JPH07101093A - Glaze substrate of thermal head and production thereof - Google Patents

Glaze substrate of thermal head and production thereof

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JPH07101093A
JPH07101093A JP25168193A JP25168193A JPH07101093A JP H07101093 A JPH07101093 A JP H07101093A JP 25168193 A JP25168193 A JP 25168193A JP 25168193 A JP25168193 A JP 25168193A JP H07101093 A JPH07101093 A JP H07101093A
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JP
Japan
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glaze
layer
glaze layer
partial
substrate
Prior art date
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Application number
JP25168193A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroki Yoda
博樹 依田
Hiroshi Ito
廣 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP25168193A priority Critical patent/JPH07101093A/en
Publication of JPH07101093A publication Critical patent/JPH07101093A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a partial glaze having high dimensional accuracy, reducing the short-circuit disconnection deficiencies of fine patterns and easy to form a resistor on the top part thereof CONSTITUTION:The glaze layer of an entire surface glaze substrate is removed over the range from the surface thereof to an insulating substrate by grinding or etching so as to leave a partial glaze layer forming scheduled area being the place where the partial glaze layer is formed and this glaze substrate is baked to form the partial glaze layer 11. A glass layer with a softening point of 700-900 deg.C is formed on the surface exposed by removing glaze of the insulating substrate in thickness of 5-20mum. Further, an exposed part where an electrode forming glaze layer 24 is not formed is provided to the end part of the partial glaze layer 11, that is, the boundary part of the partial glaze layer 11 and the electrode forming glass layer and the center of the partial glaze layer 11 is easily discriminated.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明はサーマルヘッドのグレ
ーズ基板及びその製造方法、特に部分グレーズ層を備え
るサーマルヘッドのグレーズ基板を効率良く製造する製
造方法および歩留まりが向上する構造を有するグレーズ
基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a glaze substrate for a thermal head and its manufacturing method, and more particularly to a manufacturing method for efficiently manufacturing a glaze substrate for a thermal head having a partial glaze layer and a glaze substrate having a structure with improved yield.

【0002】[0002]

【従来の技術】サーマルヘッドは熱転写印字装置に用い
られ、セラミックからなる絶縁基板上には、グレーズ層
と呼ばれる一種の蓄熱層を備えている。発熱抵抗体から
なる発熱部は、このグレーズ層の上に設けられる。この
グレーズ層が設けられることにより、熱伝導率が大きい
セラミック基板に直接的に熱拡散してしまうことがなく
なり、エネルギー効率が高められる。
2. Description of the Related Art A thermal head is used in a thermal transfer printing apparatus and has a kind of heat storage layer called a glaze layer on an insulating substrate made of ceramic. A heat generating part made of a heat generating resistor is provided on the glaze layer. By providing the glaze layer, heat is not directly diffused into the ceramic substrate having high thermal conductivity, and energy efficiency is improved.

【0003】グレーズ層には、主にラインプリンタに採
用される部分グレーズ層と主にシリアルプリンタに採用
される全面グレーズ層とがあるが、いずれにしても、サ
ーマルヘッド作成の際には絶縁基板上にグレーズ層が設
けられたもの(グレーズ基板)が作成され、このグレー
ズ基板上に所定の電極が形成される。グレーズ基板に
は、幾つかの種類がある。
The glaze layer includes a partial glaze layer mainly used in a line printer and an entire glaze layer mainly used in a serial printer. In any case, an insulating substrate is used when a thermal head is manufactured. A product having a glaze layer provided thereon (glaze substrate) is prepared, and a predetermined electrode is formed on the glaze substrate. There are several types of glaze substrates.

【0004】図9は典型的な部分グレーズ基板(部分グ
レーズ層を有する基板)を示したものであり、この図に
おいて、11は部分グレーズ層、13は絶縁基板を表し
ている。この従来例に係る部分グレーズ基板には、絶縁
基板上に凸状の部分グレーズ層11のみが形成されてい
る。
FIG. 9 shows a typical partial glaze substrate (a substrate having a partial glaze layer). In FIG. 9, 11 is a partial glaze layer and 13 is an insulating substrate. In the partial glaze substrate according to this conventional example, only the convex partial glaze layer 11 is formed on the insulating substrate.

【0005】図10は、特公昭63−19358号公報
に示された別の部分グレーズ基板を示したものであり、
先の従来例と異なり、絶縁基板上には2種類の部分グレ
ーズ層が形成されている。この図において、11は凸状
の部分グレーズ層(凸状部分グレーズ層)、13は絶縁
基板、16は平坦状の部分グレーズ層(平坦状部分グレ
ーズ層)を示している。この図から明らかなように、こ
の従来例に係るグレーズ基板には、凸状部分グレーズ層
11及び平坦状部分グレーズ層16という2種類の部分
グレーズ層が絶縁基板上に別々に形成されている。
FIG. 10 shows another partial glaze substrate disclosed in Japanese Patent Publication No. 63-19358.
Unlike the conventional example described above, two types of partial glaze layers are formed on the insulating substrate. In this figure, 11 is a convex partial glaze layer (convex partial glaze layer), 13 is an insulating substrate, and 16 is a flat partial glaze layer (flat partial glaze layer). As is clear from this figure, in the glaze substrate according to this conventional example, two types of partial glaze layers, the convex partial glaze layer 11 and the flat partial glaze layer 16, are separately formed on the insulating substrate.

【0006】図11には、図10の従来例と異なり、平
坦なグレーズ層と凸状のグレーズ層とが一体となった全
面グレーズ層を絶縁基板上に有する全面グレーズ基板が
示されている。即ち、この従来例においては、絶縁基板
13の全面がグレーズ層11で覆われており、このグレ
ーズ層18は平坦部18aの一部に凸部18bを有して
いる。
Unlike the conventional example of FIG. 10, FIG. 11 shows a full-glaze substrate having a full-glaze layer in which a flat glaze layer and a convex glaze layer are integrated on an insulating substrate. That is, in this conventional example, the entire surface of the insulating substrate 13 is covered with the glaze layer 11, and the glaze layer 18 has the convex portion 18b in a part of the flat portion 18a.

【0007】グレーズ層を有する基板(グレーズ基板)
は、通常はセラミック基板からなる絶縁基板13上の形
成予定領域にガラスグレーズを印刷焼成することにより
形成することができる。ガラスグレーズの印刷・乾燥
は、必要に応じて数回繰り返される。以下に、部分グレ
ーズ基板の製造方法について説明する。
Substrate having a glaze layer (glaze substrate)
Can be formed by printing and baking glass glaze on a region to be formed on the insulating substrate 13, which is usually a ceramic substrate. Printing and drying of the glass glaze are repeated several times as needed. The method of manufacturing the partial glaze substrate will be described below.

【0008】図9に示される部分グレーズ基板は、96
%のAlを材料とした絶縁基板13上に、例
えば幅1mm程度のライン状のガラスグレーズをスクリ
ン印刷することにより作成する。ガラスグレーズの印刷
・乾燥は、必要に応じて数回繰り返す。そして、最終的
にこれを1000℃以上の炉で焼成することにより、凸
状部分グレーズ11のみを有する部分グレーズ基板を製
造することができる。一方、図10に示される部分グレ
ーズ基板は、凸状部分グレーズ11と平坦状部分グレー
ズ16の形成予定領域に印刷・乾燥を数回繰り返し、次
いでこれを1000℃以上の炉で焼成することにより作
成することができる。このようにして作成された部分グ
レーズ基板は、大体35μm〜70μm程度の厚みを有
している。
The partial glaze substrate shown in FIG. 9 is 96
% Of Al 2 O 3 as a material on the insulating substrate 13, for example, a line-shaped glass glaze with a width of about 1 mm is screen-printed. Printing and drying of the glass glaze are repeated several times as needed. Finally, by firing this in a furnace at 1000 ° C. or higher, a partial glaze substrate having only the convex partial glazes 11 can be manufactured. On the other hand, the partial glaze substrate shown in FIG. 10 is produced by repeating printing and drying several times in the regions where the convex portion glaze 11 and the flat portion glaze 16 are to be formed, and then firing this in an oven at 1000 ° C. or higher. can do. The partial glaze substrate manufactured in this way has a thickness of about 35 μm to 70 μm.

【0009】この一方で、図11に示されるような全面
グレーズ基板は、均一な厚みの全面グレーズ層を有する
全面グレーズ基板から部分的にエッチングあるいは研削
することにより当該全面グレーズ層の一部を削除し、こ
れを再焼成することにより作成することができる。具体
的には、96%のAlを材料とした絶縁基板
3の上面全体に全面グレーズ層を例えば50μm厚みに
形成し、これを、部分グレーズ層を形成する箇所を残し
て、全面グレーズの表面から絶縁基板に到達しない深さ
まで当該全面グレーズ層の一部を研削あるいはエッチン
グすることにより除去する。そして、この全面グレーズ
層の一部が除去された基板を850℃〜1200℃の温
度で再び焼成することにより、所望の幅と高さの凸部1
8bを一部に有する全面グレーズ基板が得られる。
On the other hand, a full-glaze substrate as shown in FIG. 11 is partially etched or ground from a full-glaze substrate having a full-glaze layer of uniform thickness to remove a part of the full-glaze layer. Then, it can be prepared by re-baking it. Specifically, a full-glaze layer having a thickness of, for example, 50 μm is formed on the entire upper surface of the insulating substrate 3 made of 96% Al 2 O 3 , and the whole-glaze layer is formed by leaving the place where the partial glaze layer is to be formed. A part of the entire glaze layer is removed by grinding or etching from the surface to a depth that does not reach the insulating substrate. Then, the substrate from which a part of the entire glaze layer has been removed is fired again at a temperature of 850 ° C. to 1200 ° C., so that the convex portion 1 having a desired width and height is obtained.
A whole-glaze substrate partially having 8b is obtained.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】従来の部分グレーズ基
板の製造方法は、以上のような方法であるので、印刷に
よって部分グレーズ層を作成する方法では、印刷時の設
定の狂いにより、部分グレーズの幅、位置及び平行度の
精度のズレが±40μm程度生じることがあり問題とな
っていた。また、部分グレーズ基板の場合には、表面の
平滑度が低い絶縁基板の素地の上に、直接的に微細なパ
ターン(例えば線幅10μm、線間10μm等のパター
ン)を形成することとなってしまうため、ショートや断
線不良が多発し、歩留りの悪化を招いていた。
Since the conventional method for manufacturing a partial glaze substrate is the method as described above, the method of forming a partial glaze layer by printing causes a partial glaze error due to a setting error at the time of printing. There has been a problem that the accuracy of the width, position and parallelism may deviate by about ± 40 μm. Further, in the case of the partial glaze substrate, a fine pattern (for example, a pattern having a line width of 10 μm and a space between lines of 10 μm) is directly formed on the base material of the insulating substrate having a low surface smoothness. As a result, short circuits and disconnection failures frequently occur, leading to a deterioration in yield.

【0011】一方、研削エッチングによる方法では、凸
状部分グレーズと平坦状部分グレーズの境界がわから
ず、部分グレーズ頂部への抵抗形成が困難であり、また
焼成の温度、研削精度により部分グレーズの曲率が変化
するため、品質が一定せず、歩留りも悪かった。
On the other hand, in the method of grinding etching, the boundary between the convex portion glaze and the flat portion glaze is not known, and it is difficult to form resistance on the top of the partial glaze, and the curvature of the partial glaze depends on the firing temperature and grinding accuracy. However, the quality was not constant and the yield was poor.

【0012】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、品質が均一で、精度が高い部
分グレーズを備える部分グレーズ基板を得ること、及
び、ショート・断線不良が少なく、部分グレーズ頂部へ
の抵抗形成が容易な部分グレーズ基板を得ることを目的
とする。
The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is possible to obtain a partial glaze substrate having a partial glaze of uniform quality and high accuracy, and to reduce short-circuit and disconnection defects. The purpose of the present invention is to obtain a partial glaze substrate whose resistance can be easily formed on the top of the partial glaze.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】以上のような課題を解決
するために、この発明の部分グレーズ基板の形成方法
は、研削あるいはエッチングにより、全面グレーズ基板
の部分グレーズを形成する箇所を残してグレーズ表面か
ら絶縁基板までを削除し、これを再焼成することにより
部分グレーズ基板を製造することを特徴とする。また、
グレーズを削除して露出した絶縁基板表面に例えば軟化
点700℃〜900℃のガラス層を5〜20μm形成す
ることを特徴とする。更に、前記露出した基板表面と部
分グレーズ部の境界の一部にガラス層を設けないことを
特徴とする。
In order to solve the above problems, a method of forming a partial glaze substrate according to the present invention is a method of forming a partial glaze of a full-glaze substrate by grinding or etching, and leaving a glaze. A feature is that a partial glaze substrate is manufactured by removing from the surface to the insulating substrate and re-baking. Also,
The glass layer having a softening point of 700 ° C. to 900 ° C. is formed on the exposed surface of the insulating substrate by removing the glaze from 5 to 20 μm. Further, a glass layer is not provided on a part of the boundary between the exposed substrate surface and the partial glaze portion.

【0014】即ち、本発明の請求項1に係るサーマルヘ
ッドのグレーズ基板の製造方法においては、絶縁基板上
に全面グレーズ層を形成する工程と、絶縁基板上に形成
した全面グレーズ層を部分的に除去することにより当該
絶縁基板上にグレーズ層の一部を残留させる工程と、こ
の残留したグレーズ層を焼成して前記絶縁基板上に部分
グレーズ層を形成する工程と、を含むことを特徴とす
る。
That is, in the method of manufacturing a glaze substrate for a thermal head according to claim 1 of the present invention, the step of forming an entire glaze layer on the insulating substrate and the partial glaze layer formed on the insulating substrate are partially performed. A step of leaving a part of the glaze layer on the insulating substrate by removing, and a step of firing the remaining glaze layer to form a partial glaze layer on the insulating substrate. .

【0015】請求項2に係るサーマルヘッドのグレーズ
基板の製造方法においては、絶縁基板上に全面グレーズ
層を形成する工程と、絶縁基板上に形成した全面グレー
ズ層を部分的に除去することにより当該絶縁基板上にグ
レーズ層の一部を残留させる工程と、グレーズ層が部分
的に除去されることにより露出した絶縁基板上に電極形
成用ガラス層を形成する工程と、基板全体を焼成する工
程と、を含むことを特徴とする。
In the method of manufacturing a glaze substrate for a thermal head according to a second aspect, the step of forming an entire glaze layer on the insulating substrate and the partial removal of the entire glaze layer formed on the insulating substrate A step of leaving a part of the glaze layer on the insulating substrate, a step of forming an electrode forming glass layer on the insulating substrate exposed by the partial removal of the glaze layer, and a step of baking the entire substrate. And are included.

【0016】また、本発明の請求項3に係るサーマルヘ
ッドのグレーズ基板においては、絶縁基板と、この絶縁
基板上の形成予定領域に形成される部分グレーズ層と、
この部分グレーズ層の一部を覆いかつその上に電極を形
成する電極形成用ガラス層と、を備えることを特徴とす
る。
Further, in a glaze substrate for a thermal head according to claim 3 of the present invention, an insulating substrate and a partial glaze layer formed in a region to be formed on the insulating substrate,
And a glass layer for electrode formation, which covers a part of the partial glaze layer and forms an electrode thereon.

【0017】本発明の請求項4に係るサーマルヘッドの
グレーズ基板においては、絶縁基板と、この絶縁基板上
の形成予定領域に形成される部分グレーズ層と、この部
分グレーズ層の一部を覆いかつその上に電極を形成する
電極形成用ガラス層と、部分グレーズ層の端部でかつ当
該部分グレーズ層と電極形成用ガラス層の境界部分に設
けられた露出部と、を備えることを特徴とする。
In a glaze substrate for a thermal head according to a fourth aspect of the present invention, an insulating substrate, a partial glaze layer formed in a region to be formed on the insulating substrate, and a part of the partial glaze layer are covered. An electrode forming glass layer on which an electrode is formed, and an exposed portion provided at an end portion of the partial glaze layer and at a boundary portion between the partial glaze layer and the electrode forming glass layer. .

【0018】[0018]

【作用】この発明の製造方法は、軟化点800℃〜10
00℃の非晶質グレーズを1000℃以上で焼成したグ
レーズ基板で、部分グレーズ形成予定領域のグレーズ層
を残し、サンドブラスト法、研削などの機械的な方法
や、エッチングなどの化学的方法を用いて、グレーズ層
と、グレーズ層との境界部分の絶縁基板の一部を除去す
るので、所望の曲率を得るため、900℃〜1300℃
の温度で再び焼成しても、焼成の前後で、グレーズの幅
に変化がなく、グレーズを除去する加工方法によって、
グレーズ幅、位置の精度が決定し、サンドブラスト法に
よる加工では幅公差±0.025mm以下、位置精度±
0.03mm以下が実現できる。
The manufacturing method of the present invention has a softening point of 800 ° C to 10 ° C.
A glaze substrate obtained by firing an amorphous glaze at 00 ° C. at 1000 ° C. or higher, leaving a glaze layer in a region where a partial glaze is to be formed, and using a mechanical method such as sandblasting or grinding, or a chemical method such as etching. , A part of the insulating substrate at the boundary part between the glaze layer and the glaze layer is removed, and therefore, in order to obtain a desired curvature, 900 ° C. to 1300 ° C.
Even if it is fired again at the temperature of, the width of the glaze does not change before and after firing, and depending on the processing method for removing the glaze,
The accuracy of the glaze width and position is determined, and the width tolerance is ± 0.025 mm or less in the processing by the sandblast method, and the position accuracy is ±
0.03 mm or less can be realized.

【0019】また、絶縁基板表面に軟化点700℃〜9
00℃のガラス層を5〜20μmの厚さで焼成すること
により、絶縁基板の表面粗度が改善され、例えば0.5
μmの全膜をパターニングする際にパターンショート、
断線不良が少なくなる。
The softening point of the insulating substrate surface is 700 ° C. to 9 ° C.
The surface roughness of the insulating substrate is improved by baking the glass layer at 00 ° C. to a thickness of 5 to 20 μm, for example, 0.5.
A pattern short circuit occurs when patterning the entire μm film.
Less disconnection defects.

【0020】また、部分グレーズと絶縁基板の表面の境
界に部分的にガラス層を形成しない露出部を設けること
により、部分グレーズと絶縁基板表面との境界が容易に
識別され部分グレーズの中心、すなわち部分グレーズ頂
点を特定することができ、印字効率の良い頂点に容易に
抵抗体を形成することができる。
Further, by providing an exposed portion where the glass layer is not partially formed at the boundary between the partial glaze and the surface of the insulating substrate, the boundary between the partial glaze and the surface of the insulating substrate can be easily identified, that is, the center of the partial glaze, that is, The partial glaze vertex can be specified, and the resistor can be easily formed at the vertex with good printing efficiency.

【0021】[0021]

【実施例】【Example】

(1)第一実施例 以下、この発明の実施例を図に基づいて説明する。 (1) First Embodiment Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0022】図1において、21は部分グレーズ層の形
成予定領域を示している。この実施例においては、ガラ
スグレーズを焼成して絶縁基板13上に全面グレーズ層
22を形成し、この全面グレーズ層22を、形成予定領
域21のガラスグレーズを残して除去する(図2)。除
去は、研削あるいはエッチング等により行う。この実施
例において特徴的なことは、図2の断面図に示されるよ
うに、形成予定領域21以外のガラスグレーズとその下
の絶縁基板13とを共に除去することである。形成予定
領域21のガラスグレーズが残された後、この加工した
グレーズ基板を900℃〜1300℃で再び焼成する。
すると、図3に示されるように、所望の高さと曲率をも
つ加工精度のよい凸状部分グレーズ層11が絶縁基板1
3上に形成される。
In FIG. 1, reference numeral 21 denotes a region where the partial glaze layer is to be formed. In this embodiment, the glass glaze is fired to form the entire surface glaze layer 22 on the insulating substrate 13, and the entire surface glaze layer 22 is removed leaving the glass glaze in the planned formation region 21 (FIG. 2). The removal is performed by grinding or etching. A feature of this embodiment is that, as shown in the cross-sectional view of FIG. 2, the glass glaze other than the formation target region 21 and the insulating substrate 13 thereunder are removed together. After the glass glaze in the planned formation region 21 is left, the processed glaze substrate is fired again at 900 ° C to 1300 ° C.
Then, as shown in FIG. 3, the convex partial glaze layer 11 having a desired height and curvature and good processing accuracy is formed on the insulating substrate 1.
3 is formed on.

【0023】具体的に説明すると、本実施例に係る部分
グレーズ基板の製造方法においては、まず、96%のA
を材料とする絶縁基板13上に全面グレー
ズ層22を形成する。そして、次に将来凸状部分グレー
ズ層11となる形成予定領域21のみを残すために、当
該形成予定領域21以外のグレーズ層と絶縁基板13の
一部をサンドブラスト法などの研削やエッチング法など
により除去する。その後、900℃〜1300℃でこれ
を焼成する。ここで、従来のように、絶縁基板13の表
面の全体に渡ってグレーズ層を残したまま焼成すると
(例えば、図11に示される全面グレーズ基板)、焼成
時に部分グレーズが広がったり、うねったりするため精
度よい部分グレーズが得られない。また、部分グレーズ
と平坦部グレーズが連続しているため、光学的に部分グ
レーズの中心(頂部)を見付け難いので、抵抗体形成が
困難である。従って、本実施例においては、従来とは異
なり、絶縁基板13の一部をも除去することにより、形
成予定領域21以外のガラスグレーズを絶縁基板13上
から完全に除去する。
Specifically, in the method of manufacturing the partial glaze substrate according to this embodiment, first, 96% of A
The entire glaze layer 22 is formed on the insulating substrate 13 made of l 2 O 3 . Then, in order to leave only the formation planned region 21 which will become the convex partial glaze layer 11 in the future, the glaze layer other than the formation planned region 21 and a part of the insulating substrate 13 are ground or etched by a sand blast method or the like. Remove. Then, it is baked at 900 ° C to 1300 ° C. Here, if the baking is performed with the glaze layer left over the entire surface of the insulating substrate 13 (for example, the entire surface glaze substrate shown in FIG. 11) as in the conventional case, the partial glaze may spread or wavy during baking. Therefore, accurate partial glaze cannot be obtained. Further, since the partial glaze and the flat portion glaze are continuous, it is difficult to optically find the center (top portion) of the partial glaze, and thus it is difficult to form the resistor. Therefore, in the present embodiment, unlike the prior art, by removing a part of the insulating substrate 13 as well, the glass glaze other than the formation scheduled region 21 is completely removed from the insulating substrate 13.

【0024】ここで、本実施例に係る製造方法では、グ
レーズ層と絶縁基板の一部をサンドブラスト法などの研
削やエッチング法などにより除去している。このサンド
ブラスト法としては、絶縁基板13上の全面グレーズ層
22上に、例えば100μm厚の感光性のフィルム(例
えばドライフィルム)を付着させ、上面より部分グレー
ズ幅の範囲をマスクにて遮蔽し感光させ、グレーズ層2
2の除去部分のフィルムを取り除く。次いで、例えば#
300程度、もしくは粒径数μmのSiCまたはAl
の粒子を上面より高圧噴射する。これにより
フィルムのない部分のグレーズ層は削られる。この時、
前記フィルム自体は弾力性があるので、SiCやAl
等の粒子では削られにくく、クレーズ層加工
のマスクとなり、所望の形状加工ができる。因みに、フ
ッ硝酸を用いるガラスエッチング方法では、レジスト材
料が所望のグレーズ層エッチング時間に耐えられるもの
があまりなく難しいが、上記サンドブラスト法では、ド
ライフィルムを用いるので加工が容易である。
Here, in the manufacturing method according to this embodiment, a part of the glaze layer and the insulating substrate is removed by grinding such as sandblasting or etching. As the sandblasting method, for example, a 100 μm-thick photosensitive film (for example, a dry film) is attached on the entire surface glaze layer 22 on the insulating substrate 13, and a range of the partial glaze width from the upper surface is shielded by a mask to expose it. , Glaze layer 2
2. Remove the film in the removed part. Then for example #
SiC or Al with a particle size of about 300 or a few μm
2 O 3 particles are jetted under high pressure from above. As a result, the glaze layer in the part without the film is scraped. This time,
Since the film itself is elastic, SiC or Al
Particles such as 2 O 3 are hard to be scraped, and serve as a mask for craze layer processing, and desired shape processing can be performed. Incidentally, in the glass etching method using hydrofluoric nitric acid, it is difficult that the resist material can withstand the desired etching time for the glaze layer, but it is difficult. However, in the sandblasting method, a dry film is used, so that the processing is easy.

【0025】・電極形成用ガラス層の付加 以上説明したように、本発明の第一実施例に係る部分グ
レーズ基板の製造方法は、研削あるいはエッチング等に
より形成予定領域21以外のガラスグレーズとその下の
絶縁基板13とを共に除去し、これを再焼成することに
より、凸状部分グレーズ層11を有する部分グレーズ基
板を製造する。
Addition of Glass Layer for Electrode Formation As described above, in the method for manufacturing a partial glaze substrate according to the first embodiment of the present invention, the glass glaze other than the area 21 to be formed and the lower portion thereof are formed by grinding or etching. The insulating substrate 13 and the insulating substrate 13 are removed and re-fired to manufacture a partial glaze substrate having the convex partial glaze layer 11.

【0026】ここで、従来、例えば図11に示されるよ
うに、絶縁基板13の表面の全体に渡ってグレーズ層を
残したまま焼成したのは、全面グレーズ層上にリード電
極等を形成するためである。即ち、グレーズ層を残さな
かった場合には、平滑度の低い絶縁基板13上にそのま
まリード電極等を形成することになり、精度上の問題が
生じるからである。
Here, conventionally, for example, as shown in FIG. 11, firing is performed with the glaze layer left over the entire surface of the insulating substrate 13 in order to form a lead electrode or the like on the entire glaze layer. Is. That is, when the glaze layer is not left, the lead electrode and the like are directly formed on the insulating substrate 13 having low smoothness, which causes a problem in accuracy.

【0027】実施例においては絶縁基板13までもが除
去され、必然的に絶縁基板13が露出してしまうことと
なるが、この絶縁基板13上に直接的にリード電極等を
形成するのを避けるために、図4に示されるように、上
記のような凸状部分グレーズ層11の他に、絶縁基板1
3上に、電極を形成するためのガラス層(電極形成用ガ
ラス層24)を形成する。
In the embodiment, even the insulating substrate 13 is removed, and the insulating substrate 13 is inevitably exposed. However, it is avoided to directly form the lead electrode or the like on the insulating substrate 13. Therefore, as shown in FIG. 4, in addition to the convex partial glaze layer 11 as described above, the insulating substrate 1
A glass layer (electrode forming glass layer 24) for forming an electrode is formed on 3.

【0028】即ち、図4において、絶縁基板13上に
は、凸状部分グレーズ層11の他にこれに隣接して電極
形成用ガラス層24を形成し、この電極形成用ガラス層
24上にリード電極25を形成している。また、図5
は、電極形成前に図4の基板を上面から見た図である。
この図5に示されるように、本実施例においては、凸状
部分グレーズ層11の端部でかつ凸状部分グレーズ層1
1と電極形成用ガラス層24の境界部分に、ガラス層で
覆われていない露出部27を設けている。この露出部2
7を設けたのは、凸状部分グレーズ層11と電極形成用
ガラス層24の境界を判別し易くするためである。露出
部27の形状は、図5のような四角形状に限られず、判
別し易い形状であれば、あらゆる形状を採用することが
できる。
That is, in FIG. 4, an electrode forming glass layer 24 is formed adjacent to the convex portion glaze layer 11 on the insulating substrate 13, and leads are formed on the electrode forming glass layer 24. The electrode 25 is formed. Also, FIG.
[Fig. 5] is a view of the substrate of Fig. 4 seen from above before electrode formation.
As shown in FIG. 5, in the present embodiment, the convex partial glaze layer 1 is at the end of the convex partial glaze layer 11.
An exposed portion 27 that is not covered with the glass layer is provided at the boundary between the glass layer 24 for electrode formation and the electrode layer 1. This exposed part 2
7 is provided to make it easier to distinguish the boundary between the convex-shaped glaze layer 11 and the electrode forming glass layer 24. The shape of the exposed portion 27 is not limited to the quadrangular shape as shown in FIG. 5, and any shape that can be easily discriminated can be adopted.

【0029】電極形成用ガラス層24を備えるグレーズ
基板を製造するためには、凸状部分グレーズ層11以外
の絶縁基板13表面であってリード電極25を形成する
予定の部分には、軟化点700℃〜900℃のガラスペ
ーストを印刷焼成して膜厚5〜20μmのガラス層を形
成するようにする。このガラス層は、部分グレーズの一
部に掛りこれを覆うように形成する。このようにすれ
ば、平滑度の低い絶縁基板13上に直接リード電極等を
形成することがなくなり、精度上の問題が生じなくな
る。
In order to manufacture a glaze substrate having the electrode forming glass layer 24, a softening point 700 is formed on the surface of the insulating substrate 13 other than the convex-shaped glaze layer 11 where the lead electrode 25 is to be formed. The glass paste at a temperature of from 900 to 900 ° C. is printed and fired to form a glass layer having a thickness of 5 to 20 μm. This glass layer is formed so as to cover a part of the partial glaze. By doing so, the lead electrodes and the like are not directly formed on the insulating substrate 13 having low smoothness, and the problem of accuracy does not occur.

【0030】・サーマルヘッドの品質評価 96%のAlからなる絶縁基板13の表面粗
度Raは0.2〜0.3μmであるが、ガラス層を形成
することによりRa=0.05になる。そして、ファイ
ンパターンを形成した場合のショート・断線の発生件数
は図6のように減少する。
Quality evaluation of thermal head The surface roughness Ra of the insulating substrate 13 made of 96% Al 2 O 3 is 0.2 to 0.3 μm, but Ra = 0.05 by forming the glass layer. become. Then, the number of occurrences of short-circuiting / disconnection when a fine pattern is formed is reduced as shown in FIG.

【0031】また、凸状部分グレーズ層11の端部でか
つ凸状部分グレーズ層11と電極形成用ガラス層24の
境界部分の一部を残して膜厚5〜20μmのガラス層を
形成することにより、露出部27が形成される。そし
て、既に説明したように、部分グレーズと基板表面の識
別が露出部27にて容易になり、部分グレーズ頂点(即
ち中心)が容易に判別でき、精度よく部分グレーズ頂部
に抵抗体を形成できるようになるため、高画質のサーマ
ルヘッドを得ることができる。
Further, a glass layer having a film thickness of 5 to 20 μm is formed by leaving an edge portion of the convex partial glaze layer 11 and a part of a boundary portion between the convex partial glaze layer 11 and the electrode forming glass layer 24. Thus, the exposed portion 27 is formed. Then, as described above, the partial glaze and the substrate surface can be easily distinguished at the exposed portion 27, the partial glaze vertex (that is, the center) can be easily discriminated, and the resistor can be accurately formed on the partial glaze top. Therefore, a high quality thermal head can be obtained.

【0032】(2)第二実施例 図7は、凸状部分グレーズ層11、平坦状部分グレーズ
層16及び電極形成用ガラス層24を備えた第二実施例
に係る部分グレーズ基板を示す断面図である。第一実施
例では凸状部分グレーズ層11を製造したが、第一実施
例よりも形成予定領域21を広くするだけで、平坦状部
分グレーズ層16を有する部分グレーズ基板を形成する
ことができる。平坦状部分グレーズ層16の厚みを調整
したい場合には、最初に絶縁基板13上に形成する全面
グレーズ層22の厚みを調整することにより、容易に行
うことができる。
(2) Second Embodiment FIG. 7 is a sectional view showing a partial glaze substrate according to a second embodiment having a convex partial glaze layer 11, a flat partial glaze layer 16 and an electrode forming glass layer 24. Is. Although the convex partial glaze layer 11 is manufactured in the first embodiment, a partial glaze substrate having the flat partial glaze layer 16 can be formed only by widening the formation scheduled region 21 as compared with the first embodiment. When it is desired to adjust the thickness of the flat partial glaze layer 16, it can be easily performed by first adjusting the thickness of the entire surface glaze layer 22 formed on the insulating substrate 13.

【0033】(3)第三実施例 上記第一及び第二実施例では、サーマルヘッドの発熱抵
抗体形成下部の部分グレーズ基板の製造方法とそれによ
り製造されるグレーズ基板について説明した。本第三実
施例に係るグレーズ基板は、図8に示すように、パター
ンの位置合わせを行うための位置合せ用パターン28を
設けたことを特徴とする。位置合せ用パターン28は、
絶縁基板13上にサンブラスト法により、部分グレーズ
層11の形成と同時に形成する。このように、位置合せ
用パターン28を設けることにより、例えばサーマルヘ
ッドの導体パターンと部分グレーズの位置合わせや、部
分グレーズと発熱抵抗体の位置合わせを、パターン認識
にて自動的に行うことができ、よりサーマルヘッドの製
造歩留りを向上させることができる。なお、位置合せパ
ターン28は、特に限定はしないが、小さい方が精度が
向上する。また、位置合せパターン28は、単独で設け
るよりも、図8に示すように絶縁基板13の両端部に設
けることにより、平行度のズレをより小さくすることが
できるようになる。
(3) Third Embodiment In the above first and second embodiments, the method of manufacturing the partial glaze substrate under the heating resistor forming portion of the thermal head and the glaze substrate manufactured by the method have been described. The glaze substrate according to the third embodiment is characterized in that an alignment pattern 28 for aligning the patterns is provided, as shown in FIG. The alignment pattern 28 is
The partial glaze layer 11 is formed simultaneously with the formation of the partial glaze layer 11 on the insulating substrate 13 by the sun blast method. By thus providing the alignment pattern 28, for example, the alignment of the conductor pattern of the thermal head and the partial glaze, or the alignment of the partial glaze and the heating resistor can be automatically performed by pattern recognition. Therefore, the manufacturing yield of the thermal head can be improved. The alignment pattern 28 is not particularly limited, but the smaller the size, the higher the accuracy. Further, by providing the alignment patterns 28 at both ends of the insulating substrate 13 as shown in FIG. 8, it is possible to further reduce the deviation in parallelism, as compared with the case where the alignment patterns 28 are provided alone.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、グレーズ層の一部を絶縁基板まで研削・除去したの
で、精度の高い部分グレーズサーマルヘッドを得られ
る。
As described above, according to the present invention, a part of the glaze layer is ground and removed up to the insulating substrate, so that a highly accurate partial glaze thermal head can be obtained.

【0035】また、部分グレーズ層の一部を覆い、か
つ、その上に電極を形成するための軟化点700℃〜9
00℃のガラス層を5〜20μmの厚さで形成するの
で、表面粗度が改善され、パターンのショート断線不良
が減少する。
Further, a softening point for covering a part of the partial glaze layer and forming an electrode thereon is 700 ° C. to 9 ° C.
Since the glass layer at 00 ° C. is formed to have a thickness of 5 to 20 μm, the surface roughness is improved and the short circuit disconnection defect of the pattern is reduced.

【0036】更に、部分グレーズ層の端部でかつ当該部
分グレーズ層と電極形成用ガラス層の境界部分に、ガラ
ス層を形成しない露出部を設けたため、部分グレーズ層
の中心の判別を容易に行うことができ、これによら発熱
部を定位置に容易に設けることができる。
Further, since the exposed portion where the glass layer is not formed is provided at the end of the partial glaze layer and at the boundary between the partial glaze layer and the electrode forming glass layer, the center of the partial glaze layer can be easily identified. Therefore, the heat generating portion can be easily provided at a fixed position.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第一実施例を示す部分グレーズ基板の
断面図であり、ガラスグレーズを除去する前の状態を示
した図である。
FIG. 1 is a sectional view of a partial glaze substrate showing a first embodiment of the present invention, showing a state before removing a glass glaze.

【図2】本発明の第一実施例を示す部分グレーズ基板の
加工前断面図であり、ガラスグレーズと絶縁基板の一部
を除去した後の状態を示した図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a partial glaze substrate before processing showing a first embodiment of the present invention, showing a state after the glass glaze and a part of the insulating substrate are removed.

【図3】本発明の第一実施例を示す部分グレーズ基板の
加工前断面図であり、図2の基板を焼成した後の状態を
示した図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a partial glaze substrate before processing showing a first embodiment of the present invention, showing a state after the substrate of FIG. 2 is baked.

【図4】電極形成用ガラス層を備える部分グレーズ基板
の断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a partial glaze substrate including an electrode forming glass layer.

【図5】電極形成前に、図4の基板を上面から見た平面
図である。
FIG. 5 is a plan view of the substrate of FIG. 4 seen from above, before forming electrodes.

【図6】この発明の実施品の未実施品のショート・断線
不良発生件数の比較結果を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a comparison result of the numbers of occurrences of short circuit / disconnection defects of non-implemented products of the present invention.

【図7】この発明の第二実施例に係る部分グレーズ基板
の断面図である。
FIG. 7 is a sectional view of a partial glaze substrate according to a second embodiment of the present invention.

【図8】この発明の第三実施例に係る部分グレーズ基板
を示す図であり、特に、図8(a)は平面図、図8
(b)はI−I断面図、図8(c)はII−IIの断面図で
ある。
8A and 8B are views showing a partial glaze substrate according to a third embodiment of the present invention, and particularly, FIG. 8A is a plan view and FIG.
8B is a sectional view taken along line I-I, and FIG. 8C is a sectional view taken along line II-II.

【図9】従来の部分グレーズ基板の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a conventional partial glaze substrate.

【図10】従来の部分グレーズ基板の断面図である。FIG. 10 is a sectional view of a conventional partial glaze substrate.

【図11】従来の部分グレーズ基板の断面図である。FIG. 11 is a sectional view of a conventional partial glaze substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 凸状部分グレーズ層 13 絶縁基板 16 平坦状部分グレーズ層 21 形成予定領域 22 全面グレーズ層 24 電極形成用ガラス層 25 リード電極 27 露出部 28 位置合せパターン 11 Convex Partial Glaze Layer 13 Insulating Substrate 16 Flat Partial Glaze Layer 21 Planned Region 22 Full Surface Glaze Layer 24 Electrode Forming Glass Layer 25 Lead Electrode 27 Exposed Part 28 Positioning Pattern

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁基板上に全面グレーズ層を形成する
工程と、 絶縁基板上に形成した全面グレーズ層を部分的に除去す
ることにより当該絶縁基板上にグレーズ層の一部を残留
させる工程と、 この残留したグレーズ層を焼成して前記絶縁基板上に部
分グレーズ層を形成する工程と、 を含むことを特徴とするサーマルヘッドのグレーズ基板
の製造方法。
1. A step of forming an entire glaze layer on an insulating substrate, and a step of partially removing the entire glaze layer formed on the insulating substrate to leave a part of the glaze layer on the insulating substrate. And a step of firing the remaining glaze layer to form a partial glaze layer on the insulating substrate, the manufacturing method of the glaze substrate of the thermal head.
【請求項2】 絶縁基板上に全面グレーズ層を形成する
工程と、 絶縁基板上に形成した全面グレーズ層を部分的に除去す
ることにより当該絶縁基板上にグレーズ層の一部を残留
させる工程と、 グレーズ層が部分的に除去されることにより露出した絶
縁基板上に電極形成用ガラス層を形成する工程と、 基板全体を焼成する工程と、 を含むことを特徴とするサーマルヘッドのグレーズ基板
の製造方法。
2. A step of forming an entire glaze layer on the insulating substrate, and a step of partially removing the entire glaze layer formed on the insulating substrate to leave a part of the glaze layer on the insulating substrate. A step of forming a glass layer for forming an electrode on an insulating substrate exposed by partially removing the glaze layer, and a step of baking the entire substrate; Production method.
【請求項3】 絶縁基板と、 この絶縁基板上の形成予定領域に形成される部分グレー
ズ層と、 この部分グレーズ層の一部を覆い、かつ、その上に電極
を形成する電極形成用ガラス層と、 を備えるサーマルヘッドのグレーズ基板。
3. An insulating substrate, a partial glaze layer formed in a region to be formed on the insulating substrate, and a glass layer for electrode formation which covers a part of the partial glaze layer and forms an electrode thereon. And a glaze board for a thermal head.
【請求項4】 絶縁基板と、 この絶縁基板上の形成予定領域に形成される部分グレー
ズ層と、 この部分グレーズ層の一部を覆い、かつ、その上に電極
を形成する電極形成用ガラス層と、 部分グレーズ層の端部でかつ当該部分グレーズ層と電極
形成用ガラス層の境界部分に設けられた露出部と、 を備えるサーマルヘッドのグレーズ基板。
4. An insulating substrate, a partial glaze layer formed in a region to be formed on the insulating substrate, and a glass layer for electrode formation which covers a part of the partial glaze layer and forms an electrode thereon. A glaze substrate for a thermal head, comprising: an exposed portion provided at an end of the partial glaze layer and at a boundary portion between the partial glaze layer and the electrode forming glass layer.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019064122A (en) * 2017-09-29 2019-04-25 京セラ株式会社 Thermal head and thermal printer

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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