JPH07110276A - 半導体圧力・差圧センサの励起方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】圧力，差圧を検出して電気信号とする伝送器に
おいて、その圧力検出手段に半導体上に形成されたピエ
ゾ抵抗を用いた場合の圧力信号出力の温度影響を簡単な
アナログ回路で補正する。これにより、後段の増幅器，
信号処理の負担を軽減する。 【構成】半導体複合センサの温度信号Ｖ_Rt、および基準
電圧Ｖ_ref を加減算回路１０に入力し、係数をかけ加減
算を実施する。そして、励起電圧Ｖ_ex Ｖ_ex＝ａＶ_ref＋ｂＶ_Rt を得る。ここで、Ｖ_exが半導体複合センサあるいは、受
圧部機構全体の温度影響特性の逆特性をもつように、
ａ，ｂを調整することにより差圧，圧力信号の温度補正
を行うことができる。 【効果】簡単なアナログ回路の追加により、半導体複合
センサの温度影響を補正することができ、回路の簡素
化，高信頼化，低価格化に効果がある。また定数を変更
することにより、受圧部機構も含めた全体の温度補正を
行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、シリコン等の半導体結
晶の持つエピゾ抵抗効果を利用して、圧力・差圧センサ
を形成するピエゾ抵抗ブリッジの温度影響を補正する手
段に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の圧力・差圧伝送器に使用されてい
る複合機能形センサは図２に示したように、半導体複合
センサチップ上に、差圧センサ，静圧センサ，温度セン
サを設けたものであり、これらのセンサのうち特に差圧
センサ，静圧センサを図３に示したセンサブリッジで構
成することにより、外部から定電圧信号を加えることに
より、それぞれのセンサから温度，静圧，差圧を示す信
号を取り出すようになっている。しかし、圧力歪を抵抗
値変換として検出するゲージ抵抗のピエゾ抵抗係数は約
−２５００ppm／℃ の温度係数をもつ。そのため、従来
のようにこのゲージ抵抗を用いたセンサブリッジを定電
圧で励起すると、前記温度係数−２５００ppm／℃ がそ
のまま出力として現われてしまっていた。このためビエ
ゾ抵抗の温度係数による温度影響は、出力信号を処理す
る増幅部のゲインの段数を増やすことにより吸収してい
た。

【０００３】また、ゲージ抵抗は拡散抵抗としての温度
係数も持ち、その値は、不純物拡散濃度により変化する
が、２０００〜３０００ppm／℃ の値を持っているた
め、この抵抗温度係数を２５００ppm／℃ にコントロー
ルし、センサブリッジを定電流駆動する方法も考えられ
る。これによればピエゾ抵抗の温度係数が拡散抵抗の温
度係数により相殺され、ブリッジ出力の温度影響を極め
て小さくすることができる。しかし、半導体複合センサ
は、差圧，圧力，温度の３つのセンサを持ち、温度セン
サは別として、２つの励起回路を必要とする。この従来
例による方法を図１４に示すこれを定電流駆動とする場
合、独立に定電流源を作ると回路が必要となり結果的に
消費電流が増大する。定電流源を１つとしてシリーズに
駆動することも可能であるが、電源電圧が高くなるこ
と、同相電圧に差が生じ、増幅回路で信号取込みが複雑
になるなどの問題が生じてしまっていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体複合センサのピエゾ抵抗の温度係数による温度影響を
低く押え、以後の増幅段の負担の軽減，補正演算処理の
負担の軽減を目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の要点は、温度セ
ンサとして半導体複合センサ上に形成された拡散抵抗の
温度影響を利用し、センサ温度により励起電源電圧をコ
ントロールした点にある。

【０００６】本発明の方法は、ピエゾ抵抗の温度影響特
性の逆特性を持つ励起電源を作ることにある。この励起
電源を作るため、センサ温度検出信号を利用している。
センサ温度検出は、拡散抵抗を使用しているが、これは
２０００〜３０００ppm／℃の抵抗温度係数を持ち、こ
の抵抗温度係数を利用して温度検出を行っている。した
がって、このセンサ温度検出信号に係数をかけて、定電
圧に加減算することにより、ピエゾ抵抗の温度影響特性
の逆特性をもつ励起電源を得ることができる。

【０００７】

【作用】これにより半導体複合センサの差圧，圧力信号
のピエゾ抵抗の温度係数による温度影響を簡単な回路に
より、極めて小さくすることができ、後段の増幅段の簡
素化，高信頼化が図れる。

【０００８】

【実施例】本発明の一実施例を図１を用いて説明する。

【０００９】定電圧電源１０８からの電圧信号Ｖ_ref は
温度センサ１０６に入力されると共に加減算回路１１０
にも入力される。そして温度センサ１０６からの出力信
号Ｖ_Rtは加減算回路１１０に入力される。これにより加
減算回路１１０の出力信号Ｖ_exは、加減算回路の信号処
理内容を前もって設定しておくことにより、それ以降の
差圧センサ１０２，静圧センサ １０４の温度影響の逆
特性になるように出力することが可能であり、差圧セン
サ出力端子１１２，静圧センサ出力端子114からは、温
度影響がない出力信号を得ることができるようになる。

【００１０】また、これらの温度，差圧，静圧センサは
伝送器内の場所であれば任意の場所に置くことが可能で
あるが、それぞれのセンサを製作容易にするため、また
検出精度を高めるため図４に示したように、単一の半導
体センサチップ１０１上に形成することが可能である。

【００１１】次に、本発明のセンサ検出回路の詳細な実
施例を図５に示す。

【００１２】半導体複合センサチップ３０１上に、差圧
を検出するための差圧検出ブリッジ，静圧を検出する静
圧検出ブリッジ、そして温度を検出する温度検出抵抗が
形成されている。基準電圧源３１１からの電圧Ｖ_ref は
抵抗器３０９を介して温度検出抵抗に印加されている。
そして温度検出抵抗４からの検出温度を示す出力信号Ｖ
_Rtは温度信号出力端子を介して加減算回路３１０に入力
している。そして加減算回路３１０からの励起電圧Ｖ_ex
により、差圧静圧検出ブリッジが駆動するようになって
おり、差圧信号出力端子３０６、そして静圧信号出力端
子３０７からはそれぞれのセンサ出力信号が取り出せる
ようになっている。

【００１３】このような回路において、加減算回路３１
０には基準電圧Ｖ_ref と温度検出抵抗３０４からは温度
にほぼ比例した電圧Ｖ_Rtが入力されるので、この回路か
ら出力される励起電圧Ｖ_exは以下の式のようになる。

【００１４】Ｖ_ex＝ａＶ_ref＋ｂＶ_Rt となる。ここで、ａ，ｂを適正な値に選び励起電圧Ｖ_ex
が、センサブリッジのピエゾ係数の温度影響特性の逆特
性になるようにすれば、差圧，圧力信号の温度影響を相
殺することが可能である。

【００１５】尚、本実施例では４本抵抗体のゲージ構成
となっているが、本発明はこれらに限定されるものでは
なく、２本，１本の抵抗体によるセンサにも適用可能で
ある。

【００１６】次に図６は図５で示した加減算回路の基本
的な構成を示した一実施例である。増幅器３５１に温度
検出抵抗からの電圧Ｖ_Rtと、基準電圧源３１１からの電
圧信号Ｖ_ref が入力され、増幅器３５１まわりの第１，
第２，第３抵抗３５２，３５４，３５６により加減算増
幅された励起信号Ｖ_exが出力されるようになっている。

【００１７】このような回路において、増幅器３５１ま
わりの抵抗３５２，３５４，３５６の値を、励起電圧Ｖ
_exがセンサブリッジのピエゾ抵抗係数の温度影響の逆特
性になるようにすれば、差圧，静圧出力信号には温度影
響の要素が出なくなり、上述した式 Ｖ_ex＝ａＶ_ref＋ｂＶ_Rt に示したａ，ｂの値を設定することが可能になる。

【００１８】図７は本発明の一実施例の各部信号を示し
たものである横軸は温度Ｔを示し、定電圧駆動時の差
圧，静圧センサの出力は温度により（ｄ）のように変化
する。これを、本発明による励起電圧Ｖ_ex＝ａＶ_ref＋
ｂＶ_Rt のａ，ｂの値を（ｄ）の逆特性になるように設
定することによって、差圧，静圧センサを励起すると、
その出力には（ｅ）のように温度影響が打ち消された出
力が得られる。

【００１９】尚、この実施例では、増幅器が１個、抵抗
体が３個の例が示されているが、本発明の効果を達成す
るためには、増幅器の種類，抵抗体の数、又は増幅段数
は適宜変更可能である。

【００２０】図８は本発明の半導体複合センサ駆動回路
を備えた差圧伝送器の一実施例を示したものであり、こ
の差圧伝送器は主に、圧力受圧部材２０，センサ部組
２，シールダイアフラム６，７，過負荷保護ダイアフラ
ム４，第一，第二の圧力室８１，８２、第一，第二の隔
離室８３，８４で構成されている。

【００２１】また、単一の部材からなる圧力受圧部材２
０の中心軸上には、過負荷保護ダイアフラム４，センサ
部組２を収納するための段付穴部２３が、シールダイア
フラム６，７と直角方向に設けてある。段付穴２３の小
径側には、増幅器と取り付けるための穴９が、また大径
側には過負荷保護ダイアフラム４を固定するための固定
金具１０を取り付けるための穴１０が設けてある。

【００２２】そして、シールダイアフラム６，７，過負
荷保護ダイアフラム４，センサ部組２の間を導通路２
４，２５，２６で接続している。

【００２３】本発明の一実施例の差圧伝送器における第
一の受圧室２０１，第二の受圧室２０２，第一の隔離室
２０３，第二の隔離室２０４の構造を図８を用いて説明
する。

【００２４】本実施例の差圧伝送器においては、圧力受
圧部材２０の穴部２１，２２からシールダイアフラム
６，７を組み込み、シールダイアフラム６，７の面が平
行となるように溶接して第一，第二の受圧室２０１，２
０２を形成する。

【００２５】次に栓３５，３６を段付穴３７，３８に組
み込み、栓３５，３６と段付穴３７，３８によって形成
された溝にメタル１１，１２を挿入し、メタルフロー
（塑性加工）接合を行い、測定流体受圧室１７，１８を
形成する。

【００２６】圧力受圧部材２０の中心段付穴部２３に
は、径の大きな方向よりセンサ部組２を挿入し、センサ
部組２の導通路６０と圧力受圧部材２０の導通路２５が
導通するように組み込み、センサ部組２の両端を溶接す
る。

【００２７】その後、センタ金具５をセンタ金具５の導
通路６１と圧力受圧部材２０の導通路２４が導通するよ
うな位置に、また過負荷保護ダイアフラム４の波形状と
同一に加工した面を過負荷保護ダイアフラム４側に向け
て取り付け、さらに過不過保護ダイアフラム４を圧力受
圧部材２０に溶接し、第一の隔離室８３を形成する。セ
ンタ金具５の中心には過負荷保護ダイアフラム４から半
導体センサ４４へ圧力を伝達するための導通路６３が設
けてある。固定金具取り付け穴１０に固定金具８を固定
金具８に導通路６２と圧力受圧部材２０の導通路２６が
導通するように、また過負荷保護ダイアフラム４の波形
状と同一に加工した面を過負荷保護ダイアフラム４側に
向けて取り付け、固定金具８と圧力受圧部材２０によっ
て形成された溝にメタル１３を挿入し、メタルフロー接
合を行い、第二の隔離室８４を形成する。

【００２８】過負荷保護ダイアフラム４は半導体センサ
１０１の保護用のダイアフラムで、シールダイアフラム
６、または７に過大圧力が印加したときセンサを保護す
る役目を果す。シールダイアフラム６，７は過大圧力を
印加したとき、シールダイアフラム６，７の形状と同一
の波形に加工した圧力受圧部材２０に着差し封入液１６
の内圧上昇を防止する。過負荷保護ダイアフラム４は、
シールダイアフラム６，７が着座するまでの移動液量を
第一，第二の隔離室８３，８４で吸収し、内圧上昇を半
導体センサ１０１の耐圧以下に押さえることによって半
導体センサ１０１を保護する。

【００２９】図９は本発明で使用される複合機能形セン
サの一実施例を示す断面図であり、図１１は図９のセン
サのみの平面図であり、図１０はその回路図である。

【００３０】図９において１０１は単結晶シリコンから
なる複合機能形センサチップである。複合機能形センサ
チップ１０１は中空の第１の固定台８０２，中空の第２
の固定台８０３を介してハウジング２に取付けられる。
第１の固定台８０２は複合機能形センサチップ１０１の
ハウジング２からの電気絶縁およびハウジング２からの
線膨張係数の相違による熱歪の低減を考慮し、シリコン
と線膨張係数の近似した硼珪酸塩ガラス又はその接合面
のみに酸化膜を付けたシリコンが好ましい。また、第２
の固定台８０３は固定台８０２と同様に、線膨張係数お
よびハウジング２への溶接接合等の取付けを考慮し、シ
リコンと線膨張係数の近似したＦｅ−Ｎｉ合金、あるい
はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金が好ましい。第１の固定台８０
２を硼珪酸塩ガラス、又は接合面に酸化膜を付したシリ
コン、第２の固定台８０３をＦｅ−Ｎｉ合金又はＦｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金とすると、複合機能形センサチップ１０
１と第１の固定台８０２、および第２の固定台８０３は
陽極接合法により容易に接合できる。さらに、第２の固
定台８０３とハウジング２は通常の溶接接合（例えばＴ
ＩＧ溶接２はプラズマ溶接）により容易に接合される。

【００３１】複合機能形センサチップ１からの差圧又は
圧力差信号，静圧信号，温度信号の各信号はリード線８
１７、および配線板８０５を介して、ハウジング２に設
けられたハーメチックシール部８４１の端子４５により
それぞれ取出される。

【００３２】複合機能形センサチップ１０１は（１０
０）面のｎ形単結晶シリコンであり、その一方の面のほ
ぼ中央にほぼ円形又は環状の薄肉部８１１を有する。一
方、チップ１０１の他方の面は、中央に孔を有する第１
の固定台８０２により凹部813を形成する。この凹部８
１３に検出すべき圧力の一方を中央に孔を有する第２の
固定台８０３より圧力を導入する。これにより、前記薄
肉部８１１は差圧又は圧力差に感応する起歪体となり、
差圧感応ダイアフラムとして動作する。

【００３３】差圧感圧ダイアフラム８１１の上面には、
（１００）面におけるピエゾ抵抗係数が最大となる〈１
１０〉軸方向に、ｐ形ゲージ抵抗６１１〜６１４の差圧
又は圧力差抵抗がそれぞれ平行に、又は直角方向に拡散
法あるいはイオン注入法により４個形成される。前記各
抵抗６１１〜６１４の位置は差圧又は圧力差印加時に差
圧感圧ダイアフラム８１１上に発生する半径方向と周方
向の応力が最大になる固定部近傍に形成される。またそ
れらの抵抗の方向として、６１１，６１３を半径方向と
し、６１２と６１４を接線方向としている。これらの抵
抗群は図１５に示すようなブリッジに結線される。差圧
感圧ダイアフラム８１１の形状と肉厚は感応する差圧又
は圧力差により所望の形状と肉厚に設定されている。

【００３４】差圧感圧ダイアフラム８１１上の抵抗群６
１１〜６１４はダイアフラムの上面と凹部１３の圧力差
により発生する応力を受けることにより、ピエゾ抵抗効
果にてその抵抗値が変化するため、図１０の回路におけ
る５０４〜５０７の端子より差動にて取出せる。しかし
ながら、この出力は差圧感圧ダイアフラム８１１の両面
にかかる圧力が等しいときでさえ、あるいは温度が変化
したときでも感応してしまう。これらの主要因としては
第１には、６１１，６１４の抵抗値は温度の関数で変化
してしまうということである。第２には複合機能形セン
サチップ１０１は図９に示すように材質の相違する接合
を有した連続の構造体としてその機能を発揮するため、
圧力印加時には何らかの応力が必然的に発生してしまう
ということである。

【００３５】このため、本発明の一実施例では、圧力と
温度に感応する補助センサを複合機能形センサチップ１
０１上に設け、それらの信号にて差圧又は圧力差信号を
高精度に補正するようにしてある。

【００３６】図９，図１１において、複合機能形センサ
チップ１０１の前記差圧感応ダイアフラム８１１以外の
厚肉部８１２に少なくとも１個の感温抵抗６５５が形成
される。この感温抵抗は（１００）面におけるピエゾ抵
抗係数の最小感度を示す〈１００〉軸方向に配置された
ｐ形の感温抵抗であり、圧力には感応しない。この抵抗
は差圧抵抗群６１１，６１４と同様に拡散又はイオン注
入法により所定の出力が得られる抵抗値で形成される。

【００３７】一方、もう１つの補助センサである静圧セ
ンサは、前記感温抵抗６５５と同様に、センサチップ１
０１の厚肉部８１２に前記差圧抵抗群と同じ結晶軸方向
に、それぞれ平行に又は直角方向に４個の静圧抵抗群６
５１〜６５４が形成される。静圧抵抗群６５１〜６５４
のうち、６５１と６５４は前記チップ１０１の厚肉部８
１２の一部に薄肉部８１５を有する面上に形成される。
この薄肉部８１５のもう一方の面は前記第１の固定台８
０２の一方の面と凹部８２１を形成する。この凹部８２
１は接合時に完全に封止されるので、静圧と完全に分離
され、所定の圧力を有した基準圧室として動作する。一
般には、この基準圧室の圧力としては真空〜大気圧間の
所定の圧力に保持されている。これにより、厚肉部８１
２上の薄肉部８１５は静圧に感応する起歪体となり、基
準圧室の圧力と静圧との圧力差に感応する静圧感応ダイ
アフラムとして動作する。この静圧感圧ダイアフラム81
5には前記差圧感圧ダイアフラム８１１に比して数百倍
の差圧に耐える必要があるため、前記凹部８２１の形状
設定に十分注意する必要がある。

【００３８】図１２に本発明の複合機能形センサの駆動
回路を備えた差圧伝送器の信号処理回路の一実施例を示
す。複合センサ１０１は差圧と静圧と温度によるゲージ
抵抗の変化を図１５で示したように電気信号として出力
し、マルチプレクサー（MPX）７３１に選択的に取り込
まれる。

【００３９】マルチプレクサー７３１に取り込まれた各
種の信号はプログラマブルゲインアンプ（ＰＧＡ）７３
３で増幅され、次にＡ／Ｄ変換器７３４でディジタル信
号に変換され、マイクロプロセッサー（ＭＰＵ）７３０
に送信される。メモリ７３９（ＥＰＲＯＭ）には差圧，
静圧，温度センサの各特性（圧力伝送器の場合は圧力と
温度センサの各特性）が予め記憶されており、これらの
データを用いて前記マイクロプロセッサー７３０にて補
正演算することにより、高精度の差圧信号値と、静圧，
温度信号値を演算するようになっているが、この本発明
の一実施例によれば差圧，静圧センサの出力には、温度
影響が取り除かれるので、差圧，静圧，温度の各センサ
の出力を求める補正演算が簡単になる。そしてこの演算
結果は、Ｄ／Ａ変換器７３７とＶ／Ｉ変換器７３８を介
して通常のアナログ信号に変換され、ＤＣ４〜２０ｍＡ
の信号となって上位の制御装置であるコンピュータ７４
０差圧，静圧，温度信号が送出される構成となってい
る。

【００４０】また、以上の本発明の一実施例では、セン
サ励起増幅回路をアナログ回路で構成したが、本発明の
内容はこれらに限定されるものではなく、デジタル的に
励起増幅回路を構成することも可能である。図１６にこ
の本発明の一実施例を示す。差圧，静圧センサの励起電
圧の変調を可変に設定できるように温度センサからの信
号をＡ／Ｄ変換し、ＭＰＵでその変調の程度を演算す
る。そして、この結果をセンサ励起回路にフィードバッ
クすることによって、増幅度をコントロールして、差
圧，静圧センサの出力に温度影響が現われないようにし
ている。

【００４１】そして、本実施例の装置では、複合機能形
センサ１０１により求めたプロセス状態に関する情報
を、直流電流（例えばＤＣ４〜２０ｍＡ）に変換して信
号処理回路の近くに設けた表示部（図示していない）に
送ること、直流電流に情報のデジタル信号を重畳して送
ること、さらに図では示していないが信号処理回路から
直接にデジタル信号を送ることによりプロセス情報を出
力することが可能である。

【００４２】また、デジタルＩ／Ｏ回路７４０により直
流電流信号にデジタル信号を重畳して、外部に設けられ
た監視制御装置と通信を行い、この装置によりプロセス
状態に関する情報を表示し、そしてこの装置から測定レ
ンジなどパラメータの設定，変更，出力調整，入出力モ
ニタ，自己診断などを行うことができる。

【００４３】図１２に本発明の複合機能形センサの駆動
回路を備えた差圧伝送器を、プロセス状態を監視，制御
する上位機器に接続した場合のプロセス制御システムの
一実施例を示す。

【００４４】２線式伝送路９５０に接続された差圧伝送
器９３０および９４０のプロセス状態を検出した信号は
シグナルコンパレータ９１０を介してオペレータコンソ
ール７４０に接続することにより、プロセス現場から離
れた場所でも知ることができるようになる。またオペレ
ータコンソール７４０以外でも、２線式伝送路に接続さ
れたハンドルヘルドタイプ通信器９２０においてもプロ
セス状態検出器の経時変化状態を検出することが可能に
なる。

【００４５】

【発明の効果】本発明は、半導体複合センサの差圧，圧
力信号のピエゾ抵抗の温度係数による温度影響を簡単な
回路により、極めて小さくすることができ、後段の増幅
段の簡素化，高信頼化，低価格化に効果がある。

【００４６】また、センサの温度影響は、ピエゾ抵抗の
温度係数だけでなく、受圧機構部によるものも存在す
る。この場合においては、この影響が加算、あるいは減
算されることになる。本発明によれば上記のような複数
の要因による温度影響も図１の加減算回路の定数を変え
ることにより対応可能であり、大きな効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のセンサ励起回路の一実施例。

【図２】従来例の励起回路。

【図３】センサ抵抗体の一実施例。

【図４】本発明の変形例。

【図５】本発明の具体的な回路。

【図６】本発明に使用される加減算回路の一実施例。

【図７】本発明の各センサの出力図。

【図８】差圧伝送器の一実施例。

【図９】複合センサの実施例。

【図１０】複合センサの回路例。

【図１１】複合センサの平面図。

【図１２】本発明の差圧伝送器の回路構成例。

【図１３】本発明の差圧伝送器のプラント使用例。

【図１４】センサ回路の従来例。

【図１５】複合センサの出力取り出し例。

【図１６】本発明の差圧伝送器の回路の一変形例。

【符号の説明】

２…シール金具部組、４…過負荷保護ダイアフラム、５
…センタ金具、６，７…シールダイアフラム、８…固定
金具、９…増幅器取付穴、１０…固定金具取付穴、１
１，１２，１３，１４，６６…メタル、１５，１６…封
入液、１７，１８…測定流体受圧室、２０…圧力受圧部
材、２１，２２…シールダイアフラム取付け穴部、２３
…センサ部組収納穴部、２４，２５，２６，２７，６
０，６１，６２，６３…導通路、３５，３６…栓、３
７，３８…段付穴、４４…半導体差圧センサ、４５…ハ
ーメチックシールピン、４６…ＦＰＣ、４７…増幅器ケ
ース、５１，５２…シールピン、５３，５４…液封口、
２０１…第一の受圧室、２０２…第二の受圧室、２０３
…第一の隔離室、２０４…第二の隔離室、３０１…複合
機能形センサ、３０２…差圧センサ、３０３…静圧セン
サ、３０４…温度センサ、３０９…外部抵抗、９０３…
プロセス情報、７３３，７４３…プログラマブルゲイン
アンプ。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】歪により抵抗値の変化するゲージ抵抗と温
   度により抵抗値の変化する温度検出用抵抗を有する半導
   体圧力・差圧センサの前記ゲージ抵抗で抵抗ブリッジを
   形成し励起電圧源を接続し圧力または差圧を電気信号に
   変換し、前記温度検出用抵抗に電流を流し温度を電気信
   号に変換するセンサ励起方法において、前記励起電圧源
   の電圧を電気信号に変換された温度により変調させるよ
   うに成し、前記圧力・差圧検出用の抵抗ブリッジの温度
   影響を補正する手段を有することを特徴とする半導体圧
   力・差圧センサの励起方法。
2. 【請求項２】請求項１の半導体圧力・差圧センサの励起
   方法において、前記励起電圧を前記温度検出用抵抗から
   の信号をＡ／Ｄ変換し、マイクロプロセッサで変調を演
   算し、前記励起電圧をコントロールする半導体圧力・差
   圧センサの励起方法。