JPH0672832B2 - アクテイブマトリツクス液晶パネルの特性評価方法 - Google Patents

アクテイブマトリツクス液晶パネルの特性評価方法

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JPH0672832B2
JPH0672832B2 JP61204331A JP20433186A JPH0672832B2 JP H0672832 B2 JPH0672832 B2 JP H0672832B2 JP 61204331 A JP61204331 A JP 61204331A JP 20433186 A JP20433186 A JP 20433186A JP H0672832 B2 JPH0672832 B2 JP H0672832B2
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JP
Japan
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liquid crystal
crystal panel
driving
active matrix
characteristic
Prior art date
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JP61204331A
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隆之 星屋
慎太郎 木栖
和博 高原
久 山口
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明はアクティブマトリックス液晶パネルの特性評価
方法において、完成されたパネルの状態では直接に内部
の駆動素子および液晶セルの特性パラメータを測ること
が困難であることを解決するため、種々駆動条件を変え
た場合の液晶セルのB(輝度)−V(電圧)特性を測定
し、このB−V特性値よりパネルを破壊することなくパ
ネル内の個々の駆動素子および液晶セルの特性パラメー
タを知ることを可能としたものである。
〔産業上の利用分野〕
本発明はアクティブマトリックス液晶パネルの特性評価
法に関する。
アクティブマトリックス液晶パネルは各画素毎にトラン
ジスタ等のスイッチング素子を設けることにより、表示
クロストークの少ない良好な表示品質を得ることができ
る。しかしトランジスタや液晶の特性変化により表示特
性が変化する。
この原因解析のためには液晶パネルの特性パラメータを
知る必要がある。
〔従来の技術〕
第8図はアクティブ駆動素子として薄膜トランジスタ
(TFT)を使用した液晶パネルの例である。
一方の基板1上にドレインバスライン2とゲートバスラ
イン3が格子状に形成されており、各交点にTFT4および
液晶セル個別電極5が薄膜技術により形成されている。
他方の基板6には液晶セル共通電極7が形成されてい
る。
この両基板1,6間に液晶が挾持されており、液晶パネル
は線順次走査により表示される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
第8図に示したようにTFTのソース電極および液晶セル
個別電極5は液晶パネル中にあり、外部に取り出されて
いないので、TFTの特性測定は液晶パネル完成前に、TFT
のゲート,ソース,ドレインの各電極に直接測定端子を
接触させて測定を行っていた。
従って従来は液晶パネルとして完成した後は個々のTFT
の特性を観測できないという問題点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は本発明によれば、多数の駆動素子および液
晶セルをマトリックス配置したアクティブマトリックス
液晶パネルの特性評価方法において、駆動素子に対する
駆動条件を種々変化させる手段と、該液晶セルの駆動電
圧に対する輝度特性を測定する手段を設け、複数の駆動
条件における駆動素子および液晶セルの等価回路より得
られる駆動電圧に対する輝度特性の関係式とを対応させ
ることにより、該駆動素子の抵抗値および液晶セルの抵
抗値を算出することを特徴とするアクティブマトリック
ス液晶パネルの特性評価方法によって解決される。
〔作用〕
本発明は液晶パネルの完成後であっても、駆動素子に対
する駆動条件を種々変化させて液晶パネル外部より駆動
し、その時の液晶セルのB−V特性を観測し、このB−
V特性値から液晶パネル内部の駆動素子および液晶セル
の特性パラメータを算出するので液晶パネルを破壊しな
くても、上記パラメータを知ることができる。
〔実施例〕
次に図面により本発明の詳細を説明する。
第1図は本発明の実施例による特性評価装置構成図、第
2図は液晶パネル内駆動素子の駆動タイミング図、第3
図は等価回路図、第4図は液晶印加電圧波形図、第5図
はB−V特性図、第6図は特性評価処理フローチャー
ト、第7図は等価抵抗RとRLCの関係を示すグラフであ
る。
本発明の実施例による特性評価装置は第1図に示す構成
であり、制御回路8からの指示により駆動タイミング発
生器9が動作し、コントロール電源10からドライバ回路
11を介して液晶パネルのゲートバスライン3に印加され
るゲート電圧VGおよび液晶パネルのドレインバスライン
2に印加されるデータ電圧VDの駆動タイミングを制御す
る。又制御回路8の指示によりデータ電圧VDの振幅が変
化する。さらに液晶セルの光学特性を測定するためのフ
ォトセンサ13が液晶パネル12に設けられており、その出
力は制御回路8へ送られる。
種々の条件で駆動素子を駆動し、その時の液晶印加波形
の違いにより液晶セルに加わる実効電圧値が変わり、こ
の実効電圧の違いによりB−V特性の閾値が変化するわ
けであるが、本発明では種々の駆動条件のもとでこの閾
値の違いを求め、これにより液晶パネルの駆動素子や液
晶セルの特性パラメータを求めようとするものである。
本実施例では種々の駆動条件として第2図(a),
(b),(c)に示す3つの場合を設定している。この
3つの駆動条件のもとにおける駆動素子,液晶セルモデ
ルの等価回路を第3図の(a),(b),(c)に示
し、液晶印加電圧波形をそれぞれ第4図の(a),
(b),(c)に示す。
次に本発明の実施例による特性評価動作について説明す
る。
第1図に示す特性評価装置を使用し、まず第2図(a)
に示した駆動タイミング、つまり駆動素子をオンにし続
けた状態で方形波VDを印加する。この時の等価回路は第
3図(a)に示す回路であり、液晶セル印加電圧波形は
第4図(a)となる。
ここで電圧VDを順次変化させVDに対する光透過度を測定
すると第5図(a)に示すB−V特性図が得られる。そ
して閾値電圧V1を求める。
次に第2図(b)に示す駆動タイミング、つまりゲート
バスライン3がスキャンされる時のみ一瞬駆動素子をオ
ンとする。液晶セル印加電圧は第4図(b)に示す如
く、一定の時定数で減少する波形となる。ここでVDの値
を変化させ第5図(b)に示すようなB−V特性図を作
成し、閾値電圧V2を求める。
次に第2図(c)に示すように、ゲートバスライン3が
スキャンされた時のみ一瞬駆動素子をオンにしてデータ
電圧VDを印加し、その後データ電圧を“0"とする。この
時の等価回路は第3図(c)に示す回路となり液晶セル
印加電圧波形は第4図(c)に示すように一定の時定数
で減少する波形となる。ここでVDの値を順次変化させ第
5図(c)に示すようなB−V特性図を作成し、閾値電
圧V3を求める。
以上により求められた閾値電圧V1,V2,V3から次の関係式
が成立する。
ここでfは駆動周波数である。
(1)式からR,RLCの値を求めるわけであるが、制御回
路8は次の手順でR,RLCを求める。
とすると、 ここで(2)式を数値計算(例えば2分法)により解い
て、正の解をrmとし、1/R=1/rm−1/RLCの条件のもと
で、 をRLCについて数値計算(例えば2分法)により解きRLC
およびRの値を求める。
第7図(a)は閾値電圧V1とV2の比をパラメータとし、
RとRLCとのとり得る値を示したものであり、第7図
(b)は閾値電圧V1とV3の比をパラメータとして、Rと
RLCのとり得る値を示したもので、この第7図(a),
(b)の両方の関係を満足するRとRLCを確定すること
ができる。
なお液晶セル容量CLCは液晶材料と画素の幾何学的形状
により知ることができる。
〔発明の効果〕
以上本発明によれば、液晶パネル完成後においてもパネ
ル内部の駆動素子および液晶セルの抵抗値等の特性を知
ることができ、また、パネルを分解せずに液晶パネル内
部の駆動素子および液晶セルの抵抗値等の経時変化、さ
らには、液晶パネルの寿命特性等の経時変化を効率的に
評価することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例による特性評価装置構成図、第
2図は液晶パネル内駆動素子の駆動タイミング図、第3
図は等価回路図、第4図は液晶印加電圧波形図、第5図
はB−V特性図、第6図は特性評価処理フローチャー
ト、第7図は等価抵抗R,RLCの関係を示すグラフ、第8
図は液晶パネル構成図を示す。 図において、1,6は基板、2はドレンバスライン、3は
ゲートバスライン、4はTFT、5は個別電極、7は共通
電極、8は制御回路、9は駆動タイミング発生器、10は
コントロール電源、11はドライバー回路、12は液晶パネ
ル、13はフォトセンサを示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】多数の駆動素子および液晶セルをマトリッ
    クス配置したアクティブマトリックス液晶パネルの特性
    評価方法において、該駆動素子に対する駆動条件を種々
    変化させる手段と、該液晶セルの駆動電圧に対する輝度
    特性を測定する手段を設け、複数の駆動条件における、
    液晶セルの駆動電圧に対する輝度特性の測定値と、各々
    の駆動条件に対応する該駆動素子および該液晶セルの等
    価回路より得られる、駆動電圧に対する輝度特性の関係
    式とを対応させることにより、該駆動素子の抵抗値およ
    び該液晶セルの抵抗値を算出することを特徴とするアク
    ティブマトリックス液晶パネルの特性評価方法。
JP61204331A 1986-08-29 1986-08-29 アクテイブマトリツクス液晶パネルの特性評価方法 Expired - Lifetime JPH0672832B2 (ja)

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JPS6358227A JPS6358227A (ja) 1988-03-14
JPH0672832B2 true JPH0672832B2 (ja) 1994-09-14

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6244717A (ja) * 1985-08-23 1987-02-26 Hitachi Ltd 表示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6244717A (ja) * 1985-08-23 1987-02-26 Hitachi Ltd 表示装置

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