JPH0711413A - Method and device for controlling degree of alloying by emissivity - Google Patents

Method and device for controlling degree of alloying by emissivity

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JPH0711413A
JPH0711413A JP15887593A JP15887593A JPH0711413A JP H0711413 A JPH0711413 A JP H0711413A JP 15887593 A JP15887593 A JP 15887593A JP 15887593 A JP15887593 A JP 15887593A JP H0711413 A JPH0711413 A JP H0711413A
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emissivity
plate temperature
alloying
deviation
degree
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Naoki Toohara
直樹 遠原
Yasutaka Kawaguchi
靖隆 川口
Katsuyuki Takezaki
勝之 竹崎
Kazuhiro Majima
一裕 真島
Hozumi Akita
穂積 秋田
Hiroyuki Suzuki
浩之 鈴木
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Nippon Steel Nisshin Co Ltd
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Toshiba Corp
Nisshin Steel Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To provide the method and device for controlling alloying by emissivity capable of inexpensively controlling the degree of alloting of a metallic strip with relatively simple constitution by measuring the emissivity by utilizing a correlative relation between the degree of alloying, emissivity and surface temp. of the metallic strip. CONSTITUTION:The emissivity and temp. of the metallic strip 10 on the outlet side of a heating zone 15 are measured by a radiation thermometer 30 and are inputted to an emissivity controller 36 and a strip temp. controller 38 respectively. The outputs thereof are inputted to an override table 39 and are converted to such control target values at which a control system converges rapidly and safely. These values are thereafter passed through load distribution tables 40a to 40d and are made into the control target values of a fuel controller 54a and an air controller 57a so that fuel and air are supplied at prescribed flow rates to a burner 60a.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、金属帯めっき表面の合
金化処理を行う合金化炉において、金属帯表面の合金化
度を制御する合金化度制御方法および装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an alloying degree control method and apparatus for controlling the degree of alloying of a metal strip surface in an alloying furnace for alloying the surface of a metal strip plating.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、たとえば亜鉛めっき鋼板などのコ
イルの製品品質を決定するめっき状態の測定方法とし
て、(a)サンプリングした試料の曲げ・曲げ戻し試験
で剥離しためっき層の量を目視によって判定する、いわ
ゆるパウダリング試験、(b)サンプリングした試料の
めっき層中の平均Fe濃度を測定する化学分析法、
(c)サンプリングした試料を断面研磨して、光学顕微
鏡または走査型電子顕微鏡等を用いて観察して、ζ相、
δ1 相およびΓ相の厚みを測定する方法、(d)分析用
X線回折装置を用いて、サンプリングした試料のX線回
折プロファイルを測定してζ相、δ1 相およびΓ相のX
線回折強度を測定する方法、(e)合金化処理後のめっ
き層の輻射エネルギーや反射光強度を測定する方法、
(f)η−Zn相のX線回折強度、η−Zn相とδ1
のX線回折強度比、およびΓ相とα相のX線回折強度比
を測定する方法、等がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a plating state measuring method for determining the product quality of a coil such as a galvanized steel sheet, (a) the amount of a plated layer peeled off by a bending / bending back test of a sampled sample is visually determined. A so-called powdering test, (b) a chemical analysis method for measuring the average Fe concentration in the plating layer of the sample sampled,
(C) Cross-section polishing of the sampled sample is observed using an optical microscope or a scanning electron microscope, and
Method for measuring thickness of δ 1 phase and Γ phase, (d) X-ray diffraction profile of sampled sample is measured using X-ray diffractometer for analysis, and X of ζ phase, δ 1 phase and Γ phase is measured.
A method for measuring the line diffraction intensity, (e) a method for measuring the radiant energy and the reflected light intensity of the plating layer after the alloying treatment,
(F) A method of measuring the X-ray diffraction intensity of the η-Zn phase, the X-ray diffraction intensity ratio of the η-Zn phase and the δ 1 phase, and the X-ray diffraction intensity ratio of the Γ phase and the α phase.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た(a),(b),(c)の測定方法は、製品からサン
プリングした試験片を使用したオフライン測定であるた
め、リアルタイム制御には適用できない。また、(d)
の測定方法は、ライン内に測定装置を配置することは可
能であるが、X線回折プロファイル測定および信号処理
に時間を要し、フィードバック制御には使用できない。
また、(e),(f)の方法は、オンライン測定が可能
で、かつリアルタイム性があるが、全体のシステム構成
が複雑で、高価になる傾向にある。
However, the above-mentioned measuring methods (a), (b), and (c) cannot be applied to real-time control because they are offline measurements using test pieces sampled from the product. . Also, (d)
Although the measuring method of (1) can arrange a measuring device in the line, it requires time for X-ray diffraction profile measurement and signal processing, and cannot be used for feedback control.
Further, the methods (e) and (f) allow online measurement and have real-time characteristics, but the overall system configuration tends to be complicated and expensive.

【0004】このように、簡単な構成で金属帯のめっき
状態を測定する方法が無く、従来は加熱帯の出側板温を
検出することによって合金化度を推定して、加熱量の制
御を行っている。
As described above, there is no method for measuring the plating state of the metal strip with a simple structure, and conventionally, the alloying degree is estimated by detecting the outlet plate temperature of the heating zone to control the heating amount. ing.

【0005】本発明の目的は、前述した課題を解決する
ため、金属帯の合金化度、放射率および表面温度間の相
関関係を利用して、放射率を測定、制御することによっ
て、金属帯の合金化度を、比較的簡単な構成で、かつ安
価に制御することが可能な放射率による合金化度制御方
法および装置を提供することである。
In order to solve the above-mentioned problems, an object of the present invention is to measure and control the emissivity by utilizing the correlation between the alloying degree of the metal band, the emissivity and the surface temperature. It is an object of the present invention to provide a method and a device for controlling the degree of alloying by emissivity, which can control the degree of alloying of the alloy with a relatively simple structure and at low cost.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、表面に溶融金
属が付着した金属帯を加熱して、合金化度を制御する合
金化度制御方法において、金属帯の合金化度、放射率お
よび表面温度間の相関関係を利用して、放射率を測定す
る工程と、当該放射率と予め定められた目標放射率とを
比較して放射率偏差を求め、これを目標加熱量として出
力する工程と、前記目標加熱量に基づいて金属帯への加
熱量を制御する工程とを含むことを特徴とする放射率に
よる合金化度制御方法である。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention provides a method for controlling the degree of alloying by heating a metal strip having molten metal adhered to its surface to control the degree of alloying. Using the correlation between the surface temperatures, the step of measuring the emissivity and the step of comparing the emissivity with a predetermined target emissivity to obtain an emissivity deviation and outputting this as a target heating amount. And a step of controlling the heating amount to the metal band based on the target heating amount, the method for controlling the degree of alloying by emissivity.

【0007】また本発明は、金属帯の板温を測定する工
程と、当該板温と予め定められた目標板温とを比較して
板温偏差を求める工程と、当該板温偏差と前記放射率偏
差とを所定条件毎に切換えて目標加熱量を出力する工程
とを含むことを特徴とする。
The present invention also includes a step of measuring the plate temperature of the metal strip, a step of comparing the plate temperature with a predetermined target plate temperature to obtain a plate temperature deviation, and the plate temperature deviation and the radiation. And a step of switching the rate deviation for each predetermined condition and outputting the target heating amount.

【0008】また本発明は、金属帯の板温に対応して、
放射率の測定波長を切換える工程を含むことを特徴とす
る。
Further, the present invention corresponds to the plate temperature of the metal strip,
It is characterized by including the step of switching the measurement wavelength of the emissivity.

【0009】また本発明は、表面に溶融金属が付着した
金属帯を加熱して、合金化度を制御する合金化度制御装
置において、金属帯の合金化度、放射率および表面温度
間の相関関係を利用して、放射率を測定する放射率測定
手段と、当該放射率と予め定められた目標放射率とを比
較して放射率偏差を求め、これを目標加熱量として出力
する放射率調節手段と、当該目標加熱量に基づいて、金
属帯への加熱量を制御する加熱量制御手段とを具備する
ことを特徴とする放射率による合金化度制御装置であ
る。
Further, according to the present invention, in the alloying degree control device for controlling the degree of alloying by heating the metal zone having the molten metal adhered to the surface, the correlation between the alloying degree of the metal zone, the emissivity and the surface temperature is obtained. Using the relationship, the emissivity measuring means for measuring the emissivity and the emissivity are compared with a predetermined target emissivity to obtain an emissivity deviation, which is output as a target heating amount. An emissivity alloying degree control device comprising: means and a heating amount control means for controlling the heating amount to the metal strip based on the target heating amount.

【0010】また本発明は、金属帯の板温を測定する板
温測定手段と、当該板温と予め定められた目標板温とを
比較して板温偏差を求める板温調節手段と、当該板温偏
差と前記放射率偏差とを所定条件毎に切換えて目標加熱
量を出力する目標加熱量出力手段とを具備することを特
徴とする。
The present invention further includes a plate temperature measuring means for measuring the plate temperature of the metal strip, and a plate temperature adjusting means for comparing the plate temperature with a predetermined target plate temperature to obtain a plate temperature deviation. A target heating amount output means for switching the plate temperature deviation and the emissivity deviation for each predetermined condition to output a target heating amount is provided.

【0011】また本発明は、金属帯の板温に対応して、
放射率の測定波長を切換える測定波長切換手段を具備す
ることを特徴とする。
Further, the present invention corresponds to the plate temperature of the metal strip,
It is characterized by comprising a measurement wavelength switching means for switching the measurement wavelength of the emissivity.

【0012】[0012]

【作用】本発明に従えば、金属帯の合金化度、放射率お
よび表面温度間の相関関係を利用して、放射率を測定す
ることによって、金属帯の合金化度を精度良く捕捉する
ことができる。以下詳説すると、対象物の分光放射輝度
を測定する条件、すなわち測定波長、光学系等を固定し
た場合、放射率は対象物表面の組成や表面粗さ等の物性
的な性質、すなわち表面状態として捉えることができ
る。これを式で表現すると、1−(反射率)=(放射
率)となる。
According to the present invention, the emissivity is measured by utilizing the correlation between the alloying degree of the metal strip, the emissivity, and the surface temperature, thereby accurately capturing the alloying degree of the metal strip. You can In detail, the conditions for measuring the spectral radiance of an object, that is, when the measurement wavelength and the optical system are fixed, the emissivity is a physical property such as the composition and surface roughness of the object surface, that is, the surface condition. I can catch it. If this is expressed by an equation, 1- (reflectance) = (emissivity).

【0013】図3は、金属帯の加熱時間に対する金属帯
の板温および放射率の変化を示すグラフである。このグ
ラフにおいて、金属帯の表面にめっき金属が付着した直
後では、板温Tは500℃近傍を示しているにも拘わら
ず、表面のめっき金属は溶融状態のままであり、光反射
性の金属光沢を有する。したがって、波長λ1=1.5
5μmで測定した放射率ελ1、および波長λ2=2.
2μmで測定した放射率ελ2は、0.1〜0.2程度
の値となる。その後、時間経過とともに合金化が進行す
ると、板温Tはほとんど変化しないにも拘らず、表面の
金属光沢が徐々に失われ、放射率ελ1,ελ2が次第
に単調増加してゆく。その後、加熱し過ぎの状態、いわ
ゆるハードベーク状態になると、合金化度が飽和して板
温Tはあまり変化しないが、放射率ελ1,ελ2は
0.5〜0.6程度の値となる。このように、合金化が
進行するにつれて放射率ελ1,ελ2が単調に増加す
るという相関関係を利用することによって、合金化度を
制御することが可能となる。
FIG. 3 is a graph showing changes in plate temperature and emissivity of the metal strip with respect to heating time of the metal strip. In this graph, immediately after the plated metal adheres to the surface of the metal strip, the plated metal on the surface remains in a molten state even though the plate temperature T shows around 500 ° C. It has a luster. Therefore, the wavelength λ1 = 1.5
Emissivity ελ1 measured at 5 μm and wavelength λ2 = 2.
The emissivity ελ2 measured at 2 μm has a value of about 0.1 to 0.2. Thereafter, as the alloying progresses over time, the metallic luster of the surface is gradually lost, and the emissivity ελ1 and ελ2 gradually and monotonically increase, although the plate temperature T hardly changes. After that, when the state is overheated, that is, a so-called hard bake state, the alloying degree is saturated and the plate temperature T does not change much, but the emissivities ελ1 and ελ2 are values of about 0.5 to 0.6. As described above, the degree of alloying can be controlled by utilizing the correlation that the emissivity ελ1 and ελ2 monotonically increase as the alloying progresses.

【0014】さらに、測定された放射率と予め定められ
た目標放射率とを比較して放射率偏差を求め、これを目
標加熱量として金属帯への加熱量を制御することによっ
て、金属帯の合金化度を精度良く制御することができ
る。
Further, the measured emissivity is compared with a predetermined target emissivity to obtain an emissivity deviation, and this is used as a target heating amount to control the heating amount to the metal band, thereby controlling the metal band. The degree of alloying can be controlled with high precision.

【0015】また、金属帯の板温を測定し、この板温と
予め定められた目標板温とを比較して、板温偏差を求
め、この板温偏差と前述の放射率偏差とを所定条件毎に
切換えて目標加熱量を出力することによって、これら2
つの偏差状態に応じて板温制御または放射率制御のどち
らを優先的に動作させるかを切換えることが可能にな
る。したがって、たとえばある目標値から大きく外れて
いる場合は、板温制御を用いて温度安定化を優先させ、
目標値近傍に収束している場合は放射率制御を用いて、
合金化度の安定化を優先させることによって、板温制御
と放射率制御の協調制御が可能になるため、制御の安定
性および安全性を向上させることができる。
Further, the plate temperature of the metal strip is measured, the plate temperature is compared with a predetermined target plate temperature to obtain a plate temperature deviation, and the plate temperature deviation and the emissivity deviation described above are predetermined. By switching each condition and outputting the target heating amount, these 2
It is possible to switch which of the plate temperature control and the emissivity control is preferentially operated according to one deviation state. Therefore, for example, if it deviates significantly from a certain target value, the plate temperature control is used to prioritize temperature stabilization,
If it converges near the target value, use emissivity control,
By prioritizing the stabilization of the alloying degree, cooperative control of the plate temperature control and the emissivity control becomes possible, so that the stability and safety of the control can be improved.

【0016】また、金属帯の板温に対応して、放射率の
測定波長を切換えることによって、より高精度な放射率
測定を行うことができるため、合金化度制御の目標精度
を向上させることができる。
Further, since the emissivity measurement can be performed with higher accuracy by switching the emissivity measurement wavelength according to the plate temperature of the metal strip, the target accuracy of the alloying degree control can be improved. You can

【0017】また本発明に従えば、金属帯の合金化度、
放射率および表面温度間の相関関係を利用して、放射率
を測定する放射率測定手段を備えることによって、前述
のように、金属帯の合金化層を精度よく捕捉することが
できる。さらに、測定された放射率と予め定められた目
標放射率とを比較して放射率偏差を求め、これを目標加
熱量として出力する放射率調節手段と、この目標加熱量
に基づいて金属帯への加熱量を制御する加熱量制御手段
とを備えることによって、金属帯の合金化度を精度良く
制御することができる。
According to the invention, the degree of alloying of the metal strip,
By providing the emissivity measuring means for measuring the emissivity by utilizing the correlation between the emissivity and the surface temperature, as described above, the alloyed layer of the metal band can be accurately captured. Further, the measured emissivity is compared with a predetermined target emissivity to obtain an emissivity deviation, and the emissivity adjusting means for outputting the deviation as a target heating amount, and the metal band to the metal band based on the target heating amount. By providing the heating amount control means for controlling the heating amount of, the degree of alloying of the metal strip can be accurately controlled.

【0018】また、金属帯の板温を測定する板温制御手
段と、この板温と予め定められた目標板温とを比較して
板温偏差を求める板温調節手段と、この板温偏差と前記
放射率偏差とを所定条件毎に切換えて目標加熱量を出力
する目標加熱量出力手段とを備えることによって、これ
ら2つの偏差状態に応じて、板温制御または放射率制御
のどちらを優先的に動作させるかを切換えることが可能
になり、板温制御と放射率制御の協調制御によって制御
系の安定性および安全性を向上させることができる。
Also, a plate temperature control means for measuring the plate temperature of the metal strip, a plate temperature adjusting means for comparing the plate temperature with a predetermined target plate temperature to obtain a plate temperature deviation, and a plate temperature deviation And a target heating amount output means for outputting a target heating amount by switching between the emissivity deviation and the emissivity deviation for each predetermined condition, thereby giving priority to either the plate temperature control or the emissivity control depending on these two deviation states. It is possible to switch between automatic operation and the stability and safety of the control system can be improved by the cooperative control of the plate temperature control and the emissivity control.

【0019】また、金属帯の板温に対応して、放射率の
測定波長を切換えることによって、より高精度の放射率
測定を行うことができるため、合金化度制御の目標精度
を向上させることができる。
Since the emissivity measurement can be performed with higher accuracy by switching the emissivity measurement wavelength in accordance with the plate temperature of the metal strip, the target accuracy of alloying degree control can be improved. You can

【0020】[0020]

【実施例】図1は、本発明の一実施例の構成を示すブロ
ック図である。鋼板などの金属帯10は、所定速度で搬
送され、溶融亜鉛などの溶融金属12を貯留するめっき
浴槽11に浸漬され、シンクロール13によって搬送方
向が垂直上方へ変えられ、高圧ノズルなどのワイピング
装置14によって所定のめっき付着量に調整された後、
加熱帯15に進入する。加熱帯15において、直火式バ
ーナなどのバーナ60a,60b,60c,60dによ
って金属帯10が合金化処理に必要な温度にまで加熱さ
れ、表面から一定深さまで合金化が進行する。
1 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention. A metal strip 10 such as a steel plate is conveyed at a predetermined speed, is immersed in a plating bath 11 that stores a molten metal 12 such as molten zinc, and a sink roll 13 changes the conveying direction vertically upward, and a wiping device such as a high pressure nozzle. After adjusting to a predetermined amount of plating by 14
Enter the heating zone 15. In the heating zone 15, the metal zone 10 is heated to a temperature required for the alloying treatment by burners 60a, 60b, 60c, 60d such as a direct flame burner, and the alloying proceeds to a certain depth from the surface.

【0021】加熱帯15の出側から所定距離の位置に放
射温度計30が設置され、この放射温度計30と接続さ
れた変換器31から金属帯10の放射率ελ1,ελ2
および板温Tが出力される。放射温度計30は、加熱さ
れた金属表面からの輻射波をレンズで集光し、ミラーや
干渉フィルタによって分光し、異なる波長領域毎に、G
eやPbSなどの複数の光検出素子で受光し、各波長に
おける分光輝度を計測するものである。各波長λx、板
温Tにおける放射率εxは、εx=Lx/Lb(λx,
T)という式で与えられる。なお、Lxは分光放射輝度
であり、Lbは黒体分光放射輝度である。
A radiation thermometer 30 is installed at a predetermined distance from the outlet side of the heating zone 15, and the emissivity ελ1 and ελ2 of the metal zone 10 from a converter 31 connected to this radiation thermometer 30.
And the plate temperature T is output. The radiation thermometer 30 collects the radiated wave from the heated metal surface with a lens, disperses it with a mirror or an interference filter, and G
The light is received by a plurality of photodetectors such as e and PbS, and the spectral luminance at each wavelength is measured. The emissivity εx at each wavelength λx and the plate temperature T is εx = Lx / Lb (λx,
It is given by the formula T). Note that Lx is the spectral radiance and Lb is the blackbody spectral radiance.

【0022】こうして、変換器31は、たとえば波長λ
1=1.55μmで測定した放射率ελ1、波長λ2=
2.2μmで測定した放射率ελ2および板温Tを出力
する。これら2つの放射率ελ1,ελ2は、スイッチ
32に入力され、測定波長選択器20の指令に基づい
て、どちらか一方の放射率が選択され、放射率調節計3
6に入力される。
Thus, the converter 31 has, for example, a wavelength λ.
1 = emissivity ελ1 measured at 1.55 μm, wavelength λ2 =
The emissivity ελ2 and the plate temperature T measured at 2.2 μm are output. These two emissivities ελ1 and ελ2 are input to the switch 32, one of the emissivities is selected based on the command from the measurement wavelength selector 20, and the emissivity controller 3
6 is input.

【0023】一方、制御基準値となる目標放射率を設定
するため、各波長毎にλ1放射率設定部33およびλ2
放射率設定部34が設けられ、各出力はスイッチ35に
それぞれ入力される。スイッチ35は、測定波長選択器
20の指令に基づいて、一方の出力を選択して、放射率
調節計36へ出力する。なお、測定波長選択器20にお
ける放射率測定波長の切換えは、オペレータの手動で行
うことも可能であるが、変換器31から出力される板温
Tを判定して測定波長選択器20に対して指令を行う自
動判定部21を設けることによって、より高い精度で放
射率測定を行うことが可能になる。
On the other hand, in order to set the target emissivity as the control reference value, the λ1 emissivity setting section 33 and λ2 are set for each wavelength.
An emissivity setting unit 34 is provided, and each output is input to the switch 35. The switch 35 selects one output based on a command from the measurement wavelength selector 20 and outputs it to the emissivity controller 36. The switching of the emissivity measurement wavelength in the measurement wavelength selector 20 can be performed manually by an operator, but the plate temperature T output from the converter 31 is judged and the emissivity measurement wavelength is determined by the measurement wavelength selector 20. By providing the automatic determination unit 21 that issues a command, it becomes possible to perform emissivity measurement with higher accuracy.

【0024】放射率調節計36において、スイッチ32
で選択された放射率とスイッチ35で選択された目標放
射率との放射率偏差が求められて、たとえばPID制御
が行われ、後述するオーバライドテーブル39に入力さ
れる。
In the emissivity controller 36, the switch 32
The emissivity deviation between the emissivity selected in step 1 and the target emissivity selected by the switch 35 is calculated, and PID control is performed, for example, and the result is input to the override table 39 described later.

【0025】一方、変換器31から出力される板温Tは
板温調節計38に入力され、板温設定部37で設定され
た目標板温との板温偏差が算出されて、たとえばPID
制御が行われ、同様にオーバライドテーブル39に入力
される。
On the other hand, the plate temperature T output from the converter 31 is input to the plate temperature controller 38, and the plate temperature deviation from the target plate temperature set by the plate temperature setting unit 37 is calculated.
The control is performed and the data is similarly input to the override table 39.

【0026】図2は、図1のオーバライドテーブル39
の一例を示すグラフである。オーバライドテーブル39
は、X軸に板温Tを、Y軸に放射率εをとって、設定変
更可能な板温TL,THおよび放射率εL,εHを境界
とする5つの領域R1〜R5に区分されており、変換器
31から出力される板温Tおよび放射率εがどの領域に
該当するかによって、オーバライドテーブル39の出力
値が変化する。以下、分説すると、 (1)領域R1(T<TLかつε>εH)に実測値
(T,ε)が位置する場合、放射率制御より優先して実
測板温Tを板温TLとTHの範囲内に収めるため、実測
板温Tと板温TLとの差を、次段の目標制御値として出
力する。したがって、全体の制御ループが動作すると、
実測値(T,ε)は板温TLに向かって近づくように制
御される。
FIG. 2 shows the override table 39 shown in FIG.
It is a graph which shows an example. Override table 39
Is divided into five regions R1 to R5 with the plate temperature T on the X axis and the emissivity ε on the Y axis, and the plate temperatures TL and TH that can be set and the emissivity εL and εH being boundaries. The output value of the override table 39 changes depending on which region the plate temperature T and the emissivity ε output from the converter 31 correspond to. In the following, (1) when the measured value (T, ε) is located in the region R1 (T <TL and ε> εH), the measured plate temperature T is given priority over the emissivity control and the measured plate temperature T is set to the plate temperature TL and TH. Therefore, the difference between the actually measured plate temperature T and the plate temperature TL is output as the target control value for the next stage. Therefore, when the whole control loop works,
The measured value (T, ε) is controlled so as to approach the plate temperature TL.

【0027】(2)領域R2(T<TLかつε≦εH)
に実測値(T,ε)が位置する場合、放射率偏差と板温
偏差の大きい方を速やかに収束させるため、実測板温T
と板温TLとの差、および実測放射率εと目標放射率ε
Sとの差をそれぞれ求めて、絶対値の大きな方を次段の
目標制御値として出力する。したがって、全体の制御ル
ープが動作すると、実測値(T,ε)は点E(TL,ε
S)に向かって階段状に近づくよう制御される。
(2) Region R2 (T <TL and ε ≦ εH)
When the measured value (T, ε) is located at, the measured plate temperature T is set in order to quickly converge the larger emissivity deviation and plate temperature deviation.
And the plate temperature TL, the measured emissivity ε and the target emissivity ε
The difference from S is obtained, and the one with the larger absolute value is output as the target control value for the next stage. Therefore, when the entire control loop operates, the measured value (T, ε) becomes the point E (TL, ε).
It is controlled so that it approaches stepwise toward S).

【0028】(3)領域R3(TL≦T≦TH)に実測
値(T,ε)が位置する場合、板温制御より優先して実
測放射率εを速やかに目標放射率εSに近づけるため
に、実測放射率εと目標放射率εSとの差を次段の目標
制御値として出力する。したがって、全体の制御ループ
が動作すると、実測値(T,ε)は目標放射率εSに向
かって近づくように制御される。
(3) When the measured value (T, ε) is located in the region R3 (TL≤T≤TH), the measured emissivity ε is promptly brought close to the target emissivity εS in preference to the plate temperature control. , The difference between the measured emissivity ε and the target emissivity εS is output as the target control value for the next stage. Therefore, when the entire control loop operates, the measured value (T, ε) is controlled so as to approach the target emissivity εS.

【0029】(4)領域R4(T>THかつε≧εL)
に実測値(T,ε)が位置する場合、放射率偏差と板温
偏差の大きい方を速やかに収束させるため、実測板温T
と板温THとの差、および実測放射率εと目標放射率ε
Sとの差をそれぞれ求めて、絶対値の大きな方を次段の
目標制御値として出力する。したがって、全体の制御ル
ープが動作すると、実測値(T,ε)は点G(TH,ε
S)に向かって階段状に近づくよう制御される。
(4) Region R4 (T> TH and ε ≧ εL)
When the measured value (T, ε) is located at, the measured plate temperature T is set in order to quickly converge the larger emissivity deviation and plate temperature deviation.
And plate temperature TH, and measured emissivity ε and target emissivity ε
The difference from S is obtained, and the one with the larger absolute value is output as the target control value for the next stage. Therefore, when the entire control loop operates, the measured value (T, ε) becomes the point G (TH, ε).
It is controlled so that it approaches stepwise toward S).

【0030】(5)領域R5(T>THかつε<εL)
に実測値(T,ε)が位置する場合、放射率制御より優
先して実測板温Tを板温TLとTHとの範囲内に速やか
に収めるために、実測板温Tと板温THとの差を、次段
の目標制御値として出力する。したがって、全体の制御
ループが動作すると、実測値(T,ε)は板温THに向
かって近づくように制御される。
(5) Region R5 (T> TH and ε <εL)
When the measured value (T, ε) is located at, the measured plate temperature T and the plate temperature TH are set in order to quickly set the measured plate temperature T within the range between the plate temperatures TL and TH in preference to the emissivity control. Is output as the target control value for the next stage. Therefore, when the entire control loop operates, the measured value (T, ε) is controlled so as to approach the plate temperature TH.

【0031】この動作を具体的に説明すると、先ず、変
換器31から出力される実測値(T,ε)が点U1であ
る場合は、領域R3に向かってX軸と平行に移動して、
オーバシュート等により、点U2まで達する。すると、
点U2では、線分EGに向かってY軸と平行に移動す
る。こうして、領域R1に属した実測値は、線分EG近
傍に収束する。
This operation will be described in detail. First, when the measured value (T, ε) output from the converter 31 is the point U1, the area moves toward the region R3 in parallel with the X axis,
Point U2 is reached due to overshoot or the like. Then,
At the point U2, the line segment EG moves in parallel with the Y axis. In this way, the measured values belonging to the region R1 converge near the line segment EG.

【0032】次に、実測値(T,ε)が点P1である場
合は、板温TLとの偏差より目標放射率εSとの偏差の
方が大きいため、先ずY軸に平行に移動して、オーバシ
ュート等により点P2まで達する。すると、点U2では
目標放射率εSとの偏差より板温Tとの偏差の方が大き
いため、X軸に平行に移動して点P3まで達する。する
と、点P3では、板温との偏差より目標放射率εSとの
偏差の方が大きいため、Y軸に平行に移動する。こうし
て、板温TLとの偏差と目標放射率εSとの偏差とが等
しくなる直線(破線で示す)を跨ぐようにして、階段状
に点E近傍に収束する。
Next, when the measured value (T, ε) is the point P1, the deviation from the target emissivity εS is larger than the deviation from the plate temperature TL. , P2 is reached due to overshoot or the like. Then, at the point U2, since the deviation from the plate temperature T is larger than the deviation from the target emissivity εS, the point E2 moves parallel to the X axis and reaches the point P3. Then, at the point P3, since the deviation from the target emissivity εS is larger than the deviation from the plate temperature, the point P3 moves parallel to the Y axis. In this way, it converges stepwise in the vicinity of point E so as to straddle a straight line (shown by a broken line) in which the deviation from the plate temperature TL and the deviation from the target emissivity εS are equal.

【0033】次に、実測値(T,ε)が点Q1である場
合は、領域R2と同様に、板温THとの偏差と目標放射
率εSとの偏差が等しくなる直線(破線で示す)を跨ぐ
ようにして、点Q2,Q3と階段状に移動して点G近傍
に収束する。
Next, when the measured value (T, ε) is the point Q1, as in the region R2, a straight line (shown by a broken line) in which the deviation from the plate temperature TH and the deviation from the target emissivity εS are equal to each other. It crosses points Q2 and Q3 and moves in a stepwise manner to converge near point G.

【0034】次に、実測値(T,ε)が点V1である場
合は、領域R1と同様に、先ず点V2に移動した後、線
分EGに向かって収束する。
Next, when the measured value (T, ε) is the point V1, like the region R1, it first moves to the point V2 and then converges toward the line segment EG.

【0035】このようにして、各領域R1〜R5に位置
した実測値(T,ε)は、最終的に線分EGの近傍に収
束するように制御される。なお、オーバライドテーブル
39の区分する領域の数および配置は、図2のものに限
られず、操業条件に応じて適宜変更することができる。
In this way, the measured values (T, ε) located in each of the regions R1 to R5 are controlled so as to finally converge near the line segment EG. The number and arrangement of the divided areas of the override table 39 are not limited to those shown in FIG. 2, and can be changed as appropriate according to the operating conditions.

【0036】図1に戻って、オーバライドテーブル39
の出力は、4つの負荷配分テーブル40a〜40dに入
力され、各バーナ60a〜60dに対応した目標燃焼量
に変換される。負荷配分テーブル40aの出力は、制御
モード切換器22の指令に基づいて切換わるスイッチ5
2aの一方に入力される。一方、板温調節計38からの
出力は、4つの負荷配分テーブル41a〜41dに入力
され、各バーナ60a〜60dに対応した目標燃焼量に
変換される。そして、負荷配分テーブル41aの出力
は、スイッチ52aの他方に入力される。なお、制御モ
ード切換器22は、放射率制御と板温制御の協調制御モ
ードまたは板温制御モードを選択するために設けられ
る。スイッチ52aの出力は、ローセレクト部53aに
入力される。
Returning to FIG. 1, the override table 39
Is input to the four load distribution tables 40a to 40d and converted into target combustion amounts corresponding to the burners 60a to 60d. The output of the load distribution table 40a is switched based on the command from the control mode switch 22 to the switch 5.
It is input to one of 2a. On the other hand, the output from the plate temperature controller 38 is input to the four load distribution tables 41a to 41d and converted into target combustion amounts corresponding to the burners 60a to 60d. Then, the output of the load distribution table 41a is input to the other of the switches 52a. The control mode switch 22 is provided to select a cooperative control mode of emissivity control and plate temperature control or a plate temperature control mode. The output of the switch 52a is input to the row select unit 53a.

【0037】一方、バーナ60aの近傍に配置された熱
電対などの炉温計61aからの出力は、炉温調節計51
aに入力されており、炉温設定部37で設定された目標
炉温との炉温偏差が求められて、たとえばPID制御が
行われ、同様にローセレクト部53aに入力される。
On the other hand, the output from the furnace thermometer 61a such as a thermocouple arranged near the burner 60a is the furnace temperature controller 51.
is input to a, the furnace temperature deviation from the target furnace temperature set by the furnace temperature setting unit 37 is obtained, for example, PID control is performed, and similarly input to the row select unit 53a.

【0038】ローセレクト部53aでは、スイッチ52
aから出力される目標燃焼量と炉温調節計51aから出
力される目標燃焼量とを比較して、小さい方を選択して
出力する。したがって、放射率制御や板温制御が出力す
る目標燃焼量が異常に高くなった場合、炉温制御が優先
され、制御系の安全性が確保されている。
In the row select section 53a, the switch 52
The target combustion amount output from a is compared with the target combustion amount output from the furnace temperature controller 51a, and the smaller one is selected and output. Therefore, when the target combustion amount output by the emissivity control or the plate temperature control becomes abnormally high, the furnace temperature control is prioritized and the safety of the control system is ensured.

【0039】ローセレクト部53aで選択された目標燃
焼量は、燃料調節計54aおよびエア調節計57aに入
力され、カスケード制御が行われる。燃料タンクなどの
燃料供給装置(図示せず)から送られる燃料は、流量計
55aおよび流量制御弁56aを通ってバーナ60aに
供給される。流量計55aで測定された燃料流量は燃料
調節計54aに入力され、目標燃焼量と比較されて、た
とえばPID制御され、流量制御弁56aの開度が調節
される。
The target combustion amount selected by the low select section 53a is input to the fuel controller 54a and the air controller 57a, and cascade control is performed. Fuel sent from a fuel supply device (not shown) such as a fuel tank is supplied to the burner 60a through the flow meter 55a and the flow control valve 56a. The fuel flow rate measured by the flow meter 55a is input to the fuel controller 54a, compared with the target combustion amount, for example, PID controlled, and the opening degree of the flow control valve 56a is adjusted.

【0040】また、エアタンクなどのエア供給装置(図
示せず)から送られるエアは、流量計58aおよび流量
制御弁59aを通ってバーナ60aに供給される。同様
に、流量計58aで測定されたエア流量は、エア調節計
50がaに入力され、目標燃焼量と比較されて、たとえ
ばPID制御され、流量制御弁59aの開度が調節され
る。
Air sent from an air supply device (not shown) such as an air tank is supplied to the burner 60a through the flow meter 58a and the flow control valve 59a. Similarly, the air flow rate measured by the flow meter 58a is input to the air controller 50, is compared with the target combustion amount, and is PID-controlled, for example, and the opening degree of the flow control valve 59a is adjusted.

【0041】以上、バーナ60aでの燃焼量を制御する
バーナ制御系Aを詳しく説明したが、他にバーナ制御系
B,C,Dが設けられており、制御モード切換器22か
らの指令、負荷配分テーブル40b〜40d、41b〜
41dからの出力、炉温計61b〜61dからの出力が
各バーナ制御系B,C,Dにそれぞれ入力され、さらに
各バーナ60b〜60dへ供給される燃焼およびエアの
流量が制御されている。
The burner control system A for controlling the amount of combustion in the burner 60a has been described above in detail, but other burner control systems B, C, D are provided, and commands from the control mode switching unit 22 and load. Distribution tables 40b-40d, 41b-
The output from 41d and the outputs from the furnace thermometers 61b to 61d are input to the burner control systems B, C and D, respectively, and the flow rates of combustion and air supplied to the burners 60b to 60d are controlled.

【0042】このように構成された合金化制御装置の動
作および本発明に係る合金化度制御方法について説明す
る。金属帯10が所定速度で搬送され、めっき浴槽12
に浸漬して、ワイピング装置14によってめっき付着量
が調整された後、加熱帯15に進入してバーナ60a〜
60dによって加熱される。加熱帯15の炉温は、炉温
計61a〜61dによって測定される。
The operation of the alloying control device thus configured and the alloying degree control method according to the present invention will be described. The metal strip 10 is conveyed at a predetermined speed, and the plating bath 12
And the amount of plating adhered is adjusted by the wiping device 14 and then enters the heating zone 15 to burner 60a ...
It is heated by 60d. The furnace temperature of the heating zone 15 is measured by the furnace thermometers 61a to 61d.

【0043】加熱帯15の出側に設けられた放射温度計
30が金属帯10の放射率および板温を測定して、たと
えば波長λ1での放射率ελ1が放射率調節計36に入
力されて、放射率偏差が求められ、オーバライドテーブ
ル39に入力される。一方、放射温度計30で測定され
た板温は、板温調節計35に入力され、板温偏差が求め
られ、オーバライドテーブル39に入力される。
The radiation thermometer 30 provided on the outlet side of the heating zone 15 measures the emissivity and the plate temperature of the metal zone 10. For example, the emissivity ελ1 at the wavelength λ1 is input to the emissivity controller 36. , The emissivity deviation is obtained and input to the override table 39. On the other hand, the plate temperature measured by the radiation thermometer 30 is input to the plate temperature controller 35, the plate temperature deviation is obtained, and the plate temperature is input to the override table 39.

【0044】オーバライドテーブル39では、板温偏差
と放射率偏差の値に応じて、所定の目標燃焼量を算出し
て、4つの負荷配分テーブル40a〜40dに出力す
る。バーナ制御系Aにおいて、負荷配分テーブル40a
の出力が燃料調節計51aの出力より低い場合は、ロー
セレクト部53aにおいてそのまま出力され、燃料調節
計54aおよびエア調節計57aの制御目標値として入
力され、燃料流量およびエア流量が制御されてバーナ6
0aへ供給される。このようにして、制御パラメータと
して金属帯の放射率および板温を用いて、放射率制御と
板温制御の協調制御を行うことによって、金属帯の合金
化処理が進行して表面状態が変化しても適切な合金化度
に制御することが可能になる。
The override table 39 calculates a predetermined target combustion amount according to the values of the plate temperature deviation and the emissivity deviation and outputs it to the four load distribution tables 40a-40d. In the burner control system A, the load distribution table 40a
Output of the fuel controller 51a is lower than the output of the fuel controller 51a, the low selector 53a outputs the fuel controller 54a and the air controller 57a as control target values to control the fuel flow rate and the air flow rate. 6
0a. In this way, the emissivity of the metal strip and the plate temperature are used as the control parameters to perform the coordinated control of the emissivity control and the plate temperature control, whereby the alloying process of the metal strip progresses and the surface state changes. However, it becomes possible to control to an appropriate degree of alloying.

【0045】このような協調制御において、放射温度計
30で測定される板温Tに応じて放射率の測定波長を切
換えることによって、金属帯の合金化度をより精度良く
捕捉することかできる。なお、制御パラメータとして、
板温だけを用いる板温制御に切換える場合は、スイッチ
52aを図1右方へ切換えることによって実現される。
In such coordinated control, the alloying degree of the metal band can be more accurately captured by switching the emissivity measurement wavelength according to the plate temperature T measured by the radiation thermometer 30. As a control parameter,
The plate temperature control using only the plate temperature is realized by switching the switch 52a to the right in FIG.

【0046】なお、以上の実施例において金属帯10を
加熱する手段としてバーナ60a〜60dを用いる例を
説明したが、交流磁界を金属帯10に印加して誘導加熱
するような誘導加熱ヒータを用いても構わない。
Although the burners 60a to 60d are used as means for heating the metal strip 10 in the above embodiments, an induction heater for applying an alternating magnetic field to the metal strip 10 for induction heating is used. It doesn't matter.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、従
来の板温制御で使用している合金化度制御装置に、簡単
かつ低コストの変更を加えるだけで、放射率制御が可能
になり、金属帯の合金化度をより精度良く捕捉すること
ができるため、安定な合金化処理を行うことができる。
また、板温制御と放射率制御の協調制御によって、放射
率の急激な変動に対しても制御系が暴走しなくなるた
め、より安全な合金化処理を行うことができる。したが
って、製品の品質、製造歩留まりが向上するとともに、
製品種類に応じた操業条件を再現性良く変更することが
でき、生産性を向上させることができる。
As described in detail above, according to the present invention, the emissivity can be controlled by simply and inexpensively changing the alloying degree control device used in the conventional plate temperature control. As a result, the degree of alloying of the metal strip can be captured with higher accuracy, and a stable alloying treatment can be performed.
Further, the coordinated control of the plate temperature control and the emissivity control prevents the control system from running out of control even when the emissivity suddenly changes, so that a safer alloying process can be performed. Therefore, product quality and manufacturing yield are improved, and
The operating conditions according to the product type can be changed with good reproducibility, and the productivity can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の構成を示すブロック図であ
る。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention.

【図2】図1のオーバライドテーブル39の一例を示す
グラフである。
FIG. 2 is a graph showing an example of an override table 39 in FIG.

【図3】金属帯の加熱時間に対する金属帯の板温および
放射率の変化を示すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing changes in plate temperature and emissivity of a metal strip with respect to heating time of the metal strip.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 金属帯 11 めっき浴槽 12 溶融金属 13 シンクロール 14 ワイピング装置 15 加熱帯 20 測定波長切換器 21 自動判定部 22 制御モード切換器 30 放射温度計 31 変換器 32,35,52a スイッチ 33 λ1放射率設定部 34 λ2放射率設定部 36 放射率調節計 37 板温設定部 38 板温調節計 39 オーバライドテーブル 40a〜40d,41a〜41d 負荷配分テーブル 50a 炉温設定部 51a 炉温調節計 53a ローセレクト部 54a 燃料調節計 55a 流量計 56a 流量制御弁 57a エア調節計 58a 流量計 59a 流量制御弁 60a〜60d バーナ 61a〜61d 炉温計 10 Metal Band 11 Plating Bath 12 Molten Metal 13 Sink Roll 14 Wiping Device 15 Heating Zone 20 Measurement Wavelength Switch 21 Automatic Judgment Unit 22 Control Mode Switch 30 Radiation Thermometer 31 Converter 32, 35, 52a Switch 33 λ1 Emissivity Setting Part 34 λ2 emissivity setting part 36 emissivity controller 37 plate temperature setting part 38 plate temperature controller 39 override table 40a-40d, 41a-41d load distribution table 50a furnace temperature setting part 51a furnace temperature controller 53a low select part 54a Fuel controller 55a Flow meter 56a Flow control valve 57a Air controller 58a Flow meter 59a Flow control valve 60a-60d Burner 61a-61d Furnace thermometer

フロントページの続き (72)発明者 竹崎 勝之 大阪府堺市石津西町5番地 日新製鋼株式 会社堺製造所内 (72)発明者 真島 一裕 大阪府堺市石津西町5番地 日新製鋼株式 会社堺製造所内 (72)発明者 秋田 穂積 大阪府大阪市北区大淀中1−1−30 株式 会社東芝関西支社内 (72)発明者 鈴木 浩之 大阪府大阪市北区大淀中1−1−30 株式 会社東芝関西支社内Front page continuation (72) Inventor Katsuyuki Takezaki 5 Ishizu Nishimachi, Sakai City, Osaka Prefecture Sakai Works, Nisshin Steel Co., Ltd. (72) Inventor, Kazuhiro Majima 5 Ishizu Nishimachi, Sakai City, Osaka Nisshin Steel Co. In-house (72) Hozumi Akita 1-1-30 Oyodochu, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka In-house Toshiba Kansai Branch (72) Inventor Hiroyuki Suzuki 1-1-30 Oyodo-naka, Kita-ku, Osaka, Osaka Toshiba Corporation Kansai branch office

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面に溶融金属が付着した金属帯を加熱
して、合金化度を制御する合金化度制御方法において、 金属帯の合金化度、放射率および表面温度間の相関関係
を利用して、放射率を測定する工程と、 当該放射率と予め定められた目標放射率とを比較して放
射率偏差を求め、これを目標加熱量として出力する工程
と、 前記目標加熱量に基づいて金属帯への加熱量を制御する
工程とを含むことを特徴とする放射率による合金化度制
御方法。
1. A method of controlling the degree of alloying by heating a metal band having a molten metal adhered to its surface to control the degree of alloying, utilizing the correlation between the alloying degree of the metal band, the emissivity and the surface temperature. Then, a step of measuring the emissivity and a step of comparing the emissivity with a predetermined target emissivity to obtain an emissivity deviation and outputting the deviation as a target heating amount, based on the target heating amount. And a step of controlling the amount of heat applied to the metal band by means of emissivity.
【請求項2】 金属帯の板温を測定する工程と、 当該板温と予め定められた目標板温とを比較して板温偏
差を求める工程と、 当該板温偏差と前記放射率偏差とを所定条件毎に切換え
て目標加熱量を出力する工程とを含むことを特徴とする
請求項1に記載の放射率による合金化度制御方法。
2. A step of measuring a plate temperature of a metal strip, a step of obtaining a plate temperature deviation by comparing the plate temperature with a predetermined target plate temperature, and the plate temperature deviation and the emissivity deviation. The method of controlling the degree of alloying by emissivity according to claim 1, further comprising:
【請求項3】 金属帯の板温に対応して、放射率の測定
波長を切換える工程を含むことを特徴とする請求項1ま
たは2に記載の放射率による合金化度制御方法。
3. The method for controlling the degree of alloying by the emissivity according to claim 1 or 2, further comprising the step of switching the measurement wavelength of the emissivity according to the plate temperature of the metal strip.
【請求項4】 表面に溶融金属が付着した金属帯を加熱
して、合金化度を制御する合金化度制御装置において、 金属帯の合金化度、放射率および表面温度間の相関関係
を利用して、放射率を測定する放射率測定手段と、 当該放射率と予め定められた目標放射率とを比較して放
射率偏差を求め、これを目標加熱量として出力する放射
率調節手段と、 当該目標加熱量に基づいて、金属帯への加熱量を制御す
る加熱量制御手段とを具備することを特徴とする放射率
による合金化度制御装置。
4. An alloying degree control device for controlling a degree of alloying by heating a metal zone having a molten metal adhered to a surface thereof, utilizing a correlation between the degree of alloying, emissivity and surface temperature of the metal zone. Then, the emissivity measuring means for measuring the emissivity, the emissivity adjusting means for comparing the emissivity with a predetermined target emissivity to obtain an emissivity deviation, and outputting the deviation as a target heating amount, An emissivity alloying degree control device, comprising: a heating amount control means for controlling the heating amount to the metal strip based on the target heating amount.
【請求項5】 金属帯の板温を測定する板温測定手段
と、 当該板温と予め定められた目標板温とを比較して板温偏
差を求める板温調節手段と、 当該板温偏差と前記放射率偏差とを所定条件毎に切換え
て目標加熱量を出力する目標加熱量出力手段とを具備す
ることを特徴とする請求項4に記載の放射率による合金
化度制御装置。
5. A plate temperature measuring means for measuring a plate temperature of a metal strip, a plate temperature adjusting means for comparing the plate temperature with a predetermined target plate temperature to obtain a plate temperature deviation, and the plate temperature deviation. The emissivity-based alloying degree control device according to claim 4, further comprising: a target heating amount output means that switches the emissivity deviation for each predetermined condition to output a target heating amount.
【請求項6】 金属帯の板温に対応して、放射率の測定
波長を切換える測定波長切換手段を具備することを特徴
とする請求項4または5に記載の放射率による合金化度
制御装置。
6. The emissivity alloying degree control device according to claim 4, further comprising a measurement wavelength switching means for switching the measurement wavelength of the emissivity in accordance with the plate temperature of the metal strip. .
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