JPH0658883B2 - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0658883B2 JPH0658883B2 JP61066501A JP6650186A JPH0658883B2 JP H0658883 B2 JPH0658883 B2 JP H0658883B2 JP 61066501 A JP61066501 A JP 61066501A JP 6650186 A JP6650186 A JP 6650186A JP H0658883 B2 JPH0658883 B2 JP H0658883B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- phase growth
- vapor phase
- infrared heating
- reaction gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハの気相成長装置に関すものであ
る。
る。
第２図はこの種の従来の気相成長装置の一例を示し、石
英反応管１０内に設けられたサセプタ３′に載置されて
赤外線加熱ランプ５′より加熱された半導体ウェハ７へ
反応ガス供給管８′より供給された反応ガスを気相成長
せしめ反応後のガスを排気管９′より排気させる構造で
ある。
英反応管１０内に設けられたサセプタ３′に載置されて
赤外線加熱ランプ５′より加熱された半導体ウェハ７へ
反応ガス供給管８′より供給された反応ガスを気相成長
せしめ反応後のガスを排気管９′より排気させる構造で
ある。
上述した従来の気相成長装置では、半導体ウェハを中心
として両側に一直線上に反応ガス供給管と排気管を設け
ているため半導体ウェハの処理能力を大にするには、赤
外線加熱ランプ・石英反応管・反応ガス供給管・排気管
といった反応部の大型化が必要であり、それに供い反応
ガスの供給管と排気管側では、反応ガスの分圧・流速に
かなりの違いが生じて、すべての半導体ウェハへ反応ガ
スを同一条件に供給することは困難である。また赤外線
加熱ランプは、ランプ寿命を考慮してある一定の間隔に
おいて数本並列に配置しているため、ランプ間のすきま
によりランプ軸の直角・水平方向の光強度にムラが生じ
てサセプタに載置されている半導体ウェハの温度分布の
バラツキが大となる。その結果半導体ウェハへ気相成長
した薄膜の膜厚分布のバラツキが大となる欠点がある。
として両側に一直線上に反応ガス供給管と排気管を設け
ているため半導体ウェハの処理能力を大にするには、赤
外線加熱ランプ・石英反応管・反応ガス供給管・排気管
といった反応部の大型化が必要であり、それに供い反応
ガスの供給管と排気管側では、反応ガスの分圧・流速に
かなりの違いが生じて、すべての半導体ウェハへ反応ガ
スを同一条件に供給することは困難である。また赤外線
加熱ランプは、ランプ寿命を考慮してある一定の間隔に
おいて数本並列に配置しているため、ランプ間のすきま
によりランプ軸の直角・水平方向の光強度にムラが生じ
てサセプタに載置されている半導体ウェハの温度分布の
バラツキが大となる。その結果半導体ウェハへ気相成長
した薄膜の膜厚分布のバラツキが大となる欠点がある。
本発明の気相成長装置は、ステンレス鋼製ベルジャーと
その内部に着脱自在に取り付けられた石英ベルジャー、
回転可能なサセプタと水冷可能な石英板をはさんでサセ
プタ上部・下部に設けられたそれぞれの棒状・スポット
型の赤外線加熱ランプ・反応ガスを供給する反応ガス供
給ノズル・反応線のガスを排気する排気管を有してい
る。
その内部に着脱自在に取り付けられた石英ベルジャー、
回転可能なサセプタと水冷可能な石英板をはさんでサセ
プタ上部・下部に設けられたそれぞれの棒状・スポット
型の赤外線加熱ランプ・反応ガスを供給する反応ガス供
給ノズル・反応線のガスを排気する排気管を有してい
る。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。ステンレ
ス鋼製ベルジャー１とその内部に着脱自在に取り付けら
れた石英ベルジャー２内に設けられた回転可能サセプタ
３に載置されて水冷可能な石英板４をはさんでサセプタ
３上部・下部に設けられたそれぞれの棒状・スポット型
の赤外線加熱ランプ５，６より加熱された半導体ウェハ
７へ反応ガス供給ノズル８より供給された反応ガスを気
相成長せしめ反応後のガスを排気管９より排気させるよ
うにした構造である。
ス鋼製ベルジャー１とその内部に着脱自在に取り付けら
れた石英ベルジャー２内に設けられた回転可能サセプタ
３に載置されて水冷可能な石英板４をはさんでサセプタ
３上部・下部に設けられたそれぞれの棒状・スポット型
の赤外線加熱ランプ５，６より加熱された半導体ウェハ
７へ反応ガス供給ノズル８より供給された反応ガスを気
相成長せしめ反応後のガスを排気管９より排気させるよ
うにした構造である。
〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、サセプタを着脱自在回転
可能な円板形として気相成長中サセプタを回転させるこ
とにより、サセプタに載置されている全ての半導体ウェ
ハに反応ガスを同一条件に供給するばかりでなく、サセ
プタ上の全ての半導体ウェハの温度分布を同一条件に保
つことができる。またサセプタを回転させる為には、サ
セプタ下部に回転軸を設けなければならないが、サセプ
タ下部の赤外線加熱ランプには、スポット型のものを数
個取り付けることにより棒状では、得られない均一な放
熱をサセプタ下部からも行うことができ、サセプタ上部
の棒状の赤外線加熱ランプと同時に加熱することによ
り、上部・下部それぞれのランプ間のすきまにより生じ
る光強度のムラを互いに打ち消し、より一層の均一なサ
セプタ上の半導体ウェハの加熱ができ、また両面加熱に
より赤外線加熱ランプ出力が増大する為高温・急速加熱
等装置の性能がアップする。その結果サセプタに載置さ
れている全ての半導体ウェハに気相成長する薄膜の膜厚
分布のバラツキを小にし、また半導体ウェハの処理能力
をを大にする効果がある。
可能な円板形として気相成長中サセプタを回転させるこ
とにより、サセプタに載置されている全ての半導体ウェ
ハに反応ガスを同一条件に供給するばかりでなく、サセ
プタ上の全ての半導体ウェハの温度分布を同一条件に保
つことができる。またサセプタを回転させる為には、サ
セプタ下部に回転軸を設けなければならないが、サセプ
タ下部の赤外線加熱ランプには、スポット型のものを数
個取り付けることにより棒状では、得られない均一な放
熱をサセプタ下部からも行うことができ、サセプタ上部
の棒状の赤外線加熱ランプと同時に加熱することによ
り、上部・下部それぞれのランプ間のすきまにより生じ
る光強度のムラを互いに打ち消し、より一層の均一なサ
セプタ上の半導体ウェハの加熱ができ、また両面加熱に
より赤外線加熱ランプ出力が増大する為高温・急速加熱
等装置の性能がアップする。その結果サセプタに載置さ
れている全ての半導体ウェハに気相成長する薄膜の膜厚
分布のバラツキを小にし、また半導体ウェハの処理能力
をを大にする効果がある。
第１図は本発明の気相成長装置の縦断面図、第２図は従
来の気相成長装置の断面図である。 １……ステンレス鋼製ベルジャー、２……石英ベルジャ
ー、３，３′……サセプタ、４……石英板、５，５′…
…棒状赤外線加熱ランプ、６……スポット型赤外線加熱
ランプ、７……半導体ウェハー、８，８′……反応ガス
供給ノズル、９，９′……排気管、１０……石英反応
管。
来の気相成長装置の断面図である。 １……ステンレス鋼製ベルジャー、２……石英ベルジャ
ー、３，３′……サセプタ、４……石英板、５，５′…
…棒状赤外線加熱ランプ、６……スポット型赤外線加熱
ランプ、７……半導体ウェハー、８，８′……反応ガス
供給ノズル、９，９′……排気管、１０……石英反応
管。
Claims (1)
- 【請求項１】ステンレス鋼製ベルジャーと、その内部に
着脱自在に取り付けられた石英ベルジャーと、その内部
に設けられた回転可能なサセプタと、このサセプタに載
置された水冷可能な石英板とを備え、該石英板をはさん
でサセプタ上部・下部に設けられたそれぞれの赤外線加
熱ランプより加熱された半導体ウェハへ反応ガス供給ノ
ズルより供給された反応ガスを気相成長せしめ反応後の
ガスを排気管より排気させるようにしたものにおいて、
サセプタ上部には棒状の赤外線ランプを、サセプタ下部
には、スポット型の赤外線加熱ランプをそれぞれ用いる
ことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61066501A JPH0658883B2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61066501A JPH0658883B2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62222631A JPS62222631A (ja) | 1987-09-30 |
| JPH0658883B2 true JPH0658883B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=13317634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61066501A Expired - Lifetime JPH0658883B2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658883B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0377315A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-02 | Daiwa Handotai Sochi Kk | Ｍｏ―ｃｖｄ法による半導体製造装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3836751A (en) * | 1973-07-26 | 1974-09-17 | Applied Materials Inc | Temperature controlled profiling heater |
| US4081313A (en) * | 1975-01-24 | 1978-03-28 | Applied Materials, Inc. | Process for preparing semiconductor wafers with substantially no crystallographic slip |
| JPS51149882A (en) * | 1975-06-18 | 1976-12-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Chemical condensation apparatus |
| JPS5710240A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-19 | Sony Corp | Forming method of insulating film |
| FR2532783A1 (fr) * | 1982-09-07 | 1984-03-09 | Vu Duy Phach | Machine de traitement thermique pour semiconducteurs |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP61066501A patent/JPH0658883B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62222631A (ja) | 1987-09-30 |
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