JPH07131074A - 発光装置 - Google Patents
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- JPH07131074A JPH07131074A JP5294373A JP29437393A JPH07131074A JP H07131074 A JPH07131074 A JP H07131074A JP 5294373 A JP5294373 A JP 5294373A JP 29437393 A JP29437393 A JP 29437393A JP H07131074 A JPH07131074 A JP H07131074A
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- light
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードフレームによる光の再反射を最小限と
して補助ピークの無い左右対称な発光パターンを有する
発光装置を提供する。 【構成】 発光装置１のリードフレーム３，５は、反射
鏡８と対向している下面部３Ａ，５Ａと、リードフレー
ム５のワイヤボンド２次側部分５Ｂとを少なくとも含む
リードフレーム３，５の表面部に、発光素子２の発光波
長付近の光に対して光反射率が低い黒色塗料１０が塗布
してある。この結果、リードフレーム３，５に当たった
光が乱反射することを防止でき、発光パターンの主ピー
ク以外の光強度を低減させることができる。
して補助ピークの無い左右対称な発光パターンを有する
発光装置を提供する。 【構成】 発光装置１のリードフレーム３，５は、反射
鏡８と対向している下面部３Ａ，５Ａと、リードフレー
ム５のワイヤボンド２次側部分５Ｂとを少なくとも含む
リードフレーム３，５の表面部に、発光素子２の発光波
長付近の光に対して光反射率が低い黒色塗料１０が塗布
してある。この結果、リードフレーム３，５に当たった
光が乱反射することを防止でき、発光パターンの主ピー
ク以外の光強度を低減させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光放射角を狭くし
て、平行光またはそれに近い光を出力する発光ダイオー
ド装置等の発光装置に関するものである。
て、平行光またはそれに近い光を出力する発光ダイオー
ド装置等の発光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、各種リモコン装置や空間伝送
を行う光通信システムの光源として使用される発光装置
は、特定の受光装置に確実に光信号を伝送するために、
高出力で平行な光を発光することが望ましい。そして、
このような発光出力の得られる発光装置として、発光素
子から出力される光をモールド内で反射させて、発光放
射角を狭めた構造の発光装置がある。このような従来の
発光装置を図５に示す。同図に示す発光装置（砲弾型半
導体発光装置）１１は、発光素子（発光ダイオードチッ
プ）１２がリードフレーム部（アノード）１３に直接マ
ウントされる共に、ボンディングワイヤ１４を介して他
方のリードフレーム部（カソード）１５にボンディング
されており、これらアセンブリ１８がエポキシ樹脂（熱
硬化性樹脂）１６によって図のようにモールドされてい
る。この発光装置１１おいて、発光素子１２で発生した
光は、アノード側のリードフレーム１３に形成された椀
状反射面１３Ａで上方に反射する。この椀状反射面１３
Ａの角度を適宜設定することで光放射角を制御すること
ができる。
を行う光通信システムの光源として使用される発光装置
は、特定の受光装置に確実に光信号を伝送するために、
高出力で平行な光を発光することが望ましい。そして、
このような発光出力の得られる発光装置として、発光素
子から出力される光をモールド内で反射させて、発光放
射角を狭めた構造の発光装置がある。このような従来の
発光装置を図５に示す。同図に示す発光装置（砲弾型半
導体発光装置）１１は、発光素子（発光ダイオードチッ
プ）１２がリードフレーム部（アノード）１３に直接マ
ウントされる共に、ボンディングワイヤ１４を介して他
方のリードフレーム部（カソード）１５にボンディング
されており、これらアセンブリ１８がエポキシ樹脂（熱
硬化性樹脂）１６によって図のようにモールドされてい
る。この発光装置１１おいて、発光素子１２で発生した
光は、アノード側のリードフレーム１３に形成された椀
状反射面１３Ａで上方に反射する。この椀状反射面１３
Ａの角度を適宜設定することで光放射角を制御すること
ができる。
【０００３】しかしながら、上記発光装置１１は、発光
素子１２と、椀状反射面１３Ａとの両方を発光点とした
発光出力となるため、その発光パターンは、図７に示す
ように、主ピーク１７Ａの他に補助ピーク１７Ｂを有す
るパターンとなってしまった。このように発光パターン
内に補助ピーク１７Ｂが存在すると、発光装置１１のピ
ーク検知において、誤検知の原因となってしまうのであ
る。
素子１２と、椀状反射面１３Ａとの両方を発光点とした
発光出力となるため、その発光パターンは、図７に示す
ように、主ピーク１７Ａの他に補助ピーク１７Ｂを有す
るパターンとなってしまった。このように発光パターン
内に補助ピーク１７Ｂが存在すると、発光装置１１のピ
ーク検知において、誤検知の原因となってしまうのであ
る。
【０００４】上述のような、椀状反射面１３Ａを有する
発光装置１１に対し、発光パターンに補助ピーク１７Ｂ
を形成しにくい反射型半導体発光装置がある。その構造
を図６に示す。同図に示す発光装置２１は、発光素子２
がリードフレーム部２３に直接マウントされると共に、
ボンディングワイヤ４を介して他方のリードフレーム部
２５にボンディングされており、これらアセンブリ２７
は発光素子２の発光面が高光反射材料から成る反射鏡８
と対向するように設けられ、その間をエポキシ樹脂６に
よって図のようにモールドされている。この発光装置２
１において発光素子２で発生した光は、回転放物面形状
を成す反射鏡８で反射して平行光となり、光出力窓９よ
り外部へ出力する。また、この発光装置２１の発光パタ
ーンを図８に示す。同図に示すように、反射型発光装置
２１の発光パターンは、上記砲弾型発光装置１１に比
べ、補助ピーク１７Ｂの形状や強度が低減され、主ピー
ク１７Ａが強調された発光パターンとなる。
発光装置１１に対し、発光パターンに補助ピーク１７Ｂ
を形成しにくい反射型半導体発光装置がある。その構造
を図６に示す。同図に示す発光装置２１は、発光素子２
がリードフレーム部２３に直接マウントされると共に、
ボンディングワイヤ４を介して他方のリードフレーム部
２５にボンディングされており、これらアセンブリ２７
は発光素子２の発光面が高光反射材料から成る反射鏡８
と対向するように設けられ、その間をエポキシ樹脂６に
よって図のようにモールドされている。この発光装置２
１において発光素子２で発生した光は、回転放物面形状
を成す反射鏡８で反射して平行光となり、光出力窓９よ
り外部へ出力する。また、この発光装置２１の発光パタ
ーンを図８に示す。同図に示すように、反射型発光装置
２１の発光パターンは、上記砲弾型発光装置１１に比
べ、補助ピーク１７Ｂの形状や強度が低減され、主ピー
ク１７Ａが強調された発光パターンとなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記発光装置
２１の発光パターンは、上記砲弾型発光装置１１に比
べ、補助ピーク１７Ｂの形状や強度が改善されているも
のの、その強度は主ピーク強度の１／１００（−２０〜
−２５ｄＢ）程度である。
２１の発光パターンは、上記砲弾型発光装置１１に比
べ、補助ピーク１７Ｂの形状や強度が改善されているも
のの、その強度は主ピーク強度の１／１００（−２０〜
−２５ｄＢ）程度である。
【０００６】このように発光素子２１において補助ピー
クが発生する原因を図６を用いて説明する。同図に示す
ように、発光源（発光素子２）から発生した光は、反射
鏡８方向に進み、反射鏡８により反射される。この反射
された光のほとんどはそのまま発光装置２１の光出力窓
９から外部へ出力するが、反射鏡８で反射した光の一部
は、反射鏡８と光出力窓９との間に帯状に存在している
リードフレーム２３，２５の反射鏡８と対向している下
面部２３Ａ，２５Ａで再反射する。この下面部２３Ａ，
２５Ａは、通常鏡面処理はされていないので、再反射し
た光は乱反射することになる。帯状に存在するリードフ
レーム２３，２５で再反射された光は、反射鏡８の焦点
位置Ｐとずれた位置で発光している発光源と見なすこと
ができる。このように光学的に反射鏡８の焦点位置Ｐか
らずれた再反射成分は、発光装置２１の発光放射角を広
げてしまうのである。この上記再反射成分は微小である
が、補助ピーク１７Ｂを形成したり、放射パターンの裾
野を広げるには十分であることが図８より分かる。
クが発生する原因を図６を用いて説明する。同図に示す
ように、発光源（発光素子２）から発生した光は、反射
鏡８方向に進み、反射鏡８により反射される。この反射
された光のほとんどはそのまま発光装置２１の光出力窓
９から外部へ出力するが、反射鏡８で反射した光の一部
は、反射鏡８と光出力窓９との間に帯状に存在している
リードフレーム２３，２５の反射鏡８と対向している下
面部２３Ａ，２５Ａで再反射する。この下面部２３Ａ，
２５Ａは、通常鏡面処理はされていないので、再反射し
た光は乱反射することになる。帯状に存在するリードフ
レーム２３，２５で再反射された光は、反射鏡８の焦点
位置Ｐとずれた位置で発光している発光源と見なすこと
ができる。このように光学的に反射鏡８の焦点位置Ｐか
らずれた再反射成分は、発光装置２１の発光放射角を広
げてしまうのである。この上記再反射成分は微小である
が、補助ピーク１７Ｂを形成したり、放射パターンの裾
野を広げるには十分であることが図８より分かる。
【０００７】しかし、反射型発光装置２１は、その構造
上、光出力を遮るような位置にリードフレームを設ける
しかなく、このため、反射鏡８で反射した光の一部がリ
ードフレーム２３，２５に当たってしまうことを避ける
ことはできない。
上、光出力を遮るような位置にリードフレームを設ける
しかなく、このため、反射鏡８で反射した光の一部がリ
ードフレーム２３，２５に当たってしまうことを避ける
ことはできない。
【０００８】そこで、本発明は上記の点に着目してなさ
れたものであり、リードフレームによる光の再反射を最
小限として補助ピークの無い左右対称な発光パターンを
有する発光装置を提供するを目的とするものである。
れたものであり、リードフレームによる光の再反射を最
小限として補助ピークの無い左右対称な発光パターンを
有する発光装置を提供するを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するための手段として、少なくともの半導体発光素子
と、この発光素子に電力を供給するリード部と、前記発
光素子の発光面に対向するように設けられた高光反射材
料から成る反射鏡とが、透明材料でモールドされ、前記
発光素子の発光面から出力した光が前記反射鏡で反射し
て発光素子の発光面と反対側の前記透明材料表面から光
を出力する発光装置において、前記リード部が前記反射
鏡と対向しているリード部表面に、前記発光素子から出
力される光の発光波長に対して光反射率が低い材料を被
覆したことを特徴とする発光装置を提供しようとするも
のである。
成するための手段として、少なくともの半導体発光素子
と、この発光素子に電力を供給するリード部と、前記発
光素子の発光面に対向するように設けられた高光反射材
料から成る反射鏡とが、透明材料でモールドされ、前記
発光素子の発光面から出力した光が前記反射鏡で反射し
て発光素子の発光面と反対側の前記透明材料表面から光
を出力する発光装置において、前記リード部が前記反射
鏡と対向しているリード部表面に、前記発光素子から出
力される光の発光波長に対して光反射率が低い材料を被
覆したことを特徴とする発光装置を提供しようとするも
のである。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の一実施例
を説明する。なお、上述の発光装置１１Ｂと同様な部分
は同符号を付し、その説明を省略する。図１は、本発明
の一実施例の発光装置の構造を示す図である。同図にお
いて、発光装置１は、上記発光装置２１と同様に反射型
発光装置である。この発光装置１のリードフレーム３，
５は、上記発光装置２１のリードフレーム２３，２５表
面部に、発光素子２の発光波長付近の光に対して光反射
率が低い黒色塗料１０を塗布した構造になっている。こ
こで、光の波長に対する黒色塗料１０の反射率は、図２
に示すようになっている（同図中、リードフレーム３，
５そのままの光反射率を１００％とした）。同図に示す
ように、発光素子２の発光中心波長８５０ｎｍ付近の黒
色塗料１０の光反射率は、リードフレーム３，５そのま
まのＡｇメッキの状態に比べ、ほぼ２０％の光反射率を
持つだけである。このように、リードフレーム３，５表
面部に黒色塗料１０を塗布すれば、反射鏡８で反射した
光がリードフレーム３，５に当たって再反射することを
防止でき、この結果、発光パターンの裾野部分の光強度
を大幅に低減させることが可能になる。
を説明する。なお、上述の発光装置１１Ｂと同様な部分
は同符号を付し、その説明を省略する。図１は、本発明
の一実施例の発光装置の構造を示す図である。同図にお
いて、発光装置１は、上記発光装置２１と同様に反射型
発光装置である。この発光装置１のリードフレーム３，
５は、上記発光装置２１のリードフレーム２３，２５表
面部に、発光素子２の発光波長付近の光に対して光反射
率が低い黒色塗料１０を塗布した構造になっている。こ
こで、光の波長に対する黒色塗料１０の反射率は、図２
に示すようになっている（同図中、リードフレーム３，
５そのままの光反射率を１００％とした）。同図に示す
ように、発光素子２の発光中心波長８５０ｎｍ付近の黒
色塗料１０の光反射率は、リードフレーム３，５そのま
まのＡｇメッキの状態に比べ、ほぼ２０％の光反射率を
持つだけである。このように、リードフレーム３，５表
面部に黒色塗料１０を塗布すれば、反射鏡８で反射した
光がリードフレーム３，５に当たって再反射することを
防止でき、この結果、発光パターンの裾野部分の光強度
を大幅に低減させることが可能になる。
【００１１】以上のような発光装置１の効果を調べるた
め、リードフレーム３，５に黒色塗料を塗布した上記発
光装置１と、黒色塗料を塗布しない上記発光装置２１と
を作成し、それぞれの発光パターンを測定した。上記発
光装置１で使用するリードフレーム３，５は、上記図２
に示した光反射率の黒色塗料が塗布される。そして、黒
色塗料１０を塗布した後のリードフレーム３，５は、塗
布した黒色塗料１０が筐体を形成する透明樹脂６の硬化
中に透明樹脂６内に溶け出さないように、１５０℃の炉
内で３０分程度乾燥させる。ここで、黒色塗料１０の塗
布を発光素子２のマウント及びワイヤボンディグの前に
行う場合は、リードフレーム３の発光素子２がマウント
される部分３Ｂ、及びリードフレーム５のボンディング
ワイヤ４をボンディングする部分（以下、ワイヤボンド
２次側と称する）５Ｂ（図１参照）以外の部分に行う。
これは、黒色塗料１０が絶縁性であるためである。よっ
て、発光素子２をマウントしてワイヤボンディングを行
った後、ワイヤーボンド２次側部分５Ｂを黒色塗料１０
で塗布し、上述のように乾燥する。また、ワイヤボンデ
ィグの後に行う場合は、発光素子２の発光面以外のリー
ドフレーム３，５の表面に黒色塗装を施し、上述のよう
に乾燥させる。
め、リードフレーム３，５に黒色塗料を塗布した上記発
光装置１と、黒色塗料を塗布しない上記発光装置２１と
を作成し、それぞれの発光パターンを測定した。上記発
光装置１で使用するリードフレーム３，５は、上記図２
に示した光反射率の黒色塗料が塗布される。そして、黒
色塗料１０を塗布した後のリードフレーム３，５は、塗
布した黒色塗料１０が筐体を形成する透明樹脂６の硬化
中に透明樹脂６内に溶け出さないように、１５０℃の炉
内で３０分程度乾燥させる。ここで、黒色塗料１０の塗
布を発光素子２のマウント及びワイヤボンディグの前に
行う場合は、リードフレーム３の発光素子２がマウント
される部分３Ｂ、及びリードフレーム５のボンディング
ワイヤ４をボンディングする部分（以下、ワイヤボンド
２次側と称する）５Ｂ（図１参照）以外の部分に行う。
これは、黒色塗料１０が絶縁性であるためである。よっ
て、発光素子２をマウントしてワイヤボンディングを行
った後、ワイヤーボンド２次側部分５Ｂを黒色塗料１０
で塗布し、上述のように乾燥する。また、ワイヤボンデ
ィグの後に行う場合は、発光素子２の発光面以外のリー
ドフレーム３，５の表面に黒色塗装を施し、上述のよう
に乾燥させる。
【００１２】以上のように、黒色塗装を施したリードフ
レーム３，５に発光素子２がマウントされ更にボンディ
ングワイヤ４が結線されたアセンブリ７を、発光素子２
の発光面が反射鏡８と対向するようにして透明なエポキ
シ樹脂（熱硬化性樹脂）６によってモールドして図１に
示す発光装置１を作成する。
レーム３，５に発光素子２がマウントされ更にボンディ
ングワイヤ４が結線されたアセンブリ７を、発光素子２
の発光面が反射鏡８と対向するようにして透明なエポキ
シ樹脂（熱硬化性樹脂）６によってモールドして図１に
示す発光装置１を作成する。
【００１３】また、比較例として用いる上記発光装置２
１は、黒色塗料１０を塗布していないリードフレーム２
３，２５を用いて上記発光装置１と同様に透明なエポキ
シ樹脂（熱硬化性樹脂）６によってモールドして作成す
る。
１は、黒色塗料１０を塗布していないリードフレーム２
３，２５を用いて上記発光装置１と同様に透明なエポキ
シ樹脂（熱硬化性樹脂）６によってモールドして作成す
る。
【００１４】以上のように作成した発光装置１、及び発
光装置２１の発光出力パターンを、−９０°乃至９０°
の範囲で測定した。その結果を図３に示す。同図におい
て実線３１で示す発光パターンは、上記発光装置１（リ
ードフレームを黒色塗装）のものであり、２点鎖線３２
で示す発光パターンは、上記発光装置２１（リードフレ
ームを黒色塗装していない）のものである。同図に示す
ように、本実施例による発光装置１の発光パターンの補
助ピークの光強度は、発光装置２１の発光パターン３２
のそれに比べ、±４５°の点で１０ｄＢ以上（−２２ｄ
Ｂ〜−３５ｄＢ）低減されているのが分かる。また、±
４５°の点以外の部分においても、主ピークを除く全て
の裾野の出力が低減されていることが分かる。
光装置２１の発光出力パターンを、−９０°乃至９０°
の範囲で測定した。その結果を図３に示す。同図におい
て実線３１で示す発光パターンは、上記発光装置１（リ
ードフレームを黒色塗装）のものであり、２点鎖線３２
で示す発光パターンは、上記発光装置２１（リードフレ
ームを黒色塗装していない）のものである。同図に示す
ように、本実施例による発光装置１の発光パターンの補
助ピークの光強度は、発光装置２１の発光パターン３２
のそれに比べ、±４５°の点で１０ｄＢ以上（−２２ｄ
Ｂ〜−３５ｄＢ）低減されているのが分かる。また、±
４５°の点以外の部分においても、主ピークを除く全て
の裾野の出力が低減されていることが分かる。
【００１５】次に、リードフレームの側面部の黒色塗装
の有無と発光パターンの関係を調べるため、リードフレ
ーム３，５の下面部３Ａ，５Ａ及び側面部３Ｃ，５Ｃ
（図１参照）を黒色塗装した発光装置１Ａ（図示せず）
と、下面部３Ａ，５Ａのみを黒色塗装した発光装置１Ｂ
（図示せず）を作成してその発光パターンを測定した。
その結果を図４に示す。なお、発光装置１Ａ及び発光装
置１Ｂは、共にリードフレーム５のワイヤーボンド２次
側部分５Ｂの黒色塗装を施していないものとした。
の有無と発光パターンの関係を調べるため、リードフレ
ーム３，５の下面部３Ａ，５Ａ及び側面部３Ｃ，５Ｃ
（図１参照）を黒色塗装した発光装置１Ａ（図示せず）
と、下面部３Ａ，５Ａのみを黒色塗装した発光装置１Ｂ
（図示せず）を作成してその発光パターンを測定した。
その結果を図４に示す。なお、発光装置１Ａ及び発光装
置１Ｂは、共にリードフレーム５のワイヤーボンド２次
側部分５Ｂの黒色塗装を施していないものとした。
【００１６】同図において、実線３３で示す発光パター
ンは、上記発光装置１Ａ（下面部３Ａ，５Ａ及び側面部
３Ｃ，５Ｃを黒色塗装）のものであり、２点鎖線３４で
示す発光パターンは、上記発光装置１Ｂ（下面部３Ａ，
５Ａのみ黒色塗装）のものである。同図に示すように、
発光装置１Ａの発光パターン３３の補助ピークの光強度
は、発光装置１Ｂの発光パターン３４のそれに比べ低減
されているところはあるものの、全体的にほぼ同じよう
な発光パターンとなっている。また、＋３０°付近で発
光装置１Ａの補助ピークの方が高くなっている部分もあ
り、リードフレーム３，５の側面３Ｃ，５Ｃをも黒色塗
装することによる顕著な効果を測定することはできなか
った。以上のことから、少なくともリードフレーム３，
５が反射鏡８と対向している下面部３Ａ，５Ａのみを黒
色塗装することで十分な効果が得られることが分かる。
ンは、上記発光装置１Ａ（下面部３Ａ，５Ａ及び側面部
３Ｃ，５Ｃを黒色塗装）のものであり、２点鎖線３４で
示す発光パターンは、上記発光装置１Ｂ（下面部３Ａ，
５Ａのみ黒色塗装）のものである。同図に示すように、
発光装置１Ａの発光パターン３３の補助ピークの光強度
は、発光装置１Ｂの発光パターン３４のそれに比べ低減
されているところはあるものの、全体的にほぼ同じよう
な発光パターンとなっている。また、＋３０°付近で発
光装置１Ａの補助ピークの方が高くなっている部分もあ
り、リードフレーム３，５の側面３Ｃ，５Ｃをも黒色塗
装することによる顕著な効果を測定することはできなか
った。以上のことから、少なくともリードフレーム３，
５が反射鏡８と対向している下面部３Ａ，５Ａのみを黒
色塗装することで十分な効果が得られることが分かる。
【００１７】ここで、上記発光パターン３３，３４にお
いて、−３０°付近に補助ピーク３５が観測される。こ
れは、リードフレーム５のワイヤーボンド２次側部分５
Ｂの黒色塗装が施されていないため、反射鏡８で反射し
た光の一部が、このワイヤーボンド２次側部分５Ｂで乱
反射されているものと考えられる。そこで、上述の発光
装置１のように、ワイヤーボンド２次側部分５Ｂと発光
素子２とを結線した後、ワイヤーボンド２次側部分５Ｂ
を黒色塗装して上記発光装置１Ａ及び上記発光装置１Ｂ
と同様に発光装置を作成して発光パターンを測定したと
ころ、補助ピーク３５のない左右対称な発光パターンを
得ることができた。
いて、−３０°付近に補助ピーク３５が観測される。こ
れは、リードフレーム５のワイヤーボンド２次側部分５
Ｂの黒色塗装が施されていないため、反射鏡８で反射し
た光の一部が、このワイヤーボンド２次側部分５Ｂで乱
反射されているものと考えられる。そこで、上述の発光
装置１のように、ワイヤーボンド２次側部分５Ｂと発光
素子２とを結線した後、ワイヤーボンド２次側部分５Ｂ
を黒色塗装して上記発光装置１Ａ及び上記発光装置１Ｂ
と同様に発光装置を作成して発光パターンを測定したと
ころ、補助ピーク３５のない左右対称な発光パターンを
得ることができた。
【００１８】なお、上記実施例において、リードフレー
ム３，５に黒色の塗料を塗布したが、発光素子２の発光
波長に対して低光反射率の性質を持つ材料であればそれ
に限定されることはない。
ム３，５に黒色の塗料を塗布したが、発光素子２の発光
波長に対して低光反射率の性質を持つ材料であればそれ
に限定されることはない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の発光装置に
よれば、リード部が反射鏡と対向しているリード部表面
に、発光素子から出力される光の発光波長に対して光反
射率が低い材料を被覆したので、発光パターンの主ピー
ク以外の光強度を低減させることができ、主ピークの際
立った発光パターンとすることができるという効果があ
る。
よれば、リード部が反射鏡と対向しているリード部表面
に、発光素子から出力される光の発光波長に対して光反
射率が低い材料を被覆したので、発光パターンの主ピー
ク以外の光強度を低減させることができ、主ピークの際
立った発光パターンとすることができるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の一実施例の発光装置の構造を
示す図である。
示す図である。
【図２】図１における黒色塗料の光反射率を示す図であ
る。
る。
【図３】図１における発光装置と、従来の発光装置との
発光パターンの比較を示す図である。
発光パターンの比較を示す図である。
【図４】本発明の実施例の発光装置の発光パターンを示
す図である。
す図である。
【図５】従来の発光装置の一例を示す図である。
【図６】従来の発光装置の他の例を示す図である。
【図７】図５における発光装置の発光パターンを示す図
である。
である。
【図８】図６における発光装置の発光パターンを示す図
である。
である。
１ 発光装置（反射型半導体発光装置） ２ 発光素子 ３，５ リードフレーム（リード部） ３Ａ，５Ａ リードフレーム下面部 ８ 反射鏡 ９ 光出力窓 １０ 黒色塗料 １７Ａ 主ピーク １７Ｂ，３５ 補助ピーク
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも１の半導体発光素子と、この発
光素子に電力を供給するリード部と、前記発光素子の発
光面に対向するように設けられた高光反射材料から成る
反射鏡とが、透明材料でモールドされ、前記発光素子の
発光面から出力した光が前記反射鏡で反射して発光素子
の発光面と反対側の前記透明材料表面から光を出力する
発光装置において、 前記リード部が前記反射鏡と対向しているリード部表面
に、前記発光素子から出力される光の発光波長に対して
光反射率が低い材料を被覆したことを特徴とする発光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5294373A JPH07131074A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5294373A JPH07131074A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07131074A true JPH07131074A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17806882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5294373A Pending JPH07131074A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07131074A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7473014B2 (en) * | 2002-07-17 | 2009-01-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting diode lamp and light emitting diode display unit |
| US7566911B2 (en) * | 2004-12-28 | 2009-07-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting diode lamp and light-emitting diode display device |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP5294373A patent/JPH07131074A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7473014B2 (en) * | 2002-07-17 | 2009-01-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting diode lamp and light emitting diode display unit |
| US7566911B2 (en) * | 2004-12-28 | 2009-07-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting diode lamp and light-emitting diode display device |
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