JPH07114040A - 液晶ディスプレイの駆動方法 - Google Patents
液晶ディスプレイの駆動方法Info
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- JPH07114040A JPH07114040A JP26234993A JP26234993A JPH07114040A JP H07114040 A JPH07114040 A JP H07114040A JP 26234993 A JP26234993 A JP 26234993A JP 26234993 A JP26234993 A JP 26234993A JP H07114040 A JPH07114040 A JP H07114040A
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- crystal display
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- pulse
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 強誘電体を用いたマトリクス型液晶ディスプ
レイの駆動方法において、パルス状の電圧を印加する手
段を改良して画質の向上を図る。 【構成】 液晶ディスプレイ５０は、下側基板Ｄ1とな
るガラス基板５１上にＣｒからなる第一の電極５２を設
け、その表面にジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）の強誘
電体膜５３が積層され、さらにＩＴＯからなる画素電極
５４を形成する。上側基板Ｅ1は、ガラス基板５５上に
ＩＴＯからなる電極５６を形成し、基板Ｄ1，Ｅ1間に液
晶Ｆ1を注入する。このディスプレイを駆動する方式と
して、一方の電極に印加されるパルスのタイミングを、
それに直交する他方の電極に印加されるパルスのタイミ
ングに対してその立ち上がりを送らせ、立ち下がりを早
めることによりクロストークの発生を防止する。
レイの駆動方法において、パルス状の電圧を印加する手
段を改良して画質の向上を図る。 【構成】 液晶ディスプレイ５０は、下側基板Ｄ1とな
るガラス基板５１上にＣｒからなる第一の電極５２を設
け、その表面にジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）の強誘
電体膜５３が積層され、さらにＩＴＯからなる画素電極
５４を形成する。上側基板Ｅ1は、ガラス基板５５上に
ＩＴＯからなる電極５６を形成し、基板Ｄ1，Ｅ1間に液
晶Ｆ1を注入する。このディスプレイを駆動する方式と
して、一方の電極に印加されるパルスのタイミングを、
それに直交する他方の電極に印加されるパルスのタイミ
ングに対してその立ち上がりを送らせ、立ち下がりを早
めることによりクロストークの発生を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マトリクス型液晶ディ
スプレイの駆動方法に関する。
スプレイの駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイは主としてマトリクス
型が用いられており、駆動方式から単純マトリクス型と
アクティブマトリクス型に分けられる。表示容量の増加
にともなってアクティブマトリクス型が広く用いられる
ようになっている。アクティブ素子としてはダイオード
やＭＩＭ（ｍｅｔａｌ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｍｅｔａ
ｌ）素子などがあるが最も一般的なのが薄膜トランジス
タである。この薄膜トランジスタを用いた液晶ディスプ
レイの断面構造を図７に示す。
型が用いられており、駆動方式から単純マトリクス型と
アクティブマトリクス型に分けられる。表示容量の増加
にともなってアクティブマトリクス型が広く用いられる
ようになっている。アクティブ素子としてはダイオード
やＭＩＭ（ｍｅｔａｌ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｍｅｔａ
ｌ）素子などがあるが最も一般的なのが薄膜トランジス
タである。この薄膜トランジスタを用いた液晶ディスプ
レイの断面構造を図７に示す。
【０００３】ガラス基板１上に形成されたゲート電極
２、ゲート絶縁膜３、アモルファスＳｉチャネル４、ソ
ースおよびドレイン領域５、６、ソースおよびドレイン
電極７、８からなる薄膜トランジスタに、画素電極９が
接続されてなる下側基板Ａと、ガラス基板１０上に電極
１１が形成された上側基板Ｂとの間に液晶Ｃがある。こ
の薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型液
晶ディスプレイは、ソース電極７に印加された画像情報
を、ゲート電極２によりオンオフをコントロールされる
アモルファスＳｉチャネル４を通して画素電極９と電極
１１間に保持された液晶Ｃに伝えられ、画像情報は液晶
Ｃの電荷として保持される。ところが液晶Ｃの電荷は、
液晶自体のリーク、および薄膜トランジスタのリーク電
流などのために、時間とともに減少していく。このため
コントラストが低下することがあった。また薄膜トラン
ジスタを形成するプロセスが複雑で、大面積の液晶ディ
スプレイを作成する場合歩留りが悪くなるといった問題
があった。
２、ゲート絶縁膜３、アモルファスＳｉチャネル４、ソ
ースおよびドレイン領域５、６、ソースおよびドレイン
電極７、８からなる薄膜トランジスタに、画素電極９が
接続されてなる下側基板Ａと、ガラス基板１０上に電極
１１が形成された上側基板Ｂとの間に液晶Ｃがある。こ
の薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型液
晶ディスプレイは、ソース電極７に印加された画像情報
を、ゲート電極２によりオンオフをコントロールされる
アモルファスＳｉチャネル４を通して画素電極９と電極
１１間に保持された液晶Ｃに伝えられ、画像情報は液晶
Ｃの電荷として保持される。ところが液晶Ｃの電荷は、
液晶自体のリーク、および薄膜トランジスタのリーク電
流などのために、時間とともに減少していく。このため
コントラストが低下することがあった。また薄膜トラン
ジスタを形成するプロセスが複雑で、大面積の液晶ディ
スプレイを作成する場合歩留りが悪くなるといった問題
があった。
【０００４】このような問題に対して、特開昭６４−４
７２１号公報に示されるように薄膜トランジスタのかわ
りに強誘電体を用いて単純な構造、少ない工程数の作製
プロセスで高画質な液晶ディスプレイを実現する提案が
ある。これは強誘電体がもつ残留分極特性を利用するも
ので、強誘電体に電界を印加してそれを取り除いたあと
でも残留分極に相当する電界が残ったり、また残った電
界が逆極性の抗電界を印加するとゼロになるような特性
を液晶ディスプレイの駆動素子として用いるものであ
る。強誘電体を用いた場合の液晶ディスプレイの断面構
造を図８に示す。この液晶ディスプレイは、下側基板Ｄ
としてガラス基板１２上に第一の電極１３を設け、その
上に強誘電体膜１４を形成し、さらに前記第一の電極１
３および強誘電体膜１４の上に画素電極１５を形成す
る。そしてガラス基板１６上に電極１７が形成された上
側基板Ｅとの間に液晶Ｆがある。下側基板Ｄの上面図を
図９に示す。
７２１号公報に示されるように薄膜トランジスタのかわ
りに強誘電体を用いて単純な構造、少ない工程数の作製
プロセスで高画質な液晶ディスプレイを実現する提案が
ある。これは強誘電体がもつ残留分極特性を利用するも
ので、強誘電体に電界を印加してそれを取り除いたあと
でも残留分極に相当する電界が残ったり、また残った電
界が逆極性の抗電界を印加するとゼロになるような特性
を液晶ディスプレイの駆動素子として用いるものであ
る。強誘電体を用いた場合の液晶ディスプレイの断面構
造を図８に示す。この液晶ディスプレイは、下側基板Ｄ
としてガラス基板１２上に第一の電極１３を設け、その
上に強誘電体膜１４を形成し、さらに前記第一の電極１
３および強誘電体膜１４の上に画素電極１５を形成す
る。そしてガラス基板１６上に電極１７が形成された上
側基板Ｅとの間に液晶Ｆがある。下側基板Ｄの上面図を
図９に示す。
【０００５】この強誘電体を用いたマトリクス型液晶デ
ィスプレイの等価回路は図１０のように示される。すな
わち上側基板の電極ａ、ａ’、・・・ａ’’と下側基板
の電極ｂ、ｂ’、・・・ｂ’’の間に液晶１８と強誘電
体膜１９が直列に配置されている。このようなマトリク
ス型液晶ディスプレイに対して図１１に示すような駆動
方法が提案されている。
ィスプレイの等価回路は図１０のように示される。すな
わち上側基板の電極ａ、ａ’、・・・ａ’’と下側基板
の電極ｂ、ｂ’、・・・ｂ’’の間に液晶１８と強誘電
体膜１９が直列に配置されている。このようなマトリク
ス型液晶ディスプレイに対して図１１に示すような駆動
方法が提案されている。
【０００６】図１０と図１１のａ、ａ’、・・・ａ’’
とｂ、ｂ’、・・・ｂ’’は対応しており、ａ、ａ’、
・・・ａ’’で横方向に書き込む画素を選択してパルス
電圧Ｖｓを付加し、ｂ、ｂ’、・・・ｂ’’でパルス電
圧Ｖｄを印加して、データを各画素に送る。選択された
ラインのデータが書き込まれるよう選択された画素、非
選択の画素にはそれぞれ、 Ｖ（選択）＝Ｖｓ＋Ｖｄ Ｖ（非選択）＝Ｖｓ−Ｖｄ の電圧が印加される。またＶｓが印加されていないライ
ンの画素には、 Ｖ（非選択ライン）＝±Ｖｄ の電圧が印加される。ひとつの画素は容量性負荷とみな
せる液晶と強誘電体膜が直列に配置されているので、強
誘電体膜に印加される電圧は液晶と強誘電体膜の容量比
で決まる。
とｂ、ｂ’、・・・ｂ’’は対応しており、ａ、ａ’、
・・・ａ’’で横方向に書き込む画素を選択してパルス
電圧Ｖｓを付加し、ｂ、ｂ’、・・・ｂ’’でパルス電
圧Ｖｄを印加して、データを各画素に送る。選択された
ラインのデータが書き込まれるよう選択された画素、非
選択の画素にはそれぞれ、 Ｖ（選択）＝Ｖｓ＋Ｖｄ Ｖ（非選択）＝Ｖｓ−Ｖｄ の電圧が印加される。またＶｓが印加されていないライ
ンの画素には、 Ｖ（非選択ライン）＝±Ｖｄ の電圧が印加される。ひとつの画素は容量性負荷とみな
せる液晶と強誘電体膜が直列に配置されているので、強
誘電体膜に印加される電圧は液晶と強誘電体膜の容量比
で決まる。
【０００７】したがってこの場合、液晶の電気光学的特
性で透過率が５０％となる閾値電圧をＶｔｈとすると、
Ｖｓ−ＶｄおよびＶｄが印加されたとき、液晶に印加さ
れる電圧はＶｔｈ以下であることを満足するように設計
しなければならない。さらに、画素非選択時において、
パルスＶｓのタイミングがパルスＶｄのタイミングより
早いと、強誘電体膜の反転分極速度は非常に早いので、
強誘電体膜に発生する残留分極は、Ｖｓ−Ｖｄではなく
Ｖｓの容量比分に従って上昇し、これにより液晶に印加
される電圧も上昇し、図１２に示す液晶に印加される実
効電圧と透過率の関係により、クロストークが発生す
る。
性で透過率が５０％となる閾値電圧をＶｔｈとすると、
Ｖｓ−ＶｄおよびＶｄが印加されたとき、液晶に印加さ
れる電圧はＶｔｈ以下であることを満足するように設計
しなければならない。さらに、画素非選択時において、
パルスＶｓのタイミングがパルスＶｄのタイミングより
早いと、強誘電体膜の反転分極速度は非常に早いので、
強誘電体膜に発生する残留分極は、Ｖｓ−Ｖｄではなく
Ｖｓの容量比分に従って上昇し、これにより液晶に印加
される電圧も上昇し、図１２に示す液晶に印加される実
効電圧と透過率の関係により、クロストークが発生す
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題点を解決するためのもので、本発明の目的は、強誘電
体膜の分極を制御することにより、鮮明で高コントラス
トの画像表示が可能な液晶ディスプレイを提供すること
にある。
題点を解決するためのもので、本発明の目的は、強誘電
体膜の分極を制御することにより、鮮明で高コントラス
トの画像表示が可能な液晶ディスプレイを提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶プロジェク
タの駆動方法は、第一の絶縁基板と第二の絶縁基板上に
設けられる直交するそれぞれの電極の内、一方の電極に
印加されるパルスのタイミングを、それに直交する他方
の電極に印加されるパルスのタイミングに対して、その
立ち上がりにおいて、前記直交する他方の電極に印加さ
れるパルスより遅らせ、立ち下がりにおいて、前記直交
する他方の電極に印加されるパルスより早めることによ
り選択画素の強誘電体膜の分極を制御することを駆動手
段として備える。
タの駆動方法は、第一の絶縁基板と第二の絶縁基板上に
設けられる直交するそれぞれの電極の内、一方の電極に
印加されるパルスのタイミングを、それに直交する他方
の電極に印加されるパルスのタイミングに対して、その
立ち上がりにおいて、前記直交する他方の電極に印加さ
れるパルスより遅らせ、立ち下がりにおいて、前記直交
する他方の電極に印加されるパルスより早めることによ
り選択画素の強誘電体膜の分極を制御することを駆動手
段として備える。
【００１０】
【作用】すなわち、非選択画素に印加されるパルスのタ
イミングにおいて、立ち上がりにおいて、ＶｓをＶｄよ
り遅らせ、立ち下がりにおいてＶｓをＶｄより早めるこ
とにより、画素に印加される電圧値を確定させ、クロス
トークの無い鮮明で高コントラストの画像表示が可能な
液晶ディスプレイを提供することができる。
イミングにおいて、立ち上がりにおいて、ＶｓをＶｄよ
り遅らせ、立ち下がりにおいてＶｓをＶｄより早めるこ
とにより、画素に印加される電圧値を確定させ、クロス
トークの無い鮮明で高コントラストの画像表示が可能な
液晶ディスプレイを提供することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例につき、図面を参照し
て詳細に説明する。図１および図２に示す本発明の強誘
電体を用いた液晶ディスプレイは次のように作製され
る。全体を符号５０で示す本発明の液晶ディスプレイ
は、下側基板Ｄ１を構成するガラス基板５１上にＣｒか
ら成る第一の電極５２を設け、ガラス基板５１および第
一の電極５２上にジルコン酸チタン酸鉛（以下ＰＺＴ）
から成る強誘電体膜５３が形成される。そしてガラス基
板５１と第一の電極５２および強誘電体膜５３上にＩＴ
Ｏから成る画素電極５４を形成する。
て詳細に説明する。図１および図２に示す本発明の強誘
電体を用いた液晶ディスプレイは次のように作製され
る。全体を符号５０で示す本発明の液晶ディスプレイ
は、下側基板Ｄ１を構成するガラス基板５１上にＣｒか
ら成る第一の電極５２を設け、ガラス基板５１および第
一の電極５２上にジルコン酸チタン酸鉛（以下ＰＺＴ）
から成る強誘電体膜５３が形成される。そしてガラス基
板５１と第一の電極５２および強誘電体膜５３上にＩＴ
Ｏから成る画素電極５４を形成する。
【００１２】上側基板Ｅ１を構成するガラス基板５５上
にはＩＴＯから成る電極５６を形成し、下側基板Ｄ１と
上側基板Ｅ１との間に液晶Ｆ１を注入して液晶ディスプ
レイ５０をつくる。ここで得られた強誘電体膜のＰ−Ｅ
ヒステリシス特性を図４に示す。Ｐｒは残留分極で、強
誘電体に電界を切った後に残る電荷密度である。Ｅｃは
抗電界で、残留分極をゼロにする電界である。ＰＺＴ強
誘電体膜から実際に得られた値は、強誘電体の膜圧ｄFE
は０．４μｍ、非誘電率εFEは５０、印加電圧１５Ｖ
（電界強度Ｅｏ＝２．５×１０7Ｖ／ｍ）で残留分極Ｐ
ｒ＝２／１０2Ｃ／ｍ2、抗電界Ｅｃ＝２．５×１０7Ｖ
／ｍであった。
にはＩＴＯから成る電極５６を形成し、下側基板Ｄ１と
上側基板Ｅ１との間に液晶Ｆ１を注入して液晶ディスプ
レイ５０をつくる。ここで得られた強誘電体膜のＰ−Ｅ
ヒステリシス特性を図４に示す。Ｐｒは残留分極で、強
誘電体に電界を切った後に残る電荷密度である。Ｅｃは
抗電界で、残留分極をゼロにする電界である。ＰＺＴ強
誘電体膜から実際に得られた値は、強誘電体の膜圧ｄFE
は０．４μｍ、非誘電率εFEは５０、印加電圧１５Ｖ
（電界強度Ｅｏ＝２．５×１０7Ｖ／ｍ）で残留分極Ｐ
ｒ＝２／１０2Ｃ／ｍ2、抗電界Ｅｃ＝２．５×１０7Ｖ
／ｍであった。
【００１３】また真空の誘電率をε0、液晶ディスプレ
イに使用する液晶材料の非誘電率εL Cを１０、図２に示
した一画素の面積ｊ×ｋ（ＳLC）を３００μｍ×３００
μｍ、液晶ディスプレイセルのギャップｄLCを５μｍと
した場合の液晶材料の容量ＣLCはＣLC＝εO×εLC×Ｓ
LC／ｄLCより、ＣLC＝８．８５４／１０12×１０×３０
０／１０6×３００／１０6／（５／１０6）＝１．５９
／１０12（Ｆ）となる。そして使用した液晶材料の電気
光学的特性では、Ｖ10（光透過率１０％）＝２．０Ｖ、
Ｖｔｈ＝２．５Ｖ、Ｖ90（光透過率９０％）＝３．０Ｖ
であった。液晶ディスプレイに印加される最大電圧を２
０Ｖに設定すると、選択された画素に印加される場合に
Ｖ（選択）＝Ｖｓ＋Ｖｄ＝２０Ｖとなり、このとき液晶
に最大電圧が印加されることになる。Ｖｓ＝１４Ｖ、Ｖ
ｄ＝６Ｖとすると、Ｖ（非選択）＝Ｖｓ−Ｖｄ＝８Ｖと
なる。
イに使用する液晶材料の非誘電率εL Cを１０、図２に示
した一画素の面積ｊ×ｋ（ＳLC）を３００μｍ×３００
μｍ、液晶ディスプレイセルのギャップｄLCを５μｍと
した場合の液晶材料の容量ＣLCはＣLC＝εO×εLC×Ｓ
LC／ｄLCより、ＣLC＝８．８５４／１０12×１０×３０
０／１０6×３００／１０6／（５／１０6）＝１．５９
／１０12（Ｆ）となる。そして使用した液晶材料の電気
光学的特性では、Ｖ10（光透過率１０％）＝２．０Ｖ、
Ｖｔｈ＝２．５Ｖ、Ｖ90（光透過率９０％）＝３．０Ｖ
であった。液晶ディスプレイに印加される最大電圧を２
０Ｖに設定すると、選択された画素に印加される場合に
Ｖ（選択）＝Ｖｓ＋Ｖｄ＝２０Ｖとなり、このとき液晶
に最大電圧が印加されることになる。Ｖｓ＝１４Ｖ、Ｖ
ｄ＝６Ｖとすると、Ｖ（非選択）＝Ｖｓ−Ｖｄ＝８Ｖと
なる。
【００１４】そしてこの場合、液晶に印加される電圧Ｖ
LCをＶth（＝２．５Ｖ）以下にするためには強誘電体の
容量ＣFEは、ＶLC＝Ｖ（選択）×ＣFE／（ＣLC＋ＣFE）
からＣFE≦４．１８／１０13（Ｆ）にしなくてはならな
い。Ｖ（選択）＝Ｖｓ−Ｖｄ＝８Ｖで液晶に印加される
電圧ＶLCを２Ｖにする場合は、ＣFE＝０．５３／１０12
（Ｆ）となる。この強誘電体の容量値を満足させるため
には強誘電体の面積１×ｍ（ＳFE）は、ＣFE＝εO×ε
FE×ＳFE／ｄFEより、ＳFE＝１×ｍ＝４．７８／１０10
ｍ2であり、２２μｍ×２２μｍ程度の面積にすればよ
い。さらに強誘電体に印加される電圧は８−２＝６Ｖで
あり、電界は６Ｖ／０．４μｍ＝１．５×１０7Ｖ／ｍ
であり、抗電界Ｅｃと一致し、その画素の１フィールド
前が選択された状態であると、残留電荷はゼロに戻り、
希望どおり非選択画素となる。
LCをＶth（＝２．５Ｖ）以下にするためには強誘電体の
容量ＣFEは、ＶLC＝Ｖ（選択）×ＣFE／（ＣLC＋ＣFE）
からＣFE≦４．１８／１０13（Ｆ）にしなくてはならな
い。Ｖ（選択）＝Ｖｓ−Ｖｄ＝８Ｖで液晶に印加される
電圧ＶLCを２Ｖにする場合は、ＣFE＝０．５３／１０12
（Ｆ）となる。この強誘電体の容量値を満足させるため
には強誘電体の面積１×ｍ（ＳFE）は、ＣFE＝εO×ε
FE×ＳFE／ｄFEより、ＳFE＝１×ｍ＝４．７８／１０10
ｍ2であり、２２μｍ×２２μｍ程度の面積にすればよ
い。さらに強誘電体に印加される電圧は８−２＝６Ｖで
あり、電界は６Ｖ／０．４μｍ＝１．５×１０7Ｖ／ｍ
であり、抗電界Ｅｃと一致し、その画素の１フィールド
前が選択された状態であると、残留電荷はゼロに戻り、
希望どおり非選択画素となる。
【００１５】ここで、図５に示すように、パルスＶｓの
立ち上がり完了のタイミングｔ1がパルスＶｄの立ち上
がり完了のタイミングｔ2より早い、あるいはパルスＶ
ｓの立ち下がり開始のタイミングｔ3が、パルスＶｄの
立ち下がり開始のタイミングｔ4より遅いと、一時的に
Ｖｓ＝１４Ｖが非選択画素に印加され、液晶には、１４
Ｖ×ＣFE／（ＣLC＋ＣFE）＝３．５Ｖ、強誘電体には１
４−３．５＝１０．５Ｖそれぞれ印加される。液晶の反
転速度は遅いため、３．５Ｖであっても反転は起らない
が、強誘電体の分極速度は、液晶の反転速度に比べ極め
て早いため、かりにＶｔｈ以上において、液晶が反転し
ない程度の印加時間でも、強誘電体は分極をし、残留電
荷を発生する。強誘電体に１０．５Ｖ印加されると、電
界は１０．５Ｖ／０．４μｍ＝２．６５×１０7Ｖ／ｍ
であり、抗電界以上となり、図４のヒステリスループに
従い、残留電荷が発生し、その結果電圧が残留され、Ｖ
ｓ−Ｖｄ＝８Ｖが印加されても残留電圧はなくならず、
クロストークの原因となる。
立ち上がり完了のタイミングｔ1がパルスＶｄの立ち上
がり完了のタイミングｔ2より早い、あるいはパルスＶ
ｓの立ち下がり開始のタイミングｔ3が、パルスＶｄの
立ち下がり開始のタイミングｔ4より遅いと、一時的に
Ｖｓ＝１４Ｖが非選択画素に印加され、液晶には、１４
Ｖ×ＣFE／（ＣLC＋ＣFE）＝３．５Ｖ、強誘電体には１
４−３．５＝１０．５Ｖそれぞれ印加される。液晶の反
転速度は遅いため、３．５Ｖであっても反転は起らない
が、強誘電体の分極速度は、液晶の反転速度に比べ極め
て早いため、かりにＶｔｈ以上において、液晶が反転し
ない程度の印加時間でも、強誘電体は分極をし、残留電
荷を発生する。強誘電体に１０．５Ｖ印加されると、電
界は１０．５Ｖ／０．４μｍ＝２．６５×１０7Ｖ／ｍ
であり、抗電界以上となり、図４のヒステリスループに
従い、残留電荷が発生し、その結果電圧が残留され、Ｖ
ｓ−Ｖｄ＝８Ｖが印加されても残留電圧はなくならず、
クロストークの原因となる。
【００１６】これに対して図６に示すように、パルスＶ
ｄの立ち上がり完了のタイミングｔ5をパルスＶｓの立
ち上がり完了タイミングｔ6より早め、かつパルスＶｄ
の立ち下がり開始タイミングｔ7を、パルスＶｓの立ち
下がり開始タイミングｔ8より遅くすることにより、非
印字画素には必ず、Ｖｓ−Ｖｄの電圧が印加され、この
ような問題は発生しない。一方、Ｖ（選択）＝Ｖｓ＋Ｖ
ｄ＝２０Ｖで液晶に印加される電圧ＶＬＣは２Ｖ、強誘
電体に印加される電圧ＶFEは１５Ｖとなり、Ｖ（選択）
＝Ｖｓ＋Ｖｄ＝２０Ｖを切った後に液晶に印加される残
留電圧は、Ｖｒｅｍ＝ＳＦＥ×Ｐｒ／（ＣLC＋ＣFE）よ
り、４．５Ｖ程度となる。この値は液晶材料の電気光学
的特性で光透過率９０％のときの実効電圧値３．０Ｖを
十分満足させるものである。
ｄの立ち上がり完了のタイミングｔ5をパルスＶｓの立
ち上がり完了タイミングｔ6より早め、かつパルスＶｄ
の立ち下がり開始タイミングｔ7を、パルスＶｓの立ち
下がり開始タイミングｔ8より遅くすることにより、非
印字画素には必ず、Ｖｓ−Ｖｄの電圧が印加され、この
ような問題は発生しない。一方、Ｖ（選択）＝Ｖｓ＋Ｖ
ｄ＝２０Ｖで液晶に印加される電圧ＶＬＣは２Ｖ、強誘
電体に印加される電圧ＶFEは１５Ｖとなり、Ｖ（選択）
＝Ｖｓ＋Ｖｄ＝２０Ｖを切った後に液晶に印加される残
留電圧は、Ｖｒｅｍ＝ＳＦＥ×Ｐｒ／（ＣLC＋ＣFE）よ
り、４．５Ｖ程度となる。この値は液晶材料の電気光学
的特性で光透過率９０％のときの実効電圧値３．０Ｖを
十分満足させるものである。
【００１７】
【発明の効果】このように本発明によれば、非印字液晶
に印加される最大電圧を、電気光学的特性でＶｔｈ以下
になるようにすることでクロストークの無い、鮮明で高
コントラストの画像表示が可能な液晶ディスプレイが実
現できる。
に印加される最大電圧を、電気光学的特性でＶｔｈ以下
になるようにすることでクロストークの無い、鮮明で高
コントラストの画像表示が可能な液晶ディスプレイが実
現できる。
【図１】 本発明を実施する強誘電体を用いた液晶ディ
スプレイの断面構造を説明する図。
スプレイの断面構造を説明する図。
【図２】 本発明を実施する強誘電体を用いた液晶ディ
スプレイの下側基板の上面図を説明する図。
スプレイの下側基板の上面図を説明する図。
【図３】 本発明を実施する強誘電体を用いた液晶ディ
スプレイの等価回路を説明する図。
スプレイの等価回路を説明する図。
【図４】 本発明の一実施例の強誘電体のＰ−Ｅヒステ
リシス特性を説明する図。
リシス特性を説明する図。
【図５】 従来型の強誘電体を用いた液晶ディスプレイ
のな駆動方法を説明する図。
のな駆動方法を説明する図。
【図６】 本発明の強誘電体を用いた液晶ディスプレイ
のな駆動方法を説明する図。
のな駆動方法を説明する図。
【図７】 薄膜トランジスタを用いた液晶ディスプレイ
の断面構造を説明する図。
の断面構造を説明する図。
【図８】 従来の強誘電体を用いた液晶ディスプレイの
断面構造を説明する図。
断面構造を説明する図。
【図９】 図８の強誘電体を用いた液晶ディスプレイの
下側基板の上面図を説明する図。
下側基板の上面図を説明する図。
【図１０】 図８の強誘電体を用いた液晶ディスプレイ
の等価回路を説明する図。
の等価回路を説明する図。
【図１１】 図８の強誘電体を用いた液晶ディスプレイ
の駆動方法を説明する図。
の駆動方法を説明する図。
【図１２】 液晶に印加される実効電圧と透過率の関係
を示す電気光学的特性を説明する図。
を示す電気光学的特性を説明する図。
５１ ガラス基板、 ５２ 電極、 ５３ 強誘電体
膜、 ５４ 画素電極、５５ ガラス基板、 ５６ 電
極、 ５７ 液晶、 ５８ 強誘電体膜。
膜、 ５４ 画素電極、５５ ガラス基板、 ５６ 電
極、 ５７ 液晶、 ５８ 強誘電体膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新津 岳洋 神奈川県海老名市本郷2274番地 富士ゼロ ックス株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 電極および強誘電体膜が形成された第一
の絶縁基板と、前記第一の基板上に形成された電極に直
交するような電極が形成された第二の絶縁基板との間に
液晶材料が配設され、前記強誘電体膜と前記液晶材料が
直列に接続される構造を有する液晶ディスプレイにおい
て、前記直交するそれぞれの電極のうち、一方の電極に
印加されるパルスのタイミングを、それに直交する他方
の電極に印加されるパルスのタイミングに対して、その
立ち上がりにおいて、前記直交する他方の電極に印加さ
れるパルスより遅らせ、立ち下がりにおいて、前記直交
する他方の電極に印加されるパルスより早めることによ
り選択画素の強誘電体膜の分極を制御することを特徴と
する液晶ディスプレイの駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26234993A JP3161492B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 液晶ディスプレイの駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26234993A JP3161492B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 液晶ディスプレイの駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07114040A true JPH07114040A (ja) | 1995-05-02 |
| JP3161492B2 JP3161492B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=17374516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26234993A Expired - Fee Related JP3161492B2 (ja) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | 液晶ディスプレイの駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3161492B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100494684B1 (ko) * | 2000-12-01 | 2005-06-13 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 수직배향된 강유전성 액정의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN203439431U (zh) * | 2013-07-31 | 2014-02-19 | 奔迈（上海）国际贸易有限公司 | 翻盖式运动瓶盖 |
-
1993
- 1993-10-20 JP JP26234993A patent/JP3161492B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100494684B1 (ko) * | 2000-12-01 | 2005-06-13 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 수직배향된 강유전성 액정의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3161492B2 (ja) | 2001-04-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |