JPH065944A - 圧電磁器トランスフィルタとその駆動方法 - Google Patents

圧電磁器トランスフィルタとその駆動方法

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JPH065944A
JPH065944A JP4165202A JP16520292A JPH065944A JP H065944 A JPH065944 A JP H065944A JP 4165202 A JP4165202 A JP 4165202A JP 16520292 A JP16520292 A JP 16520292A JP H065944 A JPH065944 A JP H065944A
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JP
Japan
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piezoelectric ceramic
piezoelectric
transformer
high impedance
filter
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JP4165202A
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Kaneo Uehara
兼雄 上原
Takeshi Inoue
武志 井上
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は高周波帯域において広帯域で高効率
な周波数特性を有する新規な圧電トランスフィルタであ
る。 【構成】 本発明に基づく圧電トランスは、第1図に示
す如く、複数の内部電極層12、13と圧電磁器層が交
互に積層され、内部電極層12、13を介して隣接する
圧電磁器層は互いに逆向きに分極されている2個の積層
体であって、高インピーダンス部分は互いに逆向き分極
されている。低インピーダンス部の各内部電極は一層お
きに2つの電気端子のうちの一方の端子と接続し、残り
の電極端子はもう一方の端子と接続する。同様に接続し
たもう一方の圧電磁器トランスとを電極端子14、15
にそれぞれ接続し高インピーダンス部の内部電極13を
各々並列に接続し構成している。本発明の圧電磁器トラ
ンスフィルタは、数MHz以上の高周波帯域において広
帯域で使用することが出来、かつ、小型で高効率である
という特徴がありフィルタ小型化に著しく寄与する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高周波帯で広帯域で高効
率な周波数特性を有する圧電トランスフィルタに関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】圧電トランスは、通常、共振状態で使用
され、共振周波数において最大の効率及び昇圧比が得ら
れるものであり、一般の電磁トランスに比べて、(1)
同一周波数においてエネルギー密度が高いため小型化が
図れる。(2)不燃化が図れる。(3)電磁誘導による
ノイズがでないこと。等、数多くの長所を有し実用化が
進められている。図6に従来の代表的な積層型圧電トラ
ンスであるローゼン型圧電トランスの構造を示す。以
下、図面に沿って説明する。高電圧を取り出す場合、表
面に電極が設けられた圧電板において、61で示す部分
は圧電トランスの低インピーダンスの駆動部分であり、
その上下面に電極63、64が設けられており、この部
分は図中66で示すように厚み方向に分極されている。
また、同様に62で示す部分は高インピーダンスの発電
部分であり、その端面に電極65が設けられており、発
電部分62は図中66で示すように圧電板の長さ方向に
分極されている。この圧電トランスの動作は、駆動電極
63、64に電圧が印加されると横効果31モードで電
気機械結合係数k3 1 によって縦振動が励振され、トラ
ンス全体が振動する。さらに発電部52では、電気機械
結合係数k3 3 によって縦効果縦振動モード(33モー
ド)により、出力電極65から高電圧がとりだされる。
一方、高電圧を入力し、低電圧を出力させる場合には、
縦効果の高インピーダンス部分62を入力側とし、横効
果の低インピーダンス部分61を出力側にすれば良いこ
とは明らかである。他のタイプの圧電トランスも、いず
れもローゼン型と同じ平板の伸び振動や円板の半径方向
拡がり振動を利用したものであり、適用周波数は最高2
00kHz程度までである。
【0003】また、図6に示した圧電トランスはいずれ
も単一共振利用のため、負荷による出力電圧変動の他
に、周囲温度変化や自己発熱などによる電圧変動が大き
いなどの欠点がある。
【0004】これらの欠点を改善する一つの方法とし
て、帯域通過型の機械フィルタ構成とした圧電磁器トラ
ンスフィルタとする方法が提案されている。(日本音響
学会誌33巻、10号、524頁、1977年)ここで
提案されている代表的なセラミックトランスフィルタを
図5(a)に、またその等価回路表示を図5(b)に示
す。
【0005】図5(a)について説明すると、50は厚
み方向に分極された(矢印で示す)横効果低インピーダ
ンス振動子で53、54は駆動電極であり、51は長さ
方向に分極された縦効果高インピーダンス振動子で、5
5、56は発電電極である。これら2種の振動子を結合
子52が機械的に結合させており、駆動用電気端子5
7、57’が駆動電極53、54と接続し、また出力用
電極端子58、58’は発電電極55、56と接続して
いる。図5(a)に示した圧電磁器トランスフィルタは
周知の如く、f1、f2と二つの共振モードが現れ、f
1、f2の間が通過帯域において出力電圧が最も大きく
取り出される。図5(b)は(a)に示した圧電磁器ト
ランスフィルタの等価回路でCd1、A1、S1、m1
はそれぞれ横効果低インピーダンス振動子50の制動容
量、力係数、等価スチフネス、等価質量を示し、Scは
結合子52の等価スチフネス、Cd2、−Cd2、A
2、S2、m2はそれぞれ縦効果高インピーダンスの振
動子51の制動容量、負容量、力係数、等価スチフネ
ス、等価質量を示す。即ち、横効果低インピーダンス振
動子の力係数A1と横効果高インピーダンス振動子の力
係数A2の大きさの違いを利用してトランスフィルタを
得ようとする構成である。しかし、図5(a)に示した
トランスフィルタは、図6に示したローゼンタイプの単
一共振型圧電トランスの欠点を改善することはできる
が、圧電磁器板の長さ方向の縦振動を用いている点で、
やはり適用周波数領域は最高200kHz程度である。
一方、これらの欠点を改善する一つの方法としてエネル
ギー閉じ込め形圧電磁器トランスフィルタが提案されて
いる。(特開昭59−175175)。ここで提案され
ている圧電磁器トランスフィルタを図4に示す。図4に
ついて説明すると、厚み方向に分極された圧電磁器板4
0の左側に4層のエネルギー閉じ込め電極41、41’
のある低インピーダンス部分と2層のエネルギー閉じ込
め電極42、42’のある高インピーダンス部分から構
成されている。矢印は分極方法を示す。低インピーダン
ス部分の電極(41)は1層おきに出力端子14に、残
りの電極41’は出力端子15に接続されている。同様
に高インピ−ダンス部の電極42、42’は入力端子で
16、17にそれぞれ接続されて構成している。このよ
うな圧電磁器トランスフィルタは高次厚み縦振動を用い
たトランスフィルタ構成となっているため高周波(数M
Hz以上)で電圧の変圧(例えば高電圧の発生)が可能
である。しかし、この圧電磁器トランスフィルタは一般
的な周波数低下型といわれるエネルギー閉じ込め現象を
利用しているためエネルギー閉じ込め電極の面積が小さ
く限られてしまう。この結果、大電流を流すことが出来
ない。従って電力伝送には不向きである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】以上の従来例で示した
ように、従来の圧電トランスおよび、圧電トランスフィ
ルタの適用周波数領域は200kHz以下の低周波領域
においてのみであった。また、1MHz以上の高周波数
帯において、一例としてPCM搬送装置の中継器では、
搬送波からタイミングを抽出し、しかも入力信号電圧に
比べ出力信号電圧を大きくとるようなトランスフィルタ
が必要とされていることは周知の通りである。このよう
なトランスフィルタを電圧トランスフィルタで実現する
ことができれば、装置の著しい小型化及び固体化が可能
であるが現在このような圧電トランスフィルタは実現さ
れていない。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の欠点を
克服するために、なされたものである。
【0008】本発明は複数の内部電極層と圧電磁器層が
交換に積層された積層帯であって、内部電極層を介して
隣接する圧電磁器層が互いに逆向きに分極されている低
インピーダンス部と高インピーダンス部とを備え、これ
ら2つのインピーダンス部の各内部電極は一層おきに2
つの電気端子のうち一方の端子と接続し、残りの電極端
子はもう一方の端子と接続して外部電極端子とした圧電
磁器トランスを2個用い、それぞれの高インピーダンス
部の分極方向が互いに逆向きであり、各々高インピーダ
ンス部は高インピーダンス部に、低インピーダンス部は
低インピーダンス部で並列に接続されて構成している圧
電磁器トランスフィルタとその駆動方法である。
【0009】
【作用】本発明は、1MHz以上の高周波において低損
失で十分な機能を有する圧電磁器トランスフィルタを提
供するためになされたものである。図1の(a)に本発
明の圧電磁器トランスフィルタの断面図、結線図で、
(b)は等価回路、図2は圧電磁器トランスの斜視図で
ある。図1、図2において、本発明の圧電磁器トランス
フィルタを構成するは、2対の圧電磁器トランス10、
11は外部電極端子で並列に接続した差動接続形であ
る。まず、圧電磁器トランスは内部電極12を介し厚み
方向に分極された圧電磁器層26を多数積層した低イン
ピーダンス部21と、その中間に絶縁層27と複数の内
部電極13と圧電磁器層28からなる高インピーダンス
部22で構成されている。この圧電磁器トランス2対は
互いに低インピーダンス部21の内部電極12を外部で
交互に接続し出力端子14、15とした。次に高インピ
ーダンス部22の上下電極13から互いに取り出し入力
端子16、17とした。尚、高インピーダンス部22の
各圧電セラミック層の厚さと各低インピーダンス部21
が同じ厚みとなるように構成した。ここで、圧電磁器層
26、27、28は隣接する各層の分極方向(矢印)が
逆になるように配置されている。また、各圧電磁器板の
間には、内部電極12、13により、圧電磁器板に対し
厚み方向に電界を印加することが可能な構成をしてい
る。尚、2対の圧電磁器トランスの高インピーダンス部
22の分極方向は互いに逆向きである(矢印)。このよ
うな内部多層電極を有する圧電磁器トランスは、積層圧
電セラミックコンデンサや積層圧電アクチュエータ等で
用いられている積層セラミック技術(ドクターブレード
法)で作製することが可能である。この様な方法で作製
した圧電磁器トランスでは層間隔を25μm程度まで薄
くすることも可能である。従って,1/2波長モード
(両端自由の基本モード)あるいは1波長モード(両端
自由の2次モード)の厚み縦共振振動を利用するとして
も、積層セラミック技術を用いて、圧電磁器トランスを
作成し、厚み縦振動の差動接続型で使用すれば2〜10
MHz帯の超高周波領域で動作する圧電磁器トランスフ
ィルタも実現できる。本圧電磁器トランスフィルタを厚
み縦振動差動接続型で使用する結線図を図1(a)に、
また、等価回路を(b)に示す。まず1対の圧電磁器ト
ランス10の動作原理は高インピーダンス部22の入力
端子16、17間に厚み縦振動の共振周波数と等しい周
波数の高電圧を印加すると、高インピーダンス部22の
逆圧電効果により圧電磁器トランス10の全体が機械的
に共振し、低インピーダンス部21では圧電効果により
入力電圧と同一周波数の電圧を発生し、出力端子14、
15に出力する。その際、入力側と出力側のインピーダ
ンスの違いにより、出力端子14、15間の電圧は入力
端子16、17間の電圧よりも低くなる。さらに、低イ
ンピーダンスの電極間隔を変えることにより異なった電
圧を自由に出力することが出来る。尚、低電圧を高電圧
に変換する場合端子14、15間に低電圧を印加すれば
端子16、17間から高電圧が出力される。また、低イ
ンピーダンス部21と高インピーダンス部22の間に絶
縁板27を配置する構造にすれば入力端子16、17と
出力端子14、15を電気的に分離できるため周辺回路
の自由度を増すことができる。このような動作はもう1
対の圧電磁器トランスでも全く同じであるが高インピー
ダンス部22の分極方向が全く逆であるため厚み振動の
位相が丁度180°ずれる。さらに図1において左側の
圧電トランスの共振周波数をf1、右側の圧電トランス
の共振周波数をf2となる(f1≠f2)ようにあらか
じめトランスの厚みを調整してやり、2対の圧電トラン
スの入出力端子それぞれを並列接続することによりf
1、f2間の通過帯域においてもっとも出力電圧が大き
く取り出される。
【0010】特にf1、f2の共振周波数を調整するこ
とによりより周波数−ゲイン特性がフラットな帯域特性
を実現出来る。
【0011】厚み縦振動の共振周波数は圧電縦効果によ
る共振周波数の低下を無視すれば次式で表される。 fr =n・Vt /2t (n=1,2,3…) ここに、fr :厚み縦振動の共振周波数 n :モード次数 Vt :厚さ方向の縦波の音速 t :厚み ここでVt ,tが一定となるように圧電磁器トランスを
作製できれば厚み縦振動の共振周波数fr も一定になる
が、一体焼成時の収縮率のバラツキ等により必ずしも設
計通りの共振周波数とは成らない。そこで、焼成後に共
振周波数を調整出来る構造が望ましい。即ち、上下主面
に電極を設けている圧電トランスでは焼成後に調整する
事は容易ではないが、本発明の圧電トランスでは上下に
研磨可能な周波数調整層を配置しているため、焼成後の
研磨により所要の共振周波数が得られ、外部回路の駆動
周波数と正確に一致させることができる。さらに、直方
体の振動子においてはk31を介して長さ方向、幅方向
の振動も発生し、その共振周波数はそれぞれ以下のよう
に表される。 fl n =n・Vl /2l (n=1,2,3…) fw n =n・Vw /2w (n=1,2,3…) ここに、fl n :長さ縦振動の共振周波数 Vl :長さ方向の縦波の音速 l :長さ fw n :幅縦振動の共振周波数 Vw :幅方向の縦波の音速 w :幅 これら長さ方向、幅方向の振動は、厚み縦振動に対する
スプリアス振動となる。そのため、広帯域の圧電トラン
スを実現するためには駆動周波数近傍で長さ方向、幅方
向の強い振動が起きないようにする必要がある。また、
幅方向の厚みは、厚みt方向との関係は2分の1波長が
高インピーダンス部分の各圧電セラミック層の厚さと低
インピーダンス部分が同じになる厚み縦振動2次モード
の共振周波数で駆動した場合、幅方向の厚みは3分の1
波長以下に共振させた場合に厚み縦振動に対するスプリ
アス振動を抑えることが可能で、単一モードで非常にき
れいなアドミッタンス一周波数特性が実現出来る。この
結果、DC−DCコンバータ駆動時に周波数制御時に都
合よく対応できる。
【0012】次に、効率について考える。圧電磁器トラ
ンスの損失は大半が機械的損失であり、その機械的損失
は機械的品質数Qmが小さいほど大きい。この機械的品
質数Qmは上下主面の平行度、平面度に大きく存在す
る。招請しただけの圧電トランスの表面は平行度、平面
度とも悪く、その機械的品質係数Qmはせいぜい数10
0である。これに対し本発明の圧電トランスでは平行平
面研磨を行うことにより、数μm以内の平行度、平面度
を得ることが可能で、1000以上の機械的品質係数Q
mが容易に得られる。
【0013】
【実施例】図1、図2は、それぞれ本発明の圧電磁器ト
ランスフィルタの一実施例の接続図、等価回路及び、圧
電磁器トランスの斜視図である。本発明の2個の圧電磁
器トランス10、11は各々一体積層型であり、2MH
z帯厚み縦二次モードを用い、圧電材料としてはPbT
iO3 系圧電材料を用いている。本圧電磁器トランスで
は、高インピーダンス部22と低インピーダンス部21
それぞれに複数の内部電極層12、13を形成した構造
である。次に、本発明の製造方法について実施例に基づ
いて説明する。第2図に示すように、まず圧電材料とし
てPbTiO3 系圧電セラミック粉末を有機バインダー
と共に溶媒中に分散しスラリー状とする。これをドクタ
ーブレードを用いたキャスティング法によって、厚さが
約70μmのグリーンシートを作製する。次に内部電極
層としてPt、バインダー、有機溶剤からなるPtペー
ストをスクリーン印刷法により印刷する。その後、必要
な形状の大きさにパンチング機により打ち抜き切断し所
定の順序で組合せ重ねた後、プレス機にて熱圧着し一体
のグリーン積層体とした。このグリーン積層体を600
℃で空気中で熱処理して脱バインダし、1200℃2時
間焼成した後、ダイシングソーにより所定の形状に切断
して圧電磁器トランス素子を作製する。次に低インピー
ダンス部の各内部電極は一層おきに2つの電気端子のう
ちの一方の端子と接続し、残りの電極端子はもう一方の
端子と接続する。同様に接続したもう一方の圧電磁器ト
ランスとを電極端子14、15にそれぞれ接続し7kV
/mmの直流電圧を印加し分極させる。また、高インピ
ーダンス部22の電極端子16、17は圧電磁器トラン
ス各々に7kV/mmの直流電圧を印加し分極させる。
但し、2個の圧電磁器トランスの分極方向は逆である。
そして最後に共振周波数調整のために必要な厚さになる
ように平行平面研磨を施す。この実施例では2MHzで
圧電トランスを駆動するため、圧電トランスの厚さが
2.8mmになるように平行平面研磨する。次に、高イ
ンピーダンス部22の電気端子16、17からそれぞれ
縦2次モードを励振する高周波・高電圧信号を入力し、
低インピーダンス部21の電気端子14、15に適当な
抵抗負荷で終端し出力を取り出す降圧型のトランスフィ
ルタとして評価した。図3に圧電トランスフィルタの周
波数−ゲイン特性の実測値を示す。評価した結果、周波
数1.50MHz〜2.6MHzで、最大エネルギー変
換効率97%以上を達成した。さらに、機械的品質係数
Qm値は845〜870、電力容量は5Wが得られた.
試作した圧電トランスフィルタは、高周波で広帯域の周
波数特性を示しかつ、高いエネルギー変換効率を実現し
ていることは明らかである。更に、低インピーダンス部
の1層の層間隔を変えることにより、所望の電圧が得ら
れることも確認している。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の圧電磁器
トランスフィルタは、複数の圧電トランスを並列接続す
る事により差動型圧電トランスフィルタとして、1MH
z以上の高周波帯において広帯域の帯域フィルタとして
使用することができ、小型、高効率を実現していること
は明らかで、従来の圧電トランスフィルタにはない長所
があり、工業的価値も多大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の圧電磁器トランスフィルタの一例を示
す図である。
【図2】圧電磁器トランスの斜視図である。
【図3】周波数−ゲイン特性図である。
【図4】従来の圧電磁器トランスフィルタを示す図であ
る。
【図5】従来の圧電磁器トランスフィルタを示す図であ
る。
【図6】従来のローゼン型圧電トランスの斜視図であ
る。
【符号の説明】
10,11 圧電磁器トランス 12,13 内部電極 14,15 出力端子 16,17 入力端子 21 圧電トランスの低インピーダンス部分 22 圧電トランスの高インピーダンス部分 26,28,27,25 圧電磁器層 40 圧電磁器板 41,41’,42,42’ エネルギー閉じ込め電極 50 厚み方向に分極された(矢印で示す)横
効果低インピーダンス振動子 51 長さ方向に分極された縦効果高インピー
ダンス振動子 52 結合子 53,54 駆動電極 55,56 発電電極 57,57’ 入力端子 58,58’ 出力端子 61 圧電トランスの低インピーダンスの駆動
部分 62 高インピーダンスの発電部分 63,64,65 電極 66 分極方向

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の内部電極層と圧電磁器層が交互に
    積層された積層体であって、内部電極層を介して隣接す
    る圧電磁器層が互いに逆向きに分極されている低インピ
    ーダンス部と高インピーダンス部を備え、これら2つの
    インピーダンス部の各内部電極は一層おきに2つの電気
    端子のうち一方の端子と接続し、残りの電極端子はもう
    一方の端子と接続して外部電極端子とした圧電磁器トラ
    ンスを2個用い、それぞれの高インピーダンス部の分極
    方向が互いに逆向きであり、各々高インピーダンス部は
    高インピーダンス部に、低インピーダンス部は低インピ
    ーダンス部で並列に接続されていることを特徴とする圧
    電磁器トランスフィルタ。
  2. 【請求項2】 請求項1の圧電磁器トランスフィルタに
    おいて低インピーダンス部から取り出した外部電極を出
    力端子とし、高インピーダンス部の上下電極から取り出
    した外部電極を入力端子とし、1対の圧電トランスの2
    分の1波長が高インピーダンス部分の圧電セラミック層
    の厚さと各低インピーダンス部分が同じ厚さになる厚み
    縦振動2次モードの共振周波数で駆動することを特徴と
    する圧電磁器トランスフィルタの駆動方法。
JP4165202A 1992-06-24 1992-06-24 圧電磁器トランスフィルタとその駆動方法 Withdrawn JPH065944A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000049667A1 (en) * 1999-02-16 2000-08-24 Mitsui Chemicals, Inc. Piezoelectric transformer
DE112004002038B4 (de) * 2003-10-30 2010-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Akustisch gekoppelter Filmtransformator mit erhöhter Gleichtaktunterdrückung
DE112004002027B4 (de) * 2003-10-30 2011-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Akustisch gekoppelter Filmtransformator
US9859205B2 (en) 2011-01-31 2018-01-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000049667A1 (en) * 1999-02-16 2000-08-24 Mitsui Chemicals, Inc. Piezoelectric transformer
DE112004002038B4 (de) * 2003-10-30 2010-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Akustisch gekoppelter Filmtransformator mit erhöhter Gleichtaktunterdrückung
DE112004002035B4 (de) * 2003-10-30 2010-11-18 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Impedanzwandlungsverhältnissteuerung bei akustisch gekoppelten Filmtransformatoren
DE112004002027B4 (de) * 2003-10-30 2011-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Akustisch gekoppelter Filmtransformator
US9859205B2 (en) 2011-01-31 2018-01-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

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