JPH0692245B2 - 水素化ケイ素化合物の製法 - Google Patents
水素化ケイ素化合物の製法Info
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- JPH0692245B2 JPH0692245B2 JP16879285A JP16879285A JPH0692245B2 JP H0692245 B2 JPH0692245 B2 JP H0692245B2 JP 16879285 A JP16879285 A JP 16879285A JP 16879285 A JP16879285 A JP 16879285A JP H0692245 B2 JPH0692245 B2 JP H0692245B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は水素化ケイ素化合物の製造方法に関する。
（従来の技術） 近年のエレクトロニクス産業の発展に伴ない、多結晶シ
リコン、単結晶シリコン、あるいはアモルファスシリコ
ン等の製造原料として最近シラン化合物は特にその重要
性が増大している。とりわけモノシランは高純度な上記
シリコンの原料、太陽電池用半導体原料、シリコンエピ
タキシアル膜用原料等として今後大幅な需要の増大が期
待される。
リコン、単結晶シリコン、あるいはアモルファスシリコ
ン等の製造原料として最近シラン化合物は特にその重要
性が増大している。とりわけモノシランは高純度な上記
シリコンの原料、太陽電池用半導体原料、シリコンエピ
タキシアル膜用原料等として今後大幅な需要の増大が期
待される。
従来モノシランの製造方法としてはいくつかの方法が知
れられている。その中でも、金属水素化物例えばNaH,Li
H,MgH2,LiAlH4,NaAlH4などのアルカリもしくはアルカリ
土類金属等の水素化物と四塩化ケイ素（SiCl4）との反
応が最も一般的な方法でありモノシランの収率も高い。
この方法において使用する金属水素化物は高価であるた
め、これらの活性および生成するモノシランの収率およ
び選択性を向上させるためにしばしばアルキルアルミニ
ウムやアルキルホウ素化合物が使用される。
れられている。その中でも、金属水素化物例えばNaH,Li
H,MgH2,LiAlH4,NaAlH4などのアルカリもしくはアルカリ
土類金属等の水素化物と四塩化ケイ素（SiCl4）との反
応が最も一般的な方法でありモノシランの収率も高い。
この方法において使用する金属水素化物は高価であるた
め、これらの活性および生成するモノシランの収率およ
び選択性を向上させるためにしばしばアルキルアルミニ
ウムやアルキルホウ素化合物が使用される。
例えばSiCl4とNaHからSiH4を製造する際に触媒もしくは
活性化剤としてトリエチルアルミニウム等のアルキルア
ルミニウム等を使用する事が開示されている〔西独特
許、第1,034,159号；ジェンクナー（Jenkner）,Chemike
r Ztg85 264/72（1961）など参照〕。またフランス特
許第1,499,032号においては対応するハロゲン化ケイ素
をアルキルアルミニウムハイドライドで還元する方法が
開示されている。しかしながらこれらの方法においては
目的とするシラン化合物以外に望ましくないアルキルシ
ラン類が副生成物として得られ、これらは無視出来ない
量である事がしばしばである。
活性化剤としてトリエチルアルミニウム等のアルキルア
ルミニウム等を使用する事が開示されている〔西独特
許、第1,034,159号；ジェンクナー（Jenkner）,Chemike
r Ztg85 264/72（1961）など参照〕。またフランス特
許第1,499,032号においては対応するハロゲン化ケイ素
をアルキルアルミニウムハイドライドで還元する方法が
開示されている。しかしながらこれらの方法においては
目的とするシラン化合物以外に望ましくないアルキルシ
ラン類が副生成物として得られ、これらは無視出来ない
量である事がしばしばである。
一方アルキルシラン類からのシランの製造法に関しては
臭化アルミニウム触媒による不均化反応法〔ラッセル
（Russel,J.Amer.Chem.Sco.81 4815/31（1959）など参
照〕、銅触媒による水素添加開裂法〕シロークマン（Si
rokman）、第７回有機ケイ素化合物国際会議予稿集、2A
1150 P15（R84）参照〕が報告されている。
臭化アルミニウム触媒による不均化反応法〔ラッセル
（Russel,J.Amer.Chem.Sco.81 4815/31（1959）など参
照〕、銅触媒による水素添加開裂法〕シロークマン（Si
rokman）、第７回有機ケイ素化合物国際会議予稿集、2A
1150 P15（R84）参照〕が報告されている。
（発明が解決しようとする問題点） この中で上述のアルキルシラン類からのシランの製造方
法は副生物として得られる化合物を原料とする方法であ
るので非常に好都合な方法である。しかしながら上記の
不均化反応法を適用しうるのは高沸点の液状アルキルシ
ラン類に限られており、これに加え、生成したと考えら
れるモノシランも実際には確固としたる同定がなされて
おらず、シランの収率も極端に低く、選択性も低い。さ
らに反応速度は著しく遅く実用的な方法であるとは言え
ない。
法は副生物として得られる化合物を原料とする方法であ
るので非常に好都合な方法である。しかしながら上記の
不均化反応法を適用しうるのは高沸点の液状アルキルシ
ラン類に限られており、これに加え、生成したと考えら
れるモノシランも実際には確固としたる同定がなされて
おらず、シランの収率も極端に低く、選択性も低い。さ
らに反応速度は著しく遅く実用的な方法であるとは言え
ない。
また銅触媒による水素添加開裂法においてはこの方法を
適用し得るのは環状アルキルシラン化合物（シラシクロ
化合物）類のみに限られる。さらに一方のSi−Ｃ結合の
みが水添開裂されるのみであり、しかもメチル基、エチ
ル基等を有する非環状シラン化合物では水添開裂は全く
認められていない。加えて銅触媒によるシラン類からの
脱水素分解、例えばSi−Ｈ結合の開裂等を生じて選択率
を低下させるという欠点も併せて有する。
適用し得るのは環状アルキルシラン化合物（シラシクロ
化合物）類のみに限られる。さらに一方のSi−Ｃ結合の
みが水添開裂されるのみであり、しかもメチル基、エチ
ル基等を有する非環状シラン化合物では水添開裂は全く
認められていない。加えて銅触媒によるシラン類からの
脱水素分解、例えばSi−Ｈ結合の開裂等を生じて選択率
を低下させるという欠点も併せて有する。
（問題点を解決するための手段） 本発明者らは、上記の従来法の欠点を克服するため種々
検討を重ねた結果、上記モノシラン類製造の際に副生す
るアルキルケイ素化合物等炭化水素基含有ケイ素化合物
を所定温度で加熱分解することにより、少なくとも１個
以上の炭化水素基を脱離させるとともに水素化ケイ素化
合物を生成させ、この加熱分解を１段階で、あるいは多
段階で順次行わせることによって、一般式SixH2x+2（ｘ
は１以上の整数を示す）で表わされる、半導体シリコン
等の原料として有用な水素化ケイ素化合物を好収率で製
造しうることを見い出した。本発明はこの知見に基づき
なされるに至ったものである。
検討を重ねた結果、上記モノシラン類製造の際に副生す
るアルキルケイ素化合物等炭化水素基含有ケイ素化合物
を所定温度で加熱分解することにより、少なくとも１個
以上の炭化水素基を脱離させるとともに水素化ケイ素化
合物を生成させ、この加熱分解を１段階で、あるいは多
段階で順次行わせることによって、一般式SixH2x+2（ｘ
は１以上の整数を示す）で表わされる、半導体シリコン
等の原料として有用な水素化ケイ素化合物を好収率で製
造しうることを見い出した。本発明はこの知見に基づき
なされるに至ったものである。
すなわち本発明は一般式SixHyRz（式中ｘは１以上の正
の整数であり、ｙは０もしくは１以上の整数であり、ま
たｚは１以上の整数である。ｘ、ｙ、ｚは2x＋２＝ｙ＋
ｚの関係を満たし、Ｒが２価の基となってSiと結合して
環状ケイ素化合物を形成する場合は、その環の数をｍと
すれば2x＋２−ｍ＝ｙ＋ｚの関係を満たす。Ｒは脂肪
族、脂環式および／または芳香族炭化水素基である。）
で表わされるケイ素化合物を100〜1000℃で加熱するこ
とにより、一般式SixHy＋nRz-n（ただしｎは１以上の整
数でありｎｚの関係を満たす。）で表わされる水素化
ケイ素化合物を得ることを特徴とする水素化ケイ素化合
物の製法を提供するものである。
の整数であり、ｙは０もしくは１以上の整数であり、ま
たｚは１以上の整数である。ｘ、ｙ、ｚは2x＋２＝ｙ＋
ｚの関係を満たし、Ｒが２価の基となってSiと結合して
環状ケイ素化合物を形成する場合は、その環の数をｍと
すれば2x＋２−ｍ＝ｙ＋ｚの関係を満たす。Ｒは脂肪
族、脂環式および／または芳香族炭化水素基である。）
で表わされるケイ素化合物を100〜1000℃で加熱するこ
とにより、一般式SixHy＋nRz-n（ただしｎは１以上の整
数でありｎｚの関係を満たす。）で表わされる水素化
ケイ素化合物を得ることを特徴とする水素化ケイ素化合
物の製法を提供するものである。
以下本発明を詳細に説明する。
本発明において原料として用いられるケイ素化合物と
は、一般式SixHyRz（式中ｘ、ｙ、ｚ、およびＲは前記
のとおりの意味をもつ）で表わされる。
は、一般式SixHyRz（式中ｘ、ｙ、ｚ、およびＲは前記
のとおりの意味をもつ）で表わされる。
この原料ケい素化合物において:z２の時にはＲは必ず
しも互いに同一の炭化水素基である必要はない。またＲ
としてはシラシクロ化合物を与える炭化水化水素基も挙
げられる。従ってＲとしては例えばメチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、
ｉ−ブチル基、sec−ブチル基、ビニル基、アリル基、
２−メチル−３−プロペニル基、フェニル基、ベンジル
基、α−フェニルエチル基、β−フェニルエチル基、ナ
フチル基、α−ナフチルメチル基、ジフェニルメチル
基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、
シクロペンチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキシ
ル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。
しも互いに同一の炭化水素基である必要はない。またＲ
としてはシラシクロ化合物を与える炭化水化水素基も挙
げられる。従ってＲとしては例えばメチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、
ｉ−ブチル基、sec−ブチル基、ビニル基、アリル基、
２−メチル−３−プロペニル基、フェニル基、ベンジル
基、α−フェニルエチル基、β−フェニルエチル基、ナ
フチル基、α−ナフチルメチル基、ジフェニルメチル
基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、
シクロペンチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキシ
ル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。
従って原料となる一般式SixHyRzで表わされるケイ素化
合物として具体的には、 モノメチルシラン（CH3SiH3）、 ジメチルシラン（（CH3）2SiH2）、 トリメチルシラン（（CH3）3SiH）、 テトラメチルシラン（（CH3）4Si）、 モノエチルシラン（（C2H5SiH3）、 ジエチルシラン（（C2H5）2SiH2）、 トリエチルシラン（（C2H5）3SiH）、 テトラエチルシラン（（C2H5）4Si）、 モノ−ｎ−プロピルシラン（ｎ−C3H7SiH3）、 ジ−ｎ−プロピルシラン（（ｎ−C3H7）2SiH2）、 トリ−ｎ−プロピルシラン（（ｎ−C3H7）3SiH）、 テトラ−ｎ−プロピルシラン（（ｎ−C3H7）4Si）、 モノ−ｉ−プロピルシラン（（ｉ−C3H7）SiH）、 ジ−ｉ−プロピルシラン（（ｉ−C3H7）2SiH2）、 トリ−ｉ−プロピルシラン（（ｉ−C3H7）3SiH）、 テトラ−ｉ−プロピルシラン（（ｉ−C3H7）4Si）、 モノ−ｎ−ブチルシラン（ｎ−C4H9SiH4）、 ジ−ｎ−ブチルシラン（（ｎ−C4H9）2SiH2）、 トリ−ｎ−ブチルシラン（（ｎ−C4H9）3SiH）、 テトラ−ｎ−ブチルシラン（（ｎ−C4H9）4Si）、 モノメチルジシラン（（CH3Si2H5）、 ジメチルジシラン（（CH3）2Si2H4）、 トリメチルジシラン（（CH3）3Si2H3）、 テトラメチルジシラン（（CH3）4Si2H2）、 ペンタメチルジシラン（（CH3）5Si2H）、 ヘキサメチルシジラン（（CH3）6Si2）、 エチルジシラン類（（C2H5）n1Si2H6−n1、n1は１以上
の正の整数でn1６である。以下同様。）、 ｎ−プロピルジシラン類（（ｎ−C3H7）n1Si2H6−
n1）、 ｉ−プロピルジシラン類（（ｉ−C3H7）n1Si2H6−
n2）、 ｎ−ブチルジシラン類（（ｎ−C4H9）n1Si2H6−n1）、 sec−ブチルジシラン類（（sen−C4H9）n1Si2H6−
n1）、 tert−ブチルジシラン類 （（tert−C4H9）n1Si2H6−n1）、 メチルトリシラン類（（CH3）n2Si3H8−n2）、（ただし
n2は８以下の正の整数である。以下同様。）、 エチルトリシラン類（（C2H5）n2Si3H8−n2）、 ｎ−プロピルトリシラン類 （（ｎ−C3H7）n2Si3H8−n2）、メチルエチルシラン
類、 （（CH3）l1（（C2H5）m1SiH4−l1−m1）（ただしl1、m
1は正の整数でl1＋m1≦４を満たす。以下同様。）、メ
チルｎ−プロピルシラン類 （（CH3）l1（ｎ−C3H7）m1SiH4−l1−m1） メチル−ｉ−プロピルシラン類 （（CH3）l1（ｉ−C3H7）m1SiH4−l1−m1） メチル−ｎ−ブチルシラン類 （（CH3）l1（ｎ−C4H9）m1SiH4−l1−m1） エチル−ｎ−プロピルシラン類 （C2H5）l1（ｎ−C3H7）m1SiH4−l1−m1） エチル−ｉ−プロピルシラン類 （（C2H5）l1（ｉ−C3H7）m1SiH4−l1−m1） エチル−ｎ−ブチルシラン類 （（C2H5）l1（ｎ−C4H9）m1SiH4−l1−m1） ｎ−プロピル−ｉ−プロピルシラン類、 （（ｎ−C3H7）l1（ｎ−C3H7）m1SiH4−l1−m1）、 ｎ−プロピル−ｎ−ブチルシラン類 （（ｎ−C3H7）l1（ｎ−C4H9）m1SiH4−l1−m1）、 メチルエチル−ｎ−プロピルシラン類 （（CH3）l2（C2H5）m2（ｎ−C3H7）n2SiH4−l2−m2−n
2）、 （ただしl2、m2、n2は正の整数で次の関係式l2＋m2＋n2
≦４を満たす。以下同様。） メチルエチル−ｉ−プロピルシラン類 （（CH3）l2（C2H5）m2（ｉ−C3H7）n2SiH4−l2−m2−n
2）、 メチルエチル−ｎ−ブチルシラン類 （（CH3）l2（C2H5）m2（ｎ−C4H9）n2SiH4−l2−m2−n
2）、 エチル−プロピル−ブチルシラン類 （（C2H5）l2（C3H7）m2（C4H9）n2SiH4−l2−m2−
n2）、 メチルエチルジシラン類 （（CH3）a1（C2H5）b1Si2H6−a1−b1）（ただしa1、b1
は正の整数で次の関係式a1＋b1≦６を満たす。以下同
様。）、メチルプロピルジシラン類 （（CH3）a1（C3H7）b1Si2H6−a1−b1）、 メチルブチルジシラン類 （（CH3）a1（C4H9）b1Si2H6−a1−b1）、 エチルプロピルジシラン類、 （（C2H5）a1（C3H7）b1Si2H6−a1−b1）、 エチルブチルジシラン類 （（C2H5）a1（C4H9）b1Si2H6−a1−b1）、 プロピルブチルジシラン類 （（C3H7）a1（C4H9）b1Si2H6−a1−b1）、 シクロペンチルシラン類 （（Cy−C5H9）l3SiH4−l3）、 シクロペンテニルシラン類 （Cy−（C5H9）l3SiH4−l3）（ただしl3は正の整数でl3
≦４、以下同様。）、 シクロペンタジエニルシラン類 （Cy−（C5H5）l3SiH4−l3）、 シクロヘキシルシラン類 （（CyC6H11）l3SiH4−l3）、 シクロヘキセニルシラン類 （（CyC6H9）l3SiH4−l3）、 シクロペンチルジシラン類 （（CyC5H9）l4SiH4−l4）、（ただしl4は正の整数でl4
≦６、以下同様。）、 シクロペンテンルジシラン類 （（CyC5H7）l4Si2H6−l4）、 シクロペンタジエニルジシラン類 （（CyC5H5）l4Si2H6−l4）、 シクロヘキシルジシラン類 （（CyC6H11）l4Si2H6−l4）、 メチルシクロペンチルシラン類 （（CH3）l1（Cy−C5H9）m1SiH4−l1−m1）、 メチルシクロペンテニルシラン類 （（CH3）l1（Cy−C5H7）m1SiH4−l1−m1）、 エチルシクロペンチルシラン類 （（C2H5）l1（Cy−C5H9）m1SiH4−l1−m1）、 プロピルシクロペンチルシラン類 （（C3H7）l1（Cy−C5H9）m1SiH4−l1−m1）、 ブチルシクロペンチルシラン類 （（C4H9）l1（Cy−C5H9）m1SiH4−l1−m1）、 エチルシクロペンテニルシラン類 （（C2H5）l1（Cy−C5H7）m1SiH4−l1−m1）、 プロピルシクロペンテニルシラン類 （（C3H7）l1（Cy−C5H7）m1SiH4−l1−m1）、 ブチルシクロペンテニルシラン類 （（C4H9）l1（Cy−C5H7）m1SiH4−l1−m1）、 メチルシクロヘキシルシラン類 （（CH3）l1（Cy−C6H11）m1SiH4−l1−m1）、 エチルシクロヘキシルシラン類 （（C2H5）l1（Cy−C6H11）m1SiH4−l1−m1）、 プロピルシクロヘキシルシラン類 （（C3H7）l1（Cy−C6H11）m1SiH4−l1−m1）、 ブチルシクロヘキシルシラン類 （（C4H9）l1（Cy−C6H11）m1SiH4−l1−m1）、 メチルシクロヘキセニルシラン類 （（CH3）l1（Cy−C6H11）m1SiH4−l1−m1）、 エチルシクロヘキセニルシラン類 （（C2H5）l1（Cy−C6H9）m1SiH4−l1−m1）、 プロピルシクロヘキセニルシラン類 （（C3H7）l1（Cy−C6H9）m1SiH4−l1−m1）、 メチルエチルシクロペンチルシラン類 （（CH3）l2（C2H5）m2（Cy−C5H9）n2SiH4−l2−m2−n
2）（ただしl2＋m2＋n2≦４である。以下同様。）、 メチルシクロペンチルシクロヘキシルシラン類 （（CH3）l2（Cy−C5H9）m2（Cy−C6H11）n2SiH4−l2−
m2−n2）、 シクロペンチルジシラン類 （（Cy−C5H9）l4Si2H6−l4）、 シクロヘキシルジシラン類、 （（Cy−C6H11）l4Si2H6−l4）、 シクロペンテニルジシラン類 （（Cy−C5H7）l4Si2H6−l4）、 シクロヘキセニルジシラン類 （（Cy−C6H9）l4Si2H6−l4）、 メチルシクロペンチルジシラン類 （（CH3）a1（Cy−C5H9）b1Si2H6−a1−b1）、 エチルシクロペンチルジシラン類 （（C2H5）a1（Cy−C5H9）b1Si2H6−a1−b1）、 プロピルシクロペンチルジシラン類 （（C3H7）a1（Cy−C5H9）b1Si2H6−a1−b1）、 メチルシクロヘキシルジシラン類 （（CH3）a1（Cy−C6H11）b1Si2H6−a1−b1）、 エチルシクロヘキシルジシラン類 （（C2H5）a1（Cy−C6H11）b1Si2H6−a1−b1）、 プロピルシクロヘキシルジシラン類 （（C3H7）a1（Cy−C6H11）b1Si2H6−a1−b1）、 メチルシクロペンテニルジシラン類 （（CH3）a1（Cy−C5H7）b1Si2H6−a1−b1）、 エチルシクロヘキシルジシラン類 （（C2H5）a1（Cy−C6H11）b1Si2H6−a1−b1）、 プロピルシクロペンテニルジシラン類 （（C3H7）a1（Cy−C5H7）b1Si2H6−a1−b1）、 メチルシクロヘキセニルジシラン類 （（CH3）a1（Cy−C6H9）b1Si2H6−a1−b1）、 エチルシクロヘキセニルジシラン類 （（C2H5）a1（Cy−C6H9）b1Si2H6−a1−b1）、 プロピルシクロヘキセニルジシラン類 （（C3H7）a1（Cy−C6H9）b1Si2H6−a1−b1）、 ビニルシラン類（（C2H3）l3SiH4−l3）、 アリルシラン類（（C3H5）l3SiH4−l3）、 ブテニルシラン類（（C4H7）l3SiH4−l3）、 メチルビニルシラン類 （（CH3）l1（C2H3）m1SiH4−l1−m1）、 エチルビニルシラン類 （（C2H5）l1（C2H3）m1SiH4−l1−m1）、 プロピルビニルシラン類 （（C3H7）l1（C2H3）m1SiH4−l1−m1）、 メチルシクロヘキシルビニルシラン類 （（CH3）l2（Cy−C6H11）m2（C2H3）n2SiH4−l2−m2−
n2） エチルシクロヘキシルビニルシラン類 （（C2H5）l2（Cy−C6H11）m2（C2H3）n2SiH4−l2−m2
−n2 ビニルジシラン類（（C2H3）l4Si2H6−l4）、 アリルジシラン類（（C3H5）l4Si2H6−l4）、 ブテニルジシラン類（（C4H7）l4Si2H6−l4）、 メチルビニルジシラン類 （（CH3）a1（C2H3）b1Si2H6−a1−b1）、 エチルビニルジシラン類 （（C2H5）a1（C2H3）b1Si2H6−a1−b1）、 プロピルビニルジシラン類 （（C3H7）a1（C2H3）b1Si2H6−a1−b1）、 メチルアリルジシラン類 （（CH3）a1（C3H5）b1Si2H6−a1−b1）、 エチルアリルジシラン類 （（C2H5）a1（C3H5）b1Si2H6−a1−b1）、 などの脂肪族および脂環式飽和および不飽和炭化水素基
含有ケイ素化合物、また、フェニルシラン類（（C6H5）
l3SiH4−l3）、 ベンジルシラン類 （（C6H5CH2）l3SiH4−l3）、 （フェニルエチル）シラン類 （（C6H5C2H4）l3SiH4−l3）、 メチルフェニルシラン類 （（CH3）l1（C6H5）m1SiH4−l1−m1）、 エチルフェニルシラン類 （（C2H5）l1（C6H5）m1SiH4−l1−m1）、 プロピルフェニルシラン類 （（C3H7）l1（C6H5）m1SiH4−l1−m1）、 メチルベンジルシラン類 （（CH3）l1（C6H5CH2）m1SiH4−l1−m1）、 エチルベンジルシラン類 （（C2H5）l1（C6H5CH2）m1SiH4−l1−m1）、 メチル（フェニルエチル）シラン類 （（CH3）l1（C6H5CH2）m1SiH4−l1−m1）、 エチル（フェニルエチル）シラン類 （（C2H5）l1（C6H5CH2CH2）m1SiH4−l1−m1）、 ビニルフェニルシラン類 （（C2H3）l1（C6H5）m1SiH4−l1−m1）、 アルリフェニルシラン類 （（C3H5）l1（C6H5）m1SiH4−l1−m1）、 フェニルジシラン類（（C6H5）l1Si2H6−l4）、 ベンジルジシラン類（（C6H5CH2）l4SiH6−l4）、 （フェニルエチル）ジシラン類 （（C6H5CH2）l4SiH6−l4）、 ナフチルジシラン類 （（C10H7）l4Si2H6−l4）、等の芳香族基含有ケイ素化
合物、シラシクロプロパン（SiH2（C2H4））、シラシク
ロブタン（SiH2（C3H6））、シラクロペンタン（SiH
2（C2H8））、などの環状ケイ素化合物などが挙げられ
る。さらにこれらケイ素化合物においてケイ素骨格は直
鎖状または分岐状のいずれのケイ素化合物であっても良
い。
合物として具体的には、 モノメチルシラン（CH3SiH3）、 ジメチルシラン（（CH3）2SiH2）、 トリメチルシラン（（CH3）3SiH）、 テトラメチルシラン（（CH3）4Si）、 モノエチルシラン（（C2H5SiH3）、 ジエチルシラン（（C2H5）2SiH2）、 トリエチルシラン（（C2H5）3SiH）、 テトラエチルシラン（（C2H5）4Si）、 モノ−ｎ−プロピルシラン（ｎ−C3H7SiH3）、 ジ−ｎ−プロピルシラン（（ｎ−C3H7）2SiH2）、 トリ−ｎ−プロピルシラン（（ｎ−C3H7）3SiH）、 テトラ−ｎ−プロピルシラン（（ｎ−C3H7）4Si）、 モノ−ｉ−プロピルシラン（（ｉ−C3H7）SiH）、 ジ−ｉ−プロピルシラン（（ｉ−C3H7）2SiH2）、 トリ−ｉ−プロピルシラン（（ｉ−C3H7）3SiH）、 テトラ−ｉ−プロピルシラン（（ｉ−C3H7）4Si）、 モノ−ｎ−ブチルシラン（ｎ−C4H9SiH4）、 ジ−ｎ−ブチルシラン（（ｎ−C4H9）2SiH2）、 トリ−ｎ−ブチルシラン（（ｎ−C4H9）3SiH）、 テトラ−ｎ−ブチルシラン（（ｎ−C4H9）4Si）、 モノメチルジシラン（（CH3Si2H5）、 ジメチルジシラン（（CH3）2Si2H4）、 トリメチルジシラン（（CH3）3Si2H3）、 テトラメチルジシラン（（CH3）4Si2H2）、 ペンタメチルジシラン（（CH3）5Si2H）、 ヘキサメチルシジラン（（CH3）6Si2）、 エチルジシラン類（（C2H5）n1Si2H6−n1、n1は１以上
の正の整数でn1６である。以下同様。）、 ｎ−プロピルジシラン類（（ｎ−C3H7）n1Si2H6−
n1）、 ｉ−プロピルジシラン類（（ｉ−C3H7）n1Si2H6−
n2）、 ｎ−ブチルジシラン類（（ｎ−C4H9）n1Si2H6−n1）、 sec−ブチルジシラン類（（sen−C4H9）n1Si2H6−
n1）、 tert−ブチルジシラン類 （（tert−C4H9）n1Si2H6−n1）、 メチルトリシラン類（（CH3）n2Si3H8−n2）、（ただし
n2は８以下の正の整数である。以下同様。）、 エチルトリシラン類（（C2H5）n2Si3H8−n2）、 ｎ−プロピルトリシラン類 （（ｎ−C3H7）n2Si3H8−n2）、メチルエチルシラン
類、 （（CH3）l1（（C2H5）m1SiH4−l1−m1）（ただしl1、m
1は正の整数でl1＋m1≦４を満たす。以下同様。）、メ
チルｎ−プロピルシラン類 （（CH3）l1（ｎ−C3H7）m1SiH4−l1−m1） メチル−ｉ−プロピルシラン類 （（CH3）l1（ｉ−C3H7）m1SiH4−l1−m1） メチル−ｎ−ブチルシラン類 （（CH3）l1（ｎ−C4H9）m1SiH4−l1−m1） エチル−ｎ−プロピルシラン類 （C2H5）l1（ｎ−C3H7）m1SiH4−l1−m1） エチル−ｉ−プロピルシラン類 （（C2H5）l1（ｉ−C3H7）m1SiH4−l1−m1） エチル−ｎ−ブチルシラン類 （（C2H5）l1（ｎ−C4H9）m1SiH4−l1−m1） ｎ−プロピル−ｉ−プロピルシラン類、 （（ｎ−C3H7）l1（ｎ−C3H7）m1SiH4−l1−m1）、 ｎ−プロピル−ｎ−ブチルシラン類 （（ｎ−C3H7）l1（ｎ−C4H9）m1SiH4−l1−m1）、 メチルエチル−ｎ−プロピルシラン類 （（CH3）l2（C2H5）m2（ｎ−C3H7）n2SiH4−l2−m2−n
2）、 （ただしl2、m2、n2は正の整数で次の関係式l2＋m2＋n2
≦４を満たす。以下同様。） メチルエチル−ｉ−プロピルシラン類 （（CH3）l2（C2H5）m2（ｉ−C3H7）n2SiH4−l2−m2−n
2）、 メチルエチル−ｎ−ブチルシラン類 （（CH3）l2（C2H5）m2（ｎ−C4H9）n2SiH4−l2−m2−n
2）、 エチル−プロピル−ブチルシラン類 （（C2H5）l2（C3H7）m2（C4H9）n2SiH4−l2−m2−
n2）、 メチルエチルジシラン類 （（CH3）a1（C2H5）b1Si2H6−a1−b1）（ただしa1、b1
は正の整数で次の関係式a1＋b1≦６を満たす。以下同
様。）、メチルプロピルジシラン類 （（CH3）a1（C3H7）b1Si2H6−a1−b1）、 メチルブチルジシラン類 （（CH3）a1（C4H9）b1Si2H6−a1−b1）、 エチルプロピルジシラン類、 （（C2H5）a1（C3H7）b1Si2H6−a1−b1）、 エチルブチルジシラン類 （（C2H5）a1（C4H9）b1Si2H6−a1−b1）、 プロピルブチルジシラン類 （（C3H7）a1（C4H9）b1Si2H6−a1−b1）、 シクロペンチルシラン類 （（Cy−C5H9）l3SiH4−l3）、 シクロペンテニルシラン類 （Cy−（C5H9）l3SiH4−l3）（ただしl3は正の整数でl3
≦４、以下同様。）、 シクロペンタジエニルシラン類 （Cy−（C5H5）l3SiH4−l3）、 シクロヘキシルシラン類 （（CyC6H11）l3SiH4−l3）、 シクロヘキセニルシラン類 （（CyC6H9）l3SiH4−l3）、 シクロペンチルジシラン類 （（CyC5H9）l4SiH4−l4）、（ただしl4は正の整数でl4
≦６、以下同様。）、 シクロペンテンルジシラン類 （（CyC5H7）l4Si2H6−l4）、 シクロペンタジエニルジシラン類 （（CyC5H5）l4Si2H6−l4）、 シクロヘキシルジシラン類 （（CyC6H11）l4Si2H6−l4）、 メチルシクロペンチルシラン類 （（CH3）l1（Cy−C5H9）m1SiH4−l1−m1）、 メチルシクロペンテニルシラン類 （（CH3）l1（Cy−C5H7）m1SiH4−l1−m1）、 エチルシクロペンチルシラン類 （（C2H5）l1（Cy−C5H9）m1SiH4−l1−m1）、 プロピルシクロペンチルシラン類 （（C3H7）l1（Cy−C5H9）m1SiH4−l1−m1）、 ブチルシクロペンチルシラン類 （（C4H9）l1（Cy−C5H9）m1SiH4−l1−m1）、 エチルシクロペンテニルシラン類 （（C2H5）l1（Cy−C5H7）m1SiH4−l1−m1）、 プロピルシクロペンテニルシラン類 （（C3H7）l1（Cy−C5H7）m1SiH4−l1−m1）、 ブチルシクロペンテニルシラン類 （（C4H9）l1（Cy−C5H7）m1SiH4−l1−m1）、 メチルシクロヘキシルシラン類 （（CH3）l1（Cy−C6H11）m1SiH4−l1−m1）、 エチルシクロヘキシルシラン類 （（C2H5）l1（Cy−C6H11）m1SiH4−l1−m1）、 プロピルシクロヘキシルシラン類 （（C3H7）l1（Cy−C6H11）m1SiH4−l1−m1）、 ブチルシクロヘキシルシラン類 （（C4H9）l1（Cy−C6H11）m1SiH4−l1−m1）、 メチルシクロヘキセニルシラン類 （（CH3）l1（Cy−C6H11）m1SiH4−l1−m1）、 エチルシクロヘキセニルシラン類 （（C2H5）l1（Cy−C6H9）m1SiH4−l1−m1）、 プロピルシクロヘキセニルシラン類 （（C3H7）l1（Cy−C6H9）m1SiH4−l1−m1）、 メチルエチルシクロペンチルシラン類 （（CH3）l2（C2H5）m2（Cy−C5H9）n2SiH4−l2−m2−n
2）（ただしl2＋m2＋n2≦４である。以下同様。）、 メチルシクロペンチルシクロヘキシルシラン類 （（CH3）l2（Cy−C5H9）m2（Cy−C6H11）n2SiH4−l2−
m2−n2）、 シクロペンチルジシラン類 （（Cy−C5H9）l4Si2H6−l4）、 シクロヘキシルジシラン類、 （（Cy−C6H11）l4Si2H6−l4）、 シクロペンテニルジシラン類 （（Cy−C5H7）l4Si2H6−l4）、 シクロヘキセニルジシラン類 （（Cy−C6H9）l4Si2H6−l4）、 メチルシクロペンチルジシラン類 （（CH3）a1（Cy−C5H9）b1Si2H6−a1−b1）、 エチルシクロペンチルジシラン類 （（C2H5）a1（Cy−C5H9）b1Si2H6−a1−b1）、 プロピルシクロペンチルジシラン類 （（C3H7）a1（Cy−C5H9）b1Si2H6−a1−b1）、 メチルシクロヘキシルジシラン類 （（CH3）a1（Cy−C6H11）b1Si2H6−a1−b1）、 エチルシクロヘキシルジシラン類 （（C2H5）a1（Cy−C6H11）b1Si2H6−a1−b1）、 プロピルシクロヘキシルジシラン類 （（C3H7）a1（Cy−C6H11）b1Si2H6−a1−b1）、 メチルシクロペンテニルジシラン類 （（CH3）a1（Cy−C5H7）b1Si2H6−a1−b1）、 エチルシクロヘキシルジシラン類 （（C2H5）a1（Cy−C6H11）b1Si2H6−a1−b1）、 プロピルシクロペンテニルジシラン類 （（C3H7）a1（Cy−C5H7）b1Si2H6−a1−b1）、 メチルシクロヘキセニルジシラン類 （（CH3）a1（Cy−C6H9）b1Si2H6−a1−b1）、 エチルシクロヘキセニルジシラン類 （（C2H5）a1（Cy−C6H9）b1Si2H6−a1−b1）、 プロピルシクロヘキセニルジシラン類 （（C3H7）a1（Cy−C6H9）b1Si2H6−a1−b1）、 ビニルシラン類（（C2H3）l3SiH4−l3）、 アリルシラン類（（C3H5）l3SiH4−l3）、 ブテニルシラン類（（C4H7）l3SiH4−l3）、 メチルビニルシラン類 （（CH3）l1（C2H3）m1SiH4−l1−m1）、 エチルビニルシラン類 （（C2H5）l1（C2H3）m1SiH4−l1−m1）、 プロピルビニルシラン類 （（C3H7）l1（C2H3）m1SiH4−l1−m1）、 メチルシクロヘキシルビニルシラン類 （（CH3）l2（Cy−C6H11）m2（C2H3）n2SiH4−l2−m2−
n2） エチルシクロヘキシルビニルシラン類 （（C2H5）l2（Cy−C6H11）m2（C2H3）n2SiH4−l2−m2
−n2 ビニルジシラン類（（C2H3）l4Si2H6−l4）、 アリルジシラン類（（C3H5）l4Si2H6−l4）、 ブテニルジシラン類（（C4H7）l4Si2H6−l4）、 メチルビニルジシラン類 （（CH3）a1（C2H3）b1Si2H6−a1−b1）、 エチルビニルジシラン類 （（C2H5）a1（C2H3）b1Si2H6−a1−b1）、 プロピルビニルジシラン類 （（C3H7）a1（C2H3）b1Si2H6−a1−b1）、 メチルアリルジシラン類 （（CH3）a1（C3H5）b1Si2H6−a1−b1）、 エチルアリルジシラン類 （（C2H5）a1（C3H5）b1Si2H6−a1−b1）、 などの脂肪族および脂環式飽和および不飽和炭化水素基
含有ケイ素化合物、また、フェニルシラン類（（C6H5）
l3SiH4−l3）、 ベンジルシラン類 （（C6H5CH2）l3SiH4−l3）、 （フェニルエチル）シラン類 （（C6H5C2H4）l3SiH4−l3）、 メチルフェニルシラン類 （（CH3）l1（C6H5）m1SiH4−l1−m1）、 エチルフェニルシラン類 （（C2H5）l1（C6H5）m1SiH4−l1−m1）、 プロピルフェニルシラン類 （（C3H7）l1（C6H5）m1SiH4−l1−m1）、 メチルベンジルシラン類 （（CH3）l1（C6H5CH2）m1SiH4−l1−m1）、 エチルベンジルシラン類 （（C2H5）l1（C6H5CH2）m1SiH4−l1−m1）、 メチル（フェニルエチル）シラン類 （（CH3）l1（C6H5CH2）m1SiH4−l1−m1）、 エチル（フェニルエチル）シラン類 （（C2H5）l1（C6H5CH2CH2）m1SiH4−l1−m1）、 ビニルフェニルシラン類 （（C2H3）l1（C6H5）m1SiH4−l1−m1）、 アルリフェニルシラン類 （（C3H5）l1（C6H5）m1SiH4−l1−m1）、 フェニルジシラン類（（C6H5）l1Si2H6−l4）、 ベンジルジシラン類（（C6H5CH2）l4SiH6−l4）、 （フェニルエチル）ジシラン類 （（C6H5CH2）l4SiH6−l4）、 ナフチルジシラン類 （（C10H7）l4Si2H6−l4）、等の芳香族基含有ケイ素化
合物、シラシクロプロパン（SiH2（C2H4））、シラシク
ロブタン（SiH2（C3H6））、シラクロペンタン（SiH
2（C2H8））、などの環状ケイ素化合物などが挙げられ
る。さらにこれらケイ素化合物においてケイ素骨格は直
鎖状または分岐状のいずれのケイ素化合物であっても良
い。
熱分解反応に必要な温度範囲は100℃から1000℃の間で
あり、好ましくは300℃から700℃の間で行なう。反応温
度が100℃未満では反応が殆ど進行せず、1000℃を越え
ると殆どのシラン生成物がケイ素金属に分解して、極端
な選択率の低下をもたらす。
あり、好ましくは300℃から700℃の間で行なう。反応温
度が100℃未満では反応が殆ど進行せず、1000℃を越え
ると殆どのシラン生成物がケイ素金属に分解して、極端
な選択率の低下をもたらす。
次に熱分解を行なうに際しては、反応形態は常圧、加圧
または減圧反応のいずれで行っても差支えない。さらに
気相およびまたは液相反応のいずれにても行ない得る
が、とりわけ通常最も簡便な常圧で気相および又は液相
反応で行う事ができる。さらには熱分解反応に際して原
料ケイ素化合物を、原料ケイ素化合物および生成物に対
して不活性となる気体、およびまた液体によって希釈し
て行うことが出来る。希釈剤として例えば気体では水
素、窒素、ヘリウム、アルゴン等の原料ケイ素化合物お
よび生成物に対して、不活性である気体が挙げられる。
また、例えば常温で液体である希釈剤としては、脂肪族
飽和炭化水素化合物（ｎ−ペンタン、分枝ペンタン類、
ｎ−ヘキサン、分枝ヘキサン類、ｎ−ヘプタン、分枝ヘ
プタン類、ｎ−オクタン、分枝オクタン類、ｎ−ノナ
ン、分枝ノナン類など）、飽和脂環式炭化水素化合物
（シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、
シクロオクタンなど）、脂肪族エーテル化合物（ジエチ
ルエーテル、ジメトキシプロパン、ジグライム、トリグ
ライム、テトラヒドロフランなど）、脂肪族アルコール
（メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピル
アルコール、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアル
コール、sec−ブチルアルコール、tert−ブチルアルコ
ールなど）、芳香族炭化水素化合物（ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ジエチル
ベンゼなど）、芳香族エーテル（アニソール、エトキシ
ベンゼン、ジフェニルエーテルなど）等が挙げられる。
さらに上記群中の化合物の２以上の化合物の組合せとし
て使用する事もできる。特に熱分解反応を気相にて行な
う場合には、水素を希釈剤として使用する事が望まし
い。
または減圧反応のいずれで行っても差支えない。さらに
気相およびまたは液相反応のいずれにても行ない得る
が、とりわけ通常最も簡便な常圧で気相および又は液相
反応で行う事ができる。さらには熱分解反応に際して原
料ケイ素化合物を、原料ケイ素化合物および生成物に対
して不活性となる気体、およびまた液体によって希釈し
て行うことが出来る。希釈剤として例えば気体では水
素、窒素、ヘリウム、アルゴン等の原料ケイ素化合物お
よび生成物に対して、不活性である気体が挙げられる。
また、例えば常温で液体である希釈剤としては、脂肪族
飽和炭化水素化合物（ｎ−ペンタン、分枝ペンタン類、
ｎ−ヘキサン、分枝ヘキサン類、ｎ−ヘプタン、分枝ヘ
プタン類、ｎ−オクタン、分枝オクタン類、ｎ−ノナ
ン、分枝ノナン類など）、飽和脂環式炭化水素化合物
（シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、
シクロオクタンなど）、脂肪族エーテル化合物（ジエチ
ルエーテル、ジメトキシプロパン、ジグライム、トリグ
ライム、テトラヒドロフランなど）、脂肪族アルコール
（メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピル
アルコール、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアル
コール、sec−ブチルアルコール、tert−ブチルアルコ
ールなど）、芳香族炭化水素化合物（ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ジエチル
ベンゼなど）、芳香族エーテル（アニソール、エトキシ
ベンゼン、ジフェニルエーテルなど）等が挙げられる。
さらに上記群中の化合物の２以上の化合物の組合せとし
て使用する事もできる。特に熱分解反応を気相にて行な
う場合には、水素を希釈剤として使用する事が望まし
い。
次に本発明におけるケイ素化合物の熱分解反応の方法に
ついて述べる。基本的には、気相、または液相、または
気相および液相混合相のいずれの方法においても行なう
ことが出来る。さらに流通、バッチ、セミバッチ型の反
応器のいずれも使用することができ、加圧、常圧、減圧
のいずれの反応系においても行なうことができる。例え
ば以下のような反応方法を実施し易い方法として採用出
来る。
ついて述べる。基本的には、気相、または液相、または
気相および液相混合相のいずれの方法においても行なう
ことが出来る。さらに流通、バッチ、セミバッチ型の反
応器のいずれも使用することができ、加圧、常圧、減圧
のいずれの反応系においても行なうことができる。例え
ば以下のような反応方法を実施し易い方法として採用出
来る。
（１）原料ケイ素化合物を反応容器（必要であるならば
耐圧反応容器）中に入れ加熱分解反応を行なう。
耐圧反応容器）中に入れ加熱分解反応を行なう。
（２）希釈媒体（気体、液体、固体）および原料ケイ素
化合物を反応容器（必要であるならば耐圧反応容器）中
へ入れ加熱分解反応を行なう。
化合物を反応容器（必要であるならば耐圧反応容器）中
へ入れ加熱分解反応を行なう。
（３）原料ケイ素化合物を予め所定温度に加熱した単管
式反応管中へ連続的に流入させ加熱分解反応を行なう。
式反応管中へ連続的に流入させ加熱分解反応を行なう。
（４）希釈媒体とともに原料ケイ素化合物を予め所定温
度に加熱した単管式反応管中へ連続的に流入させて加熱
分解反応を行なう。
度に加熱した単管式反応管中へ連続的に流入させて加熱
分解反応を行なう。
本発明はこれらの方法に限定されるものではない。
この反応に使用する原料および生成物質は活性であり、
例えばナトリウムアルコラート溶液、水酸化ナトリウム
水溶液などのアルカリ性物質等で分解する。さらには酸
素と反応し、発火、分解するものが殆どであり、そのた
めの反応は原料ケイ素化合物や生成水素化ケイ素化合物
に対して不活性な雰囲気下で行なう必要がある。例えば
十分に脱酸素した、ヘリウムアルゴン、などの不活性ガ
スや窒素、水素等の雰囲気下に予めした後行なう必要が
ある。
例えばナトリウムアルコラート溶液、水酸化ナトリウム
水溶液などのアルカリ性物質等で分解する。さらには酸
素と反応し、発火、分解するものが殆どであり、そのた
めの反応は原料ケイ素化合物や生成水素化ケイ素化合物
に対して不活性な雰囲気下で行なう必要がある。例えば
十分に脱酸素した、ヘリウムアルゴン、などの不活性ガ
スや窒素、水素等の雰囲気下に予めした後行なう必要が
ある。
なお、本発明の方法において原料シラン類と生成シラン
とは蒸留分離可能であり、また副生成物として生じる炭
化水素化合物（ハイドロカーボン）類は蒸留及び従来公
知法による吸着法により分離精製することができる。
とは蒸留分離可能であり、また副生成物として生じる炭
化水素化合物（ハイドロカーボン）類は蒸留及び従来公
知法による吸着法により分離精製することができる。
（発明の効果） 本発明によれば従来法における副生成物でもある一般式
SixHyRzで表わされるケイ素化合物を加熱分解し、少な
くとも１分子のＲで表わされる炭化水素基を脱離させＲ
から脱水素した化合物（例えばエチル基が脱離し、エチ
レン）を生成すると同時に一般式SixH(y+n)R(z-n)で表
わされる水素化ケイ素化合物、（ただし、ｘは１以上の
正の整数であり、ｙは０または１以上の正の整数であ
り、ｚおよびｎは１以上の正の整数であり、2x＋２＝ｙ
＋ｚ、ｎの関係式を満たす。ただし環状ケイ素化合物
の場合には環の数をｍ（ｍは正の整数）とすれば2x＋２
−ｍ＝ｙ＋ｚである関係式を満たす。）を生成させるこ
とができる。本発明方法によれば、触媒および還元試剤
等を用いることなく目的の化合物を得ることができる。
この本発明の反応を１段階あるいは多段階、逐次行なわ
せることによって一般式SixH2x+2（ただしｘは１以上の
正の整数）で表わされるケイ素水素化合物を簡便かつ経
済的に製造することができる。とりわけｘ＝１、もしく
は２の場合においては、特に半導体シリコン、太陽電池
用アモルファスシリコン等の原料となるモノシラン（Si
H4）、ジシラン（Si2H6）を製造する簡便かつ経済的な
方法となる。その他種々の含炭化水素基及び／または含
水素ケイ素化合物を製造する方法としても有用である。
SixHyRzで表わされるケイ素化合物を加熱分解し、少な
くとも１分子のＲで表わされる炭化水素基を脱離させＲ
から脱水素した化合物（例えばエチル基が脱離し、エチ
レン）を生成すると同時に一般式SixH(y+n)R(z-n)で表
わされる水素化ケイ素化合物、（ただし、ｘは１以上の
正の整数であり、ｙは０または１以上の正の整数であ
り、ｚおよびｎは１以上の正の整数であり、2x＋２＝ｙ
＋ｚ、ｎの関係式を満たす。ただし環状ケイ素化合物
の場合には環の数をｍ（ｍは正の整数）とすれば2x＋２
−ｍ＝ｙ＋ｚである関係式を満たす。）を生成させるこ
とができる。本発明方法によれば、触媒および還元試剤
等を用いることなく目的の化合物を得ることができる。
この本発明の反応を１段階あるいは多段階、逐次行なわ
せることによって一般式SixH2x+2（ただしｘは１以上の
正の整数）で表わされるケイ素水素化合物を簡便かつ経
済的に製造することができる。とりわけｘ＝１、もしく
は２の場合においては、特に半導体シリコン、太陽電池
用アモルファスシリコン等の原料となるモノシラン（Si
H4）、ジシラン（Si2H6）を製造する簡便かつ経済的な
方法となる。その他種々の含炭化水素基及び／または含
水素ケイ素化合物を製造する方法としても有用である。
実施例 以下本発明を実施例によって具体的に説明する。
実施例１〜３ モノエチルシラン20mmoleを予めヘリウム雰囲気下にし
た200mlオートクレーブ中へ圧入し、第１表に掲げたよ
うに所定の温度および時間で加熱分解反応を行ない、そ
の後ガスクロマトグラフィーによって、生成物の分析を
行った。結果を第１表に示した。
た200mlオートクレーブ中へ圧入し、第１表に掲げたよ
うに所定の温度および時間で加熱分解反応を行ない、そ
の後ガスクロマトグラフィーによって、生成物の分析を
行った。結果を第１表に示した。
実施例４〜８ モノエチルシラン20mmoleを予めヘリウム雰囲気下にし
た200mlオートクレーブにそれぞれ圧入し、モノエチル
シラン濃度がそれぞれ第２表に掲げた濃度となるように
水素またはヘリウムを圧入し希釈した後、400℃で加熱
撹拌反応を行なった。結果を第２表に示した。
た200mlオートクレーブにそれぞれ圧入し、モノエチル
シラン濃度がそれぞれ第２表に掲げた濃度となるように
水素またはヘリウムを圧入し希釈した後、400℃で加熱
撹拌反応を行なった。結果を第２表に示した。
実施例９〜13 モノエチルシラン10mmoleを常圧下で、第３表に示す如
く、所定の流入速度で所定温度に加熱した単管（加熱部
位長さ200mm、内径8mmφ）中へ連続的に流入させ熱分解
反応を行なった。結果を第３表に示した。
く、所定の流入速度で所定温度に加熱した単管（加熱部
位長さ200mm、内径8mmφ）中へ連続的に流入させ熱分解
反応を行なった。結果を第３表に示した。
生成ガス分析については反応生成ガスをガスホルダーに
貯留した後ガスクロマトグラフィーによって行なった。
貯留した後ガスクロマトグラフィーによって行なった。
実施例14〜22 第４表に示したようにモノエチルシランを予め水素又は
ヘリウムで所定濃度に希釈した後、実施例９〜13と同様
にして予め第４表に示す温度に加熱した単管（加熱部位
長さ200mm、内径8mmφ）中に連続的に流入させて熱分解
反応を行なった。結果を第４表に示した。分析はガスク
ロマトグラフィーによって行なった。
ヘリウムで所定濃度に希釈した後、実施例９〜13と同様
にして予め第４表に示す温度に加熱した単管（加熱部位
長さ200mm、内径8mmφ）中に連続的に流入させて熱分解
反応を行なった。結果を第４表に示した。分析はガスク
ロマトグラフィーによって行なった。
実施例23 予め100℃に加熱した容器中にジエチルシラン2mmol水素
18mmolを入れた後、予め550℃に加熱した実施例９〜22
で用いた単管中に流速20.5ml/分で連続的に流入させ流
通反応を行なった、ガスクロマトグラフィーによって反
応生成物を分析した結果、ジエチルシランの転化率42.3
％でモノエチルシランが25.4％、モノシランが15.1％そ
れぞれ得られた。
18mmolを入れた後、予め550℃に加熱した実施例９〜22
で用いた単管中に流速20.5ml/分で連続的に流入させ流
通反応を行なった、ガスクロマトグラフィーによって反
応生成物を分析した結果、ジエチルシランの転化率42.3
％でモノエチルシランが25.4％、モノシランが15.1％そ
れぞれ得られた。
実施例24 予めヘリウム置換した容器中にモノエチルトリシラン1
0.0mmole、ｎ−ヘキサン90mmoleを入れ、撹拌し均一に
させた後、400℃に加熱した上記反応管に流速30ml/分
（ガス流速）で連続的に流入させた。反応生成物をガス
クロマトグラフィーによって分析した結果モノエチルト
リシランの転化率76.4％トリシランの収率28.7％であっ
た。
0.0mmole、ｎ−ヘキサン90mmoleを入れ、撹拌し均一に
させた後、400℃に加熱した上記反応管に流速30ml/分
（ガス流速）で連続的に流入させた。反応生成物をガス
クロマトグラフィーによって分析した結果モノエチルト
リシランの転化率76.4％トリシランの収率28.7％であっ
た。
実施例25 メチルエチルシラン、メチルプロピルシラン、ｎ−プロ
ピルシラン、及びシラシクロペンタンをそれぞれ1.0mmo
leをｎ−ヘキサン90mmoleに溶かし、上記反応管中に550
℃流速20ml/分（ガス流速）で連続的に流入させ、反応
生成物をガスクロマトグラフィーによって分析した。
ピルシラン、及びシラシクロペンタンをそれぞれ1.0mmo
leをｎ−ヘキサン90mmoleに溶かし、上記反応管中に550
℃流速20ml/分（ガス流速）で連続的に流入させ、反応
生成物をガスクロマトグラフィーによって分析した。
それぞれの出発原料の場合のモノシランの収率は次に示
す通りであった。
す通りであった。
メチルエチルシラン（6.2％）、メチル−ｎ−プロピル
シラン（10.8％）、ｎ−プロピルシラン（49.7％）、シ
ラシクロペンタン（11.4％）
シラン（10.8％）、ｎ−プロピルシラン（49.7％）、シ
ラシクロペンタン（11.4％）
Claims (7)
- 【請求項１】一般式SixHyRz（式中ｘは１以上の正の整
数であり、ｙは０もしくはそれ以上の正の整数であり、
またｚは１以上の整数である。ｘ、ｙ、ｚは2x＋２＝ｙ
＋ｚの関係を満たし、Ｒが２価の基となってSiと結合し
て環状ケイ素化合物を形成する場合は、その環の数をｍ
とすれば2x＋２−ｍ＝ｙ＋ｚの関係を満たす。Ｒは脂肪
族、脂環式および／または芳香族炭化水素基である。） で表わされるケイ素化合物を100〜1000℃で加熱するこ
とにより、一般式 SixHy＋nRz-n （ただしｎは１以上の整数でありｎｚの関係を満た
す。）で表わされる化合物を得ることを特徴とする水素
化ケイ素化合物の製法。 - 【請求項２】Ｒが脂肪族飽和もしくは不飽和炭化水素基
である特許請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項３】Ｒが脂環式飽和もしくは不飽和炭化水素基
である特許請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項４】Ｒが芳香族炭化水素基である特許請求の範
囲第１項記載の方法。 - 【請求項５】Ｒがケイ素と２価の結合を有し、ケイ素化
合物を環状ケイ素化合物とならしめる炭化水素基である
特許請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項６】Ｒが含ヘテロ元素炭化水素基である特許請
求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項７】ｚ２の場合（ｉ）Ｒはすべて同一の炭化
水素、（ii）各々すべて異なる炭化水素基もしくは（ii
i）Ｒのうちいくつかは同一の炭化水素基のいずれかで
ある特許請求の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16879285A JPH0692245B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 水素化ケイ素化合物の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16879285A JPH0692245B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 水素化ケイ素化合物の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230612A JPS6230612A (ja) | 1987-02-09 |
| JPH0692245B2 true JPH0692245B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=15874557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16879285A Expired - Lifetime JPH0692245B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 水素化ケイ素化合物の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0692245B2 (ja) |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP16879285A patent/JPH0692245B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6230612A (ja) | 1987-02-09 |
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