JPH0691388A - Laser beam machine - Google Patents

Laser beam machine

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Publication number
JPH0691388A
JPH0691388A JP4244655A JP24465592A JPH0691388A JP H0691388 A JPH0691388 A JP H0691388A JP 4244655 A JP4244655 A JP 4244655A JP 24465592 A JP24465592 A JP 24465592A JP H0691388 A JPH0691388 A JP H0691388A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
point
laser
laser light
laser beam
Prior art date
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Pending
Application number
JP4244655A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Sadao Sasaki
貞夫 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
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Publication of JPH0691388A publication Critical patent/JPH0691388A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To eliminate the need for special pre- and post-treatments at the time of executing laser beam processing by using a laser beam which is hardly absorbed. CONSTITUTION:A computer causes an aq. copper sulfate soln. to be discharged to a point P so that the soln. is applied like a spot on this point upon recognition of the positioning of a soln. discharge point 5a at the point P which is the processing start point of a substrate 1. The computer, then, moves an X-Y-Z stage to align an optical axis 18 and the point P and instructs, at the point of this time, a laser oscillator to output the laser beam. The laser beam 23 cast to the point P is absorbed in the aq. copper sulfate soln. to raise the soln. to a high temp. and the substrate 1 in the lower part thereof is made into a molten state. The subsequent laser beam processing is well executed even if the aq. copper sulfate soln. is not applied. Namely, the cutting processing from the point P to the point Q is well executed without the application of the aq. copper sulfate soln. A cutting groove 1a is consequently formed on the substrate 1.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は加工対象物にレーザ光を
照射してレーザ加工を施すレーザ加工装置に関し、特に
ガラスやセラミック等のレーザ光を吸収しにくい材質を
加工するレーザ加工装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus for irradiating a processing object with laser light for laser processing, and more particularly to a laser processing apparatus for processing a material such as glass or ceramic which hardly absorbs laser light.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ガラスやセラミック等のレーザ加
工には、これらの材質に対して吸収の良い波長10.6
μmの炭酸ガスレーザが使用されてきたが、この炭酸ガ
スレーザでは、長波長による熱影響の大きいこと、レー
ザビーム制御性の悪さ等のために、良好な加工性能を得
ることができなかった。
2. Description of the Related Art Conventionally, in laser processing of glass, ceramics, etc., a wavelength of 10.6 having good absorption for these materials is used.
Although a carbon dioxide laser of μm has been used, good processing performance cannot be obtained with this carbon dioxide laser due to a large thermal effect due to long wavelength and poor controllability of the laser beam.

【0003】この炭酸ガスレーザに対し、波長1.06
μmのYAGレーザは、短パルス化、波形制御等に優
れ、また熱影響もある程度抑制することができるという
利点を備えているものの、ガラスやセラミック等に対し
て吸収されにくく、効率の良い加工を行うことができな
かった。このため、加工対象物の全表面にレーザ光を吸
収しやすい溶剤(レーザ光吸収溶液)を塗布したり、エ
ッチングによって表面を粗くする等の前処理を行い、レ
ーザ光が吸収されやすくなるようにしている(例えば特
開昭60−152390号公報参照)。これによって、
加工対象物表面でのレーザ光による溶融が可能となり、
所望のレーザ加工を行うことができる。
This carbon dioxide laser has a wavelength of 1.06
The μm YAG laser is excellent in shortening the pulse and controlling the waveform, and has the advantage of being able to suppress the thermal effect to some extent, but it is difficult to be absorbed by glass and ceramics, and efficient processing is possible. Could not be done. For this reason, a pretreatment such as applying a solvent that easily absorbs laser light (laser light absorbing solution) to the entire surface of the object to be processed or roughening the surface by etching is performed to make it easier for the laser light to be absorbed. (See, for example, JP-A-60-152390). by this,
It becomes possible to melt by laser light on the surface of the workpiece,
The desired laser processing can be performed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来方法
では、加工対象物に対するレーザ光吸収溶液の塗布、乾
燥、エッチング等の前処理や、加工後の洗浄等の後処理
を必要とし、余分な工程を追加する必要があった。ま
た、加工対象物によっては、塗布、エッチング、洗浄と
いった処理が困難なものもあり、そのような場合レーザ
加工そのものを行うことができなかった。
However, the above-mentioned conventional method requires pretreatment such as coating, drying, and etching of the laser light absorbing solution on the object to be processed, and post-treatment such as cleaning after processing. It was necessary to add steps. In addition, depending on the object to be processed, it may be difficult to perform processing such as coating, etching, and cleaning, and in such a case, laser processing itself could not be performed.

【0005】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、レーザ加工のための特別な前後処理を必要と
しないレーザ加工装置を提供することを目的とする。ま
た、本発明の他の目的は、従来はレーザ加工が困難であ
った材料や形状等に対するレーザ加工を可能とすること
ができるレーザ加工装置を提供することである。
The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a laser processing apparatus which does not require a special pre-processing and post-processing for laser processing. Another object of the present invention is to provide a laser processing apparatus capable of performing laser processing on materials, shapes, etc., which have been difficult to perform laser processing in the past.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、加工対象物にレーザ光を照射してレーザ
加工を施すレーザ加工装置において、前記加工対象物の
加工開始点にレーザ光吸収溶液を吐出する吐出手段と、
前記レーザ光吸収溶液が付着した前記加工開始点にレー
ザ光を照射してレーザ加工を行うレーザ加工手段と、を
有することを特徴とするレーザ加工装置が、提供され
る。
In order to solve the above problems, in the present invention, in a laser processing apparatus for irradiating a laser beam on a processing object to perform laser processing, a laser beam is applied to a processing start point of the processing object. Ejection means for ejecting the absorbing solution,
A laser processing device is provided, which comprises: a laser processing means for performing laser processing by irradiating a laser beam to the processing start point to which the laser light absorbing solution is attached.

【0007】[0007]

【作用】吐出手段は、加工対象物の加工開始点にレーザ
光吸収溶液を吐出し、レーザ加工手段は、そのレーザ光
吸収溶液が付着した加工開始点にレーザ光を照射してレ
ーザ加工を行う。加工開始点にレーザ光吸収溶液を付着
させるので、その加工開始点でレーザ光が吸収され、レ
ーザ光による溶融が開始する。一度溶融が始まると、レ
ーザ光吸収率が向上しレーザ光を走査させながら加工し
ていく場合にも、溶融箇所を順次たどっていく形とな
る。このため、加工経路にレーザ光吸収溶液が存在して
いなくても、小さいエネルギーで良好なレーザ加工が進
行する。
The discharging means discharges the laser light absorbing solution to the processing start point of the object to be processed, and the laser processing means irradiates the laser beam to the processing start point to which the laser light absorbing solution adheres to perform the laser processing. . Since the laser light absorbing solution is attached to the processing start point, the laser light is absorbed at the processing start point and melting by the laser light starts. Once the melting starts, the laser light absorption rate improves, and even when processing is performed while scanning the laser light, the melting points are sequentially traced. Therefore, even if the laser light absorbing solution does not exist in the processing path, good laser processing proceeds with small energy.

【0008】また、加工開始点にレーザ光吸収溶液を付
着させるだけなので、塗布、エッチング等の前処理が不
要となる。さらに、付着したレーザ光吸収溶液は、最初
のレーザ光照射時にその殆どが蒸発するため、洗浄等の
後処理も不要となる。したがって、吸収しにくいレーザ
光を用いる場合でも簡単にレーザ加工を行うことができ
る。また、従来これらの前後処理が悪影響を与えるため
に実施できなかった材料、形状、組立済被加工物等への
適用をも可能となる。
Further, since the laser light absorbing solution is simply attached to the processing starting point, pretreatment such as coating and etching is unnecessary. Furthermore, most of the adhered laser light absorbing solution evaporates at the time of the first laser light irradiation, so that post-treatment such as cleaning is unnecessary. Therefore, laser processing can be easily performed even when a laser beam that is difficult to be absorbed is used. Further, it becomes possible to apply to materials, shapes, assembled workpieces and the like which could not be carried out due to the adverse effects of these pre- and post-treatments.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図2は本発明のレーザ加工装置の全体構成図で
ある。図において、コンピュータ100は、プロセッサ
(図示せず)を中心に構成され、所定の制御プログラム
に基づいて、レーザ発振器7、ステージコントローラ4
等に指令信号を出力し、レーザ加工装置全体の動作を制
御する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 is an overall configuration diagram of the laser processing apparatus of the present invention. In the figure, a computer 100 is mainly composed of a processor (not shown), and based on a predetermined control program, a laser oscillator 7 and a stage controller 4 are provided.
And outputs a command signal to control the operation of the entire laser processing apparatus.

【0010】レーザ発振器7はNd:YAGレーザ発振
器であり、コンピュータ100からの指令信号に応じ
て、波長1064nmの連続発振レーザ光を出力する。
そのレーザ光の出力は、レーザパワー調整器8によって
減衰される。このレーザパワー調整器8での減衰割合
は、コンピュータ100からの指令によって制御可能で
ある。レーザパワー調整器8を通過したレーザ光は、ビ
ームスプリッタ9で分けられ、その一部がパワーメータ
10によってパワーモニタされる。そのモニタ信号はコ
ンピュータ100にフィードバックされる。ビームスプ
リッタ9により反射されたレーザ光は、顕微鏡11及び
倍率50倍の対物レンズ12へ導入され基板1の表面に
集束、照射される。
The laser oscillator 7 is an Nd: YAG laser oscillator and outputs a continuous wave laser beam having a wavelength of 1064 nm in response to a command signal from the computer 100.
The output of the laser light is attenuated by the laser power adjuster 8. The attenuation rate in the laser power adjuster 8 can be controlled by a command from the computer 100. The laser light that has passed through the laser power adjuster 8 is split by the beam splitter 9, and a part of it is power-monitored by the power meter 10. The monitor signal is fed back to the computer 100. The laser light reflected by the beam splitter 9 is introduced into the microscope 11 and the objective lens 12 having a magnification of 50 times, and is focused and irradiated on the surface of the substrate 1.

【0011】基板1は、例えばガラス基板であり、XY
Zステージ3に基板取付け治具2を介して固定される。
この基板1は、XYZステージ3を制御するステージコ
ントローラ4によって、互いに直交するX、Y、Z軸方
向にそれぞれ独立に移動可能となる。
The substrate 1 is, for example, a glass substrate, and XY
It is fixed to the Z stage 3 via the substrate mounting jig 2.
The substrate 1 can be independently moved in the X, Y, and Z axis directions orthogonal to each other by the stage controller 4 that controls the XYZ stage 3.

【0012】顕微鏡11に設けられたモニタカメラ13
は、基板1のレーザ光照射部分を撮像する。その撮像デ
ータは、モニタ15に出力されて画像表示されると共
に、オートフォーカスユニット14に出力される。オー
トフォーカスユニット14は、その撮像データから、レ
ーザ光が常時基板1の表面に集束されるよう、基板1と
対物レンズ12との間の距離を検出し、その検出電気信
号をステージコントローラ4に出力する。ステージコン
トローラ4は、その検出電気信号に基づいて、XYZス
テージ3を制御し基板1をZ軸方向に移動させる。
A monitor camera 13 provided on the microscope 11.
Captures an image of the laser light irradiation portion of the substrate 1. The imaged data is output to the monitor 15 and displayed as an image, and is also output to the autofocus unit 14. From the imaged data, the autofocus unit 14 detects the distance between the substrate 1 and the objective lens 12 so that the laser beam is always focused on the surface of the substrate 1, and outputs the detected electric signal to the stage controller 4. To do. The stage controller 4 controls the XYZ stage 3 based on the detected electric signal to move the substrate 1 in the Z-axis direction.

【0013】顕微鏡11の下端側には回転ステージ17
等を介して溶液吐出器5が設けられている。溶液吐出器
5は、レーザ光吸収溶液を基板1に局所的または連続的
に吐出するためのものであり、その吐出量は、コンピュ
ータ100からの指令を受けて動作する溶液吐出コント
ローラ6によって制御される。溶液吐出コントローラ6
には、レーザ光吸収溶液を蓄積する容器、そのレーザ光
吸収溶液を送り出すポンプ、及びレーザ光吸収溶液の吐
出量を調整するためのバルブが内蔵されている。レーザ
光吸収溶液としては、例えばNd:YAGレーザ光を高
吸収する硫酸銅水溶液が使用される。以下に、溶液吐出
器5の詳細を図3を用いて説明する。
A rotary stage 17 is provided at the lower end side of the microscope 11.
A solution ejector 5 is provided via the above. The solution ejector 5 is for ejecting the laser light absorbing solution locally or continuously to the substrate 1, and its ejection amount is controlled by a solution ejection controller 6 which operates in response to a command from the computer 100. It Solution discharge controller 6
The container contains a container for accumulating the laser light absorbing solution, a pump for feeding the laser light absorbing solution, and a valve for adjusting the discharge amount of the laser light absorbing solution. As the laser light absorbing solution, for example, a copper sulfate aqueous solution that highly absorbs Nd: YAG laser light is used. The details of the solution ejector 5 will be described below with reference to FIG.

【0014】図3は溶液吐出器の拡大図である。図に示
すように、顕微鏡11下端側の回転ステージ17外周部
分に直進ステージ19及びピエゾ素子21が設けられ、
そのピエゾ素子21に溶液吐出器5が設けられている。
溶液吐出器5は、DCモータ17a及びここでは図示さ
れないギヤを備えた回転ステージ17によって、レーザ
光の光軸18回りに360°の回転が可能となる。ま
た、DCモータ19aを備えた直進ステージ19によっ
て、溶液吐出器5の溶液吐出口5aはZ軸方向の移動が
可能となり、ピエゾ素子21によって光軸18と溶液吐
出口5aとの距離が調整可能となる。これらの回転ステ
ージ17、直進ステージ19及びピエゾ素子21は、コ
ンピュータ100からの指令を受けて動作するステージ
コントローラ4(図2)によって制御される。
FIG. 3 is an enlarged view of the solution ejector. As shown in the figure, a linear stage 19 and a piezo element 21 are provided on the outer peripheral portion of the rotary stage 17 on the lower end side of the microscope 11.
The solution ejector 5 is provided on the piezo element 21.
The solution ejector 5 can be rotated about the optical axis 18 of the laser light by 360 ° by the rotary stage 17 having a DC motor 17a and a gear (not shown). Further, the linear movement stage 19 equipped with the DC motor 19a enables the solution ejection port 5a of the solution ejection device 5 to move in the Z-axis direction, and the distance between the optical axis 18 and the solution ejection port 5a can be adjusted by the piezo element 21. Becomes The rotary stage 17, the rectilinear stage 19 and the piezo element 21 are controlled by the stage controller 4 (FIG. 2) which operates in response to a command from the computer 100.

【0015】図1は本発明のレーザ加工装置による加工
手順の説明図であり、(A)、(B)及び(C)はそれ
ぞれ第1、第2及び第3ステップを示す。図において、
基板1のP点からQ点までを切断加工する場合について
説明する。先ず、図1(A)に示すように、溶液吐出口
5aの先端を、上記の回転ステージ17(図3)、直進
ステージ19(図3)、ピエゾ素子21(図3)あるい
はXYZステージ3(図2)を移動制御することによ
り、加工開始点であるP点に位置させる。これらの移動
制御及び後述する加工動作は、コンピュータ100に予
め設定されたプログラムに従って行われる。コンピュー
タ100は、溶液吐出口5aがP点に位置したことを認
識すると、P点にレーザ光吸収溶液である硫酸銅水溶液
を塗布(付着)するように溶液吐出コントローラ6に指
令を出し、硫酸銅水溶液を吐出させて基板1にスポット
的に塗布させる。なお、加工経路が連続していない場合
は、各加工経路の開始点で同様にスポット的に塗布を行
う。
FIG. 1 is an explanatory view of a processing procedure by the laser processing apparatus of the present invention, and (A), (B) and (C) show first, second and third steps, respectively. In the figure,
A case where the substrate 1 is cut from point P to point Q will be described. First, as shown in FIG. 1 (A), the tip of the solution discharge port 5a is attached to the rotary stage 17 (FIG. 3), the linear stage 19 (FIG. 3), the piezo element 21 (FIG. 3) or the XYZ stage 3 (FIG. 2) is moved and controlled so that it is positioned at a point P which is a machining start point. The movement control and the machining operation described later are performed according to a program preset in the computer 100. When the computer 100 recognizes that the solution discharge port 5a is located at the point P, the computer 100 issues a command to the solution discharge controller 6 to apply (adhere) the copper sulfate aqueous solution which is the laser light absorbing solution to the point P, and the copper sulfate is discharged. The aqueous solution is discharged and applied on the substrate 1 in spots. When the processing paths are not continuous, the spotwise application is similarly performed at the starting point of each processing path.

【0016】次いで、XYZステージ3を移動させて、
図1(B)に示すように、光軸18とP点とを一致さ
せ、その時点でレーザ発振器7に指令してレーザ光23
を出力させる。P点に照射されたレーザ光23は、硫酸
銅水溶液に吸収されて高温となり、その下部の基板1を
溶融状態にする。溶融が開始すると、基板1の吸収特性
が向上し、溶融領域はレーザビーム径より少し広い領域
となる。このため、レーザ光の照射領域が連続的に移動
する場合には、溶融して吸収特性の良くなっている所を
順次たどっていくので、以後のレーザ加工は、硫酸銅水
溶液が塗布されていなくても良好に行われる。すなわ
ち、図1(C)でP点からQ点までの切断加工は、硫酸
銅水溶液の塗布なしで良好に行われ、その結果基板1に
切断溝1aが形成される。
Then, the XYZ stage 3 is moved to
As shown in FIG. 1B, the optical axis 18 and the point P are made to coincide with each other, and at that time, the laser oscillator 7 is instructed to emit the laser light 23.
Is output. The laser beam 23 irradiated to the point P is absorbed by the copper sulfate aqueous solution and becomes high temperature, and the substrate 1 therebelow is brought into a molten state. When the melting starts, the absorption characteristics of the substrate 1 improve, and the melting region becomes a region slightly wider than the laser beam diameter. For this reason, when the irradiation area of the laser beam moves continuously, it follows sequentially where it melts and the absorption characteristics are improved, so in subsequent laser processing, the copper sulfate aqueous solution is not applied. Even if done well. That is, the cutting process from the point P to the point Q in FIG. 1 (C) is satisfactorily performed without applying the copper sulfate aqueous solution, and as a result, the cutting groove 1a is formed in the substrate 1.

【0017】このように、本実施例に依れば、加工開始
点にのみ硫酸銅水溶液をスポット的に塗布し以後は硫酸
銅水溶液を塗布しないでレーザ加工を行うことができ
る。また、加工開始点に硫酸銅水溶液を付着させるだけ
なので、従来必要であった塗布、エッチング等の前処理
が不要となる。さらに、付着した硫酸銅水溶液は、最初
のレーザ光照射時にその殆どが蒸発するため、洗浄等の
後処理も不要となる。したがって、YAGレーザを吸収
しにくいガラスやセラミック等に対しても、簡単にレー
ザ加工を行うことができる。また、従来これらの前後処
理が悪影響を与えるために実施できなかった材料、形
状、組立済被加工物等への適用をも可能となる。
As described above, according to this embodiment, it is possible to perform the laser processing without spotting the copper sulfate aqueous solution by spot-wise coating the copper sulfate aqueous solution only at the processing start point. Further, since only the copper sulfate aqueous solution is attached to the processing starting point, the pretreatment such as coating and etching which has been conventionally required is unnecessary. Furthermore, most of the attached copper sulfate aqueous solution evaporates at the time of the first laser light irradiation, so that post-treatment such as cleaning is unnecessary. Therefore, it is possible to easily perform laser processing even on glass, ceramics or the like that hardly absorb the YAG laser. Further, it becomes possible to apply to materials, shapes, assembled workpieces and the like which could not be carried out due to the adverse effects of these pre- and post-treatments.

【0018】上記の説明では、溶液吐出口5aの位置決
め及び硫酸銅水溶液の塗布を自動的に行うようにした
が、それらを手動で行うように構成してもよい。また、
Nd:YAGレーザ光を吸収するレーザ光吸収溶液とし
て、硫酸銅水溶液を用いるようにしたが、硫酸銅水溶液
に代えてグラファイト水溶液やカーボン、ニッケル、銅
等の懸濁液を用いるようにしてもよい。
In the above description, the positioning of the solution discharge port 5a and the application of the copper sulfate aqueous solution are automatically performed, but they may be manually performed. Also,
Although the copper sulfate aqueous solution is used as the laser light absorbing solution that absorbs the Nd: YAG laser light, a graphite aqueous solution or a suspension of carbon, nickel, copper, or the like may be used instead of the copper sulfate aqueous solution. .

【0019】さらに、炭酸ガスレーザにおいてさらに吸
収特性を向上させようとする場合にも、本発明を同様に
適用することができ、その場合のレーザ光吸収溶液とし
ては、例えばチタンカーバイト粉の懸濁液を用いること
もできる。
Further, the present invention can be similarly applied to the case where the absorption characteristics are further improved in the carbon dioxide laser, and the laser light absorbing solution in that case is, for example, a suspension of titanium carbide powder. A liquid can also be used.

【0020】また、基板にガラス基板を用いるようにし
たが、セラミック基板等を用いることもできる。
Although the glass substrate is used as the substrate, a ceramic substrate or the like may be used.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように本発明では、加工対
象物の加工開始点にレーザ光吸収溶液を吐出し、そのレ
ーザ光吸収溶液が付着した加工開始点にレーザ光を照射
してレーザ加工を行うように構成した。加工開始点にレ
ーザ光吸収溶液を付着させるので、その加工開始点でレ
ーザ光が吸収され、レーザ光による溶融が開始する。一
度溶融が始まると、レーザ光吸収特性率が向上しレーザ
光を走査させながら加工していく場合にも、溶融箇所を
順次たどっていく形となる。このため、加工経路にレー
ザ光吸収溶液が存在していなくても、小さいエネルギー
で良好なレーザ加工を進行させることができる。
As described above, according to the present invention, the laser beam absorbing solution is discharged to the processing starting point of the object to be processed, and the laser beam is irradiated to the processing starting point to which the laser beam absorbing solution adheres to perform laser processing. Configured to do. Since the laser light absorbing solution is attached to the processing start point, the laser light is absorbed at the processing start point and melting by the laser light starts. Once the melting starts, the laser light absorption characteristic rate is improved, and even when processing is performed while scanning the laser light, the melting points are sequentially traced. Therefore, even if the laser light absorbing solution does not exist in the processing path, good laser processing can be advanced with small energy.

【0022】また、加工開始点にレーザ光吸収溶液を付
着させるだけなので、塗布、エッチング等の前処理が不
要となる。さらに、付着したレーザ光吸収溶液は、最初
のレーザ光照射時にその殆どが蒸発するため、洗浄等の
後処理も不要となる。したがって、吸収しにくいレーザ
光を用いる場合でも簡単にレーザ加工を行うことができ
る。また、従来これらの前後処理が悪影響を与えるため
に実施できなかった材料、形状、組立済被加工物等への
適用をも可能となる。
Further, since the laser light absorbing solution is simply attached to the processing start point, pretreatment such as coating and etching is unnecessary. Furthermore, most of the adhered laser light absorbing solution evaporates at the time of the first laser light irradiation, so that post-treatment such as cleaning is unnecessary. Therefore, laser processing can be easily performed even when a laser beam that is difficult to be absorbed is used. Further, it becomes possible to apply to materials, shapes, assembled workpieces and the like which could not be carried out due to the adverse effects of these pre- and post-treatments.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のレーザ加工装置による加工手順の説明
図である。
FIG. 1 is an explanatory view of a processing procedure by a laser processing apparatus of the present invention.

【図2】本発明のレーザ加工装置の全体構成図である。FIG. 2 is an overall configuration diagram of a laser processing apparatus of the present invention.

【図3】溶液吐出器の拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of a solution ejector.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 3 XYZステージ 4 ステージコントローラ 5 溶液吐出器 6 溶液吐出コントローラ 7 レーザ発振器 13 モニタカメラ 14 オートフォーカスユニット 17 回転ステージ 19 直進ステージ 21 ピエゾ素子 100 コンピュータ 1 Substrate 3 XYZ Stage 4 Stage Controller 5 Solution Discharger 6 Solution Discharge Controller 7 Laser Oscillator 13 Monitor Camera 14 Auto Focus Unit 17 Rotating Stage 19 Straight Stage 21 Piezo Element 100 Computer

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 加工対象物にレーザ光を照射してレーザ
加工を施すレーザ加工装置において、 前記加工対象物の加工開始点にレーザ光吸収溶液を吐出
する吐出手段と、 前記レーザ光吸収溶液が付着した前記加工開始点にレー
ザ光を照射してレーザ加工を行うレーザ加工手段と、 を有することを特徴とするレーザ加工装置。
1. A laser processing apparatus for irradiating a processing object with laser light to perform laser processing, comprising: a discharging unit configured to discharge a laser light absorbing solution to a processing start point of the processing object; and the laser light absorbing solution. A laser processing device, comprising: laser processing means for performing laser processing by irradiating the attached processing start point with laser light.
【請求項2】 前記加工対象物は、ガラスまたはセラミ
ックから成ることを特徴とする請求項1記載のレーザ加
工装置。
2. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the object to be processed is made of glass or ceramics.
JP4244655A 1992-09-14 1992-09-14 Laser beam machine Pending JPH0691388A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4244655A JPH0691388A (en) 1992-09-14 1992-09-14 Laser beam machine

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JP4244655A JPH0691388A (en) 1992-09-14 1992-09-14 Laser beam machine

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JPH0691388A true JPH0691388A (en) 1994-04-05

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ID=17121982

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