JPH07122636A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH07122636A JPH07122636A JP26623493A JP26623493A JPH07122636A JP H07122636 A JPH07122636 A JP H07122636A JP 26623493 A JP26623493 A JP 26623493A JP 26623493 A JP26623493 A JP 26623493A JP H07122636 A JPH07122636 A JP H07122636A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- contact hole
- semiconductor device
- aluminum
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置の製造方法に関し、更に詳しくいえ
ば、半導体装置の多層配線の形成方法の改善に関する。 【構成】第１の配線層（１２）上に絶縁膜（１３）が形
成された上にレジスト膜（１４）を選択形成する工程
と、Ａｒガスよりも重い希ガスを含む混合ガスを用いて
前記絶縁膜（１３）をエッチングし、開口部（１６）を
形成して前記第１の配線層（１２）を露出する工程と、
前記レジスト膜（１４）を除去し、第２の配線層（１
７）を形成する工程とを有すること。
ば、半導体装置の多層配線の形成方法の改善に関する。 【構成】第１の配線層（１２）上に絶縁膜（１３）が形
成された上にレジスト膜（１４）を選択形成する工程
と、Ａｒガスよりも重い希ガスを含む混合ガスを用いて
前記絶縁膜（１３）をエッチングし、開口部（１６）を
形成して前記第１の配線層（１２）を露出する工程と、
前記レジスト膜（１４）を除去し、第２の配線層（１
７）を形成する工程とを有すること。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、更に詳しく言えば、半導体装置の多層配線の形成
方法の改善に関する。
関し、更に詳しく言えば、半導体装置の多層配線の形成
方法の改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下で従来例に係る半導体装置の製造方
法である多層配線を形成する方法について図面を参照し
ながら説明する。まず、図５に示すように、半導体基板
（１）上に形成された下層配線層である第１のアルミ層
（２）上にプラズマ酸化膜（３）、レジスト膜（４）を
順次形成し、選択露光・現像してのちにコンタクトホー
ルを形成する領域のレジスト膜（４）に開口部（４Ａ）
を形成する。
法である多層配線を形成する方法について図面を参照し
ながら説明する。まず、図５に示すように、半導体基板
（１）上に形成された下層配線層である第１のアルミ層
（２）上にプラズマ酸化膜（３）、レジスト膜（４）を
順次形成し、選択露光・現像してのちにコンタクトホー
ルを形成する領域のレジスト膜（４）に開口部（４Ａ）
を形成する。
【０００３】次に、レジスト膜（４）をマスクにして流
量６０SCCMのＣＦ4 ガス、流量６０SCCMのCHF3ガス，流
量800 〜1000SCCMのＡｒガスの混合ガスを用い、ＲＦパ
ワー８００Ｗ，圧力１．７Torrの条件下でプラズマ酸化
膜（３）をエッチングして第１のアルミ層（２）を露出
し、コンタクトホール（６）を形成する（図６）。この
エッチング工程では、同時にＡｌがキャリアガスである
Ａｒガスによってスパッタされ、Ａｌ化合物を含む堆積
物がコンタクトホールの側壁に付着してしまう。よっ
て、図７に示すように有機溶剤によってレジスト膜
（４）を除去しても、Ａｌ化合物を含む堆積物によって
形成されるアルミクラウン（５）と称するアルミの細管
がコンタクトホール（６）の内部に形成されてしまう。
量６０SCCMのＣＦ4 ガス、流量６０SCCMのCHF3ガス，流
量800 〜1000SCCMのＡｒガスの混合ガスを用い、ＲＦパ
ワー８００Ｗ，圧力１．７Torrの条件下でプラズマ酸化
膜（３）をエッチングして第１のアルミ層（２）を露出
し、コンタクトホール（６）を形成する（図６）。この
エッチング工程では、同時にＡｌがキャリアガスである
Ａｒガスによってスパッタされ、Ａｌ化合物を含む堆積
物がコンタクトホールの側壁に付着してしまう。よっ
て、図７に示すように有機溶剤によってレジスト膜
（４）を除去しても、Ａｌ化合物を含む堆積物によって
形成されるアルミクラウン（５）と称するアルミの細管
がコンタクトホール（６）の内部に形成されてしまう。
【０００４】このアルミクラウン（５）は、その後の上
層配線層である第２のアルミ層（７）のスパッタに悪影
響を及ぼすので、次工程でこれを除去する（図８）。次
いで、図９に示すように、スパッタによってアルミを積
層することで、上層配線層である第２のアルミ層（７）
を形成していた。
層配線層である第２のアルミ層（７）のスパッタに悪影
響を及ぼすので、次工程でこれを除去する（図８）。次
いで、図９に示すように、スパッタによってアルミを積
層することで、上層配線層である第２のアルミ層（７）
を形成していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法によると、コンタクトホール（６）を形成する
エッチング工程の際に、アルミクラウン（５）が形成さ
れてしまうために、これを除去する工程が必要になる。
この除去工程は、コンタクトホール（６）内部で露出し
ている第１のアルミ層（２）をエッチングしないように
軽く行う必要があるので、ＣＦ4 ガス＋Ｏ2 ガスでのプ
ラズマエッチング工程→プラズマ＋有機溶剤を用いたエ
ッチング工程→ＣＦ4 ガス＋Ｏ2 ガスでのプラズマエッ
チング工程→プラズマ＋有機溶剤を用いたエッチング工
程→アルカリ溶液を用いたエッチング工程といったよう
な煩雑な工程で除去する必要があり、多くの工程とそれ
に要する時間をアルミクラウンの除去工程に費やさなけ
ればならなかったという問題が生じていた。
来の方法によると、コンタクトホール（６）を形成する
エッチング工程の際に、アルミクラウン（５）が形成さ
れてしまうために、これを除去する工程が必要になる。
この除去工程は、コンタクトホール（６）内部で露出し
ている第１のアルミ層（２）をエッチングしないように
軽く行う必要があるので、ＣＦ4 ガス＋Ｏ2 ガスでのプ
ラズマエッチング工程→プラズマ＋有機溶剤を用いたエ
ッチング工程→ＣＦ4 ガス＋Ｏ2 ガスでのプラズマエッ
チング工程→プラズマ＋有機溶剤を用いたエッチング工
程→アルカリ溶液を用いたエッチング工程といったよう
な煩雑な工程で除去する必要があり、多くの工程とそれ
に要する時間をアルミクラウンの除去工程に費やさなけ
ればならなかったという問題が生じていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の欠点
に鑑み成されたもので、第１の配線層（１２）上に絶縁
膜（１３）が形成された上にレジスト膜（１４）を選択
形成し、Ａｒガスよりも重い希ガスを含む混合ガスを用
いて前記絶縁膜（１３）をエッチングして開口部（１
６）を形成して前記第１の配線層（１２）を露出し、前
記レジスト膜（１４）を除去することにより、アルミ原
子がスパッタされてコンタクトホール側壁にアルミクラ
ウンが形成されることを抑止し、工程数並びにそれに要
する時間を削減することが可能になる半導体装置の製造
方法を提供するものである。
に鑑み成されたもので、第１の配線層（１２）上に絶縁
膜（１３）が形成された上にレジスト膜（１４）を選択
形成し、Ａｒガスよりも重い希ガスを含む混合ガスを用
いて前記絶縁膜（１３）をエッチングして開口部（１
６）を形成して前記第１の配線層（１２）を露出し、前
記レジスト膜（１４）を除去することにより、アルミ原
子がスパッタされてコンタクトホール側壁にアルミクラ
ウンが形成されることを抑止し、工程数並びにそれに要
する時間を削減することが可能になる半導体装置の製造
方法を提供するものである。
【０００７】
【作 用】本発明に係る半導体装置の製造方法によれ
ば、図１に示すように、ＫｒやＸｅなどのＡｒガスより
も重い希ガスを含む混合ガスを用いて絶縁膜（１３）を
エッチングして開口部（１６）を形成して第１の配線層
（１２）を露出している。このため、Ａｌのスパッタ効
果の少ない、Ａｒよりも重い希ガスをＡｒの代わりに用
いることにより、選択比を向上させ、コンタクトホール
側壁に付着する、Ａｌ化合物を含む堆積物を減少させる
ことが可能になる。
ば、図１に示すように、ＫｒやＸｅなどのＡｒガスより
も重い希ガスを含む混合ガスを用いて絶縁膜（１３）を
エッチングして開口部（１６）を形成して第１の配線層
（１２）を露出している。このため、Ａｌのスパッタ効
果の少ない、Ａｒよりも重い希ガスをＡｒの代わりに用
いることにより、選択比を向上させ、コンタクトホール
側壁に付着する、Ａｌ化合物を含む堆積物を減少させる
ことが可能になる。
【０００８】これにより、従来の方法で形成されていた
アルミクラウンが形成されなくなるので、これを除去す
るためのエッチング工程が不要になり、それに要してい
た工程数並びにそれに要していた時間を削減することが
可能になる。
アルミクラウンが形成されなくなるので、これを除去す
るためのエッチング工程が不要になり、それに要してい
た工程数並びにそれに要していた時間を削減することが
可能になる。
【０００９】
【実施例】以下で、本発明の実施例に係る半導体装置の
製造方法である多層配線を形成する方法について図面を
参照しながら説明する。まず、図１に示すように、シリ
コンなどからなる半導体基板（１１）上に形成された下
層配線層であるAl-Si などの第１のアルミ層（１２）上
にプラズマ酸化膜（１３）、レジスト膜（１４）を順次
形成し、選択露光・現像して、のちにコンタクトホール
を形成する領域のレジスト膜（１４）に開口部（１４
Ａ）を形成する。
製造方法である多層配線を形成する方法について図面を
参照しながら説明する。まず、図１に示すように、シリ
コンなどからなる半導体基板（１１）上に形成された下
層配線層であるAl-Si などの第１のアルミ層（１２）上
にプラズマ酸化膜（１３）、レジスト膜（１４）を順次
形成し、選択露光・現像して、のちにコンタクトホール
を形成する領域のレジスト膜（１４）に開口部（１４
Ａ）を形成する。
【００１０】次に、流量６０SCCMのＣＦ4 ガス、流量６
０SCCMのCHF3ガス，流量800 〜1000SCCMのＫｒガスの混
合ガスを用い、ＲＦパワー８００Ｗ，圧力１．７Torrの
条件下で、レジスト膜（１４）をマスクにしてプラズマ
酸化膜（１３）をエッチングして第１のアルミ層（１
２）を露出し、コンタクトホール（１６）を形成する
（図２）。
０SCCMのCHF3ガス，流量800 〜1000SCCMのＫｒガスの混
合ガスを用い、ＲＦパワー８００Ｗ，圧力１．７Torrの
条件下で、レジスト膜（１４）をマスクにしてプラズマ
酸化膜（１３）をエッチングして第１のアルミ層（１
２）を露出し、コンタクトホール（１６）を形成する
（図２）。
【００１１】このとき、コンタクトホール（１６）の内
壁には、図２に示すように、コンタクトエッチングによ
る微量な堆積物（１５）が付着するが、Ａｒよりも重い
希ガスであって、Ａｌをスパッタする効果の少ないＫｒ
ガスをキャリアガスとして用いているので、この堆積物
（１５）の中にはＡｌ化合物は殆ど含まれない。このた
め、Ａｒガスをキャリアガスとして用いていた、従来の
方法によってコンタクトホールの内壁に形成されていた
アルミクラウンは形成されない。
壁には、図２に示すように、コンタクトエッチングによ
る微量な堆積物（１５）が付着するが、Ａｒよりも重い
希ガスであって、Ａｌをスパッタする効果の少ないＫｒ
ガスをキャリアガスとして用いているので、この堆積物
（１５）の中にはＡｌ化合物は殆ど含まれない。このた
め、Ａｒガスをキャリアガスとして用いていた、従来の
方法によってコンタクトホールの内壁に形成されていた
アルミクラウンは形成されない。
【００１２】次いで、有機溶剤によってレジスト膜（１
４）を除去する（図３）。この工程で殆ど堆積物（１
５）は除去される。その後、スパッタ法によってアルミ
を積層して、上層配線となる第２のアルミ層（１７）を
形成することにより、コンタクトホール（１６）でコン
タクトがとれる多層配線が形成される（図４）。以上説
明したように、本発明の実施例に係る半導体装置の製造
方法によれば、コンタクトエッチングの際に、Ａｒより
も重い希ガスであって、Ａｌをスパッタする効果の少な
いＫｒガスをキャリアガスとして用いているので、Ａｒ
ガスをキャリアガスとして用いた場合にコンタクトホー
ル内に形成されていたアルミクラウンの形成を抑止する
ことが可能になる。
４）を除去する（図３）。この工程で殆ど堆積物（１
５）は除去される。その後、スパッタ法によってアルミ
を積層して、上層配線となる第２のアルミ層（１７）を
形成することにより、コンタクトホール（１６）でコン
タクトがとれる多層配線が形成される（図４）。以上説
明したように、本発明の実施例に係る半導体装置の製造
方法によれば、コンタクトエッチングの際に、Ａｒより
も重い希ガスであって、Ａｌをスパッタする効果の少な
いＫｒガスをキャリアガスとして用いているので、Ａｒ
ガスをキャリアガスとして用いた場合にコンタクトホー
ル内に形成されていたアルミクラウンの形成を抑止する
ことが可能になる。
【００１３】このため、従来必要であったアルミクラウ
ンを除去するためのエッチング工程が不要になり、それ
に要していた煩雑な工程を削減でき、それに要していた
時間が不要になるので、歩留りの向上にも大きく寄与す
る。なお、本実施例によれば、キャリアガスであるＡｒ
よりも重い希ガスとしてＫｒガスを用いているが、本発
明はこれに限らず、例えばＸｅガスでも、同様の効果を
奏する。
ンを除去するためのエッチング工程が不要になり、それ
に要していた煩雑な工程を削減でき、それに要していた
時間が不要になるので、歩留りの向上にも大きく寄与す
る。なお、本実施例によれば、キャリアガスであるＡｒ
よりも重い希ガスとしてＫｒガスを用いているが、本発
明はこれに限らず、例えばＸｅガスでも、同様の効果を
奏する。
【００１４】また、本実施例において、第１、第２のア
ルミ層（１２，１７）はそれぞれ第１、第２の配線層の
一例であり、プラズマ酸化膜（１３）は絶縁膜の一例で
ある。さらに、コンタクトホール（１６）は開口部の一
例である。
ルミ層（１２，１７）はそれぞれ第１、第２の配線層の
一例であり、プラズマ酸化膜（１３）は絶縁膜の一例で
ある。さらに、コンタクトホール（１６）は開口部の一
例である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
装置の製造方法によれば、ＫｒやＸｅなどのＡｒガスよ
りも重い希ガスを含む混合ガスを用いて絶縁膜（１３）
をエッチングして開口部（１６）を形成しているので、
従来の方法で形成されていたアルミクラウンが形成され
なくなり、これを除去するためのエッチング工程が不要
になり、それに要していた工程数並びにそれに要してい
た時間を削減することが可能になる。
装置の製造方法によれば、ＫｒやＸｅなどのＡｒガスよ
りも重い希ガスを含む混合ガスを用いて絶縁膜（１３）
をエッチングして開口部（１６）を形成しているので、
従来の方法で形成されていたアルミクラウンが形成され
なくなり、これを除去するためのエッチング工程が不要
になり、それに要していた工程数並びにそれに要してい
た時間を削減することが可能になる。
【図１】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法を
説明する第１の断面図である。
説明する第１の断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法を
説明する第２の断面図である。
説明する第２の断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法を
説明する第３の断面図である。
説明する第３の断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法を
説明する第４の断面図である。
説明する第４の断面図である。
【図５】従来例に係る半導体装置の製造方法を説明する
第１の断面図である。
第１の断面図である。
【図６】従来例に係る半導体装置の製造方法を説明する
第２の断面図である。
第２の断面図である。
【図７】従来例に係る半導体装置の製造方法を説明する
第３の断面図である。
第３の断面図である。
【図８】従来例に係る半導体装置の製造方法を説明する
第４の断面図である。
第４の断面図である。
【図９】従来例に係る半導体装置の製造方法を説明する
第５の断面図である。
第５の断面図である。
（１１） 半導体基板 （１２） 第１のアルミ層（第１の配線層） （１３） プラズマ酸化膜（絶縁膜） （１４） レジスト膜 （１４Ａ） 開口部 （１５） 堆積物 （１６） コンタクトホール〔開口部〕 （１７） 第２のアルミ層（第２の配線層）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｎ
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の配線層（１２）上に絶縁膜（１
３）が形成された上にレジスト膜（１４）を選択形成す
る工程と、 Ａｒガスよりも重い希ガスを含む混合ガスを用いて前記
絶縁膜（１３）をエッチングし、開口部（１６）を形成
して前記第１の配線層（１２）を露出する工程と、 前記レジスト膜（１４）を除去し、第２の配線層（１
７）を形成する工程とを有することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26623493A JP3454549B2 (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26623493A JP3454549B2 (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122636A true JPH07122636A (ja) | 1995-05-12 |
| JP3454549B2 JP3454549B2 (ja) | 2003-10-06 |
Family
ID=17428138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26623493A Expired - Fee Related JP3454549B2 (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3454549B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266291A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法、プラズマ処理装置及び記憶媒体。 |
-
1993
- 1993-10-25 JP JP26623493A patent/JP3454549B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266291A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法、プラズマ処理装置及び記憶媒体。 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3454549B2 (ja) | 2003-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10199864A (ja) | 反射防止膜のエッチング方法 | |
| JPH0722339A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH11214370A (ja) | アルミニウムを含む金属膜の蝕刻方法及びこれを用いた半導体装置の配線層形成方法 | |
| US6303477B1 (en) | Removal of organic anti-reflection coatings in integrated circuits | |
| US6989219B2 (en) | Hardmask/barrier layer for dry etching chrome films and improving post develop resist profiles on photomasks | |
| US5679499A (en) | Method for forming photo mask for use in fabricating semiconductor device | |
| JP3454549B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2861785B2 (ja) | 半導体装置の配線の形成方法 | |
| JPH07135188A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4462882A (en) | Selective etching of aluminum | |
| EP0647966A1 (en) | Semiconductor device with wiring pattern and method for manufacturing same | |
| JP2001237228A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置ならびにデバイス製造方法 | |
| JPH05144779A (ja) | シリコン酸化膜のドライエツチング方法 | |
| JP3291387B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3006508B2 (ja) | アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜のエッチング方法 | |
| JP3645658B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6103634A (en) | Removal of inorganic anti-reflective coating using fluorine etch process | |
| JPH07135198A (ja) | エッチング方法 | |
| KR100374229B1 (ko) | 반도체소자의금속배선형성방법 | |
| US4495090A (en) | Gas mixtures for aluminum etching | |
| JPH05206125A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0738389B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2521329B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08288255A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004296991A (ja) | 多層レジストマスクの形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |