JPH0656820A - チエニルエーテル誘導体の製造方法 - Google Patents

チエニルエーテル誘導体の製造方法

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JPH0656820A
JPH0656820A JP20863992A JP20863992A JPH0656820A JP H0656820 A JPH0656820 A JP H0656820A JP 20863992 A JP20863992 A JP 20863992A JP 20863992 A JP20863992 A JP 20863992A JP H0656820 A JPH0656820 A JP H0656820A
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【構成】 下記式(1) (式中、Aはアルカリ金属原子、R1はシアノ基等、R2
は水素原子等を示す。)で表されるヒドロキシチオフェ
ン金属塩誘導体と下記式(2) R3X (2) (式中、Xはハロゲン原子、R3はアルキル基等を示
す。)で表されるハロゲノ化合物とを反応させることを
特徴とする下記式(3) で表されるチエニルエーテル誘導体の製造方法。 【効果】 上記の製造方法は、高収率でチエニルエーテ
ル誘導体を得ることができ、特に、アルコール系の有機
溶媒中でも高収率でチエニルエーテル誘導体を得ること
が可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はチエニルエーテル誘導体
の製造方法に関する。より詳しくは、チエニルエーテル
誘導体を選択性よく、しかも高収率で製造する新規な製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】チエニルエーテル誘導体は、農薬、医薬
や機能性高分子モノマーの中間体として広範囲に利用し
得る有用な化合物である。
【0003】上記のチエニルエーテル誘導体の一種であ
る3−メトキシチオフェンカルボン酸誘導体は、従来3
−ヒドロキシチオフェンカルボン酸誘導体にジアゾメタ
ンを反応させて、いわゆる3−ヒドロキシチオフェンカ
ルボン酸誘導体のアルキル化により得られていた。
【0004】そして、上記の3−ヒドロキシチオフェン
カルボン酸誘導体は、一般に、アルコール溶媒中、チオ
グリコール酸誘導体の環化反応によって得られる。例え
ば、3−ヒドロキシ−2−チオフェンカルボン酸メチル
は、α、β−ジクロロプロピオン酸メチルとチオグリコ
ール酸メチルとをメタノール溶媒中で反応させて製造す
ることが、シンセティック・コミニケーション(Syn
th.Commun.,9,731(1979))に記
載されている。従って、目的とするチエニルエーテル誘
導体の製造を環化反応からの連続反応により行う場合に
は、前記のアルキル化を主としてアルコール中で行うこ
とになる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、そのア
ルコール中で使用されるアルキル化剤として前記のジア
ゾメタンを用いると、収率良くチエニルエーテル誘導体
を製造することは困難であった。尚、そのジアゾメタン
には、爆発性があり、工業的に使用しづらいという問題
がある。
【0006】従って、上記の問題を解決すること、即ち
チエニルエーテル誘導体を収率良く製造することが課題
となっている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、原料とし
て特定の一般式で表されるハロゲノ化合物及びヒドロキ
シチオフェン金属塩誘導体を使用すると、収率良く、チ
エニルエーテル誘導体を製造しうることを見い出し、本
発明を完成するに至った。
【0008】即ち、本発明は、一般式(1)
【0009】
【化3】
【0010】(式中、Aはアルカリ金属原子を示し、R
1はシアノ基、アルコキシカルボニル基、フェノキシカ
ルボニル基又はアミノカルボニル基を示し、R2は水素
原子、ハロゲン原子、置換もしくは非置換のアルキル
基、置換もしくは非置換のフェニル基、ニトロ基、シア
ノ基、アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル
基又はアミノカルボニル基を示す。)で表されるヒドロ
キシチオフェン金属塩誘導体と、一般式(2) R3X (2) (式中、Xはハロゲン原子を示し、R3はアルキル基、
アルケニル基又はアルキニル基を示す。)で表されるハ
ロゲノ化合物とを反応させることを特徴とする一般式
(3)
【0011】
【化4】
【0012】(式中、R1及びR2は前記一般式(1)に
おけるR1及びR2とそれぞれ同一であり、R3は前記一
般式(2)におけるR3と同一である。)で表されるチ
エニルエーテル誘導体の製造方法に関する。
【0013】本発明において使用する原料の一つは、前
記した一般式(1)で表されるヒドロキシチオフェン金
属塩誘導体である。上記一般式(1)中、Aで示される
アルカリ金属原子としてはナトリウム、カリウム、リチ
ウム等が好適に用いられる。前記一般式(1)中、R1
又はR2で示されるアルコキシカルボニル基はその炭素
数には特に限定されないが、炭素数2〜7のものが好適
に用いられ、具体的には、メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、is
o−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル
基、iso−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカル
ボニル基、n−ペントキシカルボニル基、n−ヘキソキ
シカルボニル基等が例として挙げられる。
【0014】一般式(1)中、R1又はR2で示されるア
ミノカルボニル基は窒素原子上に1つまたは2つのアル
キル基置換またはアルコキシ基置換したものを含む。該
アルキル基を例示すると、メチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、iso
−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキ
シル基等が挙げられる。また、該アルコキシ基を例示す
ると、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i
so−プロポキシ基、n−ブトキシ基等が挙げられる。
【0015】一般式(1)中、R2で示されるハロゲン
原子としては例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙
げられる。
【0016】一般式(1)中、R2で示されるアルキル
基はその炭素数には特に限定されないが、炭素数1〜6
のものが好適に使用される。該アルキル基を例示する
と、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プ
ロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、t−ブチ
ル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基等が挙げられ
る。 一般式(1)中、R2で示される置換アルキル基
又は置換フェニル基の置換基は特に限定されないが、反
応に不活性な置換基が好適である。特に好適に使用でき
る置換基としては、例えばハロゲン原子;ニトロ基;水
酸基;メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−
プロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、t−ブ
チル基等のアルキル基;クロロメチル基、ジフロロメチ
ル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、ト
リフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基等のハロ
ゲノアルキル基;フェニル基等が挙げられる。
【0017】上記のヒドロキシチオフェン金属塩誘導体
を具体的に例示すると次のとおりである。
【0018】3−ヒドロキシ−5−メチルチオフェンカ
ルボン酸メチルNa塩、3−ヒドロキシ−5−メチルチ
オフェンカルボン酸エチルNa塩、3−ヒドロキシ−5
−エチルチオフェンカルボン酸メチルNa塩、3−ヒド
ロキシ−5−エチルチオフェンカルボン酸エチルNa
塩、3−ヒドロキシ−5−nプロピルチオフェンカルボ
ン酸メチルNa塩、3−ヒドロキシ−5−nプロピルチ
オフェンカルボン酸エチルNa塩、3−ヒドロキシ−5
−isoプロピルチオフェンカルボン酸メチルNa塩、
3−ヒドロキシ−5−isoプロピルチオフェンカルボ
ン酸エチルNa塩、3−ヒドロキシ−5−nブチルチオ
フェンカルボン酸メチルNa塩、3−ヒドロキシ−5−
nブチルチオフェンカルボン酸エチルK塩、3−ヒドロ
キシ−5−isoブチルチオフェンカルボン酸メチルK
塩、3−ヒドロキシ−5−isoブチルチオフェンカル
ボン酸エチルK塩、3−ヒドロキシ−5−tertブチ
ルチオフェンカルボン酸メチルK塩、3−ヒドロキシ−
5−tertブチルチオフェンカルボン酸エチルK塩、
3−ヒドロキシ−5−フェニルチオフェンカルボン酸メ
チルK塩、3−ヒドロキシ−5−フェニルチオフェンカ
ルボン酸エチルK塩、3−ヒドロキシ−5−(3′−ク
ロロフェニル)チオフェンカルボン酸メチルNa塩、3
−ヒドロキシ−5−(2′−クロロフェニル)チオフェ
ンカルボン酸メチルNa塩、3−ヒドロキシ−5−
(4′−クロロフェニル)チオフェンカルボン酸メチル
Na塩、3−ヒドロキシ−5−(2′,4′−ジクロロ
フェニル)チオフェンカルボン酸メチルNa塩、3−ヒ
ドロキシ−5−(3′,4′−ジクロロフェニル)チオ
フェンカルボン酸メチルNa塩、3−ヒドロキシ−5−
ブロモチオフェンカルボン酸メチルNa塩、3−ヒドロ
キシ−5−クロロチオフェンカルボン酸メチルNa塩、
3−ヒドロキシ−5−(4′−トリフルオロメチルフェ
ニル)チオフェンカルボン酸メチルNa塩、3−ヒドロ
キシ−5−(4′−イソプロピルフェニル)チオフェン
カルボン酸メチルNa塩、3−ヒドロキシ−5−(4′
−メトキシフェニル)チオフェンカルボン酸メチルNa
塩、3−ヒドロキシ−5−ニトロチオフェンカルボン酸
メチルNa塩、3−ヒドロキシ−5−ニトロチオフェン
カルボン酸エチルNa塩、3−ヒドロキシ−5−ニトロ
チオフェンカルボン酸イソプロピルNa塩、3−ヒドロ
キシ−5−シアノチオフェンカルボン酸メチルNa塩、
3−ヒドロキシ−5−シアノチオフェンカルボン酸エチ
ルNa塩、3−ヒドロキシ−5−(4′−トリクロロフ
ェニル)チオフェンカルボン酸メチルNa塩、3−ヒド
ロキシ−5−(4′−トリクロロフェニル)チオフェン
カルボン酸エチルNa塩、3−ヒドロキシ−5−トリフ
ルオロメチルチオフェンカルボン酸メチルNa塩、3−
ヒドロキシ−5−ジフルオロメチルチオフェンカルボン
酸メチルK塩、3−ヒドロキシ−5−フルオロメチルチ
オフェンカルボン酸メチルK塩、3−ヒドロキシ−5−
フルオロチオフェンカルボン酸メチルK塩、3−ヒドロ
キシ−5−メチルチオフェンカルボン酸フェニルK塩、
3−ヒドロキシ−5−エチルチオフェンカルボン酸フェ
ニルK塩、3−ヒドロキシ−5−フェニルチオフェンカ
ルボン酸フェニルK塩、3−ヒドロキシ−2,5−ジチ
オフェンカルボン酸メチルK塩等。
【0019】4−ヒドロキシ−5−メトキシカルボニル
−2−チオフェンカルボキサミドNa塩、N−メチル−
4−ヒドロキシ−5−メトキシカルボニル−2−チオフ
ェンカルボキサミドNa塩、N−メトキシ−4−ヒドロ
キシ−5−メトキシカルボニル−2−チオフェンカルボ
キサミドNa塩、N−エトキシ−4−ヒドロキシ−5−
メトキシカルボニル−2−チオフェンカルボキサミドN
a塩、N−フェノキシ−4−ヒドロキシ−5−メトキシ
カルボニル−2−チオフェンカルボキサミドK塩、3−
ヒドロキシ−2,5−ジシアノチオフェンK塩、3−ヒ
ドロキシ−2−シアノ−5−チオフェンカルボン酸メチ
ルK塩、3−ヒドロキシ−2−シアノ−5−チオフェン
カルボン酸エチルK塩、3−ヒドロキシ−2−シアノ−
5−チオフェンカルボン酸iso−プロピルK塩、3−
ヒドロキシ−2−シアノ−5−チオフェンカルボン酸フ
ェニルK塩等。
【0020】本発明で用いられる原料の他の一つは、前
記した一般式(2)で表されるハロゲノ化合物である。
【0021】上記一般式(2)中、R3で示されるアル
キル基はその炭素数には特に限定されないが、炭素数1
〜6のものが好適に用いられる。該アルキル基を例示す
ると、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−
プロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、t−ブ
チル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基等が挙げられ
る。
【0022】上記一般式(2)中、R3で示されるアル
ケニル基はその炭素数には特に限定されないが、炭素数
3〜6のものが好適に用いられる。該アルケニル基を例
示すると、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、
ヘキセニル基等が挙げられる。 上記一般式(2)中、
3で示されるアルキニル基はその炭素数には特に限定
されないが、炭素数3〜6のものが好適に用いられる。
該アルキニル基を例示すると、プロピニル基、ブチニル
基、ペンチル基、ヘキシニル基等が挙げられる。
【0023】上記一般式(2)中、Xで示されるハロゲ
ン原子としては例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が
挙げられる。
【0024】前記の一般式(2)で表されるハロゲノ化
合物を例示すると次のとおりである。
【0025】塩化メチル、塩化エチル、塩化プロピル、
塩化ブチル、臭化メチル、臭化エチル、臭化プロピル、
臭化ブチル、ヨウ化メチル、ヨウ化エチル、ヨウ化プロ
ピル、ヨウ化ブチル、塩化アリル、臭化アリル、ヨウ化
アリル、塩化メタリル、塩化プロパルギル等。
【0026】本発明の反応は、通常有機溶媒中で行われ
る。この有機溶媒としては、例えばジエチルエーテル、
ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等のエーテル類
・アセトン・メチルエチルケトン等のケトン類・ジメチ
ルホルムアミド・ジメチルスルホキシドの他に、メタノ
ール、エタノール等のアルコール等が挙げられる。この
うち、アルコールを使用した場合、アルコール溶媒中に
おけるチオグリコール酸誘導体の環化反応によって得ら
れるヒドロキシチオフェン金属塩誘導体及びアルコール
が含まれてなる液をそのまま原料として使用でき、環化
反応からのチエニルエーテル誘導体の製造を速やかに行
うことができるという点で有利である。又、前記の有機
溶媒は、通常ヒドロキシチオフェン金属塩誘導体を基準
に1〜100倍(容量比)使用する。
【0027】本発明において、原料のヒドロキシチオフ
ェン金属塩誘導体とハロゲノ化合物の使用モル比は、特
に限定されるものではないが、一般には1:1〜1:1
00、好ましくは1:1〜1:20の範囲で使用するの
がよい。
【0028】本発明において、反応温度は特に限定され
ず、広い温度範囲で選びうるが、一般には−70℃〜2
00℃の範囲、好ましくは−10℃〜150℃の範囲か
ら選ぶのがよい。また、本発明の反応時間は特に限定さ
れず、使用原料及び使用量、反応温度等の反応条件等に
より異なるが、通常1〜40時間、好ましくは4〜24
時間である。
【0029】本発明の製造方法において、使用する原料
等の添加順序について特に限定されるものではないが、
通常、ヒドロキシチオフェン金属塩誘導体を有機溶媒に
配合した後、撹拌しながらハロゲノ化合物を徐々に滴下
或いは吹き込むことによってチエニルエーテル誘導体を
生成することができる。
【0030】本発明の方法により得られるチエニルエー
テル誘導体は、精製することも差し支えない。その精製
方法は、特に限定されるものではないが、一般に、該チ
エニルエーテル誘導体が含まれてなる液を濃縮後、得ら
れた濃縮物に水を加え、反応生成物である該チエニルエ
ーテル誘導体を溶解させる溶剤によって抽出し、水層と
分離し、次いで溶剤を蒸留等により除去することによ
り、チエニルエーテル誘導体を精製することができる。
更に、必要に応じて常圧蒸留、減圧蒸留、再結晶または
クロマトグラフィー等によって精製することができる。
【0031】本発明の製造方法により得られるチエニル
エーテル誘導体は、一般式(3)で表されるものであ
り、具体的に例示すると下記の通りである。
【0032】3−メトキシ−5−メチルチオフェンカル
ボン酸メチル、3−エトキシ−5−メチルチオフェンカ
ルボン酸エチル、3−メトキシ−5−エチルチオフェン
カルボン酸メチル、3−isoプロポキシ−5−エチル
チオフェンカルボン酸エチル、3−メトキシ−5−nプ
ロピルチオフェンカルボン酸メチル、3−メトキシ−5
−nプロピルチオフェンカルボン酸エチル、3−エトキ
シ−5−isoプロピルチオフェンカルボン酸メチル、
3−メトキシ−5−isoプロピルチオフェンカルボン
酸エチル、3−isoプロポキシ−5−nブチルチオフ
ェンカルボン酸メチル、3−メトキシ−5−nブチルチ
オフェンカルボン酸エチル、3−メトキシ−5−iso
ブチルチオフェンカルボン酸メチル、3−メトキシ−5
−isoブチルチオフェンカルボン酸エチル、3−エト
キシ−5−tertブチルチオフェンカルボン酸メチ
ル、3−エトキシ−5−tertブチルチオフェンカル
ボン酸エチル、3−メトキシ−5−フェニルチオフェン
カルボン酸メチル、3−エトキシ−5−フェニルチオフ
ェンカルボン酸エチル、3−メトキシ−5−(3′−ク
ロロフェニル)チオフェンカルボン酸メチル、3−メト
キシ−5−(2′−クロロフェニル)チオフェンカルボ
ン酸メチル、3−メトキシ−5−(4′−クロロフェニ
ル)チオフェンカルボン酸メチル、3−メトキシ−5−
(2′,4′−ジクロロフェニル)チオフェンカルボン
酸メチル、3−メトキシ−5−(3′,4′−ジクロロ
フェニル)チオフェンカルボン酸メチル、3−エトキシ
−5−ブロモチオフェンカルボン酸メチル、3−メトキ
シ−5−クロロチオフェンカルボン酸メチル、3−nプ
ロポキシ−5−(4′−トリフルオロメチルフェニル)
チオフェンカルボン酸メチル、3−メトキシ−5−
(4′−イソプロピルフェニル)チオフェンカルボン酸
メチル、3−メトキシ−5−(4′−メトキシフェニ
ル)チオフェンカルボン酸メチル、3−エトキシ−5−
ニトロチオフェンカルボン酸メチル、3−メトキシ−5
−ニトロチオフェンカルボン酸エチル、3−メトキシ−
5−ニトロチオフェンカルボン酸イソプロピル、3−メ
トキシ−5−シアノチオフェンカルボン酸メチル、3−
エトキシ−5−シアノチオフェンカルボン酸エチル、3
−エトキシ−5−(4′−トリクロロフェニル)チオフ
ェンカルボン酸メチル、3−メトキシ−5−(4′−ト
リクロロフェニル)チオフェンカルボン酸エチル、3−
メトキシ−5−トリフルオロメチルチオフェンカルボン
酸メチル、3−メトキシ−5−ジフルオロメチルチオフ
ェンカルボン酸メチル、3−メトキシ−5−フルオロメ
チルチオフェンカルボン酸メチル、3−エトロキシ−5
−フルオロチオフェンカルボン酸メチル、3−メトキシ
−5−メチルチオフェンカルボン酸フェニル、3−メト
キシ−5−エチルチオフェンカルボン酸フェニル、3−
メトキシ−5−フェニルチオフェンカルボン酸フェニ
ル、4−メトキシ−5−メトキシカルボニル−2−チオ
フェンカルボキサミド、N−メチル−4−メトキシ−5
−メトキシカルボニル−2−チオフェンカルボキサミ
ド、N−メトキシ−4−エトキシ−5−メトキシカルボ
ニル−2−チオフェンカルボキサミド、N−エトキシ−
4−メトキシ−5−メトキシカルボニル−2−チオフェ
ンカルボキサミド、N−フェノキシ−4−メトキシ−5
−メトキシカルボニル−2−チオフェンカルボキサミ
ド、4−メトキシ−2,5−ジシアノチオフェン、4−
エトキシ−2−シアノ−5−チオフェンカルボン酸メチ
ル、4−エトキシ−2−シアノ−5−チオフェンカルボ
ン酸エチル、4−エトキシ−2−シアノ−5−チオフェ
ンカルボン酸iso−プロピル、4−メトキシ−2−シ
アノ−5−チオフェンカルボン酸フェニル等。
【0033】本発明の製造方法により得られるチエニル
エーテル誘導体は、1H−NMR分析によるδ値、即ち
アルコキシ基プロトンに起因するδ値が1.5〜2.5
ppm及び3.2〜5.0ppm付近に、チオフェン環
プロトンに起因するδ値が6.5〜8.5ppm付近
に、及び各種の置換基プロトンに起因する特定のδ値が
それぞれ観察され、その結果により構造を確認できる
が、その他元素分析、IR分析等により構造を確認する
こともできる。
【0034】
【発明の効果】本発明の製造方法は、高収率でチエニル
エーテル誘導体を得ることができるものである。特に、
アルコール系の有機溶媒中でも高収率でチエニルエーテ
ル誘導体を得ることが可能である。
【0035】
【実施例】本発明をさらに具体的に説明するため、以下
に実施例及び比較例を示すが、本発明はこれらの実施例
に限定されるものではない。
【0036】実施例1 1Lのオートクレーブに3−ヒドロキシ−2−チオフェ
ンカルボン酸メチルのナトリウム塩27g(0.15m
ol)とメタノール200mlを入れ、塩化メチル6
1.64g(1.22mol)を加えた後、80℃で13
時間反応させた。この時、ゲージ圧は、7.3から6.
0kg/cm2に変化した。
【0037】反応終了後、反応液を濃縮した。水100
mlと塩化メチレン100mlを加え、塩化メチレン層
を水層から分離し、次いで塩化メチレンを留去すること
により、淡黄色固体である3−メトキシ−2−チオフェ
ンカルボン酸メチルをほぼ定量的に得た。
【0038】実施例2 撹拌機を備えた200mlの三ツ口フラスコに5−フェ
ニル−3−ヒドロキシ−2−チオフェンカルボン酸メチ
ルのカリウム塩40.8g(0.15mol)とメタノ
ール200mlを入れ、塩化メチル61.64g(1.2
2mol)を加え、80℃で10時間反応させた。この
時、ゲージ圧は、7.4から6.0kg/cm2に変化
した。
【0039】反応終了後、反応液を濃縮した。水100
mlと塩化メチレン100mlを加え、塩化メチレン層
を水層から分離し、次いで塩化メチレンを留去すること
により、淡黄色固体である5−フェニル−3−メトキシ
−2−チオフェンカルボン酸メチルをほぼ定量的に得
た。
【0040】実施例3 撹拌機を備えた200mlの三ツ口フラスコに5−エト
キシカルボニル−3−ヒドロキシ−2−チオフェンカル
ボン酸エチルのナトリウム塩39.9g(0.15mo
l)とエタノール200ml溶液を入れ、塩化メチル6
1.64g(1.22mol)を加え、80℃で11時間
反応させた。この時、ゲージ圧は、6.4から5.0k
g/cm2に変化した。
【0041】反応終了後、反応液を濃縮した。水100
mlと塩化メチレン100mlを加え、塩化メチレン層
を水層から分離し、次いで塩化メチレンを留去すること
により、淡黄色固体である5−フェニル−3−エトキシ
−2−チオフェンカルボン酸メチルをほぼ定量的に得
た。
【0042】実施例4 ヒドロキシチオフェン金属塩誘導体、ハロゲノ化合物及
び有機溶媒のそれぞれ種類、反応温度及び反応時間を変
えた以外は、実施例1と同様にしてチエニルエーテル誘
導体を製造した。ヒドロキシチオフェン金属塩誘導体と
しては前記一般式(1)で示され、かつA,R1及びR2
が表A−1〜7に示す通りのもの、ハロゲノ化合物とし
ては前記一般式(2)で示され、かつR3及びXが表A
1〜7に示す通りのものをそれぞれ使用した。また、反
応温度及び反応時間は、表A−1〜7に示す通りとし
た。
【0043】得られたチエニルエーテル誘導体は、一般
式(3)で示され、かつR1,R2及びR3が表A−1〜
7に示す通りのものであった。また、収率は、表A−1
〜7に示す通りであった。
【0044】
【表1】
【0045】
【表2】
【0046】
【表3】
【0047】
【表4】
【0048】
【表5】
【0049】
【表6】
【0050】
【表7】

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(1) 【化1】 (式中、Aはアルカリ金属原子を示し、R1はシアノ
    基、アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基
    又はアミノカルボニル基を示し、R2は水素原子、ハロ
    ゲン原子、置換もしくは非置換のアルキル基、置換もし
    くは非置換のフェニル基、ニトロ基、シアノ基、アルコ
    キシカルボニル基、フェノキシカルボニル基又はアミノ
    カルボニル基を示す。)で表されるヒドロキシチオフェ
    ン金属塩誘導体と一般式(2) R3X (2) (式中、Xはハロゲン原子を示し、R3はアルキル基、
    アルケニル基又はアルキニル基を示す。)で表されるハ
    ロゲノ化合物とを反応させることを特徴とする一般式
    (3) 【化2】 (式中、R1及びR2は前記一般式(1)におけるR1
    びR2とそれぞれ同一であり、及びR3は前記一般式
    (2)におけるR3と同一である。)で表されるチエニ
    ルエーテル誘導体の製造方法。
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