JPH0675132A - 基板型方向性結合器及びその製造方法 - Google Patents
基板型方向性結合器及びその製造方法Info
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- JPH0675132A JPH0675132A JP4228948A JP22894892A JPH0675132A JP H0675132 A JPH0675132 A JP H0675132A JP 4228948 A JP4228948 A JP 4228948A JP 22894892 A JP22894892 A JP 22894892A JP H0675132 A JPH0675132 A JP H0675132A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明の基板型方向性結合器２１は、基板２
２上の光導波路２３，２４の一部を近接させた結合部２
５の光導波路２３ａ，２４ａ間に、拡散用添加物を含有
する光ファイバ２７が挿入され加熱されて拡散用添加物
が該光ファイバ２７の周囲に拡散してなることを特徴と
する。また、その製造方法は、結合部の光導波路間に拡
散用添加物を含有する光ファイバを挿入し、次いで光フ
ァイバを加熱して拡散用添加物を光ファイバの周囲に拡
散させることを特徴とする。 【効果】 高精度で制御された分岐特性を有し、同一の
形状で分岐特性のバラツキが小さい方向性結合器とする
ことができ、しかも再現性がよい。また、結合部の分岐
特性を微調整することができ、拡散用添加物の種類及び
濃度、並びに光ファイバの加熱時間を変えることによ
り、同一のパターンを用いて任意の分岐比の基板型方向
性結合器を製造することができる。
２上の光導波路２３，２４の一部を近接させた結合部２
５の光導波路２３ａ，２４ａ間に、拡散用添加物を含有
する光ファイバ２７が挿入され加熱されて拡散用添加物
が該光ファイバ２７の周囲に拡散してなることを特徴と
する。また、その製造方法は、結合部の光導波路間に拡
散用添加物を含有する光ファイバを挿入し、次いで光フ
ァイバを加熱して拡散用添加物を光ファイバの周囲に拡
散させることを特徴とする。 【効果】 高精度で制御された分岐特性を有し、同一の
形状で分岐特性のバラツキが小さい方向性結合器とする
ことができ、しかも再現性がよい。また、結合部の分岐
特性を微調整することができ、拡散用添加物の種類及び
濃度、並びに光ファイバの加熱時間を変えることによ
り、同一のパターンを用いて任意の分岐比の基板型方向
性結合器を製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信システムや光デ
ータ・情報処理システム等のキーデバイスとして用いら
れる基板型方向性結合器及びその製造方法に関するもの
である。
ータ・情報処理システム等のキーデバイスとして用いら
れる基板型方向性結合器及びその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、光通信システムや光データ・情報
処理システム等に用いられる方向性結合器としては、機
械的に光ファイバやプリズム等の光学部品を組合せてこ
れらを駆動することにより光の伝搬方向を変える機械式
のものと、電気光学効果、音響光学効果、磁気光学効果
等を有する基板に所定の不純物を添加し一部を近接させ
て方向性結合器とした導波路を作成し、前記方向性結合
器部分に電界等を加えて光の伝搬方向を変える非機械式
のものとに分けることができる。前記非機械式のもの
は、基板上に主要部分が一体に形成されているために機
械式のものと比較して信頼性が高く小型化が可能、数Ｖ
程度の低い電圧で駆動可能、切り替え時間が１ｍｓ程度
と高速、等の種々の特徴を有することから、さらに高度
の光デバイスへ向けて研究開発が精力的に進められてい
る。
処理システム等に用いられる方向性結合器としては、機
械的に光ファイバやプリズム等の光学部品を組合せてこ
れらを駆動することにより光の伝搬方向を変える機械式
のものと、電気光学効果、音響光学効果、磁気光学効果
等を有する基板に所定の不純物を添加し一部を近接させ
て方向性結合器とした導波路を作成し、前記方向性結合
器部分に電界等を加えて光の伝搬方向を変える非機械式
のものとに分けることができる。前記非機械式のもの
は、基板上に主要部分が一体に形成されているために機
械式のものと比較して信頼性が高く小型化が可能、数Ｖ
程度の低い電圧で駆動可能、切り替え時間が１ｍｓ程度
と高速、等の種々の特徴を有することから、さらに高度
の光デバイスへ向けて研究開発が精力的に進められてい
る。
【０００３】図９は、上記の基板型方向性結合器の一例
を示すもので、この基板型方向性結合器１は、シリコン
（Ｓｉ）単結晶等の基板２上に、石英（ＳｉＯ2）ガラ
ス等からなる２本の光導波路３，４が形成され、これら
の光導波路３，４の一部が近接されて結合部５とされた
もので、該結合部５に電界を加えることにより該結合部
５の導波路３ａ，４ａの屈折率を変化させて光の分波及
び合波を行うものである。この基板型方向性結合器１で
は、結合部５の長さ、結合部５の導波路３ａ，４ａの間
隔、これらの導波路３ａ，４ａを構成する材料の固有の
屈折率等により分波及び合波の割合が変化する。例え
ば、３ｄＢカプラと称されるものでは、分岐比が１：１
になる様に結合部５が設計される。
を示すもので、この基板型方向性結合器１は、シリコン
（Ｓｉ）単結晶等の基板２上に、石英（ＳｉＯ2）ガラ
ス等からなる２本の光導波路３，４が形成され、これら
の光導波路３，４の一部が近接されて結合部５とされた
もので、該結合部５に電界を加えることにより該結合部
５の導波路３ａ，４ａの屈折率を変化させて光の分波及
び合波を行うものである。この基板型方向性結合器１で
は、結合部５の長さ、結合部５の導波路３ａ，４ａの間
隔、これらの導波路３ａ，４ａを構成する材料の固有の
屈折率等により分波及び合波の割合が変化する。例え
ば、３ｄＢカプラと称されるものでは、分岐比が１：１
になる様に結合部５が設計される。
【０００４】次に、基板型方向性結合器１を製造する方
法について説明する。まず、図１０に示す様に、基板１
１上に、ガラスを主成分とするクラッド層１２、該クラ
ッド層１２より屈折率の高いガラスを主成分とするコア
層１３を順次堆積させる。次いで、図１１に示す様に、
コア層１３上にレジスト１４を塗布し、フォトリソグラ
フィによりマスク１５に描かれた導波路パターン１６を
レジスト１４に転写する。次いで、エッチングによりコ
ア層１３の不要部分を除去し所定の形状のコア１７，１
７とする。次いで、図１２に示す様に、クラッド層１２
及びコア１７，１７の上に該クラッド層１２と同一成分
のガラスを堆積しクラッド層１８とする。このようにし
て基板型方向性結合器１が製造される。この基板型方向
性結合器１は、光通信システムにおいて用いられている
石英系光ファイバとの整合性に優れ、また、低損失、高
信頼性、小型等の様々な特徴を有する。
法について説明する。まず、図１０に示す様に、基板１
１上に、ガラスを主成分とするクラッド層１２、該クラ
ッド層１２より屈折率の高いガラスを主成分とするコア
層１３を順次堆積させる。次いで、図１１に示す様に、
コア層１３上にレジスト１４を塗布し、フォトリソグラ
フィによりマスク１５に描かれた導波路パターン１６を
レジスト１４に転写する。次いで、エッチングによりコ
ア層１３の不要部分を除去し所定の形状のコア１７，１
７とする。次いで、図１２に示す様に、クラッド層１２
及びコア１７，１７の上に該クラッド層１２と同一成分
のガラスを堆積しクラッド層１８とする。このようにし
て基板型方向性結合器１が製造される。この基板型方向
性結合器１は、光通信システムにおいて用いられている
石英系光ファイバとの整合性に優れ、また、低損失、高
信頼性、小型等の様々な特徴を有する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した基
板型方向性結合器１では、結合部５の長さ、結合部５の
導波路３ａ，４ａの間隔、これらの導波路３ａ，４ａを
構成する材料の固有の屈折率等から分岐特性が決定され
るために、同一の形状で分岐特性の異なる基板型方向性
結合器を得ることは不可能であった。
板型方向性結合器１では、結合部５の長さ、結合部５の
導波路３ａ，４ａの間隔、これらの導波路３ａ，４ａを
構成する材料の固有の屈折率等から分岐特性が決定され
るために、同一の形状で分岐特性の異なる基板型方向性
結合器を得ることは不可能であった。
【０００６】また、基板型方向性結合器１の分岐特性は
唯一つだけであり、また、該分岐特性の微調整はできな
い。したがって、特性のバラツキの小さい基板型方向性
結合器１を製造するにはこれらの要因、特に導波路３
ａ，４ａの間隔をサブミクロン以下の高精度で制御する
必要があるが、現状の製造方法では導波路３ａ，４ａの
間隔をサブミクロン以下の高精度で制御することが困難
であるために、これ以上特性のバラツキの小さい基板型
方向性結合器１を得ることは極めて難しい。また、分岐
比の異なる基板型方向性結合器を得るためには、各分岐
比に対応して結合部５の長さ、結合部５の導波路３ａ，
４ａの間隔、これらの導波路３ａ，４ａを構成する材料
の固有の屈折率等を変更する必要があり、同一のパター
ンを用いて様々な分岐比の基板型方向性結合器を製造す
ることは不可能である。
唯一つだけであり、また、該分岐特性の微調整はできな
い。したがって、特性のバラツキの小さい基板型方向性
結合器１を製造するにはこれらの要因、特に導波路３
ａ，４ａの間隔をサブミクロン以下の高精度で制御する
必要があるが、現状の製造方法では導波路３ａ，４ａの
間隔をサブミクロン以下の高精度で制御することが困難
であるために、これ以上特性のバラツキの小さい基板型
方向性結合器１を得ることは極めて難しい。また、分岐
比の異なる基板型方向性結合器を得るためには、各分岐
比に対応して結合部５の長さ、結合部５の導波路３ａ，
４ａの間隔、これらの導波路３ａ，４ａを構成する材料
の固有の屈折率等を変更する必要があり、同一のパター
ンを用いて様々な分岐比の基板型方向性結合器を製造す
ることは不可能である。
【０００７】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、分岐特性の微調整が可能であり、したがっ
て、特性のバラツキを小さくすることができ、しかも再
現性のよい基板型方向性結合器及びその製造方法を提供
することにある。
のであって、分岐特性の微調整が可能であり、したがっ
て、特性のバラツキを小さくすることができ、しかも再
現性のよい基板型方向性結合器及びその製造方法を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様な基板型方向性結合器及びその製造
方法を採用した。すなわち、請求項１記載の基板型方向
性結合器は、基板上に少なくとも２本の光導波路を形成
し、これらの光導波路の一部を近接させて結合部とした
基板型方向性結合器において、該結合部の光導波路間
に、拡散用添加物を含有する棒状の光導波路体が挿入さ
れ、該棒状の光導波路体が加熱されて拡散用添加物が該
棒状の光導波路体の周囲に拡散してなることを特徴とし
ている。
に、本発明は次の様な基板型方向性結合器及びその製造
方法を採用した。すなわち、請求項１記載の基板型方向
性結合器は、基板上に少なくとも２本の光導波路を形成
し、これらの光導波路の一部を近接させて結合部とした
基板型方向性結合器において、該結合部の光導波路間
に、拡散用添加物を含有する棒状の光導波路体が挿入さ
れ、該棒状の光導波路体が加熱されて拡散用添加物が該
棒状の光導波路体の周囲に拡散してなることを特徴とし
ている。
【０００９】また、請求項２記載の基板型方向性結合器
の製造方法は、基板上に少なくとも２本の光導波路を形
成し、これらの光導波路の一部を近接させて結合部とす
る基板型方向性結合器の製造方法において、該結合部の
光導波路間に、拡散用添加物を含有する棒状の光導波路
体を挿入し、次いで該棒状の光導波路体を加熱して拡散
用添加物を該棒状の光導波路体の周囲に拡散させること
を特徴としている。
の製造方法は、基板上に少なくとも２本の光導波路を形
成し、これらの光導波路の一部を近接させて結合部とす
る基板型方向性結合器の製造方法において、該結合部の
光導波路間に、拡散用添加物を含有する棒状の光導波路
体を挿入し、次いで該棒状の光導波路体を加熱して拡散
用添加物を該棒状の光導波路体の周囲に拡散させること
を特徴としている。
【００１０】
【作用】本発明の請求項１記載の基板型方向性結合器で
は、拡散用添加物の種類及び濃度、並びに該棒状の光導
波路体の加熱時間を変えることにより、分岐特性を高精
度で制御し、同一の形状で分岐特性が異なり、しかも分
岐特性のバラツキが小さい基板型方向性結合器が可能に
なる。
は、拡散用添加物の種類及び濃度、並びに該棒状の光導
波路体の加熱時間を変えることにより、分岐特性を高精
度で制御し、同一の形状で分岐特性が異なり、しかも分
岐特性のバラツキが小さい基板型方向性結合器が可能に
なる。
【００１１】また、請求項２記載の基板型方向性結合器
の製造方法では、該結合部の光導波路間に挿入した棒状
の光導波路体を加熱して拡散用添加物を該棒状の光導波
路体の周囲に拡散させることにより分岐特性の微調整が
可能になり、したがって、特性のバラツキの小さい基板
型方向性結合器を製造することが可能になる。また、拡
散用添加物の種類及び濃度、並びに該棒状の光導波路体
の加熱時間を変えることにより、同一のパターンを用い
て任意の分岐比の基板型方向性結合器を製造することが
可能になる。
の製造方法では、該結合部の光導波路間に挿入した棒状
の光導波路体を加熱して拡散用添加物を該棒状の光導波
路体の周囲に拡散させることにより分岐特性の微調整が
可能になり、したがって、特性のバラツキの小さい基板
型方向性結合器を製造することが可能になる。また、拡
散用添加物の種類及び濃度、並びに該棒状の光導波路体
の加熱時間を変えることにより、同一のパターンを用い
て任意の分岐比の基板型方向性結合器を製造することが
可能になる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例である基板型方向性
結合器について図を基に説明する。図１は基板型方向性
結合器２１を示す斜視図である。この基板型方向性結合
器２１は、シリコン（Ｓｉ）単結晶または石英（ＳｉＯ
2）ガラスからなる基板２２上に、石英（ＳｉＯ2）ガラ
スからなる２本の光導波路２３，２４が形成され、これ
らの光導波路２３，２４の一部が近接されて結合部２５
とされ、これらの上にクラッド層２６が堆積され、そし
て、前記結合部２５の光導波路２３ａ，２４ａ間には、
ゲルマニウム（Ｇｅ：拡散用添加物）を含有する石英
（ＳｉＯ2）の光ファイバ（棒状の光導波路体）２７が
挿入され、該光ファイバ２７はレーザビーム照射により
局所加熱されて該光ファイバ２７に含まれるＧｅが該光
ファイバ２７の周囲に拡散されている。
結合器について図を基に説明する。図１は基板型方向性
結合器２１を示す斜視図である。この基板型方向性結合
器２１は、シリコン（Ｓｉ）単結晶または石英（ＳｉＯ
2）ガラスからなる基板２２上に、石英（ＳｉＯ2）ガラ
スからなる２本の光導波路２３，２４が形成され、これ
らの光導波路２３，２４の一部が近接されて結合部２５
とされ、これらの上にクラッド層２６が堆積され、そし
て、前記結合部２５の光導波路２３ａ，２４ａ間には、
ゲルマニウム（Ｇｅ：拡散用添加物）を含有する石英
（ＳｉＯ2）の光ファイバ（棒状の光導波路体）２７が
挿入され、該光ファイバ２７はレーザビーム照射により
局所加熱されて該光ファイバ２７に含まれるＧｅが該光
ファイバ２７の周囲に拡散されている。
【００１３】光ファイバ２７は、図２に示すように、Ｇ
ｅをドープした石英をコア２８とし、純粋石英をクラッ
ド２９としたものである。該光ファイバ２７としては上
記以外に、リン（Ｐ：拡散用添加物））をドープした石
英をコアとし、純粋石英をクラッドとしたもの、また
は、純粋石英をコアとし、フッ素（Ｆ：拡散用添加物）
をドープした石英をクラッドとしたもの、あるいは、純
粋石英をコアとし、ホウ素（Ｂ：拡散用添加物）をドー
プした石英をクラッドとしたもの等が好適に用いられ
る。なお、高屈折率用ドーパントとしてはチタン（Ｔ
ｉ）等もあるが、比較的拡散の大きい熱拡散に適した材
料としては上述したドーパントを適宜選択することが望
ましい。また、該光ファイバ２７は前記光導波路２３
ａ，２４ａ間に挿入できる大きさの棒状の光導波路体で
あればよく、例えば、断面矩形状等様々な形状の光導波
路を用いることが可能である。
ｅをドープした石英をコア２８とし、純粋石英をクラッ
ド２９としたものである。該光ファイバ２７としては上
記以外に、リン（Ｐ：拡散用添加物））をドープした石
英をコアとし、純粋石英をクラッドとしたもの、また
は、純粋石英をコアとし、フッ素（Ｆ：拡散用添加物）
をドープした石英をクラッドとしたもの、あるいは、純
粋石英をコアとし、ホウ素（Ｂ：拡散用添加物）をドー
プした石英をクラッドとしたもの等が好適に用いられ
る。なお、高屈折率用ドーパントとしてはチタン（Ｔ
ｉ）等もあるが、比較的拡散の大きい熱拡散に適した材
料としては上述したドーパントを適宜選択することが望
ましい。また、該光ファイバ２７は前記光導波路２３
ａ，２４ａ間に挿入できる大きさの棒状の光導波路体で
あればよく、例えば、断面矩形状等様々な形状の光導波
路を用いることが可能である。
【００１４】ここで、Ｇｅ，Ｐ等の高屈折率用ドーパン
トを用いると光導波路２３ａ，２４ａ間の結合効率（分
岐比）を上昇させることができ、Ｆ，Ｂ等の低屈折率用
ドーパントを用いると光導波路２３ａ，２４ａ間の結合
効率を低下させることができる。したがって、ドーパン
トの種類及び濃度、並びにレーザビーム照射時間を変え
ることにより該基板型方向性結合器２１の結合効率を様
々に変えることができる。
トを用いると光導波路２３ａ，２４ａ間の結合効率（分
岐比）を上昇させることができ、Ｆ，Ｂ等の低屈折率用
ドーパントを用いると光導波路２３ａ，２４ａ間の結合
効率を低下させることができる。したがって、ドーパン
トの種類及び濃度、並びにレーザビーム照射時間を変え
ることにより該基板型方向性結合器２１の結合効率を様
々に変えることができる。
【００１５】次に、基板型方向性結合器２１の製造方法
について説明する。まず、基板２２の上に、ＦＨＤ法ま
たはＬＰ（減圧：Low Pressure）ＣＶＤ法等により石英
（ＳｉＯ2）からなる光導波路層３１を堆積し、次いで
スパッタデポジション等によりアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）層３２を堆積し、レジスト３３を塗布する
（図３）。
について説明する。まず、基板２２の上に、ＦＨＤ法ま
たはＬＰ（減圧：Low Pressure）ＣＶＤ法等により石英
（ＳｉＯ2）からなる光導波路層３１を堆積し、次いで
スパッタデポジション等によりアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）層３２を堆積し、レジスト３３を塗布する
（図３）。
【００１６】次いで、レジスト３３上に所定のパターン
が形成されたマスク３４を載置し、フォトリソグラフィ
によりマスク３４に描かれた導波路パターンをレジスト
３３に転写し、ａ−Ｓｉ層３２をパターン化する（図
４）。
が形成されたマスク３４を載置し、フォトリソグラフィ
によりマスク３４に描かれた導波路パターンをレジスト
３３に転写し、ａ−Ｓｉ層３２をパターン化する（図
４）。
【００１７】次いで、エッチングにより光導波路層３１
の不要部分３１ａを除去し所定の形状の光導波路２４，
２５とし、ａ−Ｓｉ層３２を除去する（図５）。次いで
光導波路２４ａ，２５ａ間に光ファイバ３５を挿入し
（図６）、これらの上にクラッド層２６を堆積させる
（図７）。
の不要部分３１ａを除去し所定の形状の光導波路２４，
２５とし、ａ−Ｓｉ層３２を除去する（図５）。次いで
光導波路２４ａ，２５ａ間に光ファイバ３５を挿入し
（図６）、これらの上にクラッド層２６を堆積させる
（図７）。
【００１８】次いで、レーザビーム照射３６により光フ
ァイバ３５を局所加熱し、該光ファイバ３５に含まれる
Ｇｅを該光ファイバ３５の周囲に拡散３７させ、基板型
方向性結合器２１とする（図８）。ここでは、Ｇｅの濃
度、並びにレーザビーム照射３６の時間を変えることに
より該基板型方向性結合器２１の結合効率を様々に変え
ることができる。
ァイバ３５を局所加熱し、該光ファイバ３５に含まれる
Ｇｅを該光ファイバ３５の周囲に拡散３７させ、基板型
方向性結合器２１とする（図８）。ここでは、Ｇｅの濃
度、並びにレーザビーム照射３６の時間を変えることに
より該基板型方向性結合器２１の結合効率を様々に変え
ることができる。
【００１９】以上説明した様に、上記の基板型方向性結
合器２１によれば、結合部２５の光導波路２３ａ，２４
ａ間にＧｅを含有する光ファイバ２７が挿入され、該光
ファイバ２７はレーザビーム照射により局所加熱されて
該光ファイバ２７に含まれるＧｅが該光ファイバ２７の
周囲に拡散されてなることとしたので、高精度で制御さ
れた分岐特性を有し、しかも同一の形状で分岐特性のバ
ラツキが小さい方向性結合器とすることができ、しかも
再現性がよい。
合器２１によれば、結合部２５の光導波路２３ａ，２４
ａ間にＧｅを含有する光ファイバ２７が挿入され、該光
ファイバ２７はレーザビーム照射により局所加熱されて
該光ファイバ２７に含まれるＧｅが該光ファイバ２７の
周囲に拡散されてなることとしたので、高精度で制御さ
れた分岐特性を有し、しかも同一の形状で分岐特性のバ
ラツキが小さい方向性結合器とすることができ、しかも
再現性がよい。
【００２０】また、基板型方向性結合器２１の製造方法
によれば、光導波路２４ａ，２５ａ間に光ファイバ３５
を挿入してこれらの上にクラッド層２６を堆積させ、次
いで、レーザビーム照射３６により光ファイバ３５を局
所加熱し、該光ファイバ３５に含まれるＧｅを該光ファ
イバ３５の周囲に拡散３７させることとしたので、結合
部２５の分岐特性を微調整することができ、したがっ
て、特性のバラツキの小さい基板型方向性結合器を製造
することができる。また、Ｇｅの濃度、並びにレーザビ
ーム照射３６の時間を変えることにより、同一のパター
ンを用いて任意の分岐比の基板型方向性結合器を製造す
ることができる。
によれば、光導波路２４ａ，２５ａ間に光ファイバ３５
を挿入してこれらの上にクラッド層２６を堆積させ、次
いで、レーザビーム照射３６により光ファイバ３５を局
所加熱し、該光ファイバ３５に含まれるＧｅを該光ファ
イバ３５の周囲に拡散３７させることとしたので、結合
部２５の分岐特性を微調整することができ、したがっ
て、特性のバラツキの小さい基板型方向性結合器を製造
することができる。また、Ｇｅの濃度、並びにレーザビ
ーム照射３６の時間を変えることにより、同一のパター
ンを用いて任意の分岐比の基板型方向性結合器を製造す
ることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の請求項１記
載の基板型方向性結合器によれば、基板上に少なくとも
２本の光導波路を形成し、これらの光導波路の一部を近
接させて結合部とした基板型方向性結合器において、該
結合部の光導波路間に、拡散用添加物を含有する棒状の
光導波路体が挿入され、該棒状の光導波路体が加熱され
て拡散用添加物が該棒状の光導波路体の周囲に拡散して
なることとしたので、高精度で制御された分岐特性を有
し、しかも同一の形状で分岐特性のバラツキが小さい方
向性結合器とすることができ、しかも再現性がよい。
載の基板型方向性結合器によれば、基板上に少なくとも
２本の光導波路を形成し、これらの光導波路の一部を近
接させて結合部とした基板型方向性結合器において、該
結合部の光導波路間に、拡散用添加物を含有する棒状の
光導波路体が挿入され、該棒状の光導波路体が加熱され
て拡散用添加物が該棒状の光導波路体の周囲に拡散して
なることとしたので、高精度で制御された分岐特性を有
し、しかも同一の形状で分岐特性のバラツキが小さい方
向性結合器とすることができ、しかも再現性がよい。
【００２２】また、請求項２記載の基板型方向性結合器
の製造方法によれば、基板上に少なくとも２本の光導波
路を形成し、これらの光導波路の一部を近接させて結合
部とする基板型方向性結合器の製造方法において、該結
合部の光導波路間に、拡散用添加物を含有する棒状の光
導波路体を挿入し、次いで該棒状の光導波路体を加熱し
て拡散用添加物を該棒状の光導波路体の周囲に拡散させ
ることとしたので、結合部の分岐特性を微調整すること
ができ、したがって、特性のバラツキの小さい基板型方
向性結合器を製造することができる。また、拡散用添加
物の種類及び濃度、並びに棒状の光導波路体の加熱時間
を変えることにより、同一のパターンを用いて任意の分
岐比の基板型方向性結合器を製造することができる。
の製造方法によれば、基板上に少なくとも２本の光導波
路を形成し、これらの光導波路の一部を近接させて結合
部とする基板型方向性結合器の製造方法において、該結
合部の光導波路間に、拡散用添加物を含有する棒状の光
導波路体を挿入し、次いで該棒状の光導波路体を加熱し
て拡散用添加物を該棒状の光導波路体の周囲に拡散させ
ることとしたので、結合部の分岐特性を微調整すること
ができ、したがって、特性のバラツキの小さい基板型方
向性結合器を製造することができる。また、拡散用添加
物の種類及び濃度、並びに棒状の光導波路体の加熱時間
を変えることにより、同一のパターンを用いて任意の分
岐比の基板型方向性結合器を製造することができる。
【００２３】以上により、分岐特性を高精度で制御する
ことができ、したがって、該分岐特性のバラツキを小さ
くすることができ、しかも再現性のよい基板型方向性結
合器及びその製造方法を提供することができる。
ことができ、したがって、該分岐特性のバラツキを小さ
くすることができ、しかも再現性のよい基板型方向性結
合器及びその製造方法を提供することができる。
【図１】 本発明の基板型方向性結合器の斜視図であ
る。
る。
【図２】 本発明の基板型方向性結合器に用いられる光
ファイバの断面図である。
ファイバの断面図である。
【図３】 本発明の基板型方向性結合器の製造方法を示
す過程図である。
す過程図である。
【図４】 本発明の基板型方向性結合器の製造方法を示
す過程図である。
す過程図である。
【図５】 本発明の基板型方向性結合器の製造方法を示
す過程図である。
す過程図である。
【図６】 本発明の基板型方向性結合器の製造方法を示
す過程図である。
す過程図である。
【図７】 本発明の基板型方向性結合器の製造方法を示
す過程図である。
す過程図である。
【図８】 本発明の基板型方向性結合器の製造方法を示
す過程図である。
す過程図である。
【図９】 従来の基板型方向性結合器の斜視図である。
【図１０】 従来の基板型方向性結合器の製造方法を示
す過程図である。
す過程図である。
【図１１】 従来の基板型方向性結合器の製造方法を示
す過程図である。
す過程図である。
【図１２】 従来の基板型方向性結合器の製造方法を示
す過程図である。
す過程図である。
２１…基板型方向性結合器、２２…基板、２３，２４…
光導波路、２５…結合部、２６…クラッド層、２７…光
ファイバ（棒状の光導波路体）、２８…コア、２９…ク
ラッド、３１…光導波路層、３２…ａ−Ｓｉ層、３３…
レジスト、３４…マスク、３５…光ファイバ（棒状の光
導波路体）、３６…レーザビーム照射、３７…拡散。
光導波路、２５…結合部、２６…クラッド層、２７…光
ファイバ（棒状の光導波路体）、２８…コア、２９…ク
ラッド、３１…光導波路層、３２…ａ−Ｓｉ層、３３…
レジスト、３４…マスク、３５…光ファイバ（棒状の光
導波路体）、３６…レーザビーム照射、３７…拡散。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和田 朗 千葉県佐倉市六崎1440番地 藤倉電線株式 会社佐倉工場内 (72)発明者 山内 良三 千葉県佐倉市六崎1440番地 藤倉電線株式 会社佐倉工場内
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも２本の光導波路を形
成し、これらの光導波路の一部を近接させて結合部とし
た基板型方向性結合器において、 該結合部の光導波路間に、拡散用添加物を含有する棒状
の光導波路体が挿入され、該棒状の光導波路体が加熱さ
れて拡散用添加物が該棒状の光導波路体の周囲に拡散し
てなることを特徴とする基板型方向性結合器。 - 【請求項２】 基板上に少なくとも２本の光導波路を形
成し、これらの光導波路の一部を近接させて結合部とす
る基板型方向性結合器の製造方法において、 該結合部の光導波路間に、拡散用添加物を含有する棒状
の光導波路体を挿入し、次いで該棒状の光導波路体を加
熱して拡散用添加物を該棒状の光導波路体の周囲に拡散
させることを特徴とする基板型方向性結合器の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4228948A JPH0675132A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 基板型方向性結合器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4228948A JPH0675132A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 基板型方向性結合器及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0675132A true JPH0675132A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16884369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4228948A Pending JPH0675132A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 基板型方向性結合器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675132A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112731595A (zh) * | 2020-10-15 | 2021-04-30 | 南京恒高光电研究院有限公司 | 一种可调节分光比的2x2光纤耦合器 |
-
1992
- 1992-08-27 JP JP4228948A patent/JPH0675132A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112731595A (zh) * | 2020-10-15 | 2021-04-30 | 南京恒高光电研究院有限公司 | 一种可调节分光比的2x2光纤耦合器 |
| CN112731595B (zh) * | 2020-10-15 | 2022-07-26 | 南京恒高光电研究院有限公司 | 一种可调节分光比的2x2光纤耦合器 |
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