JPH0695153A - アクティブマトリックス液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリックス液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH0695153A JPH0695153A JP24817892A JP24817892A JPH0695153A JP H0695153 A JPH0695153 A JP H0695153A JP 24817892 A JP24817892 A JP 24817892A JP 24817892 A JP24817892 A JP 24817892A JP H0695153 A JPH0695153 A JP H0695153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- pixel electrodes
- pixel electrode
- display device
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶表示装置の明るさを低下させることな
く、高コントラストで表示のムラがない均一な画質を提
供する。 【構成】 データ線と画素電極間の距離及び、走査線と
画素電極間の距離を各配線と画素電極間の横方向の電界
強度及び液晶分子の回転方向と上下基板のラビング方向
に応じて異ならせる。
く、高コントラストで表示のムラがない均一な画質を提
供する。 【構成】 データ線と画素電極間の距離及び、走査線と
画素電極間の距離を各配線と画素電極間の横方向の電界
強度及び液晶分子の回転方向と上下基板のラビング方向
に応じて異ならせる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリックス
液晶表示装置に関する。
液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にアクティブマトリックス液晶表示
装置は、一対の基板間に液晶を保持し、該基板上に液晶
の電気光学効果を制御する手段として、能動スイッチン
グ素子、データ線、走査線及び画素電極をマトリックス
状に形成した構造からなり、従来のアクティブマトリッ
クス液晶表示装置は、開口率を少しでも高くして明るい
表示を得るために、データ線と画素電極間の距離及び、
走査線と画素電極間の距離は、製造プロセスで許容され
る最小のパターンルールによって決まり、その距離は等
しいものであった。
装置は、一対の基板間に液晶を保持し、該基板上に液晶
の電気光学効果を制御する手段として、能動スイッチン
グ素子、データ線、走査線及び画素電極をマトリックス
状に形成した構造からなり、従来のアクティブマトリッ
クス液晶表示装置は、開口率を少しでも高くして明るい
表示を得るために、データ線と画素電極間の距離及び、
走査線と画素電極間の距離は、製造プロセスで許容され
る最小のパターンルールによって決まり、その距離は等
しいものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では、画素数が増加し画素ピッチが高精細化するのに
伴って、開口率を少しでも高くするために、データ線と
画素電極間の距離及び、走査線と画素電極間の距離を縮
めなければならない。このため、従来のアクティブマト
リックス液晶表示装置は各配線と画素電極間の横方向の
電界が強まり、液晶分子のリバースチルトディスクリネ
ーションが生じてしまい、コントラストの低下や表示の
ムラとなってしまい、著しく表示品質を低下させてしま
うという課題を有する。
術では、画素数が増加し画素ピッチが高精細化するのに
伴って、開口率を少しでも高くするために、データ線と
画素電極間の距離及び、走査線と画素電極間の距離を縮
めなければならない。このため、従来のアクティブマト
リックス液晶表示装置は各配線と画素電極間の横方向の
電界が強まり、液晶分子のリバースチルトディスクリネ
ーションが生じてしまい、コントラストの低下や表示の
ムラとなってしまい、著しく表示品質を低下させてしま
うという課題を有する。
【０００４】そこで本発明は、このような課題を解決す
るもので、その目的とするところは、明るく、高コント
ラストで表示のムラがない、均一で高画質を有するアク
ティブマトリックス液晶表示装置を得るところにある。
るもので、その目的とするところは、明るく、高コント
ラストで表示のムラがない、均一で高画質を有するアク
ティブマトリックス液晶表示装置を得るところにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リックス液晶表示装置は、一対の基板間に液晶を保持
し、該基板上に液晶の電気光学効果を制御する手段とし
て、能動スイッチング素子、データ線、走査線及び画素
電極をマトリックス状に形成したアクティブマトリック
ス液晶表示装置において、データ線と画素電極間の距離
及び、走査線と画素電極間の距離を各配線と画素電極間
の横方向の電界強度及び液晶分子の回転方向と上下基板
のラビング方向に応じて異ならせたことを特徴とする。
リックス液晶表示装置は、一対の基板間に液晶を保持
し、該基板上に液晶の電気光学効果を制御する手段とし
て、能動スイッチング素子、データ線、走査線及び画素
電極をマトリックス状に形成したアクティブマトリック
ス液晶表示装置において、データ線と画素電極間の距離
及び、走査線と画素電極間の距離を各配線と画素電極間
の横方向の電界強度及び液晶分子の回転方向と上下基板
のラビング方向に応じて異ならせたことを特徴とする。
【０００６】
【実施例】本発明の実施例を以下図面に基づいて説明す
る。図１は本発明のアクティブマトリックス液晶表示装
置の上視図、図１は本発明のアクティブマトリックス液
晶表示装置の断面図である。
る。図１は本発明のアクティブマトリックス液晶表示装
置の上視図、図１は本発明のアクティブマトリックス液
晶表示装置の断面図である。
【０００７】まず、透明基板１０上に液晶の電気光学特
性を制御するための手段として、ポリシリコン薄膜トラ
ンジスター６、データ線１、２、走査線３、４及び画素
電極５を下記（１）〜（９）の工程により形成する。
性を制御するための手段として、ポリシリコン薄膜トラ
ンジスター６、データ線１、２、走査線３、４及び画素
電極５を下記（１）〜（９）の工程により形成する。
【０００８】（１） チャンネル部となるポリシリコン
膜を減圧ＣＶＤにより形成し、パターニングする。
膜を減圧ＣＶＤにより形成し、パターニングする。
【０００９】（２） 熱酸化法によりゲート酸化膜を形
成する。
成する。
【００１０】（３） 走査線３、４となるポリシリコン
膜を３５００Åの膜厚となるように減圧ＣＶＤで形成
し、パターニングする。
膜を３５００Åの膜厚となるように減圧ＣＶＤで形成
し、パターニングする。
【００１１】（４） リンイオンを打ち込みソース、ド
レイン領域を形成する。
レイン領域を形成する。
【００１２】（５） 層間絶縁膜としてＳｉＯ2 膜をＣ
ＶＤ法により形成する。
ＶＤ法により形成する。
【００１３】（６） 層間絶縁膜をパターニングしてコ
ンタクトホールを開口する。
ンタクトホールを開口する。
【００１４】（７） データ線１、２となるＡｌ膜を６
０００Åとなるようにスパッタ法にて形成し、パターニ
ングする。
０００Åとなるようにスパッタ法にて形成し、パターニ
ングする。
【００１５】（８） 画素電極５となるＩＴＯ膜を２０
００Åの膜厚となるようにスパッタ法にて形成し、パタ
ーニングする。
００Åの膜厚となるようにスパッタ法にて形成し、パタ
ーニングする。
【００１６】（９） 保護膜としてＳｉＯ2 膜を２００
０Åの膜厚となるようにスパッタ法にて形成し、実装端
子部及び画素電極部をパターニングして開口する。
０Åの膜厚となるようにスパッタ法にて形成し、実装端
子部及び画素電極部をパターニングして開口する。
【００１７】ここで、以下の理由により画素電極５と各
配線間の距離ａ、ｂ、ｃ、ｄを下記〜となるように
設定した。
配線間の距離ａ、ｂ、ｃ、ｄを下記〜となるように
設定した。
【００１８】本実施例では、ツイストネマティックの液
晶モードを用い、セルパラメーターを次のように設定し
た。左回りの液晶を用いて、ラビング方向を透明基板１
０側を下側基板のラビング方向１２にし、透明基板１１
側を上側基板のラビング方向１３にする。この場合リバ
ースチルトディスクリネーションの発生領域はデータ線
１と画素電極５の間が一番大きくなるためデータ線１と
画素電極５間の距離ａを大きくとる必要がある。
晶モードを用い、セルパラメーターを次のように設定し
た。左回りの液晶を用いて、ラビング方向を透明基板１
０側を下側基板のラビング方向１２にし、透明基板１１
側を上側基板のラビング方向１３にする。この場合リバ
ースチルトディスクリネーションの発生領域はデータ線
１と画素電極５の間が一番大きくなるためデータ線１と
画素電極５間の距離ａを大きくとる必要がある。
【００１９】また本実施例では、電位差、段差ともデー
タ線１、２と画素電極５間の方が走査線３、４と画素電
極５間より大きいので、横方向の電界強度は、データ線
１、２と画素電極５間の方が強くなり、リバースチルト
ディスクリネーションの発生領域も大きくなるためデー
タ線１、３と画素電極５間の距離ａ、ｃを走査線３、４
と画素電極５間の距離ｂ、ｄより大きくとる必要があ
る。
タ線１、２と画素電極５間の方が走査線３、４と画素電
極５間より大きいので、横方向の電界強度は、データ線
１、２と画素電極５間の方が強くなり、リバースチルト
ディスクリネーションの発生領域も大きくなるためデー
タ線１、３と画素電極５間の距離ａ、ｃを走査線３、４
と画素電極５間の距離ｂ、ｄより大きくとる必要があ
る。
【００２０】 データ線１と画素電極５間の距離 ａ
＝７μｍ 走査線３と画素電極５間の距離 ｂ＝３μｍ データ線２と画素電極５間の距離 ｃ＝５μｍ 走査線４と画素電極５間の距離 ｄ＝４μｍ 次に透明基板１１上に遮光層７、カラーフィルター層８
及び共通電極９を形成し、透明基板１０と透明基板１１
を下記（１０）〜（１５）の手順で貼り合わせ、液晶を
封入して液晶表示装置を得た。
＝７μｍ 走査線３と画素電極５間の距離 ｂ＝３μｍ データ線２と画素電極５間の距離 ｃ＝５μｍ 走査線４と画素電極５間の距離 ｄ＝４μｍ 次に透明基板１１上に遮光層７、カラーフィルター層８
及び共通電極９を形成し、透明基板１０と透明基板１１
を下記（１０）〜（１５）の手順で貼り合わせ、液晶を
封入して液晶表示装置を得た。
【００２１】（１０） 透明基板１０及び１１にそれぞ
れ配向膜としてポリイミドをスピンコート法により塗布
した後、１８０℃で焼成する。
れ配向膜としてポリイミドをスピンコート法により塗布
した後、１８０℃で焼成する。
【００２２】（１１） 配向膜を形成した透明基板１
０、１１の表面を図１（ａ）に示したラビング方向１
２、１３となるようにそれぞれラビング処理する。
０、１１の表面を図１（ａ）に示したラビング方向１
２、１３となるようにそれぞれラビング処理する。
【００２３】（１２） 透明基板１０上にエポキシ樹脂
とグラスファイバーからなるシール材１４をスクリーン
印刷法にて印刷する。
とグラスファイバーからなるシール材１４をスクリーン
印刷法にて印刷する。
【００２４】（１３） 透明基板１０、１１をシール材
を介して貼り合わせ、各配線と遮光層が精度よく合わさ
るようにアライメントマークを用いてアライメントす
る。
を介して貼り合わせ、各配線と遮光層が精度よく合わさ
るようにアライメントマークを用いてアライメントす
る。
【００２５】（１４） 所定のセル厚になるまで十分加
圧しながらシール材を加熱硬化させる。
圧しながらシール材を加熱硬化させる。
【００２６】本実施例では、セル厚は４μｍとなるよう
に設定したが、リバースチルトディスクリネーションを
十分に抑えるためには、セル厚を各配線と画素電極間の
距離の２倍以上にするのが望ましい。
に設定したが、リバースチルトディスクリネーションを
十分に抑えるためには、セル厚を各配線と画素電極間の
距離の２倍以上にするのが望ましい。
【００２７】（１５） 貼り合わせた一対の透明基板１
０、１１の間隙に液晶１４を真空封入した後に封入口を
封止し、液晶１４の等方処理を行う。
０、１１の間隙に液晶１４を真空封入した後に封入口を
封止し、液晶１４の等方処理を行う。
【００２８】ここで、横方向の電界強度が高い場合使用
する配向剤はチルト角が高くできるものがよく、ラビン
グの条件によりチルト角は５〜１２゜に設定する。
する配向剤はチルト角が高くできるものがよく、ラビン
グの条件によりチルト角は５〜１２゜に設定する。
【００２９】また、一対の透明基板１０、１１をアライ
メントする際に遮光層７はリバースチルトディスクリネ
ーションが発生する領域が広い方にずらしておいたほう
がよい。あるいは、設計時に遮光層７がリバースチルト
ディスクリネーションを完全に覆うようにした方がよ
い。
メントする際に遮光層７はリバースチルトディスクリネ
ーションが発生する領域が広い方にずらしておいたほう
がよい。あるいは、設計時に遮光層７がリバースチルト
ディスクリネーションを完全に覆うようにした方がよ
い。
【００３０】
【発明の効果】本発明は以上説明したように、データ線
と画素電極間の距離及び、走査線と画素電極間の距離を
電位差や段差によって決まる各配線と画素電極間の横方
向の電界強度及び液晶分子の回転方向と上下基板のラビ
ング方向に応じて異ならせたことにより、リバースチル
トディスクリネーションの発生を抑えるとともに、電界
強度が低い部分の間隔は狭くできることにより開口率の
低下を最小限に抑えることができ、明るく、高コントラ
ストで表示のムラがない、均一で高画質を有するアクテ
ィブマトリックス液晶表示装置を得ることができた。
と画素電極間の距離及び、走査線と画素電極間の距離を
電位差や段差によって決まる各配線と画素電極間の横方
向の電界強度及び液晶分子の回転方向と上下基板のラビ
ング方向に応じて異ならせたことにより、リバースチル
トディスクリネーションの発生を抑えるとともに、電界
強度が低い部分の間隔は狭くできることにより開口率の
低下を最小限に抑えることができ、明るく、高コントラ
ストで表示のムラがない、均一で高画質を有するアクテ
ィブマトリックス液晶表示装置を得ることができた。
【図１】本発明のアクティブマトリックス液晶表示装置
の上視図である。
の上視図である。
【図２】本発明のアクティブマトリックス液晶表示装置
の断面図である。
の断面図である。
１、２ データ線 ３、４ 走査線 ５ 画素電極 ６ ポリシリコン薄膜トランジスター ７ 遮光層 ８ カラーフィルター層 ９ 共通電極 １０ 透明基板（下側基板） １１ 透明基板（上側基板） １２ 透明基板１０（下側基板）のラビング方向 １３ 透明基板１１（上側基板）のラビング方向 １４ 液晶 ａ データ線１と画素電極５間の距離 ｂ 走査線３と画素電極５間の距離 ｃ データ線２と画素電極５間の距離 ｄ 走査線４と画素電極５間の距離
Claims (1)
- 【請求項１】 一対の基板間に液晶を保持し、該基板
上に液晶の電気光学効果を制御する手段として、能動ス
イッチング素子、データ線、走査線及び画素電極をマト
リックス状に形成したアクティブマトリックス液晶表示
装置において、データ線と画素電極間の距離及び、走査
線と画素電極間の距離を各配線と画素電極間の横方向の
電界強度及び液晶分子の回転方向と上下基板のラビング
方向に応じて異ならせたことを特徴とするアクティブマ
トリックス液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24817892A JPH0695153A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | アクティブマトリックス液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24817892A JPH0695153A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | アクティブマトリックス液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0695153A true JPH0695153A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17174368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24817892A Pending JPH0695153A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | アクティブマトリックス液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695153A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7095478B2 (en) | 1996-04-12 | 2006-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for fabricating thereof |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP24817892A patent/JPH0695153A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7095478B2 (en) | 1996-04-12 | 2006-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for fabricating thereof |
| US7196749B2 (en) | 1996-04-12 | 2007-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for fabricating thereof |
| US7636136B2 (en) | 1996-04-12 | 2009-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for fabricating thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7248325B2 (en) | Liquid crystal display having particular electrodes and particular common line | |
| JP2701698B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR100257369B1 (ko) | 횡전계방식액정표시장치 | |
| JP4844027B2 (ja) | 垂直配向型の液晶表示素子 | |
| KR100257370B1 (ko) | 횡전계방식액정표시장치 | |
| US20020101548A1 (en) | Structure of a liquid crystal display and the method of manufacturing the same | |
| US20070247561A1 (en) | Multi-domain liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
| JP2521752B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US6532050B1 (en) | Liquid crystal display device with TFTs on color filters, and method of manufacturing the same | |
| KR19990045355A (ko) | 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
| US7414681B2 (en) | Liquid crystal display device having black matrix covering periphery of display region | |
| US6483564B2 (en) | Liquid crystal display apparatus | |
| JP3305085B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0968721A (ja) | 液晶表示素子 | |
| KR100293431B1 (ko) | 횡전계방식액정표시소자 | |
| US7391492B2 (en) | Multi-domain LCD device and method of fabricating the same | |
| US7042542B2 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
| JPH11119227A (ja) | 液晶表示装置 | |
| US20030142254A1 (en) | Reflective liquid crystal display and method for fabricating the same | |
| JPH0695153A (ja) | アクティブマトリックス液晶表示装置 | |
| JPH07333634A (ja) | 液晶表示パネル | |
| JPH0534680A (ja) | アクテイブマトリクスカラー液晶デイスプレイ | |
| JPH1048672A (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置 | |
| JPH09146095A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH0695154A (ja) | アクティブマトリックス液晶表示装置 |