JPH0694665A - キャパシタ及びそれを用いた流体センサ - Google Patents
キャパシタ及びそれを用いた流体センサInfo
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- JPH0694665A JPH0694665A JP27104592A JP27104592A JPH0694665A JP H0694665 A JPH0694665 A JP H0694665A JP 27104592 A JP27104592 A JP 27104592A JP 27104592 A JP27104592 A JP 27104592A JP H0694665 A JPH0694665 A JP H0694665A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製作が容易でしかも電極間距離が小さく且つ
ばらつきの小さい静電容量測定用電極とそれを用いた流
体センサを提供する。 【構成】 ２枚のシリコン基板２，３の対向位置に異方
性エッチングにより深さの等しいＶ溝８，９，１０，１
１を設け、直径の等しい絶縁円柱棒１２，１３又は絶縁
球を前記２枚のシリコン基板２，３のＶ溝８，９，１
０，１１間に介在させて、前記シリコン基板２，３の対
向平面部４，６に設けた１対の電極５，７間の間隙を所
定値ｇとしたキャパシタである。
ばらつきの小さい静電容量測定用電極とそれを用いた流
体センサを提供する。 【構成】 ２枚のシリコン基板２，３の対向位置に異方
性エッチングにより深さの等しいＶ溝８，９，１０，１
１を設け、直径の等しい絶縁円柱棒１２，１３又は絶縁
球を前記２枚のシリコン基板２，３のＶ溝８，９，１
０，１１間に介在させて、前記シリコン基板２，３の対
向平面部４，６に設けた１対の電極５，７間の間隙を所
定値ｇとしたキャパシタである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電極間に注入される流
体による誘電率の変動に基づく静電容量の変化、または
流体圧力の変動による電極間の距離の変化に基づく静電
容量の変化を検知して流体の種類や流量や圧力を検知す
る汎用性を有するキャパシタ及びそれを用いた流体セン
サに関するものである。
体による誘電率の変動に基づく静電容量の変化、または
流体圧力の変動による電極間の距離の変化に基づく静電
容量の変化を検知して流体の種類や流量や圧力を検知す
る汎用性を有するキャパシタ及びそれを用いた流体セン
サに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の流体センサで特にガスの種類を
検知するのに適したものとして、半導体ガスセンサが知
られている。この半導体ガスセンサは、感応体部と加熱
部とから成り、高温に保持された半導体にガスが触れる
と、そのガスの種類に応じて電気伝導度が変化する等の
原理を応用するものである。
検知するのに適したものとして、半導体ガスセンサが知
られている。この半導体ガスセンサは、感応体部と加熱
部とから成り、高温に保持された半導体にガスが触れる
と、そのガスの種類に応じて電気伝導度が変化する等の
原理を応用するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した半導体ガスセ
ンサは、感応体部が高温に保持されるため、感応体自身
の劣化や基板との密着性の低下などにより、流体センサ
としての耐久性に問題を有している。そこで常温での電
気抵抗や静電容量等の変化を検知するものも考えられる
が、電気抵抗の変化を検知するものは、測定温度の影響
を受けやすく、静電容量の変化を検知するものは、一般
に検知感度がよくないという問題があり、検知感度をよ
くするには、電極間距離を小さくし、しかもばらつきを
小さくするため電極の製作が極めて困難で実用的ではな
かった。
ンサは、感応体部が高温に保持されるため、感応体自身
の劣化や基板との密着性の低下などにより、流体センサ
としての耐久性に問題を有している。そこで常温での電
気抵抗や静電容量等の変化を検知するものも考えられる
が、電気抵抗の変化を検知するものは、測定温度の影響
を受けやすく、静電容量の変化を検知するものは、一般
に検知感度がよくないという問題があり、検知感度をよ
くするには、電極間距離を小さくし、しかもばらつきを
小さくするため電極の製作が極めて困難で実用的ではな
かった。
【０００４】本発明は、製作が容易でしかも電極間距離
が小さく且つばらつきの小さいキャパシタとそれを用い
た流体センサの提供を目的とする。
が小さく且つばらつきの小さいキャパシタとそれを用い
た流体センサの提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のキャパシタ１は、２枚のシリコン基板２，
３の対向位置に異方性エッチングにより形状の等しいＶ
溝８，９，１０，１１を設け、直径の等しい絶縁円柱棒
１２，１３又は絶縁球を前記２枚のシリコン基板２，３
のＶ溝８，９，１０，１１間に介在させて、前記シリコ
ン基板２，３の対向平面部４，６に設けた１対の電極
５，７間の間隙を所定値ｇとしたものである。
め、本発明のキャパシタ１は、２枚のシリコン基板２，
３の対向位置に異方性エッチングにより形状の等しいＶ
溝８，９，１０，１１を設け、直径の等しい絶縁円柱棒
１２，１３又は絶縁球を前記２枚のシリコン基板２，３
のＶ溝８，９，１０，１１間に介在させて、前記シリコ
ン基板２，３の対向平面部４，６に設けた１対の電極
５，７間の間隙を所定値ｇとしたものである。
【０００６】また本発明の流体センサは、上記キャパシ
タ１と、絶縁ゲートＦＥＴ２０と、直流電源２１と、電
流計２２とを備え、キャパシタ１の電極５又は７と絶縁
ゲートＦＥＴ２０のゲート電極Ｇを接続し、キャパシタ
１の他方の電極７又は５と絶縁ゲートＦＥＴ２０のソー
ス電極Ｓとの間及び絶縁ゲートＦＥＴ２０のドレイン電
極Ｄとソース電極Ｓとの間に直流電源２１により直流電
圧を印加し、電流計２２によりドレイン電流を測定する
よう接続して成るものである。
タ１と、絶縁ゲートＦＥＴ２０と、直流電源２１と、電
流計２２とを備え、キャパシタ１の電極５又は７と絶縁
ゲートＦＥＴ２０のゲート電極Ｇを接続し、キャパシタ
１の他方の電極７又は５と絶縁ゲートＦＥＴ２０のソー
ス電極Ｓとの間及び絶縁ゲートＦＥＴ２０のドレイン電
極Ｄとソース電極Ｓとの間に直流電源２１により直流電
圧を印加し、電流計２２によりドレイン電流を測定する
よう接続して成るものである。
【０００７】
【作用】本発明のキャパシタ１は、２枚のシリコン基板
２，３の対向位置にＶ溝を異方性エッチングにより形成
するので、マスキングの位置、形状（正方形又は長方
形）、面積等を設定すれば、Ｖ溝の位置及び深さが決ま
る。また、前記２枚のシリコン基板２，３のＶ溝間に直
径の等しい絶縁円柱棒１２，１３又は絶縁球を介在させ
るので、電極の間隙設定が極めて正確で且つ容易であ
る。
２，３の対向位置にＶ溝を異方性エッチングにより形成
するので、マスキングの位置、形状（正方形又は長方
形）、面積等を設定すれば、Ｖ溝の位置及び深さが決ま
る。また、前記２枚のシリコン基板２，３のＶ溝間に直
径の等しい絶縁円柱棒１２，１３又は絶縁球を介在させ
るので、電極の間隙設定が極めて正確で且つ容易であ
る。
【０００８】また前記電極を用いたセンサは、電極間容
量の変化により絶縁ゲートＦＥＴのゲート電極の電位が
変化し、そのためドレイン電流が鋭敏に変化する。
量の変化により絶縁ゲートＦＥＴのゲート電極の電位が
変化し、そのためドレイン電流が鋭敏に変化する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説
明する。図１は本発明のキャパシタの側面断面図、図２
は図１のＡ−Ａ断面図である。
明する。図１は本発明のキャパシタの側面断面図、図２
は図１のＡ−Ａ断面図である。
【００１０】図１及び図２において、キャパシタ１は２
枚のシリコン基板２，３を対向させ、シリコン基板２，
３の対向平面部４，６に一対の電極５，７を設けて所定
間隔ｇで対向させたものである。ここで、所定間隔ｇは
例えば１０μｍ程度と微小間隔であり、正確な所定間隔
ｇの確保のために、シリコン基板２，３の対向位置に異
方性エッチングにより平行で深さの等しい２条のＶ溝
８，９，１０，１１を設け、直径の等しい絶縁円柱棒１
２，１３をＶ溝８，９，１０，１１間に介在させてい
る。
枚のシリコン基板２，３を対向させ、シリコン基板２，
３の対向平面部４，６に一対の電極５，７を設けて所定
間隔ｇで対向させたものである。ここで、所定間隔ｇは
例えば１０μｍ程度と微小間隔であり、正確な所定間隔
ｇの確保のために、シリコン基板２，３の対向位置に異
方性エッチングにより平行で深さの等しい２条のＶ溝
８，９，１０，１１を設け、直径の等しい絶縁円柱棒１
２，１３をＶ溝８，９，１０，１１間に介在させてい
る。
【００１１】シリコン基板２，３は断面Ｖ字型で平行な
２条のＶ溝８，９，１０，１１を対向平面部４，６の両
側に周知の異方性エッチングにより形成し、その後全体
を加熱して表面に二酸化シリコン被膜２ａ，３ａが形成
されたものである。そして、対向平面部４，６にアルミ
ニウムを蒸着後、パターニングにより一対の電極５，７
を設ける。電極５，７の端子５ａ，７ａも設けられる。
異方性エッチングはＶ溝８，９，１０，１１の開口に相
当する部分以外に二酸化シリコン被膜のパターンを形成
してマスキングし、ＥＤＰと呼ばれるエチレンジアミン
−ピロカテコール−水の混合液、それにさらにピラジン
を加えた混合液、ＣｓＯＨ等のアルカリ金属の水酸化物
又はヒドラジン等をエッチャントとするシリコンの異方
性エッチング技術でＶ溝８，９，１０，１１の部分をエ
ッチングで彫り込むものである。エッチャントとして
は、ＥＤＰにピラジンを加えた混合液が好ましく、混合
比率は、例えば次のようにするのが好ましい。 エチレンジアミン７．５ミリリットル、 ピロカ
テコール１．２グラム、 水１ミリリットル、 ピ
ラジン エチレンジアミン１リットルに対して６グラ
ム。 異方性エッチングにおいては、シリコン結晶体の性質上
｛１１１｝面が殆どエッチングされないので、Ｖ溝の開
口部の位置、形状（正方形又は長方形）、面積は、｛１
００｝面でのマスキングの位置、形状、面積を設定すれ
ば正確且つ簡単に設定できる。シリコン結晶体は、前記
マスキングの正方形又は矩形の各辺から｛１００｝面で
ある対向平面部４又は６に対して５４．７４度の角度で
腐食され、エッチングがＶ字状の底部に達した後は、そ
れ以上腐食されないので、Ｖ溝の深さは自ずから定ま
る。エッチング時間はこのＶ溝形成に必要な最低時間以
上であればよく、厳密な制御を必要としない。
２条のＶ溝８，９，１０，１１を対向平面部４，６の両
側に周知の異方性エッチングにより形成し、その後全体
を加熱して表面に二酸化シリコン被膜２ａ，３ａが形成
されたものである。そして、対向平面部４，６にアルミ
ニウムを蒸着後、パターニングにより一対の電極５，７
を設ける。電極５，７の端子５ａ，７ａも設けられる。
異方性エッチングはＶ溝８，９，１０，１１の開口に相
当する部分以外に二酸化シリコン被膜のパターンを形成
してマスキングし、ＥＤＰと呼ばれるエチレンジアミン
−ピロカテコール−水の混合液、それにさらにピラジン
を加えた混合液、ＣｓＯＨ等のアルカリ金属の水酸化物
又はヒドラジン等をエッチャントとするシリコンの異方
性エッチング技術でＶ溝８，９，１０，１１の部分をエ
ッチングで彫り込むものである。エッチャントとして
は、ＥＤＰにピラジンを加えた混合液が好ましく、混合
比率は、例えば次のようにするのが好ましい。 エチレンジアミン７．５ミリリットル、 ピロカ
テコール１．２グラム、 水１ミリリットル、 ピ
ラジン エチレンジアミン１リットルに対して６グラ
ム。 異方性エッチングにおいては、シリコン結晶体の性質上
｛１１１｝面が殆どエッチングされないので、Ｖ溝の開
口部の位置、形状（正方形又は長方形）、面積は、｛１
００｝面でのマスキングの位置、形状、面積を設定すれ
ば正確且つ簡単に設定できる。シリコン結晶体は、前記
マスキングの正方形又は矩形の各辺から｛１００｝面で
ある対向平面部４又は６に対して５４．７４度の角度で
腐食され、エッチングがＶ字状の底部に達した後は、そ
れ以上腐食されないので、Ｖ溝の深さは自ずから定ま
る。エッチング時間はこのＶ溝形成に必要な最低時間以
上であればよく、厳密な制御を必要としない。
【００１２】シリコン基板２，３のＶ溝８，９，１０，
１１にスペーサとして介在させる絶縁円柱棒１２，１３
は直径が小さく均一なものでなければならないので、光
ファイバを用いることが好ましい。光ファイバとして
は、例えば汎用されている直径１２５μｍのものを流用
し、Ｖ溝８，９，１０，１１の深さを調整することによ
り、電極５，７間を例えば１０μｍとすることができ
る。また、絶縁円柱棒１２，１３に代わり、絶縁球を用
いることもできる。この絶縁球として液晶スペーサに用
いられるジビニルベンゼン系の真球状ポリマー粒子を流
用できる。この時、Ｖ溝８，９，１０，１１に絶縁球を
列設してもよく、２条の平行なＶ溝に代わって四角錐の
Ｖ溝とし電極５，７の周囲に３か所以上配設し絶縁球を
一個ずつスペーサとして用いるものでもよい。
１１にスペーサとして介在させる絶縁円柱棒１２，１３
は直径が小さく均一なものでなければならないので、光
ファイバを用いることが好ましい。光ファイバとして
は、例えば汎用されている直径１２５μｍのものを流用
し、Ｖ溝８，９，１０，１１の深さを調整することによ
り、電極５，７間を例えば１０μｍとすることができ
る。また、絶縁円柱棒１２，１３に代わり、絶縁球を用
いることもできる。この絶縁球として液晶スペーサに用
いられるジビニルベンゼン系の真球状ポリマー粒子を流
用できる。この時、Ｖ溝８，９，１０，１１に絶縁球を
列設してもよく、２条の平行なＶ溝に代わって四角錐の
Ｖ溝とし電極５，７の周囲に３か所以上配設し絶縁球を
一個ずつスペーサとして用いるものでもよい。
【００１３】つぎに、上述したキャパシタ１の作動を図
１及び図４により説明する。シリコン基板２，３のＶ溝
８，９，１０，１１にスペーサとしての絶縁円柱棒１
２，１３が介在されることにより水平方向の位置決めが
なされる。また、Ｖ溝８，９，１０，１１の深さＨと絶
縁円柱棒１２，１３の直径が厳密な寸法であるため、電
極５，７の間隙ｇは例えば１０μｍの如き微小間隙を確
保できる。図４において、Ｖ溝の横断面をＡＣＡ、これ
に載置した光ファイバ断面の中心をＯ、直線ＯＣと直線
ＡＡの交点をＢとし、光ファイバ断面の中心ＯからＶ溝
の辺ＡＣに下ろした垂線の足をＰとすると、∠ＣＯＰは
∠ＣＡＢ＝αに等しい。角αは、｛１００｝面である対
向平面部６と｛１１１｝面であるＡＣ面とのなす角度で
あり、５４．７４度となる。したがって、光ファイバの
半径をＲ、ＯＣの長さをＸ、Ｖ溝の深さをＨ、Ｖ溝の幅
をＷとすると、電極間ギャップｇは下記の数式４によっ
て得られる。
１及び図４により説明する。シリコン基板２，３のＶ溝
８，９，１０，１１にスペーサとしての絶縁円柱棒１
２，１３が介在されることにより水平方向の位置決めが
なされる。また、Ｖ溝８，９，１０，１１の深さＨと絶
縁円柱棒１２，１３の直径が厳密な寸法であるため、電
極５，７の間隙ｇは例えば１０μｍの如き微小間隙を確
保できる。図４において、Ｖ溝の横断面をＡＣＡ、これ
に載置した光ファイバ断面の中心をＯ、直線ＯＣと直線
ＡＡの交点をＢとし、光ファイバ断面の中心ＯからＶ溝
の辺ＡＣに下ろした垂線の足をＰとすると、∠ＣＯＰは
∠ＣＡＢ＝αに等しい。角αは、｛１００｝面である対
向平面部６と｛１１１｝面であるＡＣ面とのなす角度で
あり、５４．７４度となる。したがって、光ファイバの
半径をＲ、ＯＣの長さをＸ、Ｖ溝の深さをＨ、Ｖ溝の幅
をＷとすると、電極間ギャップｇは下記の数式４によっ
て得られる。
【００１４】 Ｘ＝Ｒ／ｃｏｓα ・・・数式１ Ｈ＝（Ｗｔａｎα）／２ ・・・数式２ ｇ＝２（Ｘ−Ｈ−δ） ・・・数式３ 数式３に数式１，２を代入すると、 ｇ＝２（Ｒ／ｃｏｓα−Ｗｔａｎα／２−δ） ・・・数式４ となる。
【００１５】電極間ギャップｇは、上記数式から明らか
なように、光ファイバ半径Ｒ、Ｖ溝深さＨ又はＶ溝幅
Ｗ、電極厚さδを適宜選択することにより、所望の値と
することができる。さらに、シリコン基板２，３の二酸
化シリコン被膜は流体によって腐食されにくいものであ
り、電極５，７も流体によって腐食されにくい金属電極
を使用すると、キャパシタ１の耐久性が向上する。
なように、光ファイバ半径Ｒ、Ｖ溝深さＨ又はＶ溝幅
Ｗ、電極厚さδを適宜選択することにより、所望の値と
することができる。さらに、シリコン基板２，３の二酸
化シリコン被膜は流体によって腐食されにくいものであ
り、電極５，７も流体によって腐食されにくい金属電極
を使用すると、キャパシタ１の耐久性が向上する。
【００１６】図３は本発明のキャパシタを用いた流体セ
ンサのブロック図である。図において、１はキャパシ
タ、２０は絶縁ゲートＦＥＴ、２１は直流電源、２２は
電流計である。そして、流体センサは、絶縁ゲートＦＥ
Ｔ２０のゲート電極Ｇをキャパシタ１の一方の電極７ａ
に接続し、絶縁ゲートＦＥＴ２０のソース電極Ｓを直流
電源２１ａを介してキャパシタ１の他方の電極５ａに接
続し、絶縁ゲートＦＥＴ２０のドレイン電極Ｄとソース
電極Ｓとの間に電流計２２及び直流電源２１ｂを接続す
る構成である。絶縁ゲートＦＥＴとしては、一般にＭＯ
ＳＦＥＴが用いられる。
ンサのブロック図である。図において、１はキャパシ
タ、２０は絶縁ゲートＦＥＴ、２１は直流電源、２２は
電流計である。そして、流体センサは、絶縁ゲートＦＥ
Ｔ２０のゲート電極Ｇをキャパシタ１の一方の電極７ａ
に接続し、絶縁ゲートＦＥＴ２０のソース電極Ｓを直流
電源２１ａを介してキャパシタ１の他方の電極５ａに接
続し、絶縁ゲートＦＥＴ２０のドレイン電極Ｄとソース
電極Ｓとの間に電流計２２及び直流電源２１ｂを接続す
る構成である。絶縁ゲートＦＥＴとしては、一般にＭＯ
ＳＦＥＴが用いられる。
【００１７】このような構成の流体センサにおいて、直
流電源２１ａによって印加される電圧は、キャパシタ１
の第１，第２電極５，７間の静電容量と絶縁ゲートＦＥ
Ｔ２０の絶縁ゲートの静電容量とによって分圧され、絶
縁ゲートＦＥＴ２０のゲート電極Ｇに特定電圧が印加さ
れる。ゲート電極Ｇに印加される特定電圧に対応し、絶
縁ゲートＦＥＴ２０のドレイン電極Ｄからソース電極Ｓ
へと電流が流れ、その電流値が電流計２２で計測され
る。ここで、キャパシタ１の電極間に誘電率の異なる流
体が流れると、電極間の静電容量が変化し、絶縁ゲート
ＦＥＴ２０のゲート電極Ｇに印加される電圧も変化し、
電流計２２で計測される電流値も変わって特定流体の存
在が検出される。また、キャパシタ１に作用する流体圧
で電極の間隙が変わっても同様に電流計２２で検出で
き、流体圧センサとしても使用できる。図３において、
絶縁ゲートＦＥＴ２０はｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴと
したが、ｐチャネル型のものを用いてもよい。また、直
流電源２１ａ，２１ｂが同じ電圧のものでよい場合は、
１個にまとめてもよい。さらに、ドレイン電流検出手段
２２としては電流計のほか、キャパシタ１の静電容量の
変化に対応する充放電時間を測定するものなど種々の回
路が考えられる。
流電源２１ａによって印加される電圧は、キャパシタ１
の第１，第２電極５，７間の静電容量と絶縁ゲートＦＥ
Ｔ２０の絶縁ゲートの静電容量とによって分圧され、絶
縁ゲートＦＥＴ２０のゲート電極Ｇに特定電圧が印加さ
れる。ゲート電極Ｇに印加される特定電圧に対応し、絶
縁ゲートＦＥＴ２０のドレイン電極Ｄからソース電極Ｓ
へと電流が流れ、その電流値が電流計２２で計測され
る。ここで、キャパシタ１の電極間に誘電率の異なる流
体が流れると、電極間の静電容量が変化し、絶縁ゲート
ＦＥＴ２０のゲート電極Ｇに印加される電圧も変化し、
電流計２２で計測される電流値も変わって特定流体の存
在が検出される。また、キャパシタ１に作用する流体圧
で電極の間隙が変わっても同様に電流計２２で検出で
き、流体圧センサとしても使用できる。図３において、
絶縁ゲートＦＥＴ２０はｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴと
したが、ｐチャネル型のものを用いてもよい。また、直
流電源２１ａ，２１ｂが同じ電圧のものでよい場合は、
１個にまとめてもよい。さらに、ドレイン電流検出手段
２２としては電流計のほか、キャパシタ１の静電容量の
変化に対応する充放電時間を測定するものなど種々の回
路が考えられる。
【００１８】
【発明の効果】本発明のキャパシタは、２枚のシリコン
基板２，３のＶ溝８，９，１０，１１を異方性エッチン
グにより形成するので、マスキングの位置、形状（正方
形又は長方形）、面積等を設定すれば、Ｖ溝の位置及び
深さが定まり、エッチング時間も一定時間以上であれば
よく、厳密な制御を必要としない。また、前記２枚のシ
リコン基板２，３のＶ溝間に直径の等しい絶縁円柱棒１
２，１３又は絶縁球を介在させるだけで電極の間隙設定
ができるので、製作が容易でしかも電極間距離が小さく
且つバラツキの小さいものを量産できる。
基板２，３のＶ溝８，９，１０，１１を異方性エッチン
グにより形成するので、マスキングの位置、形状（正方
形又は長方形）、面積等を設定すれば、Ｖ溝の位置及び
深さが定まり、エッチング時間も一定時間以上であれば
よく、厳密な制御を必要としない。また、前記２枚のシ
リコン基板２，３のＶ溝間に直径の等しい絶縁円柱棒１
２，１３又は絶縁球を介在させるだけで電極の間隙設定
ができるので、製作が容易でしかも電極間距離が小さく
且つバラツキの小さいものを量産できる。
【００１９】また、上記キャパシタを用いた流体センサ
は、電極間容量の変化により絶縁ゲートＦＥＴ２０のゲ
ート電極Ｇの電位が変化し、そのためドレイン電流が鋭
敏に変化するので、流体の種類や流量や圧力を高い精度
で検出できる。
は、電極間容量の変化により絶縁ゲートＦＥＴ２０のゲ
ート電極Ｇの電位が変化し、そのためドレイン電流が鋭
敏に変化するので、流体の種類や流量や圧力を高い精度
で検出できる。
【図１】本発明のキャパシタの側面断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明のキャパシタを用いた流体センサのブロ
ック図である。
ック図である。
【図４】本発明のキャパシタの電極間間隙ｇの算出方法
説明図である。
説明図である。
１ キャパシタ ２，３ シリコン基板 ４，６ 対向平面部 ５，７ 電極 ８，９，１０，１１ Ｖ溝 １２，１３ 絶縁円柱棒 ２０ 絶縁ゲートＦＥＴ ２１ 直流電源 ２２ ドレイン電流検出手段
フロントページの続き (72)発明者 柴原 庸介 大阪府東大阪市岩田町２丁目３番１号 タ ツタ電線株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 ２枚のシリコン基板２，３の対向位置に
異方性エッチングにより形状の等しいＶ溝８，９，１
０，１１を設け、直径の等しい絶縁円柱棒１２，１３又
は絶縁球を前記２枚のシリコン基板２，３のＶ溝８，
９，１０，１１間に介在させて、前記シリコン基板２，
３の対向平面部４，６に設けた１対の電極５，７間の間
隙を所定値ｇとしたキャパシタ。 - 【請求項２】 請求項１に記載のキャパシタ１と、絶縁
ゲートＦＥＴ２０と、直流電源２１と、電流計２２とを
備え、キャパシタ１の電極５又は７と絶縁ゲートＦＥＴ
２０のゲート電極Ｇを接続し、キャパシタ１の他方の電
極７又は５と絶縁ゲートＦＥＴ２０のソース電極Ｓとの
間及び絶縁ゲートＦＥＴ２０のドレイン電極Ｄとソース
電極Ｓとの間に直流電源２１により直流電圧を印加し、
電流計２２によりドレイン電流を測定するよう接続して
成る流体センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27104592A JP3210094B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | キャパシタ及びそれを用いた流体センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27104592A JP3210094B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | キャパシタ及びそれを用いた流体センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0694665A true JPH0694665A (ja) | 1994-04-08 |
| JP3210094B2 JP3210094B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=17494639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27104592A Expired - Fee Related JP3210094B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | キャパシタ及びそれを用いた流体センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3210094B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007322270A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Casio Comput Co Ltd | 半導体センサ及び同定方法 |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP27104592A patent/JP3210094B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007322270A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Casio Comput Co Ltd | 半導体センサ及び同定方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3210094B2 (ja) | 2001-09-17 |
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