JPH0682115B2 - イオンモニタ装置 - Google Patents
イオンモニタ装置Info
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- JPH0682115B2 JPH0682115B2 JP62181898A JP18189887A JPH0682115B2 JP H0682115 B2 JPH0682115 B2 JP H0682115B2 JP 62181898 A JP62181898 A JP 62181898A JP 18189887 A JP18189887 A JP 18189887A JP H0682115 B2 JPH0682115 B2 JP H0682115B2
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- signal
- ion
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、イオン感応性電界効果トランジスタを用い
て、たとえば人体のpHや、免疫または酵素などのイオン
活量を測定する、イオンモニタ装置に関するものであ
る。
て、たとえば人体のpHや、免疫または酵素などのイオン
活量を測定する、イオンモニタ装置に関するものであ
る。
[従来技術] イオン感応性電界効果トランジスタ(以下、「ISFET」
と称する。)を用いて、たとえば人体のpHを測定する装
置は、従来から知られており、この装置の原理は、ISFE
Tのソース・ドレイン間に定電流もしくは定電圧を付加
しておき、ゲートの電位が人体中のHイオンに感応して
変化するのを利用して、ソースの電位を変化させ、この
ソースの電位からpH値を測定するものである。ところ
が、上記ISFETは、人体のH+イオンに感応するだけでな
く、周囲の温度にも感応するので、正確な測定を行なう
には、温度補償が必要になる。
と称する。)を用いて、たとえば人体のpHを測定する装
置は、従来から知られており、この装置の原理は、ISFE
Tのソース・ドレイン間に定電流もしくは定電圧を付加
しておき、ゲートの電位が人体中のHイオンに感応して
変化するのを利用して、ソースの電位を変化させ、この
ソースの電位からpH値を測定するものである。ところ
が、上記ISFETは、人体のH+イオンに感応するだけでな
く、周囲の温度にも感応するので、正確な測定を行なう
には、温度補償が必要になる。
そこで、本件発明者は、すでに、特願昭58−113298号
(特開昭60−4851号)において、上記温度補償を正確に
行なう装置を提案した。この先願の装置は、ISFETのド
レイン電流が一定範囲内にあるとき、測定信号であるソ
ース電位が、温度に関して線形性を有することを見い出
したうえで、この線形性を利用して、アナログ的に測定
信号に一定の係数を掛けることにより、測定信号の温度
補償を行なうものである。
(特開昭60−4851号)において、上記温度補償を正確に
行なう装置を提案した。この先願の装置は、ISFETのド
レイン電流が一定範囲内にあるとき、測定信号であるソ
ース電位が、温度に関して線形性を有することを見い出
したうえで、この線形性を利用して、アナログ的に測定
信号に一定の係数を掛けることにより、測定信号の温度
補償を行なうものである。
ここで、上記係数は、個々のISFETにより異なるので、
実際の測定にあたっては、測定開始前に、上記係数を決
定するための校正を行なう必要がある。ところが、上記
装置は、測定信号の温度補償をアナログ的に行なってい
るので、上記校正の際に、アナログ演算器のボリューム
を微調整する必要があり、操作が面倒である。しかも、
アナログ演算器のボリュームの目盛、たとえばポテンシ
ョメータの目盛と、上記係数との対応付けを精度よく行
なうのが、回路構成上困難であり、これを精度よく行な
おうとすると、回路が極めて複雑になり、製造上および
コスト面で不利が大きい。
実際の測定にあたっては、測定開始前に、上記係数を決
定するための校正を行なう必要がある。ところが、上記
装置は、測定信号の温度補償をアナログ的に行なってい
るので、上記校正の際に、アナログ演算器のボリューム
を微調整する必要があり、操作が面倒である。しかも、
アナログ演算器のボリュームの目盛、たとえばポテンシ
ョメータの目盛と、上記係数との対応付けを精度よく行
なうのが、回路構成上困難であり、これを精度よく行な
おうとすると、回路が極めて複雑になり、製造上および
コスト面で不利が大きい。
上記問題点を解消するために、本件発明者は、特願昭59
-82698号(特開昭60-225056号)において、上記温度補
償の原理は同じであるが、デジタル的に測定信号を演算
処理し、温度補償を行なう装置を提案した。この装置
は、個々のISFETにより異なるセンサの係数を測定開始
前に記憶しておく一方で、基準温度Toにおける基準pH値
(pH)oで測定信号Vs,Dを零調(目盛りを零に合せる)
しておいてから、測定信号をデジタル値として取り込
み、上記記憶した係数を用いてデジタル演算器でデジタ
ル演算することにより、測定信号の温度補償を行なうも
のである。
-82698号(特開昭60-225056号)において、上記温度補
償の原理は同じであるが、デジタル的に測定信号を演算
処理し、温度補償を行なう装置を提案した。この装置
は、個々のISFETにより異なるセンサの係数を測定開始
前に記憶しておく一方で、基準温度Toにおける基準pH値
(pH)oで測定信号Vs,Dを零調(目盛りを零に合せる)
しておいてから、測定信号をデジタル値として取り込
み、上記記憶した係数を用いてデジタル演算器でデジタ
ル演算することにより、測定信号の温度補償を行なうも
のである。
[発明が解決しようとする問題点] ところが、上記デジタル式の装置は、ISFETごとに異な
るセンサ係数をデジタル演算器内で算出したうえで、こ
れらセンサ係数を用いて所定の演算式によりpH値を算出
しているので、必然的に演算内容が複雑になり、それだ
けデジタル演算器の要求される容量が大きくなつて、コ
ストアツプを招くとともに、電力の消費量が増大する。
るセンサ係数をデジタル演算器内で算出したうえで、こ
れらセンサ係数を用いて所定の演算式によりpH値を算出
しているので、必然的に演算内容が複雑になり、それだ
けデジタル演算器の要求される容量が大きくなつて、コ
ストアツプを招くとともに、電力の消費量が増大する。
また、上記演算内容が複雑なことから、精度のよいpH測
定を行なうには、ISFETの出力および温度補償用の温度
素子の出力をデジタル演算器に極めて高い精度で読み込
ませる必要があるので、上記デジタル演算器へ出力する
ための回路、たとえば零調回路やA/D変換器に高精度な
ものが要求され、コストアツプを招く。
定を行なうには、ISFETの出力および温度補償用の温度
素子の出力をデジタル演算器に極めて高い精度で読み込
ませる必要があるので、上記デジタル演算器へ出力する
ための回路、たとえば零調回路やA/D変換器に高精度な
ものが要求され、コストアツプを招く。
この発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、ISFET
の温度補償が高精度でなされることによりイオン活量の
測定が精度よく行なわれ、しかも、デジタル演算器の演
算内容が簡略化されて、消費電力と製造コストの低いイ
オンモニタ装置を提供することを目的とする。
の温度補償が高精度でなされることによりイオン活量の
測定が精度よく行なわれ、しかも、デジタル演算器の演
算内容が簡略化されて、消費電力と製造コストの低いイ
オンモニタ装置を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段] 上記目的を達成するためのこの発明の構成を第1図に示
す。
す。
同図において、この発明のイオンモニタ装置の先端のセ
ンサ10は、被測定液Mのイオン活量を検出するイオン感
応性電界効果トランジスタ11と、上記被測定液Mの温度
を検出する温度素子13とを有している。
ンサ10は、被測定液Mのイオン活量を検出するイオン感
応性電界効果トランジスタ11と、上記被測定液Mの温度
を検出する温度素子13とを有している。
50は定電流回路で、上記イオン感応性電界効果トランジ
スタ11の動作におけるチヤンネル特性値をβ、ドレン電
流Idで表わしたとき、|Id/β|≦0.10volt2なる条件を
満たすドレン電流を上記イオン感応性電界効果トランジ
スタ11に流す。ドレン電流が上記範囲内にあるとき、イ
オン活量(たとえばpH値)を示す信号であるソース電位
Vsが、温度に関して線形性を有するので、アナログ的に
上記イオン活量信号Vsに一定の係数を掛けることによ
り、イオン活量信号Vsの温度補償を行なうことができ
る。
スタ11の動作におけるチヤンネル特性値をβ、ドレン電
流Idで表わしたとき、|Id/β|≦0.10volt2なる条件を
満たすドレン電流を上記イオン感応性電界効果トランジ
スタ11に流す。ドレン電流が上記範囲内にあるとき、イ
オン活量(たとえばpH値)を示す信号であるソース電位
Vsが、温度に関して線形性を有するので、アナログ的に
上記イオン活量信号Vsに一定の係数を掛けることによ
り、イオン活量信号Vsの温度補償を行なうことができ
る。
上記イオン感応性電界効果トランジスタ11からのイオン
活量信号Vsはイオン活量零調回路40に入力され、予め設
定された基準イオン活量信号Vsooとの差に対応したイオ
ン活量偏差信号Vs−Vsooが出力される。
活量信号Vsはイオン活量零調回路40に入力され、予め設
定された基準イオン活量信号Vsooとの差に対応したイオ
ン活量偏差信号Vs−Vsooが出力される。
60は温度零調回路で、上記センサ10からの信号Vsおよび
Dtに基づいて温度信号Dを生成し、この温度信号Dと予
め設定された基準温度信号D01との差に対応した温度偏
差信号D−D01を出力する。
Dtに基づいて温度信号Dを生成し、この温度信号Dと予
め設定された基準温度信号D01との差に対応した温度偏
差信号D−D01を出力する。
上記イオン活量零調回路40からのイオン活量偏差信号Vs
−Vsooはイオン活量感度調回路70に入力され、基準温度
Toにおけるイオン活量感度Koで除した見掛けのイオン活
量偏差信号(Vs−Vsoo)/Koが出力される。
−Vsooはイオン活量感度調回路70に入力され、基準温度
Toにおけるイオン活量感度Koで除した見掛けのイオン活
量偏差信号(Vs−Vsoo)/Koが出力される。
他方、上記温度零調回路60からの温度偏差信号D−D01
は温度演算回路80に入力され、ここで被測定液Mの温度
が算出されて、測定温度信号Tが出力される。
は温度演算回路80に入力され、ここで被測定液Mの温度
が算出されて、測定温度信号Tが出力される。
上記見掛けのイオン活量偏差信号(Vs−Vsoo)/Koおよ
び測定温度信号Tは、デジタル演算器100の補償手段102
に入力される。ここでは、ISFETの温度係数をA、温度
偏差をT−Toとしたとき、見掛けのイオン活量偏差信号
(Vs−Vsoo)/Koから、A(T−To)/Koを減算すること
により、見掛けのイオン活量偏差信号(Vs−Vsoo)/Ko
の零点が、被測定液Mの温度偏差T−Toおよびイオン活
量感度Koに対応して変化するのを補償する。
び測定温度信号Tは、デジタル演算器100の補償手段102
に入力される。ここでは、ISFETの温度係数をA、温度
偏差をT−Toとしたとき、見掛けのイオン活量偏差信号
(Vs−Vsoo)/Koから、A(T−To)/Koを減算すること
により、見掛けのイオン活量偏差信号(Vs−Vsoo)/Ko
の零点が、被測定液Mの温度偏差T−Toおよびイオン活
量感度Koに対応して変化するのを補償する。
上記零点補償された信号は、さらにイオン活量演算手段
103に入力される。ここでは、基準温度Toと測定温度T
との比To/Tを乗算したのち、上記基準イオン活量信号Vs
ooに対応した基準イオン活量を加算して、被測定液Mの
イオン活量を出力する。
103に入力される。ここでは、基準温度Toと測定温度T
との比To/Tを乗算したのち、上記基準イオン活量信号Vs
ooに対応した基準イオン活量を加算して、被測定液Mの
イオン活量を出力する。
なお、12は被測定液Mを一定の電位に保持するための比
較電極である。
較電極である。
[作用] 上記構成によれば、イオン活量の測定において、イオン
活量に対する零点および感度の温度補償がなされるか
ら、イオン活量の測定が精度よくなされる。
活量に対する零点および感度の温度補償がなされるか
ら、イオン活量の測定が精度よくなされる。
また、見掛けのイオン活量偏差値(Vs−Vsoo)/Koと、
測定温度Tとを直接デジタル演算器100に取り込み、補
償手段102およびイオン活量演算手段103により、単純な
減算および乗算を行なうだけで、イオン活量を算出でき
るので、温度補償計算が簡略化される。
測定温度Tとを直接デジタル演算器100に取り込み、補
償手段102およびイオン活量演算手段103により、単純な
減算および乗算を行なうだけで、イオン活量を算出でき
るので、温度補償計算が簡略化される。
[発明の実施例] ここでは、発明の実施例の説明に先立つて、まず、その
前提となる測定方法についてpHセンサを例に説明する。
以下において、(pH)はpH値を示す。また、信号とその
信号が表わす量とは、便宜上同一符号で示す。例えば、
測定温度信号とその温度は同一符号Tで示す。
前提となる測定方法についてpHセンサを例に説明する。
以下において、(pH)はpH値を示す。また、信号とその
信号が表わす量とは、便宜上同一符号で示す。例えば、
測定温度信号とその温度は同一符号Tで示す。
いま、第1図に示すタイプのISFET11について、ドレイ
ン電流の一定下でpH測定を行なつた場合、基準温度To、
基準pH値(pH)oでのソース電位をVsoo、測定温度T、
基準pH値(pH)oでのソース電位をVso、測定温度T、
測定pHでのソース電位(イオン活量信号)をVsとする
と、ISFETは温度に感応する性質があるので、Vsoo−Vso
は温度関数となる。すなわち、 ΔVso≡Vso−Vsoo=f(T) ・・・(1) また、Vs−Vsoは(pH)−(pH)oに比例することが知
られている。すなわち、比例定数Kを用いて、 ΔVs≡Vs−Vso=K{(pH)−(pH)o} ・・・(2) 式(1)と(2)とにより、 Vs=K{(pH)−(pH)o}+f(T)+Vsoo ・・・
(3) KはいわゆるpH感度で、絶対温度Tに比例することが知
られている。すなわち、ΔT=T−Toとすると、 K=Ko(T/To)=Ko(1+ΔT/To) ・・・(4) ここで、Koは基準温度ToにおけるpH感度である。
ン電流の一定下でpH測定を行なつた場合、基準温度To、
基準pH値(pH)oでのソース電位をVsoo、測定温度T、
基準pH値(pH)oでのソース電位をVso、測定温度T、
測定pHでのソース電位(イオン活量信号)をVsとする
と、ISFETは温度に感応する性質があるので、Vsoo−Vso
は温度関数となる。すなわち、 ΔVso≡Vso−Vsoo=f(T) ・・・(1) また、Vs−Vsoは(pH)−(pH)oに比例することが知
られている。すなわち、比例定数Kを用いて、 ΔVs≡Vs−Vso=K{(pH)−(pH)o} ・・・(2) 式(1)と(2)とにより、 Vs=K{(pH)−(pH)o}+f(T)+Vsoo ・・・
(3) KはいわゆるpH感度で、絶対温度Tに比例することが知
られている。すなわち、ΔT=T−Toとすると、 K=Ko(T/To)=Ko(1+ΔT/To) ・・・(4) ここで、Koは基準温度ToにおけるpH感度である。
いま、仮にISFET11の温度係数Aを定数として f(T)=A・ΔT ・・・(5) となるような零点補償の条件が見い出されたとすると、
式(4)および(5)を式(3)に代入することによ
り、つぎの式(6)が得られる。
式(4)および(5)を式(3)に代入することによ
り、つぎの式(6)が得られる。
Vs=Ko(1+ΔT/To){(pH)−(pH)o}+A・ΔT
+Vsoo ・・・(6) これを変形すると、 となる。
+Vsoo ・・・(6) これを変形すると、 となる。
式(7)の右辺第1項の分子、分母のΔTを含む項はそ
れぞれ、零点および感度の温度補償に関する項である。
式(5)が成立する場合、両温度補償とも温度差ΔTの
1次式であるので、(7)式に基づき、電気回路を用い
て容易に自動補償することができる。
れぞれ、零点および感度の温度補償に関する項である。
式(5)が成立する場合、両温度補償とも温度差ΔTの
1次式であるので、(7)式に基づき、電気回路を用い
て容易に自動補償することができる。
そこで、発明者らは、ISFETにおいて式(5)が成立す
る条件、すなわち、一定pH下におけるソース電位が温度
変化に比例して変化する条件を見出す研究を行なつた。
その結果、ISFETのドレイン電流Idを小さくして、|Id/
β|≦0.10volt2の範囲でISFETを動作させると式(5)
が成立することを見出した。ここで、βはISFETのチヤ
ンネル特性値で、 μ:電子およびホール移動度 e:誘電率 W:チヤンネル幅 L:チヤンネル長 B:ゲート絶縁膜の厚み そこで、この発明では、上記範囲で測定を行なう。
る条件、すなわち、一定pH下におけるソース電位が温度
変化に比例して変化する条件を見出す研究を行なつた。
その結果、ISFETのドレイン電流Idを小さくして、|Id/
β|≦0.10volt2の範囲でISFETを動作させると式(5)
が成立することを見出した。ここで、βはISFETのチヤ
ンネル特性値で、 μ:電子およびホール移動度 e:誘電率 W:チヤンネル幅 L:チヤンネル長 B:ゲート絶縁膜の厚み そこで、この発明では、上記範囲で測定を行なう。
上記範囲は発明者らの実験によつて見い出されたのであ
るが、その実験結果については前述の特願昭58-113298
号に詳述されている。
るが、その実験結果については前述の特願昭58-113298
号に詳述されている。
前述の特願昭58-113298号(アナログ式)および特願昭5
9-82698号(デジタル式)の各発明では、上記(7)式
によりpH値を求めていたが、この発明では、デジタル演
算器での演算を容易化するために、上記(7)式を次の
ように変形した。
9-82698号(デジタル式)の各発明では、上記(7)式
によりpH値を求めていたが、この発明では、デジタル演
算器での演算を容易化するために、上記(7)式を次の
ように変形した。
上記Δ(pH)*は見掛けのpH(イオン活量)偏差信号で
あり、(pH)zは、上記見掛けのpH偏差信号Δ(pH)*
の零点が、温度偏差ΔT(=T−To)およびpH感度Koに
対応して変化する量を示す。
あり、(pH)zは、上記見掛けのpH偏差信号Δ(pH)*
の零点が、温度偏差ΔT(=T−To)およびpH感度Koに
対応して変化する量を示す。
以下、上記測定方法を利用したこの発明の一実施例に係
る装置を図面にしたがつて説明する。
る装置を図面にしたがつて説明する。
第2図は溶液のPHを測定するイオンモニタ装置の概略構
成を示す系統図である。
成を示す系統図である。
同図において、デジタル演算器100は補償手段102とイオ
ン活量演算手段103に加えて、イオン活量零点制御手段1
04と温度零点制御手段105とを備えており、イオン活量
零点制御手段104からのデータ信号aにより、イオン活
量零調回路40の基準イオン活量信号Vsooのレベルを自動
的に制御して、イオン活量感度調回路70からの見掛けの
イオン活量偏差信号(Vs-Vsoo)/Koの零点合せ(オート
ゼロ調)を行なうとともに、温度零点制御手段105から
のデータ信号bにより、温度零調回路60の基準温度信号
Doのレベルを自動的に制御して、測定温度信号Tの零点
合せ(オートゼロ調)を行なつている。さらに、上記デ
ジタル演算器100は感度制御手段106も備え、この感度制
御手段106からのデータ信号cにより、上記見掛けのイ
オン活量偏差信号(Vs−Vsoo)/Koのスパンを自動的に
所定値に調整して(オートスパン調)、適切なスパンが
常に得られるようにしている。これらオートゼロ調およ
びオートスパン調については、後段で第4図を用いて詳
述する。
ン活量演算手段103に加えて、イオン活量零点制御手段1
04と温度零点制御手段105とを備えており、イオン活量
零点制御手段104からのデータ信号aにより、イオン活
量零調回路40の基準イオン活量信号Vsooのレベルを自動
的に制御して、イオン活量感度調回路70からの見掛けの
イオン活量偏差信号(Vs-Vsoo)/Koの零点合せ(オート
ゼロ調)を行なうとともに、温度零点制御手段105から
のデータ信号bにより、温度零調回路60の基準温度信号
Doのレベルを自動的に制御して、測定温度信号Tの零点
合せ(オートゼロ調)を行なつている。さらに、上記デ
ジタル演算器100は感度制御手段106も備え、この感度制
御手段106からのデータ信号cにより、上記見掛けのイ
オン活量偏差信号(Vs−Vsoo)/Koのスパンを自動的に
所定値に調整して(オートスパン調)、適切なスパンが
常に得られるようにしている。これらオートゼロ調およ
びオートスパン調については、後段で第4図を用いて詳
述する。
第3図は第2図の装置の具体的な回路を示す回路図であ
る。
る。
同図において、10はセンサで、このセンサ10はISFET11
と、比較電極12と、温度検出用ダイオード(温度素子)
13とから構成されており、上記ISFET11とダイオード13
とは半導体集積回路として集積されている。14は容器、
Mはこの容器14に入れられた被測定液で、たとえば、人
間の体液である。
と、比較電極12と、温度検出用ダイオード(温度素子)
13とから構成されており、上記ISFET11とダイオード13
とは半導体集積回路として集積されている。14は容器、
Mはこの容器14に入れられた被測定液で、たとえば、人
間の体液である。
20はISFET11のドレイン・ソース間に介挿された定電圧
装置で、たとえばツエナーダイオードのような素子から
なり、被測定液Mのイオン活量に応じてソース電位Vsが
変化しても、ソース・ドレイン電圧を一定に保持する機
能を有するものである。
装置で、たとえばツエナーダイオードのような素子から
なり、被測定液Mのイオン活量に応じてソース電位Vsが
変化しても、ソース・ドレイン電圧を一定に保持する機
能を有するものである。
30は定電流回路で、ISFET11が事故により短絡した場合
に、ISFET11に所定以上の過電流を供給しない機能を有
し、たとえば、人体のpHを測定する装置に利用する場合
に特に必要である。
に、ISFET11に所定以上の過電流を供給しない機能を有
し、たとえば、人体のpHを測定する装置に利用する場合
に特に必要である。
50も定電流回路であり、上記イオン活量をISFET11のソ
ース電位Vsとして取り出すためのものである。この定電
流回路50の電流値は、前述した線形性が得られる範囲で
あるId≦20〜100μAにあり、ISFET11の上記チヤンネル
特性値βに対して、|Id/β|≦0.10volt2の範囲になる
ように設定されている。
ース電位Vsとして取り出すためのものである。この定電
流回路50の電流値は、前述した線形性が得られる範囲で
あるId≦20〜100μAにあり、ISFET11の上記チヤンネル
特性値βに対して、|Id/β|≦0.10volt2の範囲になる
ように設定されている。
40はpHの零調を行なうイオン活量零調回路であり、イオ
ン活量に対応したソース電位Vsを補正するD/A変換器か
らなる基準イオン活量設定器41と、差動増幅器42とから
構成されている。この零調回路40は、ISFET11の測定温
度T、測定pH値(pH)でのソース電位Vsに対し、基準電
圧VREFと基準イオン活量設定器41とにより得られた基準
温度To、基準pH値(pH)oでのソース電位Vsooを、差動
増幅器42により減算及び増幅する。すなわち、測定温度
Tにおける測定pH値(pH)でのソース電位Vsと、基準温
度Toにおける基準pH値(pH)oでのソース電位Vsooとの
偏差信号Vs−Vsooを作つている。
ン活量に対応したソース電位Vsを補正するD/A変換器か
らなる基準イオン活量設定器41と、差動増幅器42とから
構成されている。この零調回路40は、ISFET11の測定温
度T、測定pH値(pH)でのソース電位Vsに対し、基準電
圧VREFと基準イオン活量設定器41とにより得られた基準
温度To、基準pH値(pH)oでのソース電位Vsooを、差動
増幅器42により減算及び増幅する。すなわち、測定温度
Tにおける測定pH値(pH)でのソース電位Vsと、基準温
度Toにおける基準pH値(pH)oでのソース電位Vsooとの
偏差信号Vs−Vsooを作つている。
60はダイオード13のカソード電位Dとアノード電位(IS
FET11のソース電位に等しい)Vsと入力する温度零調回
路であり、D/A変換器からなる基準温度設定器61と差動
増幅器62とから構成されている。この零調回路60は上記
DtとVsから、ダイオード13の測定温度Tでの順方向零位
D=Dt−Vsに等しい温度信号を生成し、この温度信号D
に対して、基準電圧VREFと基準温度設定器61とにより得
られた基準温度To1における順方向電位Do1を、作動増幅
器62により減算および増幅する。すなわち、測定温度T
での順方向電位Dと基準温度To1における順方向零位Do
との偏差信号D−Do1を作つている。
FET11のソース電位に等しい)Vsと入力する温度零調回
路であり、D/A変換器からなる基準温度設定器61と差動
増幅器62とから構成されている。この零調回路60は上記
DtとVsから、ダイオード13の測定温度Tでの順方向零位
D=Dt−Vsに等しい温度信号を生成し、この温度信号D
に対して、基準電圧VREFと基準温度設定器61とにより得
られた基準温度To1における順方向電位Do1を、作動増幅
器62により減算および増幅する。すなわち、測定温度T
での順方向電位Dと基準温度To1における順方向零位Do
との偏差信号D−Do1を作つている。
70はイオン活量感度調回路であり、D/A変換器からなる
基準感度設定器71と、演算増幅器72とより構成される。
この回路70は、イオン活量零調回路40からのpH偏差信号
(Vs−Vsoo)に対し、基準感度設定器71により、基準温
度Toにおけるイオン活量感度Koに対応した増幅度を設定
し、さらに、演算増幅器72で(Vs−Vsoo)/Koを算出し
て増幅する。すなわち、測定温度Tにおける測定pHと、
基準温度Toにおける基準pHとの差である。見掛けのpH偏
差信号Δ(pH)*を作つている。
基準感度設定器71と、演算増幅器72とより構成される。
この回路70は、イオン活量零調回路40からのpH偏差信号
(Vs−Vsoo)に対し、基準感度設定器71により、基準温
度Toにおけるイオン活量感度Koに対応した増幅度を設定
し、さらに、演算増幅器72で(Vs−Vsoo)/Koを算出し
て増幅する。すなわち、測定温度Tにおける測定pHと、
基準温度Toにおける基準pHとの差である。見掛けのpH偏
差信号Δ(pH)*を作つている。
80は温度演算回路であり、上記温度零調回路60からの温
度偏差信号(D−Do1)に対し、ダイオード13の温度係
数DKを乗じ、さらに増幅して、温度の偏差(T−To1)
を作つている。つまり、ΔT=T−To1=DK(D−Do1)
の演算増幅を行なつている。具体的にはTo1=0℃とす
ることにより、測定温度信号Tを得ている。
度偏差信号(D−Do1)に対し、ダイオード13の温度係
数DKを乗じ、さらに増幅して、温度の偏差(T−To1)
を作つている。つまり、ΔT=T−To1=DK(D−Do1)
の演算増幅を行なつている。具体的にはTo1=0℃とす
ることにより、測定温度信号Tを得ている。
90はアナログ入力装置であり、見掛けのpH偏差信号Δ
(pH)*と温度信号Tとを切り換えるための切換スイツ
チ91、およびアナロク信号をデジタル信号に変換するA/
D変換器92から構成されている。
(pH)*と温度信号Tとを切り換えるための切換スイツ
チ91、およびアナロク信号をデジタル信号に変換するA/
D変換器92から構成されている。
100は、上記見掛けのpH偏差Δ(pH)*と測定温度信号
Tとを受けて、被測定液Mのイオン活量を算出するデジ
タル演算器であり、第2図で示した補償手段102、イオ
ン活量演算手段103、イオン活量および温度の零点制御
手段104,105および感度制御手段106を内蔵しており、た
とえばマイクロプロセツサで構成される。このデジタル
演算器100は、第3図に示すように、入出力インターフ
エース101、演算回路110および出力部120を有してい
る。
Tとを受けて、被測定液Mのイオン活量を算出するデジ
タル演算器であり、第2図で示した補償手段102、イオ
ン活量演算手段103、イオン活量および温度の零点制御
手段104,105および感度制御手段106を内蔵しており、た
とえばマイクロプロセツサで構成される。このデジタル
演算器100は、第3図に示すように、入出力インターフ
エース101、演算回路110および出力部120を有してい
る。
上記入力インターフエース101は、上記A/D変換器92から
のデータの入力、上記各基準測定器41,61,71へのデータ
a,b,cの出力、切換スイツチ91への切換信号dの出力、
レコーダーとデイスプレイへのデータ出力、デジタル演
算回路110へのデータの取り込み・取り出しを行なう機
能を有している。
のデータの入力、上記各基準測定器41,61,71へのデータ
a,b,cの出力、切換スイツチ91への切換信号dの出力、
レコーダーとデイスプレイへのデータ出力、デジタル演
算回路110へのデータの取り込み・取り出しを行なう機
能を有している。
上記演算回路110は、プログラムを内蔵したROM111、デ
ータを記憶するRAM112、および演算処理を行なうCPU113
から構成される。上記CPU113は、後述する構成時にセン
サの固有定数(Ko)を自動的に算出するとともに、測定
時には、上記固有定数を使つてpH及び温度を算出する。
ータを記憶するRAM112、および演算処理を行なうCPU113
から構成される。上記CPU113は、後述する構成時にセン
サの固有定数(Ko)を自動的に算出するとともに、測定
時には、上記固有定数を使つてpH及び温度を算出する。
上記出力部120は、イオン活量に関するデジタル信号を
アナログ信号に変換して出力するイオンD/A変換器121、
温度に関するデジタル信号をアナログ信号に変換する温
度D/A変換器122、および、表示するための陰極線管また
は液晶等の表示器123を備えている。
アナログ信号に変換して出力するイオンD/A変換器121、
温度に関するデジタル信号をアナログ信号に変換する温
度D/A変換器122、および、表示するための陰極線管また
は液晶等の表示器123を備えている。
次に、動作について、ISFET11からのソース電位Vsが上
記構成によりpH信号に処理されていく過程を説明する。
記構成によりpH信号に処理されていく過程を説明する。
ΔT=T−Toを(9)式に代入すると、 (11)式を用い、デジタル演算器100によりpH値を求め
ている。
ている。
第1項は、 であり、感度調回路70の出力より直接求めている。
第2項は、 であり、デジタル演算器100により、デジタル演算して
求めている。これについては後述する。
求めている。これについては後述する。
第4図は、デジタル演算器100内の処理を示すフローチ
ヤートである。図中、P1〜P15はプローチヤートの各ス
テツプを示す。処理の流れとしては、測定開始前に各セ
ンサの固有定数を決定するための校正処理と測定処理と
に大別される。先ず、校正処理について説明する。
ヤートである。図中、P1〜P15はプローチヤートの各ス
テツプを示す。処理の流れとしては、測定開始前に各セ
ンサの固有定数を決定するための校正処理と測定処理と
に大別される。先ず、校正処理について説明する。
校正の方法としては、信号Vs,Dの零調のみを行なう1点
校正と、信号Vs,Dの零調とpH感度Koの校正とを行なう2
点校正とがある。ISFET11の固有特性値としては、温度
係数Aと感度Koがあり、これらは通常、センサの収納ケ
ースに表示されている。しかしながら、温度係数Aは、
その経時変化が小さいので、特に高い測定精度が要求さ
れる場合を除いて、上記表示された値をそのまま用いて
も差し支えないが、感度Koは経時変化が大きいので、測
定前に校正する必要がある。
校正と、信号Vs,Dの零調とpH感度Koの校正とを行なう2
点校正とがある。ISFET11の固有特性値としては、温度
係数Aと感度Koがあり、これらは通常、センサの収納ケ
ースに表示されている。しかしながら、温度係数Aは、
その経時変化が小さいので、特に高い測定精度が要求さ
れる場合を除いて、上記表示された値をそのまま用いて
も差し支えないが、感度Koは経時変化が大きいので、測
定前に校正する必要がある。
まず、予め外部からの入力操作で、校正処理か測定処理
かを選択しておく。P1でスタートして、P2で入力および
出力のイニシヤライズを行なったのち、P3で校正処理
か、測定処理かを確かめ、校正処理であれば、P4でISFE
T11の温度計数A値を一定の数値として与える。つづい
て、P5で基準温度To(例えば37℃)および基準PH値(p
H)o(例えば7.27)を入力する。この値は、後述のP14
での演算に利用される。
かを選択しておく。P1でスタートして、P2で入力および
出力のイニシヤライズを行なったのち、P3で校正処理
か、測定処理かを確かめ、校正処理であれば、P4でISFE
T11の温度計数A値を一定の数値として与える。つづい
て、P5で基準温度To(例えば37℃)および基準PH値(p
H)o(例えば7.27)を入力する。この値は、後述のP14
での演算に利用される。
つぎに、P6で、1点校正か2点校正かを確かめ、2点校
正である場合には、P8へ進んで、仮のKo値を測定する。
仮のKo値の設定は、デジタル演算器100への入力操作に
よつて行なわれる。この入力操作により、入出力インタ
ーフエース101からデータcが出力され、このデータc
によつて、第3の基準設定器71のゲインが、Koに対応し
た大きさに調整される。1点校正である場合には、P7で
Koを一定の数値として入力する。
正である場合には、P8へ進んで、仮のKo値を測定する。
仮のKo値の設定は、デジタル演算器100への入力操作に
よつて行なわれる。この入力操作により、入出力インタ
ーフエース101からデータcが出力され、このデータc
によつて、第3の基準設定器71のゲインが、Koに対応し
た大きさに調整される。1点校正である場合には、P7で
Koを一定の数値として入力する。
P9では、イオン活量信号であるソース電位Vsの零調と、
温度信号であるダイオード順方向電位Dの零調を行な
う。Vsの零調は第2図の零調回路40で自動的に行なわれ
る(オートゼロ調)。つまり、センサ10を基準温度To
(例えば37℃)、基準pH値(PH)o(例えば7.27)の第
1バツフア液に入れると、第2のイオン活量零点制御手
段104が動作し、まず、第3図の入出力インターフエー
ス101からの切換信号dによつて、切換スイツチ91の接
点91aがON、接点91bがOFFに設定されて、イオン活量感
度調回路70の出力(Vs-Vsoo)/KoがA/D変換器92を経て
デジタル演算器100に入力される。一定時間経過後にこ
の出力(Vs-Vsoo)/Koが一定値以内か否か、例えば±0.
01以内か否かを判別し、+0.01を越えていれば、入出力
インターフエース101から出力するデータaを変更し
て、基準イオン活量設定器41のゲインが大きくなるよう
に自動調整し、逆に、−0.01以下であれば、上記データ
aを変更して、基準イオン活量設定器41のゲインが小さ
くなるように自動調整する。その後、上記判別とデータ
aの変更とを繰り返し、イオン活量感度調回路70の出力
(Vs-Vsoo)/Koが±0.01以内になると、PHの零調を終了
する。
温度信号であるダイオード順方向電位Dの零調を行な
う。Vsの零調は第2図の零調回路40で自動的に行なわれ
る(オートゼロ調)。つまり、センサ10を基準温度To
(例えば37℃)、基準pH値(PH)o(例えば7.27)の第
1バツフア液に入れると、第2のイオン活量零点制御手
段104が動作し、まず、第3図の入出力インターフエー
ス101からの切換信号dによつて、切換スイツチ91の接
点91aがON、接点91bがOFFに設定されて、イオン活量感
度調回路70の出力(Vs-Vsoo)/KoがA/D変換器92を経て
デジタル演算器100に入力される。一定時間経過後にこ
の出力(Vs-Vsoo)/Koが一定値以内か否か、例えば±0.
01以内か否かを判別し、+0.01を越えていれば、入出力
インターフエース101から出力するデータaを変更し
て、基準イオン活量設定器41のゲインが大きくなるよう
に自動調整し、逆に、−0.01以下であれば、上記データ
aを変更して、基準イオン活量設定器41のゲインが小さ
くなるように自動調整する。その後、上記判別とデータ
aの変更とを繰り返し、イオン活量感度調回路70の出力
(Vs-Vsoo)/Koが±0.01以内になると、PHの零調を終了
する。
温度の零調についても同様に行なわれる。すなわち、第
1図の温度零点制御手段105が動作し、まず、第3図の
入出力インターフエース101からの切換信号dによつ
て、切換スイツチ91の接点91aがOFF、接点91bがONに設
定され、温度演算回路80からの出力TがA/D変換器92を
経てデジタル演算器100に入力され、一定時間経過後に
この出力Tが一定範囲内に入っているか否かを判別し、
一定範囲内になるように入出力インターフエース101か
らの出力データbを変更する。ただし、温度の零調にお
いては、基準温度設定器61からの基準信号D01は0℃(2
73゜K)に対応しているから、温度零調回路60からの温
度偏差信号はDo-D01となり、この信号が温度演算回路80
を経て温度信号T(=To)となる。この温度信号Tが37
℃のレベルに対して±0.1℃以内となるように、入出力
インターフエース101からのデータbを変更して、基準
温度設定器61のゲインを調整し、37℃±0.1℃以内とな
つた時点で温度の零調を終了する。
1図の温度零点制御手段105が動作し、まず、第3図の
入出力インターフエース101からの切換信号dによつ
て、切換スイツチ91の接点91aがOFF、接点91bがONに設
定され、温度演算回路80からの出力TがA/D変換器92を
経てデジタル演算器100に入力され、一定時間経過後に
この出力Tが一定範囲内に入っているか否かを判別し、
一定範囲内になるように入出力インターフエース101か
らの出力データbを変更する。ただし、温度の零調にお
いては、基準温度設定器61からの基準信号D01は0℃(2
73゜K)に対応しているから、温度零調回路60からの温
度偏差信号はDo-D01となり、この信号が温度演算回路80
を経て温度信号T(=To)となる。この温度信号Tが37
℃のレベルに対して±0.1℃以内となるように、入出力
インターフエース101からのデータbを変更して、基準
温度設定器61のゲインを調整し、37℃±0.1℃以内とな
つた時点で温度の零調を終了する。
つぎに、P10で2点校正か1点校正かを確かめ、1点校
正であればP3に戻って、その後の測定処理に備える。2
点校正であれば、P11へ進み、PH感度Koの調整を行な
う。すなわち、センサ10を上記基準温度To、基準PH値
(pH)s(例えば3.84)の第2バツフア液に入れると、
第2図の感度制御手段106が動作し、第3図のイオン活
量感度調回路70の出力が上記基準PH値(pH)s(フルス
パン)に対応するように、イオン活量感度調回路70の第
3の基準設定器71のゲインを自動調整して(オートスパ
ン調)、感度調整、すなわち1/Koの調節を行なう。
正であればP3に戻って、その後の測定処理に備える。2
点校正であれば、P11へ進み、PH感度Koの調整を行な
う。すなわち、センサ10を上記基準温度To、基準PH値
(pH)s(例えば3.84)の第2バツフア液に入れると、
第2図の感度制御手段106が動作し、第3図のイオン活
量感度調回路70の出力が上記基準PH値(pH)s(フルス
パン)に対応するように、イオン活量感度調回路70の第
3の基準設定器71のゲインを自動調整して(オートスパ
ン調)、感度調整、すなわち1/Koの調節を行なう。
つまり、(11)式から、 (pH)s=Δ(pH)*+(pH)o ・・・(12) であり、一方、イオン活量感度調回路70の出力(Vs-Vso
o)/Koは、(10)式より、 (Vs-Vsoo)/Ko=Δ(pH)* であるから、結局、これに(12)式を代入して、 (Vs-Vsoo)/Ko=Δ(pH)*=(pH)s-(pH)o=3.84
−7.27=−3.43 となる。つまり、一定時間経過後に、イオン活量感度調
回路70の出力(Vs-Vsoo)/Koが−3.43(フルスパン)に
対して、±0.01以内であるか否かが判定される。この範
囲外であれば、入出力インターフエース101から出力す
るデータcを変更して第3の基準設定器71のゲインを自
動調整し、−3.43±0.01の範囲内になつた時点で感度調
整を終了する。
o)/Koは、(10)式より、 (Vs-Vsoo)/Ko=Δ(pH)* であるから、結局、これに(12)式を代入して、 (Vs-Vsoo)/Ko=Δ(pH)*=(pH)s-(pH)o=3.84
−7.27=−3.43 となる。つまり、一定時間経過後に、イオン活量感度調
回路70の出力(Vs-Vsoo)/Koが−3.43(フルスパン)に
対して、±0.01以内であるか否かが判定される。この範
囲外であれば、入出力インターフエース101から出力す
るデータcを変更して第3の基準設定器71のゲインを自
動調整し、−3.43±0.01の範囲内になつた時点で感度調
整を終了する。
つづいて、P12で、設定したゲインに相当する感度Koを
次式から算出しておき、P3に戻って、その後の測定処理
に備える。
次式から算出しておき、P3に戻って、その後の測定処理
に備える。
Ko=−3.43/(Vs-Vsoo) つぎに、測定処理について説明する。
イオン活量信号であるソース電位Vsと、温度信号である
ダイオード順方向電位Dはそれぞれ、第3図の零調回路
40,60において、基準温度To、基準pH値(pH)oでのソ
ース電位Vsooと、0℃でのダイオード順方向電位D01と
により減算され、上記各零調回路40,60のそれぞれか
ら、Vs-Vsoo,D−D01として出力される。つづいて、Vs-V
soo,D−D01はそれぞれ、回路70,80を経て、見掛けのPH
偏差値Δ(pH)*、測定温度Tとして出力される。これ
らの信号Δ(pH)*,Tが、P13でデジタル演算器100に読
み込まれる。
ダイオード順方向電位Dはそれぞれ、第3図の零調回路
40,60において、基準温度To、基準pH値(pH)oでのソ
ース電位Vsooと、0℃でのダイオード順方向電位D01と
により減算され、上記各零調回路40,60のそれぞれか
ら、Vs-Vsoo,D−D01として出力される。つづいて、Vs-V
soo,D−D01はそれぞれ、回路70,80を経て、見掛けのPH
偏差値Δ(pH)*、測定温度Tとして出力される。これ
らの信号Δ(pH)*,Tが、P13でデジタル演算器100に読
み込まれる。
P14では、上記読み込まれた信号Δ(pH)*,Tと、P4で
与えられたAと、P5で与えられたTo,(pH)oと、p12で
算出されたKoとを用い、(11)式より零点とPH感度の温
度補償をして、PH値を算出する。この算出は第2図のデ
ジタル演算器100の補償手段102とイオン活量演算手段10
3とでなされる。つまり、(11)式の[]内の減算が補
償手段102で行なわれ、この減算された[]内の値にTo/
Tを乗算したのち(pH)oを減算する計算が、イオン活
量演算手段103で行なわれる。ここで、上記補償手段102
とイオン活量演算手段103では、単純な減算と乗算がな
されるだけであるから、演算は極めて容易である。
与えられたAと、P5で与えられたTo,(pH)oと、p12で
算出されたKoとを用い、(11)式より零点とPH感度の温
度補償をして、PH値を算出する。この算出は第2図のデ
ジタル演算器100の補償手段102とイオン活量演算手段10
3とでなされる。つまり、(11)式の[]内の減算が補
償手段102で行なわれ、この減算された[]内の値にTo/
Tを乗算したのち(pH)oを減算する計算が、イオン活
量演算手段103で行なわれる。ここで、上記補償手段102
とイオン活量演算手段103では、単純な減算と乗算がな
されるだけであるから、演算は極めて容易である。
算出されたPH値は、第4図のP15で、第3図の表示器123
に表示され、また、必要に応じて他の機器へ、イオンD/
A変換器121からPH値(pH)が、温度D/A変換器122から温
度Tがそれぞれ出力される。
に表示され、また、必要に応じて他の機器へ、イオンD/
A変換器121からPH値(pH)が、温度D/A変換器122から温
度Tがそれぞれ出力される。
上記実施例によればつぎの効果がある。
(1)イオン活量(PH)の測定において、イオン活量に
対する零点および感度の温度補償がなされるから、イオ
ン活量の測定が精度よくなされる。
対する零点および感度の温度補償がなされるから、イオ
ン活量の測定が精度よくなされる。
(2)見掛けのイオン活量偏差値(Vs-Vsoo)/Koと、測
定温度Tとを直接デジタル演算器100に取り込み、補償
手段およびイオン活量演算手段により、単純な減算およ
び乗算を行なうだけでイオン活量を算出できるので、温
度補償計算が簡略化される。したがつて、複雑な温度補
償計算をデジタル的に行なっていた従来のもの(特願昭
59-82698号)と比較して、デジタル演算器の消費電力が
低減される。また、デジタル演算器が小容量で済むの
で、製造コストも低減される。
定温度Tとを直接デジタル演算器100に取り込み、補償
手段およびイオン活量演算手段により、単純な減算およ
び乗算を行なうだけでイオン活量を算出できるので、温
度補償計算が簡略化される。したがつて、複雑な温度補
償計算をデジタル的に行なっていた従来のもの(特願昭
59-82698号)と比較して、デジタル演算器の消費電力が
低減される。また、デジタル演算器が小容量で済むの
で、製造コストも低減される。
(3)零調回路40,60における零調、およびイオン活量
感度調回路70における感度調は全て、デジタル演算器10
0により自動的になされるので、操作が極めて容易であ
る。
感度調回路70における感度調は全て、デジタル演算器10
0により自動的になされるので、操作が極めて容易であ
る。
(4)イオン活量感度調回路70において感度Koを自動調
整する際に、オートスパンがとられるので、スパン調整
の手間が省け、一層操作が容易になる。
整する際に、オートスパンがとられるので、スパン調整
の手間が省け、一層操作が容易になる。
(5)零調回路40,60については、入力信号がそれぞれ
0〜2V,425〜525mVであるのに対し、必要分解能はそれ
ぞれ0.4mV,0.2mVであるから、計算上は、それぞれ0.4/2
000=1/5000,0.2/(425〜525)=1/2125〜1/2625もの高
い精度が必要になる。しかし、実際には、前回オートゼ
ロ調した後のオフセツト量をデジタル演算器100で記憶
しておき、今回のオートゼロ調の際に、前回のオフセツ
ト量との差だけ修正するようにすれば、上記よりはるか
に低い精度、たとえば1/200程度で済み、したがつて、
その基準設定器(D/A変換器)41,61は、8ビツト(精度
1/256に相当)程度の安価なもので済む。
0〜2V,425〜525mVであるのに対し、必要分解能はそれ
ぞれ0.4mV,0.2mVであるから、計算上は、それぞれ0.4/2
000=1/5000,0.2/(425〜525)=1/2125〜1/2625もの高
い精度が必要になる。しかし、実際には、前回オートゼ
ロ調した後のオフセツト量をデジタル演算器100で記憶
しておき、今回のオートゼロ調の際に、前回のオフセツ
ト量との差だけ修正するようにすれば、上記よりはるか
に低い精度、たとえば1/200程度で済み、したがつて、
その基準設定器(D/A変換器)41,61は、8ビツト(精度
1/256に相当)程度の安価なもので済む。
また、イオン活量感度調回路70については、感度の調整
幅が40.0〜60.0mV/pHであるのに対し、必要分解能は0.1
mVであるから、感度調整幅に関する精度は、0.1/(60.0
-40.0)=1/200程度になる。したがつて、その基準感度
設定器71は、やはり8ビツト程度の安価なもので済む。
幅が40.0〜60.0mV/pHであるのに対し、必要分解能は0.1
mVであるから、感度調整幅に関する精度は、0.1/(60.0
-40.0)=1/200程度になる。したがつて、その基準感度
設定器71は、やはり8ビツト程度の安価なもので済む。
さらに、A/D変換器92は、イオン活量感度調回路70でpH
値(無次元数)に変換された信号と、温度演算回路80で
温度T(単位℃)に変換された信号とを読み取るもので
あり、pH値の幅は0〜10、温度Tの幅は0〜50℃である
のに対し、pH値の分解能は0.01、温度Tの分解能は0.1
℃であるから、精度は、高いほうのpHについてさえ、0.
01/10=1/1000で済むので、やはり安価である。
値(無次元数)に変換された信号と、温度演算回路80で
温度T(単位℃)に変換された信号とを読み取るもので
あり、pH値の幅は0〜10、温度Tの幅は0〜50℃である
のに対し、pH値の分解能は0.01、温度Tの分解能は0.1
℃であるから、精度は、高いほうのpHについてさえ、0.
01/10=1/1000で済むので、やはり安価である。
(6)校正処理では、要求精度に応じて、1点校正と2
点校正を選択できるので、実用上有利である。
点校正を選択できるので、実用上有利である。
なお、上記実施例では、温度を検出する温度素子13とし
て、ダイオードを用いているが、これに限らず、トラン
ジスタやアバランシェダイオードなどの素子を用いても
よい。この場合において、ISFET11とともに半導体基板
に集積できるものであれば、製造上およびコストの点か
ら有利である。
て、ダイオードを用いているが、これに限らず、トラン
ジスタやアバランシェダイオードなどの素子を用いても
よい。この場合において、ISFET11とともに半導体基板
に集積できるものであれば、製造上およびコストの点か
ら有利である。
また、この発明は、上記実施例のように、pHの測定だけ
でなく、上記ISFET11におけるゲート絶縁膜を他のイオ
ン選択性膜を有する物質に置換することにより、たとえ
ば、免疫や酵素などのイオン活量を選択的に測定でき
る。
でなく、上記ISFET11におけるゲート絶縁膜を他のイオ
ン選択性膜を有する物質に置換することにより、たとえ
ば、免疫や酵素などのイオン活量を選択的に測定でき
る。
さらに、上記実施例では、比較電極12として、液絡式比
較電極を用いたが、これとは異なり、特開昭56-153247
号公報に記載されているような、FET比較電極を用いて
もよい。FET比較電極を用いる場合には、比較電極側のF
ETのドレイン電流Idrを、|Idr/βr|≦0.10volt2を満足
する領域で動作させることが必要である。ここで、βr
はFET比較電極のチャンネル特性値である。
較電極を用いたが、これとは異なり、特開昭56-153247
号公報に記載されているような、FET比較電極を用いて
もよい。FET比較電極を用いる場合には、比較電極側のF
ETのドレイン電流Idrを、|Idr/βr|≦0.10volt2を満足
する領域で動作させることが必要である。ここで、βr
はFET比較電極のチャンネル特性値である。
[発明の効果] 以上説明したように、この発明によれば、イオン活量の
測定において、イオン活量に対する零点および感度の温
度補償がなされるから、イオン活量の測定が精度よくな
される。
測定において、イオン活量に対する零点および感度の温
度補償がなされるから、イオン活量の測定が精度よくな
される。
また、見掛けのイオン活量偏差値(Vs-Vsoo)/Koと、測
定温度Tとを直接デジタル演算器に取り込み、補償手段
およびイオン活量演算手段により、単純な減算および乗
算を行なうだけで、イオン活量を算出できるので、温度
補償計算が簡略化される。したがつて、デジタル演算器
の消費電力が低減される。また、デジタル演算器が小容
量で済むので、製造コストも低減される。
定温度Tとを直接デジタル演算器に取り込み、補償手段
およびイオン活量演算手段により、単純な減算および乗
算を行なうだけで、イオン活量を算出できるので、温度
補償計算が簡略化される。したがつて、デジタル演算器
の消費電力が低減される。また、デジタル演算器が小容
量で済むので、製造コストも低減される。
第1図はこの発明の構成を示す系統図、第2図はこの発
明の一実施例を示す系統図、第3図は同実施例の回路構
成を示す回路図、第4図は同実施例の動作を示すフロー
チヤートである。 10……センサ、11……ISFET、13……温度素子、40……
イオン活量零調回路、50……定電流回路、60……温度零
調回路、70……イオン活量感度調回路、80……温度演算
回路、100……デジタル演算器、102……補償手段、103
……イオン活量演算手段。
明の一実施例を示す系統図、第3図は同実施例の回路構
成を示す回路図、第4図は同実施例の動作を示すフロー
チヤートである。 10……センサ、11……ISFET、13……温度素子、40……
イオン活量零調回路、50……定電流回路、60……温度零
調回路、70……イオン活量感度調回路、80……温度演算
回路、100……デジタル演算器、102……補償手段、103
……イオン活量演算手段。
Claims (1)
- 【請求項1】被測定液Mのイオン活量を検出するイオン
感応性電界効果トランジスタ11と、上記被測定液Mの温
度を検出する温度素子13とを有するセンサ10と、 上記イオン感応性電界効果トランジスタ11の動作におけ
るチヤンネル特性値をβ、ドレン電流をIdで表わしたと
き、|Id/β|≦0.10volt2なる条件を満たすドレン電流
を上記イオン感応性電界効果トランジスタ11に流す定電
流回路50と、 上記センサ10のイオン感応性電界効果トランジスタ11か
らのイオン活量信号Vsと、予め設定された基準イオン活
量信号Vsooとの差に対応したイオン活量偏差信号Vs-Vso
oを出力するイオン活量零調回路40と、 上記センサ10からの信号に基づいて温度信号Dを生成
し、この温度信号Dと予め設定された基準温度信号D01
との差に対応した温度偏差信号D−D01を出力する温度
零調回路60と、 上記イオン活量零調回路からのイオン活量偏差信号Vs−
Vsooを基準温度Toにおけるイオン活量感度Koで除した見
掛けのイオン活量偏差信号(Vs−Vsoo)/Koを出力する
イオン活量感度調回路70と、 上記温度零調回路60からの温度偏差信号D−D01より被
測定液Mの温度を算出して測定温度信号Tを出力する温
度演算回路80と、 上記見掛けのイオン活量偏差信号(Vs-Vsoo)/Koと測定
温度信号Tとを受けて、イオン活量を算出するデジタル
演算器100とを備え、 上記デジタル演算器100は、 上記ISFET11の温度係数をA、温度偏差をT−Toとした
とき、見掛けのイオン活量偏差信号(Vs−Vsoo)/Koか
ら、A(T−To)/Koを減算することにより、見掛けの
イオン活量偏差信号(Vs−Vsoo)/Koの零点が、被測定
液Mの温度偏差T−Toおよび上記イオン活量感度Koに対
応して変化するのを補償する補償手段102と、 上記零点補償された信号に、基準温度Toと測定温度Tと
の比To/Tを乗算したのち、上記基準イオン活量信号Vsoo
に対応した基準イオン活量を加算して、被測定液のイオ
ン活量を出力するイオン活量演算手段103とを具備して
なるイオンモニタ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62181898A JPH0682115B2 (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | イオンモニタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62181898A JPH0682115B2 (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | イオンモニタ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6425055A JPS6425055A (en) | 1989-01-27 |
JPH0682115B2 true JPH0682115B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=16108812
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62181898A Expired - Lifetime JPH0682115B2 (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | イオンモニタ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0682115B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5882241A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-17 | Sanyo Electric Co Ltd | ポジ型放射線感応材料 |
JPS58179836A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-21 | Sanyo Electric Co Ltd | ポジ型フオトレジスト |
JP5841766B2 (ja) * | 2011-07-25 | 2016-01-13 | 株式会社 堀場アドバンスドテクノ | 水質分析計用表示装置、水質分析計用表示プログラム及び水質分析システム |
CN112611476A (zh) * | 2021-01-04 | 2021-04-06 | 查红梅 | 一种医疗设备用测温电路 |
-
1987
- 1987-07-20 JP JP62181898A patent/JPH0682115B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6425055A (en) | 1989-01-27 |
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