JPH0669108B2 - Semiconductor laser and manufacturing method thereof - Google Patents

Semiconductor laser and manufacturing method thereof

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JPH0669108B2
JPH0669108B2 JP19220584A JP19220584A JPH0669108B2 JP H0669108 B2 JPH0669108 B2 JP H0669108B2 JP 19220584 A JP19220584 A JP 19220584A JP 19220584 A JP19220584 A JP 19220584A JP H0669108 B2 JPH0669108 B2 JP H0669108B2
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JP
Japan
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chip
light emitting
electrode
semiconductor laser
mark
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雅圭 軽石
正美 日高
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Fujitsu Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体レーザおよびその製造方法に係り、特
に、そのチップ構成の改良に関す。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser and a method for manufacturing the same, and more particularly to improvement of a chip structure thereof.

半導体レーザは、光を媒体にし多量の情報を扱う光通信
や情報処理の光信号源として多用されるようになって来
た。
Semiconductor lasers have come to be widely used as optical signal sources for optical communication and information processing that handle a large amount of information using light as a medium.

光情報処理の一つとして、例えばDADなどにおいて、光
源となる半導体レーザとレンズとの良い結合が得られる
よう、該半導体レーザにおいて光出射部の位置が正確に
所定の位置にあることが重要である。
As one of optical information processing, for example, in a DAD or the like, it is important that the position of the light emitting portion of the semiconductor laser is precisely at a predetermined position so that a good coupling between the semiconductor laser as a light source and the lens can be obtained. is there.

このため、レーザチップの取付けに際する該位置の位置
合わせは、正確に且つ容易に行い得ることが望ましい。
Therefore, it is desirable that the position of the laser chip can be accurately and easily adjusted when the laser chip is attached.

〔従来の技術〕 第2図(A)は従来の半導体レーザのチップの代表例を
示す斜視図である。該チップ1は、n形(またはp形)
基板2上に、ストライプ状の活性層からなりその端部が
光出射部となる発光部3、p形(またはn形)クラッド
層、p形(またはn形)コンタクト層5があり、その上
下にオーミック電極6、7が設けられ、更にその上下に
電極8、9が形成されてなっている。
[Prior Art] FIG. 2A is a perspective view showing a typical example of a chip of a conventional semiconductor laser. The chip 1 is an n-type (or p-type)
On the substrate 2, there are a light emitting portion 3 having a striped active layer and an end portion thereof serving as a light emitting portion, a p-type (or n-type) clad layer, and a p-type (or n-type) contact layer 5, and above and below thereof. Are provided with ohmic electrodes 6 and 7, and electrodes 8 and 9 are formed above and below them.

そして、チップ1の大きさは、縦横約300μm厚さ約100
μm程度、発光部3の幅は約3μm程度、電極8、9の
幅は約250μm程度である。
And the size of the chip 1 is about 300 μm in length and width and about 100 in thickness.
The width of the light emitting portion 3 is about 3 μm, and the width of the electrodes 8 and 9 is about 250 μm.

チップ1は、半導体レーザを形成するため、第2図
(B)図示のようにヒートシンクないしマウント台であ
るチップ取付台10に位置合わせして取付けられる。
In order to form a semiconductor laser, the chip 1 is aligned and mounted on a chip mounting base 10 which is a heat sink or mount base as shown in FIG. 2 (B).

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

上記チップ1のチップ取付台10に対する位置合わせは、
チップ1の発光部3とチップ取付台10の位置合わせ印11
とを基準にして行われるべきであるが、一般に発光部3
は視認困難なので、チップ1側においては、チップ取付
台10に接合されない側の電極8または9の幅、若しくは
チップ1の外形を基準にして行われる。
The alignment of the tip 1 with respect to the tip mount 10 is
Positioning mark 11 between the light emitting part 3 of the chip 1 and the chip mount 10
Generally, the light emitting unit 3 should be used.
Since it is difficult to visually recognize, on the chip 1 side, it is performed with reference to the width of the electrode 8 or 9 on the side not bonded to the chip mount 10 or the outer shape of the chip 1.

しかしながら、電極8、9の幅ないしチップ1の外形の
例えば中心位置が発光部3の位置に必ずしも合致してい
ないことがあって、位置合わせ印11に対する発光部3の
合致が不正確になり、上記チップ1を使用した半導体レ
ーザは歩留が低い問題を有している。
However, the widths of the electrodes 8 and 9 or the outer shape of the chip 1, for example, the center position, may not always match the position of the light emitting unit 3, and the light emitting unit 3 may be inaccurately aligned with the alignment mark 11. The semiconductor laser using the chip 1 has a problem of low yield.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記問題点は本発明により、内部にストライプ状の発光
領域が前後間に形成されたチップの上下両面に被着され
た電極において、発光領域の前後端面の発光部に対応す
る電極端部にはチップの発光部より小なる幅の印が設け
られるようにすることにより、またストライプ状の発光
領域を有するチップが互いに平行に夫々適当な間隔をお
いてマトリックス状に配置されるウエハーにおいて、ウ
エハー表面に電極膜を形成し、各チップの電極をパター
ンニングする際、各チップの前後端の発光部に対応して
印を有する電極用マスクパターンの最前列前端及び最後
列後端のマスクパターンの印をウエハー上のチップの発
光部に面する最前列前端及び最後列後端の発光部の位置
に合わせ、電極膜をパターンニングしてチップ毎の電極
を形成するようにして解決される。
According to the present invention, the above-mentioned problems are caused by the present invention, in which electrodes formed on the upper and lower surfaces of a chip in which stripe-shaped light emitting regions are formed in the front and rear are provided in the electrode end portions corresponding to the light emitting portions on the front and rear end faces of the light emitting region. By providing a mark having a width smaller than that of the light emitting portion of the chip, and also in the wafer in which the chips having the light emitting regions in stripes are arranged in parallel in a matrix at appropriate intervals, the wafer surface When patterning the electrodes of each chip by forming an electrode film on each of the chips, there are marks corresponding to the light emitting parts at the front and rear ends of each chip On the wafer to the positions of the front-end front end and the rear-end rear end of the light emitting part facing the light emitting part of the chip, and patterning the electrode film to form electrodes for each chip. It is solved Te.

〔作用〕[Action]

チップ取付台に対するレーザチップの位置合わせを行う
際に、光出射部を示した前記印を基準にすることにより
正確な位置合わせが容易にり、先に述べた電極幅ないし
チップ外形を基準にすることによる従来の不都合を解消
することが可能になる。
When aligning the laser chip with the chip mount, accurate alignment is facilitated by using the mark indicating the light emitting portion as a reference, and the electrode width or the chip outer shape described above is used as a reference. This makes it possible to eliminate the conventional inconvenience.

また、前記印を前記電極のパターンにより形成した場合
には、上述した製造方法により、該印の位置にストライ
プ状発光部の位置に合致して、該印がチップの光出射部
を正確に示すようになる。
Further, when the mark is formed by the pattern of the electrode, by the above-described manufacturing method, the position of the mark coincides with the position of the stripe-shaped light emitting portion, and the mark accurately indicates the light emitting portion of the chip. Like

この印の位置合わせは、基板に対して発光部を有する側
の電極形成において可能である。
The position of this mark can be adjusted in forming the electrode on the side having the light emitting portion with respect to the substrate.

それは、発光部の位置視認困難な場合であっても、該側
からクラッド層に至る略数μmの深さをエッチングする
ことにより視認可能になり、然も、前記位置合わせのた
めの該エッチングは、複数のチップをマトリックス状に
配列して形成するウェーハの一部のみを行うことで足り
るからである。
Even if it is difficult to visually recognize the position of the light emitting portion, it can be visually recognized by etching a depth of about several μm from the side to the cladding layer. This is because it is sufficient to perform only a part of the wafer formed by arranging a plurality of chips in a matrix.

なお、基板側に形成する電極に同様な印を設ける際に
は、該印を上記位置決めした先の印に位置合わせするこ
とにより前記発光部に位置合わせされ、この印も光出射
部を正確に示すようになる。
Note that when a similar mark is provided on the electrode formed on the substrate side, the mark is aligned with the above-described positioned mark to be aligned with the light emitting portion, and this mark also accurately indicates the light emitting portion. As shown.

かくして、本発明の構成により、半導体レーザの歩留り
を従来より向上させることが可能になる。
Thus, the structure of the present invention makes it possible to improve the yield of semiconductor lasers as compared with the conventional one.

〔実施例〕〔Example〕

以下本発明の一実施例を図により説明する。全図を通じ
同一符号は同一対象物を示す。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The same reference numerals denote the same objects throughout the drawings.

第1図(A−1)、(A−2)は本発明による半導体レ
ーザのチップの一実施例を示す斜視図と平面図、第1図
(B)は該チップのチップ取付台への取付けを示す平面
図、第1図(C−1)、(C−2)は該半導体レーザの
製造における電極形成の際の位置合わせを示す斜視図で
ある。
1 (A-1) and 1 (A-2) are a perspective view and a plan view showing an embodiment of a semiconductor laser chip according to the present invention, and FIG. 1 (B) is a mounting of the chip on a chip mounting base. FIGS. 1 (C-1) and 1 (C-2) are perspective views showing alignment during electrode formation in the manufacture of the semiconductor laser.

第1図(A−1)は第2図(A)に対応する図で、図示
のチップ1aは、チップ1の電極8、9が電極8a、9aに変
わったものである。電極8a、9aには、それぞれパターン
によって形成された切欠き8b、9bが設けられている。
FIG. 1 (A-1) corresponds to FIG. 2 (A). In the illustrated chip 1a, the electrodes 8 and 9 of the chip 1 are replaced with electrodes 8a and 9a. The electrodes 8a and 9a are provided with notches 8b and 9b formed by a pattern, respectively.

この切欠き8b、9bは、チップ1aの光出射部を示す印であ
って、チップ1aの発光機能に影響がないよう1〜5μm
角の大きさをなし、第1図(A−2)に示すチップ1aの
平面図上で発光部3と位置が合致している。
The notches 8b and 9b are marks showing the light emitting portion of the chip 1a, and are 1 to 5 μm so as not to affect the light emitting function of the chip 1a.
It has a size of a corner and is aligned with the light emitting portion 3 on the plan view of the chip 1a shown in FIG. 1 (A-2).

従って、第2図(B)と同様に示した第1図(B)図示
におけるチップ1aのチップ取付台10に対する位置合わせ
においては、切欠き8bまたは9bと位置合わせ印11とを基
準にして行うことが出来るので、該位置合わせは、従来
より正確に且つ容易に行うことが可能である。
Therefore, the positioning of the chip 1a with respect to the chip mounting base 10 shown in FIG. 1B shown in FIG. 2B is performed with reference to the notch 8b or 9b and the positioning mark 11. Therefore, the alignment can be performed more accurately and easily than in the past.

切欠き8b、9bの位置を、第1図(A−2)図示のよう
に、発光部3の位置に合致させるのは、次のような製造
方法によって可能である。
It is possible to match the positions of the notches 8b and 9b with the position of the light emitting section 3 as shown in FIG. 1 (A-2) by the following manufacturing method.

即ち、電極8a、9aの形成は、第1図(C−1)、(C−
2)図示のように、複数のチップ1aをマトリックス状に
配列して形成するウェーハ12においてなされるので、電
極8aを形成する際の電極8aのパターン8cの位置合わせ
は、切欠き8bのパターン8dの図上手前の一個と図示され
ない奥の一個とをそれぞれ対応する発光部3の位置に合
わせ(第1図(C−1)参照)、その後の電極9aを形成
する際の電極9aのパターン9cの位置合わせは、同様にし
て切欠き9bのパターン9dを切欠き8bの位置に合わせる
(第1図(C−2)参照)ことを行えばよい。
That is, the formation of the electrodes 8a and 9a is carried out by forming (C-1) and (C-
2) As shown in the figure, since it is performed on the wafer 12 formed by arranging a plurality of chips 1a in a matrix, the pattern 8c of the electrode 8a when forming the electrode 8a is aligned with the pattern 8d of the cutout 8b. In the figure, one on the front side and one on the back side (not shown) are respectively aligned with the corresponding positions of the light emitting section 3 (see FIG. 1 (C-1)), and the pattern 9c of the electrode 9a when the electrode 9a is formed thereafter. For the position alignment, the pattern 9d of the cutout 9b may be aligned with the position of the cutout 8b in the same manner (see FIG. 1 (C-2)).

また、電極8aパターンの位置合わせに際して、発光部3
の位置が視認困難な場合には、ウェーハ12の電極8a形成
側からクラッド層4に至る略数μmの深さをエッチング
することにより視認可能になるので、ウェーハ12の該位
置合わせに必要な領域に対して上記エッチングを行えば
よい。
In addition, when aligning the electrode 8a pattern, the light emitting unit 3
When the position of is difficult to visually recognize, it becomes visible by etching a depth of approximately several μm from the side where the electrode 8a is formed on the wafer 12 to the cladding layer 4, so that the region necessary for the alignment of the wafer 12 is obtained. Then, the above etching may be performed.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、本発明による構成によれば、レー
ザチップをチップ取付台に取り付ける際の該チップの位
置合わせを、従来より正確に且つ容易に行うことが可能
な半導体レーザとその製造方法が提供出来て、該半導体
レーザの歩留りを従来より向上させることが可能になる
効果がある。
As described above, according to the configuration of the present invention, there is provided a semiconductor laser and a method of manufacturing the same that can more accurately and easily align the chip when mounting the laser chip on the chip mount. There is an effect that the yield of the semiconductor laser can be improved and the yield of the semiconductor laser can be improved as compared with the conventional case.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

図面において、 第1図(A−1)、(A−2)は本発明による半導体レ
ーザのチップの一実施例を示す斜視図と平面図、 第1図(B)は該チップのチップ取付台への取付けを示
す平面図、 第1図(C−1)、(C−2)は該半導体レーザの製造
における電極形成の際の位置合わせを示す斜視図、 第2図(A)は従来の半導体レーザのチップの代表例を
示す斜視図、 第2図(B)は該チップのチップ取付台への取付けを示
す平面図である。 また、図中において、 1、1aはチップ、2は基板、 3は発光部、4はクラッド層、 5はコンタクト層、6、7はオーミック電極、 8、8a、9、9aは電極、8b、9bは切欠き、 8c、9cは電極パターン、8d、9dは切欠きパターン、 10はチップ取付台、11は位置合わせ印、 12はウェーハ、 をそれぞれ示す。
In the drawings, FIGS. 1 (A-1) and (A-2) are a perspective view and a plan view showing an embodiment of a semiconductor laser chip according to the present invention, and FIG. 1 (B) is a chip mount of the chip. FIG. 1 (C-1) and (C-2) are perspective views showing alignment during electrode formation in the manufacture of the semiconductor laser, and FIG. FIG. 2B is a perspective view showing a typical example of a semiconductor laser chip, and FIG. 2B is a plan view showing how the chip is mounted on the chip mounting base. In the figure, 1, 1a is a chip, 2 is a substrate, 3 is a light emitting part, 4 is a clad layer, 5 is a contact layer, 6 and 7 are ohmic electrodes, 8, 8a, 9 and 9a are electrodes, 8b, 9b is a notch, 8c and 9c are electrode patterns, 8d and 9d are notch patterns, 10 is a chip mount, 11 is an alignment mark, and 12 is a wafer.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】内部にストライプ状の発光領域が前後間に
形成されたチップの上下両面に被着された電極におい
て、発光領域の前後端面の発光部に対応する電極端部に
はチップの発光部より小なる幅の印が設けられているこ
とを特徴とする半導体レーザ。
1. A chip having a striped light emitting region formed in front and back thereof, which is attached to both upper and lower surfaces of a chip, wherein light emission of the chip is provided at an electrode end corresponding to a light emitting portion at a front and rear end face of the light emitting region. A semiconductor laser characterized in that a mark having a width smaller than that of the portion is provided.
【請求項2】ストライプ状の発光領域を有するチップが
互いに平行に夫々適当な間隔をおいてマトリックス状に
配置されるウエハーにおいて、ウエハー表面に電極膜を
形成し、各チップの電極をパターンニングする際、各チ
ップの前後端の発光部に対応して印を有する電極用マス
クパターンの最前列前端及び最後列後端のマスクパター
ンの印をウエハー上のチップの発光部に面する最前列前
端及び最後列後端の発光部の位置に合わせ、電極膜をパ
ターンニングしてチップ毎の電極を形成することを特徴
とする半導体レーザの製造方法。
2. A wafer in which chips each having a stripe-shaped light emitting region are arranged in parallel in parallel with each other at appropriate intervals in a matrix form, an electrode film is formed on the wafer surface, and electrodes of each chip are patterned. At this time, the front row front end and the front row front end facing the light emitting section of the chip on the wafer and the front end of the front row of the electrode mask pattern having a mark corresponding to the front and rear light emitting sections of each chip A method of manufacturing a semiconductor laser, comprising forming an electrode for each chip by patterning an electrode film in accordance with the position of the light emitting portion at the rear end of the last row.
JP19220584A 1984-09-13 1984-09-13 Semiconductor laser and manufacturing method thereof Expired - Lifetime JPH0669108B2 (en)

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