JPH0674395A - 複合低放射膜付き極低温容器 - Google Patents
複合低放射膜付き極低温容器Info
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- JPH0674395A JPH0674395A JP4254233A JP25423392A JPH0674395A JP H0674395 A JPH0674395 A JP H0674395A JP 4254233 A JP4254233 A JP 4254233A JP 25423392 A JP25423392 A JP 25423392A JP H0674395 A JPH0674395 A JP H0674395A
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- JP
- Japan
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- thin film
- film
- container
- composite low
- cryogenic
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/32—Hydrogen storage
Landscapes
- Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、液化ヘリウム等の寒材を収容する
ための極低温容器に関し、特に放射熱の断熱を有効に行
なえるようにした複合低放射膜付き極低温容器を提供し
ようとするものである。 【構成】 極低温容器の外面に設けられる複合低放射膜
が、容器壁部３の外面に固着された第１の薄膜１と、同
第１の薄膜１に重合された第２の薄膜２とからなり、上
記第１の薄膜１が容器内部３ａの寒材の温度で超伝導状
態となる超伝導材で形成されるとともに、上記第２の薄
膜２が高い電気伝導度をもつ金属材で形成されたことを
特徴としている。
ための極低温容器に関し、特に放射熱の断熱を有効に行
なえるようにした複合低放射膜付き極低温容器を提供し
ようとするものである。 【構成】 極低温容器の外面に設けられる複合低放射膜
が、容器壁部３の外面に固着された第１の薄膜１と、同
第１の薄膜１に重合された第２の薄膜２とからなり、上
記第１の薄膜１が容器内部３ａの寒材の温度で超伝導状
態となる超伝導材で形成されるとともに、上記第２の薄
膜２が高い電気伝導度をもつ金属材で形成されたことを
特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、寒材（Ｈe，Ｈ2，Ａ
r，Ｎ2などの液体）の保存容器などに用いられる放射熱
断熱型の複合低放射膜付き極低温容器に関する。また、
本発明は、クライオポンプや超伝導マグネットなどの断
熱ケーシングにも適用できる。
r，Ｎ2などの液体）の保存容器などに用いられる放射熱
断熱型の複合低放射膜付き極低温容器に関する。また、
本発明は、クライオポンプや超伝導マグネットなどの断
熱ケーシングにも適用できる。
【０００２】
【従来の技術】従来の極低温容器では、放射熱の反射
（断熱）用として、電気伝導度の高いＡg，Ａlなどの薄
膜が断熱容器の表面にコーテイングされており、これに
より大部分の放射熱（赤外線）を反射させて、上記容器
内への熱侵入の防止が行なわれている。
（断熱）用として、電気伝導度の高いＡg，Ａlなどの薄
膜が断熱容器の表面にコーテイングされており、これに
より大部分の放射熱（赤外線）を反射させて、上記容器
内への熱侵入の防止が行なわれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ような従来の極低温容器では、その放射断熱薄膜として
用いられているＡg，Ａlは、高い電気伝導度を有すると
はいえ、ある電気抵抗があるため、この電気抵抗による
放射熱の吸収を抑えることができないという問題点があ
る。本発明は、このような問題点を解決しようとするも
ので、断熱容器の外面に、同容器内の寒材の温度で超伝
導状態となる超伝導薄膜を形成するとともに、同超伝導
薄膜の上に高い電気伝導度の金属薄膜を形成することに
より、電気抵抗に起因する放射熱吸収を低減して、有効
に放射熱の断熱が行なわれるようにした複合低放射膜付
き極低温容器を提供することを目的とする。
ような従来の極低温容器では、その放射断熱薄膜として
用いられているＡg，Ａlは、高い電気伝導度を有すると
はいえ、ある電気抵抗があるため、この電気抵抗による
放射熱の吸収を抑えることができないという問題点があ
る。本発明は、このような問題点を解決しようとするも
ので、断熱容器の外面に、同容器内の寒材の温度で超伝
導状態となる超伝導薄膜を形成するとともに、同超伝導
薄膜の上に高い電気伝導度の金属薄膜を形成することに
より、電気抵抗に起因する放射熱吸収を低減して、有効
に放射熱の断熱が行なわれるようにした複合低放射膜付
き極低温容器を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明の複合低放射膜付き極低温容器は、極低温容
器において同容器の外面に複合低放射膜をそなえ、同複
合低放射膜が、上記容器の外面に固着された第１の薄膜
と、同第１の薄膜に重合された第２の薄膜とからなり、
上記第１の薄膜が上記容器内の寒材の温度で超伝導状態
となる超伝導材で形成されるとともに、上記第２の薄膜
が高い電気伝導度をもつ金属材で形成されたことを特徴
としている。また、上記容器内の寒材が液化ヘリウムか
らなり、上記第１の薄膜が４.２Ｋで超伝導状態となる
超伝導材（例えばＮb）で形成され、上記第２の薄膜
が、例えば高純度のＡlで形成されて、100〜1000オング
ストロームの厚さを有していることを特徴としている。
め、本発明の複合低放射膜付き極低温容器は、極低温容
器において同容器の外面に複合低放射膜をそなえ、同複
合低放射膜が、上記容器の外面に固着された第１の薄膜
と、同第１の薄膜に重合された第２の薄膜とからなり、
上記第１の薄膜が上記容器内の寒材の温度で超伝導状態
となる超伝導材で形成されるとともに、上記第２の薄膜
が高い電気伝導度をもつ金属材で形成されたことを特徴
としている。また、上記容器内の寒材が液化ヘリウムか
らなり、上記第１の薄膜が４.２Ｋで超伝導状態となる
超伝導材（例えばＮb）で形成され、上記第２の薄膜
が、例えば高純度のＡlで形成されて、100〜1000オング
ストロームの厚さを有していることを特徴としている。
【０００５】さらに、上記容器内の寒材が液化窒素から
なり、上記第１の薄膜が77Ｋで超伝導状態となる超伝導
材（例えばＹＢaＣuＯ高温超伝導材）で形成され、上記
第２の薄膜が、例えば高純度のＡlで形成されて、100〜
1000オングストロームの厚さを有していることを特徴と
している。あるいは、上記第１の薄膜と上記第２の薄膜
との間に境界層をそなえ、同境界層が、その組成を上記
第１の薄膜の材質から上記の第２の薄膜の材質に徐々に
変化させるようにした傾斜組織として構成されているこ
とを特徴としている。あるいは、上記第２の薄膜の一部
が上記第１の薄膜を貫き直接上記容器の外面と接触して
いることを特徴としている。
なり、上記第１の薄膜が77Ｋで超伝導状態となる超伝導
材（例えばＹＢaＣuＯ高温超伝導材）で形成され、上記
第２の薄膜が、例えば高純度のＡlで形成されて、100〜
1000オングストロームの厚さを有していることを特徴と
している。あるいは、上記第１の薄膜と上記第２の薄膜
との間に境界層をそなえ、同境界層が、その組成を上記
第１の薄膜の材質から上記の第２の薄膜の材質に徐々に
変化させるようにした傾斜組織として構成されているこ
とを特徴としている。あるいは、上記第２の薄膜の一部
が上記第１の薄膜を貫き直接上記容器の外面と接触して
いることを特徴としている。
【０００６】
【作用】前述の本発明の複合低放射膜付き極低温容器で
は、容器外面に形成された複合低放射膜の第１の薄膜で
ある超伝導薄膜においては、放射熱線としての電磁波に
対して上記薄膜の超伝導状態が維持されうる最大の周波
数以下の周波数の電磁波を非常に小さい熱吸収率で反射
させる作用が行なわれる。また、上記複合低放射膜の第
２の薄膜である高い電気伝導度をもつ金属薄膜では、上
記最大の周波数以上の周波数の電磁波がほぼ完全に反射
され、上記第１の薄膜に上記最大の周波数以上の電磁波
が混入しないようにする作用が行なわれる。
は、容器外面に形成された複合低放射膜の第１の薄膜で
ある超伝導薄膜においては、放射熱線としての電磁波に
対して上記薄膜の超伝導状態が維持されうる最大の周波
数以下の周波数の電磁波を非常に小さい熱吸収率で反射
させる作用が行なわれる。また、上記複合低放射膜の第
２の薄膜である高い電気伝導度をもつ金属薄膜では、上
記最大の周波数以上の周波数の電磁波がほぼ完全に反射
され、上記第１の薄膜に上記最大の周波数以上の電磁波
が混入しないようにする作用が行なわれる。
【０００７】
【実施例】以下、図面により本発明の実施例について説
明すると、図１は本発明の第１実施例としての複合低放
射膜付き極低温容器を示す要部構造図、図２はその作用
の説明図、図３はその作用状態を示す模式図、図４は本
発明の第２実施例としての複合低放射膜付き極低温容器
の要部構造図、図５は本発明の第３実施例としての複合
低放射膜付き極低温容器の要部構造図である。
明すると、図１は本発明の第１実施例としての複合低放
射膜付き極低温容器を示す要部構造図、図２はその作用
の説明図、図３はその作用状態を示す模式図、図４は本
発明の第２実施例としての複合低放射膜付き極低温容器
の要部構造図、図５は本発明の第３実施例としての複合
低放射膜付き極低温容器の要部構造図である。
【０００８】図１に示すように、本発明の第１実施例で
は、壁部３で囲まれた極低温容器において、同壁部３の
外面に第１の薄膜１と第２の薄膜２とからなる複合低放
射膜が設けられている。そして、第１の薄膜１は、容器
内部３ａの寒材の温度で超伝導状態となる超伝導材によ
って形成されており、容器壁部３の外面に固着されてい
る。また、第２の薄膜２は高い電気伝導度をもつＡg,Ａ
lなどの金属材で形成されており、第１の薄膜１に重合
されている。
は、壁部３で囲まれた極低温容器において、同壁部３の
外面に第１の薄膜１と第２の薄膜２とからなる複合低放
射膜が設けられている。そして、第１の薄膜１は、容器
内部３ａの寒材の温度で超伝導状態となる超伝導材によ
って形成されており、容器壁部３の外面に固着されてい
る。また、第２の薄膜２は高い電気伝導度をもつＡg,Ａ
lなどの金属材で形成されており、第１の薄膜１に重合
されている。
【０００９】そして、容器内部３ａの寒材が液化ヘリウ
ムからなる場合には、第１の薄膜１は4.2Ｋで超伝導状
態となる超伝導材（例えばＮb）で形成され、第２の薄
膜２は例えば高純度Ａlで形成されて100〜1000オングス
トロームの厚さを有している。あるいは、容器内部３ａ
の寒材が液化窒素からなる場合には、第１の薄膜１は77
Ｋで超伝導状態となる超伝導材（例えばＹＢＣＯなどの
高温超伝導材を含む）で形成され、第２の薄膜２は、例
えば高純度Ａlで形成されて100〜1000オングストローム
の厚さを有している。
ムからなる場合には、第１の薄膜１は4.2Ｋで超伝導状
態となる超伝導材（例えばＮb）で形成され、第２の薄
膜２は例えば高純度Ａlで形成されて100〜1000オングス
トロームの厚さを有している。あるいは、容器内部３ａ
の寒材が液化窒素からなる場合には、第１の薄膜１は77
Ｋで超伝導状態となる超伝導材（例えばＹＢＣＯなどの
高温超伝導材を含む）で形成され、第２の薄膜２は、例
えば高純度Ａlで形成されて100〜1000オングストローム
の厚さを有している。
【００１０】このような構成により、本実施例では次の
ような作用効果が得られる。一般に、図２に示すよう
に、ある温度（Ｔ0）から放射される電磁波は、その周
波数に対するエネルギー密度分布が温度によって決まる
特定周波数（νm）でピークをもつが、かなり広い周波
数分布を有している。また、超伝導を示す薄膜は、ある
特定の周波数（νg）以下の周波数の電磁波に対しては
超伝導状態を維持できるが、逆にνg以上の周波数の電
磁波に対して超伝導状態が崩れることになる。いま、第
２の薄膜２の厚さｄが周波数νgの電磁波に対する表皮
厚さδgの10倍程度（ｄ＝10δg）に設定されているとす
ると、νg以上（ν≧νg）の周波数の電磁波は第２の薄
膜２でほぼ完全に反射され、第１の薄膜１には混入しな
いことになる。（図３参照）
ような作用効果が得られる。一般に、図２に示すよう
に、ある温度（Ｔ0）から放射される電磁波は、その周
波数に対するエネルギー密度分布が温度によって決まる
特定周波数（νm）でピークをもつが、かなり広い周波
数分布を有している。また、超伝導を示す薄膜は、ある
特定の周波数（νg）以下の周波数の電磁波に対しては
超伝導状態を維持できるが、逆にνg以上の周波数の電
磁波に対して超伝導状態が崩れることになる。いま、第
２の薄膜２の厚さｄが周波数νgの電磁波に対する表皮
厚さδgの10倍程度（ｄ＝10δg）に設定されているとす
ると、νg以上（ν≧νg）の周波数の電磁波は第２の薄
膜２でほぼ完全に反射され、第１の薄膜１には混入しな
いことになる。（図３参照）
【００１１】これにより、第１の薄膜１は常に超伝導状
態を保ち、侵入してくるνg以下（ν≦νg）の電磁波に
対して、常伝導金属に比べて非常に小さい熱吸収率（高
い反射率）となり、一方νg以上の電磁波（熱放射線）
に対してこれまで通り良電気伝導薄膜としての第２の薄
膜２で反射させるので、放射熱線の周波数領域全体で考
えると、本実施例の容器は、放射熱線に対して非常に反
射率の高い（したがって非常に放射率の低い）放射熱断
熱容器となっているのである。
態を保ち、侵入してくるνg以下（ν≦νg）の電磁波に
対して、常伝導金属に比べて非常に小さい熱吸収率（高
い反射率）となり、一方νg以上の電磁波（熱放射線）
に対してこれまで通り良電気伝導薄膜としての第２の薄
膜２で反射させるので、放射熱線の周波数領域全体で考
えると、本実施例の容器は、放射熱線に対して非常に反
射率の高い（したがって非常に放射率の低い）放射熱断
熱容器となっているのである。
【００１２】なお、上述したように、第２の薄膜２のコ
ーティング厚さｄは、第１の薄膜１の超伝導転移温度と
関係する超伝導エネルギーギャップおよび第２の薄膜２
自身の電気伝導度により異なり、厚さｄは第２の薄膜の
電気伝導度が高ければ、薄くでき、また第１の薄膜１の
超伝導エネルギーギャップが大きいほど（νgが大きい
ほど）薄くできる。そして、容器内部の寒材が液化ヘリ
ウムの場合は、例えば、薄膜１をＮb，薄膜２を高純度
Ａlとすると、厚さｄは100〜1000オングストロームが適
当であり、また寒材が液化窒素の場合は、例えば、薄膜
１をＹＢaＣuＯからなる高温超伝導材とし、薄膜２を高
純度Ａlとすると、上記の例と比べて超伝導エネルギー
ギャップは大きくなるが、電気伝導度が低くなるので、
この場合も同様に厚さｄは100〜1000オングストローム
が適当である。
ーティング厚さｄは、第１の薄膜１の超伝導転移温度と
関係する超伝導エネルギーギャップおよび第２の薄膜２
自身の電気伝導度により異なり、厚さｄは第２の薄膜の
電気伝導度が高ければ、薄くでき、また第１の薄膜１の
超伝導エネルギーギャップが大きいほど（νgが大きい
ほど）薄くできる。そして、容器内部の寒材が液化ヘリ
ウムの場合は、例えば、薄膜１をＮb，薄膜２を高純度
Ａlとすると、厚さｄは100〜1000オングストロームが適
当であり、また寒材が液化窒素の場合は、例えば、薄膜
１をＹＢaＣuＯからなる高温超伝導材とし、薄膜２を高
純度Ａlとすると、上記の例と比べて超伝導エネルギー
ギャップは大きくなるが、電気伝導度が低くなるので、
この場合も同様に厚さｄは100〜1000オングストローム
が適当である。
【００１３】また、図４に示すように、本発明の第２実
施例としての複合低放射膜付き極低温容器では、第１実
施例の構成に加えて第１の薄膜１と第２の薄膜２との間
に境界層４をそなえている。そしてこの境界層４は、そ
の組成を第１の薄膜１の材質から第２の薄膜２の材質に
徐々に変化させるようにした傾斜組織をもつように構成
されている。これにより、この第２実施例では、第１実
施例と同様の作用効果が得られる上に、さらに第１の薄
膜と第２の薄膜とのなじみが良好となり、薄膜の剥離な
どの問題がなくなるという効果が得られる。
施例としての複合低放射膜付き極低温容器では、第１実
施例の構成に加えて第１の薄膜１と第２の薄膜２との間
に境界層４をそなえている。そしてこの境界層４は、そ
の組成を第１の薄膜１の材質から第２の薄膜２の材質に
徐々に変化させるようにした傾斜組織をもつように構成
されている。これにより、この第２実施例では、第１実
施例と同様の作用効果が得られる上に、さらに第１の薄
膜と第２の薄膜とのなじみが良好となり、薄膜の剥離な
どの問題がなくなるという効果が得られる。
【００１４】また図５に示すように、本発明の第３実施
例としての複合低放射膜付き極低温容器では、ほぼ第１
実施例の構成を有しながら、しかも、第２の薄膜２の一
部が、第１の薄膜１を貫き、直接極低温容器の壁部３の
外面に接触するように構成されている。これにより、こ
の第３実施例では、第１実施例と同様の作用効果が得ら
れる上に、さらに第２の薄膜２の冷却効率が高くなるの
で、第２の薄膜２の温度上昇による電気伝導度の減少
や、超伝導材からなる第１の薄膜１の悪影響を防止する
効果が得られる。
例としての複合低放射膜付き極低温容器では、ほぼ第１
実施例の構成を有しながら、しかも、第２の薄膜２の一
部が、第１の薄膜１を貫き、直接極低温容器の壁部３の
外面に接触するように構成されている。これにより、こ
の第３実施例では、第１実施例と同様の作用効果が得ら
れる上に、さらに第２の薄膜２の冷却効率が高くなるの
で、第２の薄膜２の温度上昇による電気伝導度の減少
や、超伝導材からなる第１の薄膜１の悪影響を防止する
効果が得られる。
【００１５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の複合低放
射膜付き極低温容器によれば、放射熱線の周波数領域全
体で考えると、これまでの常伝導で良電気伝導の金属薄
膜のみを有する極低温容器に比べて、極低温容器外面に
固着されて超伝導状態となる第１の薄膜の上に良電気伝
導の金属材からなる第２の薄膜を最適な厚さだけコーテ
ィングした複合低放射膜が設けられているため、放射熱
線に対して非常に反射率の高い（非常に放射率の低い）
性能が得られ、放射熱の断熱用として卓越した効果が得
られるようになる。また、第１の薄膜と第２の薄膜との
間に境界層が形成されている場合には、両薄膜間のなじ
みがよくなり信頼性が向上するという利点が得られる。
さらに、第２の薄膜の一部が第１の薄膜を貫き直接容器
外面に接触している場合には、第２の薄膜の温度上昇を
低減し、そのため本複合低放射膜の性能低下を防ぐ効果
がある。
射膜付き極低温容器によれば、放射熱線の周波数領域全
体で考えると、これまでの常伝導で良電気伝導の金属薄
膜のみを有する極低温容器に比べて、極低温容器外面に
固着されて超伝導状態となる第１の薄膜の上に良電気伝
導の金属材からなる第２の薄膜を最適な厚さだけコーテ
ィングした複合低放射膜が設けられているため、放射熱
線に対して非常に反射率の高い（非常に放射率の低い）
性能が得られ、放射熱の断熱用として卓越した効果が得
られるようになる。また、第１の薄膜と第２の薄膜との
間に境界層が形成されている場合には、両薄膜間のなじ
みがよくなり信頼性が向上するという利点が得られる。
さらに、第２の薄膜の一部が第１の薄膜を貫き直接容器
外面に接触している場合には、第２の薄膜の温度上昇を
低減し、そのため本複合低放射膜の性能低下を防ぐ効果
がある。
【図１】本発明の第１実施例としての複合低放射膜付き
極低温容器の要部構造図である。
極低温容器の要部構造図である。
【図２】図１の複合低放射膜付き極低温容器の作用の説
明図である。
明図である。
【図３】図１の複合低放射膜付き極低温容器の作用状態
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図４】本発明の第２実施例としての複合低放射膜付き
極低温容器の要部構造図である。
極低温容器の要部構造図である。
【図５】本発明の第３実施例としての複合低放射膜付き
極低温容器の要部構造図である。
極低温容器の要部構造図である。
【符号の説明】 １ 第１の薄膜 ２ 第２の薄膜 ３ 極低温容器の壁部 ３ａ 容器内部 ４ 境界層
Claims (5)
- 【請求項１】 極低温容器において同容器の外面に複合
低放射膜をそなえ、同複合低放射膜が、上記容器の外面
に固着された第１の薄膜と、同第１の薄膜に重合された
第２の薄膜とからなり、上記第１の薄膜が上記容器内の
寒材の温度で超伝導状態となる超伝導材で形成されると
ともに、上記第２の薄膜が高い電気伝導度をもつ金属材
で形成されたことを特徴とする、複合低放射膜付き極低
温容器。 - 【請求項２】 上記容器内の寒材が液化ヘリウムからな
り、上記第１の薄膜が４.２Ｋで超伝導状態となる超伝
導材で形成され、上記第２の薄膜が100■1000オングス
トロームの厚さを有していることを特徴とする、請求項
１に記載の複合低放射膜付き極低温容器。 - 【請求項３】 上記容器内の寒材が液化窒素からなり、
上記第１の薄膜が77Ｋで超伝導状態となる超伝導材で形
成され、上記第２の薄膜が100〜1000オングストローム
の厚さを有していることを特徴とする、請求項１に記載
の複合低放射膜付き極低温容器。 - 【請求項４】 上記第１の薄膜と上記第２の薄膜との間
に境界層をそなえ、同境界層が、その組成を上記第１の
薄膜の材質から上記の第２の薄膜の材質へ徐々に変化さ
せるようにした傾斜組織として構成されていることを特
徴とする、請求項１〜３のいずれかひとつに記載された
複合低放射膜付き極低温容器。 - 【請求項５】 上記第２の薄膜の一部が上記第１の薄膜
を貫き直接上記容器の外面と接触していることを特徴と
する、請求項１〜３のいずれかひとつに記載された複合
低放射膜付き極低温容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4254233A JPH0674395A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 複合低放射膜付き極低温容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4254233A JPH0674395A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 複合低放射膜付き極低温容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0674395A true JPH0674395A (ja) | 1994-03-15 |
Family
ID=17262119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4254233A Pending JPH0674395A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 複合低放射膜付き極低温容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0674395A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002048621A1 (en) * | 2000-12-12 | 2002-06-20 | Orra Corporation | Apparatus for converting solar energy into electrical energy |
| FR2831954A1 (fr) * | 2001-11-05 | 2003-05-09 | Chin Kuang Luo | Procede et appareil de conduction d'energie thermique et conducteur thermique |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP4254233A patent/JPH0674395A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002048621A1 (en) * | 2000-12-12 | 2002-06-20 | Orra Corporation | Apparatus for converting solar energy into electrical energy |
| FR2831954A1 (fr) * | 2001-11-05 | 2003-05-09 | Chin Kuang Luo | Procede et appareil de conduction d'energie thermique et conducteur thermique |
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