JPH07122821A

JPH07122821A - 半導体レーザ装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH07122821A
Application number: JP5270647A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Kinoshita; 秀明木之下
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1993-10-28
Filing date: 1993-10-28
Publication date: 1995-05-12

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、ｐ型基板を用いて構成されるＩｎＧ
ａＡｌＰ系の半導体レーザおよびその製造方法におい
て、特性および信頼性を向上できるようにすることを最
も主要な特徴とする。【構成】たとえば、ｐ−ＧａＡｓ基板１１上に形成され
た、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１４、ＩｎＧａＰ活
性層１５、ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１６，１７，
１８からなるダブルヘテロ構造部を有してなる半導体レ
ーザにおいて、ＧａＡｌＡｓ系結晶層に遷移金属元素な
どをドーピングし、高抵抗のＧａＡｌＡｓ電流ブロック
層１９を形成する。これにより、ｐ型基板を用いる半導
体レーザにおいても、ｎ型の電流ブロック層の場合と同
等の電流狭窄効果を得ることができる構成となってい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、たとえばｐ導電型の
基板を用いて構成される非対称構造の半導体レーザ装置
およびその製造方法に関するもので、特にＩｎＧａＡｌ
Ｐ（インジウム・ガリウム・アルミニウム・リン）系結
晶を用いた可視光帯の半導体レーザに使用されるもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＩｎＧａＡｌＰ系結晶を用いた可
視光帯の半導体レーザが実用化され、これまでＧａＡｌ
Ａｓ（ガリウム・アルミニウム・ヒ素）系の半導体レー
ザおよびＨｅ−Ｎｅ（ヘリウム−ネオン）ガスレーザが
使われていた、バーコードリーダやレーザプリンタ、ビ
デオディスクシステムなどの分野への応用が期待されて
いる。

【０００３】すなわち、このＩｎＧａＡｌＰ系の半導体
レーザは、従来のＧａＡｌＡｓ系結晶からなる近赤外半
導体レーザと可視光帯のＨｅ−Ｎｅガスレーザとの長所
を兼ね合わせ、かつそれらの短所を補完する（発振波長
が短く、かつ小型で、しかも低コスト化が実現できる）
ものとして、その利用範囲が拡大しつつある。

【０００４】さて、ＩｎＧａＡｌＰ系の半導体レーザ
は、有機金属を用いた気相エピタキシャル成長法（ＭＯ
ＣＶＤ法）により制作することができる。図３は、ＭＯ
ＣＶＤ法を用いて制作した、単一の基本横モードを有す
るＩｎＧａＡｌＰ系の半導体レーザ（リッジ埋め込み
型）の素子構造を示すものである。

【０００５】この半導体レーザは、たとえばｎ−ＧａＡ
ｓ（ガリウム・ヒ素）基板３１の上に、ｎ−ＧａＡｓバ
ッファ層３２、ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層３３、Ｉ
ｎＧａＰ（インジウム・ガリウム・リン）活性層３４、
ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層３５，３６，３７、ｐ−
ＩｎＧａＡｌＰコンタクト層３８、ｎ−ＧａＡｓ電流ブ
ロック層３９、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層４０が順に形
成された後、上記ｎ−ＧａＡｓ基板３１側およびその反
対側にそれぞれ電極４１，４２が設けられた構成とされ
ている。

【０００６】ところで、ＩｎＧａＡｌＰ系結晶を用いた
半導体レーザにおいて、高い信頼性を得るための条件と
しては、レーザ動作に必要な電流を低減し、高温までの
発振を可能とすることが重要である。

【０００７】このとき、レーザの良好な温度特性を得る
には、特にｐ型のＩｎＧａＡｌＰクラッド層３５，３
６，３７のドーピングにおいて、高いキャリア濃度が要
求される。

【０００８】これは、ｐ−クラッド層３５，３６，３７
の高キャリア濃度化により、活性層３４とｐ−クラッド
層３５，３６，３７との間に大きなヘテロ障壁を形成で
き、注入キャリアのオーバフローを低減できるととも
に、ｐ−クラッド層３５，３６，３７の抵抗率を低減し
得、ここで発生する過剰なジュール熱を抑えることが期
待できるからである。

【０００９】しかし、ＩｎＧａＡｌＰ系結晶の場合、ｎ
型の高キャリア濃度化が容易であるのに対し、ｐ型での
高キャリア濃度化は難しい。なぜならば、一般的なｐ型
のドーパントであるＺｎ（亜鉛）の場合、結晶中への取
り込まれ率や活性化率が低く、ｐ−クラッド層３５，３
６，３７のキャリア濃度を上げるためには相当量のＺｎ
をドープしなければならない。

【００１０】一方、Ｚｎは、ＩｎＧａＡｌＰ系結晶中で
拡散しやすいために、ドープ量が高くなると活性層３４
中に拡散し、逆にレーザ特性を損う問題がある。活性層
３４への拡散を抑えつつ、ｐ−クラッド層３５，３６，
３７のキャリア濃度を上げる手段としては、たとえば
（１００）面のｎ−ＧａＡｓ基板に対して特定の方向に
面方位を傾けた傾斜基板を使用する方法や、結晶成長時
の成長温度を下げる方法が知られている。

【００１１】しかしながら、これらの方法によっても、
得られるキャリア濃度は１×１０¹⁸ｃｍ^-3程度が限度
（抵抗率にして約０．２Ωｃｍに相当）である。これ
は、ＧａＡｌＡｓ系結晶で得られる値に比べて、まだ１
〜２桁高い。

【００１２】他のｐ型のドーパントとしては、Ｍｇ（マ
グネシウム）がある。このＭｇは、成長条件にほぼ無関
係に３×１０¹⁸ｃｍ^-3程度のキャリア濃度が得られ、し
かもＩｎＧａＡｌＰ系結晶中での拡散が起こりにくいこ
とが判っている。

【００１３】しかし、Ｍｇのドープは、ＭＯＣＶＤ装置
の供給配管への吸着、飽和によると考えられるドーピン
グ遅れが生じやすく、ｎ型の基板３１を用いる従来構造
（図３）の半導体レーザの場合、活性層３４に続いて、
ｐ−クラッド層３５，３６，３７へ高濃度のドーピング
を再現性よく行うことが難しい。

【００１４】このように、図３に示す従来構造のＩｎＧ
ａＡｌＰ系の半導体レーザでは、ｐ−クラッド層３５，
３６，３７のドーピングの限界（〜１×１０¹⁸ｃｍ^-3）
で、レーザの温度特性が律速されていた。

【００１５】これに対して、ＩｎＧａＡｌＰ系の半導体
レーザの基板にｐ型のＧａＡｓ基板を用い、その上部の
ダブルヘテロ構造部のｐ型とｎ型とを、従来構造（図
３）の半導体レーザの場合と逆の導電型にした構造の半
導体レーザが提案されている（たとえば、特開平２−７
４０８８号公報、特開平３−６２５８４号公報、特願平
１−１９６８３２号）。

【００１６】ｐ−ＧａＡｓ基板を用いる長所としては、
まず、抵抗率が高く、かつ低活性化率により不純物によ
る結晶欠陥の多いｐ−クラッド層ではなく、抵抗率が１
桁以上低いｎ−クラッド層側から素子内に生じる熱をヒ
ートシンクに放熱することができる。

【００１７】また、光密度の高いレーザ光を、結晶欠陥
の少ないｎ−クラッド層側に導波することで、素子の劣
化を抑えて長寿命化することができる。さらに、ｐ型の
ドーパントをドープするｐ型ドープ層を、ドーパントを
ドープしないアンドープ層、ｎ型のドーパントをドープ
するｎ型ドープ層に先立って結晶成長できるため、結晶
成長前に充分にＭｇを空流しするなどの手段によってド
ーピング遅れを防ぐことにより、Ｍｇのドープによるｐ
−クラッド層の高キャリア濃度化が実現できる。

【００１８】しかし、ｐ型の基板上に図３のようなレー
ザ構造を形成する場合、電流ブロック層をｐ型としなけ
ればならないが、拡散長の長い電子が少数キャリアであ
るため、そこでの電流狭窄効果が低下するという問題が
ある。

【００１９】これを解決する方法として、電流ブロック
層の厚みを電子の拡散長以上に厚くするか、キャリア濃
度を十分に高くすることによって拡散長を短くする方法
がすでに提案されている（たとえば、特願平３−１７１
７８９号）。

【００２０】この提案によると、ｐ型の電流ブロック層
のキャリア濃度が２×１０¹⁸〜１×１０¹⁹ｃｍ^-3の場
合、電子の拡散長は３〜８μｍ程度あり、電流ブロック
層はこれ以上の厚みにしなければならず、従来構造（図
３）の半導体レーザにおけるｎ型の電流ブロック層が
０．７〜１．５μｍの厚さであることから考えると非常
に厚い。

【００２１】電流ブロック層を厚くすることは、ヒート
シンクへのマウント面からの距離が遠くなり、放熱性を
下げる結果となり、好ましくない。一方、上記提案によ
れば、０．７〜１．５μｍの厚みで同程度の電流狭窄効
果を得るために必要な、ｐ型電流ブロック層のキャリア
濃度は３〜５×１０¹⁹ｃｍ^-3となる。

【００２２】しかし、Ｚｎを用いてこのような高濃度な
ドープを行う場合には、ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層
やＩｎＧａＰ活性層へのＺｎの拡散が起こりやすく、ｐ
型電流ブロック層の下部のｎ−クラッド層や活性層にＺ
ｎが拡散してｐ型化した結果、電流ブロック層の上面に
ｐ−ｎ接合が形成されてストライプ部に電流が注入され
なくなるという問題が生じる。

【００２３】また、Ｚｎに比べて拡散の起こりにくいＭ
ｇを用いてｎ−クラッド層への拡散を抑えたとしても、
３〜５×１０¹⁹ｃｍ^-3の高濃度なドープでは結晶欠陥を
生じやすく、電流ブロック層中の結晶欠陥がリッジ部の
ｎ−クラッド層あるいはその下部の活性層に伝搬した場
合、レーザ特性が劣化するなどの問題がある。

【００２４】このように、従来の電流ブロック層をｐ型
とした半導体レーザにおいては、電流ブロック層での少
数キャリアの拡散長に起因する電流狭窄効果の低下の問
題があり、これを解決できる有効な方法がなかった。

【００２５】

【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、基板や電流ブロック層をｐ型とした半導体
レーザの場合、少数キャリアの拡散長に起因する電流ブ
ロック層での電流狭窄効果の低下を効果的に防止するこ
とができないという問題があった。

【００２６】そこで、この発明は、電流ブロック層にお
ける電流狭窄効果の低下を効果的に防止でき、特性およ
び信頼性を向上することが可能な半導体レーザ装置およ
びその製造方法を提供することを目的としている。

【００２７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体レーザ装置にあっては、ｐ導電
型の化合物半導体基板と、この基板上に順に形成され
た、ｐ導電型のＩｎＧａＡｌＰクラッド層、活性層、ｎ
導電型のＩｎＧａＡｌＰクラッド層からなるダブルヘテ
ロ構造部と、このダブルヘテロ構造部の上に、高抵抗な
化合物半導体からなる絶縁層により形成されて、その構
造部に流れる電流をストライプ状に狭窄する電流ブロッ
ク層とから構成されている。

【００２８】また、この発明の半導体レーザ装置の製造
方法にあっては、ｐ導電型の化合物半導体基板の上に、
順に、ｐ導電型のＩｎＧａＡｌＰクラッド層、活性層、
ｎ導電型のＩｎＧａＡｌＰクラッド層を形成してダブル
ヘテロ構造部を作り込む工程と、このダブルヘテロ構造
部の上に、高抵抗な化合物半導体からなる絶縁層を形成
して、その構造部に流れる電流をストライプ状に狭窄す
る電流ブロック層を作り込む工程とからなっている。

【００２９】

【作用】この発明は、上記した手段により、従来の装置
とほぼ同一の素子構造により電流ブロック層を高抵抗化
できるようになるため、電流ブロック層での電流狭窄効
果を高めることが可能となるものである。

【００３０】

【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して説明する。図１は、本発明にかかる半導体レーザ
の素子構造を示すものである。たとえば、この半導体レ
ーザは、ｐ−ＧａＡｓ（ガリウム・ヒ素）基板１１上
に、ＭＯＣＶＤ（ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃＣｈｅ
ｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によ
って次の各層が積層されてなる構造とされている。

【００３１】すなわち、ｐ−基板１１上には、Ｚｎ（亜
鉛）またはＭｇ（マグネシウム）のドープされたｐ−Ｇ
ａＡｓバッファ層１２、およびＺｎまたはＭｇのドープ
されたｐ−ＩｎＧａＰ（インジウム・ガリウム・リン）
コンタクト層１３が形成されている。

【００３２】このｐ−コンタクト層１３の上には、Ｚｎ
またはＭｇのドープされたｐ−ＩｎＧａＡｌＰ（インジ
ウム・ガリウム・アルミニウム・リン）クラッド層１
４、ＩｎＧａＰ活性層１５、およびＳｉ（シリコン）ま
たはＳｅ（セレン）のドープされたｎ−ＩｎＧａＡｌＰ
クラッド層１６，１７，１８からなるダブルヘテロ接合
構造部が形成されている。

【００３３】ｎ−クラッド層１８はストライプ状に加工
されており、これによりｎ−クラッド層１８にストライ
プ状のリブが形成されている。ここで、ｎ−クラッド層
１７は、たとえば低Ａｌ組成もしくはＩｎＧａＰ系結晶
層からなり、リッジ形成のためのエッチングストップ層
として作用する。

【００３４】ダブルヘテロ接合部の各層およびｐ−コン
タクト層１３の格子定数は上記ｐ−基板１１と等しく、
かつｐ−クラッド層１４およびｎ−クラッド層１６のバ
ンドギャップエネルギは上記活性層１５のそれよりも大
きくなるように、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌの各組成が決定され
ている。

【００３５】ダブルヘテロ接合構造部の側面には、Ｖｂ
（バナジウム）またはＦｅ（鉄）もしくはＯ（酸素）の
ドープされた、厚さが約０．７〜１．５μｍの高抵抗Ｇ
ａＡｌＡｓ（ガリウム・アルミニウム・ヒ素）電流ブロ
ック層（Ｈ．Ｒ．−ＧａＡｌＡｓ）１９が形成されてい
る。

【００３６】ｎ−クラッド層１８および電流ブロック層
１９の上には、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層２０が形成さ
れている。そして、ｎ−コンタクト層２０の上面にはｎ
型電極２１が、ｐ−基板１１の下面にはｐ型電極２２が
それぞれ形成されている。

【００３７】この構造では、電流狭窄は電流ブロック層
１９によって行われ、光導波はストライプ状のメサに形
成されたｎ−クラッド層１８によって行われる。なお、
ｐ−バッファ層１２の形成は、ＧａＡｓ系結晶の上に形
成するＩｎＧａＡｌＰ系結晶の品質向上のためである。

【００３８】また、ｐ−コンタクト層１３は、ｐ−クラ
ッド層１４とｐ−バッファ層１２との間の電気抵抗の低
減を目的として設けられるものであり、ＧａＡｓ系結晶
よりもバンドギャップが大きく、かつｐ−クラッド層１
４よりもバンドギャップが小さいものであればよい。

【００３９】電流ブロック層１９のＭＯＣＶＤ法による
結晶成長においては、たとえば、Ｖｂをドープする場合
には有機金属原料としてバナジウムトリエトキシオキシ
ド（（ＯＣ₂ Ｈ₅ ）₃ ＶＯ）が用いられ、Ｆｅをドープ
する場合にはフェロセン（Ｃｐ₂ Ｆｅ）が用いられる。

【００４０】また、Ｏをドープする場合には、Ｏ₂ ガス
を原料として用いることも可能であるが、Ｏはトリメチ
ルガリウム（ＴＭＧ；Ｇａ（ＣＨ₃ ）₃ ）などの有機金
属中に非常に取り込まれやすい性質があるため、あらか
じめＯを添加したＴＭＧを使って高抵抗のＧａＡｌＡｓ
系結晶層を形成することが可能である。

【００４１】これらのドーピングにより、容易にして、
１０³ Ωｃｍ以上の高抵抗層（絶縁層）を得ることがで
きる。すなわち、ＧａＡｌＡｓ系結晶からなる電流ブロ
ック層に、ＯあるいはＦｅ，Ｖｂなどの遷移金属をドー
ピングすることによって、たとえばキャリア濃度が１×
１０¹³ｃｍ^-3以下で、抵抗率が１０² Ωｃｍ以上の高抵
抗ＧａＡｌＡｓ電流ブロック層１９を容易に形成するこ
とができる。

【００４２】なお、本実施例では、電流ブロック層１９
としてＧａＡｌＡｓ系結晶を用いたが、たとえばＩｎＧ
ａＡｌＰ系結晶を用いる場合にも同様の効果がある。電
流ブロック層１９がＧａＡｌＡｓ系結晶の場合には、活
性層１５に比べてバンドギャップエネルギが小さいため
に、活性層１５で発光した光は電流ブロック層１９で吸
収される。

【００４３】そのため、ｎ−クラッド層１８のリッジ部
と電流ブロック層１９との間に光吸収による分布が発生
し、これにより水平方向に屈折率分布がある場合と同じ
効果が得られ、横モード制御されたレーザ特性が得られ
る。

【００４４】一方、電流ブロック層１９として、活性層
１５よりもバンドギャップエネルギが大きく、かつｎ−
クラッド層１８よりもバンドギャップエネルギが小さい
ＧａＡｌＡｓ系結晶やＩｎＧａＡｌＰ系結晶からなる高
抵抗層を用いた場合には、電流ブロック層１９はもはや
活性層１５からの光に対して透明となる。

【００４５】したがって、この場合には、電流狭窄以外
の効果は得られず、利得ガイド型のレーザ特性を示す。
さらに、電流ブロック層１９として、活性層１５やｎ−
クラッド層１８よりもバンドギャップエネルギの大きい
ＩｎＧａＡｌＰ系結晶からなる高抵抗層を用いた場合に
は、ｎ−クラッド層１８の屈折率が電流ブロック層１９
の屈折率よりも大きくなる。

【００４６】この結果、活性層１５からの光は水平方向
に導波され、屈折率ガイド型のレーザ特性を得ることが
できる。なお、Ａｌ組成の高いＧａＡｌＡｓ系結晶やＩ
ｎＧａＡｌＰ系結晶を電流ブロック層１９とする場合に
は、Ａｌと非常に結合しやすい性質があるＯのドープが
非常に有効である。

【００４７】すなわち、１０００ｐｐｍ程度のＯを添加
した有機金属材料（ＴＭＧ、トリメチルインジウム（Ｔ
ＭＩ；Ｉｎ（ＣＨ₃ ）₃ ）、トリメチルアルミニウム
（ＴＭＡ；Ａｌ（ＣＨ₃ ）₃ など）を電流ブロック層１
９の成長に用いることで、容易に高抵抗層を得ることが
できる。

【００４８】上記したように、本実施例素子によれば、
高抵抗の電流ブロック層を用いることによって、ｐ型基
板上に形成したＩｎＧａＡｌＰ系の半導体レーザにおい
ても、ｎ型の電流ブロック層の場合と同等の電流狭窄効
果を得ることができる。

【００４９】すなわち、ＧａＡｌＡｓ系結晶やＩｎＧａ
ＡｌＰ系結晶からなる電流ブロック層に、ＯあるいはＦ
ｅ，Ｖｂなどの遷移金属元素をドーピングし、キャリア
濃度を１×１０¹³ｃｍ^-3以下、抵抗率を１０² Ωｃｍ以
上とすることによって、所望の電流狭窄効果が得られる
ようにしている。

【００５０】この場合、ドーピングに用いる遷移金属元
素などは、ＧａＡｌＡｓ系結晶あるいはＩｎＧａＡｌＰ
系結晶中での拡散係数が低いため、Ｚｎの場合のような
拡散による他層への影響はほとんどなく、しかも有機金
属化合物を用いることにより容易にドーピングできる。

【００５１】したがって、ｎ型基板を用いた素子と導電
型を逆にした構造とすることによりほぼ同じ性能が得ら
れるだけでなく、ｐ型基板を用いることによる、ｐ−ク
ラッド層への高濃度なＭｇのドープにともなうキャリア
濃度の向上、さらには熱抵抗の低いｎ−クラッド層側を
ヒートシンクにマウントすることで放熱性の改善が期待
できるなど、従来より実用化されてきたｎ型基板を用い
たＩｎＧａＡｌＰ系の半導体レーザよりも、その特性お
よび信頼性を高めることができるものである。

【００５２】なお、上記実施例においては、エッチング
ストップ層が電流ブロック層とｎ−クラッド層との間に
存在する場合を例に説明したが、これに限らず、たとえ
ばエッチングストップ層は必ずしも必要なく、省略する
こともできる。

【００５３】また、リッジ構造を有する半導体レーザに
限らず、たとえば図２に示すような電流ブロック層にス
トライプ状の窓（開口部）を設けた構造の半導体レーザ
に適用することも可能である。

【００５４】すなわち、この構造の半導体レーザは、た
とえばｐ−ＧａＡｓ基板１１上に、ｐ−ＧａＡｓバッフ
ァ層１２、ｐ−ＩｎＧａＰコンタクト層１３、ｐ−Ｉｎ
ＧａＡｌＰクラッド層１４、ＩｎＧａＰ活性層１５、ｎ
−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１６、高抵抗ＧａＡｌＡｓ
電流ブロック層（または、高抵抗ＩｎＧａＡｌＰ電流ブ
ロック層）１９が積層され、この電流ブロック層１９に
ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１６まで達するストライ
プ状の開口部を形成した後、さらにｎ−ＧａＡｓコンタ
クト層２０が形成されている。

【００５５】そして、このｎ−ＧａＡｓコンタクト層２
０の上面にはｎ側電極２１が、また上記ｐ−基板１１の
下面にはｐ側電極２２が形成された構成とされている。
このような素子構造の半導体レーザによっても、上記実
施例と同様な特性を得ることができる。

【００５６】さらに、ダブルヘテロ構造部における活性
層はＩｎＧａＰ系結晶に限らず、たとえばＩｎＧａＡｌ
Ｐ系あるいはＧａＡｌＡｓ系の材料で、しかもクラッド
層よりもバンドギャップエネルギが小さいものであれば
よい。

【００５７】また、電流ブロック層を高抵抗化するドー
パントに関しても、Ｏ，Ｖｂ，Ｆｅに限るものではな
く、ＧａＡｌＡｓ系結晶およびＩｎＧａＡｌＰ系結晶層
中で深い準位を形成し、キャリアをトラップする効果の
ある物質（元素）であればよく、ＭＯＣＶＤ法による結
晶成長時の原料もこれらの物質を供給し得る化合物であ
れば、実施例に限るものではない。その他、この発明の
要旨を変えない範囲において、種々変形実施可能なこと
は勿論である。

【００５８】

【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、電流ブロック層における電流狭窄効果の低下を効果
的に防止でき、特性および信頼性を向上することが可能
な半導体レーザ装置およびその製造方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例にかかる半導体レーザの素
子構造を概略的に示す断面図。

【図２】この発明の他の実施例にかかる半導体レーザの
素子構造を概略的に示す断面図。

【図３】従来技術とその問題点を説明するために示す半
導体レーザの断面図。

【符号の説明】

１１…ｐ−ＧａＡｓ基板、１２…ｐ−ＧａＡｓバッファ
層、１３…ｐ−ＩｎＧａＰコンタクト層、１４…ｐ−Ｉ
ｎＧａＡｌＰクラッド層、１５…ＩｎＧａＰ活性層、１
６，１７，１８…ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、１９
…高抵抗ＧａＡｌＡｓ電流ブロック層（または、高抵抗
ＩｎＧａＡｌＰ電流ブロック層）、２０…ｎ−ＧａＡｓ
コンタクト層、２１…ｎ側電極、２２…ｐ側電極。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ｐ導電型の化合物半導体基板と、この基板上に順に形成された、ｐ導電型のＩｎＧａＡｌ
Ｐクラッド層、活性層、ｎ導電型のＩｎＧａＡｌＰクラ
ッド層からなるダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部の上に、高抵抗な化合物半導体
からなる絶縁層により形成されて、その構造部に流れる
電流をストライプ状に狭窄する電流ブロック層とを具備
したことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】前記電流ブロック層は、鉄、バナジウム
などの遷移金属をドープしたＧａＡｌＡｓ系結晶または
ＩｎＧａＡｌＰ系結晶からなることを特徴とする請求項
１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】前記電流ブロック層は、酸素をドープし
たＧａＡｌＡｓ系結晶またはＩｎＧａＡｌＰ系結晶から
なることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装
置。
【請求項４】ｐ導電型の化合物半導体基板の上に、順
に、ｐ導電型のＩｎＧａＡｌＰクラッド層、活性層、ｎ
導電型のＩｎＧａＡｌＰクラッド層を形成してダブルヘ
テロ構造部を作り込む工程と、このダブルヘテロ構造部の上に、高抵抗な化合物半導体
からなる絶縁層を形成して、その構造部に流れる電流を
ストライプ状に狭窄する電流ブロック層を作り込む工程
とからなることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方
法。