JPH0688971A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH0688971A JPH0688971A JP23925992A JP23925992A JPH0688971A JP H0688971 A JPH0688971 A JP H0688971A JP 23925992 A JP23925992 A JP 23925992A JP 23925992 A JP23925992 A JP 23925992A JP H0688971 A JPH0688971 A JP H0688971A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、ＴＦＴを用いたフラットパネルディ
スプレーの駆動ドライバの実装技術に係わり、特に、ポ
リシリコンＴＦＴを透明基板上に作成しこれを他の画素
アレイ周囲に実装する技術に係わる。 【構成】図のように、アモルファスシリコンまたは、ポ
リシリコンＴＦＴで形成した画素アレイの基板１の周囲
に透明基板上にポリシリコンで形成した画素駆動回路
２、３をバンプ技術により実装する。 【効果】ドライバチップに透明基板を用いているため、
ドライバのフラットパネルディスプレイへの高精度実装
が可能。ドライバチップを実装した後ＴＦＴ基板に共通
モールド可能であるので、高精細ディスプレイが精度よ
く安価にできる。
スプレーの駆動ドライバの実装技術に係わり、特に、ポ
リシリコンＴＦＴを透明基板上に作成しこれを他の画素
アレイ周囲に実装する技術に係わる。 【構成】図のように、アモルファスシリコンまたは、ポ
リシリコンＴＦＴで形成した画素アレイの基板１の周囲
に透明基板上にポリシリコンで形成した画素駆動回路
２、３をバンプ技術により実装する。 【効果】ドライバチップに透明基板を用いているため、
ドライバのフラットパネルディスプレイへの高精度実装
が可能。ドライバチップを実装した後ＴＦＴ基板に共通
モールド可能であるので、高精細ディスプレイが精度よ
く安価にできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関し、
特に、液晶表示装置の基板に駆動回路を形成する液晶表
示装置及びその製造方法に関するものである。
特に、液晶表示装置の基板に駆動回路を形成する液晶表
示装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＴＦＴフラットパネルディスプレ
ーの構成に関しては、よく知られているように画像を表
示する画素アレイ部分とこの領域の周囲に画素を駆動す
るドライバーが配置される構成が一般的である。通常Ｔ
ＦＴディスプレーの画素部分にはアモルファスシリコン
を用いたトランジスタが設けられている。このトランジ
スタのゲートおよびドレインを駆動するのが、周辺ドラ
イバー回路である。従来のアモルファスシリコンを用い
たＴＦＴプロセスでは、トランジスタの動作速度が遅い
ため、高速で駆動する必要のある周辺ドライバーを設計
し、画素アレイと同一基板上にこのドライバーを作製す
ることは現実には不可能であった。そこで、ドライバ部
分は従来から実績のあるシリコンプロセスで別にパッケ
ージングされたＬＳＩとして作製し、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術によりデ
ィスプレーパネルの周囲に実装する必要があった。
ーの構成に関しては、よく知られているように画像を表
示する画素アレイ部分とこの領域の周囲に画素を駆動す
るドライバーが配置される構成が一般的である。通常Ｔ
ＦＴディスプレーの画素部分にはアモルファスシリコン
を用いたトランジスタが設けられている。このトランジ
スタのゲートおよびドレインを駆動するのが、周辺ドラ
イバー回路である。従来のアモルファスシリコンを用い
たＴＦＴプロセスでは、トランジスタの動作速度が遅い
ため、高速で駆動する必要のある周辺ドライバーを設計
し、画素アレイと同一基板上にこのドライバーを作製す
ることは現実には不可能であった。そこで、ドライバ部
分は従来から実績のあるシリコンプロセスで別にパッケ
ージングされたＬＳＩとして作製し、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術によりデ
ィスプレーパネルの周囲に実装する必要があった。
【０００３】ＴＡＢ技術とは、フレキシブル・テープに
駆動（ドライバ）用ＬＳＩを搭載したＴＣＰ（Ｔａｐｅ
Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）を用いて実装する
技術である。表示装置基板とＴＣＰとの接続ピッチは一
般的に０．２５〜０．２mm程度であり、異方性導電膜を
用いて接続することが多い。
駆動（ドライバ）用ＬＳＩを搭載したＴＣＰ（Ｔａｐｅ
Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）を用いて実装する
技術である。表示装置基板とＴＣＰとの接続ピッチは一
般的に０．２５〜０．２mm程度であり、異方性導電膜を
用いて接続することが多い。
【０００４】図７は、表示パネルＰＮＬに駆動回路を実
装した１例を示す上面図である。
装した１例を示す上面図である。
【０００５】ＣＨＩは表示パネルＰＮＬを駆動させる駆
動ＩＣチップ（下側の３個は垂直走査回路側の駆動ＩＣ
チップ、左右の６個ずつは映像信号駆動回路側の駆動Ｉ
Ｃチップ）である。ＴＣＰは駆動用ＩＣチップＣＨＩが
テープ オートメイティドボンディング法（ＴＡＢ）に
より実装されたテープキャリアパッケージ、ＰＣＢ１は
それぞれＴＣＰやコンデンサＣＤＳ等が実装されたＰＣ
Ｂ（プリンテッドサーキット ボード）から成る駆動回
路基板で、３つに分割されている。ＦＧＰはフレームグ
ランドパッドである。ＦＣは下側の駆動回路基板ＰＣＢ
１と左側の駆動回路基板ＰＣＢ１、および下側の駆動回
路基板ＰＣＢ１と右側の駆動回路基板ＰＣＢ１とを電気
的に接続するフラットケーブルである。フラットケーブ
ルＦＣとしては図に示すように、複数のリード線（りん
青銅の素材にＳｎ鍍金を施したもの）をストライプ状の
ポリエチレン層とポリビニアルコール層とでサンドイッ
チして支持したものを使用する。
動ＩＣチップ（下側の３個は垂直走査回路側の駆動ＩＣ
チップ、左右の６個ずつは映像信号駆動回路側の駆動Ｉ
Ｃチップ）である。ＴＣＰは駆動用ＩＣチップＣＨＩが
テープ オートメイティドボンディング法（ＴＡＢ）に
より実装されたテープキャリアパッケージ、ＰＣＢ１は
それぞれＴＣＰやコンデンサＣＤＳ等が実装されたＰＣ
Ｂ（プリンテッドサーキット ボード）から成る駆動回
路基板で、３つに分割されている。ＦＧＰはフレームグ
ランドパッドである。ＦＣは下側の駆動回路基板ＰＣＢ
１と左側の駆動回路基板ＰＣＢ１、および下側の駆動回
路基板ＰＣＢ１と右側の駆動回路基板ＰＣＢ１とを電気
的に接続するフラットケーブルである。フラットケーブ
ルＦＣとしては図に示すように、複数のリード線（りん
青銅の素材にＳｎ鍍金を施したもの）をストライプ状の
ポリエチレン層とポリビニアルコール層とでサンドイッ
チして支持したものを使用する。
【０００６】駆動回路基板ＰＣＢ１は、図７に示すよう
に、３個に分割され、表示パネルＰＮＬの回りに「コ」
字状に配置され、２個のフラットケーブルＦＣによって
それぞれ電気的、機械的に接続されている。駆動回路基
板ＰＣＢ１は分割されているので、表示パネルＰＮＬと
駆動回路基板ＰＣＢ１との熱膨張率の差により駆動回路
基板ＰＣＢ１の長軸方向に生じる応力（ストレス）がフ
ラットケーブルＦＣの箇所で吸収され、接続強度が弱い
テープキャリアパッケージＴＣＰテープの出力リードと
パネルの外部接続端子ＤＴＭ（ＧＴＭ）の剥がれが防止
出来、熱に対するモジュールの信頼性を向上できる。
に、３個に分割され、表示パネルＰＮＬの回りに「コ」
字状に配置され、２個のフラットケーブルＦＣによって
それぞれ電気的、機械的に接続されている。駆動回路基
板ＰＣＢ１は分割されているので、表示パネルＰＮＬと
駆動回路基板ＰＣＢ１との熱膨張率の差により駆動回路
基板ＰＣＢ１の長軸方向に生じる応力（ストレス）がフ
ラットケーブルＦＣの箇所で吸収され、接続強度が弱い
テープキャリアパッケージＴＣＰテープの出力リードと
パネルの外部接続端子ＤＴＭ（ＧＴＭ）の剥がれが防止
出来、熱に対するモジュールの信頼性を向上できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図７に示す構
造では、表示部分の周囲のいわゆる額縁が広くなってし
まい、これを狭くすることが困難であった。更に液晶表
示パネルＰＮＬと駆動回路基板ＰＣＢが衝撃等により分
離してしまう問題もあった。
造では、表示部分の周囲のいわゆる額縁が広くなってし
まい、これを狭くすることが困難であった。更に液晶表
示パネルＰＮＬと駆動回路基板ＰＣＢが衝撃等により分
離してしまう問題もあった。
【０００８】このような問題を解決するものとして、チ
ップオングラス（ＣＯＧ）と呼ばれる技術もあるが、半
導体チップは不透明である為、チップの回路側を下にし
た設置（フェイスダウンボンディング）が困難で、通常
のパッケージへの設置と同様、半導体チップをガラス基
板に設置した後、ワイヤーボンディングを行なってい
た。これは、工程も増え、また、半導体チップ（シリコ
ン）とガラス基板との熱膨張係数の差による応力等が問
題であった。
ップオングラス（ＣＯＧ）と呼ばれる技術もあるが、半
導体チップは不透明である為、チップの回路側を下にし
た設置（フェイスダウンボンディング）が困難で、通常
のパッケージへの設置と同様、半導体チップをガラス基
板に設置した後、ワイヤーボンディングを行なってい
た。これは、工程も増え、また、半導体チップ（シリコ
ン）とガラス基板との熱膨張係数の差による応力等が問
題であった。
【０００９】更に、前述の如く、ドライバＬＳＩ基板が
不透明なパッケージであるため、これをＴＡＢ技術で実
装することが、特に高精細パネルにおいて難しくなり、
製品の保留低下、信頼性の低下を招くという重大な問題
点があった。
不透明なパッケージであるため、これをＴＡＢ技術で実
装することが、特に高精細パネルにおいて難しくなり、
製品の保留低下、信頼性の低下を招くという重大な問題
点があった。
【００１０】そこで本発明の目的は、小型で高精細のパ
ネルを作製する際に生じる上記問題を解決することにあ
る。
ネルを作製する際に生じる上記問題を解決することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為、
本発明は、透明基板上に作製したポリシリコンＴＦＴに
よる駆動回路をアモルファスシリコンＴＦＴまたはポリ
シリコンＴＦＴで形成した画素アレイのパネル周囲に実
装するフラットパネルディスプレー構造を提案するもの
である。
本発明は、透明基板上に作製したポリシリコンＴＦＴに
よる駆動回路をアモルファスシリコンＴＦＴまたはポリ
シリコンＴＦＴで形成した画素アレイのパネル周囲に実
装するフラットパネルディスプレー構造を提案するもの
である。
【００１２】ポリシリコンＴＦＴディスプレーは、既に
画素アレイと同じ基板上に駆動回路を内蔵したディスプ
レーとして０．７インチ〜１．５インチ程度のものが知
られている。この駆動回路部だけを、石英または並ガラ
ス基板上に多数作製し、これを切断したものを直接画素
アレイ基板に実装する。このとき、画素アレイとの電気
的接続を確実にするため、所望の大きさのバンプ材を介
して、透明基板の駆動回路との接続を行なうものであ
る。
画素アレイと同じ基板上に駆動回路を内蔵したディスプ
レーとして０．７インチ〜１．５インチ程度のものが知
られている。この駆動回路部だけを、石英または並ガラ
ス基板上に多数作製し、これを切断したものを直接画素
アレイ基板に実装する。このとき、画素アレイとの電気
的接続を確実にするため、所望の大きさのバンプ材を介
して、透明基板の駆動回路との接続を行なうものであ
る。
【００１３】より具体的に本発明は、第１の透明基板上
に設けられ、画素を構成する信号線に電圧パルスを供給
するための端子を有する液晶表示用パネルと、第２の透
明基板上に設けられた上記画素を駆動する画素駆動回路
とを有し、上記画素駆動回路はポリシリコンＴＦＴで形
成され、上記画素駆動回路が設けられた第２の透明基板
を、上記液晶表示用パネルが設けられた第１の透明基板
上に載置した液晶表示装置であり、更に、上記液晶表示
用パネルと画素駆動回路との電気的な接続はバンプ材を
用いてなされる液晶表示装置であり、更に、上記液晶表
示用パネルはアモルファスシリコンを用いた薄膜トラン
ジスタを有する液晶表示装置であり、更に、上記液晶表
示用パネルはポリシリコンを用いた薄膜トランジスタを
有する液晶表示装置であり、更に、上記第１の透明基板
と上記第２の透明基板上には、それぞれ対応する位置合
わせマークが設けられてなる液晶表示装置であり、更
に、第１の透明基板上に設けられ、画素を構成する信号
線に電圧パルスを供給するための端子を有する液晶表示
用パネルと、第２の透明基板上に設けられた上記画素を
駆動する画素駆動回路とを有し、上記画素駆動回路はポ
リシリコンＴＦＴで形成され、上記画素駆動回路が設け
られた第２の透明基板を、上記液晶表示用パネルが設け
られた第１の透明基板上に載置した液晶表示装置の製造
方法において、上記第１の透明基板上には、位置合わせ
マークが設けられてなり、該位置合わせマークは、上記
第１の透明基板上に設けられた端子部と同じ工程で設け
られる液晶表示装置の製造方法であり、更に、上記第２
の透明基板上には、位置合わせマークが設けられてな
り、該位置合わせマークは、上記第２の透明基板上に設
けられた端子部と同じ工程で設けられる液晶表示装置の
製造方法である。
に設けられ、画素を構成する信号線に電圧パルスを供給
するための端子を有する液晶表示用パネルと、第２の透
明基板上に設けられた上記画素を駆動する画素駆動回路
とを有し、上記画素駆動回路はポリシリコンＴＦＴで形
成され、上記画素駆動回路が設けられた第２の透明基板
を、上記液晶表示用パネルが設けられた第１の透明基板
上に載置した液晶表示装置であり、更に、上記液晶表示
用パネルと画素駆動回路との電気的な接続はバンプ材を
用いてなされる液晶表示装置であり、更に、上記液晶表
示用パネルはアモルファスシリコンを用いた薄膜トラン
ジスタを有する液晶表示装置であり、更に、上記液晶表
示用パネルはポリシリコンを用いた薄膜トランジスタを
有する液晶表示装置であり、更に、上記第１の透明基板
と上記第２の透明基板上には、それぞれ対応する位置合
わせマークが設けられてなる液晶表示装置であり、更
に、第１の透明基板上に設けられ、画素を構成する信号
線に電圧パルスを供給するための端子を有する液晶表示
用パネルと、第２の透明基板上に設けられた上記画素を
駆動する画素駆動回路とを有し、上記画素駆動回路はポ
リシリコンＴＦＴで形成され、上記画素駆動回路が設け
られた第２の透明基板を、上記液晶表示用パネルが設け
られた第１の透明基板上に載置した液晶表示装置の製造
方法において、上記第１の透明基板上には、位置合わせ
マークが設けられてなり、該位置合わせマークは、上記
第１の透明基板上に設けられた端子部と同じ工程で設け
られる液晶表示装置の製造方法であり、更に、上記第２
の透明基板上には、位置合わせマークが設けられてな
り、該位置合わせマークは、上記第２の透明基板上に設
けられた端子部と同じ工程で設けられる液晶表示装置の
製造方法である。
【００１４】
【作用】駆動回路（ドライバ）を作成した透明基板に
は、同時に画素パネルとの目合わせを行なうための位置
合せマークを配置しておく。これにより、従来の外付け
駆動ドライバが不透明なパッケージにより困難なＴＡＢ
実装をしていたのに対して、透明基板を通過する光を利
用して高い精度でドライバーを実装できる。また個々の
ドライバは、チップ（小さな透明基板）の状態でバンプ
材を介してそのまま、画素パネル基板上に実装すること
ができるので、表示部以外の額縁領域を狭くすることが
できる。また、駆動回路の透明基板と画素パネルの透明
基板との熱膨張係数を近く又は同じにすることにより、
熱応力の問題も極めて少なくすることができる。
は、同時に画素パネルとの目合わせを行なうための位置
合せマークを配置しておく。これにより、従来の外付け
駆動ドライバが不透明なパッケージにより困難なＴＡＢ
実装をしていたのに対して、透明基板を通過する光を利
用して高い精度でドライバーを実装できる。また個々の
ドライバは、チップ（小さな透明基板）の状態でバンプ
材を介してそのまま、画素パネル基板上に実装すること
ができるので、表示部以外の額縁領域を狭くすることが
できる。また、駆動回路の透明基板と画素パネルの透明
基板との熱膨張係数を近く又は同じにすることにより、
熱応力の問題も極めて少なくすることができる。
【００１５】
【実施例】本発明の第１の実施例を図１を用いて説明す
る。
る。
【００１６】アモルファスシリコンで画素アレイを形成
した画素パネル１の周辺に複数の駆動回路（ドライバ
ー）２を実装する。この駆動回路（ドライバー）は、透
明基板上にポリシリＴＦＴプロセスで作成したものであ
る。駆動回路２の実装には、所望の大きさのパッドと、
この上にバンプ材４を配して、画素パネル基板と駆動回
路基板の電気的な接続を行なう。これらパタン間の目合
わせは、透明基板を透過する光によって精度よく行なう
ことができる。
した画素パネル１の周辺に複数の駆動回路（ドライバ
ー）２を実装する。この駆動回路（ドライバー）は、透
明基板上にポリシリＴＦＴプロセスで作成したものであ
る。駆動回路２の実装には、所望の大きさのパッドと、
この上にバンプ材４を配して、画素パネル基板と駆動回
路基板の電気的な接続を行なう。これらパタン間の目合
わせは、透明基板を透過する光によって精度よく行なう
ことができる。
【００１７】第１の実施例では、走査電極用駆動回路
（ドライバー）３が表示装置の両側に設けられている。
これによれば、走査用電極が途中で断線しても両側から
駆動することにより不良とならない利点がある。勿論、
図３の実施例に示すごとく一方のみに設ける構成でもよ
い。
（ドライバー）３が表示装置の両側に設けられている。
これによれば、走査用電極が途中で断線しても両側から
駆動することにより不良とならない利点がある。勿論、
図３の実施例に示すごとく一方のみに設ける構成でもよ
い。
【００１８】図３に、駆動回路２，３を実装する前の液
晶表示用パネルＰＮＬを示す。点線５で示した部分に駆
動回路２，３が実装される。この部分は図の下部に拡大
して示してある。画素パネル１を構成するガラス基板上
には、配線９，１０，１１が設けられている。配線１
０，１１は、画素パネル外部からの映像信号（ＲＧ
Ｂ）、クロック信号、スタート信号、電源等を駆動回路
へ供給するものである。各駆動回路に共通な配線８と個
々のチップへ供給される配線７とがある。符号６は、画
素パネル１のガラス基板上に設けられた位置合せマーク
である。
晶表示用パネルＰＮＬを示す。点線５で示した部分に駆
動回路２，３が実装される。この部分は図の下部に拡大
して示してある。画素パネル１を構成するガラス基板上
には、配線９，１０，１１が設けられている。配線１
０，１１は、画素パネル外部からの映像信号（ＲＧ
Ｂ）、クロック信号、スタート信号、電源等を駆動回路
へ供給するものである。各駆動回路に共通な配線８と個
々のチップへ供給される配線７とがある。符号６は、画
素パネル１のガラス基板上に設けられた位置合せマーク
である。
【００１９】単純マトリックス型の場合は、透明電極と
同じ材質で形成しても良いが、見ずらいので、アルミニ
ウム、クロム、タングステン、タンタル等の金属膜で形
成することが望ましい。更にこの位置合せマーク６と配
線９の端子部（パッド部）は同じ工程で設けることが、
合わせずれを防ぐ意味で望ましい。アクティブマトリッ
クス型の場合は、ゲート線、ドレイン線と同様な材質で
それぞれの工程で形成すれば良い。
同じ材質で形成しても良いが、見ずらいので、アルミニ
ウム、クロム、タングステン、タンタル等の金属膜で形
成することが望ましい。更にこの位置合せマーク６と配
線９の端子部（パッド部）は同じ工程で設けることが、
合わせずれを防ぐ意味で望ましい。アクティブマトリッ
クス型の場合は、ゲート線、ドレイン線と同様な材質で
それぞれの工程で形成すれば良い。
【００２０】図４は駆動回路２の上面図である。透明ガ
ラス基板上にポリシリコンＴＦＴを用いて、サンプルホ
ールド回路Ｓ／Ｈ、シフトレジスタＳＲ等を形成したも
のである。透明ガラス基板上には、位置合せマーク４６
が設けられており、画素パネル基板１上の合せマーク６
と合せるようになっている。パッド部４７、４８、４９
は、それぞれ画素パネル基板上の配線７、８、９に接続
される。この接続は図２に示したようにバンプ材４を介
して行なわれる。駆動回路３も駆動回路２と内部回路が
多少異なるのみで、同様な構成である。バンプ材４を介
して接続された後は、図には示さないが樹脂などで駆動
回路３をモールドする。
ラス基板上にポリシリコンＴＦＴを用いて、サンプルホ
ールド回路Ｓ／Ｈ、シフトレジスタＳＲ等を形成したも
のである。透明ガラス基板上には、位置合せマーク４６
が設けられており、画素パネル基板１上の合せマーク６
と合せるようになっている。パッド部４７、４８、４９
は、それぞれ画素パネル基板上の配線７、８、９に接続
される。この接続は図２に示したようにバンプ材４を介
して行なわれる。駆動回路３も駆動回路２と内部回路が
多少異なるのみで、同様な構成である。バンプ材４を介
して接続された後は、図には示さないが樹脂などで駆動
回路３をモールドする。
【００２１】図５（ａ）に示したものが位置合せマーク
を重ねた状態である。同図（ｂ）に示す形でも良い。
を重ねた状態である。同図（ｂ）に示す形でも良い。
【００２２】図６は、本発明を液晶表示モジュールＭＤ
Ｌとして構成したものの分解斜視図である。
Ｌとして構成したものの分解斜視図である。
【００２３】ＳＨＤは金属板から成るシールドケース
（＝メタルフレーム）、ＭＣＷは液晶表示窓、ＰＮＬは
液晶表示パネル、ＳＰＢは光拡散板、ＭＦＲは中間フレ
ーム、ＢＬはバックライト、ＢＬＳはバックライト支持
体、ＬＣＡは下側ケースであり、図に示すような上下の
配置関係で各部材が積み重ねられてモジュールＭＳＬが
組み立てられる。
（＝メタルフレーム）、ＭＣＷは液晶表示窓、ＰＮＬは
液晶表示パネル、ＳＰＢは光拡散板、ＭＦＲは中間フレ
ーム、ＢＬはバックライト、ＢＬＳはバックライト支持
体、ＬＣＡは下側ケースであり、図に示すような上下の
配置関係で各部材が積み重ねられてモジュールＭＳＬが
組み立てられる。
【００２４】モジュールＭＤＬは、下側ケースＬＣＡ、
中間フレームＭＦＲ、シールドケースＳＨＤの３種の保
持部材を有する。これらの３部材はそれぞれ略箱状を成
し、上記記載順に重箱式に積み重ねられ、シールドケー
スＳＨＤによって各部品を搭載した他の２部材を保持す
る構成になっている。表示パネルＰＮＬと光拡散板ＳＰ
Ｂは一端中間フレームＭＦＲ上に置くことができ、４本
のバックライト（冷陰極螢光管）ＢＬを支持するバック
ライト支持体ＢＬＳは下側ケースＬＣＡ上に一旦置くこ
とができる。従って、下側ケースＬＣＡと中間フレーム
ＭＦＲの２部材にそれぞれ必要な部品を実装しながらこ
の２部材をひっくり返すことなく積み重ねて製造するこ
とができるので、製造を容易に行なうことができ、組立
性が良く、信頼性の高い装置を提供できる利点がある。
これが本モジュールの１つの大きな特徴である。
中間フレームＭＦＲ、シールドケースＳＨＤの３種の保
持部材を有する。これらの３部材はそれぞれ略箱状を成
し、上記記載順に重箱式に積み重ねられ、シールドケー
スＳＨＤによって各部品を搭載した他の２部材を保持す
る構成になっている。表示パネルＰＮＬと光拡散板ＳＰ
Ｂは一端中間フレームＭＦＲ上に置くことができ、４本
のバックライト（冷陰極螢光管）ＢＬを支持するバック
ライト支持体ＢＬＳは下側ケースＬＣＡ上に一旦置くこ
とができる。従って、下側ケースＬＣＡと中間フレーム
ＭＦＲの２部材にそれぞれ必要な部品を実装しながらこ
の２部材をひっくり返すことなく積み重ねて製造するこ
とができるので、製造を容易に行なうことができ、組立
性が良く、信頼性の高い装置を提供できる利点がある。
これが本モジュールの１つの大きな特徴である。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、透明基板上に形成した
ドライバーをフラットパネルディスプレーに実装するこ
とに伴ない、精度の高い実装が可能となり、従来ＴＡＢ
実装で２０％程度の不良が発生していたところが、５％
程度まで不良が減少した。また、実装部の信頼性が向上
し製品の応用分野が例えば、車載用ナビゲータ、航空機
搭載等の耐環境の厳しい分野が可能となった。また、実
装するチップ自体はモールドする必要がなく安価であ
る。チップをバンプ工程でパネルに実装した後にモール
ド等で一体化すればよい。
ドライバーをフラットパネルディスプレーに実装するこ
とに伴ない、精度の高い実装が可能となり、従来ＴＡＢ
実装で２０％程度の不良が発生していたところが、５％
程度まで不良が減少した。また、実装部の信頼性が向上
し製品の応用分野が例えば、車載用ナビゲータ、航空機
搭載等の耐環境の厳しい分野が可能となった。また、実
装するチップ自体はモールドする必要がなく安価であ
る。チップをバンプ工程でパネルに実装した後にモール
ド等で一体化すればよい。
【図１】 本発明の第１の実施例を示す平面図である。
【図２】 本発明の第１の実施例を示す断面図である。
【図３】 駆動回路チップを搭載する前の液晶表示パネ
ルを示す平面図である。
ルを示す平面図である。
【図４】 駆動回路チップの１例を示す平面図である。
【図５】 位置合せマークの例を示す平面図である。
【図６】 本発明による液晶表示パネルでモジュールを
構成した場合の分解斜視図である。
構成した場合の分解斜視図である。
【図７】ＴＣＰを用いて実装した例の平面図である。
１…画素パネル、２，３…駆動回路、４…バンプ材、
６，４６…位置合せマーク、７，８，９，１０，１１…
配線、ＳＨＤ…シールドケース、ＰＮＬ…液晶表示パネ
ル、ＳＰＢ…光拡散板、ＭＦＲ…中間フレーム、ＢＬ…
バックライト、ＢＬＳ…バックライト支持体、ＬＣＡ…
下側ケース。
６，４６…位置合せマーク、７，８，９，１０，１１…
配線、ＳＨＤ…シールドケース、ＰＮＬ…液晶表示パネ
ル、ＳＰＢ…光拡散板、ＭＦＲ…中間フレーム、ＢＬ…
バックライト、ＢＬＳ…バックライト支持体、ＬＣＡ…
下側ケース。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芦川 幹雄 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内
Claims (7)
- 【請求項１】第１の透明基板上に設けられ、画素を構成
する信号線に電圧パルスを供給するための端子を有する
液晶表示用パネルと、 第２の透明基板上に設けられた上記画素を駆動する画素
駆動回路とを有し、 上記画素駆動回路はポリシリコンＴＦＴで形成され、 上記画素駆動回路が設けられた第２の透明基板を、上記
液晶表示用パネルが設けられた第１の透明基板上に載置
したことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】上記液晶表示用パネルと画素駆動回路との
電気的な接続はバンプ材を用いてなされることを特徴と
する請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】上記液晶表示用パネルはアモルファスシリ
コンを用いた薄膜トランジスタを有することを特徴とす
る請求項１または請求項２記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】上記液晶表示用パネルはポリシリコンを用
いた薄膜トランジスタを有することを特徴とする請求項
１または請求項２記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】上記第１の透明基板と上記第２の透明基板
上には、それぞれ対応する位置合わせマークが設けられ
てなることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】第１の透明基板上に設けられ、画素を構成
する信号線に電圧パルスを供給するための端子を有する
液晶表示用パネルと、 第２の透明基板上に設けられた上記画素を駆動する画素
駆動回路とを有し、 上記画素駆動回路はポリシリコンＴＦＴで形成され、 上記画素駆動回路が設けられた第２の透明基板を、上記
液晶表示用パネルが設けられた第１の透明基板上に載置
した液晶表示装置の製造方法において、 上記第１の透明基板上には、位置合わせマークが設けら
れてなり、該位置合わせマークは、上記第１の透明基板
上に設けられた端子部と同じ工程で設けられることを特
徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】上記第２の透明基板上には、位置合わせマ
ークが設けられてなり、該位置合わせマークは、上記第
２の透明基板上に設けられた端子部と同じ工程で設けら
れることを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23925992A JPH0688971A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23925992A JPH0688971A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0688971A true JPH0688971A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=17042106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23925992A Pending JPH0688971A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0688971A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5734458A (en) * | 1993-08-12 | 1998-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus with drive circuits on the substrate and with a shorting line |
| US5859445A (en) * | 1990-11-20 | 1999-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device including thin film transistors having spoiling impurities added thereto |
| US5998556A (en) * | 1995-09-27 | 1999-12-07 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Raw material used for producing heat-resistant resins, heat-resistant resins, and process for producing heat-resistant resins |
| US6020871A (en) * | 1996-11-27 | 2000-02-01 | Nec Corporation | Bidirectional scanning circuit |
| US7081938B1 (en) * | 1993-12-03 | 2006-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
-
1992
- 1992-09-08 JP JP23925992A patent/JPH0688971A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5859445A (en) * | 1990-11-20 | 1999-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device including thin film transistors having spoiling impurities added thereto |
| US6011277A (en) * | 1990-11-20 | 2000-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Gate insulated field effect transistors and method of manufacturing the same |
| US5734458A (en) * | 1993-08-12 | 1998-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus with drive circuits on the substrate and with a shorting line |
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| US6020871A (en) * | 1996-11-27 | 2000-02-01 | Nec Corporation | Bidirectional scanning circuit |
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