JPH07113722B2 - Active matrix display device and driving method thereof - Google Patents

Active matrix display device and driving method thereof

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JPH07113722B2
JPH07113722B2 JP61212696A JP21269686A JPH07113722B2 JP H07113722 B2 JPH07113722 B2 JP H07113722B2 JP 61212696 A JP61212696 A JP 61212696A JP 21269686 A JP21269686 A JP 21269686A JP H07113722 B2 JPH07113722 B2 JP H07113722B2
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bus line
electrode
switching element
display
potential
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悟 川井
健一 梁井
和博 高原
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 アクティブマトリクス型表示装置に於けるスキャンバス
ラインとデータバスラインとをそれぞれ対向配置したガ
ラス基板に形成して、同一ガラス基板上に於ける交差部
分をなくし、且つ接地バスラインを省略する構成とし
て、製造歩留りと駆動面積率との向上を図り、又スキャ
ンバスラインに印加するアドレスパルスの印加直前の電
位と、非アドレス時の電位との差を、データバスライン
に印加するデータ電圧の振幅からスイッチング素子の閾
値電圧を差し引いた値より大きくして、接地バスライン
を省略した構成に於けるスイッチング素子の動作を確実
にしたものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Outline] Scan bus lines and data bus lines in an active matrix display device are formed on glass substrates which are arranged to face each other, thereby eliminating crossing portions on the same glass substrate. In addition, by omitting the ground bus line, the manufacturing yield and the drive area ratio are improved, and the difference between the potential immediately before the application of the address pulse applied to the scan bus line and the potential at the time of non-address is determined by the data bus. The amplitude of the data voltage applied to the line is made larger than the value obtained by subtracting the threshold voltage of the switching element to ensure the operation of the switching element in the configuration in which the ground bus line is omitted.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、一方のガラス基板等の絶縁性透明基板にデー
タバスライン、他方のガラス基板等の絶縁性透明基板に
スキャンバスラインをそれぞれ形成したアクティブマト
リクス型表示装置及びその駆動方法に関するものであ
る。
The present invention relates to an active matrix display device in which a data bus line is formed on an insulating transparent substrate such as one glass substrate and a scan bus line is formed on an insulating transparent substrate such as the other glass substrate, and a driving method thereof. .

アクティブマトリクス型表示装置は、単純マトリクス型
表示装置と共に、情報処理装置の表示端末等の表示装置
として使用されており、又表示媒体としては液晶が多く
使用されている。
The active matrix display device is used as a display device such as a display terminal of an information processing device together with a simple matrix display device, and liquid crystal is often used as a display medium.

このアクティブマトリクス型表示装置は、多数の画素を
それぞれ独立に駆動させることができるので、表示容量
の増大に伴ってライン数が増大しても、単純マトリクス
型表示装置のように駆動デューティ比が低下して、コン
トラストの低下や視野角の減少をきたす等の問題が生じ
ない利点がある。
Since this active matrix type display device can drive a large number of pixels independently of each other, even if the number of lines increases as the display capacity increases, the drive duty ratio decreases like the simple matrix type display device. Then, there is an advantage that problems such as reduction of contrast and reduction of viewing angle do not occur.

しかし、各画素毎にスイッチング素子を備える為にコス
トアップとなり、又構造が複雑となることから、製造歩
留りに問題があり、このような点によりパネルの大きさ
が制約されている。従って、製造歩留りの向上が要望さ
れている。
However, since the switching element is provided for each pixel, the cost is increased and the structure is complicated, so that there is a problem in the manufacturing yield, and the size of the panel is restricted by such a point. Therefore, improvement in manufacturing yield is desired.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第4図は従来例のアクティブマトリクス型表示装置のパ
ネルの等価回路を示し、31はスイッチング素子としての
薄膜トランジスタ(以下「TFT」と省略する)、32はゲ
ート電極、33はドレイン電極、34はソース電極、35は表
示素子としての液晶素子、36はスキャンバスライン、37
はデータバスラインである。
FIG. 4 shows an equivalent circuit of a panel of a conventional active matrix type display device, 31 is a thin film transistor (hereinafter abbreviated as “TFT”) as a switching element, 32 is a gate electrode, 33 is a drain electrode, and 34 is a source. Electrodes, 35 is a liquid crystal element as a display element, 36 is a scan bus line, 37
Is a data bus line.

液晶素子35は、共通電極と画素対応の表示電極との間に
表示媒体として液晶が挟持されて構成されており、共通
電極はアースとして示され、表示電極はTFT31のソース
電極34に接続されている。又TFT31のゲート電極32はス
キャンバスライン36に接続され、ドレイン電極33はデー
タバスライン37に接続されている。
The liquid crystal element 35 is configured by sandwiching liquid crystal as a display medium between a common electrode and a display electrode corresponding to a pixel, the common electrode is shown as ground, and the display electrode is connected to the source electrode 34 of the TFT 31. There is. The gate electrode 32 of the TFT 31 is connected to the scan bus line 36, and the drain electrode 33 is connected to the data bus line 37.

TFT31と、液晶素子35の表示電極と、スキャンバスライ
ン36と、データバスライン37とが一方のガラス基板に形
成され、液晶素子35の共通電極が他方のガラス基板に形
成されて、一方と他方のガラス基板は、微小間隔で対向
配置されて液晶を挟持するように周辺が封止される。
The TFT 31, the display electrode of the liquid crystal element 35, the scan bus line 36, and the data bus line 37 are formed on one glass substrate, and the common electrode of the liquid crystal element 35 is formed on the other glass substrate, and one and the other are formed. The glass substrates are arranged so as to face each other with a minute interval and the periphery is sealed so as to sandwich the liquid crystal.

スキャンバスライン36を、パルス幅が、例えば、30〜60
μSの短いパルス幅のアドレスパルスで順次走査し、こ
のアドレスパルスに同期して表示情報に従ったデータ電
圧をデータバスライン37に加えることにより、ライン対
応に表示情報の書込表示を行うことができる。即ち、ス
キャンバスライン36に印加されたアドレスパルスによ
り、そのスキャンバスライン36にゲート電極32が接続さ
れたTFT31がオンとなり、データバスライン37に加えら
れたデータ電圧が液晶素子35に印加され、液晶素子35の
静電容量に充電される。従って、TFT31がオフとなった
後も、この充電電圧により液晶素子35は、表示情報に従
ったデータ電圧に対応した表示状態を継続することがで
きる。そして、次の周期でスキャンバスライン36にアド
レスパルスが印加された時に、その液晶素子35は、新た
な表示情報に従ったデータ電圧が印加されて、新たな表
示状態となる。
The pulse width of the canvas line 36 is, for example, 30 to 60.
By sequentially scanning with an address pulse having a short pulse width of μS and applying a data voltage according to the display information to the data bus line 37 in synchronization with this address pulse, the display information can be written and displayed corresponding to the line. it can. That is, the address pulse applied to the scan bus line 36 turns on the TFT 31 in which the gate electrode 32 is connected to the scan bus line 36, and the data voltage applied to the data bus line 37 is applied to the liquid crystal element 35. The capacitance of the liquid crystal element 35 is charged. Therefore, even after the TFT 31 is turned off, the liquid crystal element 35 can continue the display state corresponding to the data voltage according to the display information by this charging voltage. Then, when an address pulse is applied to the scan bus line 36 in the next cycle, the liquid crystal element 35 is applied with a data voltage according to the new display information and is brought into a new display state.

このような従来のアクティブマトリクス型表示装置に於
いては、前述のように、スキャンバスライン36とデータ
バスライン37とが同一のガラス基板上に交差して形成さ
れ、その交差部分は相互に絶縁されている。この交差部
分に於いて、スキャンバスライン36とデータバスライン
37との何れか一方の上部となるバスラインには、下部の
バスラインの厚さと交差部分の絶縁層とにより段差が生
じるから、その段差により抵抗値が増大したり、又は断
線となる場合があり、そのバスラインは欠陥となる。
In such a conventional active matrix display device, as described above, the scan bus line 36 and the data bus line 37 are formed on the same glass substrate so as to intersect with each other, and the intersecting portions are mutually insulated. Has been done. At this intersection, scan bus line 36 and data bus line
One of the 37 and the upper bus line has a step due to the thickness of the lower bus line and the insulating layer at the intersection, so that the resistance value may increase or the wire may be disconnected due to the step. Yes, the bus line becomes defective.

又交差部分に於けるバスライン間の絶縁不良或いは短絡
が生じることがあり、その場合も、そのバスラインに沿
って欠陥となる。又スキャンバスライン36とデータバス
ライン37との2種類のバスラインが同一のガラス基板に
形成されていることにより、表示電極面積の画素面積に
対する比率を表す駆動面積率を大きくできない問題があ
った。又製造歩留りについても両バスラインの歩留りの
積の形となる為、高い製造歩留りを得難いという問題も
あった。
In addition, insulation failure or short circuit may occur between the bus lines at the intersection, and in that case also, defects occur along the bus lines. Further, since the two types of bus lines, the scan bus line 36 and the data bus line 37, are formed on the same glass substrate, there is a problem that the drive area ratio, which represents the ratio of the display electrode area to the pixel area, cannot be increased. . In addition, the manufacturing yield is also a product of the yields of both bus lines, which makes it difficult to obtain a high manufacturing yield.

そこで、第5図のパネルの等価回路に示すアクティブマ
トリクス型表示装置が、本出願人による特願昭60-27401
1号により提案された。即ち、対向配置した一方のガラ
ス基板に、TFT31とスキャンバスライン36と液晶素子35
の表示電極とを形成して、TFT31のゲート電極32をスキ
ャンバスライン36に接続し、ドレイン電極33を液晶素子
35の表示電極に接続し、ソース電極34を接地し、他方の
ガラス基板に、データバスライン37を液晶素子35の共通
電極として形成して、一方と他方とのガラス基板間に液
晶を挟持したものである。
Therefore, the active matrix type display device shown in the equivalent circuit of the panel of FIG. 5 is disclosed in Japanese Patent Application No. 60-27401 by the present applicant.
Proposed by No. 1. That is, the TFT 31, the scan bus line 36, and the liquid crystal element 35 are provided on one of the glass substrates arranged opposite to each other.
Display electrode of the TFT 31, the gate electrode 32 of the TFT 31 is connected to the scan bus line 36, and the drain electrode 33 is connected to the liquid crystal element.
The source electrode 34 is connected to the display electrode of 35, the data electrode line 37 is formed on the other glass substrate as the common electrode of the liquid crystal element 35, and the liquid crystal is sandwiched between the one and the other glass substrates. It is a thing.

従って、スキャンバスライン36とデータバスライン37と
が交差配置されていても、それらは異なるガラス基板上
に形成されているから、交差部分を絶縁する必要がなく
なる。それによって、バスラインの段差、バスライン間
の絶縁不良或いは短絡が生じないことになり、歩留りの
向上を図ることが可能となる。又スキャンバスライン36
とデータバスライン37とをそれぞれ異なるガラス基板上
に形成することにより、駆動面積率を大きくすることが
できる。又製造歩留りも両バスラインの積の形とはなら
ない。
Therefore, even if the scan bus line 36 and the data bus line 37 are arranged so as to cross each other, since they are formed on different glass substrates, it is not necessary to insulate the crossing portion. As a result, the step difference of the bus lines, the insulation failure between the bus lines, or the short circuit does not occur, and the yield can be improved. Scan bus line 36
The drive area ratio can be increased by forming the data bus line 37 and the data bus line 37 on different glass substrates. Also, the manufacturing yield is not the product of both bus lines.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

第4図に示す従来例の欠点を改善した第5図に示すパネ
ルに於いては、TFT31のソース電極34を相互に接続する
接地バスラインを必要とすることになる。即ち、同一ガ
ラス基板上のバスラインの交差部分をなくすことができ
るが、スキャンバスライン36と共に、TFT31のソース電
極34を相互に接続する為の接地バスラインを形成しなけ
ればならないので、駆動面積率を充分に大きくすること
ができない欠点があった。
In the panel shown in FIG. 5 in which the drawbacks of the conventional example shown in FIG. 4 are improved, a ground bus line for connecting the source electrodes 34 of the TFT 31 to each other is required. That is, it is possible to eliminate the intersection of the bus lines on the same glass substrate, but since it is necessary to form the ground bus line for connecting the source electrodes 34 of the TFT 31 together with the scan bus line 36, the driving area There was a drawback that the rate could not be increased sufficiently.

本発明は、アクティブマトリクス型表示装置の駆動面積
率を大きくし、且つバスライン構成を簡単化することを
目的とするものである。
It is an object of the present invention to increase the driving area ratio of an active matrix display device and simplify the bus line structure.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明のアクティブマトリクス型表示装置及びその駆動
方法は、第1図を参照して説明すると、一方のガラス基
板等の絶縁性透明基板上に、薄膜トランジスタ等のスイ
ッチング素子1と液晶素子等の表示素子5(Lmn,・・
・)の一方の電極とスキャンバスライン6(SL(n−
1),SLn,SL(n+1),・・・)とを形成し、他方の
ガラス基板等の絶縁性透明基板上に、ストライプ状のデ
ータバスライン7(DLm,・・・)を表示素子5の他方の
電極として形成し、スイッチング素子1の制御電極2を
スキャンバスライン6に接続し、一方の被制御電極3を
表示素子5の一方の電極に接続し、他方の被制御電極4
を、隣接するラインのスキャンバスライン6に接続し、
一方と他方とのガラス基板等の絶縁性透明基板間に、液
晶等の表示媒体を挟持させてアクティブマトリクス型表
示装置を構成する。
An active matrix display device and a driving method thereof according to the present invention will be described with reference to FIG. 1. A switching element 1 such as a thin film transistor and a display element such as a liquid crystal element are provided on an insulating transparent substrate such as one glass substrate. 5 (Lmn, ...
.) One electrode and the scan bus line 6 (SL (n-
1), SLn, SL (n + 1), ...), and the striped data bus lines 7 (DLm, ...) On the other insulating transparent substrate such as the glass substrate, the display element 5 is formed. The control electrode 2 of the switching element 1 is connected to the scan bus line 6, one controlled electrode 3 is connected to one electrode of the display element 5, and the other controlled electrode 4 is formed.
Connected to the scan bus line 6 of the adjacent line,
A display medium such as a liquid crystal is sandwiched between one and the other insulating transparent substrate such as a glass substrate to form an active matrix type display device.

又スキャンバスライン6を、例えば、矢印方向に順次走
査する場合、SL(n−1),SLn,・・・・のスキャンバ
スラインに印加するアドレスパルスVg1,Vg2,・・・の印
加直前の電位Vgcを、非アドレス時の電位Vgoffと異な
らせて、それらの差(Vgc−Vgoff)がデータバスライ
ン7に印加されるデータ電圧Vd1,Vd2,・・・のピークト
ウピーク値から前記スイッチング素子の閾値電圧を差し
引いた値以上となるように選定して駆動するものであ
る。
When the scan bus lines 6 are sequentially scanned in the arrow direction, for example, immediately before the application of the address pulses Vg1, Vg2, ... Applied to the scan bus lines of SL (n-1), SLn ,. The potential Vgc is made different from the potential Vgoff at the time of non-address, and the difference (Vgc-Vgoff) is applied from the peak-to-peak value of the data voltages Vd1, Vd2, ... Applied to the data bus line 7 to the switching element. It is selected and driven so as to be equal to or higher than a value obtained by subtracting the threshold voltage of.

〔作用〕[Action]

スイッチング素子1の一方の被制御電極3を表示素子5
の一方の電極に接続し、他方の被制御電極4を、隣接す
るラインのスキャンバスライン6に接続することによ
り、接地バスラインを特に設ける必要がなくなるから、
駆動面積率を大きくすることができる。又バスライン構
成の簡単化が図れる。
One of the controlled electrodes 3 of the switching element 1 is connected to the display element 5
By connecting one of the electrodes and the other controlled electrode 4 to the scan bus line 6 of the adjacent line, it is not necessary to provide a ground bus line.
The drive area ratio can be increased. Also, the bus line configuration can be simplified.

更にスキャンバスライン6を接地バスラインと同様に作
用させる為に、アドレスパルス印加直前の電位と非アド
レス時の電位とを異ならせて、アドレスパルス印加ライ
ンに於けるスイッチング素子1の他方の被制御電極4の
電位を所望の電位とすることができる。即ち、隣接スキ
ャンバスラインのアドレスパルス印加直前の電位を、デ
ータ電圧に対する基準電圧とし、更にアドレス時に該基
準電圧と等電位となる被制御電極4がアドレス後、液晶
の容量による結合により、データ電圧波形に従って変動
を受けても、この変動範囲内でスイッチング素子がオフ
状態を維持し続けることが可能なように当該基準電位を
設定する。更に、詳細には、データ電圧の変動幅をVa、
基準電圧(基準電位)をVgc、非アドレス時のスキャン
バスラインの電位をVgoff、スイッチング素子の閾値電
圧をVthとすれば、 Vgoff−Vgc+2Va≦Vth ……(1) の関係を満たすように設定する。
Further, in order to make the scan bus line 6 act in the same manner as the ground bus line, the potential immediately before the application of the address pulse is made different from the potential at the time of non-address, and the other controlled side of the switching element 1 in the address pulse application line is controlled. The potential of the electrode 4 can be set to a desired potential. That is, the potential immediately before the application of the address pulse on the adjacent scan bus line is used as the reference voltage for the data voltage, and the controlled electrode 4 that is at the same potential as the reference voltage at the time of address is addressed and then the data voltage is coupled by the capacitance of the liquid crystal. The reference potential is set so that the switching element can continue to maintain the off state within this variation range even if it is varied according to the waveform. More specifically, the fluctuation range of the data voltage is Va,
If the reference voltage (reference potential) is Vgc, the potential of the scan bus line during non-address is Vgoff, and the threshold voltage of the switching element is Vth, then the relationship of Vgoff−Vgc + 2Va ≦ Vth (1) is set. .

又データバスライン7に印加されるデータ電圧に対して
高電位となるアドレスパルスをスイッチング素子1の制
御電極2に印加することができるから、接地バスライン
を省略した構成に於いても、スイッチング素子1を確実
にオン状態にしてデータ電圧と基準電圧との差の電圧を
表示素子に印加することができる。
Further, since the address pulse having a high potential with respect to the data voltage applied to the data bus line 7 can be applied to the control electrode 2 of the switching element 1, even in the configuration in which the ground bus line is omitted, the switching element It is possible to surely turn on 1 and apply the voltage of the difference between the data voltage and the reference voltage to the display element.

〔実施例〕〔Example〕

以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明
する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第2図は本発明の実施例のパネルの分解斜視図であり、
一方のガラス基板9上に、薄膜トランジスタ等のスイッ
チング素子1と、スキャンバスライン6と、表示素子5
(第1図参照)の一方の電極としての表示電極8とを形
成し、他方のガラス基板10上に、データバスライン7を
表示素子5の共通電極として形成し、表示電極8とデー
タバスライン7との間に液晶等の表示媒体を介在させて
表示素子5を構成するものである。
FIG. 2 is an exploded perspective view of the panel of the embodiment of the present invention,
A switching element 1 such as a thin film transistor, a scan bus line 6, and a display element 5 are provided on one glass substrate 9.
The display electrode 8 as one electrode (see FIG. 1) is formed, and the data bus line 7 is formed as the common electrode of the display element 5 on the other glass substrate 10, and the display electrode 8 and the data bus line are formed. A display medium such as liquid crystal is interposed between the display element 5 and the display element 5.

又スイッチング素子1の制御電極及び被制御電極は、第
1図に示すように接続するものであり、表示電極8にス
イッチング素子1の一方の被制御電極が接続され、スキ
ャンバスライン6にスイッチング素子1の制御電極と、
隣接するラインのスイッチング素子1の他方の被制御電
極とが接続される。このように、スイッチング素子1の
他方の被制御電極は、第1図に示すように、走査方向の
後位のラインのスキャンバスライン6に接続することが
好適である。
The control electrode and the controlled electrode of the switching element 1 are connected as shown in FIG. 1, one controlled electrode of the switching element 1 is connected to the display electrode 8, and the switching element is connected to the scan bus line 6. 1 control electrode,
The other controlled electrode of the switching element 1 on the adjacent line is connected. As described above, it is preferable that the other controlled electrode of the switching element 1 is connected to the scan bus line 6 which is the rearmost line in the scanning direction, as shown in FIG.

前述のように、スキャンバスライン6とデータバスライ
ン7とを異なるガラス基板9,10上に形成することができ
るから、絶縁すべき交差部分が生じないことになり、製
造歩留りの向上を図ることができる。又接地バスライン
を必要としないので、バスライン構成が簡略化されて駆
動面積率が向上する。
As described above, since the scan bus line 6 and the data bus line 7 can be formed on different glass substrates 9 and 10, no intersecting portion to be insulated is generated, and the manufacturing yield is improved. You can Further, since the ground bus line is not required, the bus line structure is simplified and the drive area ratio is improved.

アクティブマトリクス型表示装置に於けるスイッチング
素子1としては、表示素子5として液晶素子を用いた
時、薄膜トランジスタが一般的であり、本発明に於いて
も、表示素子5を液晶素子とし、スイッチング素子1と
して薄膜トランジスタ(TFT)を用いることができる。
その場合、制御電極2がゲート電極、一方の被制御電極
3がドレイン電極、他方の被制御電極4がソース電極と
なる。以下第1図及び第2図に於ける符号の1をTFT、
2をゲート電極、3をドレイン電極、4をソース電極、
5を液晶素子として説明する。又第1図に於いて、スキ
ャバスライン6を走査方向にSL(n−1),SLn,SL(n
+1)とし、データバスライン7のm番目をDLmで示
し、スキャンバスラインSLnとデータバスラインDLmとの
交点の液晶素子5をLmnとする。
As the switching element 1 in the active matrix type display device, when a liquid crystal element is used as the display element 5, a thin film transistor is generally used. Also in the present invention, the display element 5 is used as the liquid crystal element and the switching element 1 A thin film transistor (TFT) can be used as the thin film transistor.
In that case, the control electrode 2 serves as a gate electrode, one controlled electrode 3 serves as a drain electrode, and the other controlled electrode 4 serves as a source electrode. In the following, reference numeral 1 in FIGS. 1 and 2 is a TFT,
2 is a gate electrode, 3 is a drain electrode, 4 is a source electrode,
5 will be described as a liquid crystal element. Further, in FIG. 1, SL (n-1), SLn, SL (n
+1), the m-th data bus line 7 is indicated by DLm, and the liquid crystal element 5 at the intersection of the scan bus line SLn and the data bus line DLm is indicated by Lmn.

TFT1は、ゲート・ドレイン間電圧或いはゲート・ソース
電圧が0V以下の時にオフ状態となるものであり、従っ
て、閾値電圧Vthが0Vのエンハンスメント型TFTを用い
た例となっている。
The TFT1 is in an off state when the gate-drain voltage or the gate-source voltage is 0 V or less, and thus is an example using an enhancement TFT having a threshold voltage Vth of 0 V.

又液晶素子5は、交互に正負のデータ電圧が印加されて
表示動作が行われる。例えば、スキャンバスライン6に
水平同期信号に従ってアドレスパルスが印加され、デー
タバスライン7に1水平走査線の表示情報に従ったデー
タ電圧が加えられ、ライン対応の書込表示が行われ、フ
レーム毎にデータ電圧の極性が反転される。
Further, the liquid crystal element 5 is alternately applied with positive and negative data voltages to perform a display operation. For example, an address pulse is applied to the scan bus line 6 according to the horizontal synchronizing signal, a data voltage according to the display information of one horizontal scanning line is applied to the data bus line 7, and writing and display corresponding to the line is performed, and each frame is displayed. Then, the polarity of the data voltage is inverted.

第3図は本発明の実施例の動作説明図であり、(a)は
データ電圧、(b),(c)はアドレスパルス、(d)
は液晶素子の表示電極電位、(e)は液晶素子の両端電
圧を示す。液晶素子Lmn(第1図参照)に印加されるデ
ータ電圧が(a)に示すように、フレーム毎に+Vaと−
Vaとに反転されて、データバスラインDLmに加えられた
とすると、このデータ電圧に同期して、スキャンバスラ
インSLnには(b)に示すアドレスパルスが加えられ、
走査方向の後位のスキャンバスラインSL(n+1)に
は、1水平走査期間遅れて(c)に示すアドレスパルス
が加えられる。
FIG. 3 is an operation explanatory diagram of the embodiment of the present invention, in which (a) is a data voltage, (b) and (c) are address pulses, and (d).
Is the display electrode potential of the liquid crystal element, and (e) is the voltage across the liquid crystal element. As shown in (a), the data voltages applied to the liquid crystal element Lmn (see FIG. 1) are + Va and − for each frame.
If it is inverted to Va and applied to the data bus line DLm, the address pulse shown in (b) is applied to the scan bus line SLn in synchronization with this data voltage.
The address pulse shown in (c) is applied to the scan bus line SL (n + 1) at the rear of the scanning direction with a delay of one horizontal scanning period.

アドレスパルスとしては、非アドレス時にTFT1をオフと
する為の電位Vgofに対して、アドレス直前の電位をVg
cとし、又アドレス時の電位Vgonとし、前記(1)式を
Vth=0としたVgc−Vgoff≧2Vaの関係に選定するも
のである。データ電圧+Va,−Vaを、+5V,−5Vとする
と、TFT1をオフとする為の電位Vgoffは、−10V以下と
するのが一般的であり、例えば、−12Vとすることがで
きる。これにより、非アドレス時のTFT1をオフ状態に維
持して液晶素子の充電電圧を1フレーム間保持すること
ができる。又電位Vgcは走査方向の前位のラインのTFT1
のソース電圧に相当し、例えば、0Vとする。そして、TF
T1をオンとする為のアドレスパルスの電位Vgonは、例
えば、10Vとするものである。
As an address pulse, the potential immediately before the address is Vgof the potential Vgof for turning off the TFT1 when the address is not addressed.
c, and the electric potential Vgon at the time of address, and the above formula (1) is selected so that Vth = 0, and Vgc−Vgoff ≧ 2Va. When the data voltages + Va, −Va are + 5V, −5V, the potential Vgoff for turning off the TFT1 is generally −10V or less, and can be −12V, for example. As a result, the TFT1 at the time of non-address can be maintained in the OFF state and the charging voltage of the liquid crystal element can be held for one frame. Further, the potential Vgc is the TFT1 of the preceding line in the scanning direction.
Corresponding to the source voltage of, for example, 0V. And TF
The potential Vgon of the address pulse for turning on T1 is, for example, 10V.

時刻t0に、表示パネルの中央部付近のスキャンバスライ
ンSLnの電位をVgcとし、それより1水平走査期間後の
時刻t1にデータバスラインDLmにデータ電圧+Vaを加
え、スキャンバスラインSLnに電位Vgonのアドレスパル
スを加え、走査方向の後位のスキャンバスラインSL(n
+1)を電位Vgcとすると、スキャンバスラインSLnに
ゲート電極2が接続されたTFT1はオンとなる。この時刻
t1に於いて、例えば、液晶素子Lmnの表示電極の電位Vpm
nは、第3図の(d)に示すように、液晶素子Lmnの静電
容量を介してデータ電圧+Va近く上昇し、TFT1が完全に
オン状態となると、スキャンバスラインSL(n+1)の
電位Vgcの例えば0Vとなる。
At time t0, the potential of the scan bus line SLn near the center of the display panel is set to Vgc, and one horizontal scanning period after that, at time t1, the data voltage + Va is applied to the data bus line DLm and the potential Vgon is applied to the scan bus line SLn. Address pulse is added to scan bus line SL (n
When +1) is set to the potential Vgc, the TFT1 in which the gate electrode 2 is connected to the scan bus line SLn is turned on. This time
At t1, for example, the potential Vpm of the display electrode of the liquid crystal element Lmn
As shown in (d) of FIG. 3, n increases near the data voltage + Va via the capacitance of the liquid crystal element Lmn, and when the TFT1 is completely turned on, the potential of the scan bus line SL (n + 1) is increased. For example, Vgc becomes 0V.

従って、液晶素子Lmnには、データバスラインDLmの電位
+VaとスキャンバスラインSL(n+1)の電位Vgc、即
ち、0Vとの差が印加されて充電され、液晶素子Lmnの充
電電圧は第3図の(e)に示すように+Vaとなる。
Therefore, the liquid crystal element Lmn is charged by applying a difference between the potential + Va of the data bus line DLm and the potential Vgc of the scan bus line SL (n + 1), that is, 0V, and the charging voltage of the liquid crystal element Lmn is shown in FIG. It becomes + Va as shown in (e).

次の1水平走査期間の後の時刻t2では、スキャンバスラ
インSL(n+1)に電位Vgon、スキャンバスラインSL
(n+2)に電位Vgcが加えられて、スキャンバスライ
ンSL(n+1)にゲート電極が接続されたTFT1はオンと
なり、他のスキャンバスラインにゲート電極が接続され
たTFT1はオフとなる。そして、データバスライン7に加
えられるデータ電圧と、スキャンバスラインSL(n+
2)の電位Vgcとの差が、オンとなったTFT1を介して液
晶素子5に印加されて充電される。
At time t2 after the next one horizontal scanning period, the potential Vgon is applied to the scan bus line SL (n + 1) and the scan bus line SL
The potential Vgc is applied to (n + 2) to turn on the TFT1 whose gate electrode is connected to the scan bus line SL (n + 1) and turn off the TFT1 whose gate electrode is connected to another scan bus line. The data voltage applied to the data bus line 7 and the scan bus line SL (n +
The difference from the potential Vgc of 2) is applied to the liquid crystal element 5 via the turned-on TFT1 to be charged.

液晶素子Lmnの表示電極の電位Vpmnは、第3図の(a)
と(d)とに示すようにデータバスラインDLmに加えら
れる他のスキャンバスライン上の液晶素子に対するデー
タ電圧に応じて変化する。即ち、第3図の(a)に示す
ように、時刻t3に於いて最終のスキャンバスライン上の
液晶素子、時刻t4の次位フレームに於いて最初のスキャ
ンバスライン上の液晶素子がそれぞれ選択され、その時
に当該データバスラインDLmに、図示のような+Vaと−V
aのデータ電圧が印加されたものとすると、前記液晶素
子Lmnの表示電極の電位Vpmnは第3図の(d)に示すよ
うに−Vaを基準にして正極側、負極側にVaずつ変化し、
つまり次のアドレスまでの期間内で垂直走査のフレーム
が変わり、極性が反転する為に2Vaの振幅で振れること
になる。
The potential Vpmn of the display electrode of the liquid crystal element Lmn is (a) in FIG.
And (d), it changes according to the data voltage applied to the liquid crystal element on the other scan bus line added to the data bus line DLm. That is, as shown in FIG. 3A, the liquid crystal element on the final scan bus line at time t3 and the liquid crystal element on the first scan bus line at the next frame at time t4 are selected. At that time, + Va and −V as shown in the figure are applied to the data bus line DLm.
Assuming that the data voltage of a is applied, the potential Vpmn of the display electrode of the liquid crystal element Lmn changes by Va on the positive electrode side and the negative electrode side with reference to −Va as shown in FIG. 3 (d). ,
In other words, the vertical scanning frame changes within the period until the next address, and the polarity is inverted, so that the amplitude swings at 2Va.

このように、電極電位Vpmnはデータ電圧に従って変化す
るが、先のVgc−Vgoff≧2Vaの関係を満たしておけ
ば、ゲート電極のドレイン電極及びソース電極に対する
電位は、閾値電圧Vth(本実施例では0V)よりも低い値
となるので、液晶素子Lmnの充電電圧は、その表示電極
にドレイン電極が接続されたTFT1がオフであるから、次
のアドレス周期まで維持される。
As described above, the electrode potential Vpmn changes according to the data voltage, but if the above relationship of Vgc-Vgoff ≧ 2Va is satisfied, the potential of the gate electrode with respect to the drain electrode and the source electrode becomes the threshold voltage Vth (in this embodiment, the threshold voltage Vth). Since the TFT1 whose drain electrode is connected to its display electrode is off, the charging voltage of the liquid crystal element Lmn is maintained until the next address period.

次のフレームの時刻t5,t6,t7に於いても同様に動作し、
その時にデータ電圧が時刻t4のデータ電圧と同様に反転
されて、例えば、時刻t6にデータバスラインDLmにデー
タ電圧−Vaが加えられ、スキャンバスラインSLnに電位
Vgon、スキャンバスラインSL(n+1)に電位Vgcが
加えられて、スキャンバスラインSLnにゲート電極が接
続されたTFT1がオンとなると、液晶素子Lmnの表示電極
の電位Vpmnは、液晶素子Lmnの静電容量を介して−Vaの
データ電圧が加えられるから、一時的に−Va以下とな
り、次にTFT1が完全にオンとなることにより、電位Vgc
の例えば0Vとなる。又液晶素子Lmnの充電電圧はデータ
電圧の−Vaとなり、次にアドレスされるまでの1フレー
ム期間維持されることになる。
The same operation is performed at time t5, t6, t7 of the next frame,
At that time, the data voltage is inverted similarly to the data voltage at time t4, for example, at time t6, the data voltage −Va is applied to the data bus line DLm, the potential Vgon is applied to the scan bus line SLn, and the scan bus line SL (n + 1). When the potential Vgc is applied to the TFT and the TFT1 having the gate electrode connected to the scan bus line SLn is turned on, the potential Vpmn of the display electrode of the liquid crystal element Lmn becomes −Va data via the capacitance of the liquid crystal element Lmn. Since a voltage is applied, the voltage temporarily drops below -Va, and then the TFT1 is completely turned on, so that the potential Vgc
For example, it becomes 0V. Further, the charging voltage of the liquid crystal element Lmn becomes -Va of the data voltage, which is maintained for one frame period until the next address.

前述の実施例に於いては、アドレスパルスはデータ電圧
の極性に関係なく一定の波形とした場合を示している
が、データ電圧が負極性の時には、TFT1をオンとする為
のゲート電圧は低くても良いことになるから、データ電
圧の極性に対応して、アドレスパルスの波形を設定する
ことも可能である。又アドレスパルスの中間の電位Vgc
により、その電位Vgcがゲート電極に加えられるTFT1が
オンとなって、液晶素子5の充電電荷が放電したとして
も、次の水平走査期間には確実にオンとなるように制御
されて、液晶素子5にデータ電圧を印加するように制御
されるものであるから、何ら問題はないことになる。
In the above embodiment, the address pulse has a constant waveform regardless of the polarity of the data voltage, but when the data voltage has a negative polarity, the gate voltage for turning on the TFT1 is low. Therefore, it is also possible to set the waveform of the address pulse according to the polarity of the data voltage. In addition, the intermediate potential Vgc of the address pulse
As a result, even if the TFT 1 whose potential Vgc is applied to the gate electrode is turned on and the charge stored in the liquid crystal element 5 is discharged, it is controlled so as to be surely turned on during the next horizontal scanning period, and the liquid crystal element is controlled. Since it is controlled so as to apply the data voltage to 5, there is no problem.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、本発明は、スキャンバスライン6
とデータバスライン7を異なるガラス基板9,10等の絶縁
性透明基板上に形成し、且つ接地バスラインを省略でき
るものであるから、製造歩留りの向上を図ることができ
ると共に駆動面積率を容易に大きくすることができる利
点がある。更に、スキャンバスライン6が順次接地バス
ラインの役目を果たすように制御することにより、スイ
ッチング素子1を確実に制御することができる利点があ
る。
As described above, the present invention provides the scan bus line 6
Since the data bus line 7 and the data bus line 7 are formed on different insulating transparent substrates such as glass substrates 9 and 10 and the ground bus line can be omitted, the manufacturing yield can be improved and the drive area ratio can be easily increased. There is an advantage that can be increased. Further, there is an advantage that the switching element 1 can be surely controlled by controlling the scan bus lines 6 so as to sequentially function as the ground bus lines.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の原理説明図、第2図は本発明の実施例
のパネルの分解斜視図、第3図は本発明の実施例の動作
説明図、第4図は従来例のパネルの等価回路、第5図は
先に提案されたパネルの等価回路である。 1はスイッチング素子(TFT)、2は制御電極(ゲート
電極)、3,4は被制御電極(ドレイン電極,ソース電
極)、5は表示素子(液晶素子)、6はスキャンバスラ
イン、7はデータバスライン、8は表示電極、9,10はガ
ラス基板である。
1 is an explanatory view of the principle of the present invention, FIG. 2 is an exploded perspective view of a panel of an embodiment of the present invention, FIG. 3 is an operation explanatory view of an embodiment of the present invention, and FIG. Equivalent circuit, FIG. 5 is an equivalent circuit of the previously proposed panel. 1 is a switching element (TFT), 2 is a control electrode (gate electrode), 3 and 4 are controlled electrodes (drain electrode, source electrode), 5 is a display element (liquid crystal element), 6 is a scan bus line, and 7 is data. Bus lines, 8 are display electrodes, and 9 and 10 are glass substrates.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一方の絶縁性透明基板上に、スイッチング
素子(1)と表示素子(5)の一方の電極とスキャンバ
スライン(6)とが形成され、該スイッチング素子
(1)の制御電極(2)が前記スキャンバスライン
(6)に接続され、該スイッチング素子(1)の2個の
被制御電極(3,4)の中の一方の被制御電極(3)が前
記表示素子(5)の一方の電極に接続され、 他方の絶縁性透明基板上に、ストライプ状のデータバス
ライン(7)が前記表示素子(5)の他方の電極として
形成され、 前記一方と他方との絶縁性透明基板間に表示媒体が挟持
されて前記表示素子(5)が形成されたアクティブマト
リクス型表示装置に於いて、 前記スイッチング素子(1)の他方の被制御電極(4)
を、このスイッチング素子(1)の属するラインに対し
て隣接するラインのスキャンバスラインに接続した ことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
1. A switching element (1), one electrode of a display element (5) and a scan bus line (6) are formed on one insulating transparent substrate, and a control electrode of the switching element (1). (2) is connected to the scan bus line (6), and one controlled electrode (3) of the two controlled electrodes (3, 4) of the switching element (1) is connected to the display element (5). ) Is connected to one of the electrodes, and a striped data bus line (7) is formed as the other electrode of the display element (5) on the other insulating transparent substrate, and the insulating property between the one and the other is formed. In an active matrix type display device in which a display medium is sandwiched between transparent substrates to form the display element (5), the other controlled electrode (4) of the switching element (1) is provided.
Is connected to a scan bus line of a line adjacent to the line to which the switching element (1) belongs, The active matrix type display device.
【請求項2】一方の絶縁性透明基板上に、スイッチング
素子(1)と表示素子(5)の一方の電極とスキャンバ
スライン(6)とが形成され、該スイッチング素子
(1)の制御電極(2)が前記スキャンバスライン
(6)に接続され、該スイッチング素子(1)の2個の
被制御電極(3,4)の中の一方の被制御電極(3)が前
記表示素子(5)の一方の電極に接続され、他方の被制
御電極(4)が隣接するラインのスキャンバスラインに
接続され、 他方の絶縁性透明基板上に、ストライプ状のデータバス
ライン(7)が前記表示素子(5)の他方の電極として
形成され、 前記一方と他方との絶縁性透明基板間に表示媒体が挟持
されて前記表示素子(5)が形成されたアクティブマト
リクス型表示装置に於いて、 前記スキャンバスライン(6)を順次走査して印加する
アドレスパルスの印加直前の電位(Vgc)を、非アドレ
ス時の電位(Vgoff)と異ならせ、前記アドレスパルス
印加直前の電位(Vgc)と、前記非アドレス時の電位
(Vgoff)との差が、前記データバスライン(7)に表
示情報に従って印加されるデータ電圧波形のピークトウ
ピーク値から前記スイッチング素子(1)の閾値電圧を
差し引いた値以上となるように選定した ことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の駆
動方法。
2. A switching element (1), one electrode of a display element (5) and a scan bus line (6) are formed on one insulating transparent substrate, and a control electrode of the switching element (1). (2) is connected to the scan bus line (6), and one controlled electrode (3) of the two controlled electrodes (3, 4) of the switching element (1) is connected to the display element (5). ) Is connected to one electrode, the other controlled electrode (4) is connected to an adjacent scan bus line, and the striped data bus line (7) is displayed on the other insulating transparent substrate. An active matrix type display device in which the display element (5) is formed by being formed as the other electrode of the element (5) and a display medium is sandwiched between the one and the other insulating transparent substrates, Canvas line (6) The potential (Vgc) immediately before the application of the address pulse sequentially scanned and applied is made different from the potential (Vgoff) at the time of non-address, and the potential (Vgc) immediately before the application of the address pulse and the potential (Vgoff at the time of non-address). ) Is greater than or equal to a value obtained by subtracting the threshold voltage of the switching element (1) from the peak-to-peak value of the data voltage waveform applied to the data bus line (7) according to the display information. And a method for driving an active matrix type display device.
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