JPH07117043A - 半導体基板の形成方法 - Google Patents
半導体基板の形成方法Info
- Publication number
- JPH07117043A JPH07117043A JP27012993A JP27012993A JPH07117043A JP H07117043 A JPH07117043 A JP H07117043A JP 27012993 A JP27012993 A JP 27012993A JP 27012993 A JP27012993 A JP 27012993A JP H07117043 A JPH07117043 A JP H07117043A
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- JP
- Japan
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- semiconductor
- semiconductor block
- width
- wires
- wire
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- Pending
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 半導体塊１をマルチワイヤーソー装置でスラ
イスして複数の半導体基板を形成する半導体基板の形成
方法において、前記マルチワイヤーソー装置のワイヤー
２の張り幅ＷＬを前記半導体塊１の幅ＳＬよりも小さく
設定して前記半導体塊をスライスする。 【効果】 半導体基板の端部直近にワイヤーが位置する
ことはなく、ワイヤーの部分的なたわみと断線を防止で
きる。また、スライス途中で半導体塊の端材が割れて落
下することもなくなり、スライス時のワレの誘発、ワイ
ヤー飛びの発生が防げ、且つ次の洗浄工程などでの二次
的な不良の発生も抑制できる。
イスして複数の半導体基板を形成する半導体基板の形成
方法において、前記マルチワイヤーソー装置のワイヤー
２の張り幅ＷＬを前記半導体塊１の幅ＳＬよりも小さく
設定して前記半導体塊をスライスする。 【効果】 半導体基板の端部直近にワイヤーが位置する
ことはなく、ワイヤーの部分的なたわみと断線を防止で
きる。また、スライス途中で半導体塊の端材が割れて落
下することもなくなり、スライス時のワレの誘発、ワイ
ヤー飛びの発生が防げ、且つ次の洗浄工程などでの二次
的な不良の発生も抑制できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板の形成方法に
関し、特に半導体塊をマルチワイヤーソー装置でスライ
スして太陽電池用半導体基板などを形成する半導体基板
の形成方法に関する。
関し、特に半導体塊をマルチワイヤーソー装置でスライ
スして太陽電池用半導体基板などを形成する半導体基板
の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、多結晶シリコンなどで太陽電池用
半導体基板を形成する場合、例えば鋳造法によって多結
晶シリコンのインゴットを形成し、このインゴットを所
定寸法にカットして半導体塊を形成した後、この半導体
塊をマルチワイヤーソー装置で複数枚にスライスしてい
た。
半導体基板を形成する場合、例えば鋳造法によって多結
晶シリコンのインゴットを形成し、このインゴットを所
定寸法にカットして半導体塊を形成した後、この半導体
塊をマルチワイヤーソー装置で複数枚にスライスしてい
た。
【０００３】半導体塊をスライスする際に用いるマルチ
ワイヤーソー装置は、図２に示すように、スラリー供給
口１２が設けられたスラリー溜まり槽１１を中心に、三
つのローラー１３ａ、１３ｂ、１３ｃを配置し、このロ
ーラー１３ａ、１３ｂ、１３ｃにワイヤー１４を張って
構成されていた。
ワイヤーソー装置は、図２に示すように、スラリー供給
口１２が設けられたスラリー溜まり槽１１を中心に、三
つのローラー１３ａ、１３ｂ、１３ｃを配置し、このロ
ーラー１３ａ、１３ｂ、１３ｃにワイヤー１４を張って
構成されていた。
【０００４】半導体塊１５ａ、１５ｂをスライスする場
合、砥粒が存在するスライス用スラリーをスラリー供給
口１２から順次オーバーフローするように供給すると共
に、三つのローラー１３ａ、１３ｂ、１３ｃ間でワイヤ
ー１４を高速回転させながら、複数の半導体塊１５ａ、
１５ｂをワイヤー１４部分に徐々に下降させることによ
って半導体塊１５ａ、１５ｂをスライスするものであ
る。この場合、半導体塊１５ａ、１５ｂは、カーボンな
どから成る基材１６ａ、１６ｂに貼着され、半導体塊１
５ａ、１５ｂをスライスしても、個々の半導体基板がバ
ラバラにならないようにスライスされる。
合、砥粒が存在するスライス用スラリーをスラリー供給
口１２から順次オーバーフローするように供給すると共
に、三つのローラー１３ａ、１３ｂ、１３ｃ間でワイヤ
ー１４を高速回転させながら、複数の半導体塊１５ａ、
１５ｂをワイヤー１４部分に徐々に下降させることによ
って半導体塊１５ａ、１５ｂをスライスするものであ
る。この場合、半導体塊１５ａ、１５ｂは、カーボンな
どから成る基材１６ａ、１６ｂに貼着され、半導体塊１
５ａ、１５ｂをスライスしても、個々の半導体基板がバ
ラバラにならないようにスライスされる。
【０００５】また、図３に示すように、半導体塊１５ａ
の幅ＳL よりもワイヤー１４の張り幅ＷL を幅広に設定
して半導体塊１５ａをスライスしていた。すなわち、例
えば半導体塊１５ａの幅ＳL が３００ｍｍの場合、ワイ
ヤー１４の張り幅ＷL は、例えば３２０ｍｍ程度に設定
してスライスされる。
の幅ＳL よりもワイヤー１４の張り幅ＷL を幅広に設定
して半導体塊１５ａをスライスしていた。すなわち、例
えば半導体塊１５ａの幅ＳL が３００ｍｍの場合、ワイ
ヤー１４の張り幅ＷL は、例えば３２０ｍｍ程度に設定
してスライスされる。
【０００６】
【発明が解決しようとする問題点】ところが、この従来
の半導体基板の形成方法のように、半導体塊１５ａの幅
ＳL よりもワイヤー１４の張り幅ＷL を長く設定して、
半導体塊１５ａをスライスすると、半導体塊１５ａの端
部直近に位置するワイヤー１４ａ、１４ｂが他のワイヤ
ー１４よりもたわみが大きくなりやすく、この半導体塊
１５ａの端部付近に位置するワイヤー１４ａ、１４ｂが
断線するという問題があった。
の半導体基板の形成方法のように、半導体塊１５ａの幅
ＳL よりもワイヤー１４の張り幅ＷL を長く設定して、
半導体塊１５ａをスライスすると、半導体塊１５ａの端
部直近に位置するワイヤー１４ａ、１４ｂが他のワイヤ
ー１４よりもたわみが大きくなりやすく、この半導体塊
１５ａの端部付近に位置するワイヤー１４ａ、１４ｂが
断線するという問題があった。
【０００７】また、半導体塊１５ａのスライス中に、半
導体塊１５ａの端部直近に位置するワイヤー１４ａ、１
４ｂによって、半導体塊１５ａの端材が割れて落下し、
スライス時のワレの誘発、ピッチ飛びの発生、及び次工
程の洗浄工程などで、端材に隣接する良品の半導体基板
にカケやワレなどを誘発するという問題もあった。
導体塊１５ａの端部直近に位置するワイヤー１４ａ、１
４ｂによって、半導体塊１５ａの端材が割れて落下し、
スライス時のワレの誘発、ピッチ飛びの発生、及び次工
程の洗浄工程などで、端材に隣接する良品の半導体基板
にカケやワレなどを誘発するという問題もあった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体基板
の形成方法は、このような従来技術の問題点に鑑みてな
されたものであり、その特徴とするところは、半導体塊
をマルチワイヤーソー装置でスライスして複数の半導体
基板を形成する半導体基板の形成方法において、前記マ
ルチワイヤーソー装置のワイヤーの張り幅を前記半導体
塊の幅よりも小さく設定して前記半導体塊をスライスす
る点にある。
の形成方法は、このような従来技術の問題点に鑑みてな
されたものであり、その特徴とするところは、半導体塊
をマルチワイヤーソー装置でスライスして複数の半導体
基板を形成する半導体基板の形成方法において、前記マ
ルチワイヤーソー装置のワイヤーの張り幅を前記半導体
塊の幅よりも小さく設定して前記半導体塊をスライスす
る点にある。
【０００９】
【作用】上記のように構成すると、半導体基板の端部直
近にワイヤーが位置することはなく、ワイヤーの部分的
なたわみと断線を防止できる。また、スライス途中で半
導体塊の端材が割れることもなく、次の洗浄工程などで
の二次的な不良の発生も抑制できる。
近にワイヤーが位置することはなく、ワイヤーの部分的
なたわみと断線を防止できる。また、スライス途中で半
導体塊の端材が割れることもなく、次の洗浄工程などで
の二次的な不良の発生も抑制できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は、本発明に係る半導体基板の形成
方法の一実施例を示す図であり、１は半導体塊、２はマ
ルチワイヤーソー装置のワイヤーである。
細に説明する。図１は、本発明に係る半導体基板の形成
方法の一実施例を示す図であり、１は半導体塊、２はマ
ルチワイヤーソー装置のワイヤーである。
【００１１】本発明に係る半導体基板の形成方法におい
ても、従来と同様なマルチワイヤーソー装置が用いら
れ、例えば主として鉱物油などから成るスラリー中でス
ライスする。
ても、従来と同様なマルチワイヤーソー装置が用いら
れ、例えば主として鉱物油などから成るスラリー中でス
ライスする。
【００１２】半導体塊１は、例えば鋳造法などによって
形成された多結晶シリコンのインゴットを所定寸法に切
り出したものなどで構成される。この半導体塊１の一面
には、カーボンなどから成る基材３がエポキシ系の接着
剤などで貼着されている。
形成された多結晶シリコンのインゴットを所定寸法に切
り出したものなどで構成される。この半導体塊１の一面
には、カーボンなどから成る基材３がエポキシ系の接着
剤などで貼着されている。
【００１３】ワイヤー２は、例えば１６０μｍ程度の直
径を有するピアノ線などから成り、５００μｍ程度のピ
ッチで配置されている。なお、従来のスラリー溜まり槽
１１（図２参照）は、端材受け槽とし、スラリー中への
端材混入を防ぐ。
径を有するピアノ線などから成り、５００μｍ程度のピ
ッチで配置されている。なお、従来のスラリー溜まり槽
１１（図２参照）は、端材受け槽とし、スラリー中への
端材混入を防ぐ。
【００１４】半導体塊１の幅ＳL が３００ｍｍとする
と、ワイヤー２の張り幅ＷL を２９８ｍｍとし、半導体
塊１の左右をそれぞれ１ｍｍ分残してスライスする。左
右の各々１ｍｍ分の切り残しが良品であればムダとなる
ため、半導体塊１にする前の工程で、不良部（鋳造時の
不良部）を残すように切断加工すればよい。すなわち、
半導体塊１の幅ＳL から、この左右の不良部を除いた良
品長に合わせてワイヤー２の張り幅ＷL を決めればよ
い。
と、ワイヤー２の張り幅ＷL を２９８ｍｍとし、半導体
塊１の左右をそれぞれ１ｍｍ分残してスライスする。左
右の各々１ｍｍ分の切り残しが良品であればムダとなる
ため、半導体塊１にする前の工程で、不良部（鋳造時の
不良部）を残すように切断加工すればよい。すなわち、
半導体塊１の幅ＳL から、この左右の不良部を除いた良
品長に合わせてワイヤー２の張り幅ＷL を決めればよ
い。
【００１５】この時のワイヤー断線の状況と歩留りを以
下に示す。 ワイヤ断線状況 ＳL ≦ＷL のとき、２００回スライス中、断線は１９回
（断線率９．５％） ＳL ＞ＷL のとき、２００回スライス中、断線は ０回
（断線率 ０％） 歩留り ａ）スライス歩留り ＳL ≦ＷL のとき、７６．８％ ＳL ＞ＷL のとき、９６．９％ ｂ）洗浄歩留り ＳL ≦ＷL のとき、９９．１％ ＳL ＞ＷL のとき、９９．８％
下に示す。 ワイヤ断線状況 ＳL ≦ＷL のとき、２００回スライス中、断線は１９回
（断線率９．５％） ＳL ＞ＷL のとき、２００回スライス中、断線は ０回
（断線率 ０％） 歩留り ａ）スライス歩留り ＳL ≦ＷL のとき、７６．８％ ＳL ＞ＷL のとき、９６．９％ ｂ）洗浄歩留り ＳL ≦ＷL のとき、９９．１％ ＳL ＞ＷL のとき、９９．８％
【００１６】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体基板
の形成方法では、マルチワイヤーソー装置のワイヤーの
張り幅を半導体塊の幅よりも小さく設定して半導体塊を
スライスすることから、半導体基板の端部直近にワイヤ
ーが位置することはなく、ワイヤーの部分的なたわみと
断線を防止できる。また、スライス途中で半導体塊の端
材の落下もなく、スライス時における他のウェハーに対
しワレの誘発も無くなる。また、次の洗浄工程などでの
二次的な不良の発生も抑制できる。
の形成方法では、マルチワイヤーソー装置のワイヤーの
張り幅を半導体塊の幅よりも小さく設定して半導体塊を
スライスすることから、半導体基板の端部直近にワイヤ
ーが位置することはなく、ワイヤーの部分的なたわみと
断線を防止できる。また、スライス途中で半導体塊の端
材の落下もなく、スライス時における他のウェハーに対
しワレの誘発も無くなる。また、次の洗浄工程などでの
二次的な不良の発生も抑制できる。
【図１】本発明に係る半導体基板の形成方法を示す図で
ある。
ある。
【図２】マルチワイヤーソー装置の概略図である。
【図３】従来の半導体基板の形成方法を示す図である。
１・・・半導体基板、２・・・ワイヤー、ＳL ・・・半
導体塊の幅、ＷL ・・・ワイヤーの張り幅
導体塊の幅、ＷL ・・・ワイヤーの張り幅
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体塊をマルチワイヤーソー装置でス
ライスして複数の半導体基板を形成する半導体基板の形
成方法において、前記マルチワイヤーソー装置のワイヤ
ーの張り幅を前記半導体塊の幅よりも小さく設定して前
記半導体塊をスライスすることを特徴とする半導体基板
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27012993A JPH07117043A (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 半導体基板の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27012993A JPH07117043A (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 半導体基板の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07117043A true JPH07117043A (ja) | 1995-05-09 |
Family
ID=17481962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27012993A Pending JPH07117043A (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 半導体基板の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07117043A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007175784A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Kyocera Corp | ワイヤーソー装置 |
| JP2020192771A (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | 住友金属鉱山株式会社 | 薄板の製造方法、マルチワイヤソー装置、及びワークの切断方法 |
-
1993
- 1993-10-28 JP JP27012993A patent/JPH07117043A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007175784A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Kyocera Corp | ワイヤーソー装置 |
| JP2020192771A (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | 住友金属鉱山株式会社 | 薄板の製造方法、マルチワイヤソー装置、及びワークの切断方法 |
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