JPH0664735B2 - Method for manufacturing perpendicular magnetic recording medium having permalloy thin film soft magnetic layer - Google Patents

Method for manufacturing perpendicular magnetic recording medium having permalloy thin film soft magnetic layer

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JPH0664735B2
JPH0664735B2 JP60163944A JP16394485A JPH0664735B2 JP H0664735 B2 JPH0664735 B2 JP H0664735B2 JP 60163944 A JP60163944 A JP 60163944A JP 16394485 A JP16394485 A JP 16394485A JP H0664735 B2 JPH0664735 B2 JP H0664735B2
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permalloy
perpendicular magnetic
film
recording medium
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清三 海沼
英一 加地
克彰 小林
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赤井電機株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、2層膜垂直磁気記録媒体の作製方法に係わ
り、特に本発明は軟磁性パーマロイ層の作製方法に関す
るものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing a double-layered perpendicular magnetic recording medium, and more particularly, the present invention relates to a method for producing a soft magnetic permalloy layer.

(従来の技術) 近年垂直磁気記録方式が高密度磁気記録に適した記録方
式として注目されている。この記録方式に好都合な記録
媒体としてパーマロイなどの軟磁性層とCo−Crなどの垂
直磁化膜層からなる2層膜媒体が知られている。そして
軟磁性層としては保磁力が小さく、透磁率の高い程記録
感度は良くなり、又、再生出力も大きくなる。ただし、
あまりにも軟磁性が良好になり過ぎるとスパイク状のノ
イズを発生して好ましくなく、ノイズ発生を抑えるため
の大よその目安として保磁力は2〜3エルステツド以上
であることが知られている。
(Prior Art) In recent years, the perpendicular magnetic recording system has been attracting attention as a recording system suitable for high-density magnetic recording. As a recording medium suitable for this recording system, a two-layer film medium including a soft magnetic layer such as Permalloy and a perpendicular magnetization film layer such as Co—Cr is known. The smaller the coercive force of the soft magnetic layer and the higher the magnetic permeability, the better the recording sensitivity and the larger the reproduction output. However,
It is known that if the soft magnetism becomes too good, spike noise is generated, which is not preferable, and the coercive force is 2 to 3 oersteds or more as a rough guideline for suppressing the noise generation.

軟磁性層としてはパーマロイやCo系のアモルフアス磁性
膜が知られているが、経済性などの点から多く用いられ
ているのはパーマロイである。
Permalloy and a Co-based amorphous magnetic film are known as the soft magnetic layer, but permalloy is often used from the viewpoint of economy.

(発明が解決しようとする問題点) しかし、パーマロイ薄膜の場合には基板面に垂直な磁気
異方性が発生し易く、保磁力は10エルステツド以上にも
なるので2層膜垂直媒体としての性能を悪くしていた。
(Problems to be solved by the invention) However, in the case of a permalloy thin film, magnetic anisotropy perpendicular to the substrate surface is likely to occur, and the coercive force becomes 10 oersteds or more. Was bad.

本発明は前記従来の垂直磁気記録媒体のパーマロイ軟磁
性層が有する垂直磁気異方性を抑制して保磁力の小さい
優れた軟磁気特性を有する垂直磁気記録媒体用の軟磁性
層の作製方法を提供することを目的とするものであり、
特許請求の範囲に記載の方法を提供することによつて、
前記目的を達成することができる。
The present invention provides a method for producing a soft magnetic layer for a perpendicular magnetic recording medium having excellent soft magnetic characteristics with a small coercive force by suppressing the perpendicular magnetic anisotropy of the permalloy soft magnetic layer of the conventional perpendicular magnetic recording medium. Is intended to be provided,
By providing a method according to the claims,
The above object can be achieved.

(問題点を解決するための手段) 本発明は、非磁性基板上にパーマロイ層およびCo−Cr垂
直磁化膜層をスパツタ法により順次形成するパーマロイ
薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法にお
いて: 下記(a),(b)および(c)工程のシーケンスから
なることを特徴とするパーマロイ薄膜軟磁性層を有する
垂直磁気記録媒体の作製方法: (a)非磁性基板を真空槽内で熱処理する工程; (b)真空槽内に空気を導入して前記熱処理後の基板を
大気にさらす工程;および (c)真空槽内を真空排気した後アルゴンガスを導入し
て、スパツタ法によりパーマロイ層を形成する工程。
(Means for Solving Problems) The present invention relates to a method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium having a permalloy thin film soft magnetic layer in which a permalloy layer and a Co—Cr perpendicular magnetization film layer are sequentially formed on a nonmagnetic substrate by a sputtering method. In: A method of manufacturing a perpendicular magnetic recording medium having a permalloy thin film soft magnetic layer, which comprises the following sequence of steps (a), (b) and (c): (a) a non-magnetic substrate in a vacuum chamber A step of heat-treating; (b) a step of introducing air into the vacuum chamber to expose the substrate after the heat treatment to the atmosphere; and (c) an evacuation of the vacuum vessel and then introducing an argon gas, and a permalloy by a sputtering method. Forming layers.

に関するものである。It is about.

本発明者らは、パーマロイ薄膜層の垂直磁気異方性はス
パツタ室のバツクグランドの真空状態を良好にすると出
現し易いことから、高分子フイルム基板を真空槽中で熱
処理後、真空槽内を大気に開放し、しかる後に再び真空
槽を真空排気してアルゴンガスを導入し、スパツタを開
始することによつて垂直磁気異方性の出現を抑制し得る
ことを新規に知見し、本発明を完成した。
The present inventors, since the perpendicular magnetic anisotropy of the permalloy thin film layer is likely to appear when the vacuum state of the back ground of the sputter chamber is improved, the polymer film substrate is heat treated in the vacuum chamber, and then the inside of the vacuum chamber is changed. The present invention was newly found that the appearance of perpendicular magnetic anisotropy can be suppressed by opening to the atmosphere and then again evacuating the vacuum chamber and introducing argon gas, and starting the spatula. completed.

本発明において、上記(a)の熱処理工程は、非磁性基
板表面の洗浄と熱収縮とを目的として行われるものであ
る。即ち、ポリイミドやポリエステルなどの高分子フィ
ルム基板を、フィルムに付着した水分や不純物を脱ガス
除去するためと、磁性膜の成膜時に熱収縮を起こして変
形(カーリング)しないように予め熱収縮させて安定化
させるために行うものである。この熱処理の温度として
は、基板として使用するフィルムの耐熱温度未満を上限
として、成膜時の基板表面温度以上で行うことが好まし
い。
In the present invention, the heat treatment step (a) is performed for the purpose of cleaning the surface of the non-magnetic substrate and heat shrinking. That is, a polymer film substrate such as polyimide or polyester is heat-shrinked in advance in order to degas and remove water and impurities attached to the film, and to prevent heat shrinkage (curling) during film formation of the magnetic film. This is done to stabilize it. The temperature of this heat treatment is preferably lower than the heat resistant temperature of the film used as the substrate, and is preferably higher than the substrate surface temperature at the time of film formation.

なお、非磁性基板を真空槽中で熱処理した後に真空槽内
を大気に開放することとした理由は、明瞭ではないが、
大気成分のいずれか(N,O,Hなど)が基板表面に
付着し、その後、この大気成分が磁性膜をスパツターし
ている際に再放出されることにより、これが膜成長に好
影響を及ぼして垂直磁気異方性の出現を抑制するからで
あると考えられる。
The reason why the inside of the vacuum chamber is opened to the atmosphere after the non-magnetic substrate is heat-treated in the vacuum chamber is not clear,
One of the atmospheric components (N 2 , O 2 , H 2, etc.) adheres to the surface of the substrate, and then this atmospheric component is re-emitted during the sputtering of the magnetic film, which is favorable for film growth. It is considered that this is because it exerts an influence and suppresses the appearance of perpendicular magnetic anisotropy.

次に本発明を実験データについて詳しく説明する。Next, the present invention will be described in detail with reference to experimental data.

従来の軟磁性パーマロイ層の作製方法を下記比較例1〜
3について説明する。
A conventional method for producing a soft magnetic permalloy layer is described in Comparative Examples 1 to 1 below.
3 will be described.

〔比較例1〕 バツチ式スパツタ装置中にポリイミド基板をセツトし、
10 Torr程度で200℃で30分間熱処理し、3×10 T
orrまで真空排気後、アルゴンガスを導入し、以下の条
件でモリブデンパーマロイ膜を形成した。
Comparative Example 1 A polyimide substrate was set in a batch type sputtering device,
10 - heat-treated for 30 minutes at 200 ° C. for about 6 Torr, 3 × 10 - 7 T
After evacuation to orr, argon gas was introduced, and a molybdenum permalloy film was formed under the following conditions.

スパツタ法 :RFマグネトロン ターゲツト :8インチの78Ni−Feターゲツト上にMo
ペレツト配置(面積比で4%) アルゴン圧 :0.6〜1×10 Torr 基板温度 :20〜90℃ スパツタ電力 :0.7W/cm スパツタレイト:0.017μm/min 膜厚約0.50μmの膜の特性を第1表に示した。Hcは膜面
内の保磁力、△θ はX線回折ロツキング曲線による
(111)結晶軸の膜面法線方向からの配向角の半値幅で
ある。なお、保磁力Hcは振動試料型磁力計(VSM)にて
測定した。
Sputtering method: RF magnetron target: Mo on 8 inch 78Ni-Fe target
Peretsuto arrangement (4% by area) argon pressure: 0.6~1 × 10 - 3 Torr substrate temperature: 20 to 90 ° C. sputter power: 0.7 W / cm 2 Supatsutareito: Characteristics of 0.017 micrometer / min thickness of about 0.50μm membrane Is shown in Table 1. Hc is coercive force, △ θ 5 0 in the membrane surface is a half-value width of the orientation angle from the film surface normal direction of the (111) crystallographic axis by X-ray diffraction Rotsukingu curve. The coercive force Hc was measured with a vibrating sample magnetometer (VSM).

同表に示した全ての場合にM−Hループの形状は第1図
(A)に示したような形を示しており、垂直磁気異方性
が存在することを示す。そのために第1表に示されてい
るように保磁力Hcは多くの場合10エルステツド以上の大
きい値を示している。
In all the cases shown in the table, the shape of the MH loop is as shown in FIG. 1 (A), which shows that the perpendicular magnetic anisotropy exists. Therefore, as shown in Table 1, the coercive force Hc often shows a large value of 10 oersteds or more.

〔比較例2〕 第2図に示す巻取式スパツター装置を用いてパーマロイ
膜を形成した。
Comparative Example 2 A permalloy film was formed using the winding type sputter device shown in FIG.

第2図は装置の概要を示す説明図であり、1は真空槽、
2は排気系への連結口、3a,3bはそれぞれカソードであ
り、3aにパーマロイ、3bにCo−Crターゲツトが取り付け
られている。なおアノードは省略した。4aおよび4bは基
板フイルムのワインダーおよびアンワインダー、5a,5b,
6a,6bはガイドローラー、7a,7bはダンサーローラー、8
a,8bは冷却ローラー、9はキヤン、10はマスク、11はス
パツタガス吹出口、12は基板フイルム、13は基板加熱ヒ
ーターである。真空槽1を10 Torr台まで排気後、キ
ヤン9又は基板加熱ヒーター13によりポリイミドフイル
ム12を100〜190℃で加熱し、アンワインダー4bからワイ
ンダー4aにフイルムを巻き移した。加熱に用いたキヤン
9又は基板加熱ヒーター13を冷却し、真空槽内を0.75〜
1×10 Torrに排気後、スパツタガス吹出口11からア
ルゴンガスを導入し、所定のガス圧に保つてカソード3a
に取り付けられたモリブデンパーマロイターゲツトを用
いて、移動するポリイミド基板上に連続的に薄膜を形成
した。スパツタ条件は次のとおりである: スパツタ法 :DCマグネトロン法 ターゲツト組成:5重量%モリブデンパーマロイ アルゴンガス圧:0.5〜3×10 Torr スパツタ電力 :約8.5W/cm スパツタレイト:約0.4μm/min 膜厚が0.45〜0.5μmの膜において得られた結果を第3
図に示す。曲線aは基板フイルムの長さ方向に測定した
保磁力Hc、曲線bは(111)結晶軸の配向角△θ
それぞれアルゴン圧力に対して示す。基板の熱処理温度
による変化は小さかつた。M−Hループは全ての場合第
1図の(A)に示したようなループ形状を示しており、
垂直磁気異方性が存在していた。又保磁力Hcも10Oe以上
と大きい値を示した。
FIG. 2 is an explanatory view showing the outline of the apparatus, 1 is a vacuum chamber,
2 is a connection port to the exhaust system, 3a and 3b are cathodes respectively, permalloy is attached to 3a, and Co-Cr target is attached to 3b. The anode is omitted. 4a and 4b are substrate film winders and unwinders, 5a, 5b,
6a and 6b are guide rollers, 7a and 7b are dancer rollers, 8
Reference numerals a and 8b are cooling rollers, 9 is a mask, 10 is a mask, 11 is a spatula gas outlet, 12 is a substrate film, and 13 is a substrate heating heater. The vacuum chamber 1 10 - After evacuated to 6 Torr base, a polyimide film 12 is heated at 100 to 190 ° C. by Quillan 9 or substrate heating heater 13 and transferred to wind the film from the unwinder 4b winder 4a. Cool the can 9 or the substrate heater 13 used for heating to 0.75 ~
1 × 10 - After evacuation to 6 Torr, argon gas was introduced from Supatsutagasu outlet 11, cathode 3a are kept to a predetermined gas pressure
A molybdenum permalloy target attached to was used to continuously form thin films on a moving polyimide substrate. Sputter conditions are as follows: sputter method: DC magnetron sputtering Tagetsuto composition: 5 wt% molybdenum permalloy argon gas pressure: 0.5~3 × 10 - 3 Torr sputter power: about 8.5 W / cm 2 Supatsutareito: about 0.4 .mu.m / min The results obtained with a film thickness of 0.45 to 0.5 μm
Shown in the figure. Curve a coercive force Hc, the curve b, measured in the longitudinal direction of the substrate film is shown for each argon pressure orientation angle △ theta 5 0 (111) crystal axis. The change due to the heat treatment temperature of the substrate was small. In all cases, the MH loop has a loop shape as shown in FIG.
Perpendicular magnetic anisotropy was present. The coercive force Hc also showed a large value of 10 Oe or more.

〔比較例3〕 比較例2の場合と同じ装置および同じスパツタ条件でポ
リエステルフイルムを用いてモリブデンパーマロイ膜を
形成した。第4図はスパツタ時基板温度を80℃、アルゴ
ン圧を0.5×10 Torrとした時の基板の熱処理温度に
対するフイルム長さ方向の保磁力Hc(曲線c)と結晶軸
の配向角△θ (曲線d)を示す。これらの場合にも
垂直磁気異方性の出現による大きな保磁力を示してい
る。
[Comparative Example 3] A molybdenum permalloy film was formed using a polyester film under the same apparatus and the same sputtering conditions as in Comparative Example 2. Figure 4 is 80 ° C. The sputter when the substrate temperature, the argon pressure to 0.5 × 10 - orientation angle of 3 Torr and film length direction of the coercive force Hc for the heat treatment temperature of the substrate when (curve c) crystal axis △ theta 5 0 (curve d) is shown. Also in these cases, a large coercive force is exhibited due to the appearance of perpendicular magnetic anisotropy.

第5図はスパツタ時基板温度を6℃以下とした時のスパ
ツタガス圧に対する保磁力Hc(曲線e)と結晶配向角Δ
θ (曲線f)の変化を示す図である。いずれの場合
にも垂直磁気異方性が出現しており、アルゴン圧が2×
10 Torr以下では大きな保磁力を示している。アルゴ
ン圧が2×10 Torrより大きい領域では保磁力Hcはか
なり小さくなつているが、この場合にも小さな垂直磁気
異方性が確認された。また、この領域では、第5図に示
すとおり、結小配向角Δθ が15゜以上とかなり大き
くなってしまった。いわゆるパーマロイ膜の結晶配向角
Δθ が大きくなると、この膜表面に形成するCo−Cr
膜の結晶性を害して垂直磁気異方性に悪影響を与えるよ
うになる。
Fig. 5 shows the coercive force Hc (curve e) and the crystal orientation angle Δ with respect to the gas pressure of the sputtering gas when the substrate temperature during sputtering is 6 ° C or less.
theta 5 is a graph showing changes in 0 (curve f). In each case, perpendicular magnetic anisotropy appears, and the argon pressure is 2 ×.
10 - shows a large coercive force at 3 Torr or less. Argon pressure is 2 × 10 - but 3 Torr coercive force Hc in the larger area is summer quite small, smaller perpendicular magnetic anisotropy in this case was confirmed. Further, in this region, as shown in FIG. 5, forming a small orientation angle [Delta] [theta] 5 0 has become quite large as 15 ° or more. When the crystal orientation angle [Delta] [theta] 5 0 of the so-called permalloy film increases, Co-Cr to form on the film surface
The crystallinity of the film is impaired and the perpendicular magnetic anisotropy is adversely affected.

次に本発明を実施例について説明する。Next, the present invention will be described with reference to examples.

〔実施例1〕 比較例2の場合と同じスパツタ装置を用い、次の工程で
モリブデンパーマロイ膜を形成した。すなわちポリエス
テル基板を真空槽中にセツトした10 Torr台に排気
し、100℃でポリエステル基板を熱処理した。しかる後
に真空槽内を大気に開放し、再度1×10 Torrまで排
気してアルゴンガスを導入しスパツターを行つた。
Example 1 Using the same sputtering device as in Comparative Example 2, a molybdenum permalloy film was formed in the next step. That the polyester substrate 10 and excisional in the vacuum chamber - was evacuated to 6 Torr base was heat-treated polyester substrate at 100 ° C.. The vacuum chamber is opened to the atmosphere and thereafter, again 1 × 10 - up to 6 Torr was evacuated argon gas was introduced with KoTsuta the Supatsuta.

第2表はスパツター時基板温度を60℃以下とした時に膜
厚約0.45μmの薄膜で得られた結果を示す。全ての場合
にA−Hループの形状は第1図(B)に示した如きルー
プを示し、垂直磁気異方性が存在しないことを示してい
る。そのため第2表で明らかな如くフイルム長さ方向の
保磁力Hcは小さい値を示している。
Table 2 shows the results obtained with a film thickness of about 0.45 μm when the substrate temperature at the time of sputtering was set to 60 ° C. or lower. In all cases, the shape of the AH loop shows the loop as shown in FIG. 1 (B), which indicates that there is no perpendicular magnetic anisotropy. Therefore, as is apparent from Table 2, the coercive force Hc in the film length direction shows a small value.

第6図はアルゴン圧を0.5×10 Torr、スパツタ電力
を8.5W/cmとした時の保磁力Hc(曲線g)と結晶配向
角△θ (曲線h)のスパツター時基板温度に対する
変化を示す。基板温度が70℃以下では垂直磁気異方性は
出現せず、保磁力も10エルステツド以下となつている
が、70℃より高くすると垂直磁気異方性が出現して保磁
力が大きくなることを示している。
Figure 6 is argon pressure of 0.5 × 10 - 3 Torr, Supatsuta at substrate temperature of coercive force Hc when the sputtered power was 8.5 W / cm 2 (curve g) and the crystal orientation angle △ θ 5 0 (curve h) Shows the changes to. The perpendicular magnetic anisotropy does not appear when the substrate temperature is 70 ° C or lower, and the coercive force is 10 oersteds or less, but when the temperature is higher than 70 ° C, the perpendicular magnetic anisotropy appears and the coercive force increases. Shows.

〔実施例2〕 比較例2と同じスパツター装置を用い、ポリイミド基板
を用いて実施例1とほぼ同じ工程でモリブデンパーマロ
イ膜をスパツターした。ただし、基板の熱処理温度は19
0℃とした。スパツター時基板温度を60℃以下、スパツ
ター電力を8.5W/cmとした時の結果を第3表に示す。
この場合、極めて小さい垂直磁気異方性の存在が認めら
れたが、保磁力Hcは比較例1〜3の場合に比べて小さい
値となつている。
Example 2 Using the same sputtering device as in Comparative Example 2, a molybdenum permalloy film was sputtered in the same steps as in Example 1 using a polyimide substrate. However, the heat treatment temperature of the substrate is 19
The temperature was 0 ° C. Table 3 shows the results when the substrate temperature during sputtering was 60 ° C or lower and the sputtering power was 8.5 W / cm 2 .
In this case, the existence of extremely small perpendicular magnetic anisotropy was recognized, but the coercive force Hc was a smaller value than in the cases of Comparative Examples 1 to 3.

以上に詳述した実施例から、2層膜垂直磁気記録媒体用
のパーマロイ軟磁性層の垂直磁気異方性の出現を抑制し
て結晶配向角Δθ が小さい状態において、保磁力Hc
を小さくするためには、本発明による作製工程すなわち
真空槽中で基板フイルムを熱処理した後、真空槽内を大
気開放する工程を入れて、しかる後に再び真空排気して
スパツターを行うことが非常に有効であることが明らか
である。
From the examples described in detail above, in the two-layer film perpendicular magnetic recording suppressed to state crystal orientation angle [Delta] [theta] 5 0 is less the appearance of the perpendicular magnetic anisotropy of Permalloy soft magnetic layer of the medium, the coercive force Hc
In order to reduce the size, it is very necessary to perform a manufacturing process according to the present invention, that is, to heat the substrate film in a vacuum chamber and then to open the inside of the vacuum chamber to the atmosphere. Clearly effective.

(発明の効果) 以上本発明によれば、垂直磁気異方性が極めて小さい
か、あるいは実質的に存在しない軟磁性パーマロイ薄膜
層が得られ、2層膜垂直磁気記録媒体用の軟磁性層とし
て優れたパーマロイ薄膜を作製することができる。
As described above, according to the present invention, a soft magnetic permalloy thin film layer having extremely small perpendicular magnetic anisotropy or substantially no perpendicular magnetic anisotropy can be obtained and used as a soft magnetic layer for a two-layer perpendicular magnetic recording medium. An excellent permalloy thin film can be produced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はパーマロイ薄膜のM−Hループを示す図であ
り、同図(A)は垂直磁気異方性が存在する場合、同図
(B)は垂直磁気異方性が存在しない場合のループ形状
をそれぞれ示す図、第2図はスパツター装置の概要を示
す説明図、第3図はアルゴン圧に対する保磁力と結晶配
向角を示す図、第4図は基板の熱処理温度に対する保磁
力と結晶配向角の変化を示す図、第5図はアルゴン圧に
対する保磁力と結晶配向角の依存性を示す図、第6図は
スパツター時基板温度に対する保磁力と結晶配向角の依
存性を示す図である。 1……真空槽、3a,3b……カソード、 5a,5b,6a,6b,7a,7b,8a,8b……ローラー、9……キヤ
ン、12……基板フイルム、 13……基板加熱ヒーター。
FIG. 1 is a diagram showing an MH loop of a permalloy thin film. FIG. 1A shows a loop when perpendicular magnetic anisotropy exists, and FIG. 1B shows a loop when perpendicular magnetic anisotropy does not exist. FIG. 2 is a diagram showing the shape, FIG. 2 is an explanatory diagram showing the outline of the sputter device, FIG. 3 is a diagram showing coercive force and crystal orientation angle with respect to argon pressure, and FIG. 4 is coercive force and crystal orientation with respect to the heat treatment temperature of the substrate. FIG. 5 is a diagram showing changes in angle, FIG. 5 is a diagram showing dependence of coercive force and crystal orientation angle on argon pressure, and FIG. 6 is a diagram showing dependence of coercive force and crystal orientation angle on substrate temperature at the time of sputtering. . 1 ... Vacuum chamber, 3a, 3b ... Cathode, 5a, 5b, 6a, 6b, 7a, 7b, 8a, 8b ... Roller, 9 ... Kyan, 12 ... Substrate film, 13 ... Substrate heating heater.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】非磁性基板上にパーマロイ層およびCo−Cr
垂直磁化膜層をスパッタ法により順次形成するパーマロ
イ薄膜軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体の作製方法に
おいて: 下記(a),(b)および(c)工程のシーケンスから
なることを特徴とするパーマロイ薄膜軟磁性層を有する
垂直磁気記録媒体の作製方法。 (a)非磁性基板を真空槽中で熱処理する工程; (b)真空槽内に空気を導入して前記熱処理後の基板を
大気にさらす工程;および (c)真空槽内を真空排気した後、アルゴンガスを導入
してスパッタ法により60℃以下の前記基板上にパーマロ
イ槽を形成する工程。
1. A permalloy layer and Co—Cr on a non-magnetic substrate.
In a method of manufacturing a perpendicular magnetic recording medium having a permalloy thin film soft magnetic layer in which perpendicularly magnetized film layers are sequentially formed by a sputtering method: permalloy comprising the following sequence of steps (a), (b) and (c): Method of manufacturing perpendicular magnetic recording medium having thin film soft magnetic layer. (A) a step of heat-treating the non-magnetic substrate in a vacuum chamber; (b) a step of introducing air into the vacuum chamber to expose the substrate after the heat treatment to the atmosphere; and (c) after evacuation of the vacuum chamber. A step of forming a permalloy bath on the substrate at 60 ° C. or lower by introducing an argon gas and performing a sputtering method.
【請求項2】非磁性基板が、ポリイミド,ポリエチレン
テレフタレートなどの高分子フィルムであることを特徴
とする特許請求の範囲第1項に記載の垂直磁気記録媒体
の作製方法。
2. The method for producing a perpendicular magnetic recording medium according to claim 1, wherein the non-magnetic substrate is a polymer film of polyimide, polyethylene terephthalate or the like.
JP60163944A 1985-07-26 1985-07-26 Method for manufacturing perpendicular magnetic recording medium having permalloy thin film soft magnetic layer Expired - Lifetime JPH0664735B2 (en)

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JPS6222242A (en) * 1985-07-23 1987-01-30 Toshiba Corp Production of vertical magnetic recording medium

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