JPH06656B2 - Method for manufacturing radiation resistant optical fiber - Google Patents

Method for manufacturing radiation resistant optical fiber

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JPH06656B2
JPH06656B2 JP1110799A JP11079989A JPH06656B2 JP H06656 B2 JPH06656 B2 JP H06656B2 JP 1110799 A JP1110799 A JP 1110799A JP 11079989 A JP11079989 A JP 11079989A JP H06656 B2 JPH06656 B2 JP H06656B2
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  • Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、高放射線量の被曝が予想される原子力関連設
備や原子力再処理設備において使用される光ファイバケ
ーブル等に用いられる耐放射線性光ファイバの製造法に
関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION "Industrial field of application" The present invention relates to a radiation-resistant light used for an optical fiber cable or the like used in nuclear-related equipment or nuclear reprocessing equipment, which is expected to be exposed to a high radiation dose. The present invention relates to a fiber manufacturing method.

「従来の技術」 高放射線量下で使用される光ケーブル等に用いられる光
ファイバとしては、純粋石英コア光ファイバが用いられ
ている。この光ファイバは、GeO2をドープした通常
の光ファイバと比較すると耐放射線特性がすぐれてい
る。第2図にこのような純粋石英コア光ファイバの例を
示す。この光ファイバは、純粋石英からなるコア1およ
びクラッド2とからなる光ファイバ裸線に変性シリコー
ン樹脂からなる第一次被覆層3と、ナイロン等のプラス
チック材料からなる第二次緩衝被覆層4とからなってい
る。
"Prior Art" Pure silica core optical fibers are used as optical fibers used in optical cables and the like used under high radiation dose. This optical fiber has excellent radiation resistance characteristics as compared with a normal optical fiber doped with GeO 2 . FIG. 2 shows an example of such a pure silica core optical fiber. This optical fiber comprises a bare optical fiber consisting of a core 1 and a clad 2 made of pure quartz, a primary coating layer 3 made of a modified silicone resin, and a secondary buffer coating layer 4 made of a plastic material such as nylon. It consists of

「発明が解決しようとする課題」 しかしながら、このような従来の耐放射線性の良い純粋
石英コア光ファイバにあっても、被曝放射線量が106
R以上になると、その光ファイバ中のSiO2が放射線
によって破壊されて欠陥Si−Oが生じ、これに水素ガ
スが反応してOH基が生成される。この時の水素ガスの
発生源としては前記光ファイバの石英中に吸蔵されてい
たものと、第一次被覆層や第二次緩衝被覆層が放射線に
よって分解されて発生したものとが考えられるが、ファ
イバ中のOH基が増加すると、このOH基による光の吸
収によって1.3μm帯における光通信の利用が不可能
となる。
[Problems to be Solved by the Invention] However, even in such a conventional pure silica core optical fiber having good radiation resistance, the radiation dose is 10 6
When it becomes R or more, SiO 2 in the optical fiber is destroyed by radiation to generate a defect Si—O, and hydrogen gas reacts with this to generate an OH group. As the source of hydrogen gas at this time, it is considered that the hydrogen gas was occluded in quartz of the optical fiber and the one generated by the primary coating layer or the secondary buffer coating layer being decomposed by radiation. When the number of OH groups in the fiber increases, the absorption of light by the OH groups makes it impossible to use optical communication in the 1.3 μm band.

本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、106R以
上の高放射線量下で使用する光ファイバにおいてOH基
の生成をおさえることによって、OH基による光の吸収
をおさえ、106R以上の放射線量下におても1.3μ
m帯における光通信を可能にすることを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, by suppressing the formation of OH groups in the optical fiber to be used in a high radiation dose of more than 10 6 R, suppressing light absorption by OH group, 10 6 R or 1.3μ even under the radiation dose of
The purpose is to enable optical communication in the m band.

「課題を解決するための手段」 そこで本発明では、光ファイバ裸線をヘリウムガスによ
る加熱、加圧ガス雰囲気を通過させて光ファイバ裸線中
の水素をヘリウムと置換し、さらにこの光ファイバ裸線
の表面に水素ガスを通過させない物質で被覆層を形成す
ることを問題解決の手段とした。
"Means for Solving the Problem" In the present invention, therefore, the bare optical fiber is heated with helium gas, and hydrogen in the bare optical fiber is replaced with helium by passing through a pressurized gas atmosphere. Forming a coating layer on the surface of the wire with a substance that does not allow hydrogen gas to pass through was used as a means for solving the problem.

「作用」 光ファイバ裸線中の残留水素がヘリウムガス中の加熱、
加圧によってヘリウムに置換され、さらこの光ファイバ
裸線の表面に水素ガスを通過させない物質で被覆層を形
成することによって、106R以上の高放射線下で光フ
ァイバ中に欠損Si−Oが生じてもこのSi−Oと結合
する水素が前記光ファイバ中に存在しないためにOH基
が生成されず、OH基による1.3μm帯の光の吸収が
おさえられる。
"Action" Residual hydrogen in the bare optical fiber is heated in helium gas,
It is replaced with helium by pressurization, and by forming a coating layer on the surface of this bare optical fiber with a substance that does not allow hydrogen gas to pass, defective Si-O is generated in the optical fiber under high radiation of 10 6 R or more. Even if it occurs, since the hydrogen bonded to Si—O does not exist in the optical fiber, no OH group is generated and absorption of light in the 1.3 μm band by the OH group is suppressed.

以下、図面を参照して本発明の耐放射線性光ファイバの
製造法を詳しく説明する。
Hereinafter, the method for producing the radiation resistant optical fiber of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は本発明の耐放射線性光ファイバの製造法に用い
られる製造装置の一例を示すもので、第1図中符号11
は光ファイバ裸線である。光ファイバ裸線は、光ファイ
バ母材(図示せず)を紡糸炉12で溶融紡糸したもの
で、光ファイバ裸線11は紡糸されるとともに、紡糸炉
12の下段に気密を破らずに設けられた加熱加圧処理炉
13へ送られるようになっている。この加熱加圧処理炉
13は紡糸炉12内で紡糸された光ファイバ裸線11中
の残留水素をヘリウムガス中で加熱、加圧することによ
りヘリウムと置換するためのものであって、光ファイバ
裸線11を加熱加圧する加熱加圧管14とこの加熱加圧
管14を加熱する発熱耐15とを設け、さらにこの加熱
加圧管14内にヘリウムガスを供給するためのヘリウム
ガス供給管14aとこのヘリウムガスを排気するための
ヘリウムガス排気管14bを取り付けたものである。加
熱加圧処理炉13の下段にはCVD炉16が気密を保つ
ように設けられている。このCVD炉16は、上段の加
熱加圧処理炉13内で、残留する水素を除去されてヘリ
ウムガスと置換された光ファイバ裸線11の表面に炭素
被膜をCVD法によって形成するためのものである。そ
してこのCVD炉16は、その内部にてCVD反応を進
行させて光ファイバ裸線11に炭素被膜を形成するCV
D反応管17と、このCVD反応管17を加熱する発熱
体18とから構成されている。このCVD反応管17の
上部には、CVD反応管17へ原料化合物を供給するた
めの原料化合物供給管17aが、下部にはCVD反応管
17内の間反応ガス等を排気する排気管17bが、それ
ぞれ取り付けられている。またこのCVD炉16の下段
には、樹脂液塗布装置19および熱硬化装置20とが連
続して設けられており、上記CVD炉16内で形成され
た炭素被膜上に保護被覆層が形成できるようになってい
る。
FIG. 1 shows an example of a manufacturing apparatus used in the method of manufacturing a radiation resistant optical fiber according to the present invention. Reference numeral 11 in FIG.
Is a bare optical fiber. The bare optical fiber is obtained by melting and spinning an optical fiber preform (not shown) in a spinning furnace 12. The bare optical fiber 11 is spun and is provided in the lower stage of the spinning furnace 12 without breaking the airtightness. It is sent to the heating and pressurizing treatment furnace 13. The heating / pressurizing treatment furnace 13 is for replacing the residual hydrogen in the bare optical fiber 11 spun in the spinning furnace 12 with helium by heating and pressurizing in the helium gas. A heating pressurizing pipe 14 for heating and pressurizing the wire 11 and a heat-resistant 15 for heating the heating pressurizing pipe 14 are provided, and a helium gas supply pipe 14a for supplying helium gas into the heating pressurizing pipe 14 and the helium gas. A helium gas exhaust pipe 14b for exhausting the gas is attached. A CVD furnace 16 is provided below the heating / pressurizing processing furnace 13 so as to keep airtightness. The CVD furnace 16 is for forming a carbon coating on the surface of the bare optical fiber 11 from which residual hydrogen has been removed and replaced with helium gas, by a CVD method in the upper heating and pressure treatment furnace 13. is there. Then, the CVD furnace 16 is a CV that forms a carbon coating on the bare optical fiber 11 by promoting a CVD reaction inside the CVD furnace 16.
It is composed of a D reaction tube 17 and a heating element 18 for heating the CVD reaction tube 17. A raw material compound supply pipe 17a for supplying a raw material compound to the CVD reaction pipe 17 is provided on the upper portion of the CVD reaction pipe 17, and an exhaust pipe 17b for exhausting reaction gas and the like between the CVD reaction pipe 17 is provided on the lower portion thereof. Each is installed. Further, a resin liquid coating device 19 and a thermosetting device 20 are continuously provided below the CVD furnace 16 so that a protective coating layer can be formed on the carbon coating formed in the CVD furnace 16. It has become.

上記の装置を用いて本発明の製造法に沿って耐放射線性
光ファイバを製造する方法を以下に示す。まず、石英系
光ファイバ母材を紡糸炉12内で溶融紡糸して光ファイ
バ裸線11とする。この石英系光ファイバ母材には、母
材製造時に必然的に残る微量の水素が含まれており、光
ファイバ裸線11にもしたがって微量の水素まが含まれ
ることになる。ついで、この光ファイバ裸線11をこの
紡糸炉12の下段に順次設けられた加熱加圧処理炉1
3、CVD炉16、樹脂塗布装置19、熱硬化装置20
へ送り、これらの中心軸上を所定の速度で走行するよう
に供給する。ここで加熱加圧処理炉13においては、ヘ
リウムガス供給管14aからヘリウムガスを供給しつつ
発熱体15を発熱させて加熱する。加熱温度としては、
500〜1200℃程度が好適である。この時、ヘリウ
ムガスの供給速度とヘリウムガス排気管14bからの排
気量とを調節してやることによって、加熱加圧槽14内
のヘリウムガスの圧力を高く保つようにする。光ファイ
バ裸線11中に残留している水素ガスは、このような加
熱加圧処理により容易しに除去されヘリウムガスによっ
て置換される。また、ここで供給するヘリウムガスとし
ては、絶乾状態の高純度ヘリウムガスが好適である。こ
のようにして残留水素を除去された光ファイバ裸線11
は、気密を保ったまま下段のCVD炉16内に挿入され
て炭素被膜が形成される。原料化合物供給管17aから
炭素被膜を形成するための原料化合物をCVD反応管1
7に供給してやると共に、発熱体18によってCVD反
応管17を加熱する。原料供給管17aから供給する原
料化合物としては、熱分解して炭素被膜を形成する化合
物であれば特に限定されないが形成される炭素被膜の性
状および形成速度の観点から、炭素数15以下の炭化水
素または、ハロゲン化炭化水素が好適である。これらの
原料化合物はガス状態にして供給するほか、不活性ガス
によて稀釈して供給することもできる。供給速度として
は原料化合物の種類および加熱温度によって適宜選択さ
れるが、通常は0.2〜1.0/分程度が好適であ
る。また発熱体18の加熱温度としては上記供給化合物
の種類によって適宜選択されるが、通常は400〜12
00℃程度である。こうして、CVD炉16内で原料化
合物が熱分解されて光ファイバ裸線11の表面に水素透
過阻止能力を有する炭素被膜が形成される。このように
して炭素被膜が表面に形成された光ファイバ裸線11を
下段に設置された樹脂塗布装置19へ導入して、ついで
熱硬化装置20へ挿入する。樹脂塗布装置19では保護
被覆層を形成するための熱硬化性樹脂等が光ファイバ裸
線11の表面に塗布され、ついでこの樹脂を熱硬化装置
20において熱処理して硬化させる。
A method of manufacturing a radiation resistant optical fiber according to the manufacturing method of the present invention using the above apparatus will be described below. First, the silica-based optical fiber preform is melt-spun in the spinning furnace 12 to form the bare optical fiber 11. This silica-based optical fiber preform contains a small amount of hydrogen that inevitably remains during the production of the preform, and the bare optical fiber 11 therefore also contains a small amount of hydrogen. Then, the bare optical fiber 11 is provided with a heating and pressurizing treatment furnace 1 which is sequentially provided in a lower stage of the spinning furnace 12.
3, CVD furnace 16, resin coating device 19, heat curing device 20
And is supplied so as to run at a predetermined speed on these central axes. Here, in the heating / pressurizing treatment furnace 13, the helium gas is supplied from the helium gas supply pipe 14a to heat the heating element 15 to generate heat. As the heating temperature,
The temperature is preferably about 500 to 1200 ° C. At this time, the pressure of the helium gas in the heating / pressurizing tank 14 is kept high by adjusting the supply rate of the helium gas and the exhaust amount from the helium gas exhaust pipe 14b. The hydrogen gas remaining in the bare optical fiber 11 is easily removed and replaced by helium gas by such heat and pressure treatment. Further, as the helium gas supplied here, a highly pure helium gas in an absolutely dry state is suitable. The bare optical fiber 11 from which the residual hydrogen has been removed in this way
Is inserted into the lower CVD furnace 16 while maintaining airtightness to form a carbon film. The raw material compound for forming the carbon coating is supplied from the raw material compound supply pipe 17a to the CVD reaction tube 1
7 and the CVD reaction tube 17 is heated by the heating element 18. The raw material compound supplied from the raw material supply pipe 17a is not particularly limited as long as it is a compound that thermally decomposes to form a carbon film, but from the viewpoint of the properties and the formation rate of the carbon film to be formed, a hydrocarbon having 15 or less carbon atoms. Alternatively, halogenated hydrocarbons are suitable. These raw material compounds may be supplied in a gas state or diluted with an inert gas and supplied. The supply rate is appropriately selected depending on the kind of the raw material compound and the heating temperature, but normally 0.2 to 1.0 / min is suitable. The heating temperature of the heating element 18 is appropriately selected depending on the kind of the above-mentioned feed compound, but is usually 400 to 12
It is about 00 ° C. In this way, the raw material compound is pyrolyzed in the CVD furnace 16 to form a carbon coating having a hydrogen permeation inhibiting ability on the surface of the bare optical fiber 11. The bare optical fiber 11 having the carbon coating formed on the surface thereof is introduced into the resin coating device 19 installed in the lower stage, and then inserted into the thermosetting device 20. In the resin coating device 19, a thermosetting resin or the like for forming a protective coating layer is coated on the surface of the bare optical fiber 11, and then the resin is heat-treated in the thermosetting device 20 to be cured.

また、水素透過阻止能力を有する物質として炭素被膜を
用いたが、この発明の製造法に用いられる水素透過阻止
能力を有する物質としては、これに限定されるものでは
なく、例えば炭化ケイ素などがある。
Further, although the carbon coating is used as the substance having the hydrogen permeation inhibiting ability, the substance having the hydrogen permeation inhibiting ability used in the production method of the present invention is not limited to this, and examples thereof include silicon carbide. .

「実施例1」 光ファイバ母材から光ファイバ裸線を紡糸する紡糸炉の
下段に、気密を保つように加熱加圧炉とCVD炉とを設
け、さらにその下段に樹脂液塗布装置と熱硬化装置とを
設けて第一図に示したと同様の耐放射線性光ファイバの
製造装置を構成した。加熱加圧炉はグラファイト炉を用
いた。またCVD炉の反応管は石英管とし、電気炉(カ
ンタル線)により加熱を行うようにした。樹脂塗布装置
としては、ダイスポットを用い、この中へ熱硬化性の樹
脂液を熱硬化装置においてはカンタル線を用いて加熱を
行った。
[Example 1] A heating / pressurizing furnace and a CVD furnace are provided in a lower stage of a spinning furnace for spinning a bare optical fiber from an optical fiber base material so as to keep airtightness, and a resin liquid coating device and thermosetting are further provided in the lower stage. The same apparatus as that shown in FIG. 1 was used to construct a radiation resistant optical fiber manufacturing apparatus. A graphite furnace was used as the heating and pressurizing furnace. Further, the reaction tube of the CVD furnace was a quartz tube, and heating was performed by an electric furnace (kanthal wire). A die spot was used as the resin coating device, and a thermosetting resin liquid was heated therein using a Kanthal wire in the thermosetting device.

上記紡糸炉内に純石英からなるコア部を有する外径20
mmの光ファイバ用母材を設置し、この光ファイバ母材を
2200℃で加熱して60m/分の紡糸速度で外径12
5μmの光ファイバに紡糸した。これと共に加熱加圧炉
を500℃に加熱し、ヘリウムガス供給管から露点が−
90℃以下の高純度ヘリウムガスを供給し、加熱加圧管
内を1.5×105Paの気圧に保つようにした。さら
にCVD炉内を400℃に加熱しつつ原料ガスであるテ
ラアルキルシラン蒸気を0.2/分で供給した。つい
で上記光ファイバ裸線を加熱加圧炉とCVD炉内を走行
させて、光ファイバ裸線の内部に残留している水素ガス
を除去しさらにヘリウムガスと置換したのちに、その表
面に炭素被膜を被覆した。ついでシリコーン樹脂液が封
入されたダイスポット内にこの光ファイバを挿通して炭
素被膜上にシリコーン樹脂液を塗布し、熱硬化装置内で
電気炉(カンタル線)によって300℃に加熱して前記
シリコーン樹脂を硬化させてこれを保護被覆層として外
径が400μmの光ファイバとした。
Outer diameter 20 having a core portion made of pure quartz in the spinning furnace
mm base material for optical fiber is installed, the optical fiber base material is heated at 2200 ° C., and the outer diameter is 12 at a spinning speed of 60 m / min.
It was spun into a 5 μm optical fiber. Along with this, the heating and pressurizing furnace was heated to 500 ° C., and the dew point was −
High-purity helium gas at 90 ° C. or lower was supplied to maintain the pressure inside the heating and pressurizing tube at 1.5 × 10 5 Pa. Further, while heating the inside of the CVD furnace to 400 ° C., teraalkylsilane vapor as a raw material gas was supplied at 0.2 / min. Then, the bare optical fiber is run in a heating and pressurizing furnace and a CVD furnace to remove hydrogen gas remaining inside the bare optical fiber and replace it with helium gas. Was coated. Then, the optical fiber is inserted into the die spot in which the silicone resin solution is sealed, the silicone resin solution is applied on the carbon coating, and the silicone resin solution is heated to 300 ° C. by an electric furnace (kanthal wire) in a thermosetting device. The resin was cured and used as a protective coating layer to form an optical fiber having an outer diameter of 400 μm.

このようにして得られた光ファイバを用いて1.3μm
帯の光通信を行ったところ、106Rの放射線下におい
てもOH基による光の吸収が起こらずに通信が可能とな
った。
1.3 μm using the optical fiber thus obtained
When optical communication in the band was performed, communication was possible even under radiation of 10 6 R without absorption of light by the OH group.

さらに108Rの放射線下におけるまで上記光ファイバ
で1.3μm帯における光通信が可能であり、耐放射線
性を有することが確認された。
Furthermore, it was confirmed that optical communication in the 1.3 μm band is possible with the above optical fiber even under the radiation of 10 8 R, and that it has radiation resistance.

「実施例3」 光ファイバ母材の紡糸速度を70m/分、加熱加圧炉の
温度を1100℃、圧力を1.8×105Paとし、テ
トラアルキルシラン蒸気を0.3/分で供給した以外
は蒸気実施例1と全く同様にして光ファイバ裸線表面に
炭素被膜を形成した。
[Example 3] The spinning speed of the optical fiber preform was 70 m / min, the temperature of the heating / pressurizing furnace was 1100 ° C, the pressure was 1.8 x 10 5 Pa, and the tetraalkylsilane vapor was supplied at 0.3 / min. A carbon coating was formed on the surface of the bare optical fiber in exactly the same manner as in Steam Example 1 except for the above.

ついでこの炭素被膜が形成された光ファイバ裸線を、ウ
レタンアクリレート樹脂液が封入されたダイスポット中
に挿通して、炭素被膜上にウレタンアクリレート樹脂液
を塗布した。この後、紫外線硬化装置内で水銀灯によっ
て紫外線を照射して外径が300μmの光ファイバとし
た。
Then, the bare optical fiber on which the carbon coating was formed was inserted into a die spot in which the urethane acrylate resin liquid was sealed, and the urethane acrylate resin liquid was applied onto the carbon coating. Then, ultraviolet rays were irradiated by a mercury lamp in an ultraviolet curing device to obtain an optical fiber having an outer diameter of 300 μm.

このようにして得られた光ファイバを用いて、106
の放射線下で1.3μm帯での光通信を行ったところ通
信が可能であり、耐放射線性を有することが確認でき
た。
Using the optical fiber thus obtained, 10 6 R
When optical communication was performed in the 1.3 μm band under the radiation, it was confirmed that the communication was possible and that it had radiation resistance.

さらに放射線量を増加させても、OH基による伝送損失
の増加は観測されず、108Rまで安定して通信を行う
ことができた。
Even if the radiation dose was further increased, no increase in transmission loss due to the OH group was observed, and stable communication was possible up to 10 8 R.

「発明の効果」 以上説明したように、この耐放射線性光ファイバの製造
法は、光ファイバ裸線をヘリウムガスによる加熱、加圧
ガス雰囲気を通過させて光ファイバ裸線中の水素をヘリ
ウムと置換し、さらにこの光ファイバ裸線の表面に水素
ガスを通過させない物質で被覆層を形成するものである
ので、高放射線下で使用されて、光ファイバ内のSiO
2が放射線によって破壊されて欠陥Si−Oが生じて
も、これと結合する水素ガスが光ファイバ内に存在しな
いためOH基が生成されす、OH基による光の吸収がお
こらないため、106R以上の高放射線下においても、
1.3μm帯での光通信が可能となる。
[Advantages of the Invention] As described above, in the method for manufacturing the radiation resistant optical fiber, the bare optical fiber is heated by helium gas, and hydrogen in the bare optical fiber is changed to helium by passing through a pressurized gas atmosphere. Since the coating layer is formed on the surface of the bare optical fiber by substituting hydrogen gas, it is used under high radiation and SiO
Since 2 even if defective Si-O are destroyed by radiation, hydrogen gas combined with this to be generated OH groups due to the absence in the optical fiber, does not occur absorption of light by OH groups, 10 6 Even under high radiation above R,
Optical communication in the 1.3 μm band becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の耐放射線光ファイバの製造法の実施
に用いられる光ファイバの製造装置の一例を示す概略構
成図であり、第2図は従来の耐放射線性光ファイバの一
例を示す概略断面図である。 11……光ファイバ裸線 13……加熱加圧処理炉 14……加熱加圧管 15……発熱体 16……CVD炉 17……CVD反応管 18……発熱体
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of an optical fiber manufacturing apparatus used for carrying out the method of manufacturing a radiation resistant optical fiber of the present invention, and FIG. 2 is a schematic view showing an example of a conventional radiation resistant optical fiber. FIG. 11 ... Bare optical fiber 13 ... Heating / pressurizing treatment furnace 14 ... Heating / pressurizing tube 15 ... Heating element 16 ... CVD furnace 17 ... CVD reaction tube 18 ... Heating element

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】水素を含有する石英系光ファイバ母材を紡
糸して光ファイバ裸線とし、この光ファイバ裸線をヘリ
ウムガスによる加熱、加圧ガス雰囲気を通過させて、前
記光ファイバ裸線中の水素をヘリウムと置換し、しかる
のち、この光ファイバ裸線表面に水素を通過させない物
質で被覆層を形成することを特徴とする耐放射線性光フ
ァイバの製造法。
1. A silica-based optical fiber preform containing hydrogen is spun into a bare optical fiber, and the bare optical fiber is heated by helium gas and passed through a pressurized gas atmosphere to obtain the bare optical fiber. A method for producing a radiation-resistant optical fiber, which comprises replacing hydrogen in the inside with helium, and then forming a coating layer on the bare surface of the optical fiber with a substance that does not allow hydrogen to pass therethrough.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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