JPH07111373A - スルーホール回路基板およびスルーホールメッキ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来になくスル−ホ−ル部の絶縁体のフィル
ム部材とメッキにより形成された金属層との信頼性の高
い強固な密着性を可能としたスルーホール回路基板およ
びスル−ホ−ルメッキ方法を得る。 【構成】 プラスチック材料からなる絶縁層に設けられ
た貫通孔の内壁面表層部に前記プラスチック材料の加水
分解生成物の中和固化物質を一体形成し、導電性ポリマ
ー層を貫通孔内で前記中和固化物質によって絶縁層に一
体的に固定し、この導電性ポリマー層上にスルーホール
金属メッキ層を形成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、スルーホール回路基板
およびスルーホールメッキ方法に係るものであり、特に
可撓性回路基板、及びＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップの
端子部を外部容器（所謂パッケ−ジ）又は回路基板の端
子部に接続する際に用いられるチップキャリアに適用す
るスル−ホ−ルメッキ方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、可撓性回路基板として、高密度実
装化のために絶縁フィルム基材の両面に回路配線を施し
たものや、取り扱う信号が高速になったために回路配線
面の反対面に接地電極配線を設けてインピ−ダンス整合
を取ったものが必要となっている。

【０００３】従来、これら両面に金属配線層を設けてな
る可撓性回路基板は、両面の配線を連絡させるため、例
えばプラスチック部材からなる絶縁基板に設けた貫通孔
の内壁面に金属メッキを施してなる所謂スル−ホ−ルを
形成して電気的接続を取っている。このスル−ホ−ル形
成のための金属メッキの方法には、湿式処理としては無
電解メッキ法が、乾式処理として金属蒸着処理法が知ら
れている。

【０００４】しかしながら、無電解メッキ法では、工程
数が多く反応時間が長く、且つ触媒活性化処理の失効等
を招くため処理面を空気中に晒すことを好まない。従っ
て、テ−プ状の長尺基板への処理を行う所謂リ−ル・ツ
ウ・リ−ル方式の際にこの方法を用いる場合は、途中工
程で中断できないので多数の反応浴槽を連続配置しなけ
ればならず、また、各反応浴槽間のつなぎ部分において
処理される基板が空中に露出しないようにする手段等が
必要であり、装置の構成が煩雑、複雑となってしまう。

【０００５】また、金属蒸着処理法では、接続させるべ
き両面の回路配線上に蒸着を施すため、回路配線を構成
する金属層上に酸化皮膜が被っているのを乾式で除去す
る必要があり、操作上煩雑となる。

【０００６】そこで、これらの問題点を解決する案とし
て、導電性ポリマ−を貫通孔内壁面に配し、この導電性
ポリマ−上に無電解、電解による金属メッキを行う方法
が提案されている。例えば、特開平３−８３３９５号に
は、導電性ポリマ−溶液を可撓性フィルム部材の貫通部
の表面にコ−ティングし、この導電性ポリマ−に無電
解、電解による金属メッキを行う方法が開示されてい
る。

【０００７】また、国際公開ＷＯ８９／０８３７５号公
報には、可撓性フィルム部材貫通部の表面に導電性ポリ
マーを生成させ、この導電性ポリマー上に無電解、電解
による金属メッキを行う方法が記載されている。これ
は、可撓性フィルム部材貫通部を過マンガン酸カリウム
等の酸化剤を含んだ液に浸漬して貫通部の表面を酸化処
理し、次いで酸化重合によって導電性ポリマーを生成し
得るピロール、フラン、チオフェンおよびこれらの誘導
体等のモノマーを含んだ溶液に浸漬し、その後さらにプ
ロント酸酸性の酸化剤水溶液に浸漬して酸化重合反応を
行わせ、貫通部表面に導電性ポリマーを生成させるもの
である。

【０００８】このような導電性ポリマーを介して金属メ
ッキを施す方法によれば、工程数が少なく、且つ被金属
メッキ面を空気中に晒すことができるため、任意の途中
工程で中断でき、また各反応浴槽間のつなぎ部分におい
て処理される基板が空中に露出しても問題がないため、
この金属メッキ法を用いて上述したリ−ル・ツウ・リ−
ル方式を装置及び操作上の煩雑さなく構築することが可
能となる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
如き導電性ポリマ−を介したスル−ホ−ルメッキ方法に
おいては、スル−ホ−ル部の可撓性フィルム部材と導電
性ポリマー層との密着性は強固ではなく、結果としてメ
ッキにより形成された金属層との密着性も信頼性上問題
があった。

【００１０】この解決方法として、特開昭６１−１２３
６３７号に開示されているように樹脂と酸化剤を予め混
合してなる混合樹脂の成形物をモノマー水溶液に浸漬し
て導電性ポリマーを形成する方法や、特開昭６１−１５
７５２２号に開示されているように高分子化合物の水溶
液、水性エマルジョン、ゾルあるいは溶剤溶液と酸化剤
の水溶液または溶剤溶液とを混合し、可撓性フィルム部
材に表面コ−トする方法が提案されている。これらの方
法は、可撓性フィルム部材に対する酸化剤、ひいては導
電性ポリマ−の結びつきを強くすることにより、上記の
密着性の向上を図ったものである。

【００１１】しかしながら、予め樹脂に酸化剤を混合し
た混合樹脂を用いる方法では、絶縁体基板の可撓性フィ
ルム部材として最も汎用的であるポリイミドを用いた場
合、ポリイミド中に酸化剤を混合すること自体、ポリイ
ミドが溶解も融解もしないため困難であり、実用的な方
法ではない。

【００１２】また、高分子化合物と酸化剤の混合液を用
いて可撓性フィルム部材に表面コートする方法では、貫
通部壁面のみに表面コ−トすることが困難であり、それ
以外の、例えば回路配線部も表面コ−トされてしまった
時、配線間に短絡が生じたり、回路配線部の金属メッキ
層の内部に導電性ポリマ−が異物として潜り込む恐れが
あり好ましくなく。

【００１３】可撓性フィルム部材と導電性ポリマ−との
密着性を向上させるためには、バインダ−樹脂を添加す
れば可能であるが、上記の方法と同様に選択的に貫通部
壁面のみに表面コ−トすることが困難であることにより
生じる不都合は解決できない。このように、従来の方法
では、上記の如き不都合なしに可撓性フィルム部材と導
電性ポリマー、ひいては金属メッキ層との信頼性の高い
強固な密着性を実現できるものはなかった。

【００１４】本発明は、上記問題を解消し、従来になく
スル−ホ−ル部の絶縁体のフィルム部材とメッキにより
形成された金属層との信頼性の高い強固な密着を可能と
したスルーホール回路基板およびスル−ホ−ルメッキ方
法を得ることを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明に係るスルーホール回路基板
では、プラスチック材料からなる絶縁層に設けられた貫
通孔の内壁面に導電性ポリマー層が形成され、前記導電
性ポリマー層に被着されたスルーホール金属メッキ層に
より前記絶縁層の両面に形成された金属配線層が互いに
電気的に導通されているスルーホール回路基板におい
て、前記プラスチック材料の加水分解生成物の中和固化
物質が前記貫通孔の内壁面表層部に一体形成され、前記
導電性ポリマー層が前記貫通孔内で前記中和固化物質に
よって前記絶縁層に一体的に固定されているものとし
た。

【００１６】また、請求項２に記載の発明に係るスルー
ホールメッキ方法では、プラスチック材料からなる絶縁
層に貫通孔を形成し、前記貫通孔の内壁面に導電性ポリ
マー層を形成し、前記導電性ポリマー層にスルーホール
金属メッキ層を被着させることにより、前記絶縁層の両
面に形成された金属配線層を互いに電気的に導通させる
スルーホールメッキ方法において、前記貫通孔の内壁面
に前記プラスチック材料の加水分解によるゲル状生成物
からなる表層部を形成する第１の工程と、前記ゲル状生
成物の表層部に導電性ポリマーを含浸させる第２の工程
と、前記導電性ポリマーが含浸された前記ゲル状生成物
を中和固化させて導電性ポリマー層を形成する第３の工
程とを備えた。

【００１７】また、請求項３に記載の発明に係るスルー
ホールメッキ方法では、請求項２に記載のスルーホール
メッキ方法において、前記絶縁層に前記貫通孔を形成す
るためのエッチング工程を含み、前記第１の工程が、前
記エッチング工程中に行われることを特徴とする。

【００１８】さらに、請求項４に記載の発明に係るスル
ーホールメッキ方法では、プラスチック材料からなる絶
縁層に貫通孔を形成し、前記貫通孔の内壁面に導電性ポ
リマー層を形成し、前記導電性ポリマー層にスルーホー
ル金属メッキ層を被着させることにより、前記絶縁層の
両面に形成された金属配線層を互いに電気的に導通させ
るスルーホールメッキ方法において、前記貫通孔の内壁
面に前記プラスチック材料の加水分解によるゲル状生成
物からなる表層部を形成する第１の工程と、前記ゲル状
生成物の表層部に酸化剤または該酸化剤との酸化重合反
応で導電性ポリマーを形成するモノマーのうちの何れか
一方を含浸させる第２の工程と、前記酸化剤またはモノ
マーのうちの何れか一方が含浸された前記ゲル状生成物
を中和して前記表層部を固化させる第３の工程と、前記
固化された表層部に対して前記酸化剤またはモノマーの
うちの何れか他方を接触させることにより前記酸化重合
反応で前記表層部に導電性ポリマー層を形成する第４の
工程とを備えた。

【００１９】また、請求項５に記載のスルーホールメッ
キ方法では、請求項４に記載のスルーホールメッキ方法
において、前記第２の工程で前記表層部に前記酸化剤が
含浸され、前記第４の工程で前記表層部に前記モノマー
が接触され、該第４の工程の後に、前記モノマーとの酸
化重合反応で前記表層部に導電性ポリマー層を形成する
酸化剤を前記表層部に対して接触させる第５の工程を更
に含むものとした。

【００２０】さらにまた、請求項６に記載の発明に係る
スルーホールメッキ方法では、請求項４に記載のスルー
ホールメッキ方法において、前記絶縁層に前記貫通孔を
形成するためのエッチング工程を含み、前記第１の工程
を、前記エッチング工程中に行うものとした。

【００２１】また、請求項７に記載の発明に係るスルー
ホールメッキ方法では、請求項４に記載のスルーホール
メッキ方法において、前記第１の工程の加水分解をアル
カリ性反応液により行い、このアルカリ性反応液中に前
記酸化剤又はモノマーを添加して前記第２の工程を前記
第１の工程中に行うものとした。

【００２２】またさらに、請求項８に記載の発明に係る
スルーホールメッキ方法では、請求項４に記載のスルー
ホールメッキ方法において、前記第３の工程を前記酸化
剤またはモノマーが添加された中和液により行い、前記
第２の工程を前記第３の工程中に行うものとした

【００２３】また、請求項９に記載の発明に係るスルー
ホールメッキ方法では、請求項４に記載のスルーホール
メッキ方法において、前記第３の工程を前記酸化剤また
はモノマーが添加された中和液により行い、前記第４の
工程を前記第３の工程中に行うこものとした。

【００２４】

【作用】本発明のスルーホール回路基板は、貫通孔の内
壁面表層部にプラスチック材料の加水分解生成物の中和
固化物質が一体形成され、この中和固化物質によって導
電性ポリマー層が絶縁層に一体的に固定されるものであ
る。従って、本発明によるスルーホール回路基板は、絶
縁層と導電性ポリマー層との密着性が従来になく強固で
あり、これによって導電性ポリマー層を介した金属メッ
キ層との信頼性の高い強固な密着性を持つことが可能と
なる。

【００２５】また、第１の工程で貫通孔の内壁面にプラ
スチック材料の加水分解によるゲル状生成物からなる表
層部を形成し、第２の工程でゲル状生成物の表層部に導
電性ポリマーを含浸させ、第３の工程で導電性ポリマー
が含浸された前記ゲル状生成物を中和固化させて導電性
ポリマー層を形成する請求項２に記載のスルーホールメ
ッキ方法によれば、貫通孔内壁面の表層部でプラスチッ
ク材料のゲル状生成物の中和固化物質によって絶縁層に
一体的に固定された状態で導電性ポリマー層が形成され
る。このため、絶縁層と導電性ポリマー層との密着性が
従来になく強固であり、これによって電性ポリマー層を
介した金属メッキ層との密着性も強固で信頼性が高いス
ルーホール回路基板を得ることが可能となる。

【００２６】さらに、所望の貫通孔内壁面のみに、その
表層部のプラスチック材料のゲル状生成物の中和固化物
質に一体的に固定された状態で導電性ポリマー層が形成
されるので、それ以外の、例えば回路配線部に導電性ポ
リマーが形成されて配線間に短絡が生じたり、回路配線
部の金属メッキ層の内部に導電性ポリマ−が異物として
潜り込む恐れがない。

【００２７】また、第１の工程を、絶縁層に貫通孔を形
成するためのエッチング工程中に行うことによって、貫
通孔の形成と、貫通孔内壁面のプラスチック材料の加水
分解によるゲル状生成物からなる表層部の形成とが連続
的に行うことができ、工程の簡略化が可能となる。

【００２８】また、第１の工程で貫通孔の内壁面にプラ
スチック材料の加水分解によるゲル状生成物からなる表
層部を形成し、第２の工程でゲル状生成物の表層部に酸
化剤または該酸化剤との酸化重合反応で導電性ポリマー
を形成するモノマーのうちの何れか一方を含浸させ、第
３の工程で酸化剤またはモノマーのうちの何れか一方が
含浸された前記ゲル状生成物を中和して表層部を固化さ
せ、第４の工程で固化された表層部に対して前記酸化剤
またはモノマーのうちの何れか他方を接触させることに
より酸化重合反応で表層部に導電性ポリマー層を形成す
る請求項４に記載のスルーホールメッキ方法によれば、
貫通孔の内壁面に形成されたプラスチック材料の加水分
解によるゲル状生成物からなる表層部において、モノマ
ーと酸化剤との酸化重合反応により導電性ポリマー層が
形成される。

【００２９】従って、結果的にはこの導電性ポリマー層
はプラスチック材料のゲル状生成物の中和固化物質によ
り侵入した状態で絶縁層に一体的に固定された状態とな
るため、絶縁層と導電性ポリマー層との密着性が従来に
なく強固である。これによって導電性ポリマー層を介し
た金属メッキ層との密着性もより強固で信頼性が高いス
ルーホール回路基板を得ることが可能となる。さらに、
導電性ポリマー層は、貫通孔内壁面のプラスチック材料
のゲル状生成物の形成された表層部のみにその中和固化
物質に一体的に固定された状態で形成されるので、それ
以外の、例えば回路配線部に導電性ポリマーが形成され
て配線間に短絡が生じたり、回路配線部の金属メッキ層
の内部に導電性ポリマ−が異物として潜り込む恐れがな
い。

【００３０】ここで、前記第２の工程で前記表層部に前
記酸化剤が含浸され、前記第４の工程で前記表層部に前
記モノマーが接触されるものとし、該第４の工程の後
に、更に第５の工程として前記モノマーとの酸化重合反
応で前記表層部に導電性ポリマー層を形成する酸化剤を
前記表層部に対して接触させる工程を行なえば、これに
よって第４の工程において表層部に接触されるモノマー
のうち、前記第２の工程で表層部に含浸された酸化剤と
の酸化重合反応によって導電性ポリマーを形成した以外
のモノマーに対し、さらに酸化重合反応を生じさせて導
電性ポリマーを形成させることができる。従って、第４
の工程において形成された導電性ポリマー層が薄く、ド
ーピングが不十分であったり、導電性が低下し電解メッ
キの通電量が不十分となる恐れがある場合、この第５の
工程を行なえば膜厚の大きい導電性ポリマー層が形成で
き、これらの問題を解消できる。

【００３１】また、前記第１の工程を、絶縁層に貫通孔
を形成するためのエッチング工程中に行うようにすれ
ば、貫通孔の形成と、貫通孔内壁面のプラスチック材料
の加水分解によるゲル状生成物からなる表層部の形成を
連続的に行うことができるので、工程の簡略化が可能と
なる。

【００３２】また、第１の工程の加水分解をアルカリ性
反応液により行い、このアルカリ性反応液中に前記酸化
剤又はモノマーを添加し、第２の工程を第１の工程中に
行うようにすれば、貫通孔の内壁面にプラスチック材料
の加水分解によるゲル状生成物からなる表層部の形成
と、ゲル状生成物の表層部への酸化剤またはモノマーの
うちの何れか一方の含浸とを同時に行うことができ、こ
れによって工程の簡略化が可能となる。また、酸化剤又
はモノマーを表層部のより深い位置まで浸透させること
ができる。

【００３３】又、第３の工程を酸化剤又はモノマーが添
加された中和液により行い、第２の工程を第３の工程中
に行うようにすれば、前記ゲル状生成物の表層部に酸化
剤またはモノマーのうちの何れか一方を含浸させる工程
と、このゲル状生成物を中和して表層部を固化させる工
程とを同時に行うことができ、これによっても工程の簡
略化が可能となる。

【００３４】さらに、第３の工程を酸化剤又はモノマー
が添加された中和液により行い、第４の工程を第３の工
程中に行うことによっても、酸化剤またはモノマーのう
ちの何れか一方が含浸されたゲル状生成物を中和してそ
の表層部を固化させる工程と、固化された表層部に対し
て前記酸化剤またはモノマーのうちの何れか他方を接触
させることにより酸化重合反応で表層部に導電性ポリマ
ー層を形成する工程とが同時に行うことができ、工程の
簡略化が可能となる。

【００３５】なお、本発明に用いる導電性ポリマ−とし
ては、可溶性の導電性ポリマ−であればよく、例えば、
ポリアニリン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリ
チオフェニレンビニレン類、ポリフランビニレン類、ポ
リピロ−ルビニレン類、ポリチオフェン類、ポリアジン
類、ポリフラン類、ポリセレノフラン類、ポリ−Ｐ−フ
ェニレン硫化物類等が挙げられる。

【００３６】また、導電性ポリマ−の溶剤としては、用
いる導電性ポリマ−の種類に応じて適宜選択すれば良
い。例えば、アセトン、ジエチルケトン、メチルプロピ
ルケトン、ヒドロキシアセトン、メトキシアセトン、フ
ェニルアセトン、４−フェニルブタノン−２等のケトン
類や、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルエー
テル、ジエチルエーテル、メチル−エチルエーテル、ジ
メトキシエタン、ジエトキシメタン、メチルグルコー
ル、アニソール、１，２−ジメトキシベンゼン、１，４
−ジメトキシベンゼン、１，３−ジオキソラン等のエ−
テル類、また、酢酸メチル、酢酸エチル、トリメチルオ
ルトホルメート、シュウ酸エチル、トリメチルリン酸エ
ステル等のエステル、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルム
アミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミ
ド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオアミ
ド、ヘキサメチルホスホルアミド等のアミド類、さら
に、アセトニトリル、バレロニトリル、ベンゾニトリル
等のニトリル類や、プロピレンカ−ボネ−ト、エチレン
カーボネート、ジメチルカーボネート等のカ−ボネ−ト
類、ギ酸、酢酸、安息香酸、シュウ酸等のカルボン酸
類、および、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼ
ン、ジクロロベンゼン、塩化ベンゾイル、臭化ベンゾイ
ル、ベンゼンスルホニルクロライド、ベンゼンスルホニ
ルジクロイド、ベンゼンチオホスホニルジクロライド、
メタンスルホニルクロライド、塩化アセチル、ジメチル
スルファミルクロライド、エチルオキサリルクロライ
ド、クロロスルホニルアセチルクロライド等のハロゲン
類、また、スルホラン、３−メチル−スルホラン等のス
ルホラン系化合物や、ニトロメタン、ニトロベンゼン等
のニトロ化合物、ジメチルスルホキシド等のスルホキシ
ド類、Ｎ−メチルピロリドン等のラクタム類、γ−プチ
ロラクトン等のアクトン類、テトラヒドロチオフェン、
３−メチル−２−オキサゾリドン、ピロ−ル、１−メチ
ルピロール、２，４−ジメチルチアゾール、フラン等の
複素環式化合物等が挙げられる。

【００３７】この時、溶剤がジエチレングリコ−ル、メ
チルセルソルブ、Ｎ−メチルピロリドン等の低引火性の
水と相溶性のある溶剤であれば水洗等の処理ができるの
で好ましい。

【００３８】なお、本発明に用いるモノマーとしては、
酸化重合により導電性ポリマーを形成し得るものであれ
ば広く使用可能である。例えば、ピロールや、Ｎ−メチ
ルピロール、Ｎ−エチルピロール、３−メチルピロー
ル、３，４−ジメチルピロール、Ｎ−フェニルピロール
等のピロール誘導体、またチオフィンや３−メチルチオ
フェン、３，４−ジメチルチオフェン等のチオフェン誘
導体、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−ブチルアニリン、Ｎ−
フェニルアニリン、Ｏ−及びｍ−トルイジン、Ｏ−及び
ｍ−アニシジン、Ｏ−及びｍ−クロロアニリン等のアニ
リンやその誘導体、などが挙げられるが、これらは単独
で用いても２種類以上を併用しても良い。モノマーとし
ての形態は、気体、液体、溶液が可能である。

【００３９】モノマーの溶媒としては、水、アルコール
エステル、ケトン、芳香族炭化水素、有機酸、エーテル
類、ニトロ化合物、ニトリル化合物等が挙げられる。な
お、取扱上、水と有機溶媒の混合溶液が好ましい場合に
は、メタノール、エタノール、プロパノール、ジメチル
ホルムアミド（ＤＭＦ）、ケトン類、Ｎ−メチルピロリ
ドン、エチルエステル類等が利用できる。

【００４０】また、酸化剤としては、例えば、塩化第二
鉄、過塩素酸第二鉄、硝酸第二鉄、硫酸第二鉄、クエン
酸第二鉄、リン酸第二鉄、、塩化第二銅、二酸化鉛等の
金属酸化物、重クロム酸カリウム、無水クロム酸等のク
ロム化合物、過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナト
リウム等のマンガン化合物、過硫酸ナトリウム、過硫酸
カリウム、過硫酸アンモニウム等の過硫酸化合物、クロ
ラニン、ナフトキノン、ベンゾキノン、アントラキノン
等のキノン類、塩化ベンゼンジアゾニウム等のジアゾニ
ウム塩等が使用できる。

【００４１】これらの酸化剤またはモノマーの溶液は、
アルカリ性、中性、酸性の溶液のいずれでも良いが、前
述のように、貫通孔内壁の表層部でのプラスチック材料
の加水分解によるゲル状生成物の形成と、該ゲル状生成
物への酸化剤又はモノマーの含浸とを兼ねる場合にはア
ルカリ性の溶液（反応液）とし、またゲル状生成物の中
和固化と酸化剤またはモノマーの含浸とを兼ねる場合に
は酸性の溶液（中和液）とするなど、実際に行う工程に
応じて適宜設定すれば良い。尚、モノマーを中和液に添
加する場合、この中和液はモノマーに重合を生じさせな
い弱酸のものを使用することは言うまでもない。さらに
溶液が水溶液である時、界面活性剤、アルコ−ル等の水
との相溶性のある有機溶剤を添加してもよい。

【００４２】また、貫通孔内壁表層部に形成された導電
性ポリマー層については、必要に応じてドーピング処理
を行う。これは、電子受容体あるいは電子供与体、所謂
ドーパントを導電性ポリマーに作用させ（ドーピング）
て高導電性を発揮させるものである。

【００４３】用いるドーパントとしては、例えば、電子
受容体ではフッ素、塩素、臭素、ヨウ素、塩化ヨウ素、
三塩化ヨウ素、臭化ヨウ素等のハロゲン化合物類、五フ
ッ化リン、五フッ化ヒ素、五フッ化アンチモン、三フッ
化ホウ素、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、三酸化硫黄等
のルイス酸類、フッ化水素、塩化水素、硝酸、硫酸、過
塩素酸、フッ化スルホン酸、塩化スルホン酸、三フッ化
メタンスルホン酸等のプロトン酸類、四塩化チタン、四
塩化ジルコニウム、四塩化ハフニウム、五塩化ニオブ、
五塩化タンタル、五塩化モリブデン、六塩化タングステ
ン、三塩化鉄等の遷移金属塩化物類、テトラシアノエチ
レン、テトラシアノキノジメタン、クロラニル、ジクロ
ルジシアノベンゾキノン等の有機化合物類があり、電子
供与体では、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジ
ウム、セシウム等のアルカリ金属類、テトラアルキルア
ンモニウムイオン等の第四級アンモニウム塩類などが挙
げられる。

【００４４】なお、まずモノマーをゲル状生成物に含浸
させ、これを中和固化した後酸化剤を接触させて酸化重
合反応により導電性ポリマーを形成する工程において、
ここで用いる酸化剤を一般に鉱酸等にてプロトン酸性に
すればプロトン酸を導電性ポリマ−にド−ピングでき、
これによって電導度の向上を図ることができる。

【００４５】このように導電性ポリマーの形成工程にお
いて使用される酸化剤によって自然とドーピングがなさ
れる場合や、再ドーピング処理を行う場合も含めて、ド
ーパントは導電性ポリマー上に施される金属メッキを腐
蝕させないものを選択する必要がある。また、腐蝕を遮
断する手段として導電性ポリマー上にバリアメタルをメ
ッキした上で導体をメッキすることも有効である。

【００４６】

【実施例】

（実施例１）本発明の第１の実施例として、スルーホー
ル回路基板の製造工程においてポリイミドフィルムの貫
通孔内壁面にスルーホールメッキを施すに当り、貫通孔
内壁面のポリイミドの加水分解によって形成されたゲル
状生成物からなる表層部に導電性ポリマー（ポリアニリ
ン）を含浸させ、該表層部を中和固化して得られる導電
性ポリマー含有層上に金属メッキを施す場合を以下に示
す。

【００４７】（１）導電性ポリマー（ポリアニリン）の
合成：まず、モノマーとしてのアニリン５ｇを濃塩酸４
ｍｌと水４５ｇの液に溶解し、このアニリン溶液に水２
８．８ｇと濃硫酸４．６１ｇと重クロム酸カリウム１．
８４ｇよりなる液を序々に滴下し、５℃で１時間酸化重
合反応させた。沈殿物を水で洗浄後、真空乾燥し黒緑色
のポリアニリンの重合体を得た。

【００４８】（２）貫通孔の形成：５０μｍ厚のポリイ
ミド（カプトンＫＢ：商品名、東レ・デュポン社製）フ
ィルムの両面に酸素プラズマ処理を施した後、アルゴン
をキャリアガスとしてスパッタ−により１μｍ厚の銅層
を設け、その後電解メッキにより１０μｍ厚の銅層を形
成した。

【００４９】両銅層面のうち、裏面（スルーホールを形
成する側）の銅層面上にフォトリソグラフィにてレジス
ト層を形成し、塩化第二鉄水溶液を用いて銅層にエッチ
ングを施し、スル−ホ−ルが形成されるべき部位の銅層
を除去した。

【００５０】次に、これを１５規定の水酸化カリウム水
溶液中に５０℃にて１０分浸漬することによってスルー
ホール部に相当する部分のポリイミドを加水分解した
後、水洗いした。これをアルキルベンゼンスルホン酸ソ
−ダ等のアニオン系界面活性剤にピロ亜硫酸ソ−ダを添
加した界面活性剤水溶液を主体とする脱脂液（ニュ−ト
ラルクリ−ン６８：商品名、シップレイ社製）に５０℃
にて３分間浸漬して、前記スルーホール相当部のポリイ
ミド加水分解によるゲル状生成物を除去し、貫通孔を形
成した。

【００５１】しかる後、これを８規定の水酸化カリウム
水溶液中に５０℃にて３分間浸漬した後、水洗した。こ
れによって、貫通孔内壁面にポリイミドの加水分解によ
るゲル状生成物からなる表層部を形成した。

【００５２】（３）貫通孔内壁面における導電性ポリマ
−層の形成：上記（２）の工程で形成した貫通孔内壁面
のゲル状生成物からなる表層部を、（１）の工程で予め
作成しておいたポリアニリンの８０％酢酸溶液に８０℃
で３分間浸漬した。これにより、ゲル状生成物からなる
表層部はポリアニリンを含浸すると共に酢酸で中和固化
され、最終的には黒緑色のポリアニリンが固化層の表面
に析出した。即ち、貫通孔内壁面において、ポリイミド
加水分解生成物の中和固化物質によってポリイミド層に
一体的に固定された状態で導電性ポリマー層が形成され
る。

【００５３】（４）スルーホールメッキ：上記（３）の
工程で貫通孔の内壁面に導電性ポリマー層が形成された
スルーホール基板について、１規定硫酸を含む硫酸銅浴
にて３A/dm² の電流密度にて電解メッキを行い、１５μ
ｍの銅をスルーホール部（貫通孔内壁面）およびスルー
ホール基板両面の銅層上全面に積み上げた。これによ
り、両面の銅層の厚みは共に２５μｍとなった。この
時、スル−ホ−ルメッキ断面部分を走査型電子顕微鏡で
観察したところ銅メッキはポリイミドの表面に導電性ポ
リマー層を介して間隙なく、確実に付着していた。

【００５４】しかる後、スルーホール基板両面の銅層に
エッチングを施し、所定の回路配線パターンを形成し、
良好なスル−ホ−ルメッキを有するスルーホール回路基
板をを得た。

【００５５】（実施例２）次に、本発明の第２の実施例
として、スルーホール回路基板の製造工程においてポリ
イミドフィルムの貫通孔内壁面にスルーホールメッキを
施すに当り、貫通孔内壁面のポリイミドの加水分解によ
って形成されたゲル状生成物からなる表層部に酸化剤を
含浸させると共に該表層部を中和固化し、これをモノマ
ー溶液に浸漬して得られる導電性ポリマー層上に金属メ
ッキを施す場合を以下に示す。

【００５６】（１）貫通孔の形成：５０μｍ厚のポリイ
ミド（カプトンＫＢ：商品名、東レ・デュポン社製）フ
ィルムの両面に酸素プラズマ処理を施した後、アルゴン
をキャリアガスとしてスパッタ−により１μｍ厚の銅層
を設け、その後電解メッキにより１０μｍ厚の銅層を形
成した。

【００５７】両銅層面のうち、裏面（スルーホールを形
成する側）の銅層面上にフォトリソグラフィにてレジス
ト層を形成し、塩化第二鉄水溶液を用いて銅層にエッチ
ングを施し、スル−ホ−ル部に対応する銅層を除去し
た。

【００５８】次に、これを１５規定の水酸化カリウム水
溶液中に５０℃にて１０分浸漬することによってスルー
ホール部に相当する部分のポリイミドを加水分解した
後、水洗いした。これをアルキルベンゼンスルホン酸ソ
−ダ等のアニオン系界面活性剤にピロ亜硫酸ソ−ダを添
加した界面活性剤水溶液を主体とする脱脂液（ニュ−ト
ラルクリ−ン６８：商品名、シップレイ社製）に５０℃
にて３分間浸漬して、前記スルーホール相当部のポリイ
ミド加水分解によるゲル状生成物を除去し、貫通孔を形
成した。

【００５９】この貫通孔が形成された基板を８規定の水
酸化カリウム水溶液中に５０℃にて３分間浸漬した後、
水洗した。これによって、貫通孔内壁面にポリイミドの
加水分解によるゲル状生成物からなる表層部を形成し
た。

【００６０】（２）貫通孔内壁面における導電性ポリマ
−の形成：この貫通孔内壁面にゲル上生成物からなる表
層部が形成された基板を、１０ｇ／ｌのペルオキソニ硫
酸ソ−ダの水溶液に２０℃で１０分間浸漬した。その
後、１０ｇ／ｌのペルオキソニ硫酸ソ−ダと２５ｍｌ／
ｌの硫酸の混合水溶液に２０℃にて１分間浸漬し、ポリ
イミドの加水分解によるゲル状生成物からなる表層部
に、酸化剤としてのペルオキソニ硫酸ソ−ダを含浸させ
ると共に、該表層部を酸で中和し、固化させた。

【００６１】次いでモノマーとしての２０％ピロ−ルと
２０％イソプロパノ−ルの水溶液に２０℃にて６０分間
浸漬し、モノマーと酸化剤との酸化重合反応を行わせ、
導電性ポリマーとして黒褐色のポリピロ−ルを貫通孔内
壁面の表層部に生成させ、水洗、自然乾燥を行った。こ
こで、スルーホール基板の貫通孔内壁面には、ポリイミ
ドの加水分解生成物の中和固化物質によってポリイミド
ニ一体的に固定された状態でポリピロールの導電性ポリ
マー層が形成された。

【００６２】（３）スルーホールメッキ：しかる後、こ
の導電性ポリマー層が貫通孔内壁面に形成されたスルー
ホール基板を０．５Ｍの塩化パラジウムと０．０６Ｍの
塩酸の水溶液に３分間浸漬し、パラジウムの自然メッキ
を導体メッキの腐蝕遮断のためのバリアメタルとして施
した。

【００６３】その後、バリアメテルが施されたスルーホ
ール基板の両面及び貫通孔内壁面について１規定硫酸を
含む硫酸銅浴にて３A/dm² の電流密度にて電解メッキを
行い、スル−ホ−ル部及び両面の銅層の全面に１５μｍ
の銅を積み上げた。これにより、スルーホール基板両面
の銅層の厚みは共に２５μｍとなった。この時、スル−
ホ−ルメッキ断面部分を走査型電子顕微鏡で観察したと
ころ銅メッキはポリイミドの表面に導電性ポリマー層お
よびバリアメタル層を介して間隙なく、確実に付着して
いた。

【００６４】しかる後、スルーホール基板両面の銅層に
エッチングを施し、所定の回路配線パターンを形成し、
良好なスル−ホ−ルメッキを有するスルーホール回路基
板を得た。

【００６５】（実施例３）次に、本発明の第３の実施例
として、スルーホール回路基板の製造工程においてポリ
イミドフィルムの貫通孔内壁面にスルーホールメッキを
施すに当り、貫通孔内壁面のポリイミドの加水分解によ
って形成されたゲル状生成物からなる表層部に酸化剤を
含浸させると共に該表層部を中和固化し、これをモノマ
ー溶液に浸漬して導電性ポリマー層を形成し、さらに酸
化剤溶液に浸漬してより厚い導電性ポリマー層を形成
し、この上に金属メッキを施す場合を以下に示す。

【００６６】（１）貫通孔の形成：実施例２と同様に、
まず５０μｍ厚のポリイミド（カプトンＫＢ：商品名、
東レ・デュポン社製）フィルムの両面に酸素プラズマ処
理を施した後、アルゴンをキャリアガスとしてスパッタ
−により１μｍ厚の銅層を設け、その後電解メッキによ
り１０μｍ厚の銅層を形成した。

【００６７】両銅層面のうち、裏面（スルーホールを形
成する側）の銅層面上にフォトリソグラフィにてレジス
ト層を形成し、塩化第二鉄水溶液を用いて銅層にエッチ
ングを施し、スル−ホ−ル部に対応する銅層を除去し
た。

【００６８】次に、これを１５規定の水酸化カリウム水
溶液中に５０℃にて１０分浸漬することによってスルー
ホール部に相当する部分のポリイミドを加水分解した
後、水洗いした。これをアルキルベンゼンスルホン酸ソ
−ダ等のアニオン系界面活性剤にピロ亜硫酸ソ−ダを添
加した界面活性剤水溶液を主体とする脱脂液（ニュ−ト
ラルクリ−ン６８：商品名、シップレイ社製）に５０℃
にて３分間浸漬して、前記スルーホール相当部のポリイ
ミド加水分解によるゲル状生成物を除去し、貫通孔を形
成した。

【００６９】この貫通孔が形成された基板を８規定の水
酸化カリウム水溶液中に５０℃にて３分間浸漬した後、
水洗した。これによって、貫通孔内壁面にポリイミドの
加水分解によるゲル状生成物からなる表層部を形成し
た。

【００７０】（２）貫通孔内壁面における導電性ポリマ
−の形成：貫通孔内壁面にゲル状生成物からなる表層部
が形成されたスルーホール基板を、１０ｇ／ｌのペルオ
キソニ硫酸ソ−ダの水溶液に２０℃で１０分間浸漬し
た。その後、１０ｇ／ｌのペルオキソニ硫酸ソ−ダと２
５ｍｌ／ｌの硫酸の混合水溶液に２０℃にて１分間浸漬
し、ゲル状生成物からなる表層部に、酸化剤であるペル
オキソニ硫酸ソ−ダを含浸させると共に、酸で中和し、
固化させた。

【００７１】次いでモノマーとしての２０％ピロ−ルと
２０％イソプロパノ−ルの水溶液に２０℃にて５分間浸
漬する。ここでモノマーと酸化剤とが接触し、酸化重合
反応によって比較的膜厚の小さい黒褐色ポリピロールの
導電性ポリマー層が貫通孔内壁面表層部に形成される。
さらに１０ｍｌ／ｌの硫酸と１０ｇ／ｌのペルオキソニ
硫酸ソ−ダの水溶液に２０℃にて１分間浸漬することに
よって、酸化剤を補充し、酸化重合反応を継続させ、よ
り厚い導電性ポリマー層を形成する。次いで、水洗、自
然乾燥を行った。

【００７２】（３）スルーホールメッキ：しかる後、導
電性ポリマー層を０．５Ｍの塩化パラジウムと０．０６
Ｍの塩酸の水溶液に３分間浸漬し、パラジウムの自然メ
ッキを、金属メッキ導体の腐蝕を遮断するためのバリア
メタルとして施した。

【００７３】その後、このスルーホール基板を１規定硫
酸を含む硫酸銅浴にて３A/dm² の電流密度にて電解メッ
キを行い、１５μｍの銅を貫通孔内壁面及び基板両面の
銅層の全面に積み上げた。これにより、基板両面の銅層
の厚みは共に２５μｍとなった。この時、スル−ホ−ル
メッキ断面部分を走査型電子顕微鏡で観察したところ銅
メッキは、導電性ポリマー層及びバリアメタル層を介し
てポリイミドの表面に間隙なく、確実に付着していた。

【００７４】しかる後、基板両面の銅層にエッチングを
施し、所定の回路配線パターンを形成し、良好なスル−
ホ−ルメッキを有するスルーホール回路基板を得た。

【００７５】（実施例４）次に、本発明の第４の実施例
として、スルーホール回路基板の製造工程においてポリ
イミドフィルムの貫通孔内壁面にスルーホールメッキを
施すに当り、貫通孔内壁面のポリイミドの加水分解によ
ってゲル状生成物からなる表層部を形成すると共に該表
層部にモノマーを含浸させ、これを酸化剤を添加した中
和液に浸漬することによってゲル状生成物からなる表層
部を中和固化すると共に導電性ポリマー層を形成し、こ
の上に金属メッキを施す場合を以下に示す。

【００７６】（１）貫通孔の形成：実施例３と同様に、
まず５０μｍ厚のポリイミド（カプトンＫＢ：商品名、
東レ・デュポン社製）フィルムの両面に酸素プラズマ処
理を施した後、アルゴンをキャリアガスとしてスパッタ
−により１μｍ厚の銅層を設け、その後電解メッキによ
り１０μｍ厚の銅層を形成した。

【００７７】両銅層面のうち、裏面（スルーホールを形
成する側）の銅層面上にフォトリソグラフィにてレジス
ト層を形成し、塩化第二鉄水溶液を用いて銅層にエッチ
ングを施し、スル−ホ−ル部に対応する銅層を除去し
た。

【００７８】次に、これを１５規定の水酸化カリウム水
溶液中に５０℃にて１０分浸漬することによってスルー
ホール部に相当する部分のポリイミドを加水分解した
後、水洗いした。これをアルキルベンゼンスルホン酸ソ
−ダ等のアニオン系界面活性剤にピロ亜硫酸ソ−ダを添
加した界面活性剤水溶液を主体とする脱脂液（ニュ−ト
ラルクリ−ン６８：商品名、シップレイ社製）に５０℃
にて３分間浸漬して、前記スルーホール相当部のポリイ
ミド加水分解によるゲル状生成物を除去し、貫通孔を形
成した。

【００７９】（２）貫通孔内壁面における導電性ポリマ
ー層の形成：上記（１）の工程によって貫通孔が形成さ
れた基板を、２０％イソプロパノ−ルとモノマーとして
の２０％ピロ−ルの混合水溶液より成る８規定の水酸化
カリウム水溶液中に５０℃にて３分間浸漬した後、水洗
した。この処理によって、貫通孔内壁面のポリイミドが
加水分解され、ゲル状生成物からなる表層部が形成され
るとともに該表層部にモノマーであるピロ−ルが含浸さ
れた。

【００８０】さらに、１０ｇ／ｌのペルオキソニ硫酸ソ
−ダと２５ｍｌ／ｌの硫酸の混合水溶液に２０℃にて５
分間浸漬することによって、ゲル状生成物からなる表層
部に含浸されたピロ−ルと酸化剤との酸化重合反応によ
って導電性ポリマーを形成すると共に、このゲル状生成
物からなる表層部を酸で中和し、固化させ、水洗、自然
乾燥を行った。これにより、貫通孔内壁面には、黒褐色
のポリピロ−ルの導電性ポリマー層が形成された。

【００８１】（３）スルーホールメッキ：その後、導電
性ポリマー層が形成されたスルーホール基板を１規定硫
酸を含む硫酸銅浴中にて電流密度３A/dm² で電解メッキ
行い、１５μｍの銅を貫通孔内壁面及び基板両面の銅層
の全面に積み上げた。これにより、基板両面の銅層の厚
みは共に２５μｍとなった。この時、スル−ホ−ルメッ
キ断面部分を走査型電子顕微鏡で観察したところ、銅メ
ッキは導電性ポリマー層を介してポリイミドの表面に間
隙なく、確実に付着していた。

【００８２】しかる後、スルーホール基板両面の銅層に
エッチングを施し、所定の回路配線パターンを形成し、
良好なスル−ホ−ルメッキを有するスルーホール回路基
板を得た。

【００８３】なお、以上の実施例においては、ポリイミ
ドフィルム両面にスパッター蒸着法により銅の金属被膜
を形成したが、フィルムと金属被膜との密着性を高くす
るために５〜３０μｍ厚のクロム、ニッケル等のアンカ
ー層をフィルムと金属被膜との間に設けることが望まし
い。

【００８４】また、貫通孔の形成については、上記実施
例ではレジストによるリソグラフィにてエッチングを施
してスルーホールを形成すべき部位の一方あるいは両面
の金属被膜を除去したが、本発明はこれに限るものでは
なく、例えば打ち抜き加工による穿孔によって行っても
良い。またポリイミドフィルムのエッチング方法も上記
実施例で示したような水酸化カリウム等のアルカリ性薬
品の水単独またはエタノール等の有機溶剤との混合液
や、ヒドラジンとエチレンジアミンの混合液などを用い
たウエットエッチング法以外に、例えばプラズマエッチ
ング、エキシマレーザー照射エッチング等のドライエッ
チング法を用いても良い。

【００８５】また、貫通孔内壁面のポリイミド等のプラ
スチック材料をアルカリ性反応液によって加水分解して
ゲル状生成物からなる表層部を形成する場合、反応液は
ゲル状生成物自身の溶解性が乏しいものであればよい。
さらに、ゲル状制せぶつからなる表層部の中和固化の用
いる酸は、硫酸水溶液等の一般的な酸が使用できる。

【００８６】また電解金属メッキを施す場合、導電性ポ
リマー層が形成された貫通孔のみでなく、スルーホール
基板の片面若しくは両面の金属層全体に施しても良く、
あるいは金属層上にスルーホールメッキランドを形成す
るように施しても良い。また基板片面もしくは両目の金
属層全体にリフトオス形式のパターンレジスト層を形成
してセミアデイテイブメッキを施し、回路配線をも形成
させても良い。また、本発明は電解メッキに限らず、無
電解メッキを用いても有効であることは言うまでもな
い。

【００８７】なお、貫通孔形成からスルーホールメッキ
までの工程において、ゲル状生成物からなる表層部の形
成と該表層部への導電性ポリマーまたはモノマーや酸化
剤の含浸を同時に行う、あるいはこれらの物質の表層部
への含浸と表層部の中和固化を同時に行う、また表層部
の中和固化と酸化重合反応による導電性ポリマーの形成
を同時に行うなど、実際の各工程の設定は、用いるプラ
スチック基板材料、金属、導電性ポリマーあるいはモノ
マー、酸化剤、これらの溶媒、またエッチング、加水分
解、中和固化等の各反応液などの種類に応じて適宜選択
すれば良い。

【００８８】

【発明の効果】以上に説明した通り、本発明によれば、
絶縁層と導電性ポリマー層との密着性が従来になく強固
であり、これによって電性ポリマー層を介した金属メッ
キ層との密着性もが強固なスルーホール回路基板を得る
ことが可能となる。

【００８９】また、所望の貫通孔内壁面のみに、その表
層部のプラスチック材料のゲル状生成物の中和固化物質
に一体的に固定された状態で導電性ポリマー層が形成さ
れるので、それ以外の、例えば回路配線部に導電性ポリ
マーが形成されて配線間に短絡が生じたり、回路配線部
の金属メッキ層の内部に導電性ポリマ−が異物として潜
り込む恐れがなく、得られたスルーホール回路基板の信
頼性が高いという効果がある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関 収 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プラスチック材料からなる絶縁層に設け
   られた貫通孔の内壁面に導電性ポリマー層が形成され、
   前記導電性ポリマー層に被着されたスルーホール金属メ
   ッキ層により前記絶縁層の両面に形成された金属配線層
   が互いに電気的に導通されているスルーホール回路基板
   において、前記プラスチック材料の加水分解生成物の中
   和固化物質が前記貫通孔の内壁面表層部に一体形成さ
   れ、前記導電性ポリマー層が前記貫通孔内で前記中和固
   化物質によって前記絶縁層に一体的に固定されているこ
   とを特徴とするスルーホール回路基板。
2. 【請求項２】 プラスチック材料からなる絶縁層に貫通
   孔を形成し、前記貫通孔の内壁面に導電性ポリマー層を
   形成し、前記導電性ポリマー層にスルーホール金属メッ
   キ層を被着させることにより、前記絶縁層の両面に形成
   された金属配線層を互いに電気的に導通させるスルーホ
   ールメッキ方法において、前記貫通孔の内壁面に前記プ
   ラスチック材料の加水分解によるゲル状生成物からなる
   表層部を形成する第１の工程と、前記ゲル状生成物の表
   層部に導電性ポリマーを含浸させる第２の工程と、前記
   導電性ポリマーが含浸された前記ゲル状生成物を中和固
   化させて導電性ポリマー層を形成する第３の工程とを備
   えたことを特徴とするスルーホールメッキ方法。
3. 【請求項３】 前記絶縁層に前記貫通孔を形成するため
   のエッチング工程を含み、前記第１の工程が、前記エッ
   チング工程中に行われることを特徴とする請求項２に記
   載のスルーホールメッキ方法。
4. 【請求項４】 プラスチック材料からなる絶縁層に貫通
   孔を形成し、前記貫通孔の内壁面に導電性ポリマー層を
   形成し、前記導電性ポリマー層にスルーホール金属メッ
   キ層を被着させることにより、前記絶縁層の両面に形成
   された金属配線層を互いに電気的に導通させるスルーホ
   ールメッキ方法において、前記貫通孔の内壁面に前記プ
   ラスチック材料の加水分解によるゲル状生成物からなる
   表層部を形成する第１の工程と、前記ゲル状生成物の表
   層部に酸化剤または該酸化剤との酸化重合反応で導電性
   ポリマーを形成するモノマーのうちの何れか一方を含浸
   させる第２の工程と、前記酸化剤またはモノマーのうち
   の何れか一方が含浸された前記ゲル状生成物を中和して
   前記表層部を固化させる第３の工程と、前記固化された
   表層部に対して前記酸化剤またはモノマーのうちの何れ
   か他方を接触させることにより前記酸化重合反応で前記
   表層部に導電性ポリマー層を形成する第４の工程とを備
   えたことを特徴とするスルーホールメッキ方法。
5. 【請求項５】 前記第２の工程で前記表層部に前記酸化
   剤が含浸され、前記第４の工程で前記表層部に前記モノ
   マーが接触され、該第４の工程の後に、前記モノマーと
   の酸化重合反応で前記表層部に導電性ポリマー層を形成
   する酸化剤を前記表層部に対して接触させる第５の工程
   を更に含むことを特徴とする請求項４に記載のスルーホ
   ールメッキ方法。
6. 【請求項６】 前記絶縁層に前記貫通孔を形成するため
   のエッチング工程を含み、前記第１の工程を、前記エッ
   チング工程中に行うことを特徴とする請求項４に記載の
   スルーホールメッキ方法。
7. 【請求項７】 前記第１の工程の加水分解をアルカリ性
   反応液により行い、このアルカリ性反応液中に前記酸化
   剤又はモノマーを添加して前記第２の工程を前記第１の
   工程中に行うことを特徴とする請求項４に記載のスルー
   ホールメッキ方法。
8. 【請求項８】 前記第３の工程を前記酸化剤またはモノ
   マーが添加された中和液により行い、前記第２の工程を
   前記第３の工程中に行うことを特徴とする請求項４に記
   載のスルーホールメッキ方法。
9. 【請求項９】 前記第３の工程を前記酸化剤またはモノ
   マーが添加された中和液により行い、前記第４の工程を
   前記第３の工程中に行うことを特徴とする請求項４に記
   載のスルーホールメッキ方法。