JPH07113931A - Semiconductor laser module and its production - Google Patents

Semiconductor laser module and its production

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Publication number
JPH07113931A
JPH07113931A JP5262299A JP26229993A JPH07113931A JP H07113931 A JPH07113931 A JP H07113931A JP 5262299 A JP5262299 A JP 5262299A JP 26229993 A JP26229993 A JP 26229993A JP H07113931 A JPH07113931 A JP H07113931A
Authority
JP
Japan
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semiconductor laser
metal
case
metal case
fixed
Prior art date
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Pending
Application number
JP5262299A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Keisaku Tomita
恵作 冨田
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH07113931A publication Critical patent/JPH07113931A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To discretely assure a hermetic sealing state and to suppress the light output deterioration affected by stress at the time of packaging to a lower level. CONSTITUTION:This semiconductor module has a metallic case 10 formed with a through-hole 10a slightly larger than the front end of an optical isolator 12 on its wall surface. A metallic base 4 mounted with a semiconductor laser 1, a condenser lens 6, etc., is mounted via a Peltier element 11 within the metallic case 10. The front end of the optical isolator 12 and the through-hole 10a of the metallic case 10 are tightly fixed by solder 13. Further, the opening of the metallic case 10 is soldered and sealed by a metallic cap 14.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザの光路の
一部を気密遮蔽した金属筐体を有する半導体レーザモジ
ュールおよびその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser module having a metal housing in which a part of an optical path of a semiconductor laser is hermetically shielded, and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】電磁誘導の影響を受けにくく、低損失長
距離伝送が可能な光ファイバ通信が実用化されて以来、
伝送距離・伝送容量の拡大に様々な努力が払われ、半導
体発光素子や受光素子の高性能化とともに個別素子の実
装方法の検討、改良が行われてきた。特に素子構造が複
雑で、環境から影響を受け易い半導体レーザについて
は、常に一定の温度で動作することを目的として温調素
子を半導体レーザモジュールに内蔵したり、半導体レー
ザモジュール外からの反射戻り光を除去して半導体レー
ザの安定動作を可能とすることを目的として光アイソレ
ータを内蔵したり様々な工夫がなされてきた。このよう
な半導体レーザモジュールの一例として、特開平3−6
8915号公報に記載されたものがある。
2. Description of the Related Art Since optical fiber communication, which is hardly affected by electromagnetic induction and is capable of long-distance transmission with low loss, has been put into practical use,
Various efforts have been made to increase the transmission distance and the transmission capacity, and the performance of semiconductor light emitting devices and light receiving devices has been improved, and the mounting method of individual devices has been studied and improved. Especially for semiconductor lasers that have a complicated element structure and are easily affected by the environment, a temperature adjustment element is built into the semiconductor laser module or the reflected light from the outside of the semiconductor laser module is used for the purpose of always operating at a constant temperature. For the purpose of eliminating the above problem and enabling stable operation of the semiconductor laser, various measures have been taken such as incorporating an optical isolator. As an example of such a semiconductor laser module, Japanese Patent Laid-Open No. 3-6
There is one disclosed in Japanese Patent No. 8915.

【0003】図3は従来の半導体モジュールの一例の構
造を示した図であり、(a)は上面図、(b)は側面図
である。
3A and 3B are views showing the structure of an example of a conventional semiconductor module. FIG. 3A is a top view and FIG. 3B is a side view.

【0004】図3に示すように、半導体レーザ31はヒ
ートシンク32を介して半導体レーザキャリア33に搭
載され、半導体レーザキャリア33はフォトダイオード
35とともに集光用レンズ37が固定されたベース34
に半田固定され、光アイソレータ131がベース34
に、光ファイバ135がフェルール39、スライドリン
グ38を介して光アイソレータ131に光学調整された
うえでそれぞれ固定される。さらに、ベース34はペル
チエ素子133を介して金属製のケース132に固定さ
れるとともに光ファイバ135を保護するフェルール3
9がケース132の光ファイバ導入孔において半田13
4で固定される。半導体レーザモジュールはこのあとケ
ース132の外に突出したリード136とケース132
内でボンディングワイヤによる配線を用いて導通された
後、金属ケース132の開口部に金属蓋(不図示)が封
止固定され、ケース132内の気密封止を行って完成す
る。
As shown in FIG. 3, a semiconductor laser 31 is mounted on a semiconductor laser carrier 33 via a heat sink 32. The semiconductor laser carrier 33 has a photodiode 34 and a base 34 to which a condenser lens 37 is fixed.
The optical isolator 131 is fixed to the base 34 by soldering.
Further, the optical fiber 135 is optically adjusted and fixed to the optical isolator 131 via the ferrule 39 and the slide ring 38. Further, the base 34 is fixed to the metal case 132 via the Peltier element 133 and protects the optical fiber 135 from the ferrule 3.
9 is the solder 13 in the optical fiber introduction hole of the case 132.
Fixed at 4. After that, the semiconductor laser module has the leads 136 protruding outside the case 132 and the case 132.
After electrical continuity is achieved by using wiring by a bonding wire inside, a metal lid (not shown) is sealed and fixed in the opening of the metal case 132, and the case 132 is hermetically sealed to complete.

【0005】このようにして半導体レーザモジュールは
ペルチエ素子133による半導体レーザの一定温度動
作、また光アイソレータ131内蔵による反射戻り光の
影響を除去して半導体レーザの安定動作が可能であるだ
けでなく、半導体レーザ素子から直接ケース132外の
リード136へボンディング接続できるため寄生容量や
インダクタンスを極限まで小さくすることが可能であ
り、またケース全体を容易に接地することができるため
半導体レーザモジュール自体を高速動作させることに適
した構造を有している。
In this way, the semiconductor laser module not only enables the semiconductor laser module to operate at a constant temperature by the Peltier element 133, and also eliminates the influence of reflected return light due to the built-in optical isolator 131, and enables stable operation of the semiconductor laser. Since the semiconductor laser device can be directly connected to the lead 136 outside the case 132 by bonding, parasitic capacitance and inductance can be minimized, and the whole case can be easily grounded so that the semiconductor laser module itself operates at high speed. It has a structure suitable for making it.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本来、半導体レーザ素
子のモニタ出力用受光素子は反射膜コーティングを施し
ていることもあって、気密の保持された(リークレベル
≦10ー8atm・cc/sec)状態で使用されることが望まし
い。ところが、上述した従来の半導体レーザモジュール
ではケース内の完全気密封止を実現するために、光ファ
イバを保護するフェルール内部に半田封止等の封止方法
を用いて気密遮蔽部を設ける必要がある。これは光ファ
イバ自体が気密遮蔽体として機能しないことが原因であ
るが、金属フェルール内部に気密遮蔽部を設ける構造は
実現するのが非常に難しく、また完成した半導体レーザ
モジュールの気密封止を個別保証するためにはケースの
光ファイバ導入口における半田シールで気密を確保して
リークチェックする必要があり、実用上も個別保証が困
難であるという問題点を有していた。
Originally [0005], the semiconductor laser monitor output photodetector elements there sometimes are subjected to reflection film coating, airtightness of the retained (leak level ≦ 10 over 8 atm · cc / sec ) It is desirable to be used in the state. However, in the above-mentioned conventional semiconductor laser module, in order to realize the complete airtight sealing in the case, it is necessary to provide the airtight shielding portion inside the ferrule protecting the optical fiber by using a sealing method such as solder sealing. . This is because the optical fiber itself does not function as an airtight shield, but it is extremely difficult to realize a structure in which the airtight shield is provided inside the metal ferrule, and the airtight sealing of the completed semiconductor laser module is individually performed. In order to guarantee it, it is necessary to ensure airtightness with a solder seal at the optical fiber introduction port of the case to perform a leak check, and there is a problem that individual guarantee is difficult in practical use.

【0007】また、完成した半導体レーザモジュールを
基板等に実装して使用する際にはケースに実装による応
力が加わる可能性が有り、この応力はケースの光ファイ
バ導入孔の半田を介してフェルールに伝わり、半導体レ
ーザ、集光用レンズ、光アイソレータ、光ファイバの位
置関係に2〜3μm程度の微小な変移を与える。従来技
術として示した半導体レーザモジュールの例では応力の
加わる位置が点光源と仮定できる半導体レーザから遠い
こともあり位置関係の微小な変移が光ファイバからの光
出力で0.5dB以上の光出力劣化を引き起こすという
問題点を有していた。
Further, when the completed semiconductor laser module is mounted on a substrate or the like and used, stress may be applied to the case due to mounting, and this stress is applied to the ferrule through the solder in the optical fiber introducing hole of the case. Then, a minute shift of about 2 to 3 μm is given to the positional relationship among the semiconductor laser, the condenser lens, the optical isolator, and the optical fiber. In the example of the semiconductor laser module shown as the prior art, the position where the stress is applied may be far from the semiconductor laser which can be assumed to be a point light source, so that a minute change in the positional relationship is caused by the optical output from the optical fiber and the optical output deteriorates by 0.5 dB or more. Had a problem of causing.

【0008】本発明は、ケース内の気密封止状態を個別
保証し、かつ、実装時の応力に影響される光出力劣化を
小さく抑制することが可能な半導体レーザモジュールお
よびその製造方法を提供することを目的とする。
The present invention provides a semiconductor laser module capable of individually guaranteeing a hermetically sealed state in a case and suppressing deterioration of optical output affected by stress during mounting to a small extent, and a method of manufacturing the same. The purpose is to

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、半導体レーザと、該半導体レーザを載置す
るとともに前記半導体レーザからの出力光を集光させる
集光用レンズを密着固定した金属ベースと、前記半導体
レーザが内蔵され、側壁に前記半導体レーザからの出力
光を通過させるための貫通孔が形成された金属ケース
と、該金属ケースを気密封止するための金属蓋と、光フ
ァイバとを備えた半導体レーザモジュールにおいて、前
記金属ベースに固定された、前記集光用レンズにより集
光された半導体レーザの光路の一部を気密遮蔽する金属
筐体部を有し、前記金属ケースの貫通孔が前記金属筐体
部と半田により封止されることを特徴とするものや、ま
た、前記金属筐体部として光アイソレータを用いたもの
でもよく、前記半導体レーザモジュールの製造方法であ
って、前記半導体レーザを搭載した半導体レーザキャリ
アを金属ベースに半田固定し、前記金属ベースに光アイ
ソレータを固定し、前記金属ベースと前記金属ケース内
の底面、前記光アイソレータと前記金属ケースの貫通孔
とをそれぞれ半田固定し、ボンディングワイヤを用いて
前記金属ケース外のリード線と導通した金属ケース内の
配線パターンと前記半導体レーザを導通させ、さらに前
記金属ケースと前記金属蓋を封止して完全気密筐体を形
成した後、前記光アイソレータに光ファイバを固定して
製造することを特徴とする。
According to the present invention for achieving the above object, a semiconductor laser and a condenser lens for mounting the semiconductor laser and condensing output light from the semiconductor laser are closely fixed. A metal base, the semiconductor laser is built-in, a metal case in which a through hole for passing the output light from the semiconductor laser is formed in the side wall, and a metal lid for hermetically sealing the metal case, In a semiconductor laser module including an optical fiber, a metal housing portion fixed to the metal base and hermetically shielding a part of an optical path of the semiconductor laser focused by the focusing lens is used. One in which the through hole of the case is sealed with the metal housing by soldering, or one in which an optical isolator is used as the metal housing may be used. A method of manufacturing a laser module, comprising: fixing a semiconductor laser carrier carrying the semiconductor laser to a metal base by soldering, fixing an optical isolator to the metal base, the metal base and a bottom surface in the metal case, the optical isolator. And the through holes of the metal case are fixed by soldering respectively, and the semiconductor laser is electrically connected to the wiring pattern in the metal case which is electrically connected to the lead wire outside the metal case by using a bonding wire, and the metal case and the metal are further connected. After the lid is sealed to form a completely airtight case, an optical fiber is fixed to the optical isolator for manufacturing.

【0010】さらに、半導体レーザと、該半導体レーザ
を載置するとともに前記半導体レーザからの出力光を集
光させる集光用レンズを密着固定した金属ベースと、前
記半導体レーザが内蔵され、側壁に前記半導体レーザか
らの出力光を通過させるための貫通孔が形成された金属
ケースと、該金属ケースを気密封止するための金属蓋
と、光ファイバとを備えた半導体レーザモジュールにお
いて、前記金属ケースの貫通孔が前記金属ベースと半田
により封止されるものでもよく、前記半導体レーザモジ
ュールの製造方法であって、前記半導体レーザを搭載し
た半導体レーザキャリアを金属ベースに半田固定し、前
記金属ケース内の底面と前記金属ケースの貫通孔とで前
記金属ベースを半田固定し、ボンディングワイヤを用い
て前記金属ケース外のリード線と導通した金属ケース内
の配線パターンと前記半導体レーザを導通させ、さらに
前記金属ケースと前記金属蓋を封止して完全気密筐体を
形成した後、前記金属ベースに光ファイバを固定して製
造することを特徴とする。
Further, a semiconductor laser, a metal base on which the semiconductor laser is mounted and a condenser lens for condensing the output light from the semiconductor laser is closely fixed, the semiconductor laser is built in, and the side wall is provided with the semiconductor laser. In a semiconductor laser module including a metal case having a through hole for allowing output light from a semiconductor laser to pass through, a metal lid for hermetically sealing the metal case, and an optical fiber, The through hole may be sealed with the metal base by solder, which is a method of manufacturing the semiconductor laser module, wherein the semiconductor laser carrier carrying the semiconductor laser is fixed to the metal base by soldering, The metal base is fixed by soldering on the bottom surface and the through hole of the metal case, and the bonding wire is used to attach the metal base The semiconductor laser is electrically connected to the wiring pattern in the metal case which is electrically connected to the lead wire, and the metal case and the metal lid are further sealed to form a completely airtight case, and then the optical fiber is fixed to the metal base. It is characterized by being manufactured by

【0011】[0011]

【作用】上記のとおり構成された本発明では、半導体レ
ーザを載置するとともに前記半導体レーザからの出力光
を集光させる集光用レンズを密着固定した金属ベース
を、壁面に前記半導体レーザからの出力光を通過させる
ための貫通孔が形成された金属ケース内に固定し、さら
に前記金属ベースに前記集光用レンズにより集光された
半導体レーザの光路の一部を気密遮蔽する金属筐体部を
固定し、前記金属ケースの貫通孔を前記金属筐体部およ
び半田により封止した後、金属蓋により金属ケース自体
を半田封止することにより、半導体レーザが内蔵された
金属ケース内は完全な気密封止状態となる。すなわち、
気密遮蔽体として機能しない光ファイバによる金属ケー
スの貫通孔の封止に代え、半導体レーザの光路の一部を
気密遮蔽する金属筐体部により封止した事により、光フ
ァイバを取り付ける前の金属ケース内の気密封止状態が
個別保証される。
In the present invention configured as described above, the metal base on which the semiconductor laser is mounted and the condensing lens for condensing the output light from the semiconductor laser is closely fixed, is mounted on the wall surface from the semiconductor laser. A metal housing part that is fixed in a metal case having a through hole for allowing output light to pass therethrough, and that hermetically shields a part of the optical path of the semiconductor laser focused on the metal base by the focusing lens. Is fixed, and the through-hole of the metal case is sealed with the metal housing and solder, and then the metal case itself is solder-sealed with a metal lid, so that the inside of the metal case in which the semiconductor laser is built is complete. It becomes an airtightly sealed state. That is,
Instead of sealing the through hole of the metal case with an optical fiber that does not function as an airtight shield, a metal case before mounting the optical fiber is used by sealing a part of the optical path of the semiconductor laser with a metal case that hermetically shields. The hermetically sealed state inside is individually guaranteed.

【0012】さらに、点光源と仮定できる半導体レーザ
から光ファイバまでの一連で結合した光学構造を半導体
レーザに対して従来に比して近い位置で支持しているの
で、ケース実装により生じ得る応力が引き起こす光学系
の微小な変移が小さくなる。
Further, since the optical structure in which a semiconductor laser, which can be assumed to be a point light source, and an optical fiber are coupled in series, is supported at a position closer to the semiconductor laser than in the conventional case, stress that may occur due to case mounting is The small displacement of the optical system that causes it becomes small.

【0013】[0013]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0014】図1は本発明の半導体レーザモジュールの
一実施例を示す構造図である。
FIG. 1 is a structural diagram showing an embodiment of a semiconductor laser module of the present invention.

【0015】図1に示すように従来技術と同様に、半導
体レーザ1は、ヒートシンク2および半導体レーザキャ
リア3を介してモニタ用のフォトダイオード5とともに
金属ベース4上に搭載されている。金属ベース4には集
光用レンズ6が密着固定されており、金属ベース4の先
端部には光アイソレータ12が固定されている。さらに
光アイソレータ12の先端部には、フェルール7で保護
された光ファイバ8がスライドリング9を介して固定さ
れている。これら一連の結合により半導体レーザ1から
の出力光が光ファイバ8へ導かれる構造となり、なおか
つ、前記光アイソレータ12は、集光用レンズ6により
集光された半導体レーザ1の光路の一部を気密遮蔽した
金属筐体部となっている。
As shown in FIG. 1, the semiconductor laser 1 is mounted on the metal base 4 together with the photodiode 5 for monitoring via the heat sink 2 and the semiconductor laser carrier 3 as in the prior art. A condenser lens 6 is closely fixed to the metal base 4, and an optical isolator 12 is fixed to the tip of the metal base 4. Further, an optical fiber 8 protected by a ferrule 7 is fixed to the tip of the optical isolator 12 via a slide ring 9. The output light from the semiconductor laser 1 is guided to the optical fiber 8 by the series of couplings, and the optical isolator 12 hermetically seals a part of the optical path of the semiconductor laser 1 condensed by the condenser lens 6. It is a shielded metal housing.

【0016】本実施例の半導体レーザモジュールは、壁
面に前記光アイソレータ12の先端部よりもわずかに大
きい貫通孔10aが形成された金属ケース10を備えて
いる。そして、金属ケース10の内部には前記金属ベー
ス4がペルチエ素子11を介して取り付けられ、前記光
アイソレータ12の先端部と金属ケース10の貫通孔1
0aとが半田13により密着固定されている。さらに金
属ケース10の開口は金属蓋14にて半田封止されてい
る。
The semiconductor laser module of this embodiment is provided with a metal case 10 having a through hole 10a formed in the wall surface, which is slightly larger than the tip of the optical isolator 12. Then, the metal base 4 is mounted inside the metal case 10 via a Peltier element 11, and the tip end portion of the optical isolator 12 and the through hole 1 of the metal case 10 are attached.
And 0a are closely fixed by solder 13. Furthermore, the opening of the metal case 10 is sealed with a metal lid 14 by soldering.

【0017】次に、本実施例の作成工程について図1お
よび図2を参照して説明する。
Next, the manufacturing process of this embodiment will be described with reference to FIGS.

【0018】図2は本発明の半導体レーザモジュールの
一実施例の作成工程を説明するためのフローチャートで
ある。
FIG. 2 is a flow chart for explaining the manufacturing process of one embodiment of the semiconductor laser module of the present invention.

【0019】図1および図2に示すように、半導体レー
ザ1はヒートシンク2にマウントされ、ヒートシンク2
は半導体レーザキャリア3にマウントされた後、半導体
レーザキャリア3はフォトダイオード5とともに集光用
レンズ6を有する金属ベース4に半田固定される。金属
ベース4に光アイソレータ12が固定された後、ペルチ
エ素子11を介して金属ケース10に半田固定され、さ
らに金属ケース10の貫通孔10aを光アイソレータ9
にて半田封止する。半導体レーザ1を内蔵した金属ケー
ス10は、ボンディングワイヤによってケース外のリー
ド線(不図示)と配線した後、金属蓋14を用いて気密
封止される。このようにして、気密封止された金属ケー
ス10は必要に応じてリークチェックが行われ、気密封
止状態が不完全なものを除去する。この事により、個々
の素子について気密状態の保証が行われ、このうえでス
ライドリング9を介して光ファイバ8を保護しているフ
ェルール7と光学結合される。
As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor laser 1 is mounted on a heat sink 2 and
After being mounted on the semiconductor laser carrier 3, the semiconductor laser carrier 3 is soldered and fixed to the metal base 4 having the condenser lens 6 together with the photodiode 5. After the optical isolator 12 is fixed to the metal base 4, it is soldered and fixed to the metal case 10 via the Peltier element 11, and the through hole 10a of the metal case 10 is fixed to the optical isolator 9 by the optical isolator 9.
Solder seal with. The metal case 10 containing the semiconductor laser 1 is hermetically sealed with a metal lid 14 after wiring with a lead wire (not shown) outside the case by a bonding wire. In this way, the metal case 10 hermetically sealed is subjected to a leak check as needed, and the one whose hermetically sealed state is incomplete is removed. As a result, the airtight state of each element is guaranteed, and then the element is optically coupled via the slide ring 9 to the ferrule 7 that protects the optical fiber 8.

【0020】通常、光アイソレータ12の偏光子、検光
子、ファラデ回転子のそれぞれは信頼度向上のため金属
筐体に半田固定されており、金属筐体により光アイソレ
ータ自身が気密遮蔽された構造を有している。このた
め、光アイソレータ12にて金属ケース10と半田固定
することにより、金属ケース10の貫通孔10aは気密
遮蔽することが可能となり、ボンディングワイヤによる
配線の後、金属蓋14で金属ケース自体を半田封止する
ことで、半導体レーザモジュールは完全に気密封止する
事が可能である。
Usually, each of the polarizer, the analyzer, and the Faraday rotator of the optical isolator 12 is soldered and fixed to a metal casing for improving reliability, and the optical isolator itself is hermetically shielded by the metal casing. Have Therefore, by fixing the metal case 10 with the optical isolator 12 by soldering, the through hole 10a of the metal case 10 can be hermetically shielded, and after the wiring by the bonding wire, the metal case 14 is soldered to the metal case itself. By sealing, the semiconductor laser module can be completely hermetically sealed.

【0021】また、半導体レーザモジュールの実装時に
金属ケース10に生じた応力は半田113を通じて光ア
イソレータ12に伝わるが、光アイソレータ自体が金属
筐体として強固な構造であり応力に対して光学結合の変
移を引き起こすことが少ないうえに、半導体レーザ1か
らの距離が従来技術に示した構成よりも比較的近いた
め、光学結合の変移に対する光出力の劣化が極めて小さ
く抑制する事(≦0.2dB)ができる。
Further, the stress generated in the metal case 10 at the time of mounting the semiconductor laser module is transmitted to the optical isolator 12 through the solder 113, but the optical isolator itself has a strong structure as a metal casing and the optical coupling changes with respect to the stress. In addition, the distance from the semiconductor laser 1 is relatively shorter than that of the configuration shown in the related art, and therefore the deterioration of the optical output due to the change of the optical coupling can be suppressed to be extremely small (≦ 0.2 dB). it can.

【0022】本実施例においては、金属ケース10の貫
通孔10aを気密遮蔽された金属筐体部としての光アイ
ソレータ12にて封止した例を示したが、光アイソレー
タ12を用いずに金属ベース自体を気密遮蔽体とて用い
た場合も同様の効果を得ることができるのは明らかであ
る。
In this embodiment, an example in which the through hole 10a of the metal case 10 is sealed by the optical isolator 12 as a hermetically sealed metal housing is shown. However, the metal base is used without using the optical isolator 12. Obviously, the same effect can be obtained when the device itself is used as an airtight shield.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体レー
ザモジュールは、集光用レンズによって集光された半導
体レーザの出力光の光路を気密遮蔽した金属筐体を有
し、この金属筐体を半導体レーザのマウントされた金属
ベースと固定し、金属筐体にて金属ケースの貫通孔を半
田封止した構造、あるいは金属筐体を用いずに金属ベー
ス自体にて金属ケースの貫通孔を半田封止した構造を有
することにより、ボンディングワイヤによって金属ケー
ス外のリード線との導通を確保し金属蓋によって金属ケ
ースを封止した後、光ファイバを取り付ける前に金属ケ
ースの完全気密封止(リークレベル ≦10ー8atm・cc/se
c)を個別保証することができるばかりでなく、ケース
実装により生じ得る応力が引き起こす2〜3μm程度の
光学系の微小な変移も点光源と仮定できる半導体レーザ
から近い位置での変移であるために、光ファイバからの
光出力に与える影響を小さく抑制する(≦0.2dB)
ことができるという効果を奏する。
As described above, the semiconductor laser module of the present invention has the metal casing that hermetically shields the optical path of the output light of the semiconductor laser condensed by the condenser lens. It is fixed to the metal base on which the semiconductor laser is mounted, and the through hole of the metal case is sealed with a metal housing by soldering, or the through hole of the metal case is solder sealed with the metal base itself without using the metal housing. By having the structure that is stopped, the bonding wire secures the continuity with the lead wire outside the metal case, and the metal case is sealed with the metal lid, and before the optical fiber is attached, the metal case is completely hermetically sealed (leak level). ≦ 10 over 8 atm · cc / se
Not only can c) be assured individually, but also the small displacement of the optical system of about 2 to 3 μm caused by the stress that can occur due to case mounting is a displacement at a position close to the semiconductor laser that can be assumed to be a point light source. , Suppresses the effect on the optical output from the optical fiber (≦ 0.2 dB)
There is an effect that can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の半導体レーザモジュールの一実施例を
示す構造図である。
FIG. 1 is a structural diagram showing an embodiment of a semiconductor laser module of the present invention.

【図2】本発明の半導体レーザモジュールの一実施例の
作成工程を説明するためのフローチャートである。
FIG. 2 is a flow chart for explaining a manufacturing process of one embodiment of the semiconductor laser module of the present invention.

【図3】従来の半導体モジュールの一例の構造を示した
図であり、(a)は上面図、(b)は側面図である。
3A and 3B are diagrams showing a structure of an example of a conventional semiconductor module, where FIG. 3A is a top view and FIG. 3B is a side view.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザ 2 ヒートシンク 3 半導体レーザキャリア 4 金属ベース 5 フォトダイオード 6 集光用レンズ 7 フェルール 8 光ファイバ 9 スライドレンズ 10 金属ケース 10a 貫通孔 11 ペルチエ素子 12 光アイソレータ 13 半田 14 金属蓋 1 Semiconductor Laser 2 Heat Sink 3 Semiconductor Laser Carrier 4 Metal Base 5 Photodiode 6 Focusing Lens 7 Ferrule 8 Optical Fiber 9 Slide Lens 10 Metal Case 10a Through Hole 11 Peltier Element 12 Optical Isolator 13 Solder 14 Metal Lid

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体レーザと、該半導体レーザが載置
されるとともに前記半導体レーザからの出力光を集光さ
せる集光用レンズが密着固定された金属ベースと、前記
半導体レーザが内蔵され、側壁に前記半導体レーザから
の出力光を通過させるための貫通孔が形成された金属ケ
ースと、該金属ケースを気密封止するための金属蓋と、
光ファイバとを備えた半導体レーザモジュールにおい
て、 前記金属ベースに固定された、前記集光用レンズにより
集光された半導体レーザの光路の一部を気密遮蔽する金
属筐体部を有し、前記金属ケースの貫通孔が前記金属筐
体部と半田により封止されることを特徴とする半導体レ
ーザモジュール。
1. A semiconductor laser, a metal base on which the semiconductor laser is mounted, and a condensing lens for condensing output light from the semiconductor laser is closely fixed, a semiconductor laser is built in, and a side wall is provided. A metal case in which a through hole for passing the output light from the semiconductor laser is formed, and a metal lid for hermetically sealing the metal case,
A semiconductor laser module including an optical fiber, comprising a metal housing part fixed to the metal base and hermetically shielding a part of an optical path of the semiconductor laser focused by the focusing lens, A semiconductor laser module, wherein a through hole of the case is sealed with the metal housing by solder.
【請求項2】 請求項1記載の半導体レーザモジュール
において、前記金属筐体部として光アイソレータを用い
たことを特徴とする半導体レーザモジュール。
2. The semiconductor laser module according to claim 1, wherein an optical isolator is used as the metal casing.
【請求項3】 半導体レーザと、該半導体レーザを載置
するとともに前記半導体レーザからの出力光を集光させ
る集光用レンズを密着固定した金属ベースと、前記半導
体レーザが内蔵され、側壁に前記半導体レーザからの出
力光を通過させるための貫通孔が形成された金属ケース
と、該金属ケースを気密封止するための金属蓋と、光フ
ァイバとを備えた半導体レーザモジュールにおいて、 前記金属ケースの貫通孔が前記金属ベースと半田により
封止されることを特徴とする半導体レーザモジュール。
3. A semiconductor laser, a metal base on which the semiconductor laser is mounted and a condensing lens for condensing output light from the semiconductor laser is closely fixed, the semiconductor laser is built in, and the metal laser is built into the side wall. In a semiconductor laser module including a metal case having a through hole for passing output light from a semiconductor laser, a metal lid for hermetically sealing the metal case, and an optical fiber, the metal case A semiconductor laser module, wherein a through hole is sealed with the metal base by solder.
【請求項4】 請求項2記載の半導体レーザモジュール
の製造方法であって、 前記半導体レーザを搭載した半導体レーザキャリアを前
記金属ベースに半田固定し、前記金属ベースに光アイソ
レータを固定し、前記金属ベースと前記金属ケース内の
底面、前記光アイソレータと前記金属ケースの貫通孔と
をそれぞれ半田固定し、ボンディングワイヤを用いて前
記金属ケース外のリード線と導通した金属ケース内の配
線パターンと前記半導体レーザを導通させ、さらに前記
金属ケースと前記金属蓋を封止して完全気密筐体を形成
した後、前記光アイソレータに光ファイバを固定して製
造することを特徴とする半導体レーザモジュールの製造
方法。
4. The method of manufacturing a semiconductor laser module according to claim 2, wherein the semiconductor laser carrier having the semiconductor laser mounted thereon is fixed to the metal base by soldering, and the optical isolator is fixed to the metal base. The base and the bottom surface in the metal case, the optical isolator and the through hole of the metal case are fixed by soldering, respectively, and the wiring pattern in the metal case and the semiconductor are electrically connected to the lead wire outside the metal case by using a bonding wire. A method for manufacturing a semiconductor laser module, comprising: connecting a laser, further sealing the metal case and the metal lid to form a completely airtight housing, and then fixing an optical fiber to the optical isolator for manufacturing. .
【請求項5】 請求項3記載の半導体レーザモジュール
の製造方法であって、 前記半導体レーザを搭載した半導体レーザキャリアを前
記金属ベースに半田固定し、前記金属ケース内の底面と
前記金属ケースの貫通孔とで前記金属ベースを半田固定
し、ボンディングワイヤを用いて前記金属ケース外のリ
ード線と導通した金属ケース内の配線パターンと前記半
導体レーザを導通させ、さらに前記金属ケースと前記金
属蓋を封止して完全気密筐体を形成した後、前記金属ベ
ースに光ファイバを固定して製造することを特徴とする
半導体レーザモジュールの製造方法。
5. The method of manufacturing a semiconductor laser module according to claim 3, wherein the semiconductor laser carrier having the semiconductor laser mounted thereon is fixed to the metal base by soldering, and the bottom surface in the metal case and the metal case penetrate. The metal base is soldered and fixed by the holes, and the semiconductor laser is electrically connected to the wiring pattern in the metal case which is electrically connected to the lead wire outside the metal case by using a bonding wire, and the metal case and the metal lid are sealed. A method of manufacturing a semiconductor laser module, which comprises: stopping to form a completely airtight case, and then fixing an optical fiber to the metal base to manufacture.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4629842B2 (en) * 2000-09-29 2011-02-09 古河電気工業株式会社 Optical module manufacturing method and optical module
JP2013185054A (en) * 2012-03-07 2013-09-19 Furukawa Electric Co Ltd:The Adhesive composition and laser module
JP2013187328A (en) * 2012-03-07 2013-09-19 Furukawa Electric Co Ltd:The Fixing method of component and laser module
US20220416901A1 (en) * 2020-06-12 2022-12-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical transmitter

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH043484A (en) * 1990-04-20 1992-01-08 Hitachi Ltd Semiconductor laser module with built-in optical isolator

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH043484A (en) * 1990-04-20 1992-01-08 Hitachi Ltd Semiconductor laser module with built-in optical isolator

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4629842B2 (en) * 2000-09-29 2011-02-09 古河電気工業株式会社 Optical module manufacturing method and optical module
JP2013185054A (en) * 2012-03-07 2013-09-19 Furukawa Electric Co Ltd:The Adhesive composition and laser module
JP2013187328A (en) * 2012-03-07 2013-09-19 Furukawa Electric Co Ltd:The Fixing method of component and laser module
US20220416901A1 (en) * 2020-06-12 2022-12-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical transmitter
US11901946B2 (en) 2020-06-12 2024-02-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical transmitter

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