JPH0681124A - 表面被覆材 - Google Patents
表面被覆材Info
- Publication number
- JPH0681124A JPH0681124A JP23497092A JP23497092A JPH0681124A JP H0681124 A JPH0681124 A JP H0681124A JP 23497092 A JP23497092 A JP 23497092A JP 23497092 A JP23497092 A JP 23497092A JP H0681124 A JPH0681124 A JP H0681124A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating material
- surface coating
- sliding surface
- tib2
- si3n4
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 摺動面を有する物品の摺動面の耐摩耗性を向
上させることを目的とする。 【構成】 成分組成が、Si3N4+1重量%X〜50重
量%Xであり、かつ、前記Xが、 酸化物;Al2O3、MgO、ZrO2 窒化物;TiN、VN、TaN、AlN、ZrN、Nb
N、Cr2N 炭化物;TiC、TaC、ZrC、Mo2C、VC、N
bC、WC ホウ化物;TiB2、CrB、LaB6、Mo2B5、Zr
B2、CrB2、HfB、W2B5、NbB2、MoB、V
B2、TaB2、WB、Mo2B から選ばれる1種または2種以上の化合物であることを
特徴とする。
上させることを目的とする。 【構成】 成分組成が、Si3N4+1重量%X〜50重
量%Xであり、かつ、前記Xが、 酸化物;Al2O3、MgO、ZrO2 窒化物;TiN、VN、TaN、AlN、ZrN、Nb
N、Cr2N 炭化物;TiC、TaC、ZrC、Mo2C、VC、N
bC、WC ホウ化物;TiB2、CrB、LaB6、Mo2B5、Zr
B2、CrB2、HfB、W2B5、NbB2、MoB、V
B2、TaB2、WB、Mo2B から選ばれる1種または2種以上の化合物であることを
特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、摺動部材の摺動面を覆
って設けられる表面被覆材に係わり、特に、感熱記録用
のサーマルヘッド、オーディオ用記録ヘッド、磁気ディ
スク、光磁気ディスク、磁気カード、あるいは、磁気記
録テープ等の摺動面に形成される表面被覆材に関するも
のである。
って設けられる表面被覆材に係わり、特に、感熱記録用
のサーマルヘッド、オーディオ用記録ヘッド、磁気ディ
スク、光磁気ディスク、磁気カード、あるいは、磁気記
録テープ等の摺動面に形成される表面被覆材に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来、感熱記録用のサーマルヘッド、オ
ーディオ用記録ヘッド、磁気ディスク、光磁気ディス
ク、磁気カード、あるいは、磁気記録テープ等の摺動面
においては、その摩耗により記録情報あるいは読み取り
情報が不明瞭となることがあるために、その摺動面を耐
摩耗性の被覆材によって被覆することが行われており、
この表面被覆材として、例えば、SiO2が挙げられ
る。
ーディオ用記録ヘッド、磁気ディスク、光磁気ディス
ク、磁気カード、あるいは、磁気記録テープ等の摺動面
においては、その摩耗により記録情報あるいは読み取り
情報が不明瞭となることがあるために、その摺動面を耐
摩耗性の被覆材によって被覆することが行われており、
この表面被覆材として、例えば、SiO2が挙げられ
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、印刷
速度の高速化や、記録媒体への添加物の増加により、前
述した摺動面の摩耗が多くなる傾向にあることから、前
記表面被覆材の耐摩耗性を一層向上させることが要望さ
れている。
速度の高速化や、記録媒体への添加物の増加により、前
述した摺動面の摩耗が多くなる傾向にあることから、前
記表面被覆材の耐摩耗性を一層向上させることが要望さ
れている。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような従
来の要望に対処すべくなされたもので、特に、成分組成
が、Si3N4+1重量%X〜50重量%Xであり、か
つ、前記Xが、以下に示す酸化物、窒化物、炭化物、ホ
ウ化物の内1種または2種以上の化合物であることを特
徴とする。 酸化物;Al2O3、MgO、ZrO2 窒化物;TiN、VN、TaN、AlN、ZrN、Nb
N、Cr2N 炭化物;TiC、TaC、ZrC、Mo2C、VC、N
bC、WC ホウ化物;TiB2、CrB、LaB6、Mo2B5、Zr
B2、CrB2、HfB、W2B5、NbB2、MoB、V
B2、TaB2、WB、Mo2B そして、これらの被覆材は、スパッタリングによって摺
動面へ膜状に被覆されることにより、好適に用いられ
る。
来の要望に対処すべくなされたもので、特に、成分組成
が、Si3N4+1重量%X〜50重量%Xであり、か
つ、前記Xが、以下に示す酸化物、窒化物、炭化物、ホ
ウ化物の内1種または2種以上の化合物であることを特
徴とする。 酸化物;Al2O3、MgO、ZrO2 窒化物;TiN、VN、TaN、AlN、ZrN、Nb
N、Cr2N 炭化物;TiC、TaC、ZrC、Mo2C、VC、N
bC、WC ホウ化物;TiB2、CrB、LaB6、Mo2B5、Zr
B2、CrB2、HfB、W2B5、NbB2、MoB、V
B2、TaB2、WB、Mo2B そして、これらの被覆材は、スパッタリングによって摺
動面へ膜状に被覆されることにより、好適に用いられ
る。
【0005】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。ま
ず、平均粒径1μmのSi3N4粉末と、添加化合物Xと
してのホウ化物である、平均粒径1μmのTiB2粉末
とを、表1に実施例1ないし実施例4に示す成分比とな
るように計量し、これらの各実施例の粉末をボールミル
によって30min〜1hr混合し、これらの混合粉末
をCIP(冷間成形法)によって1000kg/cm2
の圧力で圧粉成型したのちに、窒素雰囲気中において1
600℃で3時間焼成し、ついで、ロータリー研磨機に
より研磨を行って、それぞれ直径4インチで厚さ6mm
のターゲット素材を形成する。
ず、平均粒径1μmのSi3N4粉末と、添加化合物Xと
してのホウ化物である、平均粒径1μmのTiB2粉末
とを、表1に実施例1ないし実施例4に示す成分比とな
るように計量し、これらの各実施例の粉末をボールミル
によって30min〜1hr混合し、これらの混合粉末
をCIP(冷間成形法)によって1000kg/cm2
の圧力で圧粉成型したのちに、窒素雰囲気中において1
600℃で3時間焼成し、ついで、ロータリー研磨機に
より研磨を行って、それぞれ直径4インチで厚さ6mm
のターゲット素材を形成する。
【0006】ここで、前記添加物Xは、前述のTiB2
の1種に代えて、酸化物であるAl2O3、MgO、Zr
O2、また、窒化物であるTiN、VN、TaN、Al
N、ZrN、NbN、Cr2N、炭化物であるTiC、
TaC、ZrC、Mo2C、VC、NbC、WC、さら
に、ホウ化物であるTiB2、CrB、LaB6、Mo2
B5、ZrB2、CrB2、HfB、W2B5、NbB2、M
oB、VB2、TaB2、WB、Mo2Bから選ばれる1
種または2種以上の混合物を用いることができ、全体と
して1重量%〜50重量%の範囲内で添加することによ
り、同一の特性が得られるものである。そこで、本実施
例においては、前述のように、ホウ化物の代表例である
TiB2の1種を添加した場合を例にとって説明する。
の1種に代えて、酸化物であるAl2O3、MgO、Zr
O2、また、窒化物であるTiN、VN、TaN、Al
N、ZrN、NbN、Cr2N、炭化物であるTiC、
TaC、ZrC、Mo2C、VC、NbC、WC、さら
に、ホウ化物であるTiB2、CrB、LaB6、Mo2
B5、ZrB2、CrB2、HfB、W2B5、NbB2、M
oB、VB2、TaB2、WB、Mo2Bから選ばれる1
種または2種以上の混合物を用いることができ、全体と
して1重量%〜50重量%の範囲内で添加することによ
り、同一の特性が得られるものである。そこで、本実施
例においては、前述のように、ホウ化物の代表例である
TiB2の1種を添加した場合を例にとって説明する。
【0007】そして、前述のようにして得られた各ター
ゲット素材を銅製のバッキングプレートにハンダ付けす
ることによりターゲットとする。
ゲット素材を銅製のバッキングプレートにハンダ付けす
ることによりターゲットとする。
【0008】このようにして形成した各成分組成を有す
る実施例1〜実施例4の表面被覆材ターゲットを、スパ
ッタリング装置内に設置して、以下の条件の下に基板
(Siウェハー)に、スパッタリングにより厚さ300
0Åの被膜を形成した。 到達真空度;2×10-5Torr Arガス流量;30ccM 供給電力;300W
る実施例1〜実施例4の表面被覆材ターゲットを、スパ
ッタリング装置内に設置して、以下の条件の下に基板
(Siウェハー)に、スパッタリングにより厚さ300
0Åの被膜を形成した。 到達真空度;2×10-5Torr Arガス流量;30ccM 供給電力;300W
【0009】また、比較のために表1に示すように、前
記TiB2含有量の下限を下回った成分比を有するター
ゲットを比較例1とし、また、前記TiB2含有量の上
限を越えた成分比を有するターゲットを比較例2とし、
さらに、従来のSiO2からなるターゲットを比較例3
として形成した。
記TiB2含有量の下限を下回った成分比を有するター
ゲットを比較例1とし、また、前記TiB2含有量の上
限を越えた成分比を有するターゲットを比較例2とし、
さらに、従来のSiO2からなるターゲットを比較例3
として形成した。
【0010】そして、これらの各比較例1〜比較例3に
ついても、これらのターゲットにより、前記各実施例1
〜実施例4と同様にして基板上に被膜を形成した。
ついても、これらのターゲットにより、前記各実施例1
〜実施例4と同様にして基板上に被膜を形成した。
【0011】
【表1】
【0012】このようにして得られた各実施例ならびに
各比較例について、基板を速度10μm/secにて移
動させつつ被膜の表面にダイヤモンド針を押しつけなが
ら振幅10μmで往復させ、前記ダイヤモンド針に加え
る荷重を徐々に増加させていき、前記被膜に破損した際
の前記荷重を測定したところ、表1に示す結果が得られ
た。
各比較例について、基板を速度10μm/secにて移
動させつつ被膜の表面にダイヤモンド針を押しつけなが
ら振幅10μmで往復させ、前記ダイヤモンド針に加え
る荷重を徐々に増加させていき、前記被膜に破損した際
の前記荷重を測定したところ、表1に示す結果が得られ
た。
【0013】この結果から明らかなように、本発明に係
わる各実施例の被膜は、比較例に比して、5倍から6倍
の耐摩耗性を有する。
わる各実施例の被膜は、比較例に比して、5倍から6倍
の耐摩耗性を有する。
【0014】したがって、Si3N4+1重量%TiB2
〜50重量%TiB2である表面被覆材であると、十分
な耐摩耗性を有する保護膜が得られ、感熱記録用のサー
マルヘッド、オーディオ用記録ヘッド、磁気ディスク、
光磁気ディスク、磁気カード、あるいは、磁気記録テー
プ等の摺動面の有効な保護が可能となる。
〜50重量%TiB2である表面被覆材であると、十分
な耐摩耗性を有する保護膜が得られ、感熱記録用のサー
マルヘッド、オーディオ用記録ヘッド、磁気ディスク、
光磁気ディスク、磁気カード、あるいは、磁気記録テー
プ等の摺動面の有効な保護が可能となる。
【0015】ついで、炭化物の1種であるVCを添加し
た実施例について説明すれば、このVCの含有量が、表
2に実施例5〜実施例8で示す値となるターゲットを形
成し、前記実施例と同様にして基板上にスパッタリング
により厚さ3000Åの被膜を形成した。
た実施例について説明すれば、このVCの含有量が、表
2に実施例5〜実施例8で示す値となるターゲットを形
成し、前記実施例と同様にして基板上にスパッタリング
により厚さ3000Åの被膜を形成した。
【0016】
【表2】
【0017】また、比較のために表2に示すように、前
記VCの含有量が下限を下回った成分比を有するターゲ
ットを比較例4とし、また、前記VCの含有量が上限を
越えた成分比を有するターゲットを比較例5とし、さら
に、従来のSiO2からなるターゲットを比較例6とし
て形成し、これらの各比較例4〜比較例6についても、
これらのターゲットにより基板上に被膜を形成した。
記VCの含有量が下限を下回った成分比を有するターゲ
ットを比較例4とし、また、前記VCの含有量が上限を
越えた成分比を有するターゲットを比較例5とし、さら
に、従来のSiO2からなるターゲットを比較例6とし
て形成し、これらの各比較例4〜比較例6についても、
これらのターゲットにより基板上に被膜を形成した。
【0018】そして、これらの各実施例および各比較例
について前記実施例と同様の破損試験を行いその結果を
表2に示した。
について前記実施例と同様の破損試験を行いその結果を
表2に示した。
【0019】この結果から明らかなように、各実施例5
〜実施例8による被膜は、比較例に比して6倍〜9倍近
い耐摩耗性を有する。
〜実施例8による被膜は、比較例に比して6倍〜9倍近
い耐摩耗性を有する。
【0020】ついで、窒化物の1種であるTiNと酸化
物の1種であるMgOとを添加した実施例について説明
すれば、これらの含有量が、表3に実施例9〜実施例1
2で示す値となるターゲットを形成し、前記実施例と同
様にして基板上にスパッタリングにより厚さ3000Å
の被膜を形成した。
物の1種であるMgOとを添加した実施例について説明
すれば、これらの含有量が、表3に実施例9〜実施例1
2で示す値となるターゲットを形成し、前記実施例と同
様にして基板上にスパッタリングにより厚さ3000Å
の被膜を形成した。
【0021】
【表3】
【0022】また、比較のために表3に示すように、前
記TiNおよびMgOの含有量が下限を下回った成分比
を有するターゲットを比較例7とし、また、前記TiN
およびMgOの含有量が上限を越えた成分比を有するタ
ーゲットを比較例8とし、さらに、従来のSiO2から
なるターゲットを比較例9として形成し、これらの各比
較例7〜比較例9についても、これらのターゲットによ
り基板上に被膜を同様に形成した。
記TiNおよびMgOの含有量が下限を下回った成分比
を有するターゲットを比較例7とし、また、前記TiN
およびMgOの含有量が上限を越えた成分比を有するタ
ーゲットを比較例8とし、さらに、従来のSiO2から
なるターゲットを比較例9として形成し、これらの各比
較例7〜比較例9についても、これらのターゲットによ
り基板上に被膜を同様に形成した。
【0023】そして、これらの各実施例および各比較例
について前記実施例と同様の破損試験を行いその結果を
表3に示した。
について前記実施例と同様の破損試験を行いその結果を
表3に示した。
【0024】この結果から明らかなように、各実施例9
〜実施例12による被膜においても、比較例に比して6
倍〜9倍近い耐摩耗性を有する。
〜実施例12による被膜においても、比較例に比して6
倍〜9倍近い耐摩耗性を有する。
【0025】なお、前記実施例においては、添加物Xと
してホウ化物の1種であるTiB2を1種添加した例、
炭化物の1種であるVCを1種添加した例、さらに、窒
化物の1種であるTiNと酸化物の1種であるMgOと
を添加した例について示したが、酸化物、窒化物、炭化
物、ホウ化物として挙げた前述の各化合物の1種または
2種以上の混合物を用いてもよいものである。
してホウ化物の1種であるTiB2を1種添加した例、
炭化物の1種であるVCを1種添加した例、さらに、窒
化物の1種であるTiNと酸化物の1種であるMgOと
を添加した例について示したが、酸化物、窒化物、炭化
物、ホウ化物として挙げた前述の各化合物の1種または
2種以上の混合物を用いてもよいものである。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わる表
面被覆材は、摺動部材の摺動面を覆って設けられる表面
被覆材であって、成分組成が、Si3N4+1重量%X〜
50重量%Xであり、かつ、前記Xが、 酸化物;Al2O3、MgO、ZrO2 窒化物;TiN、VN、TaN、AlN、ZrN、Nb
N、Cr2N 炭化物;TiC、TaC、ZrC、Mo2C、VC、N
bC、WC ホウ化物;TiB2、CrB、LaB6、Mo2B5、Zr
B2、CrB2、HfB、W2B5、NbB2、MoB、V
B2、TaB2、WB、Mo2B から選ばれる1種または2種以上の化合物であることを
特徴とするもので、つぎのような優れた効果を奏する。
面被覆材は、摺動部材の摺動面を覆って設けられる表面
被覆材であって、成分組成が、Si3N4+1重量%X〜
50重量%Xであり、かつ、前記Xが、 酸化物;Al2O3、MgO、ZrO2 窒化物;TiN、VN、TaN、AlN、ZrN、Nb
N、Cr2N 炭化物;TiC、TaC、ZrC、Mo2C、VC、N
bC、WC ホウ化物;TiB2、CrB、LaB6、Mo2B5、Zr
B2、CrB2、HfB、W2B5、NbB2、MoB、V
B2、TaB2、WB、Mo2B から選ばれる1種または2種以上の化合物であることを
特徴とするもので、つぎのような優れた効果を奏する。
【0027】感熱記録用のサーマルヘッド、オーディオ
用記録ヘッド、磁気ディスク、光磁気ディスク、磁気カ
ード、あるいは、磁気記録テープ等の摺動面に耐摩耗性
に優れた保護膜を形成することができ、これらの劣化や
摩耗をを抑制して、長期に亙る使用や繰り返し使用にお
いても、情報の安定した書き込みや読み取りを可能にす
ることができる。
用記録ヘッド、磁気ディスク、光磁気ディスク、磁気カ
ード、あるいは、磁気記録テープ等の摺動面に耐摩耗性
に優れた保護膜を形成することができ、これらの劣化や
摩耗をを抑制して、長期に亙る使用や繰り返し使用にお
いても、情報の安定した書き込みや読み取りを可能にす
ることができる。
Claims (2)
- 【請求項1】 摺動部材の摺動面を覆って設けられる表
面被覆材であって、成分組成が、Si3N4+1重量%X
〜50重量%Xであり、かつ、前記Xが、以下に示す酸
化物、窒化物、炭化物、ホウ化物の内1種または2種以
上の化合物であることを特徴とする表面被覆材。 酸化物;Al2O3、MgO、ZrO2 窒化物;TiN、VN、TaN、AlN、ZrN、Nb
N、Cr2N 炭化物;TiC、TaC、ZrC、Mo2C、VC、N
bC、WC ホウ化物;TiB2、CrB、LaB6、Mo2B5、Zr
B2、CrB2、HfB、W2B5、NbB2、MoB、V
B2、TaB2、WB、Mo2B - 【請求項2】 前記表面被覆材がスパッタリングによっ
て摺動面に一体に形成されることを特徴とする請求項1
記載の表面被覆材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23497092A JPH0681124A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 表面被覆材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23497092A JPH0681124A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 表面被覆材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0681124A true JPH0681124A (ja) | 1994-03-22 |
Family
ID=16979110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23497092A Pending JPH0681124A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 表面被覆材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0681124A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6404319B1 (en) | 1999-08-25 | 2002-06-11 | Murata Manufacturing, Co., Ltd. | Variable inductance element |
CN101886242A (zh) * | 2010-07-27 | 2010-11-17 | 上海工具厂有限公司 | 硼化钛/氮化硅纳米多层涂层及其制备方法 |
AT16480U1 (de) * | 2018-04-20 | 2019-10-15 | Plansee Composite Mat Gmbh | Target und Verfahren zur Herstellung eines Targets |
-
1992
- 1992-09-02 JP JP23497092A patent/JPH0681124A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6404319B1 (en) | 1999-08-25 | 2002-06-11 | Murata Manufacturing, Co., Ltd. | Variable inductance element |
CN101886242A (zh) * | 2010-07-27 | 2010-11-17 | 上海工具厂有限公司 | 硼化钛/氮化硅纳米多层涂层及其制备方法 |
AT16480U1 (de) * | 2018-04-20 | 2019-10-15 | Plansee Composite Mat Gmbh | Target und Verfahren zur Herstellung eines Targets |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0113660B1 (en) | Nitride based cutting tool | |
US4650774A (en) | Magnetic head slider material | |
JPS6323643B2 (ja) | ||
JPH0622053B2 (ja) | 基板材料 | |
US4859638A (en) | Magnetic head sliders, materials therefor, and the process for the production thereof | |
US4902651A (en) | Material for magnetic head substrate member | |
JPH0681124A (ja) | 表面被覆材 | |
JPH0681125A (ja) | 表面被覆材 | |
JP3039908B2 (ja) | 低浮上性を有する磁気ヘッド用基板材料 | |
US5530467A (en) | Sputtering target, film resistor and thermal printer head | |
US5595947A (en) | Substrate materials for magnetic head | |
JPH0681126A (ja) | 表面被覆材 | |
JP7538663B2 (ja) | スパッタリングターゲット、その製造方法、及び磁気記録媒体の製造方法 | |
JP2568494B2 (ja) | 切削工具用表面被覆β′サイアロン基セラミックスの製造法 | |
JPH05254938A (ja) | セラミックス焼結体 | |
JPH05246763A (ja) | セラミックス焼結体 | |
JP3314089B2 (ja) | 被覆超硬合金 | |
JPH0681123A (ja) | 表面被覆材 | |
JPH07111221A (ja) | 磁性スパッタターゲットとそれを用いて形成した磁性薄膜、および薄膜磁気ヘッド | |
JPS6066361A (ja) | 磁気ヘツド | |
JP2640133B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド用基板 | |
JPH0543311A (ja) | セラミツクス材料及び薄膜磁気ヘツド用セラミツクス基板 | |
JPS6037189B2 (ja) | 被覆超硬合金部材 | |
EP0471080B1 (en) | Sputtering target, film resistor formed with the use thereof, and thermal printer head and associated methods of production | |
JPS6323641B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001205 |