JPH0712715B2 - LED array structure - Google Patents
LED array structureInfo
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- JPH0712715B2 JPH0712715B2 JP17846589A JP17846589A JPH0712715B2 JP H0712715 B2 JPH0712715 B2 JP H0712715B2 JP 17846589 A JP17846589 A JP 17846589A JP 17846589 A JP17846589 A JP 17846589A JP H0712715 B2 JPH0712715 B2 JP H0712715B2
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- led array
- led
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- conductive paste
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Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は、ホトプリンタ等に適用される発光ダイオー
ド（以下LEDという）アレイ構造物に関し、詳しく言え
ば、ワイヤボンディングの不良を生じにくくする構造に
関する。The present invention relates to a light emitting diode (hereinafter referred to as LED) array structure applied to a photo printer or the like, and more specifically, to prevent defective wire bonding. Regarding the structure.
（ロ）従来の技術 LEDアレイは、例えばホトプリンタのLEDヘッドに使用さ
れ、第７図は、このLEDヘッドの一例を示す斜視図であ
る。22は、セラミック基板であり、このセラミック基板
22上にはLEDアレイ11、…、11がそれらの拡散領域列が
一直線になるようにダイボンディングされている。23、
…、23は、LEDアレイ11、…、11の駆動用ICである。セ
ラミック基板22上には、図示しない配線パターンが形成
されており、これら配線パターンとLEDアレイ11及びこ
れら配線パターンと駆動用IC23とをワイヤ（図示せず）
でボンディングすることにより、LEDアレイ11、…、11
と駆動用IC23、…、23間が電気的に接続される。24は、
LEDアレイ11、…、11、駆動用IC23、…23及びワイヤを
被覆保護するエポキシ樹脂である。(B) Conventional Technology The LED array is used for an LED head of a photo printer, for example, and FIG. 7 is a perspective view showing an example of this LED head. 22 is a ceramic substrate, this ceramic substrate
The LED arrays 11, ..., 11 are die-bonded on 22 so that their diffusion region rows are aligned. twenty three,
23 are driving ICs for the LED arrays 11 ,. Wiring patterns (not shown) are formed on the ceramic substrate 22, and these wiring patterns, the LED array 11, and these wiring patterns and the driving IC 23 are wired (not shown).
LED array 11, ..., 11 by bonding with
, And the driving ICs 23, ..., 23 are electrically connected. 24 is
, 11, the driving ICs 23, 23, and the wires are epoxy resin that covers and protects the wires.
LEDアレイ11、…、11の発光領域の像は、レンズアレイ
例えば屈折率勾配型レンズアレイ（商品名セルフォック
レンズアレイ）25により、図示しない感光ドラム上に結
ばれる。Images of the light emitting regions of the LED arrays 11, ..., 11 are formed on a photosensitive drum (not shown) by a lens array, for example, a gradient index lens array (product name SELFOC lens array) 25.
第５図は、このLEDアレイ11を拡大して示す平面図であ
る。12は、ガリウム（Ga）−ヒ素（As）の半導体基板で
あり、底面には第１の電極（図示せず）が形成されてお
り、第６図(b)に示すように、導電ペースト27によりセ
ラミック基板22上の配線パターン26に電気的に接続して
いる。FIG. 5 is an enlarged plan view showing the LED array 11. Reference numeral 12 denotes a gallium (Ga) -arsenic (As) semiconductor substrate, a first electrode (not shown) is formed on the bottom surface thereof, and a conductive paste 27 is formed as shown in FIG. 6 (b). Are electrically connected to the wiring pattern 26 on the ceramic substrate 22.
基板12上には、例えば64個の拡散領域14、…、14が所定
のピッチをおいて、一直線上に形成されている。また、
基板12上には第２の電極16、…、16が形成されている。
これら電極16は、その一端はワイヤボンディングのため
のボンディングパッド16aとされ、他端16bは、拡散領域
14にオーミック接触している。On the substrate 12, for example, 64 diffusion regions 14, ..., 14 are formed in a straight line at a predetermined pitch. Also,
Second electrodes 16, ..., 16 are formed on the substrate 12.
One end of each of these electrodes 16 is a bonding pad 16a for wire bonding, and the other end 16b is a diffusion region.
Ohmic contact with 14.
（ハ）発明が解決しようとする課題 上記従来のLEDアレイ11では、基板12の端部12dに位置す
るボンディングパッド16aにおいて、ワイヤボンディン
グの不良が生じやすく、LEDヘッドの歩留りが低下する
問題点があった。(C) Problem to be Solved by the Invention In the conventional LED array 11 described above, in the bonding pad 16a located at the end 12d of the substrate 12, defective wire bonding is likely to occur, and there is a problem that the yield of the LED head decreases. there were.
第６図(b)は、LEDヘッド21の断面を示しており、導電ペ
ースト27は、基板端部12dの部分には存在していない。
ワイヤボンディングには、通常超音波ボンダー（キャピ
ラリに超音波振動を加えている）が使用されるが、基板
端部12dは配線パターン26に固着されていないため、超
音波振動のエネルギーの一部が基板端部12dを振動させ
るために浪費され、超音波振動エネルギーがボンディン
グのためのエネルギーに有効に転化されず、ワイヤボン
ディングの不良が生じると考えられる。FIG. 6 (b) shows a cross section of the LED head 21, and the conductive paste 27 is not present at the substrate end portion 12d.
An ultrasonic bonder (which applies ultrasonic vibration to the capillary) is usually used for wire bonding, but since the substrate end 12d is not fixed to the wiring pattern 26, part of the ultrasonic vibration energy is used. It is considered that this is wasted for vibrating the substrate end 12d, the ultrasonic vibration energy is not effectively converted into energy for bonding, and wire bonding failure occurs.
基板12底面全体に導電ペーストを塗布しないのは、もし
全体に塗布したとすると第６図(a)に示すように導電ペ
ースト27が、LEDアレイ11、11間の隙間ｇより盛り上が
り、LEDアレイ11の電極間に短絡が生じるからである。The reason why the conductive paste is not applied to the entire bottom surface of the substrate 12 is that if the conductive paste 27 is applied to the entire bottom surface, the conductive paste 27 rises above the gap g between the LED arrays 11 as shown in FIG. 6 (a). This is because a short circuit occurs between the electrodes.
この発明は上記に鑑みなされたもので、ワイヤボンディ
ング不良の生じにくいLEDアレイのワイヤの提供を目的
としている。The present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to provide a wire of an LED array in which wire bonding failure is unlikely to occur.
（ニ）課題を解決するための手段及び作用 上記課題を解決するため、この発明のLEDアレイ構造物
は、基板と、この基板上に形成される第１の電極と、前
記基板上に列設される拡散領域と、前記基板上に形成さ
れ、一端がボンディングパッドとされ、他端が前記拡散
領域に接触する第２の電極とを備えてなるLEDアレイ
を、絶縁性基板に導電ペーストによりダイボンディング
してなるLEDアレイ構造物において、前記LEDアレイの基
板端部のボンディングパッドは、LEDアレイをダイボン
ディングする際に使用する導電ペーストの端縁と基板端
面との間の距離だけ基板端面より内側に配置することを
特徴とするものである。(D) Means and Actions for Solving the Problems In order to solve the above problems, an LED array structure of the present invention is provided with a substrate, a first electrode formed on the substrate, and an arrayed structure on the substrate. And a second electrode formed on the substrate and having a bonding pad at one end and a second electrode in contact with the diffusion region at the other end. In the LED array structure formed by bonding, the bonding pad at the end of the substrate of the LED array is located inside the end face of the substrate by the distance between the end face of the conductive paste used for die-bonding the LED array and the end face of the substrate. It is characterized by being placed in.
従って、基板端部のボンディングパッドを、導電ペース
トにより基板が固着されている部分にもってくることが
でき、ワイヤボンディングの際、超音波エネルギーを有
効にボンディングのエネルギーに転化でき、ワイヤボン
ディングの不良を防止することができる。Therefore, the bonding pad at the end of the substrate can be brought to the portion where the substrate is fixed by the conductive paste, and at the time of wire bonding, ultrasonic energy can be effectively converted into the energy of bonding, and the defect of wire bonding can be prevented. Can be prevented.
（ホ）実施例 この発明の一実施例を第１図乃至第４図に基づいて以下
に説明する。(E) Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 4.
第１図は、実施例LEDアレイ１の中央部を省略して示す
平面図、第２図、第３図は、それぞれこのLEDアレイ１
をLEDヘッドのセラミック基板22にダイボンディングし
た状態での断面図である。FIG. 1 is a plan view showing the LED array 1 of the embodiment with the central portion omitted, and FIGS. 2 and 3 show the LED array 1 respectively.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state in which the die is bonded to the ceramic substrate 22 of the LED head.
２は基板であり、例えばｎ−GaAsP層2a、ｎ−GaAs層2b
の二層構造とされている（第２図及び第３図参照）。基
板２底面には、金（Au）−ゲルマニウム（Ge）−ニッケ
ル（Ni）合金等によりｎ側の電極（第１の電極）３が形
成される。2 is a substrate, for example, n-GaAsP layer 2a, n-GaAs layer 2b
(See FIG. 2 and FIG. 3). An n-side electrode (first electrode) 3 is formed on the bottom surface of the substrate 2 with a gold (Au) -germanium (Ge) -nickel (Ni) alloy or the like.
基板２上面には、所定のピッチＣをおいてＰ拡散領域４
が列設される。基板２上面は、これら拡散領域４、…、
４を除いて、窒化膜５が形成され、基板２上面が絶縁さ
れる。On the upper surface of the substrate 2, the P diffusion regions 4 are arranged at a predetermined pitch C.
Are lined up. The upper surface of the substrate 2 has these diffusion regions 4 ,.
Nitride film 5 is formed except for 4, and the upper surface of substrate 2 is insulated.
さらに窒化膜５上には、Ｐ側の電極（第２の電極）６、
…、６が、アルミニウム（Al）等により形成される。電
極６の一端は、ワイヤボンディングのためのボンディン
グパッド6aとされ、千鳥状に配されている。ボンディン
グパッド6aのピッチC*は、拡散領域４のピッチＣよりも
小さくされ（C*＜Ｃ）、基板端部2dのボンディングパッ
ド6aと基板端面2cとの距離が後述のｌだけあけられる。
なお、ボンディングパッド6aのすべてのピッチC*を、拡
散領域４のピッチＣより小さくしてもよいし、一部分だ
けのピッチC*をＣよりも小さくすることもできる。要
は、基板端部2dに位置するボンディングパッド6aと、基
板端面2cとの距離ｌを確保すればよい。一方、前記電極
６のもう一つの端部6bは、それぞれ拡散領域４のそれぞ
れにオーミック接触している。Further, on the nitride film 5, a P-side electrode (second electrode) 6,
, 6 are formed of aluminum (Al) or the like. One end of the electrode 6 serves as a bonding pad 6a for wire bonding and is arranged in a staggered pattern. The pitch C * of the bonding pad 6a is made smaller than the pitch C of the diffusion region 4 (C * <C), and the distance between the bonding pad 6a at the substrate end portion 2d and the substrate end surface 2c is increased by l described later.
Note that all the pitches C * of the bonding pads 6a may be made smaller than the pitch C of the diffusion region 4, or the pitch C * of only a part thereof may be made smaller than C. In short, the distance l between the bonding pad 6a located at the substrate end 2d and the substrate end face 2c may be secured. On the other hand, the other end 6b of the electrode 6 is in ohmic contact with each of the diffusion regions 4.
第２図は、実施例LEDアレイ１をセラミック基板22上に
ダイボンディングした状態での断面図である。基板端部
2dのボンディングパッド6aは、基板２が導電ペースト27
で強固に固着されている部分にある。すなわち前記ｌ
は、最も端部にあるボンディングパッド6aを導電ペース
ト27上に位置させる距離である。したがって、ワイヤボ
ンディングの際、キャピラリ28の超音波振動エネルギー
が、基板端部2dの振動に消費されることなく、有効にワ
イヤボンディングのエネルギーに転化される。FIG. 2 is a cross-sectional view showing the LED array 1 of the embodiment die-bonded on the ceramic substrate 22. Board edge
The 2d bonding pad 6a has a conductive paste 27 on the substrate 2.
It is in the part where it is firmly fixed. That is, the above l
Is a distance for locating the bonding pad 6a at the end on the conductive paste 27. Therefore, during wire bonding, the ultrasonic vibration energy of the capillary 28 is effectively converted into the wire bonding energy without being consumed by the vibration of the substrate end 2d.
第３図は、ボンディングパッド6aとセラミック基板22上
に配線パターン26'とをワイヤＷでボンディングした状
態を示している。ワイヤＷには、例えば金（Au）線が用
いられる。FIG. 3 shows a state in which the bonding pad 6a and the wiring pattern 26 'are bonded to the ceramic substrate 22 by the wire W. For the wire W, for example, a gold (Au) wire is used.
なお、第４図に示すように、Ｐ側電極６が交互に配置さ
れるLEDアレイ1'にも、この発明は、適用可能である。
この場合には、ボンディングパッド6aのピッチC*を、拡
散領域４のピッチＣの２倍よりも小さく（C*＜2C）し
て、ボンディングパッド6aと基板端面2cとの距離ｌをと
る。The present invention is also applicable to an LED array 1'where P-side electrodes 6 are alternately arranged as shown in FIG.
In this case, the pitch C * of the bonding pad 6a is made smaller than twice the pitch C of the diffusion region 4 (C * <2C), and the distance 1 between the bonding pad 6a and the substrate end surface 2c is set.
（ヘ）発明の効果 以上説明したように、この発明のLEDアレイ構造物は、L
EDアレイの基板端部のボンディングパッドを、ダイボン
ディングする際に使用する導電ペーストの端縁と基板端
面との間の距離だけ基板端面より内側に配置することを
特徴とするものであるから、ワイヤボンディングの不良
を防止でき、LEDヘッドの歩留りを向上できる利点を有
している。(F) Effects of the Invention As described above, the LED array structure of the present invention is
The bonding pad at the substrate end of the ED array is characterized in that it is arranged inside the substrate end face by the distance between the edge of the conductive paste used for die bonding and the substrate end face. It has the advantages of preventing defective bonding and improving the yield of LED heads.
第１図は、この発明の一実施例に係るLEDアレイの中央
部を省略して示す平面図、第２図は、同LEDアレイの第
１図中II−II線における断面図、第３図は、同LEDアレ
イの第１図中III−III線における断面図、第４図は、同
LEDアレイの変形例を示す要部平面図、第５図は、従来
のLEDアレイの中央部を省略して示す平面図、第６図(a)
及び第６図(b)は、それぞれ従来のLEDアレイと導電ペー
ストとの関係を説明する図、第７図は、LEDヘッドの一
例を示す斜視図である。 2:基板、3:n側電極、4:拡散領域、6:P側電極、6a:ボン
ディングパッド。FIG. 1 is a plan view showing a central portion of an LED array according to an embodiment of the present invention while omitting it. FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG. 1 of the same LED array, and FIG. Is a cross-sectional view of the LED array taken along the line III-III in FIG. 1, and FIG.
FIG. 5 (a) is a plan view showing a modified example of the LED array, FIG. 5 is a plan view showing the conventional LED array with the central portion omitted, and FIG.
6 and FIG. 6 (b) are views for explaining the relationship between the conventional LED array and the conductive paste, and FIG. 7 is a perspective view showing an example of the LED head. 2: Substrate, 3: n side electrode, 4: Diffusion region, 6: P side electrode, 6a: Bonding pad.
Claims (1)
極と、前記基板上に列設される拡散領域と、前記基板上
に形成され、一端がボンディングパッドとされ、他端が
前記拡散領域に接触する第２の電極とを備えてなるLED
アレイを、絶縁性基板に導電ペーストによりダイボンデ
ィングしてなるLEDアレイ構造物において、 前記LEDアレイの基板端部のボンディングパッドは、LED
アレイをダイボンディングする際に使用する導電ペース
トの端縁と基板端面との間の距離だけ基板端面より内側
に配置することを特徴とするLEDアレイ構造物。1. A substrate, a first electrode formed on the substrate, a diffusion region arranged in a row on the substrate, formed on the substrate, one end of which serves as a bonding pad and the other end of which is formed. LED comprising a second electrode in contact with the diffusion region
In an LED array structure in which an array is die-bonded to an insulating substrate with a conductive paste, the bonding pads at the end of the LED array substrate are LED
An LED array structure characterized in that it is arranged inside a substrate end face by a distance between an edge of a conductive paste used for die-bonding the array and the substrate end face.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17846589A JPH0712715B2 (en) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | LED array structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17846589A JPH0712715B2 (en) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | LED array structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0343263A JPH0343263A (en) | 1991-02-25 |
| JPH0712715B2 true JPH0712715B2 (en) | 1995-02-15 |
Family
ID=16048992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17846589A Expired - Lifetime JPH0712715B2 (en) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | LED array structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712715B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3736803B2 (en) | 2002-12-09 | 2006-01-18 | 日本航空電子工業株式会社 | Connector and connector manufacturing method |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110783A (en) * | 1986-07-31 | 1989-04-27 | Nec Corp | Led array chip |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP17846589A patent/JPH0712715B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0343263A (en) | 1991-02-25 |
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