JPH069026Y2 - 粒体供給装置 - Google Patents
粒体供給装置Info
- Publication number
- JPH069026Y2 JPH069026Y2 JP1989138603U JP13860389U JPH069026Y2 JP H069026 Y2 JPH069026 Y2 JP H069026Y2 JP 1989138603 U JP1989138603 U JP 1989138603U JP 13860389 U JP13860389 U JP 13860389U JP H069026 Y2 JPH069026 Y2 JP H069026Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- supply pipe
- granules
- particles
- collision
- flow path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は、シリコン、ゲルマニウム等に代表される単結
晶の製造に用いて好ましい粒体の供給装置に関する。
晶の製造に用いて好ましい粒体の供給装置に関する。
（従来の技術） 現在、集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳＩ）な
どのデバイスとして工業的に広く用いられている半導体
としては、シリコン、ゲルマニウム等が知られている。
どのデバイスとして工業的に広く用いられている半導体
としては、シリコン、ゲルマニウム等が知られている。
このような半導体産業にて用いられるシリコン、ゲルマ
ニウム等の単結晶は、多結晶を原料として、多結晶棒に
誘導加熱で溶融帯を作りこれを種結晶側から移動させて
単結晶を成長させる浮遊帯溶融法（フローティング・ゾ
ーン法）、あるいは、多結晶をルツボに入れて加熱溶融
し種結晶を溶融液に浸漬してから引き上げて丸棒の単結
晶を成長させる引上げ法（チョクラルスキー法）によっ
て製造されている。
ニウム等の単結晶は、多結晶を原料として、多結晶棒に
誘導加熱で溶融帯を作りこれを種結晶側から移動させて
単結晶を成長させる浮遊帯溶融法（フローティング・ゾ
ーン法）、あるいは、多結晶をルツボに入れて加熱溶融
し種結晶を溶融液に浸漬してから引き上げて丸棒の単結
晶を成長させる引上げ法（チョクラルスキー法）によっ
て製造されている。
単結晶を製造するにあたり、溶融液にシリコン原料又は
ドードーパント等を添加する場合には粒体供給装置が用
いられているが、この粒体供給装置は、粒体を高所から
溶融液に投入する際に、溶融液から放出される熱気流や
雰囲気の流れ等によって粒体が煽られて目標投入箇所に
落下する確率が低下するという問題があることから、供
給管の先端を溶融液面近傍まで臨ませているのが一般的
である。
ドードーパント等を添加する場合には粒体供給装置が用
いられているが、この粒体供給装置は、粒体を高所から
溶融液に投入する際に、溶融液から放出される熱気流や
雰囲気の流れ等によって粒体が煽られて目標投入箇所に
落下する確率が低下するという問題があることから、供
給管の先端を溶融液面近傍まで臨ませているのが一般的
である。
このような供給管を用いた粒体の供給装置としては、例
えば、特開平１−１１９，５９３号公報、特開平１−１
１９，５９４号公報に開示されたものが知られている。
後者に開示された供給装置は、第３図に示すように、供
給管１内に原料２の落下速度を低下させる邪魔板３（減
速部）を設けることにより原料落下時の溶融液の波立ち
あるいは振動を抑制し、もって転位等の結晶欠陥を防止
するようにしている。
えば、特開平１−１１９，５９３号公報、特開平１−１
１９，５９４号公報に開示されたものが知られている。
後者に開示された供給装置は、第３図に示すように、供
給管１内に原料２の落下速度を低下させる邪魔板３（減
速部）を設けることにより原料落下時の溶融液の波立ち
あるいは振動を抑制し、もって転位等の結晶欠陥を防止
するようにしている。
（考案が解決しようとする課題） しかしながら、上述した従来の供給装置にあっては、第
３図に示すように、粒体２を高所から連続して落下させ
ると、邪魔板３の上面に粒体が溜まり実質的に邪魔板の
表面の傾斜角度が大きくなって、この上に落下した粒体
はほとんど減速することなく溶融液中に導かれることと
なる。したがって、依然、溶融液表面の波立ちあるいは
振動が引き上げられる単結晶に伝達して転位等の結晶欠
陥が発生するという問題があった。
３図に示すように、粒体２を高所から連続して落下させ
ると、邪魔板３の上面に粒体が溜まり実質的に邪魔板の
表面の傾斜角度が大きくなって、この上に落下した粒体
はほとんど減速することなく溶融液中に導かれることと
なる。したがって、依然、溶融液表面の波立ちあるいは
振動が引き上げられる単結晶に伝達して転位等の結晶欠
陥が発生するという問題があった。
そこで本出願人は、実願昭６３−４３，２２７号（実開
平１−１４７，２６９号公報）にて、供給管に流路断面
積が局部的に大きな澱み部を設けた粒体供給装置を提案
したが、かかる供給装置にあっては、粒体の供給量が増
加すると供給管の中心部分の粒体流速が増加する傾向が
あることが判明した。
平１−１４７，２６９号公報）にて、供給管に流路断面
積が局部的に大きな澱み部を設けた粒体供給装置を提案
したが、かかる供給装置にあっては、粒体の供給量が増
加すると供給管の中心部分の粒体流速が増加する傾向が
あることが判明した。
本考案は、このような従来技術の問題点に鑑みてなけれ
たものであり、粒体の運動エネルギーを減少させること
により安定した条件で粒体を溶融液に投入することがで
きる粒体供給装置を提供することを目的とする。
たものであり、粒体の運動エネルギーを減少させること
により安定した条件で粒体を溶融液に投入することがで
きる粒体供給装置を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するための本考案は、粒体を落下させて
供給する供給管内に、当該供給管の軸直交断面に複数の
粒体流路を区画形成するように衝突体を設け、この衝突
体から前記供給管の軸方向に対して離間した位置に、前
記衝突体により形成された粒体の流路を遮ると共に前記
供給管の軸直交断面に複数の粒体流路を区画形成するよ
うに他の衝突体を設けてなり、粒体の落下方向に沿って
平面視した供給管内の流路が塞がれているように、前記
供給管の軸方向に沿って複数段に渡って前記衝突体を配
置したことを特徴とする粒体供給装置である。
供給する供給管内に、当該供給管の軸直交断面に複数の
粒体流路を区画形成するように衝突体を設け、この衝突
体から前記供給管の軸方向に対して離間した位置に、前
記衝突体により形成された粒体の流路を遮ると共に前記
供給管の軸直交断面に複数の粒体流路を区画形成するよ
うに他の衝突体を設けてなり、粒体の落下方向に沿って
平面視した供給管内の流路が塞がれているように、前記
供給管の軸方向に沿って複数段に渡って前記衝突体を配
置したことを特徴とする粒体供給装置である。
（作用） このように構成した本考案にあっては、供給管の上部か
ら流下した粒体の一部は、まず衝突体に衝突することに
より減速し、これら衝突体により区画形成された複数の
粒体流路を通過して落下する。一方、残りの粒体はこの
衝突体に衝突することなく流路を通過して直接落下する
が、前記減速された粒体とともに、前記衝突体の下方に
設けられた他の衝突体に衝突し、ここにおいて減速す
る。
ら流下した粒体の一部は、まず衝突体に衝突することに
より減速し、これら衝突体により区画形成された複数の
粒体流路を通過して落下する。一方、残りの粒体はこの
衝突体に衝突することなく流路を通過して直接落下する
が、前記減速された粒体とともに、前記衝突体の下方に
設けられた他の衝突体に衝突し、ここにおいて減速す
る。
衝突体は、粒体の落下方向に沿って平面視した供給管内
の流路が塞がれているように、供給管の軸方向に沿って
複数段に渡って配置されているため、供給管内を通過す
る粒体は、すべて衝突体に衝突することとなり、これに
よって落下速度が減少し、安定した条件で粒体を溶融液
に投入することができる。
の流路が塞がれているように、供給管の軸方向に沿って
複数段に渡って配置されているため、供給管内を通過す
る粒体は、すべて衝突体に衝突することとなり、これに
よって落下速度が減少し、安定した条件で粒体を溶融液
に投入することができる。
（実施例） 以下、本考案の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本考案の一実施例に係る供給管の先端部を示す
縦断面図、第２図は第１図のII−II線に沿う断面図であ
る。
縦断面図、第２図は第１図のII−II線に沿う断面図であ
る。
本実施例の供給装置は、チョクラルスキー法によりシリ
コン単結晶を製造するに際し、多結晶原料あるいはドー
パント（添加物）を収容した容器からフィーダ装置によ
り石英製ルツボ内の溶融液に多結晶原料あるいはドーパ
ントあるいは両者の混合物を供給するために用いるもの
であって、供給管１を有している。この供給管１の上部
はフィーダ装置を介して容器（何れも図示せず）に接続
されており、一方供給管１の下端は石英製ルツボに臨ん
で設けられている。第１〜２図に示すように、供給管１
の先端は拡開されている。
コン単結晶を製造するに際し、多結晶原料あるいはドー
パント（添加物）を収容した容器からフィーダ装置によ
り石英製ルツボ内の溶融液に多結晶原料あるいはドーパ
ントあるいは両者の混合物を供給するために用いるもの
であって、供給管１を有している。この供給管１の上部
はフィーダ装置を介して容器（何れも図示せず）に接続
されており、一方供給管１の下端は石英製ルツボに臨ん
で設けられている。第１〜２図に示すように、供給管１
の先端は拡開されている。
この供給管１内の先端部には、容器から供給されて落下
する粒体２の流路５を遮るように丸棒からなる２本の衝
突体４a,４aが互いに離間した状態で架設されている。
そして、これら衝突体４a,４aの間および衝突体４aと供
給管１の内壁との間には、供給管１の軸直交断面に粒体
２の複数の流路５a,５a,５aが区画形成される。衝突体
４aから供給管１の軸方向に対して下法に離間した位置
には、流路５aの一部を遮るように他の衝突体４bが前記
衝突体４aと交差した状態で架設されている。この衝突
体４bも前記衝突体４aと同様に丸棒から構成され、３つ
の衝突体４b,４b,４bが互いに離間した状態で、供給管
１の軸直交断面に複数の粒体流路５b,５b,５b,５bが区
画形成されるように設けられている。この衝突体４bか
らさらに下方に離間した位置には、前記衝突体４aと平
行すると共に衝突体４bと交差して他の衝突体４cが架設
されており、この衝突体４cにあっては、前記衝突体４a
の間に形成された粒体２の流路５a,５a,５aを遮る位置
に設けられている。すなわち、供給管１の上部から落下
した粒体２の一部は、まず最初の衝突体４a,４aに衝突
した後に、これら衝突体４a,４a間に形成された流路５
a,５a,５aを通過して落下するから、衝突体４aの鉛直下
方においては粒体２の落下が殆んどない状態となってい
る反面、流路５aを通過した粒体２は流路５を衝突体４a
にて遮った分だけ流下量が増大する。これを衝突体４c
に衝突させることにより粒体２の落下速度を減少させる
のである。したがって、第１〜２図に示すように、本実
施例の供給装置にあっては、供給管１の流路５を平面視
した場合において、少なくとも衝突体４a,４b,４c,…に
より流路５が塞がれているように構成している。また、
これらの衝突体４a,４b,…を交互に交差させることによ
り、粒体２が流路５内をより均等に拡散した状態で落下
することができ、粒体２の落下速度の減少に寄与するこ
ととなる。
する粒体２の流路５を遮るように丸棒からなる２本の衝
突体４a,４aが互いに離間した状態で架設されている。
そして、これら衝突体４a,４aの間および衝突体４aと供
給管１の内壁との間には、供給管１の軸直交断面に粒体
２の複数の流路５a,５a,５aが区画形成される。衝突体
４aから供給管１の軸方向に対して下法に離間した位置
には、流路５aの一部を遮るように他の衝突体４bが前記
衝突体４aと交差した状態で架設されている。この衝突
体４bも前記衝突体４aと同様に丸棒から構成され、３つ
の衝突体４b,４b,４bが互いに離間した状態で、供給管
１の軸直交断面に複数の粒体流路５b,５b,５b,５bが区
画形成されるように設けられている。この衝突体４bか
らさらに下方に離間した位置には、前記衝突体４aと平
行すると共に衝突体４bと交差して他の衝突体４cが架設
されており、この衝突体４cにあっては、前記衝突体４a
の間に形成された粒体２の流路５a,５a,５aを遮る位置
に設けられている。すなわち、供給管１の上部から落下
した粒体２の一部は、まず最初の衝突体４a,４aに衝突
した後に、これら衝突体４a,４a間に形成された流路５
a,５a,５aを通過して落下するから、衝突体４aの鉛直下
方においては粒体２の落下が殆んどない状態となってい
る反面、流路５aを通過した粒体２は流路５を衝突体４a
にて遮った分だけ流下量が増大する。これを衝突体４c
に衝突させることにより粒体２の落下速度を減少させる
のである。したがって、第１〜２図に示すように、本実
施例の供給装置にあっては、供給管１の流路５を平面視
した場合において、少なくとも衝突体４a,４b,４c,…に
より流路５が塞がれているように構成している。また、
これらの衝突体４a,４b,…を交互に交差させることによ
り、粒体２が流路５内をより均等に拡散した状態で落下
することができ、粒体２の落下速度の減少に寄与するこ
ととなる。
供給管１の下端部には、粒体２をルツボ内に案内する開
口６が開設されており、本実施例の場合、供給管１の軸
方向に対して所定角度傾斜して形成されている。このよ
うに、供給管下端部の開口方向を粒体２の落下方向に対
して傾斜させることによっても粒体２の落下速度を減少
させるとともに、ルツボ内への粒体２の落下位置を選択
することができる。
口６が開設されており、本実施例の場合、供給管１の軸
方向に対して所定角度傾斜して形成されている。このよ
うに、供給管下端部の開口方向を粒体２の落下方向に対
して傾斜させることによっても粒体２の落下速度を減少
させるとともに、ルツボ内への粒体２の落下位置を選択
することができる。
次に作用を説明する。
このように構成された本考案にあっては、供給管１の上
部から流下した粒体２の一部は、まず衝突体４aに衝突
することにより減速し、これら衝突体４a,４aの間に形
成された流路５aを通過して落下する。一方、残りの粒
体２は衝突体４aに衝突することなく流路５aを通過して
直接落下するが、前記減速された粒体とともに、前記衝
突体４aの下方に設けられた他の衝突体４bに衝突し、こ
こにおいて減速する。さらに、衝突体４c,４d,４e,…
と、この動作を繰り返す。
部から流下した粒体２の一部は、まず衝突体４aに衝突
することにより減速し、これら衝突体４a,４aの間に形
成された流路５aを通過して落下する。一方、残りの粒
体２は衝突体４aに衝突することなく流路５aを通過して
直接落下するが、前記減速された粒体とともに、前記衝
突体４aの下方に設けられた他の衝突体４bに衝突し、こ
こにおいて減速する。さらに、衝突体４c,４d,４e,…
と、この動作を繰り返す。
衝突体４a,４b,４c,４d,４e…は、粒体２の落下方向に
沿って平面視した供給管１内の流路５が塞がれているよ
うに、供給管１の軸方向に沿って複数段に渡って配置さ
れているため、供給管１内を通過する粒体２は、すべて
衝突体４に衝突することとなり、これによって落下速度
が減少し、安定した条件で粒体を溶融液に投入すること
ができる。
沿って平面視した供給管１内の流路５が塞がれているよ
うに、供給管１の軸方向に沿って複数段に渡って配置さ
れているため、供給管１内を通過する粒体２は、すべて
衝突体４に衝突することとなり、これによって落下速度
が減少し、安定した条件で粒体を溶融液に投入すること
ができる。
また、本実施例のように衝突体４a,４b,４，…を丸棒に
より構成すると、衝突体４aの上面に粒体２が溜まるこ
とがなく、原料あるいはドーパント供給量の制御が正確
となる。つまり、粒体２の供給量は一般的にフィーダ装
置あるいは切替えバルブにより行われていることから、
供給管内に粒体が滞留していると、フィーダ装置により
制御した供給量と供給管の下端部からルツボ内に供給さ
れる供給量との間に差が生じ、これが単結晶の結晶欠陥
を引き起こす原因になる虞れがある。本実施例によれ
ば、供給管内には殆んど粒体の滞留がなく、これにより
所望の単結晶を得ることができる。
より構成すると、衝突体４aの上面に粒体２が溜まるこ
とがなく、原料あるいはドーパント供給量の制御が正確
となる。つまり、粒体２の供給量は一般的にフィーダ装
置あるいは切替えバルブにより行われていることから、
供給管内に粒体が滞留していると、フィーダ装置により
制御した供給量と供給管の下端部からルツボ内に供給さ
れる供給量との間に差が生じ、これが単結晶の結晶欠陥
を引き起こす原因になる虞れがある。本実施例によれ
ば、供給管内には殆んど粒体の滞留がなく、これにより
所望の単結晶を得ることができる。
なお、本考案は上述した実施例に限定されることなく、
本考案の要旨を越えない限りにおいて、種々に改変する
ことが可能である。
本考案の要旨を越えない限りにおいて、種々に改変する
ことが可能である。
まず、上述した実施例においては衝突体として丸棒を用
いたが、本考案はこれに限定されることはなく、他の形
状であっても良い。例えば断面が四角形あるいは六角形
等の角棒でもよく、また板でもよい。角棒の場合は平面
が水平にならないよう、板の場合は板面を傾斜させて設
ける。また、衝突体を交互に交差させて設けなくてもよ
く、さらに、供給管の開口を傾斜させなくてもよい。上
述した実施例にあっては供給管の先端に拡開部を形成し
たが本考案はこれに限定されることはなく、直管により
構成しても良い。
いたが、本考案はこれに限定されることはなく、他の形
状であっても良い。例えば断面が四角形あるいは六角形
等の角棒でもよく、また板でもよい。角棒の場合は平面
が水平にならないよう、板の場合は板面を傾斜させて設
ける。また、衝突体を交互に交差させて設けなくてもよ
く、さらに、供給管の開口を傾斜させなくてもよい。上
述した実施例にあっては供給管の先端に拡開部を形成し
たが本考案はこれに限定されることはなく、直管により
構成しても良い。
（考案の効果） 以上述べたように本考案によれば、粒体が溶融液面に衝
突する際の速度を減少させることができ、しかも、粒体
は供給管内に均一に分散された状態で落下するため局部
的に落下速度が増加することもない。これにより溶融液
面の波立ちあるいは振動を抑制することができ、高い歩
留まりで粒体を溶融液中に供給することができると共
に、処理条件が安定する。
突する際の速度を減少させることができ、しかも、粒体
は供給管内に均一に分散された状態で落下するため局部
的に落下速度が増加することもない。これにより溶融液
面の波立ちあるいは振動を抑制することができ、高い歩
留まりで粒体を溶融液中に供給することができると共
に、処理条件が安定する。
第１図は本考案の一実施例を示す縦断面図、第２図は第
１図のII−II線に沿う断面図、第３図は従来の供給装置
を示す要部断面図である。 １……供給管、２……粒体、３……内壁、４……衝突
体、５……流路。
１図のII−II線に沿う断面図、第３図は従来の供給装置
を示す要部断面図である。 １……供給管、２……粒体、３……内壁、４……衝突
体、５……流路。
Claims (1)
- 【請求項１】粒体を落下させて供給する供給管内に、 当該供給管の軸直交断面に複数の粒体流路を区画形成す
るように衝突体を設け、 この衝突体から前記供給管の軸方向に対して離間した位
置に、前記衝突体により形成された粒体の流路を遮ると
共に前記供給管の軸直交断面に複数の粒体流路を区画形
成するように他の衝突体を設けてなり、 粒体の落下方向に沿って平面視した供給管内の流路が塞
がれているように、前記供給管の軸方向に沿って複数段
に渡って前記衝突体を配置したことを特徴とする粒体供
給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989138603U JPH069026Y2 (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | 粒体供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989138603U JPH069026Y2 (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | 粒体供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0378072U JPH0378072U (ja) | 1991-08-07 |
| JPH069026Y2 true JPH069026Y2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=31685692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989138603U Expired - Lifetime JPH069026Y2 (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | 粒体供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069026Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW503265B (en) * | 1995-12-28 | 2002-09-21 | Mitsubishi Material Silicon | Single crystal pulling apparatus |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6411594A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-17 | Sanyo Electric Co | Washing machine |
-
1989
- 1989-12-01 JP JP1989138603U patent/JPH069026Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0378072U (ja) | 1991-08-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5346323B2 (ja) | シリコン片混合物を少なくとも２つのサイズ分布に区分する方法、システム及び分級機 | |
| US5080873A (en) | Apparatus for growing crystals | |
| JP2002543037A (ja) | 結晶成長のための連続的な溶融物補充 | |
| JP2004161595A5 (ja) | ||
| US8845805B2 (en) | Device and method for producing crystalline bodies by directional solidification | |
| EP0007352A1 (de) | Granulat aus Schmelzen und Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung. | |
| TW503265B (en) | Single crystal pulling apparatus | |
| JPH01192789A (ja) | 結晶引上げ装置及び結晶引上げ方法 | |
| JPH069026Y2 (ja) | 粒体供給装置 | |
| US4257796A (en) | Crystallization column | |
| MXPA03008576A (es) | Proceso de granulacion de lecho fluido. | |
| JP2005529046A (ja) | るつぼなしの連続的な結晶化により、所定の横断面及び柱状の多結晶構造を有する結晶ロッドを製造するための装置 | |
| US20070184560A1 (en) | Process for conveying solid particles | |
| US3954551A (en) | Method of pulling silicon ribbon through shaping guide | |
| JPH06205960A (ja) | 粒状物質の供給装置 | |
| DE60224104T2 (de) | Vorrichtung zur herstellung von körnigen kristallen vom fallrohrtyp | |
| CS216663B2 (en) | Facility for making the metal components | |
| JP4817329B2 (ja) | 球状結晶の製造方法及び製造装置 | |
| CA1068857A (en) | Process and apparatus for producing granules by solidification of drops of a liquid phase product | |
| JP2004508991A (ja) | 粒形状のポリマー・プラスチック材料を熱後処理するための装置と方法 | |
| JPH01119594A (ja) | 結晶育成装置 | |
| KR19990078106A (ko) | 결정성장장치 | |
| RU2300572C2 (ru) | Установка для кристаллизации лактозы | |
| JPH02255589A (ja) | シリコン単結晶の製造方法及びその装置 | |
| US2934225A (en) | Method and apparatus for feeding batch materials |