JPH07120771A - Liquid crystal display device with low-resistance electrode and preparation thereof - Google Patents

Liquid crystal display device with low-resistance electrode and preparation thereof

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Publication number
JPH07120771A
JPH07120771A JP6165814A JP16581494A JPH07120771A JP H07120771 A JPH07120771 A JP H07120771A JP 6165814 A JP6165814 A JP 6165814A JP 16581494 A JP16581494 A JP 16581494A JP H07120771 A JPH07120771 A JP H07120771A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal display
display device
ito
photoresist
Prior art date
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Pending
Application number
JP6165814A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Seirin Sai
崔成林
Kochin An
安光鎮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SANSEI DENKAN KK
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
SANSEI DENKAN KK
Samsung Electron Devices Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by SANSEI DENKAN KK, Samsung Electron Devices Co Ltd filed Critical SANSEI DENKAN KK
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Pending legal-status Critical Current

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    • AHUMAN NECESSITIES
    • A01AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01DHARVESTING; MOWING
    • A01D1/00Hand-cutting implements for harvesting
    • A01D1/04Sickles

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental Sciences (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

PURPOSE: To produce a liq. crystal display device with low resistance electrodes reducing line resistance, suppressing line voltage drop between both sides and ensuring uniform display quality. CONSTITUTION: The entire surface of a glass substrate S with a formed ITO film 10 is coated with a photoresist, this photoresist is patterned by exposure through a Cr mask and development so that it is parted at prescribed intervals and the ITO film 10 is etched with an ITO etching soln. so as to form the same pattern as the pattern of the photoresist. The substrate S with transparent ITO electrodes 10 formed at prescribed intervals is subjected to prim. electroless plating and sec. electroless plating to form 1st and 2nd metallic films 12, 14 on both sides of each of the electrodes 10 and then the photoresist is removed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、スーパーツイステッド
ネマチック(Super TwistedNemati
c;「STN」という)液晶ディスプレイ(LCD)に
関わり、より詳しくは、ITO電極の両側サイドに無電
解鍍金法を用いてNi,Ni+Al、またはNi,Ni
+Auから成る鍍金膜を形成することにより、電圧印加
時、駆動IC側と反対側の間の電位差による表示特性不
良を改善するようにした液晶表示素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to Super Twisted Nematic.
c; referred to as "STN") liquid crystal display (LCD), and more specifically, Ni, Ni + Al, or Ni, Ni using electroless plating on both sides of the ITO electrode.
The present invention relates to a liquid crystal display element in which a plating film made of + Au is formed to improve display characteristic defects due to a potential difference between the drive IC side and the opposite side when a voltage is applied.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近OA機器や携帯用小型TVなどの普
及によって、これまでのディスプレイ装置でブラウン管
(CRT)の代わりに液晶ディスプレイ(LCD)、セ
ンサー素子、プラズマディスプレーパネル(PDP)、
蛍光表示板(VFD)等の研究が活発に行なわれ、一部
は実用化している。
2. Description of the Related Art With the recent spread of OA equipment and small portable TVs, liquid crystal displays (LCD), sensor elements, plasma display panels (PDP), in place of cathode ray tubes (CRTs) in conventional display devices,
Research on fluorescent display panels (VFD) and the like has been actively conducted, and some of them have been put to practical use.

【0003】そのなかでも、液晶ディスプレイは特に軽
量で、薄型、低値低消費電力駆動で集積回路との整合性
が良いことなどの特徴を有しており、このためラップト
ップコンピュータあるいは携帯用のポケットコンピュー
タの表示以外にも、車両搭載用、カラーTV画像用とし
てその用途を拡大している。
Among them, the liquid crystal display is particularly lightweight, thin, low-value and low-power-consumption, and has good compatibility with an integrated circuit. Therefore, it is suitable for a laptop computer or a portable computer. In addition to the display on a pocket computer, it is expanding its use as a vehicle-mounted device and a color TV image.

【0004】斯かる液晶表示素子は、導電性板材2枚を
平行に配置し、その間に液晶を注入して電気光学的な効
果で文字、数字、そのほか任意の図案を表示するように
なっている。
In such a liquid crystal display element, two conductive plate materials are arranged in parallel, and liquid crystal is injected between them to display characters, numbers and other arbitrary patterns by an electro-optical effect. .

【0005】前記工程で製造された液晶表示素子は、流
電異方性を有する物質が電界上に置かれる時、配向され
る性質を用いて画像表示をするようにしたものとして、
透明電極と配向膜が積層された上下部ガラス基板の周囲
を密封材で取り囲んで設けられた液晶セルにコレステリ
ックまたはネマティク液晶を注入した構造から成ってい
る。
The liquid crystal display device manufactured in the above process is designed to display an image by utilizing the property of being oriented when a substance having galvanic anisotropy is placed in an electric field.
It has a structure in which a cholesteric or nematic liquid crystal is injected into a liquid crystal cell which is provided by surrounding the upper and lower glass substrates on which a transparent electrode and an alignment film are laminated with a sealing material.

【0006】上下部ガラス基板上に形成された透明電極
に電圧が印加され、その間に電界が形成される場合、内
部に収容されている液晶は、流電異方性により配向膜が
選定した方向に捻れて外部から入射された光を分子側方
向に屈折させるようになる。その結果、液晶のディスプ
レイ領域で捻れた液晶が存在する部分はそうでない部分
とは光透過率の差異を現して画像表示を可能にする。
When a voltage is applied to the transparent electrodes formed on the upper and lower glass substrates and an electric field is formed therebetween, the liquid crystal contained in the liquid crystal is oriented in a direction selected by the alignment film due to galvanic anisotropy. When it is twisted, the light incident from the outside is refracted in the molecule side direction. As a result, the portion where the twisted liquid crystal is present in the display area of the liquid crystal shows a difference in light transmittance from the portion where the twisted liquid crystal is not present, thereby enabling image display.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】前述した事項をもとに
して従来の液晶表示素子のITO(indium-tin-oxide)
パターン構造に関して図1(A)及び図1(B)を参照
して説明すると次のとおりである。ここで、図1(A)
は平面図を、図1(B)は断面図を示した。
Based on the above-mentioned matters, ITO (indium-tin-oxide) of a conventional liquid crystal display device is used.
The pattern structure will be described below with reference to FIGS. 1 (A) and 1 (B). Here, FIG. 1 (A)
Shows a plan view, and FIG. 1B shows a cross-sectional view.

【0008】図1から分かるように、従来の液晶表示素
子には、ガラス基板上に透明電極として、ITOを使用
しているので、線抵抗が比較的に大きかった。すなわ
ち、外部モジュールで電圧印加時、ITOパターンに電
圧が掛かって液晶がツイストされるが、通常的なITO
パターンの長さは640×480ドットの場合、厚さが
0.2μm、幅が270μmであるので、長さが18c
mぐらいである。
As can be seen from FIG. 1, the conventional liquid crystal display element uses ITO as a transparent electrode on a glass substrate, and thus has a relatively large line resistance. That is, when a voltage is applied in the external module, a voltage is applied to the ITO pattern and the liquid crystal is twisted.
When the pattern length is 640 × 480 dots, the thickness is 0.2 μm and the width is 270 μm, so the length is 18 c.
It is about m.

【0009】その結果、電圧が印加される初段部と最後
部には電圧差を生じ、良好な表示特性が得られないとい
う問題を生じる。
As a result, a voltage difference is generated between the first stage portion and the last portion to which a voltage is applied, which causes a problem that good display characteristics cannot be obtained.

【0010】さらに、LCDが大型化されるにつれて駆
動ICを一側にだけ装着する場合、ITO透明電極が薄
く且つ長くなり、電圧印加時において、電圧印加側端
(IC駆動側)とその反対側端の間に電位差が生じるこ
とになる。
Further, when the driving IC is mounted only on one side as the LCD becomes larger, the ITO transparent electrode becomes thin and long, and at the time of voltage application, the voltage application side end (IC drive side) and the opposite side. There will be a potential difference between the ends.

【0011】前記電位差は、透明電極だけを使用した場
合、ITO自体が有する線抵抗が最小10〜30Ω/c
mとされるため、ライン電圧降下(Line Volt
age Drop)が発生し、その結果、表示画面両側
間の画質に差異を生じて画質不良の原因になる問題があ
る。
The above-mentioned potential difference has a minimum line resistance of ITO of 10 to 30 Ω / c when only transparent electrodes are used.
m, the line voltage drop (Line Volt
There is a problem that the image drop occurs on both sides of the display screen, resulting in a defective image quality.

【0012】従って、本発明は前記のような点を勘案し
て成ったものとして、前記問題点を解消し、透明電極両
側間のライン電圧降下によるライン抵抗を低減し、均一
な表示品質が得られる低抵抗電極を有する液晶表示素子
及びその製造方法を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention has been made in consideration of the above points, solves the above problems, reduces the line resistance due to the line voltage drop between both sides of the transparent electrode, and obtains a uniform display quality. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having a low resistance electrode and a method for manufacturing the same.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の液晶表示素子は、ガラス基板の上に所定間
隔を置いて形成されたITO透明電極と、前記ITO透
明電極の両側サイドに形成された第1及び第2金属膜と
から成る構造の低抵抗電極を有する。
In order to achieve the above-mentioned object, a liquid crystal display device of the present invention comprises an ITO transparent electrode formed on a glass substrate at a predetermined interval and both sides of the ITO transparent electrode. It has a low resistance electrode having a structure composed of the formed first and second metal films.

【0014】一方、本発明に従う液晶表示素子の製造方
法は、ITO膜が形成された円板ガラス全面にフォトレ
ジストコーティングをした後、クロムマスクを用いて露
光、現像し、前記フォトレジストが所定間隔を有して相
互分離されるようにパターニングする工程と、ITOエ
ッチング溶液を用いて前記フォトレジストと同一パター
ンを有するようにITO膜をエッチングする工程と、前
記パターンが形成された基板上に第1次及び第2次無電
解鍍金を実施して前記ITO膜の両サイド側に第1及び
第2金属膜を形成する工程と、前記工程の後、フォトレ
ジストをエッチングさせる工程とからなる。
On the other hand, in the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, a photoresist coating is applied to the entire surface of the disk-shaped glass on which the ITO film is formed, and then the photoresist is exposed and developed using a chrome mask, and the photoresist is provided at predetermined intervals. And patterning so as to be separated from each other, etching the ITO film using an ITO etching solution so as to have the same pattern as the photoresist, and forming a first layer on the substrate on which the pattern is formed. And second electroless plating to form the first and second metal films on both sides of the ITO film, and after the process, etching the photoresist.

【0015】[0015]

【実施例】以下、添付した図面を参照して、本発明を実
施例に即して詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.

【0016】図2(A)ないし図2(C)は本発明の一
実施例に係る液晶表示素子のITOパターン構造を示し
た平面図及び断面図を示したものである。
2 (A) to 2 (C) are a plan view and a sectional view showing an ITO pattern structure of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【0017】図2から分かるように、本実施例に係る液
晶表示素子は、ガラス基板Sの上に所定間隔を置いて形
成されたITO透明電極(10)と、前記ITO電極の
両側サイドに形成された第1及び第2金属膜(12,1
4)とから成る構造を有する。
As can be seen from FIG. 2, the liquid crystal display device according to the present embodiment has ITO transparent electrodes (10) formed on a glass substrate S at a predetermined interval, and formed on both sides of the ITO electrodes. The first and second metal films (12, 1)
4) has a structure consisting of

【0018】この構造は無電解鍍金法を用いてSTN
LCDと密接な関係がある線抵抗を低めるものであり、
その製造方法はまず、ITO膜が形成された円板ガラス
S全面にフォトレジストをコーティングをした後、クロ
ムマスクを用いて露光、現像して前記フォトレジストが
所定間隔を有して相互分離されるようにパターニングす
る。
This structure is formed by STN using electroless plating.
It lowers the line resistance, which is closely related to LCD.
In the manufacturing method, first, a photoresist is coated on the entire surface of the disk glass S on which the ITO film is formed, and then exposed and developed using a chrome mask so that the photoresists are separated from each other at a predetermined interval. Pattern.

【0019】その後、ITOエッチング溶液を用いて前
記フォトレジストと同一パターンを有するようにITO
膜(10)をエッチングするが、この際に、ITOエッ
チング溶液はフォトレジストをエッチングしないので、
フォトレジスト下部にあるITO膜はそのまま残り、そ
れ以外の部分だけがエッチングされ、エッチングされた
部分のガラスが表面に現れるようになる。
Then, an ITO etching solution is used to form an ITO film having the same pattern as the photoresist.
The film (10) is etched, but at this time, since the ITO etching solution does not etch the photoresist,
The ITO film under the photoresist remains as it is, and only the other part is etched, and the glass of the etched part appears on the surface.

【0020】続いて、パターン上に無電解Ni鍍金方式
で鍍金を行なうが、ここで、Ni鍍金はガラスの上及び
フォトレジスト成分には鍍金とならないため、ITO部
分にだけ鍍金が形成される。
Subsequently, the pattern is plated by an electroless Ni plating method. Here, since the Ni plating does not form a plating on the glass and on the photoresist component, the plating is formed only on the ITO portion.

【0021】現在、無電解鍍金に使用されている金属は
Ni種かAu等であり、本実施例に於いては、Niが鍍
金されたパターン上にまたAu無電解鍍金を行なうの
で、ITO膜(10)の両サイド側にNi(12)及び
Au(14)が形成される。
At present, the metal used in the electroless plating is Ni seed or Au, and in this embodiment, since the Au electroless plating is performed again on the Ni-plated pattern, the ITO film is formed. Ni (12) and Au (14) are formed on both sides of (10).

【0022】この際、ITO膜(10)の両サイド側に
形成されたNi及びAu金属膜はITO膜と同一厚さで
形成するか、あるいは両サイドの角部が一部覆われるよ
うに形成するものの中で選択されたいずれかひとつから
成るようになる。
At this time, the Ni and Au metal films formed on both sides of the ITO film (10) have the same thickness as the ITO film, or are formed so that the corners on both sides are partially covered. It will consist of one of the selected ones.

【0023】一方、Ni及びAl鍍金膜は、これ以外に
も、Ni及びNiとAl(Ni+Al)、又はNi及び
NiとAu(Ni+Au)としても形成可能である。
On the other hand, the Ni and Al plating film can be formed as Ni and Ni and Al (Ni + Al) or Ni and Ni and Au (Ni + Au) other than this.

【0024】上記工程の後、ITO膜(10)上に形成
されているフォトレジストを除去することにより、本発
明に従う液晶表示素子を完成するようになる。ここで、
Niの鍍金量は時間(無電解鍍金液に入れる時間)に比
例するようになる。
After the above steps, the photoresist formed on the ITO film (10) is removed to complete the liquid crystal display device according to the present invention. here,
The plating amount of Ni becomes proportional to the time (the time of putting in the electroless plating solution).

【0025】ここで、B/W(Black and White;「白
黒」)STNの場合、ITO膜(10)の幅は、270
μmであり、ITO膜(10)の間の間隔は、30μ
m、厚さは線抵抗が15Ωである場合は約2000⌒で
ある。
In the case of B / W (Black and White) STN, the width of the ITO film (10) is 270.
The distance between the ITO films (10) is 30 μm.
m, the thickness is about 2000 ⌒ when the line resistance is 15Ω.

【0026】一方、Ni及びAu鍍金の膜厚さはそれぞ
れ0.05〜3μmで形成される。
On the other hand, the film thicknesses of Ni and Au plating are each 0.05 to 3 μm.

【0027】その結果、B/W STN LCDより上
位のクラスで、通常のツイステッドネマチック(TN)
の場合は、300Ω、STNの場合には10〜15Ω/
□であった抵抗値(シート抵抗)を低減することにな
る。
As a result, in the class higher than the B / W STN LCD, a normal twisted nematic (TN) is used.
In case of STN, 300Ω, in case of STN 10-15Ω /
The resistance value (sheet resistance) that was □ will be reduced.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ITO透明電極の両側サイドにNi及びAu鍍金膜を形
成させることによって、ライン抵抗を低減し透明電極両
側間のライン電圧ドロップを大幅に低減し、均一且つ良
好な表示品質が得られるようになる。
As described above, according to the present invention,
By forming the Ni and Au plating films on both sides of the ITO transparent electrode, the line resistance can be reduced and the line voltage drop between both sides of the transparent electrode can be significantly reduced, and uniform and good display quality can be obtained.

【0029】また、本発明の液晶表示素子の製造方法に
よれば、無電解Ni鍍金等により、ITO透明電極の両
側サイドに第1及び第2の金属膜を形成する工程を含
み、ライン抵抗を低減するもので、製造工程のコストの
上昇を抑制して、透明電極両側間のライン電圧ドロップ
を大幅に低減し、均一且つ良好な表示品質が得られるよ
うになる。さらに、本発明によれば、第1次及び第2次
無電解鍍金は、好ましくは、Ni、Au金属を用いた場
合、ライン抵抗の低減化に資する。そして、請求項4な
いし6に記載の製造方法によっても、同様にして、上記
本発明の効果を達し得る。
Further, according to the method of manufacturing a liquid crystal display element of the present invention, the step of forming the first and second metal films on both sides of the ITO transparent electrode by electroless Ni plating or the like is included, and the line resistance is reduced. Therefore, it is possible to suppress an increase in the cost of the manufacturing process, significantly reduce the line voltage drop between both sides of the transparent electrode, and obtain uniform and good display quality. Further, according to the present invention, the primary and secondary electroless platings preferably contribute to the reduction of the line resistance when Ni or Au metal is used. The effects of the present invention can be similarly achieved by the manufacturing methods according to claims 4 to 6.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(A)及び(B)は従来液晶表示素子のITO
パターン構造を示した平面図及び断面図である。
1A and 1B are ITO of a conventional liquid crystal display device.
It is the top view and sectional drawing which showed the pattern structure.

【図2】(A)ないし(C)は本発明の一実施例に係る
液晶表示素子のITOパターン構造を示した平面図及び
断面図である。
2A to 2C are a plan view and a cross-sectional view showing an ITO pattern structure of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

S ガラス基板 10 ITO膜 12 Ni 14 Au S glass substrate 10 ITO film 12 Ni 14 Au

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ガラス基板の上に所定間隔を置いて形成さ
れたITO透明電極と、前記ITO透明電極の両側側部
に形成された第1及び第2金属膜とから成る低抵抗電極
を有する液晶表示素子。
1. A low resistance electrode comprising an ITO transparent electrode formed on a glass substrate at a predetermined interval, and first and second metal films formed on both sides of the ITO transparent electrode. Liquid crystal display device.
【請求項2】ITO膜が形成された円板ガラス全面にフ
ォトレジストをコーティングをした後、クロムマスクを
用いて露光、現像して前記フォトレジストが所定間隔を
有して相互に分離されるようにパターニングする工程
と、 ITOエッチング溶液を用いて前記フォトレジストと同
一パターンを有するように前記ITO膜をエッチングす
る工程と、 前記パターンが形成された基板上に第1次及び第2次無
電解鍍金を施し前記ITO膜の両側部に第1及び第2金
属膜を形成する工程と、 前記工程の後に、前記フォトレジストを除去する工程と
から成ることを特徴とする低抵抗電極を有する液晶表示
素子の製造方法。
2. A photoresist is coated on the entire surface of the disk-shaped glass on which the ITO film is formed, and then exposed and developed using a chrome mask so that the photoresists are separated from each other at a predetermined interval. Patterning, etching the ITO film using an ITO etching solution to have the same pattern as the photoresist, and forming a primary and secondary electroless plating layer on the patterned substrate. A liquid crystal display device having a low resistance electrode, comprising: a step of forming first and second metal films on both sides of the ITO film; and a step of removing the photoresist after the step. Production method.
【請求項3】前記第1次及び第2次無電解鍍金が、N
i、Au金属を用いて成ることを特徴とする請求項2に
記載の低抵抗電極を有する液晶表示素子の製造方法。
3. The primary and secondary electroless plating is N
The method for manufacturing a liquid crystal display device having a low resistance electrode according to claim 2, wherein the liquid crystal display device is made of i or Au metal.
【請求項4】前記第1金属膜と第2金属膜とが、Alと
Ni、NiとAl及びNi、NiとNi及びAu、のう
ち、選択されたいずれか一で形成されたことを特徴とす
る請求項2に記載の低抵抗電極を有する液晶表示素子の
製造方法。
4. The first metal film and the second metal film are formed of any one selected from Al and Ni, Ni and Al and Ni, Ni and Ni and Au. A method of manufacturing a liquid crystal display device having a low resistance electrode according to claim 2.
【請求項5】前記第1金属膜であるNi及び第2金属膜
であるAlが、それぞれ0.05〜3μmの厚さで形成
されることを特徴とする請求項2または請求項4に記載
の低抵抗電極を有する液晶表示素子の製造方法。
5. The method according to claim 2, wherein the first metal film Ni and the second metal film Al are each formed to a thickness of 0.05 to 3 μm. A method for manufacturing a liquid crystal display device having a low resistance electrode.
【請求項6】前記ITO膜の両側部に形成された第1及
び第2金属膜が、前記ITO膜と同一厚さで形成される
か、あるいは両側側部の角が一部覆われるように形成す
ることのうち、選択されたいずれか一つから成ることを
特徴とする請求項2に記載の低抵抗電極を有する液晶表
示素子の製造方法。
6. The first and second metal films formed on both sides of the ITO film are formed to have the same thickness as the ITO film, or the corners on both sides are partially covered. The method for manufacturing a liquid crystal display device having a low resistance electrode according to claim 2, wherein the method comprises forming one of the selected ones.
JP6165814A 1993-10-20 1994-06-27 Liquid crystal display device with low-resistance electrode and preparation thereof Pending JPH07120771A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019930021800U KR950010563U (en) 1993-10-20 1993-10-20 Scythe Blade
KR1993-21891 1993-10-23

Publications (1)

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JPH07120771A true JPH07120771A (en) 1995-05-12

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ID=60818079

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KR (1) KR950010563U (en)

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Effective date: 20040601