JPH067124B2 - Ultrasonic flaw detector - Google Patents

Ultrasonic flaw detector

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JPH067124B2
JPH067124B2 JP61209465A JP20946586A JPH067124B2 JP H067124 B2 JPH067124 B2 JP H067124B2 JP 61209465 A JP61209465 A JP 61209465A JP 20946586 A JP20946586 A JP 20946586A JP H067124 B2 JPH067124 B2 JP H067124B2
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JP
Japan
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circuit
delay
pulse
trigger
signal
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JP61209465A
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JPS6365365A (en
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栄 竹田
徹 宮田
寿夫 野中
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Hitachi Construction Machinery Co Ltd
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Hitachi Construction Machinery Co Ltd
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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は材料または製品の内部欠陥を検査する超音波探
傷装置に関し、特に被検体例えば金属材料,セラミック
ス,IC等の表面近傍や極薄材に内在する微細な欠陥を
検査するのに好適な探傷装置である。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an ultrasonic flaw detector for inspecting internal defects in materials or products, and particularly to the vicinity of the surface of an object such as a metal material, ceramics, IC or an ultrathin material. It is a flaw detection device suitable for inspecting minute defects existing in the.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

材料または工業製品において、厚さの薄いいわゆる薄材
の内部欠陥や、厚さがそれほど薄くなくてもその被検体
の表面付近に内在する欠陥(以下表層欠陥という)を探
傷することは、従来からいろいろな技術分野でかなり実
施されている。そして前記探傷は、新しい素材や電子製
品等に対して従来と比較して格段に高い性能、機能を発
揮せしめるため、一層表面に近い表層欠陥や微細な欠陥
をも確実に検出することが要求されてきている。従来の
一般的な探傷装置を第5図ないし第7図について説明す
る。第5図は探傷装置の構成説明図で、1は水2を満た
した水槽、3は水槽1内の底に設置された薄材の被検
体、4は水2に浸漬された探触子である。5は探触子4
に超音波パルスを発信させるパルス発信回路、6は被検
体3の表面,欠陥および底面から反射する反射波のRF
信号を探触子4を介して受信し増幅する受信回路、7′
は受信回路6で増幅された反射波のピーク値を検波して
その値に比例するDC電圧を出力するピークディテク
タ、8はピークディテクタ7′から出力された波形を表
示するオシロスコープである。第6図は前記ピークディ
テクタ7′の主要ブロツク回路図で、9は前記受信回路
6で増幅された反射波のRF信号が入力される入力回
路、10はトリガ回路、11は遅延トリガのパルスを立ち上
げるしきい値を設定する遅延トリガしきい値設定回路、
12はゲートコントロール回路18の出力信号をオシロスコ
ープ8に出力するモニタ回路、13はモニタシンクロ回
路、14は前記探触子4の送信パルスのレベルが前記しき
い値を越えたときに作動する遅延トリガのパルス幅を設
定する遅延トリガ回路、15は遅延のパルス幅を設定する
遅延回路、16はゲートのパルス幅を任意の位置と幅に設
定できるゲート回路で、いずれもマルチバイブレータ17
に接続され、遅延トリガ、遅延およびゲートの各パルス
幅を調節するゲートコントロール回路18を形成してい
る。19は入力回路9から出力されたRF信号を検波する
RF検波回路、20はRF検波回路19の出力信号をその値
に比例するDC電圧に変換し、前記ゲートコントロール
回路18のゲート信号が閉じるまでその値に保存するピー
ク検波回路、21は前記DC電圧を出力する出力回路であ
る。第7図は前記探傷装置を使用した場合に発生するパ
ルスの特性線図である。図において(a)は被検体3から
の反射波のエコーパターンの1例で、Tは送信パルス、
Sは表面エコー、Fは欠陥エコー、Bは底面エコーをそ
れぞれ示す。Lは送信パルスTのレベルのしきい値を示
す線である。(b)は遅延トリガ回路14で設定される遅延
トリガのパルス幅P、(c)は遅延回路15で設定される
遅延のパルス幅P、(d)はゲート回路16で設定される
ゲートのパルス幅Pである。
Conventionally, in materials or industrial products, it has been conventional to detect internal defects of so-called thin materials with a small thickness and defects existing near the surface of the subject (hereinafter referred to as surface layer defects) even if the thickness is not so thin. It has been widely implemented in various technical fields. Further, the flaw detection is required to reliably detect surface defects and fine defects closer to the surface in order to exert significantly higher performance and functions as compared with conventional ones for new materials and electronic products. Is coming. A conventional general flaw detector will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is an explanatory view of the structure of the flaw detection device, 1 is a water tank filled with water 2, 3 is a thin material test object installed at the bottom of the water tank 1, and 4 is a probe immersed in water 2. is there. 5 is a probe 4
A pulse transmission circuit for transmitting an ultrasonic pulse to the object, 6 is an RF of a reflected wave reflected from the surface, defect and bottom of the subject 3.
A receiving circuit for receiving and amplifying a signal via the probe 4, 7 '
Is a peak detector that detects the peak value of the reflected wave amplified by the receiving circuit 6 and outputs a DC voltage proportional to the value, and 8 is an oscilloscope that displays the waveform output from the peak detector 7 '. FIG. 6 is a main block circuit diagram of the peak detector 7 ', in which 9 is an input circuit to which the RF signal of the reflected wave amplified by the receiving circuit 6 is input, 10 is a trigger circuit, and 11 is a delay trigger pulse. Delay trigger threshold setting circuit to set the rising threshold,
12 is a monitor circuit that outputs the output signal of the gate control circuit 18 to the oscilloscope 8, 13 is a monitor synchro circuit, and 14 is a delay trigger that operates when the level of the transmission pulse of the probe 4 exceeds the threshold value. Delay trigger circuit to set the pulse width of the, 15 is a delay circuit to set the pulse width of the delay, 16 is a gate circuit that can set the pulse width of the gate to any position and width, both multivibrator 17
And forms a gate control circuit 18 for adjusting the delay trigger, delay and gate pulse widths. Reference numeral 19 is an RF detection circuit for detecting the RF signal output from the input circuit 9, 20 is an output signal of the RF detection circuit 19 converted into a DC voltage proportional to its value, and until the gate signal of the gate control circuit 18 is closed. The peak detection circuit stores the value, and 21 is an output circuit that outputs the DC voltage. FIG. 7 is a characteristic diagram of a pulse generated when the flaw detector is used. In the figure, (a) is an example of an echo pattern of a reflected wave from the subject 3, T is a transmission pulse,
S is a surface echo, F is a defect echo, and B is a bottom echo. L is a line indicating the threshold value of the level of the transmission pulse T. (b) is the pulse width P t of the delay trigger set by the delay trigger circuit 14, (c) is the pulse width P d of the delay set by the delay circuit 15, and (d) is the gate set by the gate circuit 16. Of the pulse width P g .

探触子4から発射された送信パルスTのレベルが、設定
されたしきい値Lを越すと直ちに遅延トリガ回路14が作
動し、遅延トリガのパルス幅Pが設定される。続いて
表面エコーSがしきい値Lを越えると、遅延回路15およ
びゲート回路16が作動してシーケンスが始まり、遅延の
パルス幅Pが閉じると同時にゲートが開き、設定され
たパルス幅P経過後に閉じる。
Level of the transmitted pulse T which is emitted from the probe 4 is immediately actuated to delay the trigger circuit 14 it exceeds the set threshold L, the pulse width P t of the delay trigger is set. Then, when the surface echo S exceeds the threshold value L, the delay circuit 15 and the gate circuit 16 are activated to start the sequence, and the pulse width P d of the delay is closed and the gate is opened at the same time, and the set pulse width P g is set. Close after a lapse of time.

ところでマルチバイブレータ17で現在の遅延回路15やゲ
ート回路16で設定できる最小のパルス幅P,Pは約
80nsであり、またマルチバイブレータ17の伝搬遅延時間
は、装置の構成差によって異なるものの平均でほぼ40ns
であるから、第7図(c)に示す表示エコーSのしきい値
Lで遅延のパルスを立ち上げ、つぎの同図(d)のゲート
パルスを立ち上げるまでの遅延のパルス幅Pの最小値
は約120nsとなり、この時間に相当するパルスの伝搬距
離以内に接近した欠陥ではしその欠陥エコーFは同図
(d)に示すゲートのパルス幅P内に出現し得ないこと
になる。前記伝搬距離は例えば鉄鋼材の場合で約350μ
mとなり、被検体3の表面から欠陥までの距離が約350
μm以上でなければ欠陥エコーFはゲートのパルス幅P
内に出現し得ない。このように前記回路構成において
は、被検体3の厚さがある程度例えば1mm前後の厚さ以
上ある薄材の場合の探傷においては、欠陥エコーFをゲ
ートのパルス幅P内に出現させることができるが、被
検体3の表面にきわめて近い微細な表層欠陥や、極薄材
例えば厚さ200〜300μm程度の被検体に内在する微細な
欠陥を検査する場合には、表面エコーSは欠陥エコーF
がきわめて接近して出現するため、欠陥エコーFを前記
ゲートのパルス幅P内に出現させることができない。
また被検体3が前記鉄鋼材の場合で、その表面から欠陥
までの距離が350μm以上であって、欠陥エコーFがゲ
ートのパルス幅P内に出現することになる場合でも、
伝搬遅延時間内に出現する程度の表面に接近した距離に
おける表層欠陥では、前記理由から事実上ゲートをかけ
たことにならず、いずれも欠陥エコーFを検出すること
ができない。したがってかかる位置の表層欠陥や極薄材
に内在する欠陥に対しては、欠陥が存在しているにもか
かわらず検出することができない問題であった。
By the way, the minimum pulse widths P d and P g that can be set in the current delay circuit 15 and the gate circuit 16 in the multivibrator 17 are about
80 ns, and the propagation delay time of the multivibrator 17 is about 40 ns on average, although it varies depending on the configuration of the device.
Therefore, the delay pulse width P d between the rise of the delay pulse at the threshold value L of the display echo S shown in FIG. 7C and the rise of the gate pulse of the next FIG. The minimum value is about 120 ns, and the defect echo F of the defect approaching within the propagation distance of the pulse corresponding to this time is shown in the same figure.
It cannot appear within the pulse width P g of the gate shown in (d). The propagation distance is, for example, about 350μ in the case of steel materials.
m, the distance from the surface of the object 3 to the defect is about 350.
If it is not more than μm, the defect echo F has a gate pulse width P.
cannot appear within g . As described above, in the circuit configuration, the defect echo F may appear within the pulse width P g of the gate in flaw detection in the case of a thin material in which the thickness of the subject 3 is a certain thickness, for example, about 1 mm or more. However, in the case of inspecting a fine surface layer defect very close to the surface of the subject 3 or a fine defect existing in a very thin material such as a subject having a thickness of about 200 to 300 μm, the surface echo S is the defect echo F.
Appear very close to each other, so that the defect echo F cannot appear within the pulse width P g of the gate.
Further, in the case where the object 3 is the steel material and the distance from the surface to the defect is 350 μm or more, and the defect echo F appears within the pulse width P g of the gate,
For the surface layer defect at a distance close to the surface that appears within the propagation delay time, the gate is not actually gated for the above reason, and neither defect echo F can be detected. Therefore, the surface layer defect at such a position or the defect existing in the ultrathin material cannot be detected despite the existence of the defect.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

前記したように従来の超音波探傷装置においては、遅延
回路やゲート回路で設定できる最小のパルス幅が約80ns
と長く、被検体の表層欠陥や極薄材の被検体に内在する
欠陥の検出ができない。また所望の任意の深さにおける
欠陥エコーだけにゲートをかけることができなかったた
め、厚さ方向に複数の欠陥が近接して内在している場合
には各欠陥の検出ができない問題点を有していた。
As described above, in the conventional ultrasonic flaw detector, the minimum pulse width that can be set by the delay circuit or gate circuit is about 80 ns.
Therefore, it is impossible to detect the surface layer defect of the object and the defect existing in the object of the ultra-thin material. In addition, since it was not possible to gate only the defect echo at any desired depth, there was a problem that each defect could not be detected when multiple defects were present close to each other in the thickness direction. Was there.

本発明は、前記従来技術の問題点を解消するものであっ
て、極薄材の被検体および表層欠陥の探傷を可能にする
とともに、厚さ方向に近接して内在している複数の欠陥
であっても、任意に各欠陥を探傷することができる超音
波探傷装置を提供することを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, and enables the inspection of an object and a surface layer defect of an ultra-thin material, and at the same time, it has a plurality of defects existing in proximity in the thickness direction. Even if it exists, it aims at providing the ultrasonic flaw detector which can detect each defect arbitrarily.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、液槽内で被検体と相対させた探触子に接続
し、送信パルスを印加するパルス発信回路および被検体
からの反射波のRF信号を受信する受信回路と、遅延ト
リガのパルス幅を設定する遅延トリガ回路,遅延トリガ
のパルスが閉じた後に遅延のパルス幅を設定する遅延回
路,遅延トリガおよび遅延のパルスを立ち上げるしきい
値を設定する遅延トリガしきい値設定回路、設定したし
きい値を送信パルスもしくは被検体からの反射波のエコ
ーレベルが越えたときトリガ信号を発するトリガ回路,
およびゲートのパルス幅を設定するゲート回路の各回路
が、該各回路でそれぞれ設定されたパルスを発生するマ
ルチバイブレータに接続され、前記受信回路で受信され
たRF信号が入力される入力回路、および該入力回路よ
り出力されたRF信号を検波するRF検波回路を有し
て、検波されたRF信号のピーク値に比例する電圧を出
力するピークディテクタと、ピークディテクタの出力波
形を表示するオシロスコープとを備えた超音波探傷装置
において、送信パルスが前記しきい値を越えたとき、前
記トリガ回路より出力されるトリガ信号で作動し、前記
入力回路より出力されたRF信号を任意に設定した時間
だけ遅延させるRF遅延回路を設け、該遅延させたRF
信号を前記RF検波回路に入力する構成のピークディテ
クタを具備したことより、極薄材の被検体および表層欠
陥の探傷はもちろん、厚さ方向に近接している複数の内
在欠陥をも探傷することができるようにした超音波探傷
装置である。
The present invention relates to a pulse transmission circuit that is connected to a probe facing a subject in a liquid tank and applies a transmission pulse, a reception circuit that receives an RF signal of a reflected wave from the subject, and a pulse of a delay trigger. Delay trigger circuit that sets the width, delay circuit that sets the pulse width of the delay after the delay trigger pulse is closed, delay trigger threshold setting circuit that sets the threshold for raising the delay trigger and delay pulse, setting A trigger circuit that issues a trigger signal when the transmission pulse or the echo level of the reflected wave from the object exceeds the threshold value
And an input circuit to which each circuit of the gate circuit that sets the pulse width of the gate is connected to a multivibrator that generates a pulse set in each of the circuits, and to which the RF signal received by the receiving circuit is input, and A peak detector for outputting a voltage proportional to the peak value of the detected RF signal, and an oscilloscope for displaying the output waveform of the peak detector, having an RF detection circuit for detecting the RF signal output from the input circuit; In the provided ultrasonic flaw detector, when the transmission pulse exceeds the threshold value, it operates by the trigger signal output from the trigger circuit and delays the RF signal output from the input circuit by an arbitrarily set time. An RF delay circuit for
Since the peak detector having a configuration for inputting a signal to the RF detection circuit is provided, it is possible to detect not only an inspection target of an ultrathin material and surface layer defects but also a plurality of internal defects that are close to each other in the thickness direction. This is an ultrasonic flaw detector that is capable of

〔作用〕[Action]

探触子から発射された送信パルスのレベルが設定された
しきい値を越すと、遅延トリガ回路が働いて遅延トリガ
のパルス幅が設定され、続いて表面エコーSがしきい値
を越すと、遅延回路およびゲート回路が作動して設定さ
れたパルス幅の遅延およびゲートの各パルスを出力する
シーケンスが始まる。一方、受信回路で受信されたRF
信号は入力回路を経てRF遅延回路に入力されるが、該
RF遅延回路は、前記送信パルスのレベルがしきい値を
越すと同時にトリガ回路より出力されるトリガ信号で作
動し、該回路内に入力されたRF信号は、入力されたR
F信号のうち欠陥エコーを前記ゲートのパルス幅内に出
現させるように、ディレイ端子を選択して任意に設定し
た所望の時間だけ遅延させて出力される。
When the level of the transmission pulse emitted from the probe exceeds the set threshold value, the delay trigger circuit operates to set the pulse width of the delay trigger, and subsequently, when the surface echo S exceeds the threshold value, The delay circuit and the gate circuit are activated to start the sequence of outputting each pulse of the delay and gate of the set pulse width. On the other hand, the RF received by the receiving circuit
The signal is input to the RF delay circuit through the input circuit, and the RF delay circuit operates by the trigger signal output from the trigger circuit at the same time when the level of the transmission pulse exceeds the threshold value, and the RF delay circuit operates in the circuit. The input RF signal is the input R signal
A delay terminal is selected and delayed for a desired time so that a defective echo of the F signal appears within the pulse width of the gate, and the delayed signal is output.

〔実施例〕〔Example〕

本発明の実施例を第1図ないし第4図を参照して説明す
る。図において第5図ないし第7図と同一符号のものは
同じものを示す。第1図はピークディテクタの主要ブロ
ツク回路図、第2図はその特性線図、第3図はRF遅延
回路の具体的な構成例を示す図、第4図はその特性線図
である。
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the figure, the same reference numerals as those in FIGS. 5 to 7 indicate the same elements. FIG. 1 is a main block circuit diagram of the peak detector, FIG. 2 is a characteristic diagram thereof, FIG. 3 is a diagram showing a concrete configuration example of an RF delay circuit, and FIG. 4 is a characteristic diagram thereof.

22は受信回路6で受信されたRF信号が入力回路9を経
て入力されるRF遅延回路で、該回路22は、送信パルス
Tのレベルがしきい値Lを越えると、トリガ回路10より
出力されるトリガ信号で作動し、RF信号を任意に設定
した時間だけ遅延させて出力し、欠陥エコーFをゲート
パルス内に出現させるようにした回路である。7は上記
回路構成を有するピークディテクタである。第3図にR
F遅延回路22としてインダクタを使用した例を示す。こ
の場合RF遅延回路22における遅延時間は、コイル巻
数、つまりインダクタンスHとコンダクタンスCとの で求められるから、コイル内に複数のタップを設けるこ
とによりコイルの の範囲内で任意に選択することができる。第4図は第3
図に示す複数のディレイ端子に対応した遅延の状況を示
す特性線図で、入力端子INから出力端子OUTまでに
順次3つの端子a,b,cを設けた場合のものである。
コイルの巻数が増すにつれて の値が大きくなるから、RF信号の波形は第4図(I
N)に示す位置から端子aでは同図(a)に示す時間td1
だけ遅延した位置になり、以下順に遅延して出力端子O
UTでは時間tdoutだけ遅延した位置になる。このため
端子を選択することにより遅延時間を任意に設定するこ
とができる。
Reference numeral 22 is an RF delay circuit to which the RF signal received by the receiving circuit 6 is inputted via the input circuit 9. The circuit 22 outputs the signal from the trigger circuit 10 when the level of the transmission pulse T exceeds the threshold value L. It is a circuit that operates by a trigger signal, delays the RF signal by an arbitrarily set time, and outputs it so that the defect echo F appears in the gate pulse. Reference numeral 7 is a peak detector having the above circuit configuration. R in Figure 3
An example in which an inductor is used as the F delay circuit 22 is shown. In this case, the delay time in the RF delay circuit 22 depends on the number of coil turns, that is, the inductance H and the conductance C. Therefore, by providing multiple taps in the coil, It can be arbitrarily selected within the range. Figure 4 is the third
FIG. 4 is a characteristic diagram showing a state of delay corresponding to a plurality of delay terminals shown in the figure, in the case where three terminals a, b, and c are sequentially provided from an input terminal IN to an output terminal OUT.
As the number of coil turns increases Therefore, the waveform of the RF signal is shown in Fig. 4 (I
Time t d1 shown from the position shown in N) to the terminal a drawing (a)
The output terminal O
In the UT, the position is delayed by the time t dout . Therefore, the delay time can be arbitrarily set by selecting the terminal.

前記の如く表層欠陥や、極薄材に内在している欠陥等に
おいては、欠陥エコーFは表面エコーSときわめて接近
して出現し、一例として第2図(a)に示すようなエコー
パターンになる。いま探触子より発射された送信パルス
Tのレベルがしきい値Lを越すと、遅延トリガ回路14が
作動して第2図(b)に示すパルス幅Pの遅延トリガパ
ルスが設定され、時間t後に表面エコーSがしきい値
Lを越すと、遅延回路15で設定された同図(c)に示すパ
ルス幅Pの遅延パルスが出力される。続いて遅延のパ
ルス幅Pが閉じると同時に、ゲート回路16で設定され
た同図(d)のパルス幅Pのゲートパルスが出力され
る。しかしこのように前記従来と同じゲートパルスの出
力位置では、図に示す如く従来と同様に位置がずれ欠陥
エコーFをゲートにかけることはできない。このため同
図(e)に示すように送信パルスTのレベルが、しきい値
Lを越すと同時にトリガ回路10より出力されるトリガ信
号(パルス幅P)によりRF遅延回路22を作動し、R
F信号の波形を、該回路22で設定した時間tだけ遅延
させて出力する。したがって表面エコーSがしきい値L
を越す位置は、前記時間tとRF遅延回路22で設定し
た時間tとの和の時間(t+t)の位置になり、
欠陥エコーFをゲートのパルス幅P内に出現させるこ
とができる。
As described above, in the surface layer defect or the defect existing in the ultra-thin material, the defect echo F appears very close to the surface echo S, and as an example, an echo pattern as shown in FIG. Become. When the level of the transmission pulse T emitted from the probe now exceeds the threshold value L, the delay trigger circuit 14 operates to set the delay trigger pulse having the pulse width P t shown in FIG. 2 (b), When the surface echo S exceeds the threshold value L after the time t S, the delayed pulse having the pulse width P d set by the delay circuit 15 and shown in FIG. Then, at the same time as the delay pulse width P d is closed, the gate pulse having the pulse width P g shown in FIG. However, in this way, at the same gate pulse output position as in the prior art, as shown in the figure, the positional deviation cannot be applied to the gate as in the prior art. Therefore, as shown in (e) of the figure, the level of the transmission pulse T exceeds the threshold value L, and at the same time, the trigger signal (pulse width P T ) output from the trigger circuit 10 activates the RF delay circuit 22, R
The waveform of the F signal is delayed by the time t d set by the circuit 22 and output. Therefore, the surface echo S is the threshold value L
Position of over becomes the position of the time t S and RF delay circuit time set by the 22 t d and the sum of the time (t S + t d),
The defect echo F can appear within the pulse width P g of the gate.

前記時間tは、表面エコーSおよび欠陥エコーFのエ
コーパターン,該エコーパターンに応じて設定される遅
延のパルス幅Pおよびゲートのパルス幅P等により
任意に設定し得るから、前記表面エコーSと欠陥エコー
Fが接近して出現する単数の欠陥に対してはもちろん、
被検体の厚さ方向に複数の欠陥が接近して内在している
場合においても、任意にいずれかの欠陥エコーのみにゲ
ートをかけることが可能になる。例えば欠陥エコーF1,F
2,F3が近接しているエコーパターンの場合には、ディレ
イ端子をaから順に選択し、それぞれ対応する時間t
を設定することにより各欠陥を順にゲートにかけて探傷
することができる。
The time t d can be arbitrarily set by the echo patterns of the surface echo S and the defect echo F, the pulse width P d of the delay set according to the echo pattern, the pulse width P g of the gate, and the like. Of course, for a single defect in which the echo S and the defect echo F appear close to each other,
Even when a plurality of defects are closely present in the thickness direction of the subject, it is possible to arbitrarily gate only one of the defect echoes. For example, defect echo F 1 , F
In the case of an echo pattern in which 2 and F 3 are close to each other, the delay terminals are sequentially selected from a and the corresponding time t d
By setting, it is possible to detect defects by sequentially applying the defects to the gate.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明は、液槽内で被検体と相対さ
せた探触子に接続するパルス発信回路および受信回路
と、ピークディテクタおよびオシロスコープとを備えた
超音波探傷装置において、前記ピークディテクタ内に、
送信パルスが設定されたしきい値を越えたときトリガ回
路より出力されるトリガ信号で作動し、RF信号を任意
に設定した時間だけ遅延させるRF遅延回路を設けるよ
うにしたから、極薄材の被検体および表層欠陥の探傷を
従来不可能であった浅い位置まで可能にし、また被検体
の厚さ方向に近接して内在する複数の欠陥に対しても同
様に可能にし、しかも精度よく探傷することを可能にし
た優れた実用上の効果を有する。
INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the present invention provides an ultrasonic flaw detector including a pulse transmitting circuit and a receiving circuit connected to a probe facing a subject in a liquid tank, a peak detector and an oscilloscope, and the peak detector. Within
Since an RF delay circuit that operates by the trigger signal output from the trigger circuit when the transmission pulse exceeds the set threshold value and delays the RF signal by an arbitrarily set time is provided, Enables flaw detection of the subject and surface defects to a shallow position, which was not possible in the past, and also enables multiple flaws existing in close proximity in the thickness direction of the subject, and also performs flaw detection with high accuracy. It has an excellent practical effect that makes it possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図ないし第4図は本発明に係わる実施例の説明図
で、第1図はピークディテクタの主要ブロツク回路図、
第2図はその特性線図、第3図はRF遅延回路の具体的な
構成例を示す図、第4図はその特性線図である。 第5図は超音波探傷装置の構成説明図、第6図は従来の
ピークディテクタの主要ブロツク回路図、第7図はその
特性線図である。
1 to 4 are explanatory views of an embodiment according to the present invention, and FIG. 1 is a main block circuit diagram of a peak detector,
FIG. 2 is a characteristic diagram thereof, FIG. 3 is a diagram showing a concrete configuration example of the RF delay circuit, and FIG. 4 is a characteristic diagram thereof. FIG. 5 is an explanatory view of the structure of the ultrasonic flaw detector, FIG. 6 is a main block circuit diagram of a conventional peak detector, and FIG. 7 is a characteristic diagram thereof.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】液槽内で被検体と相対させた探触子に接続
し、送信パルスを印加するパルス発信回路および被検体
からの反射波のRF信号を受信する受信回路と、遅延ト
リガのパルス幅を設定する遅延トリガ回路,遅延トリガ
のパルスが閉じた後に遅延のパルス幅を設定する遅延回
路,遅延トリガおよび遅延のパルスを立ち上げるしきい
値を設定する遅延トリガしきい値設定回路,設定したし
きい値を送信パルスもしくは被検体からの反射波のエコ
ーレベルが越えたときトリガ信号を発するトリガ回路,
およびゲートのパルス幅を設定するゲート回路の各回路
が、該各回路でそれぞれ設定されたパルスを発生するマ
ルチバイブレータに接続され、前記受信回路で受信され
たRF信号が入力される入力回路、および該入力回路よ
り出力されたRF信号を検波するRF検波回路を有し
て、検波されたRF信号のピーク値に比例する電圧を出
力するピークディテクタと、ピークディテクタの出力波
形を表示するオシロスコープとを備えた超音波探傷装置
において、送信パルスが前記しきい値を越えたとき、前
記トリガ回路より出力されるトリガ信号で作動し、前記
入力回路より出力されたRF信号を任意に設定した時間
だけ遅延させるRF遅延回路を設け、該遅延させたRF
信号を前記RF検波回路に入力する構成のピークディテ
クタを具備したことを特徴とする超音波探傷装置。
1. A pulse transmission circuit connected to a probe facing a subject in a liquid tank, for applying a transmission pulse, a receiving circuit for receiving an RF signal of a reflected wave from the subject, and a delay trigger. Delay trigger circuit that sets the pulse width, delay circuit that sets the pulse width of the delay after the delay trigger pulse is closed, delay trigger threshold setting circuit that sets the delay trigger and the threshold for raising the delay pulse, A trigger circuit that generates a trigger signal when the transmission pulse or the echo level of the reflected wave from the subject exceeds the set threshold value.
And an input circuit to which each circuit of the gate circuit that sets the pulse width of the gate is connected to a multivibrator that generates a pulse set in each of the circuits, and to which the RF signal received by the receiving circuit is input, and A peak detector for outputting a voltage proportional to the peak value of the detected RF signal, and an oscilloscope for displaying the output waveform of the peak detector, having an RF detection circuit for detecting the RF signal output from the input circuit; In the provided ultrasonic flaw detector, when the transmission pulse exceeds the threshold value, it operates by the trigger signal output from the trigger circuit and delays the RF signal output from the input circuit by an arbitrarily set time. An RF delay circuit for
An ultrasonic flaw detector comprising a peak detector configured to input a signal to the RF detection circuit.
【請求項2】前記RF遅延回路が、インダクタである特
許請求の範囲第1項記載の超音波探傷装置。
2. The ultrasonic flaw detector according to claim 1, wherein the RF delay circuit is an inductor.
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