JPH0713518A - Ｔｆｔ液晶装置の駆動方法 - Google Patents
Ｔｆｔ液晶装置の駆動方法Info
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- JPH0713518A JPH0713518A JP15210193A JP15210193A JPH0713518A JP H0713518 A JPH0713518 A JP H0713518A JP 15210193 A JP15210193 A JP 15210193A JP 15210193 A JP15210193 A JP 15210193A JP H0713518 A JPH0713518 A JP H0713518A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- level
- liquid crystal
- gate
- tft
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- Pending
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＴＦＴ液晶パネルの応答速度を下げることな
く、消費電力を低減させる。 【構成】ＴＦＴ液晶パネルのドレイン駆動信号ｆの
“Ｈ”“Ｌ”のレベルに応じてＴＦＴをオンさせるため
のゲート駆動信号ｉの波高値レベルＶGon1，ＶGon2（Ｖ
Gon1＜ＶGon2）を可変制御する。
く、消費電力を低減させる。 【構成】ＴＦＴ液晶パネルのドレイン駆動信号ｆの
“Ｈ”“Ｌ”のレベルに応じてＴＦＴをオンさせるため
のゲート駆動信号ｉの波高値レベルＶGon1，ＶGon2（Ｖ
Gon1＜ＶGon2）を可変制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＴＦＴ液晶装置の駆動
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＦＴ液晶パネルを駆動する駆動回路の
構成を図３（１）に示す。同図（１）で、1 がゲート駆
動回路、2 がドレイン駆動回路、3 がＴＦＴ液晶パネ
ル、4 がＴＦＴ液晶パネル3 の各画素に設けられる非線
形素子である画素トランジスタ（ＴＦＴ）、5 が各ＴＦ
Ｔ4 のソース電極に液晶の容量ＣLCを介して接続される
コモン端子である。
構成を図３（１）に示す。同図（１）で、1 がゲート駆
動回路、2 がドレイン駆動回路、3 がＴＦＴ液晶パネ
ル、4 がＴＦＴ液晶パネル3 の各画素に設けられる非線
形素子である画素トランジスタ（ＴＦＴ）、5 が各ＴＦ
Ｔ4 のソース電極に液晶の容量ＣLCを介して接続される
コモン端子である。
【０００３】ゲート駆動回路1 からのゲート駆動信号ａ
が所定タイミングでＶGon レベルとなってＴＦＴ4 がオ
ンすると、そのときのドレイン駆動回路2 からのドレイ
ン駆動信号ｂによりＴＦＴ4 を通して容量ＣLCが充電あ
るいは放電される。
が所定タイミングでＶGon レベルとなってＴＦＴ4 がオ
ンすると、そのときのドレイン駆動回路2 からのドレイ
ン駆動信号ｂによりＴＦＴ4 を通して容量ＣLCが充電あ
るいは放電される。
【０００４】図４は上記図３の各部位における信号波形
を示し、ドレイン駆動信号ｂが“Ｌ”レベルであるとき
（ＶDL区間）と“Ｈ”レベルであるとき（ＶDH区間）と
に拘らず、ＴＦＴ4 をオンさせるためのＶGon レベルは
一定に設定している。
を示し、ドレイン駆動信号ｂが“Ｌ”レベルであるとき
（ＶDL区間）と“Ｈ”レベルであるとき（ＶDH区間）と
に拘らず、ＴＦＴ4 をオンさせるためのＶGon レベルは
一定に設定している。
【０００５】しかるに、上記図３（１）の１画素分のＴ
ＦＴ4 及び容量ＣLCを取出して図３（２）に示すよう
に、ＴＦＴ4 のＩDS，ＩSDはＶGD，ＶGSに依存し、ＶGS
が大であればＩDSも大、ＶGDが大であればＩSDも大とな
る。
ＦＴ4 及び容量ＣLCを取出して図３（２）に示すよう
に、ＴＦＴ4 のＩDS，ＩSDはＶGD，ＶGSに依存し、ＶGS
が大であればＩDSも大、ＶGDが大であればＩSDも大とな
る。
【０００６】容量ＣLCが高い電位に充電されていて、ド
レイン駆動信号ｂが“Ｌ”レベルであるとき、ＶGDは大
きく一定であるため、ＩSDは大きく、容量ＣLCに蓄積さ
れた電荷は図５に＜１＞で示すラインに沿って放電す
る。
レイン駆動信号ｂが“Ｌ”レベルであるとき、ＶGDは大
きく一定であるため、ＩSDは大きく、容量ＣLCに蓄積さ
れた電荷は図５に＜１＞で示すラインに沿って放電す
る。
【０００７】また、容量ＣLCが低い電位にあり、ドレイ
ン駆動信号ｂが“Ｈ”レベルとなると、容量ＣLCはＩDS
で充電されて電位が上昇するので、ＶGSが容量ＣLCの充
電に対応して徐々に小さくなり、ＩDSが減少し、容量Ｃ
LCの充電に要する時間が長くなる。これは、言い換えれ
ば液晶の応答速度が低下することを意味する。
ン駆動信号ｂが“Ｈ”レベルとなると、容量ＣLCはＩDS
で充電されて電位が上昇するので、ＶGSが容量ＣLCの充
電に対応して徐々に小さくなり、ＩDSが減少し、容量Ｃ
LCの充電に要する時間が長くなる。これは、言い換えれ
ば液晶の応答速度が低下することを意味する。
【０００８】そのため、従来のＴＦＴ液晶装置では上記
のように容量ＣLCの電位が上昇しても充分なＩSDがとれ
るように、ゲート駆動信号ａのＶGon レベルを充分高い
値に設定している。
のように容量ＣLCの電位が上昇しても充分なＩSDがとれ
るように、ゲート駆動信号ａのＶGon レベルを充分高い
値に設定している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した如くドレイン
駆動信号ｂが“Ｌ”レベルであるとき（ＶDL区間）と
“Ｈ”レベルであるとき（ＶDH区間）とに拘らずＴＦＴ
4 をオンさせるためのＶGon レベルを一定に設定してお
り、且つ、このＶGon レベルを液晶の応答速度が低下す
ることのないように充分高い値に設定しているため、消
費電力が多いという問題がある。
駆動信号ｂが“Ｌ”レベルであるとき（ＶDL区間）と
“Ｈ”レベルであるとき（ＶDH区間）とに拘らずＴＦＴ
4 をオンさせるためのＶGon レベルを一定に設定してお
り、且つ、このＶGon レベルを液晶の応答速度が低下す
ることのないように充分高い値に設定しているため、消
費電力が多いという問題がある。
【００１０】本発明は上記のような実情に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、液晶の応答速度を
下げることなく、消費電力を低減させることが可能なＴ
ＦＴ液晶装置の駆動方法を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、液晶の応答速度を
下げることなく、消費電力を低減させることが可能なＴ
ＦＴ液晶装置の駆動方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段及び作用】すなわち本発明
は、ＴＦＴ液晶パネルのドレイン駆動信号のレベルに応
じてゲート駆動信号のＴＦＴをオンさせるレベルを可変
するようにしたもので、必要に応じてＴＦＴをオンさせ
るためのゲート駆動信号のレベルを加減制御するため、
液晶の応答速度を下げることなく、無駄な電力の消費を
抑えることができる。
は、ＴＦＴ液晶パネルのドレイン駆動信号のレベルに応
じてゲート駆動信号のＴＦＴをオンさせるレベルを可変
するようにしたもので、必要に応じてＴＦＴをオンさせ
るためのゲート駆動信号のレベルを加減制御するため、
液晶の応答速度を下げることなく、無駄な電力の消費を
抑えることができる。
【００１２】
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例を説明
する。図１はＴＦＴ液晶装置のゲート駆動回路内に設け
られるゲート駆動信号を発生するための回路構成をゲー
トライン１ライン分だけ抜出して示すもので、実際には
ゲートラインの数だけ同様の回路が配設されるものであ
る。
する。図１はＴＦＴ液晶装置のゲート駆動回路内に設け
られるゲート駆動信号を発生するための回路構成をゲー
トライン１ライン分だけ抜出して示すもので、実際には
ゲートラインの数だけ同様の回路が配設されるものであ
る。
【００１３】同図で、シフトレジスタ10からのゲートタ
イミング信号ｅは、アンド回路11、イクスクルーシブオ
ア回路（以下「ＥＸオア回路」と略称する）12の双方に
入力される一方、インバータ16を介して反転され、アナ
ログスイッチ15にスイッチング信号として入力される。
上記アンド回路11には、シフトレジスタ10からのゲート
タイミング信号ｅと共に、図示しないドレイン駆動回路
からのドレイン駆動信号ｆが入力されており、その論理
出力信号ｇは上記ＥＸオア回路12に入力される一方、ア
ナログスイッチ13にスイッチング信号として入力され
る。そして、ＥＸオア回路12の論理出力信号ｈがアナロ
グスイッチ14にスイッチング信号として入力される。
イミング信号ｅは、アンド回路11、イクスクルーシブオ
ア回路（以下「ＥＸオア回路」と略称する）12の双方に
入力される一方、インバータ16を介して反転され、アナ
ログスイッチ15にスイッチング信号として入力される。
上記アンド回路11には、シフトレジスタ10からのゲート
タイミング信号ｅと共に、図示しないドレイン駆動回路
からのドレイン駆動信号ｆが入力されており、その論理
出力信号ｇは上記ＥＸオア回路12に入力される一方、ア
ナログスイッチ13にスイッチング信号として入力され
る。そして、ＥＸオア回路12の論理出力信号ｈがアナロ
グスイッチ14にスイッチング信号として入力される。
【００１４】これらアナログスイッチ13〜15は、いずれ
もスイッチング信号が“Ｈ”レベルでオンとなるもの
で、アナログスイッチ13にはＴＦＴを充分にオフ状態と
するＶGoff信号が、アナログスイッチ14にはドレイン駆
動信号が“Ｌ”レベルでＴＦＴを充分にオン状態とする
ＶGon1レベル信号が、アナログスイッチ15にはアナログ
スイッチ14にはドレイン駆動信号が“Ｈ”レベルでＴＦ
Ｔを充分にオン状態とするＶGon2レベル信号（ＶGon1＜
ＶGon2）がそれぞれ印加される。そして、アナログスイ
ッチ13〜15のいずれかオンとなったものに印加されてい
るレベル信号がゲート駆動信号ｉとして、ここでは図示
しないＴＦＴ液晶パネルの該当するゲートラインに印加
される。
もスイッチング信号が“Ｈ”レベルでオンとなるもの
で、アナログスイッチ13にはＴＦＴを充分にオフ状態と
するＶGoff信号が、アナログスイッチ14にはドレイン駆
動信号が“Ｌ”レベルでＴＦＴを充分にオン状態とする
ＶGon1レベル信号が、アナログスイッチ15にはアナログ
スイッチ14にはドレイン駆動信号が“Ｈ”レベルでＴＦ
Ｔを充分にオン状態とするＶGon2レベル信号（ＶGon1＜
ＶGon2）がそれぞれ印加される。そして、アナログスイ
ッチ13〜15のいずれかオンとなったものに印加されてい
るレベル信号がゲート駆動信号ｉとして、ここでは図示
しないＴＦＴ液晶パネルの該当するゲートラインに印加
される。
【００１５】上記のような構成にあって、シフトレジス
タ10から図２（１）に示すようなゲートタイミング信号
ｅが出力され、これに対して図２（２）に示すようなド
レイン駆動信号ｆが与えられると、アンド回路11の出力
信号ｇは図２（３）に示すようにドレイン駆動信号ｆが
“Ｈ”レベルのときにのみゲートタイミング信号ｅに同
期した信号となり、これがアナログスイッチ13にスイッ
チング信号として送出される。また、ＥＸオア回路12に
はこのアンド回路11の出力信号ｇとゲートタイミング信
号ｅとが入力されるため、その出力信号ｈは図２（４）
に示すように結果としてドレイン駆動信号ｆが“Ｌ”レ
ベルのときにのみゲートタイミング信号ｅに同期した信
号となり、これがアナログスイッチ14にスイッチング信
号として送出される。
タ10から図２（１）に示すようなゲートタイミング信号
ｅが出力され、これに対して図２（２）に示すようなド
レイン駆動信号ｆが与えられると、アンド回路11の出力
信号ｇは図２（３）に示すようにドレイン駆動信号ｆが
“Ｈ”レベルのときにのみゲートタイミング信号ｅに同
期した信号となり、これがアナログスイッチ13にスイッ
チング信号として送出される。また、ＥＸオア回路12に
はこのアンド回路11の出力信号ｇとゲートタイミング信
号ｅとが入力されるため、その出力信号ｈは図２（４）
に示すように結果としてドレイン駆動信号ｆが“Ｌ”レ
ベルのときにのみゲートタイミング信号ｅに同期した信
号となり、これがアナログスイッチ14にスイッチング信
号として送出される。
【００１６】したがって、図２（５）に示すようにゲー
ト駆動信号ｉとしては、ドレイン駆動信号ｆが“Ｌ”レ
ベルでゲートタイミング信号ｅが“Ｈ”レベルのタイミ
ングではＶGon1レベル信号を、ドレイン駆動信号ｆが
“Ｈ”レベルでゲートタイミング信号ｅが“Ｈ”レベル
のタイミングではＶGon2レベル信号（ＶGon1＜ＶGon2）
を、その他のタイミングではＶGoff信号を出力するよう
になる。
ト駆動信号ｉとしては、ドレイン駆動信号ｆが“Ｌ”レ
ベルでゲートタイミング信号ｅが“Ｈ”レベルのタイミ
ングではＶGon1レベル信号を、ドレイン駆動信号ｆが
“Ｈ”レベルでゲートタイミング信号ｅが“Ｈ”レベル
のタイミングではＶGon2レベル信号（ＶGon1＜ＶGon2）
を、その他のタイミングではＶGoff信号を出力するよう
になる。
【００１７】このように、ＴＦＴをオンさせるためのゲ
ート駆動信号ｉとして、一律に充分高いレベルの信号を
供給印加するのではなく、ドレイン駆動信号ｆのレベル
に応じてその波高値を可変するようにしたため、無駄な
電力の消費を抑え、電力を有効に使用することができ
る。
ート駆動信号ｉとして、一律に充分高いレベルの信号を
供給印加するのではなく、ドレイン駆動信号ｆのレベル
に応じてその波高値を可変するようにしたため、無駄な
電力の消費を抑え、電力を有効に使用することができ
る。
【００１８】
【発明の効果】以上に述べた如く本発明によれば、ＴＦ
Ｔ液晶パネルのドレイン駆動信号のレベルに応じてゲー
ト駆動信号のＴＦＴをオンさせるレベルを可変するよう
にしたので、必要に応じてＴＦＴをオンさせるためのゲ
ート駆動信号のレベルを加減制御して、液晶の応答速度
を下げることなく、消費電力を低減させることが可能な
ＴＦＴ液晶装置の駆動方法を提供することができる。
Ｔ液晶パネルのドレイン駆動信号のレベルに応じてゲー
ト駆動信号のＴＦＴをオンさせるレベルを可変するよう
にしたので、必要に応じてＴＦＴをオンさせるためのゲ
ート駆動信号のレベルを加減制御して、液晶の応答速度
を下げることなく、消費電力を低減させることが可能な
ＴＦＴ液晶装置の駆動方法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例に係るゲート駆動回路の構成
を示すブロック図。
を示すブロック図。
【図２】図１の各信号波形を示すタイミングチャート。
【図３】一般的なＴＦＴ液晶パネルを駆動する駆動回路
の構成を示す図。
の構成を示す図。
【図４】図３の各信号波形を示す図。
【図５】図４の液晶容量ＣLCの放電特性を示す図。
1 …ゲート駆動回路、2 …ドレイン駆動回路、3 …ＴＦ
Ｔ液晶パネル、4 …ＴＦＴ、10…シフトレジスタ、11…
アンド回路、12…イクスクルーシブオア（ＥＸオア）回
路、13〜15…アナログスイッチ、16…インバータ。
Ｔ液晶パネル、4 …ＴＦＴ、10…シフトレジスタ、11…
アンド回路、12…イクスクルーシブオア（ＥＸオア）回
路、13〜15…アナログスイッチ、16…インバータ。
Claims (1)
- 【請求項１】 ＴＦＴ液晶パネルのドレイン駆動信号の
レベルに応じてゲート駆動信号のＴＦＴをオンさせるレ
ベルを可変することを特徴とするＴＦＴ液晶装置の駆動
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15210193A JPH0713518A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | Ｔｆｔ液晶装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15210193A JPH0713518A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | Ｔｆｔ液晶装置の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0713518A true JPH0713518A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15533080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15210193A Pending JPH0713518A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | Ｔｆｔ液晶装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713518A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006084617A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用駆動回路、電気光学装置及び電子機器 |
| US7362321B2 (en) | 2002-02-25 | 2008-04-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of driving image display, driving device for image display, and image display |
| JP2009042612A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Casio Comput Co Ltd | アクティブマトリックス型表示装置 |
| US8021723B2 (en) | 2007-11-27 | 2011-09-20 | Asm Japan K.K. | Method of plasma treatment using amplitude-modulated RF power |
| US8901480B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-12-02 | Denso Corporation | Optical sensor having a blocking film disposed over light receiving elements on a semiconductor substrate via a light transparent film for detecting an incident angle of light |
-
1993
- 1993-06-23 JP JP15210193A patent/JPH0713518A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7362321B2 (en) | 2002-02-25 | 2008-04-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of driving image display, driving device for image display, and image display |
| US8139013B2 (en) | 2002-02-25 | 2012-03-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of driving image display |
| JP2006084617A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用駆動回路、電気光学装置及び電子機器 |
| JP2009042612A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Casio Comput Co Ltd | アクティブマトリックス型表示装置 |
| US8021723B2 (en) | 2007-11-27 | 2011-09-20 | Asm Japan K.K. | Method of plasma treatment using amplitude-modulated RF power |
| US8901480B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-12-02 | Denso Corporation | Optical sensor having a blocking film disposed over light receiving elements on a semiconductor substrate via a light transparent film for detecting an incident angle of light |
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