JPH0669316A - Substrate treatment apparatus - Google Patents

Substrate treatment apparatus

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JPH0669316A
JPH0669316A JP25000392A JP25000392A JPH0669316A JP H0669316 A JPH0669316 A JP H0669316A JP 25000392 A JP25000392 A JP 25000392A JP 25000392 A JP25000392 A JP 25000392A JP H0669316 A JPH0669316 A JP H0669316A
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tray
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supporting
processed
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孝浩 中東
Akira Doi
陽 土居
So Kuwabara
創 桑原
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Abstract

PURPOSE:To execute a desired substrate treatment efficiently as compared with a batch treatment-type substrate treatment apparatus in conventional cases and even as compared with a substrate treatment apparatus, of an in-line type or the like, in which substrates to be treated can be fed sequentially. CONSTITUTION:A substrate treatment apparatus is provided with a loading chamber 1 in which a substrate S to be treated is loaded, with a substrate preliminary heating chamber 2, with process chambers P1 to P4 which execute an intended treatment to the substrate, with a preliminary cooling chamber 4 which cools the substrate after the treatment, with an unloading chamber 5 which takes out the treated substrate S, with substrate transfer chambers 3A, 3B which connect them, with a substrate support tray which supports the substrate and with tray transfer conveyors 80, 20, 311, 321, CV, 40, 80A which move the tray between the chambers.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置、その他各
種半導体デバイス等の各種薄膜デバイスにおける基板に
所定の薄膜を形成したり、形成した薄膜をエッチングし
て所定パターンを形成する等の基板処理を行う装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate treatment such as forming a predetermined thin film on a substrate in various thin film devices such as liquid crystal display devices and various semiconductor devices, and etching the formed thin film to form a predetermined pattern. Related to the device.

【0002】[0002]

【従来の技術】薄膜デバイスの基板に所定の薄膜を形成
するにあたっては、プラズマCVD法、スパッタリング
法等が採用され、また形成した薄膜から配線パターン等
を形成するにあたっては、プラズマエッチング等の各種
ドライエッチングが採用されている。このような基板処
理を行う従来の装置は、基板を1枚1枚処理するもの、
特開昭60−77971号公報に開示されているよう
に、複数枚をセットしておいてバッチ処理するもの、特
開昭62−161959号公報に開示され、或いは図1
8に示すように、被処理基板を順次供給して連続的に処
理を行うもの等、各種タイプのものが知られている。
2. Description of the Related Art A plasma CVD method, a sputtering method or the like is used to form a predetermined thin film on a substrate of a thin film device, and various dry processes such as plasma etching are used to form a wiring pattern or the like from the formed thin film. Etching is adopted. A conventional apparatus for performing such substrate processing is one that processes each substrate one by one,
As disclosed in JP-A-60-77971, a plurality of sheets are set and batch-processed, disclosed in JP-A-62-161959, or in FIG.
As shown in FIG. 8, various types are known, such as those in which substrates to be processed are sequentially supplied and processed continuously.

【0003】特開昭60−77971号公報に記載の基
板処理装置では、基板支持トレイが垂直状に立てた姿勢
でプロセス室に設置され、基板は該トレイの両面に立て
て支持され、処理される。また、特開昭62−1619
59号公報記載の装置では、基板が平坦水平状の姿勢で
連続的に供給され、その姿勢で一方向に進められて処理
を受ける。
In the substrate processing apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 60-77971, a substrate supporting tray is installed in a process chamber in an upright posture, and substrates are vertically supported on both sides of the tray for processing. It Also, JP-A-62-1619
In the apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 59, the substrate is continuously supplied in a flat and horizontal posture, and is advanced in one direction in that posture to be processed.

【0004】図18に例示する装置は、基板に窒化シリ
コン(SiN)膜、アモルファスシリコン(a−Si)
膜、n型アモルファスシリコン膜(又は窒化シリコン)
膜を順次形成するための、いわゆるインライン型の基板
処理装置で、被処理基板を装着するロード室901、処
理済基板を取り外すアンロード室902、それら両室の
間に順次配置された予備加熱室903、第1プロセス室
904、冷却室905、第2プロセス室906、第3プ
ロセス室907等を有するものである。基板はロード室
901においてトレイ移動手段上の基板支持トレイの両
面にそれぞれ1又は複数枚ずつ装着され、該トレイ移動
手段にて立てた姿勢でロード室901からアンロード室
902の方へ一方向に搬送され、途中、処理を受ける。
アンロード室902では処理済基板が基板支持トレイご
と取り出され、該トレイから取り外される。空になった
トレイはロード室901に戻される。
The device illustrated in FIG. 18 has a silicon nitride (SiN) film and an amorphous silicon (a-Si) film on a substrate.
Film, n-type amorphous silicon film (or silicon nitride)
In a so-called in-line type substrate processing apparatus for sequentially forming films, a load chamber 901 for mounting a substrate to be processed, an unload chamber 902 for removing a processed substrate, and a preheating chamber sequentially arranged between the chambers. 903, a first process chamber 904, a cooling chamber 905, a second process chamber 906, a third process chamber 907, and the like. In the load chamber 901, one or a plurality of substrates are mounted on both sides of the substrate supporting tray on the tray moving unit, and the substrate is moved in one direction from the load chamber 901 to the unload chamber 902 in an upright position by the tray moving unit. Transported and processed on the way.
In the unload chamber 902, the processed substrate is taken out together with the substrate supporting tray and removed from the tray. The empty tray is returned to the load chamber 901.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、特開昭60−
77971号公報記載の装置では、基板はトレイの両面
に立てて支持され、その姿勢で処理を受けるので、複数
枚を一度にバッチ処理できるものの、同一の被処理基板
に対し、異なる処理を次々と能率良く行えない。また、
図18に示す装置や特開昭62−161959号公報記
載の装置では、バッチ処理に比べると、基板を次々に連
続的に処理できるものの、装置全体の中で、処理の遅い
部分があると、全体の処理進行がその部分に支配されて
遅れてしまうし、ある位置でトラブルが発生すると、そ
のために全体を停止させざるをえないといった問題があ
る。図18の装置の場合、このような問題の対策とし
て、基板支持トレイの両面のそれぞれに複数枚の基板を
装着し、できるだけ大量処理しようとすると、例えば成
膜処理において、各基板における各部の膜厚の均一性が
悪化する。
However, JP-A-60-
In the apparatus described in Japanese Patent No. 77971, since the substrates are supported upright on both sides of the tray and are processed in that posture, a plurality of substrates can be batch processed at one time, but different processes are successively performed on the same substrate. I can't do it efficiently. Also,
In the apparatus shown in FIG. 18 and the apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 62-161959, although substrates can be continuously processed one after another as compared with batch processing, if there is a slow processing portion in the entire apparatus, There is a problem that the entire processing progress is delayed by being controlled by that portion, and if a trouble occurs at a certain position, the entire processing must be stopped for that reason. In the case of the apparatus of FIG. 18, as a measure against such a problem, if a plurality of substrates are mounted on both sides of the substrate support tray and an attempt is made to process as much as possible, for example, in the film forming process, the film of each part on each substrate is The thickness uniformity deteriorates.

【0006】そこで本発明は、従来のバッチ処理型の基
板処理装置に比べると勿論のこと、インライン型等の被
処理基板を順次供給できる基板処理装置と比べても、能
率良く、所望の基板処理を実施できる基板処理装置を提
供することを課題とする。
Therefore, the present invention is more efficient than a conventional batch processing type substrate processing apparatus, and is more efficient than a substrate processing apparatus capable of sequentially supplying substrates to be processed, such as an in-line type substrate processing apparatus. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of carrying out the above.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明に係る基板処理装置は、被処理基板を装着するための
ロード室と、前記基板に目的の処理を施すプロセス室
と、処理済基板を取り出すためのアンロード室と、前記
ロード室、プロセス室及びアンロード室を接続する基板
搬送室と、前記基板を支持する基板支持トレイと、前記
基板支持トレイを前記室間で移動させるトレイ移動手段
とを備え、前記基板搬送室は前記ロード室と前記プロセ
ス室相互、前記プロセス室相互及び前記プロセス室と前
記アンロード室相互をそれぞれ接続するように配置され
ていることを特徴とする。前記基板搬送室は一つだけの
場合も、複数の場合も考えられる。
A substrate processing apparatus according to the present invention for solving the above-mentioned problems includes a load chamber for mounting a substrate to be processed, a process chamber for subjecting the substrate to a target process, and a processed substrate. An unload chamber for taking out the substrate, a substrate transfer chamber connecting the load chamber, the process chamber and the unload chamber, a substrate support tray for supporting the substrate, and a tray movement for moving the substrate support tray between the chambers. Means, and the substrate transfer chamber is arranged so as to connect the load chamber and the process chamber to each other, the process chambers to each other, and the process chamber to the unload chamber to each other. There may be only one substrate transfer chamber or a plurality of substrate transfer chambers.

【0008】前記ロード室は前記目的とする処理前の基
板を予備加熱する予備加熱室を介して前記基板搬送室に
接続されてもよい。また、前記アンロード室は前記目的
とする処理終了後の基板を冷却する予備冷却室を介して
前記基板搬送室に接続されてもよい。さらに、前記予備
加熱室が予備冷却室を兼ねるように構成され、前記予備
冷却室が予備加熱室を兼ねるように構成されてもよい。
The load chamber may be connected to the substrate transfer chamber via a preheating chamber for preheating the target unprocessed substrate. Further, the unload chamber may be connected to the substrate transfer chamber via a pre-cooling chamber that cools the substrate after the target process is completed. Further, the preheating chamber may be configured to also serve as a precooling chamber, and the precooling chamber may be configured to also serve as a preheating chamber.

【0009】前記基板支持トレイ及びトレイ移動手段は
種々の態様のものが考えられる。例えば、前記基板支持
トレイがその片面に前記基板を支持できるように構成さ
れており、前記トレイ移動手段が該トレイを水平状姿勢
で移動させるように構成されている場合が考えられる。
また、前記基板支持トレイがその両面に前記基板を支持
できるように構成されており、前記トレイ移動手段が該
トレイを立てた姿勢で移動させるように構成されている
場合が考えられる。
Various types of substrate supporting tray and tray moving means can be considered. For example, it is conceivable that the substrate supporting tray is configured to support the substrate on one surface thereof and the tray moving means is configured to move the tray in a horizontal posture.
Further, it is conceivable that the substrate supporting tray is configured to support the substrates on both sides thereof, and the tray moving means is configured to move the tray in an upright posture.

【0010】この後者の場合、前記ロード室、アンロー
ド室について、例えば、次の態様のものが考えられる。
すなわち、前記基板支持トレイが前記トレイ移動手段に
支持されており、前記ロード室が、前記トレイ移動手段
にて該ロード室に配置されるトレイをその各基板支持面
が基板装着位置に配置されるように回動させるトレイ回
動手段と、該ロード室外に平坦水平状の姿勢で配置され
た被処理基板を取り込み、立てた状態で前記基板装着位
置に臨むチャック位置へ搬送する基板取込み手段と、該
チャック位置へ搬送されてきた基板を保持して前記トレ
イの基板支持面へ渡すチャック手段とを含んでおり、前
記アンロード室が、前記トレイ移動手段にて該アンロー
ド室に配置されるトレイをその各基板支持面が基板取出
し位置に配置されるように回動させるトレイ回動手段
と、該トレイの基板支持面から処理済基板を受け取るチ
ャック手段と、該チャック手段から処理済基板を受け取
り、平坦水平状の姿勢としてアンロード室外へ出す基板
取出し手段とを含んでいる態様である。
In the latter case, the load chamber and the unload chamber may have the following configurations, for example.
That is, the substrate support tray is supported by the tray moving means, and the load chamber is a tray arranged in the load chamber by the tray moving means and each substrate supporting surface is arranged at a substrate mounting position. Tray rotating means for rotating the substrate in such a manner that the substrate to be processed is arranged outside the load chamber in a flat and horizontal posture, and is conveyed to a chuck position facing the substrate mounting position in an upright state; Chucking means for holding the substrate conveyed to the chucking position and transferring it to the substrate supporting surface of the tray, wherein the unloading chamber is arranged in the unloading chamber by the tray moving means. Tray rotating means for rotating each substrate supporting surface so that each substrate supporting surface is located at the substrate take-out position, chucking means for receiving the processed substrate from the substrate supporting surface of the tray, and the chuck. Tsu receive processed substrates from the click means, it is an aspect that includes a substrate unloading means for issuing to unload the outdoors as a flat horizontally posture.

【0011】また、前記ロード室に、前記基板支持トレ
イを支持して該トレイをその各基板支持面が交互に所定
方向に向くように回動させる手段と、該トレイ回動手段
に支持され、被処理基板を装着された前記基板支持トレ
イを立て起こして前記トレイ移動手段に装着する手段と
を付設し、前記アンロード室に、処理済基板を支持して
いる前記基板支持トレイを前記トレイ移動手段から横倒
し状に取り出す手段と、該取り出された基板支持トレイ
をその各基板支持面が交互に所定方向に向くように回動
させる手段とを付設した態様も考えられる。
Further, means for supporting the substrate supporting tray in the load chamber and rotating the tray so that the respective substrate supporting surfaces thereof alternately face in a predetermined direction, and a means for supporting the tray rotating means. Means for raising the substrate supporting tray on which the substrate to be processed is mounted and mounting it on the tray moving means, and moving the substrate supporting tray supporting the processed substrate to the unload chamber. It is also conceivable to additionally provide a means for taking out the means sideways and a means for rotating the taken-out substrate supporting tray so that the respective substrate supporting surfaces thereof are alternately oriented in a predetermined direction.

【0012】[0012]

【作用】本発明基板処理装置によると、基板はロード室
において基板支持トレイに支持されて装着され、該トレ
イがトレイ移動手段により搬送されることで基板搬送室
を経て一つのプロセス室へ導かれる。或いは、予備加熱
室が備わっているときは、予備加熱室内へ搬送され、こ
こで必要に応じ基板が予備加熱されたのち、基板搬送室
を経て一つのプロセス室へ導かれる。
According to the substrate processing apparatus of the present invention, the substrate is supported and mounted on the substrate supporting tray in the load chamber, and the tray is conveyed by the tray moving means to be guided to one process chamber through the substrate conveying chamber. . Alternatively, when a preheating chamber is provided, the substrate is transferred into the preheating chamber, where the substrate is preheated if necessary, and then introduced into one process chamber via the substrate transfer chamber.

【0013】ここで基板が目的の処理(プラズマCV
D、スパッタリング等による成膜やエッチング等の処
理)を受けたのち、トレイごと基板搬送室を経て直ち
に、或いはさらに1又は2以上のプロセス室で処理を受
けたのち、アンロード室へ搬送される。或いは、予備冷
却室が備わっているときは、該予備冷却室へ搬送され、
ここで必要に応じ、基板がその取り出し前の予備冷却を
受けたのち、アンロード室へ搬送される。アンロード室
では処理済基板が取り出される。
Here, the substrate is the target processing (plasma CV
D, processing such as film formation by sputtering, etching, etc.), and then the tray is transferred to the unloading chamber immediately after passing through the substrate transfer chamber or further processed in one or more process chambers. . Alternatively, if a pre-cooling chamber is provided, it is transported to the pre-cooling chamber,
Here, the substrate is transferred to the unload chamber after being subjected to pre-cooling before being taken out, if necessary. The processed substrate is taken out in the unload chamber.

【0014】このようにして空になったトレイはロード
室側へ戻され、再び基板を装着され、これら基板もプロ
セス室へ送られ、目的とする処理を受ける。前記各室
は、それぞれ操作の各段階で、必要に応じ、適宜真空引
きされる。かくして、基板が順次連続的に処理を受け
る。なお、予備加熱室、予備冷却室が備わっていない場
合や、備わっていても使用しない場合には、アンロード
室側において空になったトレイに、このアンロード室側
において被処理基板を装着し、該トレイを逆の操作でロ
ード室側へ進め、その途中でこれら基板に目的とする処
理を施すこともできる。
The tray thus emptied is returned to the load chamber side, the substrates are mounted again, and these substrates are also sent to the process chamber for the intended processing. The chambers are appropriately evacuated at each stage of the operation, if necessary. Thus, the substrates are sequentially and sequentially processed. If the pre-heating chamber and the pre-cooling chamber are not provided, or if they are not used even if they are provided, the tray to be emptied on the unload chamber side is loaded with the substrate to be processed on the unload chamber side. It is also possible to advance the tray to the load chamber side by the reverse operation, and to perform the intended treatment on these substrates in the middle of the process.

【0015】また、予備加熱室や予備冷却室を使用する
場合でも、予備加熱室が予備冷却室を兼ねるように構成
され、予備冷却室が予備加熱室を兼ねるように構成され
ているときは、アンロード室側において空になったトレ
イに、このアンロード室側において被処理基板を装着
し、該トレイを逆の操作でロード室側へ進め、その途中
で基板の予備加熱、プロセス室における処理及び予備冷
却を実施し、ロード室において取り出すことができる。
Further, even when the preheating chamber or the precooling chamber is used, when the preheating chamber also serves as the precooling chamber and the precooling chamber also serves as the preheating chamber, The substrate to be processed is mounted on this unloading chamber side to the empty tray on the unloading chamber side, and the tray is moved to the loading chamber side by the reverse operation, preheating the substrate and processing in the process chamber on the way. And pre-cooling can be carried out and taken out in the load chamber.

【0016】前記トレイ移動手段によるトレイ及び基板
の搬送並びにプロセス室における基板処理は、請求項4
記載の基板処理装置では基板を平坦水平状姿勢に維持し
て行われ、請求項5記載の基板処理装置では基板を立て
た姿勢に維持して行われる。また、請求項6の基板処理
装置では、例えば、基板支持カセット等に平坦水平状に
支持された基板がロード室の入口に配置される。
The transfer of the tray and the substrate by the tray moving means and the substrate processing in the process chamber are carried out according to claim 4.
In the substrate processing apparatus described above, the substrate is maintained in a flat horizontal position, and in the substrate processing apparatus according to claim 5, the substrate is maintained in an upright position. Further, in the substrate processing apparatus of the sixth aspect, for example, the substrate supported by the substrate supporting cassette or the like in a flat horizontal state is arranged at the inlet of the load chamber.

【0017】該基板は、ロード室の基板取込み手段にて
1枚ずつロード室内へ取り込まれるとともに立てられ、
チャック位置へ搬送される。チャック位置に置かれた基
板はチャック手段にて保持され、トレイの片面に渡さ
れ、そこに装着される。このトレイは予めロード室内に
配置され、その片方の基板支持面が基板装着位置に配置
されている。
The substrates are taken up one by one into the load chamber by the substrate take-in means in the load chamber and are erected.
It is transported to the chuck position. The substrate placed at the chuck position is held by the chuck means, passed on one side of the tray, and mounted there. This tray is arranged in advance in the load chamber, and one of the substrate supporting surfaces is arranged at the substrate mounting position.

【0018】1枚の基板装着のあと、トレイはトレイ回
動手段にて回され、もう一方の基板支持面が基板装着位
置に配置され、ここに前記と同様にしてもう1枚の基板
が装着される。かくして、両基板支持面に基板を装着さ
れたトレイは、必要に応じトレイ回動手段にて回されて
方向付けされ、トレイ移動手段にて搬送される。
After mounting one substrate, the tray is rotated by the tray rotating means, the other substrate supporting surface is placed at the substrate mounting position, and another substrate is mounted there in the same manner as described above. To be done. Thus, the trays on which the substrates are mounted on both substrate supporting surfaces are rotated and oriented by the tray rotating means as required, and conveyed by the tray moving means.

【0019】また、アンロード室へ導かれたトレイは、
そこのトレイ回動手段にて必要に応じ回動され、トレイ
上の一方の基板が基板取外し位置に配置される。かくし
てチャック手段がトレイから該基板を受け取って保持
し、この保持された基板を基板取出し手段が受け取り、
平坦水平状の姿勢としてアンロード室外へ出し、そこに
待ち受ける基板支持カセット等に渡す。
The tray led to the unload chamber is
The tray rotating means there rotates the substrate as needed, and one of the substrates on the tray is placed at the substrate removal position. Thus, the chuck means receives and holds the substrate from the tray, and the held substrate is received by the substrate take-out means,
Take it out of the unloading room in a flat and horizontal posture, and hand it over to the substrate support cassette or the like waiting there.

【0020】トレイ上の一つの基板の取り出し終了後、
トレイ回動手段にてトレイが回され、もう一つの基板が
基板取外し位置に配置され、前記と同様にして該基板が
トレイから取り外され、アンロード室外へ出される。請
求項7の基板処理装置では、例えば基板支持カセットに
平坦水平状に支持された基板がロード室の入口近傍に配
置され、適当な基板取り出し装置にて、該カセットから
取り出され、次いで、予めトレイ回動手段に支持されて
片方の基板支持面を所定方向(例えば上方)へ向けられ
た基板支持トレイの該支持面に装着される。しかるの
ち、該トレイがトレイ回動手段にて回され、もう一つの
基板支持面が所定方向へ向けられる。該支持面にも基板
が装着されたのち、該トレイはトレイ装着手段にて立て
起こされ、トレイ移動手段に装着される。かくして、該
トレイは基板と共に搬送される。
After the completion of taking out one substrate on the tray,
The tray is rotated by the tray rotating means, another substrate is placed at the substrate unloading position, and the substrate is removed from the tray in the same manner as described above and taken out of the unload chamber. According to another aspect of the substrate processing apparatus of the present invention, for example, a substrate supported horizontally in a substrate supporting cassette is arranged in the vicinity of an inlet of a load chamber, is taken out of the cassette by an appropriate substrate taking-out device, and is then previously trayed. The substrate supporting tray is mounted on the supporting surface of the substrate supporting tray which is supported by the rotating means and has one substrate supporting surface directed in a predetermined direction (for example, upward). Then, the tray is rotated by the tray rotating means, and the other substrate supporting surface is oriented in a predetermined direction. After the substrate is mounted on the supporting surface, the tray is raised by the tray mounting means and mounted on the tray moving means. Thus, the tray is transported with the substrate.

【0021】また、アンロード室へ導かれたトレイは、
そこのトレイ取り出し手段にてトレイ移動手段から取り
外されて横倒し状姿勢とされ、且つ、トレイ回動手段で
適宜回され、トレイの両支持面から処理済基板が取り外
される。
The tray led to the unload chamber is
The tray take-out means there removes the tray from the tray moving means to bring it into a sideways posture, and the tray rotating means appropriately turns it to remove the processed substrate from both supporting surfaces of the tray.

【0022】[0022]

【実施例】以下、本発明の1実施例を図1から図8を参
照して説明する。図1は全体の平面図、図2及び図3は
ロード室における基板取込み装置の側面図及び平面図、
図4はロード室に配置された基板支持トレイとこれを回
動させるトレイ回動装置の側面図、図5及び図6はロー
ド室のチャック装置の側面図及び背面図、図7は予備加
熱装置におけるローラコンベアの平面図、図8はプラズ
マCVD装置として構成した一つのプロセス室の概略断
面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is an overall plan view, FIGS. 2 and 3 are side views and plan views of a substrate loading device in a load chamber,
4 is a side view of a substrate supporting tray arranged in the load chamber and a tray rotating device for rotating the substrate supporting tray, FIGS. 5 and 6 are side and rear views of a chuck device of the load chamber, and FIG. 7 is a preheating device. FIG. 8 is a plan view of the roller conveyor in FIG. 8, and FIG. 8 is a schematic sectional view of one process chamber configured as a plasma CVD apparatus.

【0023】この基板処理装置は、図1に示すように、
ロード室1と、該ロード室に開閉可能のゲートバルブV
1を介して連設された予備加熱室2と、該予備加熱室に
開閉可能のゲートバルブV2を介して連設された第1の
基板搬送室3Aと、該搬送室3Aに開閉可能のゲートバ
ルブV3、V4及びV5を介してそれぞれ接続された第
1プロセス室P1、第2プロセス室P2及び第2の基板
搬送室3Bと、該搬送室3Bに開閉可能のゲートバルブ
V6、V7及びV8を介してそれぞれ接続された第3プ
ロセス室P3、第4プロセス室P4及び予備冷却室4
と、該予備冷却室に開閉可能のゲートバルブV9を介し
て接続されたアンロード室5とを備えている。
This substrate processing apparatus, as shown in FIG.
Load chamber 1 and a gate valve V that can be opened and closed in the load chamber
1, a preheating chamber 2 continuously connected to the preheating chamber 1, a first substrate transfer chamber 3A connected to the preheating chamber 2 via an openable / closable gate valve V2, and a gate openable / closable to the transfer chamber 3A. A first process chamber P1, a second process chamber P2, and a second substrate transfer chamber 3B, which are connected via valves V3, V4, and V5, respectively, and gate valves V6, V7, and V8 that can be opened and closed in the transfer chamber 3B. A third process chamber P3, a fourth process chamber P4, and a precooling chamber 4 which are respectively connected via
And an unload chamber 5 connected to the pre-cooling chamber via an openable / closable gate valve V9.

【0024】ロード室1の入口11には開閉可能のゲー
トバルブV11が、アンロード室5の出口51には開閉
可能のゲートバルブV51がそれぞれ設けてあり、これ
ら入口11、出口51はクリーンブースCB内にある。
前記各ゲートバルブは図示しないバルブ駆動装置にてそ
れぞれ独立して開閉されるようになっており、閉位置で
はゲート開口を気密にシールする。
A gate valve V11 that can be opened and closed is provided at the inlet 11 of the load chamber 1, and a gate valve V51 that can be opened and closed is provided at the outlet 51 of the unload chamber 5, and these inlet 11 and outlet 51 are clean booth CB. It is inside.
Each of the gate valves is independently opened and closed by a valve drive device (not shown), and the gate opening is hermetically sealed at the closed position.

【0025】また、前記各室には図示しない排気装置が
接続されており、該排気装置にて各室をそれぞれ独立し
て所定の真空度に維持できる。ロード室1は、その入口
11に臨む部分に基板取込み装置6を有するとともにゲ
ートバルブV1に臨む位置にチャック装置7及びトレイ
回動装置8を有している。
Further, an exhaust device (not shown) is connected to each of the chambers, and each chamber can be independently maintained at a predetermined vacuum degree by the exhaust device. The load chamber 1 has a substrate take-in device 6 at a portion facing the inlet 11, and a chuck device 7 and a tray rotating device 8 at a position facing the gate valve V1.

【0026】基板取込み装置6は、図2及び図3に示す
ように、基体フレーム61、この基体フレーム61を水
平面内で少なくとも90°回動させるモータ及びフレー
ム61を若干昇降させるモータを含む駆動部62、基体
フレーム61に搭載され、フレーム長手方向に往復動可
能の可動フレーム63、フレーム63を往復駆動する駆
動部63A、可動フレーム63上に搭載されたモータ6
4、及びモータ64の回転軸に固定された二股形の基板
支持部材65を含んでいる。
As shown in FIGS. 2 and 3, the substrate loading device 6 includes a base frame 61, a drive unit including a motor for rotating the base frame 61 at least 90 ° in a horizontal plane and a motor for slightly moving the frame 61 up and down. 62, a movable frame 63 mounted on the base frame 61 and capable of reciprocating in the longitudinal direction of the frame, a drive unit 63A for reciprocating the frame 63, and a motor 6 mounted on the movable frame 63.
4 and a bifurcated substrate support member 65 fixed to the rotation shaft of the motor 64.

【0027】可動フレーム63の駆動部63Aは、フレ
ーム63内のモータ631、このモータにて回される雌
ネジ部材632、基体フレーム61に回転可能に支持さ
れ、前記雌ネジ部材632に螺合しているネジ棒633
を備えている。このモータ631の正転、逆転にて雌ネ
ジ部材632を正転、逆転させることで可動フレーム6
3が基体フレーム61上をその長手方向に往復動する。
The drive portion 63A of the movable frame 63 is rotatably supported by a motor 631 in the frame 63, a female screw member 632 rotated by this motor, and the base frame 61, and is screwed to the female screw member 632. Screw rod 633
Is equipped with. By rotating the female screw member 632 in the normal and reverse directions by rotating the motor 631 in the normal and reverse directions, the movable frame 6 is moved.
3 reciprocates on the base frame 61 in its longitudinal direction.

【0028】基板支持部材65は、全体が偏平に形成さ
れ、中空に形成された二股部652を有し、該二股部表
面に形成した複数の基板吸着孔651がこの中空部に連
通している。中空部は図示しない吸気装置に接続されて
いる。この基板支持部材65は、可動フレーム63の往
復動に伴って往復動でき、また、モータ64の正転、逆
転にて90°往復回動され、それによって、二股部65
2が水平面内に置かれる水平姿勢Q1、又は二股部65
2が垂直面内に置かれる垂直姿勢Q2のいずれかに選択
的に配置される。
The substrate supporting member 65 has a forked portion 652 formed in a flat shape and hollow, and a plurality of substrate suction holes 651 formed on the surface of the forked portion communicate with the hollow portion. . The hollow portion is connected to an intake device (not shown). The substrate supporting member 65 can reciprocate along with the reciprocating motion of the movable frame 63, and is reciprocally rotated 90 ° by the forward and reverse rotations of the motor 64, whereby the bifurcated portion 65 is formed.
2 is placed in a horizontal plane in a horizontal position Q1, or a forked portion 65
2 is selectively placed in any of the vertical postures Q2 placed in the vertical plane.

【0029】チャック装置7は、図5及び図6に示すよ
うに、ロード室内に架設された基体フレーム71と、そ
の上に往復動可能に搭載された可動フレーム72とを含
む。基体フレーム71はロード室1の正面側の内壁から
後述するトレイ回動装置8の中央部近くまで長く延びて
いる。可動フレーム72はフレーム71の長手方向に沿
って駆動部72Aにて往復駆動される。
As shown in FIGS. 5 and 6, the chuck device 7 includes a base frame 71 installed in the load chamber and a movable frame 72 reciprocally mounted on the base frame 71. The base frame 71 extends long from the inner wall on the front side of the load chamber 1 to the vicinity of the central portion of the tray rotating device 8 described later. The movable frame 72 is reciprocally driven by the drive unit 72A along the longitudinal direction of the frame 71.

【0030】駆動部72Aは、基体フレーム71上のモ
ータ721、このモータにて回される雄ネジ部材72
2、可動フレーム72に支持され、前記雄ネジ部材72
2に螺合している雌ネジ部材723を備えている。この
モータ721の正転、逆転にて雄ネジ部材722を正
転、逆転させることで可動フレーム72が基体フレーム
71上を往復動する。
The drive portion 72A is a motor 721 on the base frame 71, and a male screw member 72 rotated by this motor.
2. The male screw member 72 supported by the movable frame 72
It is provided with a female screw member 723 screwed to the No. 2 connector. By rotating the male screw member 722 in the forward and reverse directions by rotating the motor 721 in the forward and reverse directions, the movable frame 72 reciprocates on the base frame 71.

【0031】可動フレーム72は、上下一対の基板保持
ピン72aを左右に備えている。各ピンは可動フレーム
72に設けた縦方向の長孔720を正面側から背面側へ
貫通して背面側へ突出している。各上下一対のピン72
aは可動フレーム正面側に搭載したピン駆動部70によ
り互いに接近離反するように駆動される。
The movable frame 72 is provided with a pair of upper and lower substrate holding pins 72a on the left and right. Each pin penetrates from the front side to the rear side through a longitudinal long hole 720 provided in the movable frame 72 and projects to the rear side. A pair of upper and lower pins 72
A is driven by a pin driving unit 70 mounted on the front side of the movable frame so as to move toward and away from each other.

【0032】ピン駆動部70は、可動フレーム72に回
転可能に支持され、両端に左雌ネジ、右雌ネジを有する
雌ネジ部701と、該左雌ネジに螺合した左ネジ棒70
2及び右雌ネジに螺合した右ネジ棒703と、これらネ
ジ棒を回転不能に、しかし昇降可能に支持する部材70
4と、各ネジ棒の端に設けたスプリング705を備えて
おり、ピン72aは該スプリング705に支持されてい
る。雌ネジ部701は図示しないモータにより正転、逆
転され、それによって各上下一対のピン72aが互いに
接近離反するように駆動され、基板Sは、ピンの相互接
近により、また、スプリング705の緩衝作用で上下か
ら傷つかないように保持される。
The pin driving unit 70 is rotatably supported by the movable frame 72, has a female screw portion 701 having a left female screw and a right female screw at both ends, and a left screw rod 70 screwed to the left female screw.
2 and a right screw rod 703 screwed to the right female screw, and a member 70 that supports these screw rods so that they cannot rotate but can move up and down.
4 and a spring 705 provided at the end of each screw rod, and the pin 72a is supported by the spring 705. The female screw portion 701 is normally or reversely rotated by a motor (not shown), whereby the pair of upper and lower pins 72a are driven so as to move toward and away from each other, and the substrate S is moved by the mutual approach of the pins and the buffering action of the spring 705. It is held from above and below so as not to be damaged.

【0033】トレイ回動装置8は、図4に示すように、
チャック装置7の基体フレーム71の下方に配置された
基体フレーム81と、この基体フレーム81を水平面内
で回動させるモータを含む駆動部82とを備えている。
フレーム81はその上面側に回転円81C(図1参照)
直径方向の溝811を備え、該溝には2列に並べた搬送
ローラ801からなるローラコンベア80を設けてあ
る。各列の搬送ローラ801はそのうち1又は2以上が
図示しない駆動部により正転、逆転運転される。該駆動
部はフレーム81に搭載されている。コンベア80は基
板支持トレイTを垂直の立った姿勢に維持し、そのロー
ラの正転、逆転運転にて該トレイを一方向またはその反
対方向に搬送できる。
The tray rotating device 8 is, as shown in FIG.
The chuck device 7 includes a base frame 81 arranged below the base frame 71, and a drive unit 82 including a motor for rotating the base frame 81 in a horizontal plane.
The frame 81 has a rotating circle 81C on its upper surface side (see FIG. 1).
A diametrical groove 811 is provided, and a roller conveyor 80 composed of conveying rollers 801 arranged in two rows is provided in the groove. One or two or more of the transport rollers 801 in each row are normally or reversely rotated by a drive unit (not shown). The drive unit is mounted on the frame 81. The conveyor 80 maintains the substrate support tray T in a vertical standing posture, and can transport the tray in one direction or the opposite direction by the normal rotation and reverse rotation of its rollers.

【0034】トレイTは、図4に示すように、その両面
が基板支持面Tsとなっており、各支持面Tsには、前
記チャック装置7における基板保持ピン72aと同様の
基板保持ピンTpが備わっている。但し、左右の位置は
ピン72aとずれている。このピンの駆動部はチャック
装置7におけるピン駆動部と同様の構造のもので、図示
していないが、両基板支持面Tsの間に搭載されてい
る。トレイTはその下端に逆L字形の一対の部材Tmを
有し、これら部材にて前記トレイ回動装置8におけるコ
ンベアローラ80上に乗り、立ち姿勢で支持されて駆動
される。また、トレイTは、その両基板支持面Tsの間
にヒータユニットHを備えている。
As shown in FIG. 4, the tray T has substrate supporting surfaces Ts on both sides, and each supporting surface Ts has a substrate holding pin Tp similar to the substrate holding pin 72a in the chuck device 7. Equipped. However, the left and right positions are displaced from the pin 72a. Although not shown, the pin driving unit has a structure similar to that of the pin driving unit of the chuck device 7, and is mounted between both substrate supporting surfaces Ts. The tray T has a pair of inverted L-shaped members Tm at its lower end, and these members ride on the conveyor roller 80 of the tray rotating device 8 and are supported and driven in a standing posture. Further, the tray T is provided with a heater unit H between both substrate supporting surfaces Ts.

【0035】図1に示すように、基板搬送室3Aもトレ
イ回動装置31を備えており、基板搬送装置3Bもトレ
イ回動装置32を備えている。これら回動装置31、3
2はいずれもロード室1におけるトレイ回動装置8と同
様の構造のものであり、トレイ搬送用のローラコンベア
311、321を含んでいる。予備加熱室2は、図1及
び図7に示すように、その長手方向に2列に並べた搬送
ローラ21からなるローラコンベア20を備えている。
各列のローラ21はそのうち1又は2以上が図示しない
駆動部により正転、逆転運転される。コンベア20は基
板支持トレイTを垂直の立った姿勢に維持し、その搬送
ローラの正転、逆転運転にて該トレイを一方向またはそ
の反対方向に搬送できる。
As shown in FIG. 1, the substrate transfer chamber 3A also includes a tray rotating device 31, and the substrate transfer device 3B also includes a tray rotating device 32. These rotating devices 31, 3
2 has the same structure as the tray rotating device 8 in the load chamber 1, and includes tray conveyer roller conveyors 311 and 321. As shown in FIGS. 1 and 7, the preheating chamber 2 is provided with a roller conveyor 20 composed of conveying rollers 21 arranged in two rows in the longitudinal direction.
One or more of the rollers 21 in each row are normally or reversely rotated by a drive unit (not shown). The conveyor 20 can maintain the substrate supporting tray T in a vertical standing posture, and can transport the tray in one direction or the opposite direction by the forward and reverse operation of the transport rollers.

【0036】また、予備加熱室2は該コンベア20上に
支持されるトレイT上の基板を予備加熱するためのヒー
タ(本例では赤外線ランプ)22をトレイ軌道の両側に
備えている。予備冷却室4も、図1に示すように、予備
加熱室2におけるローラコンベア20と同様のローラコ
ンベア40を備えている。コンベア40は基板支持トレ
イTを垂直の立った姿勢に維持し、その搬送ローラの正
転、逆転運転にて該トレイを一方向またはその反対方向
に搬送できる。
Further, the preheating chamber 2 is provided with heaters (infrared lamps in this example) 22 for preheating the substrate on the tray T supported on the conveyor 20 on both sides of the tray track. As shown in FIG. 1, the precooling chamber 4 also includes a roller conveyor 40 similar to the roller conveyor 20 in the preheating chamber 2. The conveyor 40 can maintain the substrate supporting tray T in a vertical standing posture, and can transport the tray in one direction or the opposite direction by the forward and reverse operation of the transport rollers.

【0037】また、予備冷却室4はコンベア40上に支
持されるトレイT上の基板を予備冷却するための窒素ガ
ス導入部41を備えている。図1に示すように、プロセ
ス室P1、P2、P3、P4のそれぞれも予備加熱室2
におけるコンベア20や予備冷却室4におけるコンベア
40と同様な構造のトレイ搬送用のローラコンベアCV
を備えている。
Further, the precooling chamber 4 is provided with a nitrogen gas introducing section 41 for precooling the substrate on the tray T supported on the conveyor 40. As shown in FIG. 1, each of the process chambers P1, P2, P3, and P4 also has a preheating chamber 2
The roller conveyer CV for tray transfer having the same structure as the conveyer 20 in FIG.
Is equipped with.

【0038】アンロード室5は、その出口51に臨む部
分に基板取出し装置6Aを有するとともにゲートバルブ
V9に臨む位置にチャック装置7A及びトレイ回動装置
8Aを有している。基板取出し装置6Aは、ロード室1
における基板取込み装置6と、配置の向きが反対になっ
ているだけで、同一構造のものである。また、チャック
装置7A及びトレイ回動装置8Aはロード室1における
チャック装置7及びトレイ回動装置8とそれぞれ同一構
造のものである。トレイ回動装置8Aはロード室1のト
レイ回動装置8におけるローラコンベア80と同様のト
レイ搬送用ローラコンベア80Aを備えいる。
The unload chamber 5 has a substrate take-out device 6A at a portion facing the outlet 51, and a chuck device 7A and a tray turning device 8A at a position facing the gate valve V9. The substrate unloading device 6A is used in the load chamber 1
It has the same structure as the substrate loading device 6 in FIG. The chuck device 7A and the tray rotating device 8A have the same structure as the chuck device 7 and the tray rotating device 8 in the load chamber 1, respectively. The tray rotating device 8A includes a tray carrying roller conveyor 80A similar to the roller conveyor 80 in the tray rotating device 8 of the load chamber 1.

【0039】前述したロード室のトレイ回動装置におけ
るローラコンベア80、予備加熱室のローラコンベア2
0、基板搬送室のローラコンベア311、321、各プ
ロセス室のローラコンベアCV、予備冷却室のローラコ
ンベア40、及びアンロード室のトレイ回動装置のロー
ラコンベア80Aは、前記各隣合う室間で基板支持トレ
イTを移動させるトレイ移動装置を構成している。
The roller conveyor 80 in the tray rotating device for the load chamber and the roller conveyor 2 for the preheating chamber described above.
0, the roller conveyors 311 and 321 of the substrate transfer chamber, the roller conveyor CV of each process chamber, the roller conveyor 40 of the pre-cooling chamber, and the roller conveyor 80A of the tray rotation device of the unloading chamber between the adjacent chambers. A tray moving device that moves the substrate supporting tray T is configured.

【0040】プロセス室P1、P4は、本例では成膜用
のプラズマCVD装置として構成されている。その概略
断面を図8に示す。この装置は、ローラコンベアCVに
てここに配置されるトレイTの両面の基板Sのそれぞれ
に対する高周波電極EL及び原料ガスの導入部Gを備え
ており、この装置内に配置されるトレイTは接地され
る。また、成膜時は、既述のとおり、図示しない排気装
置により所定成膜真空度に維持される。プロセス室P
2、P3はそれぞれ2枚の基板Sについて同時にドライ
エッチングを行えるように構成されている。
The process chambers P1 and P4 are configured as a plasma CVD apparatus for film formation in this example. Its schematic cross section is shown in FIG. This device is provided with a high frequency electrode EL and a source gas introduction part G for each of the substrates S on both sides of the tray T arranged here on the roller conveyor CV, and the tray T arranged in this device is grounded. To be done. Further, during film formation, as described above, a predetermined film formation vacuum degree is maintained by an exhaust device (not shown). Process room P
2 and P3 are configured so that dry etching can be performed on two substrates S at the same time.

【0041】以上説明した基板処理装置によると、例え
ば図9に示すような基板Sを支持したカセットCがロー
ド室1の入口11に臨設される一方、空のカセットCが
アンロード室5の出口51に臨設される。当初、ロード
室1のゲートバルブV11が開かれているとともに、ロ
ード室1における基板取込み装置6(図2、図3参照)
は、その基板支持部材65が水平姿勢Q1でカセットC
の方に向けられており、且つ、基体フレーム61がその
下降位置に置かれ、従って基板支持部材65もその下降
位置に置かれている。この状態で可動フレーム63にお
けるモータ631を正転させることにより、該フレーム
63がフレーム61上を前進し、それに伴って基板支持
部材65はカセット内の1枚の基板Sの下に挿入され
る。この状態で基体フレーム61が若干持ち上げられ、
従って基板支持部材65も若干持ち上げられ、基板Sが
該部材65にて下から支持される。また、支持部材65
の中空部は図示しない吸気装置にて吸気され、それによ
り、部材65の二股部652における吸着孔651が基
板Sを吸引保持する。
According to the substrate processing apparatus described above, for example, the cassette C supporting the substrate S as shown in FIG. 9 is provided in the inlet 11 of the load chamber 1 while the empty cassette C is the outlet of the unload chamber 5. It is installed at 51. Initially, the gate valve V11 of the load chamber 1 is opened, and the substrate loading device 6 in the load chamber 1 (see FIGS. 2 and 3).
Is the cassette C when the substrate support member 65 is in the horizontal posture Q1.
And the base frame 61 is in its lowered position, and thus the substrate support member 65 is also in its lowered position. In this state, by rotating the motor 631 in the movable frame 63 in the forward direction, the frame 63 moves forward on the frame 61, and the substrate supporting member 65 is inserted below one substrate S in the cassette accordingly. In this state, the base frame 61 is slightly lifted,
Therefore, the substrate support member 65 is also slightly lifted, and the substrate S is supported by the member 65 from below. In addition, the support member 65
The hollow portion is sucked by an unillustrated suction device, whereby the suction hole 651 in the forked portion 652 of the member 65 sucks and holds the substrate S.

【0042】次いで可動フレーム63がモータ631の
逆転によりフレーム61上を後退し、そこで降ろされ、
当初の位置に戻る。これに伴って基板支持部材65に支
持された基板Sがロード室1内に取り込まれる。次いで
駆動部62により基体フレーム61が90°回され、そ
れに伴って基板支持部材65及びそれに支持された基板
Sも90°回動され、該基板がトレイ回動装置8の方へ
向けられる。
Next, the movable frame 63 moves backward on the frame 61 by the reverse rotation of the motor 631, and is lowered there.
Return to the original position. Along with this, the substrate S supported by the substrate supporting member 65 is taken into the load chamber 1. Then, the base frame 61 is rotated 90 ° by the drive unit 62, and the substrate supporting member 65 and the substrate S supported thereby are also rotated 90 ° accordingly, and the substrate is directed toward the tray rotating device 8.

【0043】次いで可動フレーム63上のモータ64の
正転運転により、今まで水平姿勢Q1にあった基板支持
部材の二股部652が垂直姿勢Q2(図2参照)に置か
れ、その状態で再び可動フレームモータ631が正転運
転され、それに伴って可動フレーム63が基体フレーム
61上を前進し、基板Sも立てられた姿勢でチャック位
置へ向け進められる。
Then, by the normal rotation operation of the motor 64 on the movable frame 63, the bifurcated portion 652 of the substrate supporting member which has been in the horizontal posture Q1 until now is placed in the vertical posture Q2 (see FIG. 2), and again movable in that state. The frame motor 631 is rotated in the normal direction, the movable frame 63 is moved forward on the base frame 61 accordingly, and the substrate S is also advanced to the chuck position in an upright posture.

【0044】次いでチャック装置7(図5、図6参照)
における可動フレーム7がモータ721の正転運転によ
り基板Sに向け前進せしめられ、チャック位置に到達す
ると、そこでピン駆動部70の駆動によりチャック保持
ピン72aが駆動され、これらピン72aにより基板S
が上下から挾持される。次いで基板支持部材65におけ
る基板Sの真空吸着が解除され、その後、基板取込み装
置6における基板支持部材65が当初位置まで後退せし
められ、次いで垂直姿勢Q2から水平姿勢Q1に戻し回
動され、且つ、基体フレーム61の戻し回動により基板
支持部材65がカセットCに向けられ、次の基板取込み
を行える状態とされる。
Next, the chuck device 7 (see FIGS. 5 and 6)
The movable frame 7 is moved forward toward the substrate S by the normal rotation operation of the motor 721, and when it reaches the chuck position, the pin driving unit 70 drives the chuck holding pin 72a, and these pins 72a drive the substrate S.
Is held from above and below. Next, the vacuum suction of the substrate S on the substrate support member 65 is released, after that, the substrate support member 65 in the substrate loading device 6 is retracted to the initial position, and then is rotated back from the vertical posture Q2 to the horizontal posture Q1, and The substrate support member 65 is directed to the cassette C by the return rotation of the base frame 61, and the next substrate can be taken in.

【0045】一方、基板Sを保持したチャック装置7に
おける可動フレーム72は再びモータ721の正転運転
によりトレイTへの基板装着位置へ向け進められる。ト
レイTは予めトレイ回動装置8(図4参照)におけるロ
ーラコンベア80上に配置され、その片方の基板支持面
Tsが図4に示すように基板装着位置TPに配置され、
近づいてくる基板Sに向けられている。
On the other hand, the movable frame 72 of the chuck device 7 holding the substrate S is advanced toward the substrate mounting position on the tray T by the normal rotation operation of the motor 721 again. The tray T is previously arranged on the roller conveyor 80 in the tray rotating device 8 (see FIG. 4), and one of the substrate supporting surfaces Ts is arranged at the substrate mounting position TP as shown in FIG.
It is directed to the approaching substrate S.

【0046】チャック装置7における基板保持ピン72
aに支持された基板SがトレイTに対する基板装着位置
に到達すると、ここでトレイTにおける基板保持ピンT
pが図示しない駆動部により駆動され、該基板Sを上下
から挾持する。次いでチャック装置7における基板保持
ピン72aがその駆動部70により駆動され、基板Sを
開放する。しかるのち、可動フレーム72がモータ72
1の逆転運転により当初位置まで後退する。
Substrate holding pin 72 in chuck device 7
When the substrate S supported by a reaches the substrate mounting position with respect to the tray T, the substrate holding pin T
p is driven by a driving unit (not shown), and holds the substrate S from above and below. Next, the substrate holding pin 72a in the chuck device 7 is driven by the driving unit 70 to open the substrate S. After that, the movable frame 72 is moved to the motor 72.
Reverse operation 1 reverses to the initial position.

【0047】このようにして1枚の基板SがトレイTに
支持され、且つ、チャック装置7が当初状態に復帰する
と、トレイ回動装置8において、駆動部82により該回
動装置の基体フレーム81が180°回され、まだ空の
トレイ基板支持面Tsがチャック装置7の方に向けられ
る。かくしてこの空の基板支持面Tsにも前記と同様に
してもう1枚の基板Sが装着される。
In this way, when one substrate S is supported by the tray T and the chuck device 7 returns to the initial state, the tray rotating device 8 is driven by the drive part 82 in the tray rotating device 8 to form the base frame 81 of the rotating device. Is rotated by 180 °, and the still empty tray substrate support surface Ts is directed toward the chuck device 7. Thus, another substrate S is mounted on this empty substrate supporting surface Ts in the same manner as described above.

【0048】しかるのちロード室1におけるゲートバル
ブV11が閉じられ、ロード室1内が所定のロード室真
空度に維持される。その後、或いはそれに先立ってトレ
イ回動装置8における基体フレーム81が駆動部82に
より回動され、それによって装置8上のローラコンベア
80及びトレイTが90°回され、コンベア80が予備
加熱室2におけるローラコンベア20と同方向に一列に
揃えられる。
After that, the gate valve V11 in the load chamber 1 is closed and the inside of the load chamber 1 is maintained at a predetermined load chamber vacuum degree. After that, or before that, the base frame 81 in the tray rotating device 8 is rotated by the drive unit 82, whereby the roller conveyor 80 and the tray T on the device 8 are rotated 90 °, and the conveyor 80 is moved in the preheating chamber 2. The rollers are aligned in the same direction as the roller conveyor 20.

【0049】次いで予備加熱室2とロード室1の途中に
あるゲートバルブV1の開閉と、ローラコンベア80、
20の運転により、トレイ回動装置8上のトレイTが予
備加熱室2内へ搬送され、そこのコンベア20上に配置
される。基板搬入後、予備加熱室2内は所定の真空度に
維持され、そこでトレイTの両面に支持された2枚の基
板Sがヒータ22により基板処理前の予備加熱を受け
る。
Then, the gate valve V1 in the middle of the preheating chamber 2 and the load chamber 1 is opened and closed, and the roller conveyor 80,
By the operation of 20, the tray T on the tray rotating device 8 is conveyed into the preheating chamber 2 and is arranged on the conveyor 20 there. After the substrate is loaded, the inside of the preheating chamber 2 is maintained at a predetermined vacuum degree, and the two substrates S supported on both sides of the tray T are preheated by the heater 22 before the substrate processing.

【0050】一方、基板搬送室3Aは、所定の搬送室真
空度とされ、そこのトレイ回動装置31のコンベア31
1が予備加熱室内のコンベア20と一列になるように配
置される。かかる予備加熱後、ゲートバルブV2が開か
れ、コンベア20、311の運転により予備加熱室2内
のトレイTが搬送室3A内のコンベア311上に配置さ
れる。
On the other hand, the substrate transfer chamber 3A is set at a predetermined vacuum level in the transfer chamber, and the conveyor 31 of the tray rotating device 31 there is provided.
1 is arranged in line with the conveyor 20 in the preheating chamber. After such preheating, the gate valve V2 is opened, and the trays T in the preheating chamber 2 are placed on the conveyor 311 in the transfer chamber 3A by operating the conveyors 20 and 311.

【0051】しかるのちゲートバルブV2が閉じられ、
搬送室3Aにおいてはトレイ回動装置31によりトレイ
Tが90°回され、1つのプロセス室P1の方に向けら
れる。このようにして搬送室3A内のトレイTが1つの
プロセス室P1の方に向けられると、ゲートバルブV3
が開けられ、搬送室3A内のコンベア311とプロセス
室P1内のコンベアCVの運転により搬送室内のトレイ
Tがプロセス室P1内のコンベアCV上に搬送され、そ
こに配置される。
Then, the gate valve V2 is closed,
In the transfer chamber 3A, the tray T is rotated by 90 ° by the tray rotating device 31 and is directed toward one process chamber P1. In this way, when the tray T in the transfer chamber 3A is directed toward one process chamber P1, the gate valve V3
The tray T in the transfer chamber is transferred onto the conveyor CV in the process chamber P1 by the operation of the conveyor 311 in the transfer chamber 3A and the conveyor CV in the process chamber P1 and placed there.

【0052】かくしてゲートバルブV3が閉じられ、ま
た、プロセス室P1内が所定の真空度に維持され、この
ようにして該プロセス室P1においてトレイT上の2枚
の基板Sが同時に所定のプラズマCVDによる成膜処理
を受ける。プロセス室P1において基板処理が終了する
と、バルブV3が開かれ、プロセス室P1内のトレイT
が再び搬送室3A内に搬入され、バルブV3が閉じられ
る。
In this way, the gate valve V3 is closed, and the inside of the process chamber P1 is maintained at a predetermined vacuum degree. In this way, the two substrates S on the tray T are simultaneously subjected to the predetermined plasma CVD in the process chamber P1. Film forming process. When the substrate processing is completed in the process chamber P1, the valve V3 is opened and the tray T in the process chamber P1 is opened.
Are again loaded into the transfer chamber 3A, and the valve V3 is closed.

【0053】搬送室3A内に搬入されたトレイTはゲー
トバルブV5の開閉により隣りの基板搬送室3Bに搬入
され、そこのローラコンベア321上に配置され、且
つ、トレイ回動装置32の運転により予備冷却室4に向
けられ、しかるのちゲートバルブV8の開閉と、トレイ
回動装置32上のローラコンベア321及び予備冷却室
4内のローラコンベア40の運転により、該トレイTは
予備冷却室4内のコンベア40上に配置される。
The tray T carried into the carrying chamber 3A is carried into the adjacent substrate carrying chamber 3B by opening and closing the gate valve V5, is placed on the roller conveyor 321 there, and is operated by the tray rotating device 32. The tray T is directed to the pre-cooling chamber 4, and then the gate valve V8 is opened / closed and the roller conveyor 321 on the tray rotating device 32 and the roller conveyor 40 in the pre-cooling chamber 4 are operated to move the tray T into the pre-cooling chamber 4. Is placed on the conveyor 40 of

【0054】予備冷却室4内に配置されたトレイT上の
2枚の基板Sは、該冷却室4内に窒素ガス導入部41か
ら窒素ガスを、例えば数10リットル導入し、真空度を
約100Torr程度とすることにより、基板取り出し
に先立って冷却され、かかる冷却処理が終了すると、ゲ
ートバルブV9の開閉によってアンロード室5内へ送り
出される。このアンロード室5へのトレイTの送り出し
は、アンロード室5におけるトレイ回動装置8Aのロー
ラコンベア80Aを予め予備冷却室4内のコンベア40
に揃えておくことで行われる。
For the two substrates S on the tray T arranged in the precooling chamber 4, nitrogen gas is introduced into the cooling chamber 4 from the nitrogen gas introducing section 41, for example, several tens of liters, and the degree of vacuum is set to about 10. By setting the pressure to about 100 Torr, the substrate is cooled before it is taken out, and when the cooling process is finished, it is sent into the unload chamber 5 by opening and closing the gate valve V9. To feed the tray T into the unload chamber 5, the roller conveyor 80A of the tray rotating device 8A in the unload chamber 5 is moved in advance to the conveyor 40 in the preliminary cooling chamber 4.
It is done by aligning with.

【0055】かくしてアンロード室5内に搬入されたト
レイTはトレイ回動装置8Aにより90°回され、トレ
イの片面に支持された基板Sが基板取出し位置に配置さ
れる。この状態でチャック装置7Aが運転され、該トレ
イから該基板Sが受け取られ、このようにチャック装置
7Aに保持された処理済基板Sは基板取出し装置6Aに
渡され、この装置6Aにより垂直姿勢から水平姿勢に回
され、かかる水平姿勢状態でゲートバルブV51の開閉
によりアンロード室外に待ち受ける空のカセットCに挿
入配置される。このように1枚の処理済基板Sが取り出
された後、トレイT上のもう1枚の基板Sも同様にして
カセットCへ送り出される。
Thus, the tray T carried into the unload chamber 5 is rotated 90 ° by the tray rotating device 8A, and the substrate S supported on one side of the tray is placed at the substrate unloading position. In this state, the chuck device 7A is operated to receive the substrate S from the tray, and the processed substrate S thus held by the chuck device 7A is transferred to the substrate unloading device 6A. It is rotated to a horizontal posture, and in such a horizontal posture, the gate valve V51 is opened and closed to be inserted and placed in an empty cassette C waiting outside the unload chamber. After one processed substrate S is taken out in this way, the other substrate S on the tray T is similarly sent out to the cassette C.

【0056】予備冷却室4においては予備冷却を行うと
き、所定の真空度に維持される。さらにアンロード室5
は予備冷却室4からトレイTを受け取るに先立って所定
の真空度に維持される。かくしてアンロード室5におい
て空になったトレイTは前記とは逆の操作でロード室1
へ戻され、再び基板Sを装着され、これら基板もプロセ
ス室へ送られ、目的とする処理を受けたのち、アンロー
ド室5から搬出される。
In the precooling chamber 4, a predetermined degree of vacuum is maintained when precooling is performed. Further unload room 5
Is maintained at a predetermined vacuum level before receiving the tray T from the precooling chamber 4. Thus, the tray T emptied in the unload chamber 5 is operated in the reverse operation to the above, and the tray T is emptied.
Then, the substrates S are mounted again, these substrates are also sent to the process chamber, subjected to the intended processing, and then unloaded from the unload chamber 5.

【0057】前述の説明では、基板Sが1つのプロセス
室P1において処理を受けたのち直ちに基板搬送室3
A、3Bを経て予備冷却室4に搬入され、ここで予備冷
却されたのちアンロード室5からカセットCに搬出され
るが、1つのプロセス室P1において処理を受けた後、
1又は2以上のプロセス室P2、P3、P4によりさら
に処理を行ったのち予備冷却室4、アンロード室5を経
てカセットCへ搬出してもよい。
In the above description, the substrate S is processed in one process chamber P1 and immediately thereafter the substrate transfer chamber 3 is processed.
After being transferred to the pre-cooling chamber 4 via A and 3B, pre-cooled therein and then carried out of the unload chamber 5 to the cassette C, after being processed in one process chamber P1,
It is also possible to carry out further processing in one or more process chambers P2, P3, P4 and then carry out to the cassette C via the pre-cooling chamber 4 and the unload chamber 5.

【0058】プロセス室P2を用いるときは、基板搬送
室3Aに配置されたトレイTをトレイ回動装置31によ
り回動させ、ローラコンベア311をプロセス室P2に
おけるローラコンベアCVに揃える。また、プロセス室
P3やP4を用いるときは、基板搬送室3Bにおけるト
レイ回動装置32によるトレイTの適宜の回動及び該ト
レイ回動装置におけるローラコンベア321とプロセス
室P3におけるローラコンベアCVの運転或いはコンベ
ア321とプロセス室P4におけるローラコンベアCV
の運転が行われる。
When the process chamber P2 is used, the tray T arranged in the substrate transfer chamber 3A is rotated by the tray rotating device 31 to align the roller conveyor 311 with the roller conveyor CV in the process chamber P2. When using the process chambers P3 and P4, the tray rotating device 32 in the substrate transfer chamber 3B appropriately rotates the tray T, and the roller conveyor 321 in the tray rotating device and the roller conveyor CV in the process chamber P3 are operated. Alternatively, the conveyor 321 and the roller conveyor CV in the process room P4
Driving is performed.

【0059】なお、前記実施例説明では、予備加熱室2
において処理前基板を加熱し、予備冷却室4において処
理後基板を予備冷却しているが、処理温度が低い場合に
は基板Sを予備加熱室2及び予備冷却室4に素通りさせ
てもよい。また、処理温度が低い場合には、かかる予備
加熱室2及び予備冷却室4を省略してもよい。また、予
備加熱室2にも予備冷却できる手段を設けるとともに予
備冷却室4にも予備加熱できる手段を設け、アンロード
室5において基板Sをアンロード室外に搬出した後、こ
のアンロード室5において被処理基板SをトレイTに装
着し、該トレイTを前記と逆の操作で移動させ、その途
中で必要な予備加熱、目的とする処理、必要な予備冷却
を行い、ロード室1側から処理済基板を搬出するように
してもよい。このように構成すると、基板処理のタクト
時間を短縮できる。
In the above description of the embodiment, the preheating chamber 2
Although the pre-processed substrate is heated in 1 and the post-processed substrate is pre-cooled in the pre-cooling chamber 4, the substrate S may be passed through the pre-heating chamber 2 and the pre-cooling chamber 4 when the process temperature is low. Further, when the processing temperature is low, the preheating chamber 2 and the precooling chamber 4 may be omitted. Further, means for preliminarily cooling the preheating chamber 2 and means for preheating are also provided for the precooling chamber 4, and after the substrate S is carried out of the unloading chamber 5 to the outside of the unloading chamber 5, The substrate S to be processed is mounted on the tray T, and the tray T is moved in the reverse operation to the above, necessary preheating, desired processing, and necessary precooling are performed on the way, and processing is performed from the load chamber 1 side. The finished substrate may be carried out. With this configuration, the tact time for processing the substrate can be shortened.

【0060】また、前記実施例では、予備冷却室4にお
ける基板の予備冷却手段は窒素ガス導入部41である
が、トレイTにおけるヒータユニットHを冷却水を流せ
る構造とし、該ユニットに冷却水を流すことでトレイの
冷却、延いては基板Sの冷却を可能にしてもよい。ま
た、窒素ガス冷却と水冷却を併用してもよく、このよう
にすれば急速冷却が可能となる。
Further, in the above-mentioned embodiment, the precooling means for the substrate in the precooling chamber 4 is the nitrogen gas introducing part 41, but the heater unit H in the tray T has a structure in which the cooling water can flow and the cooling water is supplied to the unit. The flow may be allowed to cool the tray, and thus the substrate S. Further, nitrogen gas cooling and water cooling may be used together, and in this way, rapid cooling becomes possible.

【0061】次に、図1に示す基板処理装置による具体
的な成膜例について説明する。条件は以下の通りであ
る。 基板処理:プロセス室P1におけるa−Si膜の形成 基板:350mm×450mmの大型四角形ガラス基板
(コーニング7059) プロセス室P1における基板処理温度:280℃、面内
均一性 ±5℃ トレイTの基板支持面サイズ:一辺700mmの四角形 プロセス室P1における高周波電極ELサイズ:一辺7
00mmの四角形 高周波電力:200ワット 成膜真空度:0.5Torr 使用ガス:シラン 100ccm 水素 100ccm プロセス室P1における電極EL−基板間距離:35m
m 予備加熱室2のヒータ22:20KWの赤外線ランプ、
加熱速度500℃/min 以上の条件で各基板面にa−Si膜を形成したところ、
成膜速度350Å/min、 膜厚均一性 ±3%、
位置合わせ精度 ±2mm、 パーティクル密度 0.
3μm以上のものが0.05個/cm2 であった。ここ
で膜厚均一性とは、基板の四隅(各隅で直交する2辺か
らそれぞれ10mm内側に入った位置)及び基板中央に
おける膜厚のうち最大膜厚と最小膜厚との差を5で除し
て、その値の半値をプラス、マイナスに振って示したも
のである。
Next, a specific example of film formation by the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 will be described. The conditions are as follows. Substrate processing: Formation of a-Si film in process chamber P1 Substrate: Large rectangular glass substrate of 350 mm × 450 mm (Corning 7059) Substrate processing temperature in process chamber P1: 280 ° C., in-plane uniformity ± 5 ° C. Tray substrate support Surface size: square with 700 mm on a side High-frequency electrode EL size in process chamber P1 Size: 7 on a side
00 mm square High frequency power: 200 watt Deposition degree of vacuum: 0.5 Torr Working gas: Silane 100 ccm Hydrogen 100 ccm Electrode EL-substrate distance in process chamber P1: 35 m
m Heater 22 in the preheating chamber 2: 20 kW infrared lamp,
When an a-Si film was formed on each substrate surface at a heating rate of 500 ° C./min or more,
Deposition rate 350Å / min, thickness uniformity ± 3%,
Positioning accuracy ± 2 mm, particle density 0.
The number of particles having a size of 3 μm or more was 0.05 / cm 2 . Here, the film thickness uniformity means that the difference between the maximum film thickness and the minimum film thickness of the four film thicknesses at the four corners of the substrate (positions that are 10 mm inside from the two sides orthogonal to each other) and the substrate center is 5. It is shown by slashing the half of the value to plus and minus.

【0062】なお、後述する図17に示す基板処理装置
のように、基板Sを水平姿勢で処理した場合、パーティ
クル密度は0.2〜0.5個(0.3μm以上のもの)
/cm2 であった。従って、この実施例では、図17の
実施例に比べ、パーティクル密度が1/4〜1/10に
改善されている。次に本発明の他の実施例を図10から
図15を参照して説明する。図10は全体の概略平面
図、図11はロード室10と、該ロード室に付設した基
板支持トレイ搬送コンベア101、トレイ着脱装置10
2及びトレイ回動装置103を一部断面で示す図であ
る。図12はトレイ回動装置103の一部の構造説明
図、図13は被処理基板Sを支持したトレイT1をコン
ベア101に装着した状態の断面図、図14はロード室
10におけるトレイT1とコンベア101の側面図であ
る。図15は基板搬送室30A、30Bにおける基板支
持トレイ搬送コンベア30とその回動装置300の正面
図である。
When the substrate S is processed in a horizontal posture like the substrate processing apparatus shown in FIG. 17 described later, the particle density is 0.2 to 0.5 particles (those having a particle size of 0.3 μm or more).
Was / cm 2 . Therefore, in this embodiment, the particle density is improved to 1/4 to 1/10 as compared with the embodiment of FIG. Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 10 is a schematic plan view of the whole, and FIG. 11 is a load chamber 10, a substrate support tray transfer conveyor 101 attached to the load chamber, and a tray attaching / detaching device 10.
2 is a partial cross-sectional view of the tray rotation device 103 and the tray rotation device 103. 12 is a partial structural explanatory view of the tray rotating device 103, FIG. 13 is a sectional view of the tray T1 supporting the substrate S to be processed mounted on the conveyor 101, and FIG. 14 is a tray T1 and the conveyor in the load chamber 10. It is a side view of 101. FIG. 15 is a front view of the substrate support tray transfer conveyor 30 and its rotating device 300 in the substrate transfer chambers 30A and 30B.

【0063】この基板処理装置は、図10に示すよう
に、ロード室10と、該ロード室に開閉可能のゲートバ
ルブV1を介して連設された予備加熱室200と、該予
備加熱室に開閉可能のゲートバルブV2を介して連設さ
れた第1の基板搬送室30Aと、該搬送室30Aに開閉
可能のゲートバルブV3、V4及びV5を介してそれぞ
れ接続された第1プロセス室P1、第2プロセス室P2
及び第2の基板搬送室30Bと、該搬送室30Bに開閉
可能のゲートバルブV6、V7及びV8を介してそれぞ
れ接続された第3プロセス室P3、第4プロセス室P4
及び予備冷却室4と、該予備冷却室に開閉可能のゲート
バルブV9を介して接続されたアンロード室50とを備
えている。これら全体はクリーンルーム内に配置され
る。
As shown in FIG. 10, this substrate processing apparatus has a load chamber 10, a preheating chamber 200 connected to the load chamber via a gate valve V1 which can be opened and closed, and a preheating chamber opened and closed. A first substrate transfer chamber 30A continuously provided via a movable gate valve V2, and a first process chamber P1 connected to the transfer chamber 30A via openable and closable gate valves V3, V4, and V5. 2 Process room P2
And a second substrate transfer chamber 30B, and a third process chamber P3 and a fourth process chamber P4 which are connected to the transfer chamber 30B via openable and closable gate valves V6, V7 and V8, respectively.
And a pre-cooling chamber 4 and an unloading chamber 50 connected to the pre-cooling chamber via a gate valve V9 that can be opened and closed. All of these are placed in a clean room.

【0064】前記各ゲートバルブは図示しないバルブ駆
動装置にてそれぞれ独立して開閉されるようになってお
り、閉位置ではゲート開口を気密にシールする。また、
前記各室には図示しない排気装置が接続されており、該
排気装置にて各室をそれぞれ独立して所定の真空度に維
持できる。ロード室10は、図11及び図13に示すよ
うに、その一側に開口100を有し、該開口はゲートバ
ルブを兼ねる扉100Aによって開閉される。
Each of the gate valves is independently opened and closed by a valve driving device (not shown), and the gate opening is hermetically sealed at the closed position. Also,
An exhaust device (not shown) is connected to each of the chambers, and each chamber can be independently maintained at a predetermined vacuum degree by the exhaust device. As shown in FIGS. 11 and 13, the load chamber 10 has an opening 100 on one side thereof, and the opening is opened and closed by a door 100A also serving as a gate valve.

【0065】ロード室10には、基板支持トレイT1を
搬送するためのコンベア101を内部に設けてある。ま
た、開口100の隣にトレイT1をコンベア101に対
し着脱するトレイ着脱装置102及びトレイ着脱装置上
でトレイT1を水平状態に支持して回動させるトレイ回
動装置103を設けてある。トレイT1は、基部T11
に板状の基板支持体T12を一対立設したもので、基部
T11の中心部には、支持体T12とは反対方向に一本
の軸棒T13を突設してある。この軸棒には後述するプ
ッシャーロッドRDが嵌脱できる穴Taを形成してあ
る。
Inside the load chamber 10, a conveyor 101 for carrying the substrate supporting tray T1 is provided. Further, next to the opening 100, a tray attaching / detaching device 102 for attaching / detaching the tray T1 to / from the conveyor 101 and a tray rotating device 103 for supporting and rotating the tray T1 in a horizontal state on the tray attaching / detaching device are provided. The tray T1 has a base T11.
One plate-shaped substrate support T12 is provided opposite to the other, and one shaft rod T13 is provided at the center of the base T11 in the opposite direction to the support T12. The shaft Ta is formed with a hole Ta into which a pusher rod RD, which will be described later, can be inserted and removed.

【0066】コンベア101は一対の水平に並行な断面
コの字形の固定レール1011と、両レール間を上下に
通るコンベアブロック1012と、該ブロックの両側に
回転自在に支持されてレール1011に転動可能に嵌ま
ったローラ1013と、ブロック下面に固定したラック
1014と、これに係合するピニオン1015と、該ピ
ニオンを駆動する正転逆転運転可能のモータ1016と
を含んでいる。モータ1016はロード室10の外壁面
に固定されている。
The conveyor 101 includes a pair of horizontally parallel fixed rails 1011 having a U-shaped cross section, a conveyor block 1012 passing vertically between the rails, and rotatably supported on both sides of the blocks and rolling on the rails 1011. It includes a roller 1013 that fits as much as possible, a rack 1014 that is fixed to the lower surface of the block, a pinion 1015 that engages with the rack 1014, and a motor 1016 that drives the pinion and that is capable of forward and reverse rotation operation. The motor 1016 is fixed to the outer wall surface of the load chamber 10.

【0067】ブロック1012上部はトレイT1の基部
T11を嵌め込み支持する凹所1012aを有する。ま
た、該ブロックは上下に貫通する孔1012bを有す
る。トレイ着脱装置102は、レール1021上に搭載
されてロード室開口100に接近離反可能の台車102
2と、該台車上に立設された前柱1023及び後柱10
24と、これらに支持されるトレイ支持フレーム102
5を含んでいる。
An upper portion of the block 1012 has a recess 1012a for fitting and supporting the base portion T11 of the tray T1. Further, the block has a hole 1012b penetrating vertically. The tray attaching / detaching device 102 is mounted on a rail 1021 and can move toward and away from the load chamber opening 100.
2, and a front pillar 1023 and a rear pillar 10 which are erected on the carriage.
24 and the tray support frame 102 supported by these
Includes 5.

【0068】フレーム1025はその前部aの下端a1
が前柱1023に回動可能に連結支持され、後部bの下
端b1が後柱1024に離反可能に載置される。トレイ
着脱装置102は、さらに、台車とトレイ支持フレーム
間に連結されたピストンシリンダ装置1026と、ロー
ド室10の下面に固定されたプッシャー1027とを有
する。プッシャー1027はロッドRDをコンベアブロ
ック1012の貫通孔1012bに対し挿脱できるもの
である。
The frame 1025 has a lower end a1 at its front portion a.
Is rotatably connected to and supported by the front column 1023, and the lower end b1 of the rear part b is removably placed on the rear column 1024. The tray attaching / detaching device 102 further includes a piston cylinder device 1026 connected between the carriage and the tray supporting frame, and a pusher 1027 fixed to the lower surface of the load chamber 10. The pusher 1027 can insert and remove the rod RD into and from the through hole 1012b of the conveyor block 1012.

【0069】トレイ支持フレーム1025は、図11及
び図12に示すように、その前部aの上端a2がトレイ
T1の軸棒T13を脱離可能に受け入れて、回動可能に
支持できる凹所a21を有するとともに、後部bの上端
b2にトレイ嵌合ブロック1031を有する。ブロック
1031はモータ1032により回転駆動される。ブロ
ック1031はトレイT1の一対の基板支持体T12の
自由端部を嵌合支持できるもので、該ブロックの一側壁
1031aは他の側壁より背が低く形成されている。
As shown in FIGS. 11 and 12, the tray support frame 1025 has a recess a21 in which the upper end a2 of the front part a thereof detachably receives the shaft T13 of the tray T1 and is rotatably supported. And a tray fitting block 1031 at the upper end b2 of the rear part b. The block 1031 is rotationally driven by the motor 1032. The block 1031 can fit and support the free ends of the pair of substrate supports T12 of the tray T1, and one side wall 1031a of the block is formed shorter than the other side walls.

【0070】以上説明した各部のうち、トレイ支持フレ
ーム1025の前部aの上端凹所a21、トレイ嵌合ブ
ロック1031、これを駆動するモータ1032はトレ
イ回動装置103を構成している。以上説明したロード
室10においては、次のようにしてトレイT1に被処理
基板Sが装着され、次いで該トレイT1がコンベア10
1に装着される。
Of the above-described parts, the upper end recess a21 of the front part a of the tray support frame 1025, the tray fitting block 1031 and the motor 1032 for driving the tray fitting frame 1025 constitute the tray rotating device 103. In the load chamber 10 described above, the substrate S to be processed is mounted on the tray T1 in the following manner, and then the tray T1 is moved to the conveyor 10
It is attached to 1.

【0071】すなわち、準備段階として、トレイ着脱装
置102が、図11に二点鎖線で示す位置におかれる。
この状態では、ピストンシリンダ装置1026は縮めら
れ、支持フレーム1025が前柱1023と後柱102
4とに支持されて水平姿勢におかれる。また、台車10
22はロード室開口100から若干後退している。この
状態で、トレイT1の軸棒T13がトレイ支持フレーム
1025の前部上端凹所a21に嵌められるとともに、
該トレイの基板支持体T12の自由端部がブロック10
31に嵌め込まれ、かくして、一方の支持体T12の基
板支持面が上方へ向け平坦水平姿勢におかれる。ここ
で、この支持体T12に押さえ治具STを用いて被処理
基板Sがネジ止め固定される。次いで、ブロック103
1がモータ1032により回されることで、トレイT1
が回動され、もう一つの基板支持体T12の基板支持面
が上方へ向け平坦水平姿勢におかれる。そして、この支
持体にも、前記と同様にして被処理基板Sが固定され
る。
That is, as a preparatory step, the tray attaching / detaching device 102 is placed at the position shown by the chain double-dashed line in FIG.
In this state, the piston cylinder device 1026 is contracted, and the support frame 1025 moves the front column 1023 and the rear column 102.
It is supported by 4 and placed in a horizontal position. Also, the trolley 10
22 is slightly retracted from the load chamber opening 100. In this state, the shaft T13 of the tray T1 is fitted in the front upper end recess a21 of the tray support frame 1025, and
The free end of the substrate support T12 of the tray is the block 10
31. Thus, the substrate supporting surface of the one support T12 is placed in a flat horizontal position facing upward. Here, the substrate S to be processed is screwed and fixed to the support T12 by using a pressing jig ST. Then block 103
1 is rotated by the motor 1032, the tray T1
Is rotated, and the substrate supporting surface of the other substrate supporting member T12 is placed in a flat horizontal position facing upward. Then, the substrate S to be processed is fixed to this support in the same manner as described above.

【0072】かくして基板Sの装着が終了すると、ピス
トンシリンダ装置1026のピストンロッドが伸ばさ
れ、それによって、トレイ支持フレーム1025が立ち
上げられ、また、台車1022がロード室開口100の
方へ前進せしめられる。このようにしてトレイT1は、
図11に実線で示すように、コンベア101のブロック
1012上方に配置される。この配置に至るまでのトレ
イ支持フレーム1025の回動途中で、トレイT1はそ
の自重で下方へずれ、トレイ基部T11が、フレーム前
部aに当接支持される。このとき、基板支持体T12は
ブロック1031の側壁に支持されつつ、該ブロックか
ら若干抜け出て、背の低いブロック側壁1031aから
は外れる。
When the mounting of the substrate S is completed in this way, the piston rod of the piston cylinder device 1026 is extended, whereby the tray support frame 1025 is raised and the carriage 1022 is advanced toward the load chamber opening 100. . In this way, the tray T1 is
As shown by the solid line in FIG. 11, it is arranged above the block 1012 of the conveyor 101. During the rotation of the tray support frame 1025 until reaching this arrangement, the tray T1 is displaced downward by its own weight, and the tray base T11 is supported by abutting against the frame front portion a. At this time, the substrate support T12 is supported by the side wall of the block 1031 and slightly slips out of the block and comes off the short block side wall 1031a.

【0073】次に、プッシャー1027のロッドRDが
突出せしめられ、該ロッドRDはコンベアブロック10
12の貫通孔1012bを貫通して、トレイT1の軸棒
T13に達し、その孔Taに嵌合し、トレイT1を若干
持ち上げる。このようにして、トレイT1がプッシャー
ロッドRDに支持されると、台車1022が後退せしめ
られるとともに、トレイ支持フレーム1025はピスト
ンシリンダ装置1026のロッドが後退することで、当
初位置へ戻され、次のトレイ及び基板の装着を待つ。
Next, the rod RD of the pusher 1027 is projected so that the rod RD is conveyed to the conveyor block 10.
After passing through the through hole 1012b of 12 to reach the shaft T13 of the tray T1, it is fitted into the hole Ta and the tray T1 is slightly lifted. In this way, when the tray T1 is supported by the pusher rod RD, the carriage 1022 is retracted, and the tray support frame 1025 is returned to the initial position by retracting the rod of the piston cylinder device 1026. Wait for tray and board to be installed.

【0074】一方、プッシャーロッドRDに支持された
トレイT1は、トレイ着脱装置102が後退すると、該
ロッドRDが下降せしめられることで、トレイ基部T1
1がコンベアブロック1012の上部凹所1012aに
嵌まり込み、それによってコンベア101に立ち姿勢で
支持される。ロード室開口100は扉100Aにより気
密に閉じられる。図13はこの状態を示している。
On the other hand, in the tray T1 supported by the pusher rod RD, when the tray attaching / detaching device 102 retracts, the rod RD is lowered so that the tray base portion T1.
1 is fitted in the upper recess 1012a of the conveyor block 1012, and is thereby supported by the conveyor 101 in a standing posture. The load chamber opening 100 is airtightly closed by a door 100A. FIG. 13 shows this state.

【0075】かくして、コンベアモータ1016の運転
により、コンベアブロック1012が駆動され、トレイ
T1はゲートバルブV1の開閉にて予備加熱室200へ
搬送される。なお、前記基板支持体T12への治具ST
による基板Sの取り付けに代え、図5、図6に示すよう
な自動チャック装置7等を支持体T12に装備してもよ
い。
Thus, the conveyor block 1012 is driven by the operation of the conveyor motor 1016, and the tray T1 is conveyed to the preheating chamber 200 by opening and closing the gate valve V1. A jig ST for the substrate support T12
Instead of the attachment of the substrate S by, the support T12 may be equipped with the automatic chucking device 7 and the like as shown in FIGS.

【0076】以上説明したロード室10の構造及びこれ
に付設したコンベア101、トレイ着脱装置102及び
トレイ回動装置103は、アンロード室50にも採用さ
れている。但し、向きは互いに反対向きとなっており、
また、アンロード室50では、ロード室50における操
作と逆の操作で、トレイT1がコンベア101から取り
外され、該トレイから処理済基板Sが取り外される。
The structure of the load chamber 10 and the conveyor 101, the tray attaching / detaching device 102, and the tray rotating device 103 attached to the load chamber 10 described above are also used in the unload chamber 50. However, the directions are opposite to each other,
In the unload chamber 50, the tray T1 is removed from the conveyor 101 and the processed substrate S is removed from the tray by the reverse operation to the operation in the load chamber 50.

【0077】図10に示すように、基板搬送室30A、
30Bもそれぞれトレイ搬送コンベア30を備えてい
る。各コンベア30は、図13に示すロード室10のコ
ンベア101と実質上同構造のものであり、図15に示
すように、基板Sを両側に立ち姿勢で保持したトレイT
1を立ち姿勢で支持する可動ブロック1012を走行さ
せるものである。但し、ブロック1012を駆動する正
転、逆転運転可能のモータ1016、ピニオン101
5、ブロック1012両側のローラ1013が転動する
一対のレール1011等は、回動可能水平盤301上に
搭載されており、該盤体301はモータ302にて回動
される。すなわち、盤体301及びモータ302はコン
ベア回動装置300を構成している。
As shown in FIG. 10, the substrate transfer chamber 30A,
Each of the units 30B also includes a tray transfer conveyor 30. Each of the conveyors 30 has substantially the same structure as the conveyor 101 of the load chamber 10 shown in FIG. 13, and as shown in FIG. 15, a tray T holding a substrate S in a standing posture on both sides.
The movable block 1012 that supports 1 in a standing posture is run. However, the motor 1016 and the pinion 101 that drive the block 1012 and can rotate in the forward and reverse directions are used.
5, a pair of rails 1011 on which rollers 1013 on both sides of the block 1012 roll are mounted on a rotatable horizontal plate 301, and the plate 301 is rotated by a motor 302. That is, the board 301 and the motor 302 constitute the conveyor rotating device 300.

【0078】モータ302の正転又は逆転運転により、
一対のレール1011が任意の室に方向付けされ得る。
従って、トレイT1を支持したコンベアブロック101
2を予備加熱室200から受け取り、方向転換して、任
意のプロセス室、或いは隣りの基板搬送室へ、さらに
は、予備冷却室4へ送り込んだり、逆にそれら室から受
けとることもできる。
By the forward or reverse operation of the motor 302,
A pair of rails 1011 can be oriented to any chamber.
Therefore, the conveyor block 101 supporting the tray T1
It is also possible to receive 2 from the preheating chamber 200, change its direction, and send it to an arbitrary process chamber, an adjacent substrate transfer chamber, and further to the precooling chamber 4, or vice versa.

【0079】なお、予備加熱室200、各プロセス室P
1、P2、P3、P4及び予備冷却室4にも、ロード室
10におけるトレイ搬送コンベア101と同様のコンベ
アがそれぞれ設けてあり、それによって、トレイT1を
隣合う室との間で出し入れできる。以上説明した各コン
ベアは前記各隣合う室間で基板支持トレイT1を相互に
移動させるトレイ移動装置を構成している。
The preheating chamber 200, each process chamber P
1, P2, P3, P4 and the pre-cooling chamber 4 are also provided with the same conveyors as the tray transport conveyor 101 in the load chamber 10, so that the tray T1 can be taken in and out of the adjacent chambers. Each of the conveyors described above constitutes a tray moving device that moves the substrate supporting tray T1 between the adjacent chambers.

【0080】また、予備加熱室200はトレイ搬送コン
ベア上に支持されるトレイT1上の基板Sを予備加熱す
るためのヒータ(本例では赤外線ランプ)22をトレイ
軌道の両側に備えている。また、予備冷却室4はトレイ
搬送コンベア上に支持されるトレイT1上の基板Sを予
備冷却するための窒素ガス導入部41を備えている。
Further, the preheating chamber 200 is provided with heaters (infrared lamps in this example) 22 for preheating the substrate S on the tray T1 supported on the tray transport conveyor on both sides of the tray track. Further, the precooling chamber 4 includes a nitrogen gas introduction unit 41 for precooling the substrate S on the tray T1 supported on the tray transport conveyor.

【0081】プロセス室P1、P2、P3及びP4はト
レイ搬送コンベアの点を除き、図1に示す基板処理装置
におけるものと同様のものである。但し、基板加熱を要
するプロセス室では、例えばプラズマCVD処理を行う
プラズマ室P1等について、図1に例示するように、搬
入されてくるトレイT1の一対の基板支持体T12の間
に位置するように、予めヒータH1を配置してある。
The process chambers P1, P2, P3 and P4 are the same as those in the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 except for the tray transfer conveyor. However, in the process chamber requiring the substrate heating, for example, the plasma chamber P1 for performing the plasma CVD process is positioned between the pair of substrate supports T12 of the tray T1 that is carried in, as illustrated in FIG. The heater H1 is arranged in advance.

【0082】かかる基板処理装置によると、被処理基板
Sは、ロード室10において平坦水平状姿勢で容易に基
板支持トレイT1の両面に装着され、しかるのち、立ち
姿勢で搬送される。その後は図1の装置と同様に操作さ
れる。すなわち、予備加熱室200で予備加熱されたの
ち、基板搬送室30Aを経て1又は2以上のプロセス室
で処理を受けたのち、基板搬送室30Bを経て、予備冷
却室4へ搬入され、ここで予備冷却されたのち、アンロ
ード室50へ搬入され、ここでトレイT1がコンベアか
ら外されて水平状姿勢とされ、さらに、トレイT1から
処理済基板Sが水平状姿勢で容易に取り外される。な
お、予備冷却室4における冷却条件は、例えば、図1に
示す装置におけるものと同様でよい。
According to such a substrate processing apparatus, the substrate S to be processed is easily mounted on the both surfaces of the substrate supporting tray T1 in the load chamber 10 in a flat and horizontal posture, and then transported in a standing posture. After that, the same operation as in the apparatus of FIG. 1 is performed. That is, after being preheated in the preheating chamber 200, processed in one or two or more process chambers via the substrate transfer chamber 30A, and then transferred into the precooling chamber 4 via the substrate transfer chamber 30B. After being pre-cooled, it is carried into the unload chamber 50, where the tray T1 is removed from the conveyor to be in a horizontal posture, and the processed substrate S is easily removed from the tray T1 in a horizontal posture. The cooling conditions in the preliminary cooling chamber 4 may be the same as those in the device shown in FIG. 1, for example.

【0083】かくして空になったトレイT1はロード室
10へ運ばれる。なお、以上の説明では、予備加熱室2
00において処理前基板を加熱し、予備冷却室4におい
て処理後基板を予備冷却しているが、処理温度が低い場
合には基板Sを予備加熱室200及び予備冷却室4に素
通りさせてもよい。また、処理温度が低い場合には、か
かる予備加熱室200及び予備冷却室4を省略してもよ
い。
The tray T1 thus emptied is carried to the load chamber 10. In the above description, the preheating chamber 2
The pre-treatment substrate is heated at 00 and the post-treatment substrate is pre-cooled at the pre-cooling chamber 4, but the substrate S may be passed through the pre-heating chamber 200 and the pre-cooling chamber 4 when the treatment temperature is low. . Further, when the processing temperature is low, the preheating chamber 200 and the precooling chamber 4 may be omitted.

【0084】また、予備加熱室200にも予備冷却でき
る手段を設けるとともに予備冷却室4にも予備加熱でき
る手段を設け、アンロード室50側において基板Sをア
ンロード室外に搬出した後、このアンロード室50側に
おいて被処理基板SをトレイT1に装着し、該トレイT
1を前記と逆の操作で移動させ、その途中で必要な予備
加熱、目的とする処理、必要な予備冷却を行い、ロード
室10側から処理済基板を搬出するようにしてもよい。
このように構成すると、基板処理のタクト時間を短縮で
きる。
Further, means for preliminarily cooling the preheating chamber 200 and means for preheating are also provided in the precooling chamber 4, and after the substrate S is carried out of the unloading chamber 50 to the outside of the unloading chamber, The substrate S to be processed is mounted on the tray T1 on the side of the load chamber 50,
1 may be moved by the reverse operation to the above, and necessary preheating, desired processing, and necessary precooling may be performed on the way, and the processed substrate may be carried out from the load chamber 10 side.
With this configuration, the tact time for processing the substrate can be shortened.

【0085】また、前記実施例では、予備冷却室4にお
ける基板の予備冷却手段は窒素ガス導入部41である
が、搬入されてくる一対の基板支持体の間に位置するよ
うに配置した水冷クーラを採用してもよい。また、窒素
ガス冷却とクーラを併用してもよく、このようにすれば
急速冷却が可能となる。次に、図10に示す基板処理装
置による具体的な成膜例について説明する。条件は以下
の通りである。 基板処理:プロセス室P1におけるa−Si膜の形成 基板:500mm×500mmの大型四角形ガラス基板
(コーニング7059) プロセス室P1における基板処理温度:280℃、面内
均一性 ±5℃ トレイT1の基板支持面サイズ:一辺700mmの四角
形 プロセス室P1における高周波電極ELサイズ:一辺7
00mmの四角形 高周波電力:200ワット 成膜真空度:0.5Torr 使用ガス:シラン 100ccm 水素 200ccm プロセス室P1における電極EL−基板間距離:35m
m 予備加熱室200のヒータ22:20KWの赤外線ラン
プ、加熱速度500℃/min 以上の条件で各基板面にa−Si膜を形成したところ、
成膜速度350Å/min、 膜厚均一性 ±5% で
あった。
Further, in the above-mentioned embodiment, the precooling means for the substrate in the precooling chamber 4 is the nitrogen gas introducing part 41, but the water cooling cooler arranged so as to be positioned between the pair of substrate supports being carried in. May be adopted. Further, nitrogen gas cooling and a cooler may be used together, and in this way rapid cooling is possible. Next, a specific example of film formation by the substrate processing apparatus shown in FIG. 10 will be described. The conditions are as follows. Substrate processing: formation of a-Si film in process chamber P1 Substrate: 500 mm x 500 mm large square glass substrate (Corning 7059) Substrate processing temperature in process chamber P1: 280 ° C, in-plane uniformity ± 5 ° C Substrate support of tray T1 Surface size: square with 700 mm on a side High-frequency electrode EL size in process chamber P1 Size: 7 on a side
00 mm square High frequency power: 200 watt Deposition degree of vacuum: 0.5 Torr Working gas: Silane 100 ccm Hydrogen 200 ccm Electrode EL-substrate distance in process chamber P1: 35 m
m heater 22 of preheating chamber 200: infrared lamp of 20 kW, a-Si film formed on each substrate surface under heating rate of 500 ° C./min or more,
The film formation rate was 350 Å / min, and the film thickness uniformity was ± 5%.

【0086】次に本発明のさらに他の実施例を図16を
参照して説明する。この基板処理装置は、図10に示す
装置において、さらに、プロセス室P5、P6を増やす
とともに基板搬送室30C、30Dを増やしたものであ
る。このように、プロセス室を必要に応じ増加連設する
ことができ、しかも装置全体をコンパクトにまとめるこ
とができる。
Next, still another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This substrate processing apparatus is obtained by further increasing the process chambers P5 and P6 and the substrate transfer chambers 30C and 30D in the apparatus shown in FIG. As described above, the process chambers can be connected in an increased number as needed, and the entire apparatus can be compactly assembled.

【0087】次に本発明のさらに他の実施例を図17を
参照して説明する。この基板処理装置は、被処理基板S
を基板支持トレイtに装着するロード室91と、前記基
板Sを予備加熱する予備加熱室92と、基板Sに目的の
処理を施す1又は2以上のプロセス室93と、目的とす
る処理終了後の基板Sを冷却する予備冷却室94と、基
板Sを取り出すアンロード室95と、予備加熱室92、
プロセス室93及び予備冷却室94を接続する基板搬送
室96と、基板支持トレイtを隣合う前記室間で移動さ
せる図示しないトレイ移動手段とを備えている。
Next, still another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This substrate processing apparatus includes a substrate S to be processed.
A load chamber 91 for mounting the substrate S on the substrate supporting tray t, a preheating chamber 92 for preheating the substrate S, one or more process chambers 93 for subjecting the substrate S to a target process, and after completion of the target process. A pre-cooling chamber 94 for cooling the substrate S, an unloading chamber 95 for taking out the substrate S, a pre-heating chamber 92,
A substrate transfer chamber 96 that connects the process chamber 93 and the precooling chamber 94, and a tray moving unit (not shown) that moves the substrate support tray t between the adjacent chambers are provided.

【0088】この装置では、例えば図9に示すように、
被処理基板Sを平坦水平状の姿勢で上下方向に複数段に
支持した基板支持カセットCをロード室91の入口に臨
ませ、このカセットから基板Sを取り出してロード室9
1内へ取り込み、該室内に予め配置した基板支持トレイ
tの片面に平坦水平状の姿勢のまま装着する。基板を装
着されたトレイは予備加熱室へ搬送され、ここで必要に
応じ、基板が予備加熱されたのち、搬送室96を経てい
ずれかのプロセス室93へ入れられる。かくして目的の
処理(成膜、エッチング等)を受けた基板を支持するト
レイtは、再び搬送室96を経て予備冷却室94へ、或
いは、さらに1又は2以上のプロセス室93にて基板処
理を受けたのち予備冷却室へ搬送され、ここで必要に応
じ基板が予備冷却されたのちアンロード室95へ入れら
れ、そこからアンロード室外に待ち受ける基板支持カセ
ットC等に基板Sが渡される。
In this device, for example, as shown in FIG.
A substrate supporting cassette C, which supports a substrate S to be processed in a flat horizontal posture in a plurality of vertical directions, faces an entrance of a load chamber 91, and the substrate S is taken out from the cassette to load chamber 9
The substrate supporting tray t is taken into the inside of the chamber 1 and mounted on one surface of the substrate supporting tray t in a flat and horizontal state in a horizontal posture. The tray on which the substrate is mounted is transferred to a preheating chamber, where the substrate is preheated if necessary, and then is transferred to one of the process chambers 93 via the transfer chamber 96. Thus, the tray t that supports the substrate that has been subjected to the target processing (film formation, etching, etc.) again passes through the transfer chamber 96 to the pre-cooling chamber 94, or to the substrate processing in one or more process chambers 93. After being received, the substrate is transferred to the pre-cooling chamber, where the substrate is pre-cooled if necessary, and then placed in the unload chamber 95, from which the substrate S is transferred to the substrate support cassette C or the like waiting outside the unload chamber.

【0089】空になったトレイtはロード室91へ戻さ
れ、次の基板が装着され、再び前記と同様の工程が繰り
返される。前記いずれの実施例装置においても、基板搬
送室が他の室の仲立ちをする位置にあるので、同一の処
理を行うプロセス室を複数備えておくことにより、その
うち一つのプロセス室を使用中でも、次の基板をもう一
つ又は二つ以上のプロセス室に導入して同じ処理を並行
して行うことができ、該処理に時間を要する場合でもそ
れだけ能率良く処理を進めることができる。また、何ら
かのトラブルで使用できないプロセス室が生じても、他
のプロセス室を使用して処理を続行できる。さらに、異
なる処理を行う複数のプロセス室を設けておけば、それ
らのうち必要なプロセス室のみを用いて所望の処理を行
うこともできる。
The emptied tray t is returned to the load chamber 91, the next substrate is mounted, and the same steps as those described above are repeated. In any of the above-mentioned apparatus, since the substrate transfer chamber is in a position to mediate the other chambers, by providing a plurality of process chambers for performing the same processing, one The substrate can be introduced into another or two or more process chambers to perform the same treatment in parallel, and even if the treatment requires a long time, the treatment can be advanced more efficiently. Further, even if there is a process chamber that cannot be used due to some trouble, the process can be continued using another process chamber. Furthermore, by providing a plurality of process chambers that perform different processes, it is possible to perform the desired process using only the necessary process chamber among them.

【0090】[0090]

【発明の効果】以上説明したように本発明の基板処理装
置によると、従来のバッチ処理型の基板処理装置に比べ
ると勿論のこと、インライン型等の被処理基板を順次供
給できる基板処理装置と比べても、能率良く、所望の基
板処理を実施できる。ロード室が目的とする処理前の基
板を予備加熱する予備加熱室を介して基板搬送装置に接
続され、アンロード室が目的とする処理終了後の基板を
冷却する予備冷却室を介して基板搬送室に接続されてい
るときは、基板処理温度が高温のとき、この予備加熱室
において処理前基板を加熱し、予備冷却室において処理
終了後基板を予備冷却することにより、円滑な基板処理
を行うことができる。
As described above, according to the substrate processing apparatus of the present invention, not only the substrate processing apparatus of the conventional batch processing type but also the substrate processing apparatus capable of sequentially supplying substrates to be processed such as in-line type. Even in comparison, the desired substrate processing can be performed with good efficiency. The load chamber is connected to the substrate transfer device via the pre-heating chamber that pre-heats the target unprocessed substrate, and the unload chamber transfers the substrate through the pre-cooling chamber that cools the target processed substrate When connected to the chamber, when the substrate processing temperature is high, the pre-processing substrate is heated in the pre-heating chamber, and the substrate is pre-cooled after the processing is completed in the pre-cooling chamber to perform smooth substrate processing. be able to.

【0091】また、予備加熱室が予備冷却室を兼ねるよ
うに構成され、予備冷却室が予備加熱室を兼ねるように
構成されているときは、アンロード室においても被処理
基板を装着し、基板を支持した基板支持トレイをロード
室側へ向け移動させ、その途中で処理を行うことができ
るので、基板処理のタクト時間がそれだけ短縮される利
点がある。
When the preheating chamber is also configured to serve also as the precooling chamber and the precooling chamber is also configured to serve as the preheating chamber, the substrate to be processed is mounted in the unloading chamber, Since the substrate supporting tray supporting the substrate can be moved toward the load chamber and processing can be performed in the middle of the loading chamber, there is an advantage that the tact time of the substrate processing is shortened accordingly.

【0092】請求項5に記載の基板処理装置によると、
基板は立てた状態で処理を受けるので、基板へダストや
パーティクルといった不純物が付着したり、混入したり
することが抑制される。請求項6及び7に記載の基板処
理装置によると、基板支持カセット等により水平状態で
支持されている被処理基板をそのまま取り出して容易に
装着でき、また、処理済基板の取り出しも容易である。
According to the substrate processing apparatus of the fifth aspect,
Since the substrate is processed in an upright state, it is possible to prevent impurities such as dust and particles from adhering to and mixing with the substrate. According to the substrate processing apparatus of the sixth and seventh aspects, the substrate to be processed which is supported in a horizontal state by the substrate supporting cassette or the like can be taken out and mounted as it is, and the processed substrate can be taken out easily.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の全体の平面図である。FIG. 1 is an overall plan view of an embodiment of the present invention.

【図2】ロード室における基板取込み装置の側面図であ
る。
FIG. 2 is a side view of the substrate loading device in the load chamber.

【図3】ロード室における基板取込み装置の平面図であ
る。
FIG. 3 is a plan view of the substrate loading device in the load chamber.

【図4】ロード室に配置された基板支持トレイとこれを
回動させるトレイ回動装置の側面図である。
FIG. 4 is a side view of a substrate support tray arranged in a load chamber and a tray rotation device that rotates the substrate support tray.

【図5】ロード室のチャック装置の側面図である。FIG. 5 is a side view of the chuck device in the load chamber.

【図6】ロード室のチャック装置の正面図である。FIG. 6 is a front view of the chuck device in the load chamber.

【図7】予備加熱室内のローラコンベアの平面図であ
る。
FIG. 7 is a plan view of a roller conveyor in a preheating chamber.

【図8】プラズマCVD装置として構成した一つのプロ
セス室の断面図である。
FIG. 8 is a sectional view of one process chamber configured as a plasma CVD apparatus.

【図9】基板支持カセットの斜視図である。FIG. 9 is a perspective view of a substrate support cassette.

【図10】本発明の他の実施例の概略平面図である。FIG. 10 is a schematic plan view of another embodiment of the present invention.

【図11】ロード室と、該ロード室に付設した基板支持
トレイ搬送コンベア、トレイ着脱装置及びトレイ回動装
置を一部断面で示す図である。
FIG. 11 is a partial cross-sectional view of a load chamber, a substrate supporting tray transfer conveyor, a tray attaching / detaching device, and a tray rotating device attached to the load chamber.

【図12】トレイ回動装置の一部の構造説明図である。FIG. 12 is a partial structural explanatory view of the tray rotating device.

【図13】被処理基板を支持した基板支持トレイをトレ
イ搬送コンベアに装着した状態のロード室断面図であ
る。
FIG. 13 is a sectional view of the load chamber in which the substrate support tray supporting the substrate to be processed is mounted on the tray transport conveyor.

【図14】ロード室における基板支持トレイTとトレイ
搬送コンベアの側面図である。
FIG. 14 is a side view of the substrate support tray T and the tray transfer conveyor in the load chamber.

【図15】基板搬送室における基板支持トレイ搬送コン
ベアとその回動装置の正面図である。
FIG. 15 is a front view of a substrate supporting tray transfer conveyor and its rotating device in the substrate transfer chamber.

【図16】本発明のさらに他の実施例の概略平面図であ
る。
FIG. 16 is a schematic plan view of still another embodiment of the present invention.

【図17】本発明のさらに他の実施例の概略平面図であ
る。
FIG. 17 is a schematic plan view of still another embodiment of the present invention.

【図18】従来例の概略側面図である。FIG. 18 is a schematic side view of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

図1から図9について 1 ロード室 11 ロード室入口 V11 ロード室入口のゲートバルブ 2 予備加熱室 20 ローラコンベア 22 ヒータ 3A、3B 搬送室 31、32 トレイ回動装置 311、321 ローラコンベア 4 予備冷却室 40 ローラコンベア 41 窒素ガス導入部 P1、P2、P3、P4 プロセス室 CV ローラコンベア 5 アンロード室 51 アンロード室出口 V51 アンロード室出口のゲートバルブ V1〜V9 室間のゲートバルブ 6 基板取込み装置 7 チャック装置 8 トレイ回動装置 80 ローラコンベア 6A 基板取出し装置 7A チャック装置 8A トレイ回動装置 80A ローラコンベア S 基板 T 基板支持トレイ C 基板支持カセット CB クリーンブース 図10から図15について 10 ロード室 100 ロード室開口 100A ロード室開口の扉 101 トレイ搬送コンベア 102 トレイ着脱装置 103 トレイ回動装置 200 予備加熱室 22 ヒータ 30A、30B 基板搬送室 30 トレイ搬送コンベア 300 コンベア回動装置 P1、P2、P3、P4 プロセス室 H1 ヒータ 4 予備冷却室 41 窒素ガス導入部 50 アンロード室 V1〜V9 室間のゲートバルブ S 基板 T1 基板支持トレイ 図16について P5 、P6 プロセス室 図17について 91 ロード室 92 予備加熱室 93 プロセス室 94 予備冷却室 95 アンロード室 96 基板搬送室 t 基板支持トレイ 1 to 9 1 Load chamber 11 Load chamber inlet V11 Gate valve at load chamber inlet 2 Preheating chamber 20 Roller conveyor 22 Heater 3A, 3B Transport chamber 31, 32 Tray rotating device 311, 321 Roller conveyor 4 Precooling chamber 40 Roller Conveyor 41 Nitrogen Gas Introducing Section P1, P2, P3, P4 Process Chamber CV Roller Conveyor 5 Unloading Chamber 51 Unloading Chamber Exit V51 Unloading Chamber Exit Gate Valve V1 to V9 Gate Valve 6 Chamber 6 Substrate Intake Device 7 Chuck device 8 Tray rotation device 80 Roller conveyor 6A Substrate takeout device 7A Chuck device 8A Tray rotation device 80A Roller conveyor S Substrate T Substrate support tray C Substrate support cassette CB Clean booth 10 to FIG. 15 Load chamber 100 Low Chamber opening 100A Load chamber opening door 101 Tray transfer conveyor 102 Tray attaching / detaching device 103 Tray turning device 200 Preheating chamber 22 Heater 30A, 30B Substrate transfer chamber 30 Tray transfer conveyor 300 Conveyor turning device P1, P2, P3, P4 process Chamber H1 Heater 4 Pre-cooling chamber 41 Nitrogen gas introduction part 50 Unload chamber V1-V9 Gate valve between chambers S Substrate T1 Substrate support tray About FIG. 16 P5, P6 Process chamber About FIG. 91 91 Load chamber 92 Preheating chamber 93 Process Chamber 94 Pre-cooling chamber 95 Unload chamber 96 Substrate transfer chamber t Substrate support tray

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理基板を装着するためのロード室
と、前記基板に目的の処理を施すプロセス室と、処理済
基板を取り出すためのアンロード室と、前記ロード室、
プロセス室及びアンロード室を接続する基板搬送室と、
前記基板を支持する基板支持トレイと、前記基板支持ト
レイを前記室間で移動させるトレイ移動手段とを備え、
前記基板搬送室は前記ロード室と前記プロセス室相互、
前記プロセス室相互及び前記プロセス室と前記アンロー
ド室相互をそれぞれ接続するように配置されていること
を特徴とする基板処理装置。
1. A load chamber for mounting a substrate to be processed, a process chamber for subjecting the substrate to a target process, an unload chamber for taking out a processed substrate, the load chamber,
A substrate transfer chamber that connects the process chamber and the unload chamber,
A substrate supporting tray for supporting the substrate; and a tray moving means for moving the substrate supporting tray between the chambers,
The substrate transfer chamber includes the load chamber and the process chamber,
The substrate processing apparatus is arranged so as to connect the process chambers and the process chamber and the unload chamber to each other.
【請求項2】 前記ロード室が前記目的とする処理前の
基板を予備加熱する予備加熱室を介して前記基板搬送室
に接続され、前記アンロード室が前記目的とする処理終
了後の基板を冷却する予備冷却室を介して前記基板搬送
室に接続されている請求項1記載の基板処理装置。
2. The loading chamber is connected to the substrate transfer chamber via a preheating chamber for preheating the target unprocessed substrate, and the unload chamber holds the target processed substrate. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is connected to the substrate transfer chamber via a preliminary cooling chamber for cooling.
【請求項3】 前記予備加熱室が予備冷却室を兼ねるよ
うに構成され、前記予備冷却室が予備加熱室を兼ねるよ
うに構成されている請求項1又は2記載の基板処理装
置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the preliminary heating chamber is configured to also serve as a preliminary cooling chamber, and the preliminary cooling chamber is configured to also serve as a preliminary heating chamber.
【請求項4】 前記基板支持トレイがその片面に前記基
板を支持できるように構成されており、前記トレイ移動
手段が前記トレイを水平状姿勢で移動させるように構成
されている請求項1、2又は3記載の基板処理装置。
4. The substrate supporting tray is configured to support the substrate on one surface thereof, and the tray moving means is configured to move the tray in a horizontal posture. Alternatively, the substrate processing apparatus of item 3.
【請求項5】 前記基板支持トレイがその両面に前記基
板を支持できるように構成されており、前記トレイ移動
手段が前記トレイを立てた姿勢で移動させるように構成
されている請求項1、2又は3記載の基板処理装置。
5. The substrate supporting tray is configured to support the substrate on both sides thereof, and the tray moving means is configured to move the tray in an upright posture. Alternatively, the substrate processing apparatus of item 3.
【請求項6】 前記基板支持トレイが前記トレイ移動手
段に支持されており、 前記ロード室が、前記トレイ移動手段にて該ロード室に
配置されるトレイをその各基板支持面が基板装着位置に
配置されるように回動させるトレイ回動手段と、該ロー
ド室外に平坦水平状の姿勢で配置された被処理基板を取
り込み、立てた状態で前記基板装着位置に臨むチャック
位置へ搬送する基板取込み手段と、該チャック位置へ搬
送されてきた基板を保持して前記トレイの基板支持面へ
渡すチャック手段とを含んでおり、 前記アンロード室が、前記トレイ移動手段にて該アンロ
ード室に配置されるトレイをその各基板支持面が基板取
出し位置に配置されるように回動させるトレイ回動手段
と、該トレイの基板支持面から処理済基板を受け取るチ
ャック手段と、該チャック手段から処理済基板を受け取
り、平坦水平状の姿勢としてアンロード室外へ出す基板
取出し手段とを含んでいる請求項5記載の基板処理装
置。
6. The substrate supporting tray is supported by the tray moving means, and the load chamber has a tray arranged in the load chamber by the tray moving means such that each substrate supporting surface is at a substrate mounting position. A tray rotating means for rotating so as to be arranged, and a substrate take-in for taking in the substrate to be processed placed in a flat and horizontal posture outside the load chamber and carrying it in a standing state to a chuck position facing the substrate mounting position. Means and chuck means for holding the substrate conveyed to the chuck position and delivering it to the substrate supporting surface of the tray, wherein the unload chamber is arranged in the unload chamber by the tray moving means. Tray rotating means for rotating the tray so that each substrate supporting surface thereof is arranged at the substrate take-out position, and chuck means for receiving the processed substrate from the substrate supporting surface of the tray, Receiving a processed substrate from the chuck means, the substrate processing apparatus according to claim 5, wherein and a substrate unloading means for issuing to unload the outdoors as a flat horizontally posture.
【請求項7】 前記ロード室に、前記基板支持トレイを
支持して該トレイをその各基板支持面が交互に所定方向
に向くように回動させる手段と、該トレイ回動手段に支
持され、被処理基板を装着された前記基板支持トレイを
立て起こして前記トレイ移動手段に装着する手段とを付
設し、前記アンロード室に、処理済基板を支持している
前記基板支持トレイを前記トレイ移動手段から横倒し状
に取り出す手段と、該取り出された基板支持トレイをそ
の各基板支持面が交互に所定方向に向くように回動させ
る手段とを付設した請求項5記載の基板処理装置。
7. A means for supporting the substrate supporting tray in the load chamber and rotating the tray so that the substrate supporting surfaces of the tray are alternately oriented in a predetermined direction, and a means for supporting the tray rotating means. Means for raising the substrate supporting tray on which the substrate to be processed is mounted and mounting it on the tray moving means, and moving the substrate supporting tray supporting the processed substrate to the unload chamber. 6. The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising: a device for taking out the device in a sideways manner and a device for rotating the taken-out substrate supporting tray so that the respective substrate supporting surfaces thereof are alternately oriented in a predetermined direction.
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