JPH07130613A - 半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置Info
- Publication number
- JPH07130613A JPH07130613A JP5178565A JP17856593A JPH07130613A JP H07130613 A JPH07130613 A JP H07130613A JP 5178565 A JP5178565 A JP 5178565A JP 17856593 A JP17856593 A JP 17856593A JP H07130613 A JPH07130613 A JP H07130613A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- air
- chamber
- exposure apparatus
- gaseous chemical
- conditioner room
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 チャンバ内に取り込まれるガス状化学物質を
除去する。 【構成】 露光装置本体と、これが内部に配置されたチ
ャンバ１と、このチャンバの空調を行う空調機室１０と
を備えた半導体露光装置において、前記空調機室を経て
チャンバに供給される空気の通る経路上に、その空気に
含まれるガス状化学物質を除去する装置ｃｆを設ける。
除去する。 【構成】 露光装置本体と、これが内部に配置されたチ
ャンバ１と、このチャンバの空調を行う空調機室１０と
を備えた半導体露光装置において、前記空調機室を経て
チャンバに供給される空気の通る経路上に、その空気に
含まれるガス状化学物質を除去する装置ｃｆを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導
体素子の製造過程で使用される半導体露光装置に関し、
特に放電灯等のランプやレーザを光源とする光源装置や
照明装置と露光装置本体を取り囲む空調用チャンバとを
備えた半導体露光装置に関するものである。
体素子の製造過程で使用される半導体露光装置に関し、
特に放電灯等のランプやレーザを光源とする光源装置や
照明装置と露光装置本体を取り囲む空調用チャンバとを
備えた半導体露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】まず、従来の半導体露光装置を説明す
る。図２は従来例に係るステッパの構成要素とその全体
配置の概要を示す構成図である。図中、２はホト原版
（以下、レチクルという）、３が半導体基板（以下、ウ
エハという）である。光源装置４から出た光束が照明光
学系５を通ってレチクル２を照明するとき、投影レンズ
６によりレチクル２上のパターンをウエハ３上の感光層
に転写することができる。光源装置４は例えば光源とし
ての超高圧水銀灯と楕円鏡やレンズ等の光学部材で構成
され、また例えば光源としてのエキシマレーザとレーザ
ビームを所定の形状に形成する光学系で構成されてい
る。レチクル２はレチクル２を保持、移動するためのレ
チクルステージ７により支持されている。ウエハ３はウ
エハチャック９１により真空吸着された状態で露光され
る。ウエハチャック９１はウエハステージ９により各軸
方向に移動可能である。レチクル２の上側にはレチクル
の位置ずれ量を検出するためのレチクル光学系８１が配
置される。ウエハステージ９の上方に、投影レンズ６に
隣接してオフアクシス顕微鏡８２が配置されている。オ
フアクシス顕微鏡８２は非露光光（白色光）を扱う単眼
の顕微鏡であり、内部の基準マークとウエハ３上のアラ
イメントマークとの相対位置検出を行なうのが主たる役
割である。また、これらステッパ本体に隣接して周辺装
置であるレチクルライブラリ２０やウエハキャリアエレ
ベータ３０が配置され、必要なレチクルやウエハはレチ
クル搬送装置２１およびウエハ搬送装置３１によってス
テッパ本体に搬送される。
る。図２は従来例に係るステッパの構成要素とその全体
配置の概要を示す構成図である。図中、２はホト原版
（以下、レチクルという）、３が半導体基板（以下、ウ
エハという）である。光源装置４から出た光束が照明光
学系５を通ってレチクル２を照明するとき、投影レンズ
６によりレチクル２上のパターンをウエハ３上の感光層
に転写することができる。光源装置４は例えば光源とし
ての超高圧水銀灯と楕円鏡やレンズ等の光学部材で構成
され、また例えば光源としてのエキシマレーザとレーザ
ビームを所定の形状に形成する光学系で構成されてい
る。レチクル２はレチクル２を保持、移動するためのレ
チクルステージ７により支持されている。ウエハ３はウ
エハチャック９１により真空吸着された状態で露光され
る。ウエハチャック９１はウエハステージ９により各軸
方向に移動可能である。レチクル２の上側にはレチクル
の位置ずれ量を検出するためのレチクル光学系８１が配
置される。ウエハステージ９の上方に、投影レンズ６に
隣接してオフアクシス顕微鏡８２が配置されている。オ
フアクシス顕微鏡８２は非露光光（白色光）を扱う単眼
の顕微鏡であり、内部の基準マークとウエハ３上のアラ
イメントマークとの相対位置検出を行なうのが主たる役
割である。また、これらステッパ本体に隣接して周辺装
置であるレチクルライブラリ２０やウエハキャリアエレ
ベータ３０が配置され、必要なレチクルやウエハはレチ
クル搬送装置２１およびウエハ搬送装置３１によってス
テッパ本体に搬送される。
【０００３】このステッパ本体や周辺装置の空調には、
装置全体を囲むチャンバが使用されている。このチャン
バ１は、主に空気の温度調節を行なう空調機室１０およ
び微小異物を濾過し清浄空気の均一な流れを形成するフ
ィルタボックス１３、また装置環境を外部と遮断するブ
ース１４で構成されている。このチャンバ１内では、空
調機室１０内にある冷却器１５および再熱ヒーター１６
により温度調節された空気が、送風機１７によりエアフ
ィルタｇを介してブース１４内に供給される。このブー
ス１４に供給された空気はリターン口ｒａより再度空調
機室１０に取り込まれチャンバ１内を循環する。通常、
このチャンバ１は厳密には完全な循環系ではなく、ブー
ス１４内を常時陽圧に保つため循環空気量の約１割のブ
ース１４外の空気を空調機室１０に設けられた外気導入
口ｏａより送風機を介して導入している。もちろん後述
するように光源装置４等の冷却のためブース１４内の空
気の一部を工場設備に強制排気する場合はこの排気流量
に見合う量の外気導入が付加される。ブース１４内を陽
圧に保つ理由は、ブース１４にある微小な隙間を通して
ブース１４外より微小異物がブース１４内に侵入するの
を防止するためである。このようにしてチャンバ１は本
装置の置かれる環境温度を一定に保ち、かつ空気を清浄
に保つことを可能にしている。また光源装置４には超高
圧水銀灯の冷却やレーザ異常時の有毒ガス発生に備えて
吸気口ｓａと排気口ｅａが設けられ、ブース１４内の空
気の一部が光源装置４を経由し、空調機室１０に備えら
れた専用の排気ファンを介して工場設備に強制排気され
ている。
装置全体を囲むチャンバが使用されている。このチャン
バ１は、主に空気の温度調節を行なう空調機室１０およ
び微小異物を濾過し清浄空気の均一な流れを形成するフ
ィルタボックス１３、また装置環境を外部と遮断するブ
ース１４で構成されている。このチャンバ１内では、空
調機室１０内にある冷却器１５および再熱ヒーター１６
により温度調節された空気が、送風機１７によりエアフ
ィルタｇを介してブース１４内に供給される。このブー
ス１４に供給された空気はリターン口ｒａより再度空調
機室１０に取り込まれチャンバ１内を循環する。通常、
このチャンバ１は厳密には完全な循環系ではなく、ブー
ス１４内を常時陽圧に保つため循環空気量の約１割のブ
ース１４外の空気を空調機室１０に設けられた外気導入
口ｏａより送風機を介して導入している。もちろん後述
するように光源装置４等の冷却のためブース１４内の空
気の一部を工場設備に強制排気する場合はこの排気流量
に見合う量の外気導入が付加される。ブース１４内を陽
圧に保つ理由は、ブース１４にある微小な隙間を通して
ブース１４外より微小異物がブース１４内に侵入するの
を防止するためである。このようにしてチャンバ１は本
装置の置かれる環境温度を一定に保ち、かつ空気を清浄
に保つことを可能にしている。また光源装置４には超高
圧水銀灯の冷却やレーザ異常時の有毒ガス発生に備えて
吸気口ｓａと排気口ｅａが設けられ、ブース１４内の空
気の一部が光源装置４を経由し、空調機室１０に備えら
れた専用の排気ファンを介して工場設備に強制排気され
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例では、長期間にわたり装置を運転させると、そ
の結果、光源装置４や照明光学系５内に配置されている
ミラーやレンズ等の光学部材が曇ってしまい、露光光の
照度劣化によって装置の歩留りが低下するという問題が
ある。この曇りの発生する場所を調査したところ、いず
れも光源の発光部や光学系によって集光された光のエネ
ルギー強度の高い位置に近接して配置された光学部材で
あることが判明した。また装置の生産性向上のため露光
光の照度を年々増加させている状況の中で投影レンズ６
等の曇りの発生も容易に予想できる。
記従来例では、長期間にわたり装置を運転させると、そ
の結果、光源装置４や照明光学系５内に配置されている
ミラーやレンズ等の光学部材が曇ってしまい、露光光の
照度劣化によって装置の歩留りが低下するという問題が
ある。この曇りの発生する場所を調査したところ、いず
れも光源の発光部や光学系によって集光された光のエネ
ルギー強度の高い位置に近接して配置された光学部材で
あることが判明した。また装置の生産性向上のため露光
光の照度を年々増加させている状況の中で投影レンズ６
等の曇りの発生も容易に予想できる。
【０００５】ところで、特開平４−１２８７０２号や特
開平４−１３９４５３号にも開示されているように、こ
の曇りの物質の多くが硫酸アンモニウム(NH4)2SO4 であ
ることが判明している。この硫酸アンモニウム(NH4)2SO
4 の発生源としてはウエハと感光剤の密着強化剤として
使われるHMDS（ヘキサメチルジシラザン）や建築物内の
コンクリートから発生するアンモニア蒸気(NH3) 、ウエ
ハ上の感光剤を剥離するために使用される硫酸(H2SO4)
等が考えられる。クリーンルーム内の空気中にはこれら
のガス状化学物質が拡散しており、ステッパを囲むチャ
ンバ１の外気導入口ｏａよりチャンバ１内へ常時これら
化学物質が取り込まれる結果、光源装置４や照明光学系
５内の雰囲気中に存在する低濃度のアンモニア蒸気(N
H3) やアンモニウムイオン(NH4 +)と硫酸蒸気(H2SO4) や
硫酸イオン(SO4 2-) が、ある一定以上の熱や光エネルギ
ーにより反応し、付近にある比較的低温な光学部材表面
で硫酸アンモニウムとして結合・析出するものと考えら
れる。もちろんチャンバ１内にある除塵用のエアフィル
タｇでは、これらガス状の化学物質を除去することはで
きない。
開平４−１３９４５３号にも開示されているように、こ
の曇りの物質の多くが硫酸アンモニウム(NH4)2SO4 であ
ることが判明している。この硫酸アンモニウム(NH4)2SO
4 の発生源としてはウエハと感光剤の密着強化剤として
使われるHMDS（ヘキサメチルジシラザン）や建築物内の
コンクリートから発生するアンモニア蒸気(NH3) 、ウエ
ハ上の感光剤を剥離するために使用される硫酸(H2SO4)
等が考えられる。クリーンルーム内の空気中にはこれら
のガス状化学物質が拡散しており、ステッパを囲むチャ
ンバ１の外気導入口ｏａよりチャンバ１内へ常時これら
化学物質が取り込まれる結果、光源装置４や照明光学系
５内の雰囲気中に存在する低濃度のアンモニア蒸気(N
H3) やアンモニウムイオン(NH4 +)と硫酸蒸気(H2SO4) や
硫酸イオン(SO4 2-) が、ある一定以上の熱や光エネルギ
ーにより反応し、付近にある比較的低温な光学部材表面
で硫酸アンモニウムとして結合・析出するものと考えら
れる。もちろんチャンバ１内にある除塵用のエアフィル
タｇでは、これらガス状の化学物質を除去することはで
きない。
【０００６】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、半導体露光装置において、チャンバ内に取
り込まれるガス状化学物質を除去することにある。
題点に鑑み、半導体露光装置において、チャンバ内に取
り込まれるガス状化学物質を除去することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、露光装置本体と、これが内部に配置された
チャンバと、このチャンバの空調を行う空調機室とを備
えた半導体露光装置において、前記空調機室を経てチャ
ンバに供給される空気の通る経路上に、その空気に含ま
れるガス状化学物質を除去する装置を設けるようにして
いる。このガス状化学物質除去装置は、空調機室への外
気導入口に設け、導入される外気に含まれるガス状化学
物質を除去するようにしても良い。
本発明では、露光装置本体と、これが内部に配置された
チャンバと、このチャンバの空調を行う空調機室とを備
えた半導体露光装置において、前記空調機室を経てチャ
ンバに供給される空気の通る経路上に、その空気に含ま
れるガス状化学物質を除去する装置を設けるようにして
いる。このガス状化学物質除去装置は、空調機室への外
気導入口に設け、導入される外気に含まれるガス状化学
物質を除去するようにしても良い。
【０００８】ガス状化学物質除去装置としては、例え
ば、化学吸着フィルタを用いることができる。また、こ
れによって除去されるガス状化学物質は少なくともＮＨ
4 +またはＳＯ4 2- を含む。
ば、化学吸着フィルタを用いることができる。また、こ
れによって除去されるガス状化学物質は少なくともＮＨ
4 +またはＳＯ4 2- を含む。
【０００９】
【作用】この構成において、チャンバ内の空気が空調機
室を経て循環する間に、空調機室内で循環空気の温度調
節等が行われるが、その際、空調機室に取り込まれる空
気は、ガス状化学物質除去装置を通過し、アンモニウム
イオン(NH4 +)や硫酸イオン(SO4 2-) 等のガス状化学物質
が除去される。したがって、(NH4)2SO4 の生成等が防止
され、このようなガス状化学物質に起因する、露光装置
本体の光学部材の白濁が防止され、したがって、露光光
の照度劣化が最小限に抑えられて、装置の初期の歩留り
が長期間維持される。
室を経て循環する間に、空調機室内で循環空気の温度調
節等が行われるが、その際、空調機室に取り込まれる空
気は、ガス状化学物質除去装置を通過し、アンモニウム
イオン(NH4 +)や硫酸イオン(SO4 2-) 等のガス状化学物質
が除去される。したがって、(NH4)2SO4 の生成等が防止
され、このようなガス状化学物質に起因する、露光装置
本体の光学部材の白濁が防止され、したがって、露光光
の照度劣化が最小限に抑えられて、装置の初期の歩留り
が長期間維持される。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明を半導体露光装置の１つであ
るステッパに適用した実施例を示す。同図に示すよう
に、この装置は、空気中の化学物質を除去するための化
学吸着フィルタｃｆを、空調機室１０の外気導入口ｏａ
およびリターン口ｒａにそれぞれ接続して備えている。
他の構成は、図２の装置と同様である。
るステッパに適用した実施例を示す。同図に示すよう
に、この装置は、空気中の化学物質を除去するための化
学吸着フィルタｃｆを、空調機室１０の外気導入口ｏａ
およびリターン口ｒａにそれぞれ接続して備えている。
他の構成は、図２の装置と同様である。
【００１１】外気導入口ｏａおよびリターン口ｒａより
空調機室１０に取り込まれた空気は化学吸着フィルタｃ
ｆによりアンモニウムイオン(NH4 +)や硫酸イオン(S
O4 2-) 等のガス状の化学物質が除去され、空調機室１０
内にある冷却器１５および再熱ヒータ１６により温度調
節されて、送風機１７によりエアフィルタｇを介してブ
ース１４内に供給される。
空調機室１０に取り込まれた空気は化学吸着フィルタｃ
ｆによりアンモニウムイオン(NH4 +)や硫酸イオン(S
O4 2-) 等のガス状の化学物質が除去され、空調機室１０
内にある冷却器１５および再熱ヒータ１６により温度調
節されて、送風機１７によりエアフィルタｇを介してブ
ース１４内に供給される。
【００１２】ところで、化学吸着フィルタｃｆは粒状の
活性炭や活性アルミナまたは活性炭微粒子等に除去対象
となるガス状化学物質を中和するに有効な中和剤を添着
させた化学吸着剤を主材料とするものである。したがっ
て、化学吸着フィルタｃｆを通過する空気に含まれるガ
ス状化学物質は、この化学吸着剤表面に吸着した後、中
和剤と反応して中和、固定される。従って化学吸着フィ
ルタｃｆを通過する空気中には特定のガス状化学物質が
ほとんど含まれなくなる。
活性炭や活性アルミナまたは活性炭微粒子等に除去対象
となるガス状化学物質を中和するに有効な中和剤を添着
させた化学吸着剤を主材料とするものである。したがっ
て、化学吸着フィルタｃｆを通過する空気に含まれるガ
ス状化学物質は、この化学吸着剤表面に吸着した後、中
和剤と反応して中和、固定される。従って化学吸着フィ
ルタｃｆを通過する空気中には特定のガス状化学物質が
ほとんど含まれなくなる。
【００１３】図１の装置においては、化学吸着フィルタ
ｃｆは空調機室１０の外気導入口ｏａおよびリターン口
ｒａにそれぞれ接続されているが、この化学吸着フィル
タの配置場所は、ブース１４内に供給される空気の通路
上であれば空調機室１０内のいずれでも良いことは自明
である。
ｃｆは空調機室１０の外気導入口ｏａおよびリターン口
ｒａにそれぞれ接続されているが、この化学吸着フィル
タの配置場所は、ブース１４内に供給される空気の通路
上であれば空調機室１０内のいずれでも良いことは自明
である。
【００１４】また、化学吸着フィルタｃｆを空調機室１
０の外気導入口ｏａのみに接続することもコストダウン
につながる有効な手段である。一般に、ステッパに使用
されるチャンバ１においてはブース１４内のステッパ本
体を除く空間容積は大きくても６ｍ3 程度であり、これ
に対してブース１４内への外気導入量は少なくとも常時
２ｍ3 ／ｍｉｎ程度である。すなわち、ステッパをクリ
ーンルーム内に設置する瞬間にチャンバ１内に存在する
ガス状化学物質の量は、チャンバを運転することにより
常時取り込まれるガス状化学物質の量に較べ非常に微量
であるといえる。クリーンルーム内のガス濃度による
が、実績ではステッパにおける光学部材の曇りは装置を
数か月間オーダーで運転して初めて顕在化することから
も、設置初期のチャンバ１内に存在するガス状化学物質
の量は無視できると考えられる。
０の外気導入口ｏａのみに接続することもコストダウン
につながる有効な手段である。一般に、ステッパに使用
されるチャンバ１においてはブース１４内のステッパ本
体を除く空間容積は大きくても６ｍ3 程度であり、これ
に対してブース１４内への外気導入量は少なくとも常時
２ｍ3 ／ｍｉｎ程度である。すなわち、ステッパをクリ
ーンルーム内に設置する瞬間にチャンバ１内に存在する
ガス状化学物質の量は、チャンバを運転することにより
常時取り込まれるガス状化学物質の量に較べ非常に微量
であるといえる。クリーンルーム内のガス濃度による
が、実績ではステッパにおける光学部材の曇りは装置を
数か月間オーダーで運転して初めて顕在化することから
も、設置初期のチャンバ１内に存在するガス状化学物質
の量は無視できると考えられる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、空調機室を経てチャンバ
に供給される空気の通る経路上に、その空気に含まれる
ガス状化学物質を除去する装置、例えば化学吸着フィル
タを設けるようにしたため、アンモニウムイオン(NH4 +)
や硫酸イオン(SO4 2-) をはじめとするガス状化学物質が
除去された空気をチャンバ内に供給することができる。
これにより、チャンバ内の空気に接する光源装置や照明
光学系内の光学部材を白濁させる原因となる(NH4)2SO4
の生成を防止して露光光の照度劣化を最小限に抑えるこ
とができ、したがって、半導体露光装置の初期歩留りを
長期間維持することが可能となる。
に供給される空気の通る経路上に、その空気に含まれる
ガス状化学物質を除去する装置、例えば化学吸着フィル
タを設けるようにしたため、アンモニウムイオン(NH4 +)
や硫酸イオン(SO4 2-) をはじめとするガス状化学物質が
除去された空気をチャンバ内に供給することができる。
これにより、チャンバ内の空気に接する光源装置や照明
光学系内の光学部材を白濁させる原因となる(NH4)2SO4
の生成を防止して露光光の照度劣化を最小限に抑えるこ
とができ、したがって、半導体露光装置の初期歩留りを
長期間維持することが可能となる。
【図１】 本発明の一実施例に係る半導体露光装置の構
成図である。
成図である。
【図２】 従来例に係る半導体露光装置の構成図であ
る。
る。
１：チャンバ、２：レチクル、３：ウエハ、４：光源装
置、５：照明光学系、６：投影レンズ、７：レチクルス
テージ、９：ウエハステージ、８１：レチクル顕微鏡、
８２：オフアクシス顕微鏡、１０：空調機室、１３：フ
ィルタボックス、１４：ブース、１７：送風機、ｇ：エ
アフィルタ、ｃｆ：化学吸着フィルタ、ｏａ：外気導入
口、ｒａ：リターン口。
置、５：照明光学系、６：投影レンズ、７：レチクルス
テージ、９：ウエハステージ、８１：レチクル顕微鏡、
８２：オフアクシス顕微鏡、１０：空調機室、１３：フ
ィルタボックス、１４：ブース、１７：送風機、ｇ：エ
アフィルタ、ｃｆ：化学吸着フィルタ、ｏａ：外気導入
口、ｒａ：リターン口。
Claims (4)
- 【請求項１】 露光装置本体と、これが内部に配置され
たチャンバと、このチャンバの空調を行う空調機室とを
備えた半導体露光装置において、前記空調機室を経てチ
ャンバに供給される空気の通る経路上に、その空気に含
まれるガス状化学物質を除去する装置を設けたことを特
徴とする半導体露光装置。 - 【請求項２】 露光装置本体と、これが内部に配置され
たチャンバと、導入口を経て外気を導入しつつ前記チャ
ンバの空調を行う空調機室とを備えた半導体露光装置に
おいて、前記導入口に、導入される外気に含まれるガス
状化学物質を除去する装置を設けたことを特徴とする半
導体露光装置。 - 【請求項３】 前記ガス状化学物質除去装置が化学吸着
フィルタであることを特徴とする請求項１または２に記
載の半導体露光装置。 - 【請求項４】 ガス状化学物質は少なくともＮＨ4 +また
はＳＯ4 2- を含むものであることを特徴とする請求項１
〜３いずれかに記載の半導体露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5178565A JP3061980B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5178565A JP3061980B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130613A true JPH07130613A (ja) | 1995-05-19 |
| JP3061980B2 JP3061980B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=16050708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5178565A Expired - Lifetime JP3061980B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3061980B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000074118A1 (fr) * | 1999-05-27 | 2000-12-07 | Nikon Corporation | Systeme d'exposition, procede de dispositif de fabrication, et procede de traitement ecologique du systeme d'exposition |
| US6356338B2 (en) | 1998-01-08 | 2002-03-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor production system with an in-line subsystem |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP5178565A patent/JP3061980B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6356338B2 (en) | 1998-01-08 | 2002-03-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor production system with an in-line subsystem |
| WO2000074118A1 (fr) * | 1999-05-27 | 2000-12-07 | Nikon Corporation | Systeme d'exposition, procede de dispositif de fabrication, et procede de traitement ecologique du systeme d'exposition |
| US6784972B2 (en) | 1999-05-27 | 2004-08-31 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, device manufacturing method and environmental control method of exposure apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3061980B2 (ja) | 2000-07-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5430303A (en) | Exposure apparatus | |
| US7186285B2 (en) | Chemical filter arrangement for a semiconductor manufacturing apparatus | |
| US6224248B1 (en) | Light-source device and exposure apparatus | |
| US6356338B2 (en) | Semiconductor production system with an in-line subsystem | |
| WO2004108252A1 (ja) | フィルタ装置及び露光装置並びにデバイスの製造方法 | |
| US7455880B2 (en) | Optical element fabrication method, optical element, exposure apparatus, device fabrication method | |
| JPH11204411A (ja) | 塗布現像露光装置 | |
| US20020050572A1 (en) | Exposure apparatus, device manufacturing method and environmental control method of exposure apparatus | |
| US7760323B2 (en) | Exposure apparatus and method of manufacturing device | |
| JP3061980B2 (ja) | 半導体露光装置 | |
| JP3265666B2 (ja) | 露光装置 | |
| US5701169A (en) | Illumination system and exposure apparatus with demountable transparent protective member | |
| JPH08306599A (ja) | 空気浄化装置及び露光装置 | |
| JPH10106939A (ja) | 露光システムおよび基板搬送方法 | |
| US20030136512A1 (en) | Device manufacturing-related apparatus, reticle, and device manufacturing method | |
| JPH11111593A (ja) | 環境制御装置 | |
| JP4174239B2 (ja) | ガス供給装置、露光システムおよびデバイス製造方法 | |
| WO2002053267A1 (fr) | Element de filtre de ventilateur, dispositif d'exposition et leur procede de fabrication | |
| JP3633086B2 (ja) | 空調装置及びそれを備えた露光装置 | |
| JP3550627B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2005101018A (ja) | 露光システム、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP3550626B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2010067904A (ja) | 露光装置 | |
| JPH09275053A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR20070016226A (ko) | 노광설비 |