JPH07130927A - モータドライバモジュール - Google Patents
モータドライバモジュールInfo
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- JPH07130927A JPH07130927A JP5303437A JP30343793A JPH07130927A JP H07130927 A JPH07130927 A JP H07130927A JP 5303437 A JP5303437 A JP 5303437A JP 30343793 A JP30343793 A JP 30343793A JP H07130927 A JPH07130927 A JP H07130927A
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
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- Portable Power Tools In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 モータ等の負荷を駆動制御するトランジスタ
とダイオードとを一つのパッケージに実装することによ
り、組立て工数を少なくし、かつ、占有面積を小さくし
たモータドライバモジュールを提供する。 【構成】 モータ等の負荷を駆動制御するＭＯＳＦＥＴ
のベアチップ１と、上記ＭＯＳＦＥＴを過負荷から保護
するためのダイオードのベアチップ２とは、同一のリー
ドフレーム３上に搭載され、これらは標準パッケージに
内蔵されている。このような構成にしているので、占有
面積が小さくなり、かつ、実装が容易となる。
とダイオードとを一つのパッケージに実装することによ
り、組立て工数を少なくし、かつ、占有面積を小さくし
たモータドライバモジュールを提供する。 【構成】 モータ等の負荷を駆動制御するＭＯＳＦＥＴ
のベアチップ１と、上記ＭＯＳＦＥＴを過負荷から保護
するためのダイオードのベアチップ２とは、同一のリー
ドフレーム３上に搭載され、これらは標準パッケージに
内蔵されている。このような構成にしているので、占有
面積が小さくなり、かつ、実装が容易となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モータ等の負荷をパワ
ー素子によって駆動制御するモータドライバモジュール
に関する。
ー素子によって駆動制御するモータドライバモジュール
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ＭＯＳＦＥＴを用いてモータ
等の負荷を駆動制御する場合、図８に示すように、ＭＯ
ＳＦＥＴ５１に、このＭＯＳＦＥＴ５１を過負荷から保
護するためのダイオード５２を接続した回路を用いてい
る。このＭＯＳＦＥＴ５１及びダイオード５２は、それ
ぞれ図９に示すように、ＭＯＳＦＥＴパッケージ５３及
びダイオードパッケージ５４のようなパッケージ形状を
している。
等の負荷を駆動制御する場合、図８に示すように、ＭＯ
ＳＦＥＴ５１に、このＭＯＳＦＥＴ５１を過負荷から保
護するためのダイオード５２を接続した回路を用いてい
る。このＭＯＳＦＥＴ５１及びダイオード５２は、それ
ぞれ図９に示すように、ＭＯＳＦＥＴパッケージ５３及
びダイオードパッケージ５４のようなパッケージ形状を
している。
【０００３】また、従来から、図１０に示すような電動
ドリルの回転速度を制御するためにトリガスイッチモジ
ュールが用いられている。このトリガスイッチモジュー
ルには、図１１（ａ）（ｂ）に示すように、一般に、ト
リガスイッチ５１と、この制御回路が内蔵された半導体
パッケージ５２と、抵抗値を変化させてドリルの回転速
度を変えるスライド抵抗５３と、断面がコの字形をした
放熱板１４等が備えられている。従来は、図１２に示す
ように、放熱板１４の内部に、ＭＯＳＦＥＴやダイオー
ドのパワー素子を含んだ半導体パッケージ５２を実装す
ることが行われている。
ドリルの回転速度を制御するためにトリガスイッチモジ
ュールが用いられている。このトリガスイッチモジュー
ルには、図１１（ａ）（ｂ）に示すように、一般に、ト
リガスイッチ５１と、この制御回路が内蔵された半導体
パッケージ５２と、抵抗値を変化させてドリルの回転速
度を変えるスライド抵抗５３と、断面がコの字形をした
放熱板１４等が備えられている。従来は、図１２に示す
ように、放熱板１４の内部に、ＭＯＳＦＥＴやダイオー
ドのパワー素子を含んだ半導体パッケージ５２を実装す
ることが行われている。
【０００４】また、上記図１２に示したものよりも放熱
性をより高め、実装面積を小さくして小型化するため
に、図１３に示すように、放熱板１４の内部に、モータ
駆動制御用のＭＯＳＦＥＴやダイオードを含んだ半導体
チップ１２とリード線接続用基板１３を実装し、これら
の上から充填剤１５を充填することが知られている。な
お、１６はワイヤ、１７はリード線である。また、図１
４に示すように、放熱板１４の外部に、ＭＯＳＦＥＴと
ダイオードを含んだ半導体チップ１２を実装することが
知られている。
性をより高め、実装面積を小さくして小型化するため
に、図１３に示すように、放熱板１４の内部に、モータ
駆動制御用のＭＯＳＦＥＴやダイオードを含んだ半導体
チップ１２とリード線接続用基板１３を実装し、これら
の上から充填剤１５を充填することが知られている。な
お、１６はワイヤ、１７はリード線である。また、図１
４に示すように、放熱板１４の外部に、ＭＯＳＦＥＴと
ダイオードを含んだ半導体チップ１２を実装することが
知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
８に示したような回路を、図９に示したパッケージ形状
の素子で組立てた場合、ＭＯＳＦＥＴパッケージ５３と
ダイオードパッケージ５４を基板等に取付ける工程がそ
れぞれに必要であり、組立て工数（取付け工数）が多く
なるといった問題がある。また、実装時の占有面積もＭ
ＯＳＦＥＴパッケージ５３とダイオードパッケージ５４
についてそれぞれ必要であり、占有面積が大きいといっ
た問題がある。
８に示したような回路を、図９に示したパッケージ形状
の素子で組立てた場合、ＭＯＳＦＥＴパッケージ５３と
ダイオードパッケージ５４を基板等に取付ける工程がそ
れぞれに必要であり、組立て工数（取付け工数）が多く
なるといった問題がある。また、実装時の占有面積もＭ
ＯＳＦＥＴパッケージ５３とダイオードパッケージ５４
についてそれぞれ必要であり、占有面積が大きいといっ
た問題がある。
【０００６】また、上記図１３に示した放熱板１４の内
部に半導体チップ１２を実装する方法は、放熱板１４の
内部の狭い場所に実装することが極めて困難であり、コ
スト高となる。上記図１４に示した放熱板１４の外部に
半導体チップ１２を実装する方法は、半導体チップ１２
が放熱板１４の外側になるので、外からの衝撃に弱く、
信頼性が低下する虞がある。
部に半導体チップ１２を実装する方法は、放熱板１４の
内部の狭い場所に実装することが極めて困難であり、コ
スト高となる。上記図１４に示した放熱板１４の外部に
半導体チップ１２を実装する方法は、半導体チップ１２
が放熱板１４の外側になるので、外からの衝撃に弱く、
信頼性が低下する虞がある。
【０００７】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたもので、モータ等の負荷を駆動制御するトラ
ンジスタと、該トランジスタを過負荷から保護するため
のダイオードとを一つのパッケージに実装することによ
り、組立て工数を少なくし、かつ、占有面積を小さくし
たモータドライバモジュールを提供することを目的とす
る。また、放熱板にパワー素子を実装するに際して、金
属基板を用い、あるいは、放熱板の外側に形成した凹形
部を用いることにより、パワー素子の実装が容易とな
り、信頼性の向上が図れるモータドライバモジュールを
提供することを目的とする。
になされたもので、モータ等の負荷を駆動制御するトラ
ンジスタと、該トランジスタを過負荷から保護するため
のダイオードとを一つのパッケージに実装することによ
り、組立て工数を少なくし、かつ、占有面積を小さくし
たモータドライバモジュールを提供することを目的とす
る。また、放熱板にパワー素子を実装するに際して、金
属基板を用い、あるいは、放熱板の外側に形成した凹形
部を用いることにより、パワー素子の実装が容易とな
り、信頼性の向上が図れるモータドライバモジュールを
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１の発明は、モータ等の負荷を駆動制御するト
ランジスタと、該トランジスタを過負荷から保護するた
めのダイオードとを含むモータドライバモジュールであ
って、上記トランジスタとダイオードとを一つのパッケ
ージに実装したモータドライバモジュールである。請求
項２の発明は、請求項１記載のモータドライバモジュー
ルにおいて、モータ駆動用のＨ型ブリッジ回路を含んだ
ものである。請求項３の発明は、請求項１記載のモータ
ドライバモジュールにおいて、３組のトランジスタとダ
イオードを含み、３相モータを駆動するために用いられ
たものである。
に請求項１の発明は、モータ等の負荷を駆動制御するト
ランジスタと、該トランジスタを過負荷から保護するた
めのダイオードとを含むモータドライバモジュールであ
って、上記トランジスタとダイオードとを一つのパッケ
ージに実装したモータドライバモジュールである。請求
項２の発明は、請求項１記載のモータドライバモジュー
ルにおいて、モータ駆動用のＨ型ブリッジ回路を含んだ
ものである。請求項３の発明は、請求項１記載のモータ
ドライバモジュールにおいて、３組のトランジスタとダ
イオードを含み、３相モータを駆動するために用いられ
たものである。
【０００９】請求項４の発明は、モータ駆動制御用のト
ランジスタとダイオードを含むパワー素子を実装してな
る金属基板を、放熱板の内側に搭載したモータドライバ
モジュールである。請求項５の発明は、モータ駆動制御
用のトランジスタとダイオードを含むパワー素子を、放
熱板の外側に形成した凹形部に実装したモータドライバ
モジュールである。請求項６の発明は、モータ駆動制御
用のトランジスタとダイオードを含むパワー素子を実装
してなる金属基板を、放熱板の外側に形成した凹形部に
搭載したモータドライバモジュールである。
ランジスタとダイオードを含むパワー素子を実装してな
る金属基板を、放熱板の内側に搭載したモータドライバ
モジュールである。請求項５の発明は、モータ駆動制御
用のトランジスタとダイオードを含むパワー素子を、放
熱板の外側に形成した凹形部に実装したモータドライバ
モジュールである。請求項６の発明は、モータ駆動制御
用のトランジスタとダイオードを含むパワー素子を実装
してなる金属基板を、放熱板の外側に形成した凹形部に
搭載したモータドライバモジュールである。
【００１０】
【作用】上記請求項１乃至３の構成によれば、一つのパ
ッケージにトランジスタとダイオードとが実装され、占
有面積を小さくすることができ、かつ、実装工数も少な
くて済む。上記請求項４乃至６の構成によれば、トラン
ジスタとダイオードを含むパワー素子を実装した金属基
板又はパワー素子が放熱板の内側又は放熱板に形成され
た凹形部に搭載され、放熱性能が良くなり、かつ、実装
面積も少なくて済む。
ッケージにトランジスタとダイオードとが実装され、占
有面積を小さくすることができ、かつ、実装工数も少な
くて済む。上記請求項４乃至６の構成によれば、トラン
ジスタとダイオードを含むパワー素子を実装した金属基
板又はパワー素子が放熱板の内側又は放熱板に形成され
た凹形部に搭載され、放熱性能が良くなり、かつ、実装
面積も少なくて済む。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を具体化した第１実施例につい
て図面を参照して説明する。図１はパッケージの内部構
造を示し、図２はパッケージの外形を示す。モータ等の
負荷を駆動制御するＭＯＳＦＥＴのベアチップ１と、Ｍ
ＯＳＦＥＴを過負荷から保護するためのダイオードのベ
アチップ２とは、同一のリードフレーム３上に搭載さ
れ、これらは図２に示すようなパッケージ４に内蔵され
ている。このパッケージ４の形状は、ＭＯＳＦＥＴの標
準パッケージとして知られているものと同等とすればよ
い。なお、上記ＭＯＳＦＥＴは、これだけに限られず、
モータ駆動用のトランジスタであればよい。
て図面を参照して説明する。図１はパッケージの内部構
造を示し、図２はパッケージの外形を示す。モータ等の
負荷を駆動制御するＭＯＳＦＥＴのベアチップ１と、Ｍ
ＯＳＦＥＴを過負荷から保護するためのダイオードのベ
アチップ２とは、同一のリードフレーム３上に搭載さ
れ、これらは図２に示すようなパッケージ４に内蔵され
ている。このパッケージ４の形状は、ＭＯＳＦＥＴの標
準パッケージとして知られているものと同等とすればよ
い。なお、上記ＭＯＳＦＥＴは、これだけに限られず、
モータ駆動用のトランジスタであればよい。
【００１２】このように、ＭＯＳＦＥＴとダイオードと
が一つのパッケージ４に実装されているので、占有面積
が１つの素子分で済み、占有面積を小さくすることがで
き、かつ、基板等への取付け工数を削減することができ
る。それに加えて、従来から使用されているＭＯＳＦＥ
Ｔ実装のためのスペースにパッケージ４を取付けること
が可能となり、さらに、パッケージ４に搭載するための
装置や治具をそのまま使用することができる。なお、Ｈ
型ブリッジ回路を一つのパッケージに実装し、このパッ
ケージによりモータを駆動するようにしてもよい。ま
た、３組のトランジスタとダイオードとを一つのパッケ
ージに実装し、このパッケージにより３相モータを駆動
するようにしてもよい。
が一つのパッケージ４に実装されているので、占有面積
が１つの素子分で済み、占有面積を小さくすることがで
き、かつ、基板等への取付け工数を削減することができ
る。それに加えて、従来から使用されているＭＯＳＦＥ
Ｔ実装のためのスペースにパッケージ４を取付けること
が可能となり、さらに、パッケージ４に搭載するための
装置や治具をそのまま使用することができる。なお、Ｈ
型ブリッジ回路を一つのパッケージに実装し、このパッ
ケージによりモータを駆動するようにしてもよい。ま
た、３組のトランジスタとダイオードとを一つのパッケ
ージに実装し、このパッケージにより３相モータを駆動
するようにしてもよい。
【００１３】次に、第２実施例について図３を参照して
説明する。本実施例は、上記図１３に示したＭＯＳＦＥ
Ｔやダイオード等のパワー素子の実装を容易にするため
になされたものである。一旦、金属基板１１の上に、モ
ータ駆動制御用のＭＯＳＦＥＴやダイオードを含んだ半
導体チップ１２（パワー素子）と、リード線接続用基板
１３とを実装してから、不図示の接着剤により金属基板
１１を放熱板１４に接着して、これらの上から充填剤１
５を充填している。このように、金属基板１１を用いる
ことにより、パワー素子の実装が容易に行える。
説明する。本実施例は、上記図１３に示したＭＯＳＦＥ
Ｔやダイオード等のパワー素子の実装を容易にするため
になされたものである。一旦、金属基板１１の上に、モ
ータ駆動制御用のＭＯＳＦＥＴやダイオードを含んだ半
導体チップ１２（パワー素子）と、リード線接続用基板
１３とを実装してから、不図示の接着剤により金属基板
１１を放熱板１４に接着して、これらの上から充填剤１
５を充填している。このように、金属基板１１を用いる
ことにより、パワー素子の実装が容易に行える。
【００１４】次に、上記第２実施例の変形例について図
４乃至図７を参照して説明する。従来の上記図１４で
は、ＭＯＳＦＥＴやダイオードを含んだ半導体チップ１
２等が断面コの字形の放熱板１４の外部に突出している
のに対して、本変形例の図４では、チップ等の外部突出
を防止するために、放熱板１４の上面が凹形に加工さ
れ、この形成された凹形部に半導体チップ１２等が実装
されている。このような構成にすることにより、ＭＯＳ
ＦＥＴやダイオード等のパワー素子が放熱板の外に突出
するのを防止でき、信頼性が向上する。
４乃至図７を参照して説明する。従来の上記図１４で
は、ＭＯＳＦＥＴやダイオードを含んだ半導体チップ１
２等が断面コの字形の放熱板１４の外部に突出している
のに対して、本変形例の図４では、チップ等の外部突出
を防止するために、放熱板１４の上面が凹形に加工さ
れ、この形成された凹形部に半導体チップ１２等が実装
されている。このような構成にすることにより、ＭＯＳ
ＦＥＴやダイオード等のパワー素子が放熱板の外に突出
するのを防止でき、信頼性が向上する。
【００１５】図５は、放熱板１４の上面が上記図４と同
様に凹形に加工されていて、この凹形部に、半導体チッ
プ１２等が実装された金属基板１１を接着剤により接着
している。このようにすることにより、上記図４の効果
に加えて、ＭＯＳＦＥＴやダイオード等のパワー素子の
実装が容易に行える。
様に凹形に加工されていて、この凹形部に、半導体チッ
プ１２等が実装された金属基板１１を接着剤により接着
している。このようにすることにより、上記図４の効果
に加えて、ＭＯＳＦＥＴやダイオード等のパワー素子の
実装が容易に行える。
【００１６】また、上記図３では接着剤により金属基板
１１を放熱板１４に接着したのに対して、図６では、ビ
ス又はリベット１８等で金属基板１１を放熱板１４に固
定している。こうすることにより、より熱伝導性を高め
た構造とすることができる。
１１を放熱板１４に接着したのに対して、図６では、ビ
ス又はリベット１８等で金属基板１１を放熱板１４に固
定している。こうすることにより、より熱伝導性を高め
た構造とすることができる。
【００１７】さらに、上記図５では接着剤により金属基
板１１を放熱板１４の凹形部に接着したのに対して、図
７では、ビス又はリベット１８等で金属基板１１を放熱
板１４の凹形部に固定している。こうすることにより、
より熱伝導性を高めた構造とすることができる。
板１１を放熱板１４の凹形部に接着したのに対して、図
７では、ビス又はリベット１８等で金属基板１１を放熱
板１４の凹形部に固定している。こうすることにより、
より熱伝導性を高めた構造とすることができる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように請求項１乃至３の発明によ
れば、モータ等の負荷を駆動制御するトランジスタとダ
イオードとを一つのパッケージに実装したモジュールと
しているので、占有面積を小さくすることができ、か
つ、基板等への取付け工数を削減することができる。ま
た、このモジュールを、従来の標準パッケージが取付け
られていたスペースにそのまま取付けることが可能とな
る。さらに、従来の標準パッケージに取付けるための装
置や治具をそのまま使用することができ、新たに取付け
部材を用意する必要がなくなる。また、モータ駆動用の
Ｈ型ブリッジ回路を一つのパッケージに実装しても、上
記と同様の効果が得られる。また、３相モータを駆動す
るために３組のトランジスタとダイオードとを一つのパ
ッケージに実装しても、上記と同様の効果が得られる。
れば、モータ等の負荷を駆動制御するトランジスタとダ
イオードとを一つのパッケージに実装したモジュールと
しているので、占有面積を小さくすることができ、か
つ、基板等への取付け工数を削減することができる。ま
た、このモジュールを、従来の標準パッケージが取付け
られていたスペースにそのまま取付けることが可能とな
る。さらに、従来の標準パッケージに取付けるための装
置や治具をそのまま使用することができ、新たに取付け
部材を用意する必要がなくなる。また、モータ駆動用の
Ｈ型ブリッジ回路を一つのパッケージに実装しても、上
記と同様の効果が得られる。また、３相モータを駆動す
るために３組のトランジスタとダイオードとを一つのパ
ッケージに実装しても、上記と同様の効果が得られる。
【００１９】請求項４の発明によれば、モータ駆動制御
用のパワー素子を金属基板に実装してから、この金属基
板を放熱板の内側に搭載するので、パワー素子の実装が
容易となる。請求項５の発明によれば、放熱板の外側に
形成した凹形部にモータ駆動制御用のパワー素子を実装
するので、パワー素子が放熱板の外側に突出することが
なくなり、信頼性の向上が図れる。請求項６の発明によ
れば、モータ駆動制御用のパワー素子を金属基板に実装
してから、放熱板の外側に形成した凹形部に金属基板を
搭載するので、パワー素子が放熱板の外側に突出するこ
とがなくなり、信頼性が向上すると共に、パワー素子の
実装が容易となる。
用のパワー素子を金属基板に実装してから、この金属基
板を放熱板の内側に搭載するので、パワー素子の実装が
容易となる。請求項５の発明によれば、放熱板の外側に
形成した凹形部にモータ駆動制御用のパワー素子を実装
するので、パワー素子が放熱板の外側に突出することが
なくなり、信頼性の向上が図れる。請求項６の発明によ
れば、モータ駆動制御用のパワー素子を金属基板に実装
してから、放熱板の外側に形成した凹形部に金属基板を
搭載するので、パワー素子が放熱板の外側に突出するこ
とがなくなり、信頼性が向上すると共に、パワー素子の
実装が容易となる。
【図１】本発明の第１実施例によるモータドライバモジ
ュールの分解図である。
ュールの分解図である。
【図２】上記モジュールの斜視図である。
【図３】第２実施例によるモータドライバモジュールの
側断面図である。
側断面図である。
【図４】変形例によるモータドライバモジュールの側断
面図である。
面図である。
【図５】別の変形例によるモータドライバモジュールの
側断面図である。
側断面図である。
【図６】さらに別の変形例によるモータドライバモジュ
ールの側断面図である。
ールの側断面図である。
【図７】他の変形例によるモータドライバモジュールの
側断面図である。
側断面図である。
【図８】ＭＯＳＦＥＴとダイオードの回路図である。
【図９】従来のＭＯＳＦＥＴとダイオードの各パッケー
ジの斜視図である。
ジの斜視図である。
【図１０】モータドライバモジュールが搭載された一例
としての電動ドリルの側面図である。
としての電動ドリルの側面図である。
【図１１】（ａ）（ｂ）は同電動ドリルにおけるトリガ
スイッチモジュールの正面図及び側面図である。
スイッチモジュールの正面図及び側面図である。
【図１２】従来のモータドライバモジュールの側面図で
ある。
ある。
【図１３】従来のモータドライバモジュールの他の例を
示す側断面図である。
示す側断面図である。
【図１４】従来のモータドライバモジュールのさらに別
の例を示す側断面図である。
の例を示す側断面図である。
１ ＭＯＳＦＥＴのベアチップ ２ ダイオードのベアチップ ４ パッケージ １１ 金属基板 １２ 半導体チップ（パワー素子） １４ 放熱板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/58
Claims (6)
- 【請求項１】 モータ等の負荷を駆動制御するトランジ
スタと、該トランジスタを過負荷から保護するためのダ
イオードとを含むモータドライバモジュールであって、
上記トランジスタとダイオードとを一つのパッケージに
実装したことを特徴とするモータドライバモジュール。 - 【請求項２】 モータ駆動用のＨ型ブリッジ回路を含ん
だことを特徴とする請求項１記載のモータドライバモジ
ュール。 - 【請求項３】 ３組のトランジスタとダイオードを含
み、３相モータを駆動するために用いられたことを特徴
とする請求項１記載のモータドライバモジュール。 - 【請求項４】 モータ駆動制御用のトランジスタとダイ
オードを含むパワー素子を実装してなる金属基板を、放
熱板の内側に搭載したことを特徴とするモータドライバ
モジュール。 - 【請求項５】 モータ駆動制御用のトランジスタとダイ
オードを含むパワー素子を、放熱板の外側に形成した凹
形部に実装したことを特徴とするモータドライバモジュ
ール。 - 【請求項６】 モータ駆動制御用のトランジスタとダイ
オードを含むパワー素子を実装してなる金属基板を、放
熱板の外側に形成した凹形部に搭載したことを特徴とす
るモータドライバモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5303437A JPH07130927A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | モータドライバモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5303437A JPH07130927A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | モータドライバモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130927A true JPH07130927A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17920997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5303437A Withdrawn JPH07130927A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | モータドライバモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07130927A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6133632A (en) * | 1996-10-24 | 2000-10-17 | International Rectifier Corp. | Commonly housed diverse semiconductor die |
| WO2007119596A1 (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-25 | Max Co., Ltd. | 電動工具 |
| WO2008088017A1 (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-24 | Max Co., Ltd. | ブラシレスモータを備えた電動工具 |
-
1993
- 1993-11-08 JP JP5303437A patent/JPH07130927A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6133632A (en) * | 1996-10-24 | 2000-10-17 | International Rectifier Corp. | Commonly housed diverse semiconductor die |
| US6297552B1 (en) * | 1996-10-24 | 2001-10-02 | International Rectifier Corp. | Commonly housed diverse semiconductor die |
| US6404050B2 (en) * | 1996-10-24 | 2002-06-11 | International Rectifier Corporation | Commonly housed diverse semiconductor |
| WO2007119596A1 (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-25 | Max Co., Ltd. | 電動工具 |
| WO2008088017A1 (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-24 | Max Co., Ltd. | ブラシレスモータを備えた電動工具 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010130 |