JPH0569382B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0569382B2
JPH0569382B2 JP61120278A JP12027886A JPH0569382B2 JP H0569382 B2 JPH0569382 B2 JP H0569382B2 JP 61120278 A JP61120278 A JP 61120278A JP 12027886 A JP12027886 A JP 12027886A JP H0569382 B2 JPH0569382 B2 JP H0569382B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
signal
delay
pulse
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61120278A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS62277559A (en
Inventor
Sakae Takeda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Construction Machinery Co Ltd filed Critical Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Priority to JP61120278A priority Critical patent/JPS62277559A/en
Publication of JPS62277559A publication Critical patent/JPS62277559A/en
Publication of JPH0569382B2 publication Critical patent/JPH0569382B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は材料または製品の内部欠陥を検査する
超音波探傷装置に関し、特に被検体例えば金属材
料、セラミツクス、IC等の表面近傍や極薄材に
内在する微細な欠陥を検査するのに好適な探傷装
置である。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an ultrasonic flaw detection device for inspecting internal defects in materials or products, and particularly for testing near the surface of objects to be inspected, such as metal materials, ceramics, ICs, etc., and ultra-thin materials. This is a flaw detection device suitable for inspecting minute defects inherent in.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

材料または工業製品において、厚さの薄いいわ
ゆる薄材の内部欠陥や、厚さがそれほど薄くなく
てもその被検体の表面付近に内在する欠陥(以下
表層欠陥という)を探傷することは、従来からい
ろいろな技術分野でかなり実施されている。そし
て前記探傷は、新しい素材や電子製品等に対し従
来と比較して格段に高い性能、機能を発揮せしめ
るため、一層表面に近い表層欠陥や微細な欠陥を
も確実に検出することが要求されてきている。従
来の一般的な探傷装置を第10図ないし第12図
について説明する。第10図は探傷装置の構成説
明図で、1は水2を満たした水槽、3は水槽1内
の底に設置された薄材の被検体、4は水2に浸漬
された探触子である。5は探触子4にパルス信号
を周期的に印加するパルス発信回路、6は被検体
3の表面、欠陥および底面から反射する反射波を
探触子4を介して受信し増幅する受信回路、7′
は受信回路6で増幅された反射波のピーク値を検
波してその値に比例するDC電圧を出力するピー
クデイテクタ、8はピークデイテクタ7′から出
力された波形を表示するオシロスコープである。
第11図はピークデイテクタ7′の主要ブロツク
回路図で、探触子4によつて受信された受信信号
は受信回路6で増幅された後、ピークデイテクタ
7′内の入力回路9に入力されるとともに、ピー
クデイテクタ7′を形成するゲートコントロール
回路18内のトリガ回路10に入力される。この
トリガ回路10では受信回路6からの信号レベル
が所定のしきい値以上になつたときON信号を出
力する。
In materials and industrial products, it has been conventional to detect internal defects in so-called thin materials, as well as defects that exist near the surface of the specimen even if the thickness is not so thin (hereinafter referred to as surface defects). It has been widely implemented in various technical fields. In order for the above-mentioned flaw detection to demonstrate much higher performance and functionality than conventional methods for new materials and electronic products, it is required to reliably detect surface defects and minute defects even closer to the surface. ing. A conventional general flaw detection device will be explained with reference to FIGS. 10 to 12. Figure 10 is an explanatory diagram of the configuration of the flaw detection device, in which 1 is a water tank filled with water 2, 3 is a thin material to be tested installed at the bottom of the water tank 1, and 4 is a probe immersed in water 2. be. 5 is a pulse transmitting circuit that periodically applies a pulse signal to the probe 4; 6 is a receiving circuit that receives and amplifies reflected waves reflected from the surface, defects, and bottom surface of the object 3 via the probe 4; 7′
8 is a peak detector that detects the peak value of the reflected wave amplified by the receiving circuit 6 and outputs a DC voltage proportional to that value, and 8 is an oscilloscope that displays the waveform output from the peak detector 7'.
FIG. 11 is a main block circuit diagram of the peak detector 7', in which the received signal received by the probe 4 is amplified by the receiving circuit 6 and then input to the input circuit 9 in the peak detector 7'. At the same time, the signal is input to the trigger circuit 10 in the gate control circuit 18 forming the peak detector 7'. This trigger circuit 10 outputs an ON signal when the signal level from the receiving circuit 6 exceeds a predetermined threshold.

一方、パルス発信回路5からのパルス信号がゲ
ートコントロール回路18内の遅延トリガ回路1
4に入力されると所定のパルス幅の遅延トリガ信
号が遅延回路15に出力される。その際、遅延ト
リガ回路14に入力されるパルス発信回路5から
の信号に対するしきい値は遅延トリガしきい値設
定回路11によつて設定される。遅延回路15
は、入力した遅延トリガ信号がOFFになつた後
に前述したトリガ回路10からの信号が最初に
ONになつたとき、所定のパルス幅の遅延パルス
信号をマルチバイブレータ17aを介しゲート回
路16に出力する。ゲート回路16は、遅延パル
ス信号を入力し、遅延パルス信号がOFFになる
と同時に所定のパルス幅のゲート信号をマルチバ
イブレータ17bを介し、入力回路9に出力す
る。
On the other hand, the pulse signal from the pulse transmitting circuit 5 is transmitted to the delay trigger circuit 1 in the gate control circuit 18.
4, a delayed trigger signal with a predetermined pulse width is outputted to the delay circuit 15. At this time, the threshold value for the signal from the pulse generating circuit 5 that is input to the delay trigger circuit 14 is set by the delay trigger threshold setting circuit 11. Delay circuit 15
In this case, the signal from the trigger circuit 10 described above is first output after the input delayed trigger signal turns OFF.
When turned ON, a delayed pulse signal with a predetermined pulse width is output to the gate circuit 16 via the multivibrator 17a. The gate circuit 16 inputs the delayed pulse signal, and simultaneously outputs a gate signal with a predetermined pulse width to the input circuit 9 via the multivibrator 17b when the delayed pulse signal turns OFF.

入力回路9はゲート信号がONの間だけ受信回
路6からの信号をそのままRF検波回路19に出
力する。このRF検波回路19は入力回路9から
の信号の積分値をピーク検波回路20に出力す
る。ピーク検波回路20では、RF検波回路19
から出力される信号の最大値に応じた直流電圧信
号を保持し、外部に設けたオツシロスコープ8へ
と出力する。
The input circuit 9 outputs the signal from the receiving circuit 6 as it is to the RF detection circuit 19 only while the gate signal is ON. This RF detection circuit 19 outputs the integral value of the signal from the input circuit 9 to the peak detection circuit 20. In the peak detection circuit 20, the RF detection circuit 19
A DC voltage signal corresponding to the maximum value of the signal output from the oscilloscope 8 is held and output to an external oscilloscope 8.

なお、モニタ回路12は、上述したゲート信号
をオツシロスコープ8に出力するバツフア、モニ
タシンクロ回路13は、オツシロスコープ8がピ
ークデイテクタ7′からの出力信号の同期信号と
して遅延トリガ信号を出力するためのバツアアで
ある。
The monitor circuit 12 is a buffer that outputs the above-mentioned gate signal to the oscilloscope 8, and the monitor synchronizer circuit 13 is a buffer that outputs a delayed trigger signal from the oscilloscope 8 as a synchronization signal of the output signal from the peak detector 7'. It is a batuaa for doing.

第12図は上記した新触子4の受信信号、ピー
クデイテクタ7′内における遅延トリガ信号、遅
延パルス信号、ゲート信号の関係を示すチヤート
図である。図においてaは探触子4の受信信号を
示し、Tはパルス発信回路5からパルス信号が探
触子4に印加された直後に生じるパルス波、Sは
表面エコー、Fは欠陥部から欠陥エコー、Bは被
検体3の底面からの底面エコーをそれぞれ示す。
bは遅延トリガ回路14からの遅延トリガ信号
を、cは遅延回路15からの遅延パルス信号を、
dはゲート回路16からのゲート信号をそれぞれ
示す。
FIG. 12 is a chart showing the relationship among the received signal of the new probe 4, the delayed trigger signal in the peak detector 7', the delayed pulse signal, and the gate signal. In the figure, a indicates the received signal of the probe 4, T is the pulse wave generated immediately after the pulse signal is applied to the probe 4 from the pulse transmitting circuit 5, S is the surface echo, and F is the defective echo from the defective part. , B show bottom echoes from the bottom of the subject 3, respectively.
b is the delayed trigger signal from the delay trigger circuit 14, c is the delayed pulse signal from the delay circuit 15,
d indicates a gate signal from the gate circuit 16, respectively.

上述したように、パルス発生回路5からパルス
信号が出力されると、パルス幅Ptの遅延トリガ
信号が遅延トリガ回路14から出力される。そし
て、遅延トリガ信号がOFFになつた後、最初に
しきい値Lを超える信号、すなわち、表面エコー
Sが受信されるとパルス幅Pdの遅延パルス信号
が遅延回路15から出力される。そして、遅延パ
ルス信号がOFFになると同時にパルス幅Pgのゲ
ート信号がゲート回路16から出力される。
As described above, when the pulse signal is output from the pulse generation circuit 5, the delay trigger signal with the pulse width Pt is output from the delay trigger circuit 14. Then, after the delayed trigger signal is turned off, when a signal exceeding the threshold L, that is, a surface echo S is received for the first time, a delayed pulse signal with a pulse width Pd is output from the delay circuit 15. Then, at the same time that the delayed pulse signal turns OFF, a gate signal with a pulse width Pg is output from the gate circuit 16.

ところでマルチバイブレータ17により発生可
能な遅延回路15やゲート回路16で設定できる
最小のパルス幅Pd,Pgは約60ns〜80nsで、被検
体3の表面からその内部欠陥までの距離が、セラ
ミツクスの場合を例にとると約350μm以上でな
ければ欠陥エコーFはゲートのパルス幅Pg内に
出現し得ず、したがつて被検体3の表面にきわめ
て近く存在する微細な表層欠陥や、極薄材例えば
厚さ寸法が200μm〜300μm程度の被検体に内在
する微細な欠陥は検出することができず検査でき
ない。さらに被検体の厚さ方向に複数の欠陥が近
接して内在しているような場合にも、所望の任意
の深さにおける欠陥エコーだけに正しくゲートを
かけることができず、欠陥が存在するにもかから
ず探傷をすることができない問題があつた。
By the way, the minimum pulse widths P d and P g that can be set in the delay circuit 15 and gate circuit 16 that can be generated by the multivibrator 17 are about 60 ns to 80 ns, and the distance from the surface of the object 3 to its internal defect is For example, the defect echo F cannot appear within the gate pulse width P g unless it is approximately 350 μm or larger, and therefore, the defect echo F cannot appear within the pulse width P g of the gate. For example, minute defects inherent in a material to be inspected with a thickness of about 200 μm to 300 μm cannot be detected and cannot be inspected. Furthermore, even when multiple defects exist close to each other in the thickness direction of the object, it is not possible to correctly gate only the defect echoes at a desired arbitrary depth, and it is difficult to accurately gate only the defect echoes at a desired depth. There was a problem that it was not possible to perform flaw detection.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

前記したように従来の超音波探傷装置において
は、遅延回路やゲート回路で設定できる最小のパ
ルス幅が約60ns〜80nsと長く、被検体の表層欠陥
や極薄材の被検体に内在する欠陥の検出ができ
ず、また所望の任意の深さにおける欠陥エコーだ
けにゲートをかけることができなかつたため、厚
さ方向に複数の欠陥が近接して内在している場合
には各欠陥の検出ができない問題点を有してい
た。
As mentioned above, in conventional ultrasonic flaw detection equipment, the minimum pulse width that can be set in the delay circuit and gate circuit is long, approximately 60 ns to 80 ns. Since it was not possible to detect and gate only the defect echoes at a desired arbitrary depth, it was not possible to detect each defect when there were multiple defects close to each other in the thickness direction. It had some problems.

本発明は、前記従来技術の問題点を解消するも
のであつて、極薄材の被検体および表層欠陥の探
傷を可能にするとともに、厚さ方向に近接して内
在している複数の欠陥であつても、任意に各欠陥
を探傷することができる超音波探傷装置を提供す
ることを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, and makes it possible to detect defects in the ultra-thin specimen and the surface layer, and to detect multiple defects that are close to each other in the thickness direction. An object of the present invention is to provide an ultrasonic flaw detection device that can detect any flaws, even if they exist.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、液槽内で被検体と相対させ超音波を
送受信する探触子と、 この探触子に対しパルス信号を周期的に印加す
るパルス発信回路と、 前記探触子が受信した超音波信号を増幅する受
信回路とを有する超音波探傷装置に設けられ、 前記パルス発振回路からのパルス信号および前
記受信回路からの増幅信号を入力し、これらの信
号に基づき前記受信回路からの信号を検波しピー
ク値に比例する直流電圧を出力するために、 前記パルス発信回路からのパルス信号を入力し
た後所定のパルス幅を有する遅延トトガ信号を出
力する遅延トリガ回路と、 前記遅延トリガ信号がOFFのときに前記受信
回路から所定値以上の信号が入力さると所定のパ
ルス幅を有する遅延パルス信号を出力する遅延回
路と、 前記遅延パルス信号を入力し、この遅延パルス
信号がOFFになると同時に所定のパルス幅を有
するゲート信号を出力するゲート回路と、 前記受信回路からの信号と前記ゲート信号とを
入力し、ゲート信号に応じて受信回路からの信号
を検波しピーク値に応じた直流電圧信号を出力す
るピーク検波手段とを備えたピークデイテクタの
ゲート設定回路において、 前記遅延パルス信号を入力し、この遅延パルス
信号を所定時間遅延し、さらに、この遅延した信
号と前記遅延パルス信号との論理積を前記ゲート
回路に出力する第1の遅延論理回路と、 前記ゲート信号を入力し、このゲート信号を所
定時間遅延し、さらに、この遅延した信号と前記
ゲート信号との論理積を前記ピーク検波手段に出
力する第2の遅延論理回路とを備える構成にした
ものである。
The present invention provides a probe that is placed opposite to a subject in a liquid bath and transmits and receives ultrasonic waves, a pulse transmission circuit that periodically applies pulse signals to the probe, and ultrasonic waves that are received by the probe. provided in an ultrasonic flaw detection apparatus having a receiving circuit for amplifying a sound wave signal, inputting the pulse signal from the pulse oscillation circuit and the amplified signal from the receiving circuit, and detecting the signal from the receiving circuit based on these signals. In order to output a DC voltage proportional to the detected peak value, a delay trigger circuit outputs a delayed totoga signal having a predetermined pulse width after inputting the pulse signal from the pulse generating circuit, and the delayed trigger signal is turned OFF. a delay circuit that outputs a delayed pulse signal having a predetermined pulse width when a signal of a predetermined value or more is input from the receiving circuit at the time; a gate circuit that outputs a gate signal having a pulse width of; inputting the signal from the receiving circuit and the gate signal; detecting the signal from the receiving circuit according to the gate signal; In the gate setting circuit for a peak detector, the gate setting circuit for a peak detector is provided with a peak detection means for outputting a peak detector, which inputs the delayed pulse signal, delays the delayed pulse signal by a predetermined period of time, and further integrates the delayed signal with the delayed pulse signal. a first delay logic circuit that outputs a logical product to the gate circuit; a first delay logic circuit that receives the gate signal, delays the gate signal for a predetermined period of time, and outputs a logical product of the delayed signal and the gate signal to the peak circuit; This configuration includes a second delay logic circuit that outputs to the detection means.

そして、前記第1の遅延論理回路が、前記遅延
パルス信号を入力し、この遅延パルス信号を所定
時間遅延させる遅延回路と、この遅延回路からの
信号を反転させる反転回路と、この反転回路から
の信号と前記遅延パルス信号とを入力し、両信号
の論理積を演算出力する論理積回路とから構成さ
れ、 一方、前記第2の遅延論理回路が、前記ゲート
信号を入力し、このゲート信号を所定時間遅延さ
せる遅延回路と、この遅延回路からの信号を反転
させる反転回路と、この反転回路からの信号と前
記ゲート信号とを入力し、両信号の論理積を演算
出力する論理積回路とから構成されることが好ま
しい。
The first delay logic circuit includes a delay circuit that receives the delayed pulse signal and delays the delayed pulse signal for a predetermined period of time, an inverting circuit that inverts the signal from the delay circuit, and a delay circuit that inverts the signal from the delay circuit. and an AND circuit that inputs the signal and the delayed pulse signal and calculates and outputs the logical product of both signals.Meanwhile, the second delay logic circuit inputs the gate signal and outputs the gate signal. A delay circuit that delays a predetermined period of time, an inversion circuit that inverts the signal from the delay circuit, and an AND circuit that inputs the signal from the inversion circuit and the gate signal, and calculates and outputs the AND of both signals. Preferably, the configuration is configured.

また、前記第1の遅延論理回路が、前記遅延パ
ルス信号を入力し、この遅延パルス信号を所定時
間遅延させるためにインバータとバツフアとを直
列に所定数接続したパルス遅延回路と、このパル
ス遅延回路からの信号と前記遅延パルス信号とを
入力し、両信号の論理積を演算出力する論理積回
路とから構成され、 一方、前記第2の遅延論理回路が、前記ゲート
信号を入力し、このゲート信号を所所定時間遅延
させるためにインバータとバツフアとを直列に所
定数接続したパルス遅延回路と、このパルス遅延
回路からの信号と前記ゲート信号とを入力し、両
信号の論理積を演算出力する論理積回路とから構
成されることが望ましい。
Further, the first delay logic circuit includes a pulse delay circuit which inputs the delayed pulse signal and has a predetermined number of inverters and buffers connected in series to delay the delayed pulse signal by a predetermined time; and an AND circuit that inputs the signal from the gate signal and the delayed pulse signal and calculates and outputs the logical product of both signals, while the second delay logic circuit inputs the gate signal and outputs the logical product of both signals. A pulse delay circuit including a predetermined number of inverters and buffers connected in series in order to delay a signal for a predetermined time, a signal from this pulse delay circuit and the gate signal are input, and the logical product of both signals is calculated and output. It is desirable that the circuit be constructed from an AND circuit.

〔作用〕[Effect]

本発明は上記のような構成としており、パルス
発信回路からのパルス信号が遅延トリガ回路に入
力されると、所定のパルス幅を有する遅延トリガ
信号が遅延回路に出力される。そして、遅延回路
は遅延トリガ信号がOFFになつた後、受信回路
から所定値以上の信号が入力されると所定のパル
ス幅を有する遅延パルス信号が第1の遅延論理回
路に出力される。この第1の遅延論理回路では、
遅延パルス信号とこの遅延パルス信号が所定時間
遅延された信号との論理積をゲート回路へ出力す
る。ゲート回路では、第1の遅延論理回路からの
信号がOFFになると同時に所定のパルス幅を有
するゲート信号を第2の遅延論理回路に出力す
る。この第2の遅延論理回路では、ゲート信号と
このゲート信号が所定時間遅延された信号との論
理積をピーク検波手段へ出力する。
The present invention has the above configuration, and when a pulse signal from the pulse generating circuit is input to the delay trigger circuit, a delay trigger signal having a predetermined pulse width is output to the delay circuit. When the delay circuit receives a signal of a predetermined value or more from the receiving circuit after the delay trigger signal is turned off, a delay pulse signal having a predetermined pulse width is output to the first delay logic circuit. In this first delay logic circuit,
The logical product of the delayed pulse signal and a signal obtained by delaying the delayed pulse signal by a predetermined time is output to the gate circuit. The gate circuit outputs a gate signal having a predetermined pulse width to the second delay logic circuit at the same time as the signal from the first delay logic circuit turns OFF. This second delay logic circuit outputs the logical product of the gate signal and a signal obtained by delaying the gate signal by a predetermined time to the peak detection means.

以上のように本発明では、パルス発信回路から
パルス信号が出力され、遅延トリガ信号のパネス
幅に相当する時間が経過した後、受信回路からし
きい値以上の信号が入力されると、この時点から
第1の遅延論理回路によつて遅延パルス信号を所
定時間遅延させるまでの遅延時間に相当する信号
がゲート回路に入力される。そして、この信号が
OFFになつた時点から第2の遅延論理回路によ
つてゲート信号を所定時間遅延させるまでの遅延
時間に相当する信号が、新たなゲート信号として
ピーク検波手段に出力される。これにより、第1
の遅延論理回路での遅延時間と第2の遅延論理回
路での遅延時間の設定によつて、ゲート信号の
ON時間、あるいは、ゲート信号の立ち上げのタ
イミングを任意に調整することができる。
As described above, in the present invention, when a pulse signal is output from the pulse transmitting circuit and a time corresponding to the panel width of the delayed trigger signal has elapsed, when a signal equal to or higher than the threshold value is input from the receiving circuit, at this point A signal corresponding to the delay time from when the delayed pulse signal is delayed for a predetermined time by the first delay logic circuit is input to the gate circuit. And this signal
A signal corresponding to the delay time from when the gate signal is turned off to when the gate signal is delayed for a predetermined time by the second delay logic circuit is outputted to the peak detection means as a new gate signal. This allows the first
By setting the delay time in the first delay logic circuit and the delay time in the second delay logic circuit, the gate signal is
The ON time or the timing of the rise of the gate signal can be adjusted as desired.

したがつて、被検体の表面に存在する表層欠陥
に対しても正確に欠陥検出を行うことができる。
Therefore, even surface defects present on the surface of the object can be accurately detected.

〔実施例〕〔Example〕

本発明の実施例を第1図ないし第4図を参照し
て説明する。図において第10図ないし第12図
と同一符号のものは同じものを示す。第1図ない
し第4図は第1の実施例の説明図で、第1図はピ
ークデイテクタの主要ブロツク回路図、第2図は
第1図の主要部の詳細ブロツク回路図、第3図は
その特性線図、第4図は被検体の厚さ方向に複数
の欠陥が近接して内在している場合のエコーパタ
ーンである。この第1の実施例は、第11図に示
した従来技術によるピークデイテクタ7′に、遅
延パルス信号とこの遅延パルス信号を所定時間遅
延させた信号との論理積をゲート回路16に出力
する遅延論理回路25aと、ゲート回路16から
のゲート信号とこのゲート信号を所定時間遅延さ
せた信号との論理積を演算出力する遅延論理回路
25bとを付加したものとなつている。
Embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4. In the figures, the same reference numerals as in FIGS. 10 to 12 indicate the same things. Figures 1 to 4 are explanatory diagrams of the first embodiment, where Figure 1 is a main block circuit diagram of the peak detector, Figure 2 is a detailed block circuit diagram of the main part of Figure 1, and Figure 3 is a detailed block circuit diagram of the main part of Figure 1. 4 is a characteristic diagram thereof, and FIG. 4 is an echo pattern when a plurality of defects are present close to each other in the thickness direction of the object. In this first embodiment, the peak detector 7' according to the prior art shown in FIG. It has a delay logic circuit 25a and a delay logic circuit 25b which calculates and outputs the AND of the gate signal from the gate circuit 16 and a signal obtained by delaying the gate signal by a predetermined time.

そして、遅延論理回路25aは、マルチバイブ
レータ17aを介し入力される遅延パルス信号を
所定時間遅延させる遅延回路、例えば遅延素子2
2aと、この遅延素子22aからの信号を反転し
て出力する反転回路23aと、遅延パルス信号と
反転回路23aからの出力信号との論理積を演算
出力する論理回路24aとからなる。一方、遅延
論理回路25bは、マルチバイブレータ17bを
介して入力されるゲート信号を所定時間遅延させ
る遅延回路、例えば遅延素子22bと、この遅延
素子22bからの信号を反転して出力する反転回
路23bと、遅延パルス信号と反転回路23bか
らの出力信号との論理積を演算出力する論理回路
24bとから構成されている。
The delay logic circuit 25a is a delay circuit that delays a delay pulse signal inputted through the multivibrator 17a for a predetermined time, such as a delay element 2.
2a, an inversion circuit 23a that inverts and outputs the signal from the delay element 22a, and a logic circuit 24a that calculates and outputs the AND of the delayed pulse signal and the output signal from the inversion circuit 23a. On the other hand, the delay logic circuit 25b includes a delay circuit that delays a gate signal input via the multivibrator 17b for a predetermined period of time, such as a delay element 22b, and an inversion circuit 23b that inverts and outputs the signal from this delay element 22b. , and a logic circuit 24b that calculates and outputs the AND of the delayed pulse signal and the output signal from the inversion circuit 23b.

被検体に内在する欠陥が表層欠陥の場合、また
は被検体が極薄材で欠陥を内在している場合等に
は、欠陥エコーFは表面エコーSときわめて接近
して出現し、そのエコーパターンは1例として第
3図のaのようになる。パルス発信回路からのパ
ルス信号が、しきい値Lを超すと直ちに遅延トリ
ガ回路14が作動してbに示すようにパルス幅
Ptの遅延トリガ信号が遅延回路15に出力され、
この遅延トリガ信号がOFFとなつた後表面エコ
ーSがしきい値Lを超すと、cに示すようにパル
ス幅Pdの遅延パルス信号がマルチバイブレータ
17aを介し遅延論理回路25aに出力される。
そして、遅延論理回路25aを形成する遅延素子
22aは、dに示すように入力した遅延パルス信
号を予め設定した時間P′dだけ遅延し反転回路2
3aに出力する。反転回路23aはeに示すよう
にP′dだけ遅延された遅延パルス信号を反転し、
論理積回路24aに出力する。論理積回路24a
は、マルチバイブレータ17aから直接入力され
る遅延パルス信号と反転回路23aからの信号と
の論理積を出力する。この論理積回路24aから
の信号は、fに示すように表面エコーSが受信さ
れた直後に立ち上がり、遅延素子22aに設定さ
れる遅延時間P′dに相当するパルス幅を有する信
号となる。
If the defect inherent in the object is a surface defect, or if the object is an extremely thin material and contains a defect, the defect echo F will appear very close to the surface echo S, and the echo pattern will be An example is shown in a of FIG. As soon as the pulse signal from the pulse generator circuit exceeds the threshold value L, the delay trigger circuit 14 is activated and the pulse width is increased as shown in b.
The delayed trigger signal of Pt is output to the delay circuit 15,
When the surface echo S exceeds the threshold value L after the delayed trigger signal is turned off, a delayed pulse signal with a pulse width Pd is outputted to the delay logic circuit 25a via the multivibrator 17a, as shown in c.
Then, the delay element 22a forming the delay logic circuit 25a delays the input delay pulse signal by a preset time P'd as shown in d, and sends the input delay pulse signal to the inverting circuit 25a.
Output to 3a. The inverting circuit 23a inverts the delayed pulse signal delayed by P'd as shown in e,
It is output to the AND circuit 24a. AND circuit 24a
outputs the AND of the delayed pulse signal input directly from the multivibrator 17a and the signal from the inversion circuit 23a. The signal from the AND circuit 24a rises immediately after the surface echo S is received, as shown in f, and has a pulse width corresponding to the delay time P'd set in the delay element 22a.

そして、この信号はゲート回路16に入力さ
れ、この信号がOFFになると同時にゲート回路
16からgに示すようにパルス幅Pgのゲート信
号が出力される。このゲート信号はマルチバイブ
レータ17bを介し、遅延論理回路25bに入力
される。。そして、遅延論理理回路25bを形成
する遅延素子22bは、hに示すように入力した
ゲート信号を予め設定した時間P′gだけ遅延し反
転回路23bに出力する。反転回路23bはiに
示すようにP′gだけ遅延されたゲート信号を反転
し、論理積回路24bに出力する。論理積回路2
4bは、マルチバイブレータ17bから直接入力
されるゲート信号と反転回路23bからの信号と
の論理積を出力する。この論理積回路24bから
の信号は、jに示すように遅延素子22bに設定
される遅延時間P′gに相当するパルス幅を有する
信号となる。
This signal is then input to the gate circuit 16, and at the same time as this signal is turned OFF, a gate signal with a pulse width Pg is outputted from the gate circuit 16 as shown in g. This gate signal is input to the delay logic circuit 25b via the multivibrator 17b. . The delay element 22b forming the delay logic circuit 25b delays the input gate signal by a preset time P'g and outputs the delayed signal to the inversion circuit 23b, as shown in h. The inverting circuit 23b inverts the gate signal delayed by P'g as shown in i, and outputs it to the AND circuit 24b. AND circuit 2
4b outputs the AND of the gate signal directly input from the multivibrator 17b and the signal from the inverting circuit 23b. The signal from the AND circuit 24b becomes a signal having a pulse width corresponding to the delay time P'g set in the delay element 22b, as shown in j.

そして、遅延素子22a,22bはそれぞれの
遅延時間を任意に設定できるため、各論理積回路
24a,24bから出力される信号のパルス幅
P′d,P′gもこれに伴い任意に調整することがで
きる。換言すれば遅延時間P′gは欠陥エコーFの
出現している時間幅に対応して設定されるから、
jの論理積パルスは欠陥エコーFの時間幅に対応
して任意に設定することができる。このことは例
えば第4図に示すようにエコーパターンが、被検
体の厚さ方向に複数の欠陥エコーF1,F2,F3
近接して内在していることを示している場合であ
つても、各欠陥エコーまたは任意の欠陥エココー
に対して任意にそれぞれゲートをかけることがで
きることを示しており、複数の近接して内在する
欠陥の探傷をも可能にしたものである。
Since the delay elements 22a and 22b can set their respective delay times arbitrarily, the pulse width of the signals output from the AND circuits 24a and 24b is
P′d and P′g can also be adjusted arbitrarily accordingly. In other words, since the delay time P'g is set corresponding to the time width in which the defective echo F appears,
The AND pulse of j can be arbitrarily set corresponding to the time width of the defective echo F. This is true, for example, when the echo pattern shows that multiple defective echoes F 1 , F 2 , and F 3 are located close to each other in the thickness direction of the object, as shown in FIG. This shows that it is possible to arbitrarily apply gates to each defect echo or any defective echo, making it possible to detect multiple defects that exist in close proximity.

第5図ないし第9図は第2の実施例の説明図
で、第5図はピークデイテクタの主要部の詳細ブ
ロツク回路図、第6図はその特性線図、第7図は
第5図内のパルス遅延回路の1例を説明する図
で、第7図aはその構成を示すブロツク図、第7
図bはパルスの伝搬特性図である。第8図は第5
図におけるパルス遅延回路の他の例の説明図で、
第8図aはその構成のブロツク図、第8図bはパ
ルスの伝搬特性図、第9図は第8図の他の例の説
明図で第9図aは構成のブロツク図、第9図bは
パルスの伝搬特性図である。本実施例は前記第1
の実施例における遅延論理回路25a,25bの
構成が異なるほかは同一である。遅延論理回路2
8aは、マルチバイブレータ17aを介し入力さ
れる遅延回路15からの遅延パルス信号を任意の
時間だけ遅延させる論理素子のインバータやバツ
フアで構成されるパルス遅延回路26aと、パル
ス遅延回路26aの出力パルスとマルチバイブレ
ータ17aの出力パルスとの論理積を出力する論
理積回路27aとより構成されており、一方の遅
延論理回路28bは前記遅延論理回路28aと同
様の構成である。
5 to 9 are explanatory diagrams of the second embodiment, in which FIG. 5 is a detailed block circuit diagram of the main part of the peak detector, FIG. 6 is its characteristic diagram, and FIG. 7 is the diagram shown in FIG. Figure 7a is a block diagram showing the configuration of the pulse delay circuit.
Figure b is a pulse propagation characteristic diagram. Figure 8 is the 5th
An explanatory diagram of another example of the pulse delay circuit in the figure.
FIG. 8a is a block diagram of the configuration, FIG. 8b is a pulse propagation characteristic diagram, FIG. 9 is an explanatory diagram of another example of FIG. 8, and FIG. 9a is a block diagram of the configuration. b is a pulse propagation characteristic diagram. In this embodiment, the first
This embodiment is the same except that the configurations of the delay logic circuits 25a and 25b are different. Delay logic circuit 2
8a is a pulse delay circuit 26a which is composed of an inverter or a buffer of logic elements that delays the delayed pulse signal input from the delay circuit 15 via the multivibrator 17a by an arbitrary time; and an output pulse of the pulse delay circuit 26a. It is composed of an AND circuit 27a that outputs an AND with the output pulse of the multivibrator 17a, and one delay logic circuit 28b has the same structure as the delay logic circuit 28a.

前記第3図のaのように、欠陥エコーFと表面
エコーSとがきわめて接近して出現するエコーパ
ターンと同様のエコーパターンを第6図のaに示
す。探触子より超音波が発射されbの遅延トリガ
信号がOFFになつたのち表面エコーSがしきい
値Lを超すと、cに示すように遅延回路15によ
つてパルス幅Pdの遅延パルス信号がマルチバイ
ブレータ17aを介し遅延論理回路28aに出力
される。パルス遅延回路26aは、例えば第7図
aに示すようにインバータ29とバツフア30で
構成され、そのスイツチング特性から入力パルス
に対する出力パルスの伝搬遅延時間を生じ、通常
1段で約10ns遅れる。パルス遅延回路26aの入
口をx端、インバータ29とバツフア30との接
続点をy端、パルス遅延回路26aの出口をz端
とすると、第7図bに示すようにy端ではx端よ
り約10ns遅延して伝搬され、z端ではさらに約
10ns遅延して伝搬する特性を有する。このような
特性を有するパルス遅延回路26aを通過したパ
ルスは、第6図のdのパルス遅延となる。このd
のパルス遅延とcの遅延パルスとを論理積回路2
7aに入力し両パルスの論理積をとる。論理積を
とつたeの論理積パルスは、パルス遅延回路26
aで遅延した時間P′d(第7図bの例では約20ns)
と同幅のパルス幅となり、遅延論理回路28aよ
り出力される。出力されたeの論理積パルスは、
マルチバイブレータ17bを介しゲート回路16
に出力される。
FIG. 6 a shows an echo pattern similar to the echo pattern in which the defect echo F and the surface echo S appear very close to each other as shown in FIG. 3 a. When the surface echo S exceeds the threshold L after the ultrasonic wave is emitted from the probe and the delayed trigger signal b turns OFF, the delay circuit 15 generates a delayed pulse signal with a pulse width Pd as shown in c. is output to the delay logic circuit 28a via the multivibrator 17a. The pulse delay circuit 26a is composed of an inverter 29 and a buffer 30, for example, as shown in FIG. 7a, and its switching characteristics cause a propagation delay time of the output pulse with respect to the input pulse, and usually one stage is delayed by about 10 ns. Assuming that the inlet of the pulse delay circuit 26a is the x end, the connection point between the inverter 29 and the buffer 30 is the y end, and the exit of the pulse delay circuit 26a is the z end, the y end is about It is propagated with a delay of 10ns, and approximately
It has the characteristic of propagating with a 10ns delay. The pulse that has passed through the pulse delay circuit 26a having such characteristics has a pulse delay of d in FIG. 6. This d
The AND circuit 2 combines the pulse delay of and the delayed pulse of c.
7a, and the AND of both pulses is taken. The AND pulse of e obtained by ANDing is sent to the pulse delay circuit 26.
The time P′ d delayed by a (approximately 20 ns in the example of Fig. 7 b)
The pulse width is the same as that of the pulse width, and is output from the delay logic circuit 28a. The output logical product pulse of e is
Gate circuit 16 via multivibrator 17b
is output to.

一方、ゲート回路16に入力された信号が
OFFになると同時に、ゲート回路16は、fに
示すようにパルス幅Pgのパルス信号をマルチバ
イブレータ17bを介し遅延論理回路28bに出
力する。パルス遅延回路26bは前記パルス遅延
回路26aと同様の構成および伝搬特性を有し、
パルス遅延回路26bを通過したパルスは第6図
のgのパルス遅延となる。このgのパルス遅延と
fのゲートパルスとを論理積回路27bに入力し
両パルスの論理積をとる。論理積をとつたhの論
理積パルスは、パルス遅延回路26bで遅延した
時間P′g(第7図bの例では約20ns)と同幅のパル
ス幅となり、遅延論理回路28bより出力され
る。
On the other hand, the signal input to the gate circuit 16 is
At the same time as turning off, the gate circuit 16 outputs a pulse signal with a pulse width Pg to the delay logic circuit 28b via the multivibrator 17b, as shown in f. The pulse delay circuit 26b has the same configuration and propagation characteristics as the pulse delay circuit 26a,
The pulse that has passed through the pulse delay circuit 26b has a pulse delay of g in FIG. This pulse delay of g and the gate pulse of f are input to the AND circuit 27b, and the AND of both pulses is calculated. The ANDed pulse of h has the same pulse width as the time P′ g delayed by the pulse delay circuit 26b (approximately 20 ns in the example of FIG. 7b), and is output from the delay logic circuit 28b. .

前記eおよびhの論理積パルスは、第7図に示
したパルス遅延回路26a,26bの構成のほ
か、インバータ29およびバツフア30の組合わ
せおよび接続段数を変更する種々の構成を採用す
ることにより、任意の位置に任意のパルス幅で設
定することができる。例えば第8図aはパルス遅
延回路26a,26bにインバータ29を4段接
続した場合を示し、その場合の遅延時間は、第8
図bに示すようにx端に入力されたパルスがz端
で約10ns×4=40ns遅延となる。また第9図aは
インバータ29を4段とバツフア30を1段組合
わせ計5段を接続したもので、この場合には第9
図bに示すように、x端の入力に対し約10ns×5
=50nsの遅延がz端に生じることになる。したが
つて入力パルスを任意の段数の位置から出力する
ことにより遅延時間は任意に設定され、eおよび
hの論理積パルスのパルス幅は任意に設定できる
ことになり、単数の欠陥はもちろん、前記第4図
に示したエコーパターンのように被検体の厚さ方
向に複数の欠陥が近接して内在している場合で
も、各欠陥に対してまたは所望の深さの欠陥に対
して任意にそれぞれゲートをかけることができ
る。
The AND pulses e and h can be generated by adopting various configurations that change the combination of the inverter 29 and the buffer 30 and the number of connected stages, in addition to the configuration of the pulse delay circuits 26a and 26b shown in FIG. It can be set at any position and with any pulse width. For example, FIG. 8a shows a case where four stages of inverters 29 are connected to the pulse delay circuits 26a and 26b, and the delay time in that case is
As shown in Figure b, the pulse input to the x end is delayed by approximately 10 ns x 4 = 40 ns at the z end. In addition, Fig. 9a shows a configuration in which 4 stages of inverters 29 and 1 stage of buffer 30 are connected, totaling 5 stages.
As shown in Figure b, approximately 10ns x 5 for the input at the x end.
=50ns delay will occur at the z end. Therefore, by outputting the input pulse from any number of stages, the delay time can be set arbitrarily, and the pulse width of the AND pulse of e and h can be set arbitrarily. Even when there are multiple defects close to each other in the thickness direction of the object as shown in the echo pattern shown in Figure 4, gates can be set arbitrarily for each defect or for a defect at a desired depth. can be applied.

なお前記構成からわかるように第3図および第
6図に示すcの遅延パルスは欠陥エコーFを含ん
だパルス幅に設定しても何等支障はない。
As can be seen from the above configuration, there is no problem even if the delayed pulse c shown in FIGS. 3 and 6 is set to a pulse width that includes the defective echo F.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、ピークデイテク
タのゲート設定回路において、遅延パルス信号を
入力し、この遅延パルス信号を所定時間遅延し、
さらに、この遅延した信号と前記遅延パルス信号
との論理積をゲート回路に出力する第1の遅延論
理回路と、ゲート信号を入力し、このゲート信号
を所定時間遅延し、さらに、この遅延した信号と
前記ゲート信号との論理積をピーク検波手段に出
力する第2の遅延論理回路とを備える構成にした
から、極薄材の被検体の探傷、表層欠陥の探傷を
可能にするとともに、被検体の厚さ方向に近接し
て内在している複数の欠陥であつても、所望の探
傷対象欠陥に対してゲートをかけることができ精
度よく探傷することを可能にした実用上優れた効
果を有する。
As explained above, the present invention inputs a delayed pulse signal to the gate setting circuit of a peak detector, delays this delayed pulse signal for a predetermined time, and
Furthermore, a first delay logic circuit outputs the logical product of the delayed signal and the delayed pulse signal to the gate circuit; Since the configuration includes a second delay logic circuit that outputs the AND of the gate signal and the gate signal to the peak detection means, it is possible to detect defects in ultra-thin materials and surface defects, and Even if there are multiple defects that are close to each other in the thickness direction, gates can be applied to the desired defects to be detected, making it possible to perform accurate flaw detection, which has excellent practical effects. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の第1の実施例のピークデイテ
クタの主要ブロツク回路図、第2図は第1図の主
要部の詳細ブロツク回路図、第3図は第1図の特
性線図、第4図は被検体の厚さ方向に複数の欠陥
が近接して内在している場合のエコーパターンの
1例を示す図、第5図は本発明の第2の実施例の
ピークデイテクタの主要部の詳細ブロツク回路
図、第6図は第5図の特性線図、第7図は第5図
のパルス遅延回路の1例を示す図で、第7図aは
構成を示すブロツク図、第7図bはパルスの伝搬
特性図、第8図は第5図のパルス遅延回路の他の
例を示す図で、第8図aは構成ブロツク図、第8
図bはパルスの伝搬特性図、第9図は第8図の他
の例を示す図で、第9図aは構成ブロツク図、第
9図bはパルスの伝搬特性図である。第10図は
超音波探傷装置の構成説明図、第11図は従来の
ピークデイテクタの主要ブロツク回路図、第12
図は第11図の特性線図である。
FIG. 1 is a main block circuit diagram of a peak detector according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a detailed block circuit diagram of the main part of FIG. 1, and FIG. 3 is a characteristic diagram of FIG. 1. FIG. 4 shows an example of an echo pattern when a plurality of defects exist close to each other in the thickness direction of the object, and FIG. 5 shows an example of an echo pattern of a peak detector according to a second embodiment of the present invention. A detailed block circuit diagram of the main parts, FIG. 6 is a characteristic diagram of FIG. 5, FIG. 7 is a diagram showing an example of the pulse delay circuit of FIG. 5, and FIG. 7a is a block diagram showing the configuration. 7b is a pulse propagation characteristic diagram, FIG. 8 is a diagram showing another example of the pulse delay circuit of FIG. 5, FIG. 8a is a configuration block diagram, and FIG.
FIG. 9b is a pulse propagation characteristic diagram, FIG. 9 is a diagram showing another example of FIG. 8, FIG. 9a is a block diagram, and FIG. 9b is a pulse propagation characteristic diagram. Fig. 10 is an explanatory diagram of the configuration of an ultrasonic flaw detection device, Fig. 11 is a main block circuit diagram of a conventional peak detector, and Fig. 12 is an explanatory diagram of the configuration of an ultrasonic flaw detection device.
The figure is a characteristic diagram of FIG. 11.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 液槽内で被検体と相対させ超音波を送受信す
る探触子と、 この探触子に対しパルス信号を周期的に印加す
るパルス発信回路と、 前記探触子が受信した超音波信号を増幅する受
信回路とを有する超音波探傷装置に設けられ、 前記パルス発信回路からのパルス信号および前
記受信回路からの増幅信号を入力し、これらの信
号に基づき前記受信回路からの信号を検波しピー
ク値に比例する直流電圧を出力するために、 前記パルス発信回路からのパルス信号を入力し
た後所定のパルス幅と有する遅延トリガ信号を出
力する遅延トリガ回路と、 前記遅延トリガ信号がOFFのときに前記受信
回路から所定値以上の信号が入力されると所定の
パルス幅を有する遅延パルス信号を出力する遅延
回路と、 前記遅延パルス信号を入力し、この遅延パルス
信号がOFFになると同時に所定のパルス幅を有
するゲート信号を出力するゲート回路と、 前記受信回路からの信号と前記ゲート信号とを
入力し、ゲート信号に応じて受信回路からの信号
を検波しピーク値に応じた直流電圧信号を出力す
るピーク検波手段とを備えたピークデイテクタの
ゲート設定回路において、 前記遅延パルス信号を入力し、この遅延パルス
信号を所定時間遅延し、さらに、この遅延した信
号と前記遅延パルス信号との論理積を前記ゲート
回路に出力する第1の遅延論理回路と、 前記ゲート信号を入力し、このゲート信号を所
定時間遅延し、さらに、この遅延した信号と前記
ゲート信号との論理積を前記ピーク検波手段に出
力する第2の遅延論理回路とを備えたことを特徴
とするピークデイテクタのゲート設定回路。 2 前記第1の遅延論理回路は、前記遅延パルス
信号を入力し、この遅延パルス信号を所定時間遅
延させる遅延回路と、この遅延回路からの信号を
反転させる反転回路と、この反転回路からの信号
前記遅延パルス信号とを入力し、両信号の論理積
を演算出力する論理積回路とから構成され、 さらに、前記第2の遅延論理回路は、前記ゲー
ト信号を入力し、このゲート信号を所定時間遅延
させる遅延回路と、この遅延回路からの信号を反
転させる反転回路と、この反転回路からの信号と
前記ゲート信号とを入力し、両信号の論理積を演
算出力する論理積回路とから構成されることを特
徴とする請求項1に記載のピークデイテクタのゲ
ート設定回路。 3 前記第1の遅延論理回路は、前記遅延パルス
信号を入力し、この遅延パルス信号を所定時間遅
延させるためにインバータとバツフアとを直列に
所定数接続したパルス遅延回路と、このパルス遅
延回路からの信号と前記遅延パルス信号とを入力
し、両信号の論理積を演算出力する論理積回路と
から構成され、 さらに、前記第2の遅延論理回路は、前記ゲー
ト信号を入力し、このゲート信号を所定時間遅延
させるためにインバータバツフアとを直列に所定
数接続したパルス遅延回路と、このパルス遅延回
路からの信号と前記ゲート信号とを入力し、両信
号の論理積を演算出力する論理積回路とから構成
されることを特徴とする請求項1に記載のピーク
デイテクタのゲート設定回路。
[Scope of Claims] 1. A probe that is placed opposite to a subject in a liquid tank and transmits and receives ultrasonic waves; A pulse generating circuit that periodically applies pulse signals to the probe; provided in an ultrasonic flaw detection apparatus having a receiving circuit that amplifies a received ultrasonic signal, inputs a pulse signal from the pulse transmitting circuit and an amplified signal from the receiving circuit, and receives an amplified signal from the receiving circuit based on these signals. a delay trigger circuit that outputs a delayed trigger signal having a predetermined pulse width after inputting the pulse signal from the pulse generating circuit in order to detect the signal and output a DC voltage proportional to the peak value; a delay circuit that outputs a delayed pulse signal having a predetermined pulse width when a signal of a predetermined value or more is input from the receiving circuit when the signal is OFF; a gate circuit that outputs a gate signal having a predetermined pulse width at the same time that A gate setting circuit for a peak detector is provided with a peak detection means for outputting a DC voltage signal, which inputs the delayed pulse signal, delays the delayed pulse signal by a predetermined time, and further combines the delayed signal with the delayed signal. a first delay logic circuit that outputs an AND with a pulse signal to the gate circuit; a first delay logic circuit that receives the gate signal and delays the gate signal for a predetermined time; A gate setting circuit for a peak detector, comprising: a second delay logic circuit that outputs the product to the peak detection means. 2. The first delay logic circuit includes a delay circuit that inputs the delayed pulse signal and delays the delayed pulse signal by a predetermined time, an inverting circuit that inverts the signal from the delay circuit, and a signal from the inverting circuit. and an AND circuit that inputs the delayed pulse signal and calculates and outputs the logical product of both signals, and further, the second delay logic circuit inputs the gate signal and outputs the logical product of both signals for a predetermined period of time. It consists of a delay circuit that delays, an inversion circuit that inverts the signal from this delay circuit, and an AND circuit that inputs the signal from this inversion circuit and the gate signal, and calculates and outputs the AND of both signals. 2. A gate setting circuit for a peak detector according to claim 1. 3. The first delay logic circuit includes a pulse delay circuit in which a predetermined number of inverters and buffers are connected in series to input the delayed pulse signal and delay the delayed pulse signal for a predetermined time; and an AND circuit that inputs the signal and the delayed pulse signal and calculates and outputs the logical product of both signals, and further, the second delay logic circuit inputs the gate signal and outputs the logical product of the gate signal. a pulse delay circuit in which a predetermined number of inverter buffers are connected in series in order to delay the output for a predetermined time; and an AND circuit that inputs the signal from this pulse delay circuit and the gate signal, and calculates and outputs the AND of both signals. 2. The gate setting circuit for a peak detector according to claim 1, further comprising a gate setting circuit for a peak detector.
JP61120278A 1986-05-27 1986-05-27 Ultrasonic flaw detector Granted JPS62277559A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61120278A JPS62277559A (en) 1986-05-27 1986-05-27 Ultrasonic flaw detector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61120278A JPS62277559A (en) 1986-05-27 1986-05-27 Ultrasonic flaw detector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62277559A JPS62277559A (en) 1987-12-02
JPH0569382B2 true JPH0569382B2 (en) 1993-09-30

Family

ID=14782278

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61120278A Granted JPS62277559A (en) 1986-05-27 1986-05-27 Ultrasonic flaw detector

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62277559A (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62277559A (en) 1987-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1133519A (en) Material tester
US3555889A (en) Ultrasonic inspection apparatus
US2889705A (en) Material thickness and deflect testing device
US3624712A (en) Ultrasonic pulse echo thickness-measuring device
US3427867A (en) Ultrasonic attenuation meter
JPH0569382B2 (en)
US3832887A (en) Ultrasonic inspection apparatus
US3690156A (en) Noise gate for ultrasonic test apparatus
GB1332898A (en) Nondestructive examination of materials
US3733891A (en) Gating systems used with nondestructive material testers and the like
US3115771A (en) Method and apparatus for ultrasonic shearwave inspection
Gushchina et al. Development of the experimental equipment for measuring the velocity of ultrasonic waves with high accuracy
US4033176A (en) Pocket-sized, direct-reading ultrasonic thickness gauge
RU2034236C1 (en) Ultrasound echo thickness gage
JP2728265B2 (en) Equipment for measuring the thickness of objects with coatings
EP0324855A1 (en) Method and apparatus for ultrasonic flaw detection
Budenkov et al. Acoustic nondestructive testing of rods using multiple reflections
JPH067124B2 (en) Ultrasonic flaw detector
Gao et al. New developments in EMAT techniques for surface inspection
JPS61256255A (en) Ultrasonic flaw detection apparatus
JPS62163964A (en) Ultrasonic flaw detection method
JP3207740B2 (en) Defect position estimation device
US3166931A (en) Ultrasonic inspection apparatus using short elastic pulses
JPH04350554A (en) Ultrasonic inspection
JP2812688B2 (en) Measuring method of thickness of coated object