JPH07122595A - Method and equipment for removing flux residue - Google Patents

Method and equipment for removing flux residue

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JPH07122595A
JPH07122595A JP28880193A JP28880193A JPH07122595A JP H07122595 A JPH07122595 A JP H07122595A JP 28880193 A JP28880193 A JP 28880193A JP 28880193 A JP28880193 A JP 28880193A JP H07122595 A JPH07122595 A JP H07122595A
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    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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Abstract

PURPOSE:To provide a method and an equipment for removing flux residue capable of continuously removing flux residue easily in a short time without using an organic solvent, etc., resulting in environmental destruction. CONSTITUTION:In the soldering of a chip 3, in which solder bumps 4 mounted on the chip 3 are coated with flux 5, the chip 3 is positioned onto a ceramic board 1 by the adhesion of the flux 5 and the flux 5 is reflowed, plasma is sprayed against soldered sections, an organic component in redisual flux 5A is oxidative-destructed and gasified, the organic component is removed, an inert gas is sprayed against an inorganic matter 5a remaining as residue, and the inorganic matter 5a is blown off and taken off.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、チップまたは基板導体
上に設けられた予備はんだにフラックスを塗布し、この
フラックスの粘着力でチップを基板導体上に位置決めし
てリフローするはんだ付けにおけるフラックス残渣を除
去するための方法及びその装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flux residue in soldering in which flux is applied to preliminary solder provided on a chip or a board conductor, and the adhesive force of this flux positions the chip on the board conductor for reflow. The present invention relates to a method and an apparatus for removing the slag.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、半導体素子のはんだ付けとして
は、フリップチップはんだ等が知られている。このはん
だ付け方法は、1)基板導体に予備はんだをメッキし、
フリップチップのバンプ側に塗布したフラックスの粘着
力でチップを位置決めしてリフローしたり、2)フリッ
プチップにはんだバンプを設け、これにフラックスを塗
布して、このフラックスの粘着力でチップを基板導体側
の電極表面に位置決めしてリフローするようになってい
る。このようなはんだ付けでは、はんだ付け後にフラッ
クスが残り、腐食が問題になる。すなわち、フラックス
を残渣を除去する作業は、はんだ付けの最終工程として
重要であり、腐食性の残留フラックスは単に部品を腐食
するばかりでなく、電気的リーク、回路の短絡、マイグ
レーション等の原因にもなるので必ず除去しなければな
らない。
2. Description of the Related Art For example, flip-chip soldering is known as soldering for semiconductor elements. This soldering method consists of 1) plating the board conductor with preliminary solder,
The chip is positioned and reflowed by the adhesive force of the flux applied to the bump side of the flip chip, or 2) solder bumps are provided on the flip chip, flux is applied to this, and the chip is bonded to the board conductor by the adhesive force of this flux. It is designed to be positioned on the surface of the electrode on the side for reflow. In such soldering, flux remains after the soldering, and corrosion becomes a problem. In other words, the work of removing the residue from the flux is important as the final step of soldering, and the corrosive residual flux not only corrodes the parts, but also causes electrical leaks, short circuits, migration, etc. It must be removed.

【0003】そこで、はんだ付け後のフラックス残渣の
除去は、色々な技術を用いて行われており、その一般的
な方法としてフロン等の有機溶剤を使用して洗浄する方
法が用いられている。
Therefore, the flux residue after soldering is removed by using various techniques, and as a general method, a method of cleaning using an organic solvent such as CFC is used.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たフロン等の有機溶剤を使用して洗浄する方法では、複
雑な洗浄工程、特に取り扱いが不便とされる液体による
洗浄が必要となる。このため、洗浄設備が大がかりにな
りコストが高くなる問題点や、フロン等の環境破壊物質
を使用した場合にはオゾン層を破壊する等の環境問題が
生ずる。
However, the above-mentioned method of cleaning using an organic solvent such as CFC requires a complicated cleaning step, particularly cleaning with a liquid which is inconvenient to handle. For this reason, there arises a problem that the cleaning facility becomes large in size and the cost becomes high, and when an environmentally destructive substance such as CFC is used, an environmental problem such as destruction of the ozone layer occurs.

【0005】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は環境破壊につながる有機溶剤等を
使用せずに短時間に連続してフラックス残渣の除去を簡
単に行うことができるフラックス残渣除去方法及びその
装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to easily remove a flux residue continuously in a short time without using an organic solvent or the like which causes environmental damage. It is intended to provide a flux residue removing method and an apparatus therefor.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この目的は、本発明にあ
っては、チップまたは基板導体上に設けられた予備はん
だにフラックスを塗布し、このフラックスの粘着力で前
記チップを前記基板導体上に位置決めしてリフローする
チップのはんだ付けにおいて、はんだ付けされた部分に
プラズマを吹き付けて残渣フラックスの有機成分を酸化
分解させてガス化し、前記有機成分を除去した後に残渣
として残った無機物に気体を吹き付けて飛ばして前記残
渣フラックスを除去するようにして達成される。なお、
前記チップとしてフリップチップを用いることもでき、
好ましくは前記気体として不活性ガスを用いると良い。
According to the present invention, a flux is applied to a preliminary solder provided on a chip or a board conductor, and the chip is placed on the board conductor by the adhesive force of the flux. In the soldering of the chip to be positioned and reflowed, the plasma is sprayed on the soldered part to oxidize and decompose the organic component of the residual flux to gasify it, and after removing the organic component, the residual inorganic substance is left with a gas. This is achieved by spraying and flying to remove the residual flux. In addition,
A flip chip may be used as the chip,
It is preferable to use an inert gas as the gas.

【0007】また、この目的は、本発明にあっては、チ
ップまたは基板導体上に設けられた予備はんだにフラッ
クスを塗布し、このフラックスの粘着力で前記チップを
前記基板導体上に位置決めしてリフローするはんだ付け
のフラックス残渣除去装置において、プラズマを発生さ
せて前記はんだ付けされた部分に前記プラズマを吹き付
けて残渣フラックスの有機成分を酸化分解させてガス化
するためのプラズマ発生手段と、前記有機成分を除去し
た後に残渣として残った無機物にガスを吹き付けて飛ば
すガス発生手段とを備えて達成される。なお、前記チッ
プとしてフリップチップを用いることもできる。
Further, in this invention, a flux is applied to a preliminary solder provided on a chip or a board conductor, and the chip is positioned on the board conductor by the adhesive force of the flux. In a reflow soldering flux residue removal apparatus, plasma generation means for generating plasma and blowing the plasma to the soldered portion to oxidize and decompose the organic components of the residue flux to gasify, and the organic It is achieved by providing a gas generating means for blowing a gas to the inorganic material remaining as a residue after removing the components. A flip chip may be used as the chip.

【0008】[0008]

【作用】これによれば、はんだ付けされた部分にプラズ
マを吹き付けて残渣フラックスの有機成分を酸化分解さ
せてガス化した後、この有機成分を除去した後に残渣と
して残った無機物に気体を吹き付けて飛ばすだけで簡単
に残渣フラックスを除去することができる。しかも、プ
ラズマや気体は、基板導体とチップの間の狭い隙間にも
入り込めるので、短時間できれいに洗浄されて除去され
る。また、フロン等の有機溶剤や液体を使用しての洗浄
ではないので、洗浄工程の設備が簡単で取り扱い易く、
従来の方法で問題となっていたコストの問題や、作業環
境及び地球規模での環境問題等を解決することができ
る。
According to this, plasma is sprayed on the soldered portion to oxidize and decompose the organic component of the residual flux to gasify it, and after removing this organic component, the residual inorganic substance is sprayed with gas. The residual flux can be easily removed simply by skipping. Moreover, the plasma and gas can enter the narrow gap between the substrate conductor and the chip, so that they can be cleaned and removed in a short time. In addition, since cleaning is not performed using organic solvents or liquids such as CFCs, the cleaning process equipment is simple and easy to handle,
It is possible to solve the cost problem, the work environment and the global-scale environmental problem, which have been problems in the conventional method.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。図1は本発明の一実施例を説明するた
めのはんだ付け工程図を示すものである。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a soldering process diagram for explaining an embodiment of the present invention.

【0010】図1において、このはんだ付け工程はフリ
ップチップのはんだ付けで、はんだ付けからフラックス
残渣除去に至るまでの処理は工程A〜工程Fの順で行わ
れる。以下、この処理を工程A〜工程Fの順に説明す
る。
In FIG. 1, this soldering process is flip-chip soldering, and processes from soldering to flux residue removal are performed in the order of processes A to F. Hereinafter, this process will be described in the order of steps A to F.

【0011】工程A(フラックス塗布)では、実装面に
予め形成されているランド(導体)2が設けられている
セラミック基板1と、それ自体が端子とはんだとを兼ね
てセラミック基板1のランド2にはんだ付けされるはん
だバンプ4に0.1〜0.5ミリ程の厚みでフラックス
5を塗布したベアーチップ3を用意する。
In step A (flux application), the ceramic substrate 1 provided with lands (conductors) 2 formed in advance on the mounting surface, and the land 2 of the ceramic substrate 1 which itself serves as a terminal and a solder. A bare chip 3 is prepared in which the flux 5 is applied to the solder bumps 4 to be soldered to the substrate with a thickness of about 0.1 to 0.5 mm.

【0012】工程B(フリップチップマウント)では、
工程Aで用意されたセラミック基板1上にベアーチップ
3を、ランド2にはんだバンプ4を対応させて載せる。
すると、ランド2とはんだバンプ4との間がフラックス
5の粘着力で位置決めされて仮固定される。
In step B (flip chip mount),
The bare chip 3 is placed on the ceramic substrate 1 prepared in the step A, and the solder bumps 4 are placed on the lands 2 in a corresponding manner.
Then, the land 2 and the solder bump 4 are positioned and temporarily fixed by the adhesive force of the flux 5.

【0013】工程C(はんだ付け)では、リフローを行
う。これにより、はんだバンプ4の一部が溶け、このは
んだバンプ4でセラミック基板1上にベアーチップ3が
はんだ付けされ、セラミック基板1とベアチップ3とが
固定されたワーク7が形成される。
In step C (soldering), reflow is performed. As a result, a part of the solder bump 4 is melted, the bare chip 3 is soldered on the ceramic substrate 1 by the solder bump 4, and the work 7 in which the ceramic substrate 1 and the bare chip 3 are fixed is formed.

【0014】工程D(プラズマ洗浄)では、工程Cでは
んだ付けされたワーク7の部分にプラズマ8を吹き付
け、残渣フラックス5Aの有機成分を酸化分解させて、
例えばCO2,H2O等をガス化して除去する。
In step D (plasma cleaning), plasma 8 is sprayed onto the portion of the work 7 soldered in step C to oxidize and decompose the organic components of the residual flux 5A,
For example, CO 2 , H 2 O, etc. are gasified and removed.

【0015】工程E(不活性ガス吹き付け)では、工程
Dで有機成分を除去した後に残渣として残った無機物5
aに不活性ガス9を吹き付け、その無機物5aを吹き飛
ばして除去する。なお、ここで吹き付けるガスは必ずし
も不活性ガスで無くても、エア等であっても差し支えな
いものである。
In step E (spraying with an inert gas), the inorganic substance 5 left as a residue after removing the organic components in step D
An inert gas 9 is blown to a, and the inorganic substance 5a is blown off and removed. The gas blown here may not necessarily be an inert gas, but may be air or the like.

【0016】工程F(完成)では、洗浄されて残渣フラ
ックス5A,5a等が無いワーク7に仕上がり、これが
検査されて問題がなければ次工程へ搬送されることにな
る。
In step F (completion), the work 7 is cleaned and finished to have no residual flux 5A, 5a, etc., which is inspected and if there is no problem, it is conveyed to the next step.

【0017】したがって、このようにしてはんだ付け処
理を行った場合では、はんだ付けされた部分にプラズマ
8を吹き付けて残渣フラックス5Aの有機成分を酸化分
解させてガス化した後、この有機成分を除去した後に残
渣として残った無機物5aに不活性ガス9等の気体を吹
き付けて飛ばすだけで簡単に残渣フラックス5A,5a
を除去することができることになる。しかも、プラズマ
9や気体(不活性ガス9等)は、セラミック基板(基板
導体)1とベアーチップ3の間の狭い隙間にも入り込め
るので、短時間できれいに洗浄されて除去することがで
きる。また、フロン等の有機溶剤や液体を使用しての洗
浄でないので、洗浄工程の設備も簡単にできる。
Therefore, when the soldering process is performed in this manner, plasma 8 is sprayed on the soldered portion to oxidize and decompose the organic component of the residual flux 5A to gasify it, and then the organic component is removed. The residual flux 5A, 5a can be easily formed by spraying a gas such as an inert gas 9 on the inorganic material 5a remaining as a residue after it is blown.
Can be removed. Moreover, since the plasma 9 and the gas (inert gas 9 or the like) can enter the narrow gap between the ceramic substrate (substrate conductor) 1 and the bare chip 3, it can be cleaned and removed in a short time. In addition, since cleaning is not performed using an organic solvent such as CFCs or a liquid, the equipment for the cleaning process can be simplified.

【0018】図2は、図1に示したフラックス残渣除去
処理工程を実現するためのプロセス装置を概略的に示す
模式図である。図2において図1と同一符号を付したも
のは図1と同一のものを示している。
FIG. 2 is a schematic diagram schematically showing a process apparatus for realizing the flux residue removal processing step shown in FIG. In FIG. 2, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same parts as those in FIG.

【0019】このプロセス装置10では、大きくははん
だ付け部11と洗浄部12とで構成されている。
The process apparatus 10 is mainly composed of a soldering section 11 and a cleaning section 12.

【0020】このうち、はんだ付け部11には、図1に
示した工程A〜工程Cを実行するための装置が設けられ
ている。
Of these, the soldering section 11 is provided with an apparatus for performing the steps A to C shown in FIG.

【0021】これに対して、洗浄部12には、図1に示
した工程D(プラズマ洗浄)を実行するためのプラズマ
発生装置13と、工程E(不活性ガス吹き付け)を実行
するための不活性ガス発生装置14が設けられている。
On the other hand, the cleaning unit 12 has a plasma generator 13 for performing the process D (plasma cleaning) shown in FIG. 1 and a non-operating device for performing the process E (inert gas spraying). An active gas generator 14 is provided.

【0022】そして、このプロセス装置10では、はん
だ付け部11ではんだ処理が終わり、残渣フラックス5
Aの洗浄処理が済んでいないワーク7が送られて来る
と、プラズマ発生装置13よりオゾンO3 2+を発生させ
てプラズマ8を作り、このプラズマ8をワーク7のはん
だ付けされた部分に吹き付け、残渣フラックス5Aの有
機成分を酸化分解させてガス化して除去する、図1に示
した工程D(プラズマ洗浄)の処理が行われる。
Then, in this process device 10, the soldering process is completed at the soldering portion 11, and the residual flux 5
When the work 7 that has not been subjected to the cleaning treatment of A is sent in, ozone O 3 2+ is generated from the plasma generator 13 to form plasma 8, and this plasma 8 is sprayed onto the soldered portion of the work 7. Then, the process of step D (plasma cleaning) shown in FIG. 1 is performed, in which the organic component of the residual flux 5A is oxidatively decomposed to be gasified and removed.

【0023】また、このプラズマ洗浄が終わると、次に
不活性ガス発生装置14より不活性ガス9を発生させ、
この不活性ガス9をワーク7のはんだ付けされた部分に
残っている無機物5aに吹き付け、その無機物5aを吹
き飛ばして除去する。これにより、はんだ付けされたワ
ーク7の洗浄処理が終了し、プロセス装置10より次工
程へ図示せぬ手段により搬送される。
When the plasma cleaning is completed, the inert gas 9 is then generated from the inert gas generator 14.
The inert gas 9 is sprayed onto the inorganic material 5a remaining in the soldered portion of the work 7, and the inorganic material 5a is blown away and removed. As a result, the cleaning process of the soldered work 7 is completed, and the work 7 is conveyed to the next step from the process device 10 by means not shown.

【0024】なお、上記実施例では、フリップチップの
はんだ付けに適用した場合について説明したが、これに
限ることなく他のはんだ付けにおける残渣フラックスを
除去する場合にも同様にして適用できるものである。ま
た、はんだバンプ4を使用した場合について説明した
が、予備はんだはセラミック基板1上にメッキ等して設
けても良いものである。
In the above-mentioned embodiment, the case of application to flip-chip soldering has been described, but the present invention is not limited to this and can be similarly applied to removal of residual flux in other soldering. . Although the case where the solder bumps 4 are used has been described, the preliminary solder may be provided on the ceramic substrate 1 by plating or the like.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
はんだ付けされた部分にプラズマを吹き付けて残渣フラ
ックスの有機成分を酸化分解させてガス化した後、この
有機成分を除去した後に残渣として残った無機物に気体
を吹き付けて飛ばすだけで簡単に残渣フラックスを除去
することができる。しかも、プラズマや気体は、基板導
体とチップの間の狭い隙間にも入り込めるので、短時間
できれいに洗浄されて除去される。また、フロン等の有
機溶剤や液体を使用しての洗浄ではないので、洗浄工程
の設備が簡単になり、さらには取り扱いも簡単で、従来
の方法で問題となっていたコストの問題や、作業環境及
び地球規模での環境問題等を解決することができる等の
効果が期待できる。
As described above, according to the present invention,
After spraying plasma to the soldered part to oxidize and decompose the organic component of the residual flux to gasify it, simply remove the organic component and then blow the gas to the residual inorganic substance to blow away the residual flux. Can be removed. Moreover, the plasma and gas can enter the narrow gap between the substrate conductor and the chip, so that they can be cleaned and removed in a short time. In addition, since cleaning is not performed using organic solvents or liquids such as CFCs, the equipment for the cleaning process is simple, and the handling is also easy, resulting in cost problems and work that have been problems with conventional methods. Effects such as the ability to solve environmental and global environmental problems can be expected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例として示す処理工程の説明図
である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of processing steps shown as an example of the present invention.

【図2】本発明の一実施例として示すプロセス装置の模
式図である。
FIG. 2 is a schematic view of a process device shown as an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 セラミック基板 2 ランド 3 ベアチップ 4 はんだバンプ(予備はんだ) 5 フラックス 5A 残渣フラックス 5a 無機物 10 プロセス装置 11 はんだ付け部 12 洗浄部 13 プラズマ発生装置 14 不活性ガス発生装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic substrate 2 Land 3 Bare chip 4 Solder bump (preliminary solder) 5 Flux 5A Residual flux 5a Inorganic substance 10 Process equipment 11 Soldering part 12 Cleaning part 13 Plasma generator 14 Inert gas generator

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 チップまたは基板導体上に設けられた予
備はんだにフラックスを塗布し、このフラックスの粘着
力で前記チップを前記基板導体上に位置決めしてリフロ
ーするチップのはんだ付けにおいて、 はんだ付けされた部分にプラズマを吹き付けて残渣フラ
ックスの有機成分を酸化分解させてガス化し、 前記有機成分を除去した後に残渣として残った無機物に
気体を吹き付けて飛ばして前記残渣フラックスを除去す
るようにしたことを特徴とするフラックス残渣除去方
法。
1. Soldering in soldering a chip in which flux is applied to preliminary solder provided on a chip or a board conductor, and the chip is positioned on the board conductor by the adhesive force of the flux and reflowed. The organic component of the residual flux is oxidatively decomposed and gasified by spraying a plasma to the exposed portion, and after removing the organic component, the residual inorganic flux is blown by blowing gas to remove the residual flux. Characteristic flux residue removal method.
【請求項2】 前記チップとしてフリップチップを用い
た請求項1に記載のフラックス残渣除去方法。
2. The flux residue removing method according to claim 1, wherein a flip chip is used as the chip.
【請求項3】 前記気体として不活性ガスを用いた請求
項1に記載のフラックス残渣除去方法。
3. The method for removing flux residue according to claim 1, wherein an inert gas is used as the gas.
【請求項4】 チップまたは基板導体上に設けられた予
備はんだにフラックスを塗布し、このフラックスの粘着
力で前記チップを前記基板導体上に位置決めしてリフロ
ーするはんだ付けのフラックス残渣除去装置において、 プラズマを発生させて前記はんだ付けされた部分に前記
プラズマを吹き付けて残渣フラックスの有機成分を酸化
分解させてガス化するためのプラズマ発生手段と、 前記有機成分を除去した後に残渣として残った無機物に
ガスを吹き付けて飛ばすガス発生手段とを備えたことを
特徴とするフラックス残渣除去装置。
4. A flux residue removing apparatus for soldering, wherein flux is applied to preliminary solder provided on a chip or a board conductor, and the chip is positioned on the board conductor by the adhesive force of the flux and reflowed. Plasma generating means for spraying the plasma to the soldered portion to oxidize and decompose the organic component of the residual flux to gasify it, and to remove the organic component and to leave the residual inorganic substance as a residue. A flux residue removing device comprising: a gas generating unit that blows and blows gas.
【請求項5】 前記チップとしてフリップチップを用い
た請求項4に記載のフラックス残渣除去装置。
5. The flux residue removing apparatus according to claim 4, wherein a flip chip is used as the chip.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0875935A3 (en) * 1997-04-28 2000-08-02 NEC Corporation Semiconductor device having a projecting electrode
WO2001067506A1 (en) * 2000-03-10 2001-09-13 Toray Engineering Co., Ltd. Method and apparatus for mounting chip
JP2009164431A (en) * 2008-01-08 2009-07-23 Fujitsu Microelectronics Ltd Manufacturing method of semiconductor device, cleaning method of semiconductor device, and cleaning device

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