JPH0686181A - Solid-state image pickup element - Google Patents

Solid-state image pickup element

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Publication number
JPH0686181A
JPH0686181A JP4235842A JP23584292A JPH0686181A JP H0686181 A JPH0686181 A JP H0686181A JP 4235842 A JP4235842 A JP 4235842A JP 23584292 A JP23584292 A JP 23584292A JP H0686181 A JPH0686181 A JP H0686181A
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JP
Japan
Prior art keywords
pilot signal
output
solid
signal
horizontal
Prior art date
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Pending
Application number
JP4235842A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Kobayashi
篤 小林
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH0686181A publication Critical patent/JPH0686181A/en
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Abstract

PURPOSE:To improve the accuracy as pilot signals in a solid-state image pickup element having a pilot signal generation means generating the pilot signals for detecting gain of two circuit systems performing processings of the signals from two output parts. CONSTITUTION:In a solid-state image pickup element which is provided with two horizontal registers having dummy bits on the side of a transfer destination and a pilot signal generation means supplying signal electric charge of equal amount as a pilot signal to each horizontal register, makes two signals output simultaneously from each horizontal register via the respective output parts and supplies signal electric charge form the pilot signal generation means to each horizontal register so as to output the pilot signal within a dummy bit output period, the gate electrode 30 of an input gate 27 determining the signal amount in the pilot signal generation means is formed by a common electrode and potential difference A2 for measurement is formed under the gate electrode 30.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子、特に2
つの水平レジスタと各水平レジスタに等量の信号電荷を
パイロット信号として供給するパイロット信号発生手段
を備え、パイロット信号に基づいて出力部以降の信号処
理部のゲインの補正を行う固体撮像素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state image pickup device, and particularly to 2.
The present invention relates to a solid-state image sensor including one horizontal register and pilot signal generating means for supplying an equal amount of signal charges to each horizontal register as a pilot signal, and correcting the gain of a signal processing unit after an output unit based on the pilot signal.

【0002】[0002]

【従来の技術】CCD等の固体撮像装置においては、よ
り解像度を高めるために、全画素読み出し方式が知られ
ている。この固体撮像装置では、水平レジスタの駆動パ
ルスの周波数を考慮して2つの水平レジスタを設け、1
H(水平期間)内に2水平ラインの信号電荷を同時に水
平転送して夫々の出力部を通して出力することが行われ
る。
2. Description of the Related Art In a solid-state image pickup device such as a CCD, an all-pixel reading method is known in order to further increase the resolution. In this solid-state imaging device, two horizontal registers are provided in consideration of the frequency of the drive pulse of the horizontal register.
Within H (horizontal period), signal charges of two horizontal lines are simultaneously horizontally transferred and output through the respective output sections.

【0003】この場合、固体撮像装置では、固体撮像素
子が2つの出力部を有し、2つの回路系があるために2
つの回路系のゲイン差によって横縞やフリッカーが生じ
るという問題がある。特に、インターレース読み出しを
行う場合、同じ受光素子(画素)からの信号が奇数フィ
ールドと偶数フィールドとで異なる水平レジスタによっ
て転送されて異なる出力部から出力されるので、2つの
水平レジスタ間のゲイン差があることは無視できないこ
とになる。
In this case, in the solid-state image pickup device, since the solid-state image pickup element has two output sections and two circuit systems,
There is a problem that horizontal stripes and flicker occur due to the gain difference between the two circuit systems. In particular, when interlaced reading is performed, signals from the same light receiving element (pixel) are transferred by different horizontal registers in the odd field and the even field and output from different output sections, so that a gain difference between the two horizontal registers is generated. Some things cannot be ignored.

【0004】この問題を解決するために、本出願人は先
に、2つの出力部から出力された信号を処理する2つの
回路系のゲインを同一になるように制御できる固体撮像
素子を提案した。
In order to solve this problem, the present applicant has previously proposed a solid-state image sensor capable of controlling the gains of two circuit systems for processing the signals output from the two output sections so as to be the same. .

【0005】図8はその固体撮像素子を示すものであ
る。同図において、1はイメージ部で、マトリックス状
に配置された多数(数十万〜数百万)の受光素子と、該
受光素子の各垂直列に対応して設けられたCCD構造の
垂直レジスタ2,2,‥‥とからなる。尚、便宜上受光
素子を図示せずイメージ部1には垂直レジスタ2,2,
‥‥のみがあるかのように示した。3a及び3bはイメ
ージ部1の下側に互に平行に配置されたCCD構造の第
1の水平レジスタ及び第2の水平レジスタ、4は2つの
水平レジスタ3a及び3b間に配置された制御ゲート部
で2つの水平レジスタ3a及び3b間における信号電荷
の転送を制御する。5,5,‥‥は制御ゲート部4下に
あたる1画素ピッチで設けられたチャネルストッパであ
る。
FIG. 8 shows the solid-state image pickup device. In the figure, reference numeral 1 denotes an image part, which is a large number (several hundreds of thousands to several millions) of light receiving elements arranged in a matrix and a vertical register having a CCD structure provided corresponding to each vertical column of the light receiving elements. It consists of 2, 2 ,. For the sake of convenience, the light receiving element is not shown and the image register 1 has vertical registers 2, 2, 2.
Showed as if there were only .... Reference numerals 3a and 3b denote first and second horizontal registers having a CCD structure, which are arranged in parallel to each other on the lower side of the image unit 1, and 4 denotes a control gate unit arranged between the two horizontal registers 3a and 3b. Controls transfer of signal charges between the two horizontal registers 3a and 3b. Reference numerals 5, 5, ... Are channel stoppers provided below the control gate portion 4 at a one-pixel pitch.

【0006】6は、水平レジスタ3a,3bをイメージ
部1と対応する部分から転送先側へ延長せしめてなるダ
ミービット部で、タイミング補正等のために設けられて
おり、そのビット数は品種によって異なるが数ビット乃
至数十ビットである。7は水平レジスタ3a,3b及び
制御ゲート部4をイメージ部1と対応する部分からダミ
ービット部6側とは反対側へダミービット部6と略同じ
ビット数延長させたパイロット信号注入部分である。
Reference numeral 6 is a dummy bit portion formed by extending the horizontal registers 3a and 3b from the portion corresponding to the image portion 1 to the transfer destination side. The dummy bit portion 6 is provided for timing correction and the like, and the number of bits depends on the product type. Although different, it is several bits to several tens of bits. Reference numeral 7 denotes a pilot signal injection portion in which the horizontal registers 3a and 3b and the control gate portion 4 are extended from the portion corresponding to the image portion 1 to the side opposite to the dummy bit portion 6 side by substantially the same number of bits as the dummy bit portion 6.

【0007】8は該パイロット信号注入部分7へパイロ
ット信号となる信号電荷を供給するパイロット信号発生
部で、図9は示すようにインプットソース領域9と、第
1のインプットゲート10aと、第2のインプットゲー
ト10bと、注入用ゲート11とからなる。上記インプ
ットソース領域9は画面上ではパイロット信号注入部7
と同じビット数分一体に形成されているかのように示し
たが、実際は各ビットが独立し、所定のタイミングで一
定量以上、具体的にはパイロット信号として必要なレベ
ル以上の信号電荷を発生する。
Reference numeral 8 denotes a pilot signal generator for supplying a signal charge to be a pilot signal to the pilot signal injection portion 7. As shown in FIG. 9, an input source region 9, a first input gate 10a, and a second input gate 10a are provided. It comprises an input gate 10b and an injection gate 11. The input source region 9 is the pilot signal injection unit 7 on the screen.
Although it is shown as if they were integrally formed by the same number of bits as in the above, each bit is actually independent and generates a certain amount or more of signal charge at a predetermined timing, specifically, a level equal to or more than a level required as a pilot signal. .

【0008】インプットゲート10a及び10bは転送
用パルスを受けてインプットソース領域9内のパイロッ
ト信号となる信号電荷を水平レジスタ3a,3bへ転送
するが、その際、信号電荷の量を一定量に規定する役割
を果たす。
The input gates 10a and 10b receive the transfer pulse and transfer the signal charge as a pilot signal in the input source region 9 to the horizontal registers 3a and 3b. At this time, the amount of the signal charge is regulated to a fixed amount. Play a role in.

【0009】即ち、図11(図9のA−A線上の断面に
対応する)に示すように、第1、第2のインプットゲー
ト10a,10bの各ゲート電極20a,20bにはポ
テンシャル差A1 が形成されるように固定のバイアス電
圧(即ちゲート電圧)V1 ,V2 が印加され、インプッ
トソース領域9及び注入用ゲート11のゲート電極21
には夫々水平ブランキング期間に同期したクロックパル
スφS 及びφG が印加される。22は水平レジスタの転
送電極である。そして、パイロット信号の電荷量e
P は、ポテンシャル平衡法を使用し、第1、第2のイン
プットゲート10a,10bの下のポテンシャル差A1
で計量される。
That is, as shown in FIG. 11 (corresponding to the cross section taken along the line AA in FIG. 9), the potential difference A 1 is applied to each gate electrode 20a, 20b of the first and second input gates 10a, 10b. Bias voltages (that is, gate voltages) V 1 and V 2 are applied to form the gate electrode 21 of the input source region 9 and the injection gate 11.
The clock pulses φ S and φ G synchronized with the horizontal blanking period are applied to each. Reference numeral 22 is a transfer electrode of the horizontal register. Then, the charge amount e of the pilot signal
P uses the potential balance method, and the potential difference A 1 under the first and second input gates 10a and 10b is
Weighed in.

【0010】12a,12bは第1及び第2の水平レジ
スタ3a,3bから転送された信号電荷を電圧に変換し
て出力する第1及び第2の出力部、13a,13bは第
1及び第2の出力部12a,12bの信号からノイズ
(リセット雑音)を取り除く第1及び第2のCDS(相
間二重サンプリング回路)、14a,14bは第1及び
第2のCDS13a,13bの出力信号を増幅するアン
プであり、少なくともそのうちの一方のアンプは利得制
御可能とされている。
Reference numerals 12a and 12b are first and second output sections for converting the signal charges transferred from the first and second horizontal registers 3a and 3b into voltages and outputting the voltages. 13a and 13b are the first and second output sections. First and second CDSs (phase-to-phase double sampling circuit) for removing noise (reset noise) from the signals of the output units 12a and 12b, and 14a and 14b amplify the output signals of the first and second CDSs 13a and 13b. It is an amplifier, and at least one of the amplifiers is capable of gain control.

【0011】そして、固体撮像素子内の出力部12a、
固体撮像素子外のCDS13a、アンプ14aによって
第1の回路系が構成され、固体撮像素子内の出力部12
b、固体撮像素子外のCDS13b、アンプ14bによ
って第2の回路系が構成されている。
The output section 12a in the solid-state image pickup device,
The CDS 13a and the amplifier 14a outside the solid-state image sensor constitute a first circuit system, and the output unit 12 in the solid-state image sensor is formed.
b, the CDS 13b outside the solid-state imaging device, and the amplifier 14b constitute a second circuit system.

【0012】15はアンプ14a,14bから出力され
た信号から各色信号をサンプリングし、更にそのサンプ
リングした色信号を処理して輝度信号Y及び色差信号R
−Y、B−Yをつくる信号処理回路である。
A reference numeral 15 samples each color signal from the signals output from the amplifiers 14a and 14b, further processes the sampled color signal to process a luminance signal Y and a color difference signal R.
It is a signal processing circuit for making -Y and BY.

【0013】16はゲイン補正回路で、第1及び第2の
アンプ14a,14bの出力信号からパイロット信号を
サンプリングする第1及び第2のサンプルホールド回路
17a,17bと、該第1及び第2のサンプルホールド
回路を比較する比較回路18からなる。この比較回路1
8の出力信号は一方のアンプ(利得制御可能なアン
プ)、例えばアンプ14aに利得制御信号として入力さ
れる。この利得制御信号は、第1のアンプ14aの出力
信号からサンプリングしたパイロット信号のレベルが第
2のアンプ14bの出力信号からサンプリングしたパイ
ロット信号のレベルよりも低いときは例えば高いレベル
になって第1のアンプ14aのゲインを上昇せしめ、逆
のときは例えば低いレベルになって第1のアンプ14a
のゲインを低下せしめる。
Reference numeral 16 is a gain correction circuit, which includes first and second sample and hold circuits 17a and 17b for sampling pilot signals from the output signals of the first and second amplifiers 14a and 14b, and the first and second sample and hold circuits. It comprises a comparison circuit 18 for comparing the sample and hold circuits. This comparison circuit 1
The output signal of 8 is input as a gain control signal to one amplifier (gain controllable amplifier), for example, the amplifier 14a. The gain control signal becomes, for example, a high level when the level of the pilot signal sampled from the output signal of the first amplifier 14a is lower than the level of the pilot signal sampled from the output signal of the second amplifier 14b. Of the first amplifier 14a.
Reduce the gain of.

【0014】比較回路18から互に逆相となる2つの出
力信号を第1及び第2のアンプ14a,14bへ利得制
御信号を送出するようにしてもよい。この場合、両方の
アンプ14a,14bとも利得制御可能であることが必
要である。そして、第1のアンプ14aの出力信号から
サンプリングしたパイロット信号のレベルが第2のアン
プ14bの出力信号からサンプリングしたパイロット信
号のレベルよりも低いときは2つの利得制御信号によっ
て第1のアンプ14aのゲインを上昇せしめると共に、
第2のアンプ14bのゲインを低下せしめる。逆のとき
は第1のアンプ14aのゲインを低下せしめ、第2のア
ンプ14bのゲインを上昇せしめる。
A gain control signal may be sent from the comparison circuit 18 to the two output signals having mutually opposite phases to the first and second amplifiers 14a and 14b. In this case, both amplifiers 14a and 14b need to be able to control the gain. When the level of the pilot signal sampled from the output signal of the first amplifier 14a is lower than the level of the pilot signal sampled from the output signal of the second amplifier 14b, the two gain control signals cause the first amplifier 14a While increasing the gain,
The gain of the second amplifier 14b is reduced. In the opposite case, the gain of the first amplifier 14a is reduced and the gain of the second amplifier 14b is increased.

【0015】次に、上記構成の動作を説明する。図10
Aはパイロット信号の発生タイミングの一つの例を示す
タイムチャートである。本例は1水平周期毎にパイロッ
ト信号を発生するもので、水平同期信号HDと同期し
て、換言すればブランキング期間中にインプットソース
領域9から水平レジスタ3a,3bへ一定量の信号電荷
P をパイロット信号としてインプットゲート10a,
10bの働きにより注入する。すると、固体撮像素子の
出力信号(この出力信号は2つあるが便宜上1つのみを
示す)中に注入後1水平期間よりもやや長い期間遅れて
パイロット信号が発生する。
Next, the operation of the above configuration will be described. Figure 10
A is a time chart showing an example of the generation timing of the pilot signal. In this example, a pilot signal is generated every horizontal period, and in synchronization with the horizontal synchronizing signal HD, in other words, during the blanking period, a certain amount of signal charge e is transferred from the input source region 9 to the horizontal registers 3a and 3b. Input gate 10a using P as a pilot signal,
Inject by the action of 10b. Then, a pilot signal is generated in the output signal of the solid-state imaging device (there are two output signals, but only one is shown for convenience), with a delay of a little longer than one horizontal period after injection.

【0016】このパイロット信号は第1の出力部12a
から出力される出力信号中のものも第2の出力部12b
から出力されるものもレベルが同一である。なぜなら
ば、インプットソース領域9から水平レジスタ3a及び
3bに転送される信号電荷の量がインプットゲート10
a,10bにより規定されているからである。このパイ
ロット信号の出力信号における発生タイミングはダミー
ビットのそれと合致する(但し、注入から1水平期間遅
れてはいる)ようになっており、しかもパイロット信号
発生期間の長さはダミービット期間の長さと略同じにさ
れている。これは、パイロット信号を出力信号中に入れ
ることによって固体撮像素子の出力信号についてのルー
ル変更(出力信号中の各信号のタイミング変更等)が生
じないようにするためである。
This pilot signal is sent to the first output section 12a.
The output signal output from the second output unit 12b
The ones output from are also at the same level. This is because the amount of signal charge transferred from the input source region 9 to the horizontal registers 3a and 3b depends on the input gate 10.
This is because it is defined by a and 10b. The generation timing of the pilot signal in the output signal coincides with that of the dummy bit (however, it is delayed by one horizontal period from the injection), and the length of the pilot signal generation period is equal to the length of the dummy bit period. It is almost the same. This is to prevent a rule change (such as a timing change of each signal in the output signal) of the output signal of the solid-state imaging device from occurring by inserting the pilot signal in the output signal.

【0017】尚、パイロット信号の発生期間の長さ(要
するにパイロット信号のパルス幅)はダミービット期間
の長さよりも短くても良い。尚、図10Bに示すように
パイロット信号を1垂直周期毎に発生するようにしても
良い。図中VDは垂直周期信号である。
The length of the pilot signal generation period (in short, the pulse width of the pilot signal) may be shorter than the length of the dummy bit period. The pilot signal may be generated every vertical cycle as shown in FIG. 10B. In the figure, VD is a vertical cycle signal.

【0018】このような固体撮像装置によれば、2つの
回路系(チャンネル)に、即ち、出力部12a、CDS
13a、アンプ14aからなる回路系と、出力部12
b、CDS13b、アンプ14bからなる回路系との間
にゲイン差がある場合には、それがアンプ14aと14
bの出力信号中のパイロット信号のレベル差となって現
われる。そして、このレベル差がサンプルホールド回路
17a,17bの出力信号を比較する比較回路18によ
って検出され、この検出信号がそのレベル差をなくす方
向にアンプ14aと14bの一方又は双方のゲインをコ
ントロールする、換言すればアンプ14aと14bのゲ
イン差をなくすようにゲインをコントロールする。従っ
て、常に2つの回路系にゲイン差が存在しないように回
路状態が保たれる。
According to such a solid-state image pickup device, two circuit systems (channels), that is, the output section 12a and the CDS are provided.
A circuit system including an amplifier 13a and an amplifier 14a, and an output unit 12
b, the CDS 13b, and the amplifier 14b, if there is a gain difference between the circuit system and the amplifier 14a and 14a
It appears as a level difference of the pilot signal in the output signal of b. Then, this level difference is detected by the comparison circuit 18 that compares the output signals of the sample hold circuits 17a and 17b, and this detection signal controls the gain of one or both of the amplifiers 14a and 14b in the direction of eliminating the level difference. In other words, the gain is controlled so as to eliminate the gain difference between the amplifiers 14a and 14b. Therefore, the circuit state is always maintained so that there is no gain difference between the two circuit systems.

【0019】依って、2つの回路系にゲイン差が生じる
ことによる弊害、即ち横縞やフリッカーの発生がなくな
る。そして、パイロット信号はダミービット出力期間中
に出力されるので、映像信号の処理に悪影響を及ぼす虞
れがなく、従って、出力信号に関してルール変更の必要
もない。
Therefore, the adverse effect caused by the gain difference between the two circuit systems, that is, the occurrence of horizontal stripes and flicker is eliminated. Since the pilot signal is output during the dummy bit output period, there is no risk of adversely affecting the processing of the video signal, and therefore there is no need to change the rule for the output signal.

【0020】[0020]

【発明が解決しようとする課題】図8及び図9の固体撮
像素子においては、第2のインプットゲート10bに印
加するバイアス電圧V2 とパイロット信号となる信号電
荷の電荷量の関係を第1のインプットゲート10aのバ
イアス電圧V1 をパラメータとして示す図7の特性図か
ら判るように、第2のインプットゲート10bのバイア
ス電圧V2 を大きくすると電荷量が増加し、小さくする
と減少する。また、この電荷量は、第1のインプットゲ
ート10aのバイアス電圧V1 にも依存し、第1のイン
プットゲート10aのバイアス電圧V1 を大きくすると
電荷量が減少し、小さくすると増加するという第2のイ
ンプットゲート10bとは逆の特性を有する。23は第
1のインプットゲート10aのバイアス電圧V1 の変化
による信号電荷量の変化を示す。バイアス電圧の変化分
に対する信号量の変化分の絶対値は第1、第2のインプ
ットゲート10a,10bでほとんど変わらない。
In the solid-state image pickup device of FIGS. 8 and 9, the relationship between the bias voltage V 2 applied to the second input gate 10b and the charge amount of the signal charge to be the pilot signal is first described. As can be seen from the characteristic diagram of FIG. 7 in which the bias voltage V 1 of the input gate 10a is used as a parameter, the charge amount increases when the bias voltage V 2 of the second input gate 10b is increased, and decreases when the bias voltage V 2 of the second input gate 10b is decreased. The charge amount also depends on the bias voltage V 1 of the first input gate 10a, and the charge amount decreases when the bias voltage V 1 of the first input gate 10a is increased, and increases when the bias voltage V 1 of the first input gate 10a is decreased. Has a characteristic opposite to that of the input gate 10b. Reference numeral 23 shows a change in the signal charge amount due to a change in the bias voltage V 1 of the first input gate 10a. The absolute value of the change amount of the signal amount with respect to the change amount of the bias voltage hardly changes between the first and second input gates 10a and 10b.

【0021】ところで、第1の出力部12aから出力す
べきパイロット信号となる信号電荷をパイロット信号注
入部分7へ注入するときと、第2の出力部12bから出
力すべきパイロット信号となる信号電荷をパイロット信
号注入部分7へ注入するときとでは、他のクロックパル
ス(即ち、例えば垂直レジスタ2の駆動用クロックパル
ス、水平レジスタ間転用のクロックパルス、水平レジス
タの駆動用クロックパルス等)状態が異なるために、配
線抵抗、配線と半導体間の寄生容量等の変動でインプッ
トゲート10a,10bが受けるカップリング量が異な
る。
By the way, when the signal charge to be the pilot signal to be output from the first output section 12a is injected into the pilot signal injection section 7, and when the signal charge to be the pilot signal to be output from the second output section 12b is changed. Since other clock pulses (that is, a clock pulse for driving the vertical register 2, a clock pulse for inter-horizontal register transfer, a clock pulse for driving the horizontal register, etc.) are different from those when injected into the pilot signal injection portion 7. In addition, the amount of coupling received by the input gates 10a and 10b differs due to variations in wiring resistance, parasitic capacitance between the wiring and the semiconductor, and the like.

【0022】ここで問題となるのは外部、又は内部のク
ロックパルスからのインプットゲート10aと、インプ
ットゲート10bへのカップリング量が異なった場合で
ある。異なるカップリングがのる場合はカップリングが
ない場合に比べてパイロット信号の電荷量が変化するこ
とである。従って、時間差をおいて第1及び第2の水平
レジスタ3a及び3bのパイロット信号注入部7へ信号
電荷を注入する際、カップリングの影響を受けて互いの
電荷量が等量でなくなる。
The problem here arises when the amount of coupling from the external or internal clock pulse to the input gate 10a and the input gate 10b is different. This means that the amount of charge of the pilot signal changes when different couplings are applied, compared to when there is no coupling. Therefore, when the signal charges are injected into the pilot signal injection unit 7 of the first and second horizontal registers 3a and 3b with a time difference, the mutual charge amounts are not equal due to the influence of coupling.

【0023】本発明は、上述の点に鑑み、カップリング
の影響を受けにくくし、パイロット信号としての精度を
向上できるようにした固体撮像素子を提供するものであ
る。
In view of the above points, the present invention provides a solid-state image pickup device that is less susceptible to the influence of coupling and that can improve the accuracy as a pilot signal.

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】本発明は、転送先側にダ
ミービット6を有する2個の水平レジスタ3a,3b
と、各水平レジスタ3a,3bに等量の信号電荷をパイ
ロット信号として供給するパイロット信号発生手段25
を備え、各水平レジスタ3a,3bから夫々の出力部1
3a,13bを介して同時に2個の信号を出力するよう
になし、且つダミービット出力期間内にパイロット信号
が出力されるようにパイロット信号発生手段25から各
水平レジスタ3a,3bへの信号電荷の供給が行われる
固体撮像素子において、パイロット信号発生手段25に
おける信号量を決めるゲート部27のゲート電極30を
1つの共通電極で形成し、このゲート電極30下に計量
用のポテンシャル差A2 を形成するようにして構成す
る。
According to the present invention, two horizontal registers 3a and 3b having dummy bits 6 on the transfer destination side are provided.
And a pilot signal generating means 25 for supplying an equal amount of signal charge as a pilot signal to each horizontal register 3a, 3b.
And each output unit 1 from each horizontal register 3a, 3b.
Two signals are output at the same time via 3a and 13b, and the signal charges from the pilot signal generating means 25 to the horizontal registers 3a and 3b are output so that the pilot signal is output within the dummy bit output period. In the solid-state imaging device to be supplied, the gate electrode 30 of the gate unit 27 that determines the signal amount in the pilot signal generating means 25 is formed by one common electrode, and the potential difference A 2 for measurement is formed under the gate electrode 30. To configure.

【0025】パイロット信号発生手段25は、2個の水
平レジスタ3a,3bに対して共通に設けられる。
The pilot signal generating means 25 is commonly provided for the two horizontal registers 3a and 3b.

【0026】また、計量用のポテンシャル差A2 として
は、選択的な不純物注入で形成することができる。
Further, the potential difference A 2 for measurement can be formed by selective impurity implantation.

【0027】更に、計量用のポテンシャル差A2 として
は、ゲート電極30下の絶縁膜39の膜厚を変えて形成
することができる。
Further, the potential difference A 2 for measurement can be formed by changing the film thickness of the insulating film 39 below the gate electrode 30.

【0028】[0028]

【作用】本発明においては、パイロット信号発生手段2
5における信号量を決めるゲート部27のゲート電極3
0を1つの共通電極で形成し、そのゲート電極30下に
計量用のポテンシャル差A2 を形成することにより、ゲ
ート部27そのものはカップリングの影響を受けるも、
ゲート部27下のポテンシャル差A2 それ自体はほとん
ど影響を受けない。
In the present invention, the pilot signal generating means 2
The gate electrode 3 of the gate portion 27 that determines the signal amount in 5
By forming 0 with one common electrode and forming the potential difference A 2 for measurement under the gate electrode 30, the gate portion 27 itself is affected by the coupling.
The potential difference A 2 itself under the gate portion 27 is hardly affected.

【0029】従って、第1の出力用のパイロット信号と
なる信号電荷の注入時と、第2の出力用のパイロット信
号となる信号電荷の注入時とで他のクロックパルスから
受けるカップリング量が異なっても、電荷量の変化は無
視できる程度に小さく、パイロット信号としての精度が
向上する。
Therefore, the amount of coupling received from another clock pulse is different when the signal charge that is the pilot signal for the first output is injected and when the signal charge that is the pilot signal for the second output is injected. However, the change in the amount of charge is negligibly small, and the accuracy of the pilot signal is improved.

【0030】また、パイロット信号発生手段25を2個
の水平レジスタ3a,3bに対して共通に設けることに
より、各水平レジスタ3a,3bへ等しい量の信号電荷
を注入できる。
By providing the pilot signal generating means 25 in common for the two horizontal registers 3a and 3b, an equal amount of signal charges can be injected into each horizontal register 3a and 3b.

【0031】[0031]

【実施例】以下、図1〜図6を参照して本発明による固
体撮像素子の実施例を説明する。
Embodiments of the solid-state image pickup device according to the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0032】図1は本発明に係る固体撮像装置の一実施
例を示す構成図である。同図において、パイロット信号
発生手段の部分の構成を除く他の構成は前述の図8と同
様であるので、同一符号を付して示す。即ち、1はイメ
ージ部で、マトリックス状に配置された多数(数十万〜
数百万)の受光素子と、該受光素子の各垂直列に対応し
て設けられたCCD構造の垂直レジスタ2,2,‥‥と
からなる。尚、便宜上受光素子を図示せずイメージ部1
には垂直レジスタ2,2,‥‥のみがあるかのように示
した。3a及び3bはイメージ部1の下側に互に平行に
配置されたCCD構造の第1の水平レジスタ及び第2の
水平レジスタ、4は2つの水平レジスタ3a及び3b間
に配置された制御ゲート部で2つの水平レジスタ3a及
び3b間における信号電荷の転送を制御する。5,5,
‥‥は制御ゲート部4下にあたる1画素ピッチで設けら
れたチャネルストッパである。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a solid-state image pickup device according to the present invention. In the figure, the configuration other than the configuration of the pilot signal generating means is the same as that in FIG. 8 described above, and is therefore designated by the same reference numeral. That is, 1 is an image part, which is a large number (several hundreds of thousands or more) arranged in a matrix.
(Millions of millions) of light receiving elements and vertical registers 2, 2, ... Of CCD structure provided corresponding to each vertical column of the light receiving elements. For the sake of convenience, the light receiving element is not shown and the image portion 1 is not shown.
Are shown as if there are only vertical registers 2, 2 ,. Reference numerals 3a and 3b denote first and second horizontal registers having a CCD structure, which are arranged in parallel to each other on the lower side of the image unit 1, and 4 denotes a control gate unit arranged between the two horizontal registers 3a and 3b. Controls transfer of signal charges between the two horizontal registers 3a and 3b. 5, 5,
Are channel stoppers provided under the control gate portion 4 at a pitch of one pixel.

【0033】6は、水平レジスタ3a,3bをイメージ
部1と対応する部分から転送先側へ延長せしめてなるダ
ミービット部で、タイミング補正等のために設けられて
おり、そのビット数は品種によって異なるが数ビット乃
至数十ビットである。7は水平レジスタ3a,3b及び
制御ゲート部4をイメージ部1と対応する部分からダミ
ービット部6側とは反対側へダミービット部6と略同じ
ビット数延長させたパイロット信号注入部分である。
Reference numeral 6 is a dummy bit portion formed by extending the horizontal registers 3a and 3b from the portion corresponding to the image portion 1 to the transfer destination side. The dummy bit portion 6 is provided for timing correction and the like, and the number of bits depends on the product type. Although different, it is several bits to several tens of bits. Reference numeral 7 denotes a pilot signal injection portion in which the horizontal registers 3a and 3b and the control gate portion 4 are extended from the portion corresponding to the image portion 1 to the side opposite to the dummy bit portion 6 side by substantially the same number of bits as the dummy bit portion 6.

【0034】25は該パイロット信号注入部分7へパイ
ロット信号となる信号電荷を供給する本発明に係るパイ
ロット信号発生部であり、詳細は後述する。
Reference numeral 25 is a pilot signal generator according to the present invention for supplying signal charges to be a pilot signal to the pilot signal injection portion 7, the details of which will be described later.

【0035】12a,12bは第1及び第2の水平レジ
スタ3a,3bから転送された信号電荷を電圧に変換し
て出力する第1及び第2の出力部、13a,13bは第
1及び第2の出力部12a,12bの信号からノイズ
(リセット雑音)を取り除く第1及び第2のCDS(相
間二重サンプリング回路)、14a,14bは第1及び
第2のCDS13a,13bの出力信号を増幅するアン
プであり、少なくともそのうちの一方のアンプは利得制
御可能とされている。
Reference numerals 12a and 12b are first and second output portions for converting the signal charges transferred from the first and second horizontal registers 3a and 3b into voltages and outputting the voltages, and 13a and 13b are first and second output portions. First and second CDSs (phase-to-phase double sampling circuit) for removing noise (reset noise) from the signals of the output units 12a and 12b, and 14a and 14b amplify the output signals of the first and second CDSs 13a and 13b. It is an amplifier, and at least one of the amplifiers is capable of gain control.

【0036】そして、固体撮像素子内の出力部12a、
固体撮像素子外のCDS13a、アンプ14aによって
第1の回路系が構成され、固体撮像素子内の出力部12
b、固体撮像素子外のCDS13b、アンプ14bによ
って第2の回路系が構成されている。
Then, the output section 12a in the solid-state image pickup device,
The CDS 13a and the amplifier 14a outside the solid-state image sensor constitute a first circuit system, and the output unit 12 in the solid-state image sensor is formed.
b, the CDS 13b outside the solid-state imaging device, and the amplifier 14b constitute a second circuit system.

【0037】15はアンプ14a,14bから出力され
た信号から各色信号をサンプリングし、更にそのサンプ
リングした色信号を処理して輝度信号Y及び色差信号R
−Y、B−Yをつくる信号処理回路である。
Numeral 15 samples each color signal from the signals output from the amplifiers 14a and 14b, further processes the sampled color signal to process a luminance signal Y and a color difference signal R.
It is a signal processing circuit for making -Y and BY.

【0038】16はゲイン補正回路で、第1及び第2の
アンプ14a,14bの出力信号からパイロット信号を
サンプリングする第1及び第2のサンプルホールド回路
17a,17bと、該第1及び第2のサンプルホールド
回路を比較する比較回路18からなる。この比較回路1
8の出力信号は一方のアンプ(利得制御可能なアン
プ)、例えばアンプ14aに利得制御信号として入力さ
れる。この利得制御信号は、第1のアンプ14aの出力
信号からサンプリングしたパイロット信号のレベルが第
2のアンプ14bの出力信号からサンプリングしたパイ
ロット信号のレベルよりも低いときは例えば高いレベル
になって第1のアンプ14aのゲインを上昇せしめ、逆
のときは例えば低いレベルになって第1のアンプ14a
のゲインを低下せしめる。
Reference numeral 16 denotes a gain correction circuit, which includes first and second sample and hold circuits 17a and 17b for sampling pilot signals from the output signals of the first and second amplifiers 14a and 14b, and the first and second sample and hold circuits. It comprises a comparison circuit 18 for comparing the sample and hold circuits. This comparison circuit 1
The output signal of 8 is input as a gain control signal to one amplifier (gain controllable amplifier), for example, the amplifier 14a. The gain control signal becomes, for example, a high level when the level of the pilot signal sampled from the output signal of the first amplifier 14a is lower than the level of the pilot signal sampled from the output signal of the second amplifier 14b. Of the first amplifier 14a.
Reduce the gain of.

【0039】比較回路18から互に逆相となる2つの出
力信号を第1及び第2のアンプ14a,14bへ利得制
御信号を送出するようにしてもよい。この場合、両方の
アンプ14a,14bとも利得制御可能であることが必
要である。そして、第1のアンプ14aの出力信号から
サンプリングしたパイロット信号のレベルが第2のアン
プ14bの出力信号からサンプリングしたパイロット信
号のレベルよりも低いときは2つの利得制御信号によっ
て第1のアンプ14aのゲインを上昇せしめると共に、
第2のアンプ14bのゲインを低下せしめる。逆のとき
は第1のアンプ14aのゲインを低下せしめ、第2のア
ンプ14bのゲインを上昇せしめる。
A gain control signal may be sent to the first and second amplifiers 14a and 14b from the two output signals having mutually opposite phases from the comparison circuit 18. In this case, both amplifiers 14a and 14b need to be able to control the gain. When the level of the pilot signal sampled from the output signal of the first amplifier 14a is lower than the level of the pilot signal sampled from the output signal of the second amplifier 14b, the two gain control signals cause the first amplifier 14a While increasing the gain,
The gain of the second amplifier 14b is reduced. In the opposite case, the gain of the first amplifier 14a is reduced and the gain of the second amplifier 14b is increased.

【0040】上記固体撮像装置の動作は、前述と同様な
ので、その説明は省略する。
The operation of the above solid-state image pickup device is the same as that described above, and therefore its explanation is omitted.

【0041】しかして、本例においては、パイロット信
号発生部25を図2及び図3に示すように、インプット
ソース26と、1つの共通電極で形成したゲート電極3
0を有するインプットゲート27と、ゲート電極31を
有する注入用ゲート28とからなり、インプットゲート
27のゲート電極30に固定のバイアス電圧(いわゆる
ゲート電圧)VO を印加したとき、ゲート電極30下に
電荷注入方向に沿う計量用のポテンシャル差A2 が形成
されるように構成する。注入用ゲート28及びインプッ
トソース26には、夫々前述の図11と同様に水平ブラ
ンキング期間に同期したクロックパルスφG 及びφS
印加される。
Therefore, in this embodiment, the pilot signal generator 25 is, as shown in FIGS. 2 and 3, an input source 26 and a gate electrode 3 formed by one common electrode.
0 and an injection gate 28 having a gate electrode 31. When a fixed bias voltage (so-called gate voltage) V O is applied to the gate electrode 30 of the input gate 27, it is below the gate electrode 30. The potential difference A 2 for measurement along the charge injection direction is formed. Clock pulses φ G and φ S synchronized with the horizontal blanking period are applied to the injection gate 28 and the input source 26, respectively, as in FIG.

【0042】このインプットソース領域26を含むパイ
ロット信号発生部25は、第1及び第2の水平レジスタ
3a,3bに対して共通であり、そのインプットソース
領域26は前述と同様、図面上ではパイロット信号注入
7と同じビット数分一体に形成されているかのように示
したが、実際は各ビットが独立し、所定のタイミングで
一定量以上、具体的にはパイロット信号として必要なレ
ベル以上の信号電荷を発生する。
The pilot signal generating section 25 including the input source area 26 is common to the first and second horizontal registers 3a and 3b, and the input source area 26 is the same as that described above in the drawing. Although it is shown as if they are integrally formed by the same number of bits as the injection 7, in reality, each bit is independent, and at a predetermined timing, a certain amount or more, specifically, a signal charge of a level required as a pilot signal or more is generated. Occur.

【0043】インプットゲート27下に計量用のポテン
シャル差A2 を形成するには、例えば不純物を注入する
ことによってなし得る。例えばN形のCCD構造の場合
には、図4に示すように、インプットゲート27の電荷
計量部27Aに対応するN形領域33にP形不純物を選
択的にイオン注入しP- 層34を形成して浅いポテンシ
ャルを形成するようになすか、或は図示せざるもインプ
ットゲート27の電荷蓄積部27Bに対応するN形領域
33にN形不純物を選択的にイオン注入しN+層を形成
してここでのポテンシャルを深くするようにしてよい。
The potential difference A 2 for measurement under the input gate 27 can be formed by implanting impurities, for example. For example, in the case of the N-type CCD structure, as shown in FIG. 4, P-type impurities are selectively ion-implanted into the N-type region 33 corresponding to the charge measuring portion 27A of the input gate 27 to form the P layer 34. To form a shallow potential, or although not shown, N type impurities are selectively ion-implanted into the N type region 33 corresponding to the charge storage portion 27B of the input gate 27 to form an N + layer. You may try to deepen the potential here.

【0044】逆に、P形のCCD構造の場合には、電荷
計量部27Aに対応したP形領域にN形の不純物をイオ
ン注入し、或は電荷蓄積部27BにP形の不純物を注入
するようになす。
Conversely, in the case of the P-type CCD structure, N-type impurities are ion-implanted into the P-type region corresponding to the charge measuring section 27A, or P-type impurities are injected into the charge accumulating section 27B. Do like this.

【0045】また、インプットゲート27下に計量用の
ポテンシャル差A2 を形成するには、ゲート電極30下
のゲート絶縁膜の膜厚を変えることによりポテンシャル
差を形成することができる。例えば図5に示すように、
N形半導体基板36にP形ウエル領域37、N形埋込み
チャネル領域38を形成し、この上に酸化膜等によるゲ
ート絶縁膜39を介してインプットゲート27のゲート
電極30を形成してなる所謂埋込みチャネル型CCD構
造の場合には、インプットゲート27の電荷蓄積部27
Bの絶縁膜厚t1 を電荷計量部27Aの絶縁膜t2 より
厚く(t1 >t2 )する事により実現できる。また、図
6に示すように例えばN形半導体基板41にP形領域4
2を形成し、この上に酸化膜等によるゲート絶縁膜39
を介してインプットゲート27のゲート電極30を形成
してなる所謂表面チャネル型CCD構造の場合には、埋
め込みチャネル型とは逆に、インプットゲート27の電
荷蓄積部27Bの絶縁膜厚t3を電荷計量部27Aの絶
縁膜厚t4 より薄く(t3 <t4 )する事により実現で
きる。
To form the potential difference A 2 for measurement under the input gate 27, the potential difference can be formed by changing the film thickness of the gate insulating film under the gate electrode 30. For example, as shown in FIG.
A P-type well region 37 and an N-type buried channel region 38 are formed on an N-type semiconductor substrate 36, and a gate electrode 30 of an input gate 27 is formed on the P-type well region 37 and an N-type buried channel region 38 via a gate insulating film 39 such as an oxide film. In the case of the channel type CCD structure, the charge storage section 27 of the input gate 27
This can be realized by making the insulating film thickness t 1 of B thicker than the insulating film t 2 of the charge measuring unit 27A (t 1 > t 2 ). Further, as shown in FIG. 6, for example, the P-type region 4 is formed on the N-type semiconductor substrate 41.
2 is formed, and a gate insulating film 39 made of an oxide film or the like is formed thereon.
In the case of a so-called surface channel type CCD structure in which the gate electrode 30 of the input gate 27 is formed via the gate electrode, the insulating film thickness t 3 of the charge storage portion 27B of the input gate 27 is set to the opposite of the buried channel type. This can be realized by making the insulating film thickness of the measuring unit 27A thinner than t 4 (t 3 <t 4 ).

【0046】上述の実施例によれば、パイロット信号発
生部25において、そのインプットゲート27のゲート
電極30を1つの共通電極で形成すると共に、ゲート絶
縁膜厚を変えて、或は選択的な不純物注入によって、ゲ
ート電極30にバイアス電圧VO を印加したときゲート
電極30下にポテンシャル差A2 が形成されるように構
成することにより、インプットゲート27従ってそのポ
テンシャル差A2 に対する他のクロックパルス(垂直レ
ジスタの駆動用クロックパルス、水平レジスタの駆動用
クロックパルス、水平レジスタ間転送用クロックパルス
等)に因るカップリングの影響が極めて小さくなる。即
ち、カップリングに対するパイロット信号となる信号電
荷量の変化は無視できるほど小さくなる。このため、第
1の出力部12aから出力すべきパイロット信号となる
信号電荷の注入時と、第2の出力部12bから出力すべ
きパイロット信号となる信号電荷の注入時とで、他のク
ロックパルスから受けるカップリング量が異なっても、
信号電荷量への影響が小さくなり、パイロット信号とし
ての精度を向上することができる。
According to the above-described embodiment, in the pilot signal generator 25, the gate electrode 30 of the input gate 27 is formed by one common electrode, the gate insulating film thickness is changed, or selective impurities are selected. By injecting the bias voltage V O to the gate electrode 30, a potential difference A 2 is formed under the gate electrode 30 so that the input gate 27 and thus another clock pulse (A 2) for the potential difference A 2 ( The influence of coupling due to the vertical register driving clock pulse, the horizontal register driving clock pulse, the horizontal register transfer clock pulse, etc.) becomes extremely small. That is, the change in the amount of signal charge that becomes the pilot signal with respect to the coupling becomes negligibly small. Therefore, another clock pulse is used at the time of injecting the signal charge that becomes the pilot signal to be output from the first output section 12a and at the time of injecting the signal charge that becomes the pilot signal to be output from the second output section 12b. Even if the amount of coupling received from is different,
The influence on the signal charge amount is reduced, and the accuracy of the pilot signal can be improved.

【0047】また、パイロット信号発生部25が第1及
び第2の水平レジスタ3a,3bの夫々のパイロット信
号注入部7に対して共通に設けられたので、各水平レジ
スタ3a,3bへ等量の信号電荷を注入することができ
る。
Further, since the pilot signal generating section 25 is provided in common to the pilot signal injecting section 7 of each of the first and second horizontal registers 3a and 3b, an equal amount is provided to each horizontal register 3a and 3b. Signal charges can be injected.

【発明の効果】本発明によれば、パイロット信号発生手
段において、パイロット信号となる信号電荷量が他のク
ロックパルスによるカップリングの影響を受けにくくな
り、パイロット信号としての精度を向上することができ
る。従って、信頼性の高いこの種の固体撮像素子を提供
することができる。
According to the present invention, in the pilot signal generating means, the amount of signal charges to be a pilot signal is less likely to be affected by coupling by another clock pulse, and the accuracy as a pilot signal can be improved. . Therefore, it is possible to provide this type of solid-state imaging device having high reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る固体撮像素子を有する固体撮像装
置の一例を示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing an example of a solid-state imaging device having a solid-state imaging element according to the present invention.

【図2】本発明に係る固体撮像素子の要部を示す平面図
である。
FIG. 2 is a plan view showing a main part of a solid-state image sensor according to the present invention.

【図3】図2のB−B線上のポテンシャル図である。FIG. 3 is a potential diagram on the line BB of FIG.

【図4】本発明に係る要部の一例を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing an example of a main part according to the present invention.

【図5】本発明に係る要部の他の例を示す断面図であ
る。
FIG. 5 is a sectional view showing another example of a main part according to the present invention.

【図6】本発明に係る要部の他の例を示す断面図であ
る。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing another example of the main part according to the present invention.

【図7】インプットゲートのバイアス電圧とパイロット
信号用の電荷量との関係を示すグラフである。
FIG. 7 is a graph showing a relationship between a bias voltage of an input gate and a charge amount for a pilot signal.

【図8】従来の固体撮像素子を有する固体撮像装置の構
成図である。
FIG. 8 is a configuration diagram of a solid-state imaging device having a conventional solid-state imaging device.

【図9】従来の固体撮像素子の要部の平面図である。FIG. 9 is a plan view of a main part of a conventional solid-state image sensor.

【図10】パイロット信号の発生タイミングの例を示す
タイムチャートである。
FIG. 10 is a time chart showing an example of a pilot signal generation timing.

【図11】図9のA−A線上のポテンシャル図である。FIG. 11 is a potential diagram on the line AA of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 イメージ部 2 垂直レジスタ 3a 第1の水平レジスタ 3b 第2の水平レジスタ 4 制御ゲート 6 ダミービット 7 パイロット信号注入部分 8,25 パイロット信号発生手段 9,26 インプットソース 10a,10b,27 インプットゲート 11,28 注入用ゲート A1 ,A2 計量用のポテンシャル差DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 image part 2 vertical register 3a 1st horizontal register 3b 2nd horizontal register 4 control gate 6 dummy bit 7 pilot signal injection part 8,25 pilot signal generating means 9,26 input source 10a, 10b, 27 input gate 11, 28 Injection gate A 1 , A 2 Potential difference for measurement

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 転送先側にダミービットを有する2個の
水平レジスタと、各水平レジスタに等量の信号電荷をパ
イロット信号として供給するパイロット信号発生手段を
備え、上記各水平レジスタから夫々の出力部を介して同
時に2個の信号を出力するようになし、且つ、ダミービ
ット出力期間内にパイロット信号が出力されるように上
記パイロット信号発生手段から上記各水平レジスタへの
信号電荷の供給が行われる固体撮像素子において、 上記パイロット信号発生手段における信号量を決めるゲ
ート部のゲート電極を1つの共通電極で形成し、該ゲー
ト電極下に計量用のポテンシャル差を形成して成ること
を特徴とする固体撮像素子。
1. A horizontal transfer register, comprising two horizontal registers having dummy bits, and pilot signal generating means for supplying an equal amount of signal charge to each horizontal register as a pilot signal. Signal is supplied from the pilot signal generating means to each of the horizontal registers so that two signals are simultaneously output via the output section and the pilot signal is output within the dummy bit output period. In the solid-state imaging device described above, the gate electrode of the gate portion that determines the signal amount in the pilot signal generating means is formed by one common electrode, and a potential difference for measurement is formed under the gate electrode. Solid-state image sensor.
【請求項2】 パイロット信号発生手段が2個の水平レ
ジスタに対して共通に設けられることを特徴とする請求
項1記載の固体撮像素子。
2. The solid-state image pickup device according to claim 1, wherein the pilot signal generating means is provided commonly to the two horizontal registers.
【請求項3】 計量用のポテンシャル差を選択的な不純
物注入で形成することを特徴とする請求項1記載の固体
撮像素子。
3. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the potential difference for measurement is formed by selective impurity implantation.
【請求項4】 計量用のポテンシャル差をゲート電極下
の絶縁膜の膜厚を変えて形成することを特徴とする請求
項1記載の固体撮像素子。
4. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the potential difference for measurement is formed by changing the film thickness of the insulating film under the gate electrode.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7218351B2 (en) 2002-04-05 2007-05-15 Victor Company Of Japan, Limited Image-sensing apparatus for compensating video signal of a plurality of channels

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7218351B2 (en) 2002-04-05 2007-05-15 Victor Company Of Japan, Limited Image-sensing apparatus for compensating video signal of a plurality of channels

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