JPH0660440A - Production of stamper for optical disk - Google Patents

Production of stamper for optical disk

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Publication number
JPH0660440A
JPH0660440A JP23527092A JP23527092A JPH0660440A JP H0660440 A JPH0660440 A JP H0660440A JP 23527092 A JP23527092 A JP 23527092A JP 23527092 A JP23527092 A JP 23527092A JP H0660440 A JPH0660440 A JP H0660440A
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JP
Japan
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phase change
film
stamper
pattern
optical disk
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP23527092A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiaki Hamaguchi
敏明 濱口
Kazuhiro Sato
和洋 佐藤
Minoru Kawasaki
実 川崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd filed Critical Victor Company of Japan Ltd
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Publication of JPH0660440A publication Critical patent/JPH0660440A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To obtain such a production method of an optical disk stamper without wet process that enables easy tracking for information recording without using a large-size expensive cutting machine. CONSTITUTION:A film 13 comprising such a material that causes difference in the etching rate by phase change on a substrate 11, and a rugged pattern is formed on this film by using the difference of etching rate due to the phase change. Then a pattern 13a for tracking is recorded in the film comprising the phase transition material and then the area where the pattern is recorded is erased.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は各種光ディスクの製造に
用いられるスタンパの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a stamper manufacturing method used for manufacturing various optical disks.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、音楽ソフト用、映像ソフト用ある
いは各種情報ファイル用の光ディスクの製造が盛んに行
われている。これらの光ディスクの表面には、情報信号
のピットまたはグルーブが再生専用ディスクか記録再生
用ディスクかによって、異なる形状に形成されている
が、これは一般に熱可塑性樹脂組成物を微小凹凸の情報
信号が形成された金属性母型、所謂金属スタンパを備え
た型内に高温で注入し、その後冷却して硬化させる際に
形成されるものである。このように光ディスクに信号ピ
ットまたはグルーブを形成するための金属スタンパは、
通常は電鋳法により製造されている(実開昭56−61
369号公報、特開平1−225788号公報および特
開平2−196640号公報参照)。具体的には、図8
に示すようにガラス盤1上にレジスト2を塗布し、レー
ザによる露光を行ったのちレジスト2を現像してレジス
トパターン2aを形成する(図9)。ついで、電鋳工程
に先立ち、表面の導体化を図るためレジストパターン2
a上に真空蒸着法あるいはスパッタリング法によりニッ
ケルなどの金属膜3を形成し(図10)、続いて、この
金属膜3上に電鋳法により金属の厚付けを行い電鋳膜4
を形成する(図11)。しかるのち、図12に示すよう
に、ガラス盤1を剥離し、金属膜3内に残留するレジス
トパターン2aを除去したのち、再度電鋳により金属の
厚付けを行い、再び剥離して図13に示す金属スタンパ
5を得る。
2. Description of the Related Art In recent years, optical discs for music software, video software or various information files have been actively manufactured. On the surface of these optical discs, pits or grooves of an information signal are formed in different shapes depending on whether the disc is a read-only disc or a recording / reproducing disc. It is formed when it is poured at a high temperature into the formed metal matrix, that is, a mold provided with a so-called metal stamper, and then cooled and cured. In this way, the metal stamper for forming signal pits or grooves on the optical disc is
Usually, it is manufactured by electroforming method (Actual No. Sho 56-61).
369, JP-A-1-225788, and JP-A-2-196640). Specifically, FIG.
As shown in FIG. 3, a resist 2 is applied on the glass plate 1, exposed by a laser, and then the resist 2 is developed to form a resist pattern 2a (FIG. 9). Then, prior to the electroforming step, a resist pattern 2 is formed to make the surface conductive.
A metal film 3 of nickel or the like is formed on a by a vacuum deposition method or a sputtering method (FIG. 10), and subsequently, a metal is thickly applied on the metal film 3 by an electroforming method to form an electroformed film 4.
Are formed (FIG. 11). After that, as shown in FIG. 12, the glass plate 1 is peeled off, the resist pattern 2a remaining in the metal film 3 is removed, and then the metal is thickened again by electroforming, and peeled off again to form FIG. The metal stamper 5 shown is obtained.

【0003】しかしながら、上述したような金属スタン
パの製造方法においては、レジストの露光、現像および
電鋳などの各工程に要する時間が長く、製造コストが高
いという問題がある。さらに、レジストの塗布、現像、
電鋳などの湿式工程を数多く有し、とくに電鋳装置など
の大型の製造設備を必要とするため、大きな電力のため
の配電設備や広いクリーン・ルームを必要とするなどの
施設上の問題もある。しかも、電鋳工程のあとに、スタ
ンパ内外周のトリミング、研磨、打ち抜きなどの後加工
が必要となり、そのための付加的な設備を多く必要とす
る。
However, the method of manufacturing a metal stamper as described above has a problem that the time required for each process such as exposure, development and electroforming of the resist is long and the manufacturing cost is high. Furthermore, resist coating, development,
Since there are many wet processes such as electroforming, and particularly large-scale manufacturing equipment such as electroforming equipment is required, there are problems in facilities such as the need for power distribution equipment for large power and a large clean room. is there. Moreover, after the electroforming step, post-processing such as trimming, polishing and punching of the inner and outer circumferences of the stamper is required, and a lot of additional equipment for that is required.

【0004】そこで、最近、ヒート・モードによって信
号を記録し、相変化物質よりなる膜のアモルファス相と
結晶相とのエッチング・レート差を利用してスタンパを
製造する方法が提案されている(特開平3−12734
2号公報)。この方法では、基板上に相変化膜よりなる
ピットまたはグルーブが形成されており、従来法のよう
に電鋳工程を必要とせず、成膜時の基板をそのままスタ
ンパの基板として使えるため、スタンパ製造工程が極め
て簡略化されるという利点がある。
Therefore, recently, there has been proposed a method of recording a signal by a heat mode and manufacturing a stamper by utilizing a difference in etching rate between an amorphous phase and a crystalline phase of a film made of a phase change material (special feature: Kaihei 3-12734
No. 2). In this method, the pits or grooves made of the phase change film are formed on the substrate, the electroforming process is not required unlike the conventional method, and the substrate at the time of film formation can be used as it is as the substrate of the stamper. There is an advantage that the process is extremely simplified.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法で
は、信号記録時に記録ヘッドのトラッキングが、記録す
べき基盤に対して補正されないために、平面性に優れた
基盤と、極めて精巧な基盤送り機構とが必要となり、さ
らに、カッティングマシーンが大型化し、高度な保守技
術や除震機構を必要とするため、装置全体が高価なもの
となってしまうという問題点がある。
However, in this method, since the tracking of the recording head is not corrected with respect to the substrate to be recorded at the time of signal recording, the substrate having excellent flatness and the extremely sophisticated substrate feeding mechanism are used. In addition, the cutting machine becomes large in size, and a high level of maintenance technology and an anti-vibration mechanism are required, so that the entire apparatus becomes expensive.

【0006】したがって、本発明は湿式工程を必要とし
ないことはいうまでもなく、基盤への情報パターン記録
時のトラッキングを極めて簡便に行うことが可能であ
り、使用するカッティング・マシーンも小型廉価なもの
でよく、結果として、生産性の良好な光ディスク用スタ
ンパの製造方法を提供することを目的とする。
Therefore, needless to say, the present invention does not require a wet process, and tracking at the time of recording an information pattern on a substrate can be performed very easily, and a cutting machine to be used is small and inexpensive. Therefore, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a stamper for an optical disc having good productivity as a result.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために、本発明によれば、基板上に相変化により
エッチング・レート差を生じる物質よりなる膜を形成
し、その相変化によるエッチング・レート差によりこの
膜に凹凸を形成する工程を有する光ディスク用スタンパ
の製造方法において、前記相変化物質よりなる膜にトラ
ッキング用のパターンを記録する工程と、このパターン
記録部を消去する工程を含むものが提供される。
In order to achieve the above object, according to the present invention, a film made of a substance that causes an etching rate difference due to a phase change is formed on a substrate, and the etching due to the phase change is performed. A method for manufacturing a stamper for an optical disk, which has a step of forming irregularities on this film by a rate difference, including a step of recording a tracking pattern on the film made of the phase change material, and a step of erasing the pattern recording portion. Things will be provided.

【0008】本発明は、情報信号を記録すべき基盤面の
相変化膜に、情報信号記録に先立って、トラッキング用
の連続あるいは離散的なスパイラル・パターンを記録し
ておき、そのトラッキング用パターンを用いて相変化膜
にピットに相当する信号を記録し、その記録と同時に、
あるいは直前または直後に前述のトラッキング用パター
ンを消去して、相変化膜にはピット形状に相当する信号
のみが記録されている状態とし、その状態で、相変化膜
に結晶相として記録された部分と他の非晶質相とのエッ
チング・レート差を利用して、相変化膜をパターニング
し、さらに、それをエッチング・マスクとして基盤をエ
ッチングするという着想のもとになされたものである。
ところで、一般に相変化膜の材料となるインジウム(I
n)−アンチモン(Sb)などの物質は、Arイオンな
どに対するエッチング・レートが基板となるNiなどの
金属のエッチング・レートとに比べて大きいため、その
ままではマスクとして用いることができない。そこで、
まず、基板と相変化膜との間に、フィジカルなエッチン
グ法に対するエッチング・レートが小さく、しかも相変
化膜とは除去条件の異なる物質よりなる薄膜を介在さ
せ、まず相変化膜をマスクとしてこの薄膜をエッチング
し、さらに、この薄膜をマスクとして基板のエッチング
を行うという2段階のエッチング工程を行うことが好ま
しい。
According to the present invention, a continuous or discrete spiral pattern for tracking is recorded on a phase change film on a substrate surface on which an information signal is to be recorded, and the tracking pattern is recorded. A signal corresponding to a pit is recorded on the phase change film by using it, and at the same time as the recording,
Alternatively, immediately before or immediately after, the tracking pattern is erased so that only the signal corresponding to the pit shape is recorded on the phase change film, and in that state, the portion recorded as the crystalline phase on the phase change film. This is based on the idea that the phase change film is patterned by utilizing the etching rate difference between the amorphous phase and another amorphous phase, and the substrate is etched by using the phase change film as an etching mask.
By the way, indium (I
A substance such as n) -antimony (Sb) cannot be used as a mask as it is because the etching rate for Ar ions or the like is higher than the etching rate for a metal such as Ni that is the substrate. Therefore,
First, a thin film made of a substance having a small etching rate for a physical etching method and a different removal condition from the phase change film is interposed between the substrate and the phase change film. It is preferable to perform a two-step etching process in which the substrate is etched and the substrate is etched using this thin film as a mask.

【0009】以下に、本発明の光ディスク用スタンパの
各製造工程を添付図面を参照しつつ、詳細に説明する。
Hereinafter, each manufacturing process of the optical disk stamper of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

【0010】まず、図1に示すように基盤11の研磨面
に第1の薄膜12を形成する。この薄膜12は、基盤1
1のフィジカルエッチングの際にマスクとして機能す
る、すなわち、フィジカルエッチングに対するエッチン
グ・レートの小さい材料を選択する必要がある。具体的
には、ハロゲンや酸素との反応により気化する材料、例
えば、Si、SiO2、Si34、Al、Mo、Cr、
W、Nbなどの無機材料や、PMMA、PVAなどの有
機材料を使用し、これらの材料を真空蒸着法、スパッタ
リング法またはスピンコーティング法などにより成膜す
る。このとき、薄膜12の厚さはピットあるいはグルー
ブの深さを決定するものとなるので、厳密に制御する必
要がある。
First, as shown in FIG. 1, the first thin film 12 is formed on the polished surface of the substrate 11. This thin film 12 is the base 1
It is necessary to select a material that functions as a mask in the physical etching of No. 1, that is, has a small etching rate for the physical etching. Specifically, materials that are vaporized by reaction with halogen or oxygen, such as Si, SiO 2 , Si 3 N 4 , Al, Mo, Cr,
An inorganic material such as W or Nb or an organic material such as PMMA or PVA is used, and these materials are deposited by a vacuum deposition method, a sputtering method, a spin coating method, or the like. At this time, the thickness of the thin film 12 determines the depth of the pit or the groove, and thus must be strictly controlled.

【0011】次に、第1の薄膜12上に相変化物質より
なる第2の薄膜(以下、「相変化膜」という)13を形
成する(図2)。この相変化物質は、レーザなどの照射
により相変化を生じ、その照射部分のエッチング・レー
トが非照射部分に比べて小さくなるものである。具体的
には光記録媒体に使用されるものがあげられ、例えば、
Te、Se、Ge、In、Sbなどの元素の組み合せよ
りなる無機化合物が好適である。この薄膜13も真空蒸
着法またはスパッタリング法などにより形成し、その厚
さは例えば、0.05〜0.15μm程度とすることが
好ましい。
Next, a second thin film (hereinafter referred to as "phase change film") 13 made of a phase change material is formed on the first thin film 12 (FIG. 2). This phase change substance causes a phase change by irradiation with a laser or the like, and the etching rate of the irradiated portion is smaller than that of the non-irradiated portion. Specific examples include those used for optical recording media.
An inorganic compound composed of a combination of elements such as Te, Se, Ge, In and Sb is suitable. This thin film 13 is also formed by a vacuum deposition method or a sputtering method, and its thickness is preferably about 0.05 to 0.15 μm.

【0012】続いて、相変化膜13にトラッキング用の
パターン13aを記録する(図3)。このための記録法
は、例えば、スパイラル状に金属をパターニングしたガ
ラス・マスク15を相変化膜13に近接して設置し、ガ
ラス・マスク15の開口部15aを通して熱線パルスを
照射し、相変化膜13に対し、ガラス・マスク15のパ
ターンに沿って、相変化を生じせしめる。この相変化部
では、反射率が変化するので、スパイラル状の相変化パ
ターン13a間に情報信号を記録する際、これをトラッ
キング信号として用いることができる。また、熱線パル
スとしては、レーザ光やフラッシュ・ランプが用いられ
る。一方、基盤11とガラス・マスク15との位置合わ
せには、相変化を生ぜしめない程度の強度の光を用いた
画像を処理して、基盤11やガラス・マスク15の位置
制御により行う。
Then, a tracking pattern 13a is recorded on the phase change film 13 (FIG. 3). In the recording method for this purpose, for example, a glass mask 15 in which a metal is spirally patterned is placed close to the phase change film 13, and a heat ray pulse is irradiated through the opening 15a of the glass mask 15 to form the phase change film. 13 causes a phase change along the pattern of the glass mask 15. Since the reflectance changes in this phase change portion, this can be used as a tracking signal when an information signal is recorded between the spiral phase change patterns 13a. A laser beam or a flash lamp is used as the heat ray pulse. On the other hand, the alignment of the substrate 11 and the glass mask 15 is performed by controlling the position of the substrate 11 and the glass mask 15 by processing an image using light having an intensity that does not cause a phase change.

【0013】その後、このようにして記録したスパイラ
ル状の連続パターンからの信号をトラッキング信号とし
て、相変化膜13に例えばピット形状のパターン16を
形成し、情報信号パターンを得る(図4)。このピット
形状のパターン16を形成する方法は、例えば半導体レ
ーザ(波長830nm)またはHe−Neレーザ(波長
630nm)などの簡易なレーザ光源を使用して、相変
化膜13の所要位置にレーザ光を照射することにより、
相変化を起こさせる。この時、あらかじめ記録されてい
たスパイラル状の連続線状相変化パターン13aは消去
される。この消去の方法は、例えば、消去用光学ヘッド
により短波長パルス光を照射することにより行われる。
そして、前述の相変化膜13の相変化が生じた部分はフ
ィジカルエッチングに対するエッチング・レートが他の
部分に比べて小さくなっているため、例えばArイオン
を薄膜13の膜面に照射してエッチングを行い、この相
変化部分のみを残して他の部分を除去する。このエッチ
ング工程において、第1の薄膜12はフィジカルエッチ
ングに対するエッチングレートが非常に小さいため除去
されずに残る。
Thereafter, a signal from the spiral continuous pattern thus recorded is used as a tracking signal to form, for example, a pit-shaped pattern 16 on the phase change film 13 to obtain an information signal pattern (FIG. 4). The method of forming the pit-shaped pattern 16 uses a simple laser light source such as a semiconductor laser (wavelength 830 nm) or a He-Ne laser (wavelength 630 nm) to apply laser light to a required position of the phase change film 13. By irradiating,
Cause a phase change. At this time, the previously recorded spiral continuous linear phase change pattern 13a is erased. This erasing method is performed, for example, by irradiating short-wavelength pulsed light with an erasing optical head.
Since the etching rate of the phase change film 13 in which the phase change occurs is smaller than that of the other parts, the Ar ion is irradiated on the film surface of the thin film 13 for etching. Then, only the phase change portion is left and other portions are removed. In this etching step, the first thin film 12 remains without being removed because the etching rate for physical etching is very small.

【0014】上記のようにして薄膜13に形成されたピ
ット形状のパターン16をマスクとして、薄膜12をエ
ッチングする(図5)。このエッチング方法としては、
反応性ガスによるプラズマエッチング法が使用される。
このときの反応性ガスとしては、薄膜12を構成する物
質により、CF4、CHF3、SF6、CCl4、O2など
が適宜選択すればよい。この工程終了後には、基盤11
上には、薄膜12と薄膜13との2層構造のピット形状
のパターン16、16aが形成されることとなる。
The thin film 12 is etched using the pit-shaped pattern 16 formed on the thin film 13 as a mask as described above (FIG. 5). As this etching method,
A plasma etching method using a reactive gas is used.
As the reactive gas at this time, CF 4 , CHF 3 , SF 6 , CCl 4 , O 2 or the like may be appropriately selected depending on the substance forming the thin film 12. After this process, the base 11
The pit-shaped patterns 16 and 16a having a two-layer structure of the thin film 12 and the thin film 13 are formed on the top.

【0015】続いて、再びArイオンを膜面に照射して
基盤11のエッチングを行う。このとき、2層構造のピ
ット形状のパターン16、16aのうち、上層の薄膜1
3は容易に除去されるが、下層の薄膜12はフィジカル
エッチングに対するエッチング・レートが小さいため、
除去されず、基盤11に対してマスクとして機能し、基
盤11面をエッチングし、ピット形状のパターン17を
形成することができる(図6)。
Then, the substrate 11 is etched by irradiating the film surface with Ar ions again. At this time, of the pit-shaped patterns 16 and 16a having the two-layer structure, the upper thin film 1
3 is easily removed, but the lower thin film 12 has a small etching rate for physical etching.
Without being removed, it functions as a mask for the substrate 11 and the surface of the substrate 11 can be etched to form a pit-shaped pattern 17 (FIG. 6).

【0016】最後に上述した反応性エッチングにより、
薄膜12を除去して単一金属よりなる光ディスク用スタ
ンパ18を得る(図6)。
Finally, by the above-mentioned reactive etching,
The thin film 12 is removed to obtain an optical disk stamper 18 made of a single metal (FIG. 6).

【0017】[0017]

【実施例】以下に本発明の具体的実施例について説明す
る。
EXAMPLES Specific examples of the present invention will be described below.

【0018】表面が平滑な厚さ1mmのNi基盤上に、
スパッタリング法によりSiO2を0.1μm堆積し
た。ついで、このSiO2膜上に同一チャンバ内でIn
−Sbをスパッタリング法により0.1μmの膜厚で積
層し、この基盤を250℃で熱処理することによりIn
−Sb膜の結晶化を行った。次に、ピッチ1.6μm、
線間開口幅0.5μmのスパイラル・パターンを有する
ガラス・マスクを上記ニッケル基盤に重ね、YAGレー
ザ・パルスにて全面スキャンを行い、相変化膜にスパイ
ラル・パターンを記録した。続いて、このスパイラル・
パターンをトラッキング信号として、スパイラル・パタ
ーン線間に情報信号を記録すると共に、他の光学ヘッド
により順次スパイラル・パターンの消去を行った。情報
信号の記録は、波長830μmの半導体レーザパルスを
照射することにより行い、In−Sb膜に局部的に相変
化部を形成した後、この基盤をArイオンのプラズマ・
エッチング槽に入れIn−Sb膜のプラズマ・エッチン
グを行った。さらに、同一プラズマ・エッチング槽にC
4ガスを導入しSiO2膜の反応性プラズマ・エッチン
グを行った。しかるのち、同一プラズマ・エッチング槽
に再びArガスを導入しNi基盤のプラズマ・エッチン
グを行い、最後に再びCF4ガスを導入して残留するS
iO2膜を除去して光ディスク用スタンパを完成した。
On a Ni substrate having a smooth surface and a thickness of 1 mm,
SiO 2 was deposited to a thickness of 0.1 μm by the sputtering method. Then, on the SiO 2 film in the same chamber, In
-Sb was deposited to a thickness of 0.1 μm by a sputtering method, and this substrate was heat treated at 250 ° C.
The -Sb film was crystallized. Next, pitch 1.6 μm,
A glass mask having a spiral pattern with a line-to-line aperture width of 0.5 μm was placed on the nickel substrate, and the entire surface was scanned with a YAG laser pulse to record the spiral pattern on the phase change film. Next, this spiral
An information signal was recorded between the spiral pattern lines using the pattern as a tracking signal, and the spiral patterns were sequentially erased by another optical head. The recording of the information signal is performed by irradiating a semiconductor laser pulse having a wavelength of 830 μm, and a phase change portion is locally formed on the In—Sb film.
The In—Sb film was placed in an etching tank and plasma-etched. Furthermore, C in the same plasma etching tank
F 4 gas was introduced to carry out reactive plasma etching of the SiO 2 film. After that, Ar gas is again introduced into the same plasma etching tank to perform Ni-based plasma etching, and finally CF 4 gas is introduced again to leave the residual S.
By removing the iO 2 film, a stamper for an optical disk was completed.

【0019】以上の工程において、製造に要する時間は
従来の湿式工程を含む場合に比べて約80%短縮するこ
とが可能となった。さらに、情報記録時のトラッキング
を極めて簡便な方法により行うことができるため、従来
のような、大型で高価なカッティング・マシンを必要と
せず、生産性が極めて向上した。また、最終的に得られ
たスタンパが単一金属により形成されているため、従来
のように基盤上に相変化膜によるピットまたはグルーブ
が形成されているものに比べて、スタンパ・ライフが約
100倍となることが確認された。さらに、従来の方法
のように、最後に内外周のトリミングや研磨、打抜きな
どの後加工を必要としないという利点がある。
In the above process, the time required for manufacturing can be shortened by about 80% as compared with the case where the conventional wet process is included. Furthermore, since the tracking at the time of recording information can be performed by an extremely simple method, a large and expensive cutting machine as in the past is not required, and the productivity is extremely improved. Further, since the finally obtained stamper is formed of a single metal, the stamper life is about 100, compared with the conventional one in which pits or grooves are formed by the phase change film on the substrate. It was confirmed to be doubled. Furthermore, unlike the conventional method, there is an advantage in that post-processing such as trimming, polishing, punching of the inner and outer circumferences is not required at the end.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上詳細に説明したところから明らかな
ように、本発明の光ディスク用スタンパの製造方法によ
れば、高品質のスタンパが得られると共に、情報パター
ンの形成に相変化膜を使用し、かつ金属基盤に直接ドラ
イ・エッチングによりパターンを形成するため、全ての
工程をドライ・プロセスにより行うことが可能となる。
さらに、信号記録時のトラッキングを極めて簡便に行う
ことができるため、特に、カッティング装置を小型・単
純化することが可能となる。しかも得られたスタンパは
金属一体型で接着層を必要としないため剥離などによる
欠損がなく、長寿命のスタンパを得ることができる。従
って、本発明の光ディスク用スタンパの製造方法は、音
楽用、映像用および各種情報用光ディスクの製造分野に
おいて極めて有用である。
As is clear from the above description, according to the method of manufacturing an optical disk stamper of the present invention, a high quality stamper can be obtained and a phase change film is used for forming an information pattern. In addition, since the pattern is formed directly on the metal substrate by dry etching, all steps can be performed by the dry process.
Further, since the tracking at the time of recording the signal can be performed extremely easily, the cutting device can be particularly downsized and simplified. Moreover, since the obtained stamper is a metal-integral type and does not require an adhesive layer, it is free from defects such as peeling and can have a long life. Therefore, the method of manufacturing an optical disk stamper of the present invention is extremely useful in the field of manufacturing optical disks for music, video and various information.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の1
工程を示す断面図である。
FIG. 1 is a method 1 for manufacturing an optical disk stamper of the present invention.
It is sectional drawing which shows a process.

【図2】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の1
工程を示す断面図である。
FIG. 2 is a first method of manufacturing an optical disk stamper of the present invention.
It is sectional drawing which shows a process.

【図3】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の1
工程を示す断面図である。
FIG. 3 is a first method of manufacturing an optical disk stamper of the present invention.
It is sectional drawing which shows a process.

【図4】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の1
工程を示す断面図である。
FIG. 4 is a first method of manufacturing an optical disk stamper of the present invention.
It is sectional drawing which shows a process.

【図5】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の1
工程を示す断面図である。
FIG. 5 is a first method of manufacturing an optical disk stamper of the present invention.
It is sectional drawing which shows a process.

【図6】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の1
工程を示す断面図である。
FIG. 6 is a first method of manufacturing an optical disk stamper of the present invention.
It is sectional drawing which shows a process.

【図7】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法の1
工程を示す断面図である。
FIG. 7 is a first method of manufacturing an optical disk stamper of the present invention.
It is sectional drawing which shows a process.

【図8】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の1工
程を示す断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing one step of a conventional method for manufacturing an optical disk stamper.

【図9】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の1工
程を示す断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing one step of a conventional method for manufacturing an optical disk stamper.

【図10】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の1
工程を示す断面図である。
FIG. 10 is a first method of manufacturing a conventional optical disk stamper.
It is sectional drawing which shows a process.

【図11】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の1
工程を示す断面図である。
FIG. 11 is a first method of manufacturing a conventional optical disk stamper.
It is sectional drawing which shows a process.

【図12】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の1
工程を示す断面図である。
FIG. 12 is a first method of manufacturing a conventional optical disk stamper.
It is sectional drawing which shows a process.

【図13】従来の光ディスク用スタンパの製造方法の1
工程を示す断面図である。
FIG. 13 is a first method for manufacturing a conventional optical disk stamper.
It is sectional drawing which shows a process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 基盤 12 第1の薄膜(反応して気化する物質よりなる薄
膜) 13 第2の薄膜(相変化物質よりなる薄膜) 13a スパイラル状の相変化パターン 15 ガラス・マスク 15a ガラス・マスクの開口部 16 ピットあるいはグルーブパターン 16a ピットあるいはグルーブパターン 18 スタンパ
11 Base 12 First thin film (thin film made of a substance that reacts and vaporizes) 13 Second thin film (thin film made of a phase change substance) 13a Spiral phase change pattern 15 Glass mask 15a Glass mask opening 16 Pit or groove pattern 16a Pit or groove pattern 18 Stamper

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に相変化によりエッチング・レー
ト差を生じる物質よりなる膜を形成し、前記相変化によ
るエッチング・レート差により前記膜に凹凸を形成する
工程を有する光ディスク用スタンパの製造方法におい
て、前記相変化物質よりなる膜にトラッキング用のパタ
ーンを記録する工程と、前記パターン記録部を消去する
工程を含むことを特徴とする光ディスク用スタンパの製
造方法。
1. A method for manufacturing a stamper for an optical disk, comprising a step of forming a film made of a substance that causes an etching rate difference due to a phase change on a substrate and forming irregularities on the film due to the etching rate difference due to the phase change. 9. A method of manufacturing an optical disk stamper, comprising the steps of: recording a tracking pattern on a film made of the phase change material; and erasing the pattern recording portion.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005101398A1 (en) 2004-04-15 2005-10-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical master substrate with mask layer and method to manufacture high-density relief structure

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005101398A1 (en) 2004-04-15 2005-10-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical master substrate with mask layer and method to manufacture high-density relief structure
JP2007533064A (en) * 2004-04-15 2007-11-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Optical master substrate having mask layer and method for manufacturing high-density relief structure

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