolactone and stirred at room temperature for 15 hours. Next, 23.8 g of thionyl chloride was added dropwise with stirring. Further, 16 g of 4,4′-diaminodiphenyl ether slurried with 50 ml of γ-butyrolactone was added dropwise under ice cooling, stirred for 2 hours, and then added dropwise to 10 l of ion-exchanged water while stirring, and the precipitate was filtered.
It was washed and air-dried to obtain a pale yellow powder. 10 g of this powder, 1 g of trimethylolpropane triacrylate, 0.4 g of Michler's ketone, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O-ethoxycarbonyl) -oxime.
4 g was added to 20 ml of N-methylpyrrolidone to obtain a uniform solution. This solution is hereinafter referred to as S-1.

【0021】[0021]

【合成例2】ジアミノジフェニルエーテル110gをN
−メチルピロリドン278gに溶解し、アミン溶液とし
た。ピロメリッド酸無水物120gをジメチルアセトア
ミド308gに分散させ、次いでN−メチルピロリドン
184gを加えて溶解させ、酸溶液とした。60℃のア
ミン溶液に酸溶液を加えて、3時間反応させ均一な溶液
を得た。この溶液50g、ミヒラーズケトン1.15g
を30gのジメチルアセトアミドに溶解した溶液及びジ
エチルアミノエチルメタクリレート0.2gを10gの
ジメチルアセトアミドに溶解した溶液を混合、濾過し
た。この溶液を以下S−2と称する。
[Synthesis Example 2] 110 g of diaminodiphenyl ether was added to N
-Dissolved in 278 g of methylpyrrolidone to give an amine solution. 120 g of pyromellitic acid anhydride was dispersed in 308 g of dimethylacetamide, and then 184 g of N-methylpyrrolidone was added and dissolved to obtain an acid solution. An acid solution was added to the amine solution at 60 ° C., and the mixture was reacted for 3 hours to obtain a uniform solution. 50 g of this solution, 1.15 g of Michler's ketone
Was dissolved in 30 g of dimethylacetamide, and a solution of 0.2 g of diethylaminoethyl methacrylate in 10 g of dimethylacetamide was mixed and filtered. This solution is hereinafter referred to as S-2.

【0022】[0022]

【実施例1】シリコンウェハー上にスピナーを用いてS
−1を塗布し、70℃の循環式オーブンで約2時間乾燥
した。膜厚は20μmであった。この塗膜に10〜50
μm角(2μm刻み)のスルーホールテストパターンが
印刷されたフォトマスクを密着させ、キャノン(株)製
PLA−601露光機を用いて60秒露光した。次に、
大日本スクリーン製造(株)製D−SPIN636現像
機を用いて、スプレー現像を実施した。現像条件は、N
MP/キシレン(50/50,容量比)の現像液1で2
0秒間現像し、ついでシクロペンタノン/キシレン(4
0/50,容量比)の現像液2で20秒間現像し、イソ
プロピルアルコールのリンス液で15秒間リンスを行っ
た。得られたパターンの解像度(最少バイアホール径)
は20μmであり、残渣が全く存在しない良好なパター
ンが得られた。
[Example 1] S using a spinner on a silicon wafer
-1 was applied and dried in a circulating oven at 70 ° C. for about 2 hours. The film thickness was 20 μm. 10-50 on this coating
A photomask on which a through-hole test pattern of square (2 μm increments) was printed was brought into close contact and exposed for 60 seconds using a PLA-601 exposure machine manufactured by Canon Inc. next,
Spray development was carried out using a D-SPIN636 developing machine manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Development conditions are N
MP / xylene (50/50, volume ratio) 2 with developer 1
Develop for 0 seconds, then cyclopentanone / xylene (4
The developing solution 2 (0/50, volume ratio) was developed for 20 seconds, and rinsed with a rinse solution of isopropyl alcohol for 15 seconds. Resolution of the obtained pattern (minimum via hole diameter)
Was 20 μm, and a good pattern without any residue was obtained.

【0023】[0023]

【実施例2〜5】実施例2,3,4,5は実施例1と同
様な機器を用いて現像液を変えて実験をした結果であ
る。これらの実験条件を表1に、現像液1、2組成とそ
れぞれの現像時間と解像度の結果を表2に示す。
Examples 2 to 5 Examples 2, 3, 4, and 5 are the results of experiments conducted by using the same equipment as in Example 1 but changing the developing solution. Table 1 shows these experimental conditions, and Table 2 shows the results of the developing solutions 1 and 2 and the respective developing times and resolutions.

【0024】[0024]

【比較例1】シリコンウェハー上にスピナーを用いてS
−1を塗布し、70℃の循環式オーブンで約2時間乾燥
した。膜厚は20μmであった。この塗膜に10〜50
μm角(2μm刻み)のスルーホールテストパターンが
印刷されたフォトマスクを密着させ、キャノン(株)製
PLA−601露光機を用いて60秒露光した。次に、
大日本スクリーン製造(株)製D−SPIN636現像
機を用いて、スプレー現像を実施した。現像条件は、N
MP/キシレン(50/50,容量比)の現像液で26
秒現像し、引続きイソプロピルアルコールで15秒リン
スを行った。得られたパターンの解像度(最少バイアホ
ール径)は26μmであり、残渣が少量確認された。
[Comparative Example 1] S using a spinner on a silicon wafer
-1 was applied and dried in a circulating oven at 70 ° C. for about 2 hours. The film thickness was 20 μm. 10-50 on this coating
A photomask on which a through-hole test pattern of square (2 μm increments) was printed was brought into close contact and exposed for 60 seconds using a PLA-601 exposure machine manufactured by Canon Inc. next,
Spray development was carried out using a D-SPIN636 developing machine manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Development conditions are N
26 with MP / xylene (50/50, volume ratio) developer
Second development, followed by rinsing with isopropyl alcohol for 15 seconds. The resolution of the obtained pattern (minimum via hole diameter) was 26 μm, and a small amount of residue was confirmed.

【0025】[0025]

【比較例2および3】比較例2および3は比較例1と同
様な機器を用いて現像液を変えた実験をした結果であ
る。その実験条件を表1に、現像液組成、現像時間と解
像度の結果を表3に示す。
Comparative Examples 2 and 3 Comparative Examples 2 and 3 are the results of experiments using the same equipment as in Comparative Example 1 but changing the developing solution. The experimental conditions are shown in Table 1, and the results of the developer composition, developing time and resolution are shown in Table 3.

【0026】[0026]

【実施例6】シリコンウェハー上にスピナーを用いてS
−2を塗布し、60℃の循環式オーブンで約2.5時間
乾燥した。膜厚は20μmであった。この塗膜に10〜
50μm角(2μm刻み)のスルーホールテストパター
ンが印刷されたフォトマスクを密着させ、キャノン
(株)製PLA−601露光機を用いて70秒露光し
た。次に、大日本スクリーン製造(株)製D−SPIN
636現像機を用いて、パドル現像を実施した。現像条
件は、NMP/キシレン(50/50,容量比)の現像
液1を10秒吐出し回転数10rpmで80秒間回転現
像を行い、ついでジグライムを現像液2として、10秒
吐出後10rpm20秒間回転現像を行い、引続きイソ
プロピルアルコールで15秒リンスを行った。得られた
パターンの解像度(最少バイアホール径)は26μmで
あり、残渣が少量確認された。
[Sixth Embodiment] S was formed on a silicon wafer by using a spinner.
-2 was applied and dried in a circulating oven at 60 ° C. for about 2.5 hours. The film thickness was 20 μm. 10 to this coating
A photomask on which a through-hole test pattern of 50 μm square (in steps of 2 μm) was printed was brought into close contact, and exposed for 70 seconds using a PLA-601 exposure machine manufactured by Canon Inc. Next, D-SPIN manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.
Paddle development was carried out using a 636 developing machine. The developing conditions are as follows: NMP / xylene (50/50, capacity ratio) developer 1 is discharged for 10 seconds, rotation development is performed at a rotation speed of 10 rpm for 80 seconds, and then diglyme is used as developer 2 and discharged for 10 seconds, and then rotated at 10 rpm for 20 seconds. Development was carried out, followed by rinsing with isopropyl alcohol for 15 seconds. The resolution of the obtained pattern (minimum via hole diameter) was 26 μm, and a small amount of residue was confirmed.

【0027】[0027]

【比較例4】シリコンウェハー上にスピナーを用いてS
−2を塗布し、60℃の循環式オーブンで約2.5時間
乾燥した。膜厚は20μmであった。この塗膜に10〜
50μm角(2μm刻み)のスルーホールテストパター
ンが印刷されたフォトマスクを密着させ、キャノン
(株)製PLA−601露光機を用いて70秒露光し
た。次に、大日本スクリーン製造(株)製D−SPIN
636現像機を用いて、パドル現像を実施した。現像条
件は、NMP/キシレン(50/50,容量比)の現像
液を10秒吐出し回転数10rpmで100秒間回転現
像を行い、引続きイソプロピルアルコールで15秒リン
スを行った。得られたパターンの解像度(最少バイアホ
ール径)は30μmであり、残渣が少量確認された。
[Comparative Example 4] S using a spinner on a silicon wafer
-2 was applied and dried in a circulating oven at 60 ° C. for about 2.5 hours. The film thickness was 20 μm. 10 to this coating
A photomask on which a through-hole test pattern of 50 μm square (in steps of 2 μm) was printed was brought into close contact, and exposed for 70 seconds using a PLA-601 exposure machine manufactured by Canon Inc. Next, D-SPIN manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.
Paddle development was carried out using a 636 developing machine. The developing conditions were as follows. A developing solution of NMP / xylene (50/50, volume ratio) was discharged for 10 seconds, rotational development was performed at a rotation speed of 10 rpm for 100 seconds, and then isopropyl alcohol was rinsed for 15 seconds. The resolution of the obtained pattern (minimum via hole diameter) was 30 μm, and a small amount of residue was confirmed.

【0028】[0028]

【表1】 [Table 1]

【0029】[0029]

【表2】 [Table 2]

【0030】[0030]

【表3】 [Table 3]

【0031】[0031]

【発明の効果】本発明の方法により、光架橋重合体組成
物を用いてパターン形成を行えば、スループットを損な
うことなく解像度を向上させることが可能となった。
According to the method of the present invention, it is possible to improve the resolution without deteriorating the throughput by performing pattern formation using the photocrosslinking polymer composition.

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/312 B 7352−4M Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 21/312 B 7352-4M

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記式〔I〕で示される繰り返し単位を
有する光架橋性重合体を含む感光性組成物から所定のパ
ターンを形成する方法において、自動機械を用いたスプ
レーまたはパドル現像法で現像を行うに際し、上記光架
橋性重合体に対する溶解度の異なる2種類以上の現像液
をその溶解度の高い順に用いることを特徴とするパター
ン形成方法。 【化1】
1. A method for forming a predetermined pattern from a photosensitive composition containing a photocrosslinkable polymer having a repeating unit represented by the following formula [I], which is developed by spraying or paddle developing using an automatic machine. When performing, the pattern forming method, characterized in that two or more kinds of developers having different solubilities with respect to the photocrosslinkable polymer are used in the order of high solubility. [Chemical 1]
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2017107188A (en) * 2015-12-09 2017-06-15 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC Pattern treatment method
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