JPH0656371B2 - Gas detector - Google Patents

Gas detector

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JPH0656371B2
JPH0656371B2 JP25754987A JP25754987A JPH0656371B2 JP H0656371 B2 JPH0656371 B2 JP H0656371B2 JP 25754987 A JP25754987 A JP 25754987A JP 25754987 A JP25754987 A JP 25754987A JP H0656371 B2 JPH0656371 B2 JP H0656371B2
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heating resistor
gas
gas sensor
tin oxide
sensor
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博 酒井
眞一 小知和
一成 窪田
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は酸化すず系半導体をガス感応体とするガスセ
ンサ、特にそのガスセンサを加熱するための装置に関す
る。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a gas sensor using a tin oxide semiconductor as a gas sensor, and more particularly to a device for heating the gas sensor.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

酸化すず系半導体をガス感応体とする従来のガスセンサ
を第11図に示し、このガスセンサはアルミナ製のセンサ
基板11の一方の面に電極12,13を跨いでガス感応体とし
ての酸化すず半導体14が設けられ、センサ基板11の他方
の面には第12図に示すように白金厚膜ヒータ17が設けら
れている。この白金厚膜ヒータ17はこのようなガスセン
サを一般家庭用ガス漏れ警報器に用いる場合、被検ガス
としてのイソブタン,メタンおよび水素をガス感応体に
より検知しガス漏れ警報器として必要な出力を得るため
に常時350℃〜450℃に加熱しておくためのものである。
15,16,18,19はそれぞれリード線である。
A conventional gas sensor using a tin oxide semiconductor as a gas sensitive body is shown in FIG. 11, and this gas sensor has a tin oxide semiconductor 14 as a gas sensitive body on one surface of a sensor substrate 11 made of alumina across electrodes 12, 13. And a platinum thick film heater 17 is provided on the other surface of the sensor substrate 11 as shown in FIG. When such a gas sensor is used for a general household gas leak alarm, the platinum thick film heater 17 detects isobutane, methane and hydrogen as test gases by a gas sensor and obtains an output required as a gas leak alarm. Therefore, it is for always heating at 350 ℃ ~ 450 ℃.
Reference numerals 15, 16, 18, and 19 are lead wires.

前記白金厚膜ヒータ17を350℃〜450℃に加熱するために
ヒータに印加される電圧は数V(ボルト)から十数Vで
あり、ガス漏れ警報器の電源として一般家庭用電源であ
る交流100Vを用いる場合には第13図に示すように降圧
用変圧器を用いる。第13図において、1は商用交流電
源、2はガスセンサ、3は降圧用変圧器、4は分圧抵抗
器、5は警報ブザー等を作動させるために必要な出力V
を得るための負荷抵抗器である。降圧用変圧器3の二
次出力はガスセンサ2のリード線18,19を介して第3図
に示すようなステム32,33に接続され、ガスセンサ2、
ガス感応体はリード線15,16およびステム34,35を介して
交流電源1に接続されている。
The voltage applied to the heater for heating the platinum thick film heater 17 to 350 ° C. to 450 ° C. is several V (volts) to several tens of V, and AC which is a general household power source as a power source of the gas leak alarm device. When using 100V, a step-down transformer is used as shown in FIG. In FIG. 13, 1 is a commercial AC power source, 2 is a gas sensor, 3 is a step-down transformer, 4 is a voltage dividing resistor, and 5 is an output V necessary for operating an alarm buzzer or the like.
It is a load resistor to obtain 0 . The secondary output of the step-down transformer 3 is connected to the stems 32 and 33 as shown in FIG. 3 via the lead wires 18 and 19 of the gas sensor 2,
The gas sensitive body is connected to the AC power source 1 via the lead wires 15 and 16 and the stems 34 and 35.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

酸化すず系半導体をガス感応体とし、このガス感応体を
加熱する発熱抵抗体として白金厚膜ヒータを用いるガス
センサを一般家庭用ガス漏れ警報器に用いる場合には商
用交流電源を降圧する変圧器を必要とし、ガス漏れ警報
器の小形化,軽量化,低価格化をはかることができない
という欠点を有する。このため降圧用変圧器を用いるこ
となく交流100Vを直接印加できる発熱抵抗体材料とし
て酸化ルテニウム(RuO2)を主成分とする発熱抵抗体が
注目されている。しかしながら、この酸化ルテニウム系
発熱抵抗体は酸化すず系半導体をガス感応体とするガス
センサから必要な出力を得るために350℃〜450℃のよう
な高温で長期間使用した場合、酸化ルテニウムの蒸発等
によりその電気抵抗が増大して発熱体としての性能が劣
化する欠点を有する。
When a tin oxide semiconductor is used as a gas sensor and a gas sensor that uses a platinum thick film heater as a heating resistor for heating the gas sensor is used for a general household gas leak alarm, a transformer that steps down the commercial AC power supply is used. It is necessary and has a drawback that the gas leak alarm cannot be downsized, lightened and priced. Therefore, a heating resistor mainly containing ruthenium oxide (RuO 2 ) is drawing attention as a heating resistor material that can directly apply 100 V AC without using a step-down transformer. However, when this ruthenium oxide heating resistor is used at a high temperature such as 350 ° C to 450 ° C for a long time in order to obtain the required output from a gas sensor that uses a tin oxide semiconductor as a gas sensor, evaporation of ruthenium oxide, etc. Therefore, there is a drawback that the electric resistance increases and the performance as a heating element deteriorates.

そこで本発明の目的は上述した従来装置の欠点を除去
し、降圧用変圧器を用いることなく商用電源を直接利用
することができかつ長期間使用することができるガス検
出装置を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks of the conventional device, and to provide a gas detection device which can directly use a commercial power supply without using a step-down transformer and can be used for a long period of time. .

〔問題点を解決する手段〕[Means for solving problems]

この目的は本発明によれば、センサ基板の一方の面に酸
化すず系半導体からなるガス感応体を有し、前記センサ
基板の他方の面に発熱抵抗体を有するガス検出装置にお
いて、前記発熱抵抗体を、常時所定の温度に加熱される
第1の発熱抵抗体と被検ガスに反応して前記所定の温度
よりも高温に加熱される第2の発熱抵抗体とにより構成
し、前記第1の発熱抵抗体を酸化ルテニウムを主成分と
する発熱抵抗体とすることによって達成される。
According to the present invention, according to the present invention, in a gas detection device having a gas sensitive body made of tin oxide semiconductor on one surface of a sensor substrate and a heating resistor on the other surface of the sensor substrate, The body is composed of a first exothermic resistor which is constantly heated to a predetermined temperature and a second exothermic resistor which is heated to a temperature higher than the predetermined temperature in response to a test gas. This is achieved by using a heating resistor of (1) as a heating resistor containing ruthenium oxide as a main component.

〔作用〕[Action]

第1の発熱抵抗体として酸化ルテニウムを主成分とする
発熱抵抗体を用い、第2の発熱抵抗体として酸化すずを
主成分とする発熱抵抗体を用いることにより、第1の発
熱抵抗体により常時は所定の温度で加熱し、被検ガスの
雰囲気中では被検ガスと反応して発熱抵抗体となる第2
の発熱抵抗体によりガス感応体の温度を高めてその出力
を増大させることにより、高温では劣化しやすい酸化ル
テニウムを発熱抵抗体材料として長期間使用することが
できる。
By using a heating resistor containing ruthenium oxide as a main component as the first heating resistor and using a heating resistor containing tin oxide as a main component as the second heating resistor, the first heating resistor is always provided. Is heated at a predetermined temperature and reacts with the test gas in the atmosphere of the test gas to become a heating resistor.
By raising the temperature of the gas sensitive body and increasing its output by the heating resistor of (1), ruthenium oxide, which easily deteriorates at high temperature, can be used for a long time as the heating resistor material.

〔実施例〕 第1図ないし第3図はそれぞれ本発明の一実施例を示
し、第1図ないし第3図において第11図ないし第12図に
示すものと同一のものには同一の符号を付して説明を省
略する。
[Embodiment] FIGS. 1 to 3 show an embodiment of the present invention, respectively. In FIGS. 1 to 3, the same parts as those shown in FIGS. 11 to 12 are designated by the same reference numerals. The description is omitted.

第1図において従来装置と異なる点はセンサ基板11の他
方の面に、電極21,22を跨いで第1の発熱抵抗体として
の酸化ルテニウム(RuO2)を主成分とする発熱抵抗体23
と、第2の発熱抵抗体としての酸化すずを主成分とする
発熱抵抗体24を並置し、電極21,22にそれぞれリード線2
5,26を設けたものである。
1 is different from the conventional device in that the heating resistor 23 mainly composed of ruthenium oxide (RuO 2 ) as the first heating resistor across the electrodes 21 and 22 is provided on the other surface of the sensor substrate 23.
And a heating resistor 24 containing tin oxide as a main component as a second heating resistor are juxtaposed, and the lead wires 2 are respectively connected to the electrodes 21 and 22.
5,26 are provided.

この実施例におけるセンサ基板11の一方の面に設ける酸
化すず半導体14からなるガス感応部とセンサ基板11の他
方の面に設ける発熱抵抗体23,24はスクリーン印刷法に
より次のようにして製造される。まずアルミナ製のセン
サ基板11にそれぞれの電極12,13,21,22を形成するため
にセンサ基板11に白金ペーストを塗布して焼成する。次
に酸化ルテニウム系ペーストを電極21,22間に所定の形
状に塗布し空気中において850℃で30分間焼成して酸化
ルテニウム系発熱抵抗体を得る。この酸化ルテニウム系
発熱抵抗体はレーザトリミング法により所定の抵抗値に
調整する。この酸化ルテニウム系発熱抵抗体の上にガラ
ス系ペーストを塗布して空気中で15分間焼成し絶縁層を
形成する。ガス感応体と第2の発熱抵抗体としての酸化
すず半導体は、金属すずを硝酸で酸化することにより得
た酸化すず粉末にバインダーを混合してペースト状に
し、これを所定の形状に塗布して800℃で30分間焼成し
たのち塩化パラジウム水溶液を含浸させ空気中において
600℃で3時間処理してガス感応体と発熱抵抗体を得
る。
In this embodiment, the gas sensitive part made of tin oxide semiconductor 14 provided on one surface of the sensor substrate 11 and the heating resistors 23, 24 provided on the other surface of the sensor substrate 11 are manufactured by the screen printing method as follows. It First, in order to form the electrodes 12, 13, 21, 22 on the sensor substrate 11 made of alumina, platinum paste is applied to the sensor substrate 11 and baked. Next, a ruthenium oxide-based paste is applied in a predetermined shape between the electrodes 21 and 22 and baked in air at 850 ° C. for 30 minutes to obtain a ruthenium oxide-based heating resistor. This ruthenium oxide-based heating resistor is adjusted to a predetermined resistance value by the laser trimming method. A glass-based paste is applied onto the ruthenium oxide-based heating resistor and baked in air for 15 minutes to form an insulating layer. The gas sensitizer and the tin oxide semiconductor as the second heating resistor are formed by mixing the tin oxide powder obtained by oxidizing metal tin with nitric acid with a binder to form a paste, which is applied in a predetermined shape. After baking at 800 ℃ for 30 minutes, impregnate with an aqueous solution of palladium chloride
Gas treatment and heating resistor are obtained by treating at 600 ° C for 3 hours.

このようにガス感応体と発熱抵抗体23,24とを形成した
センサ素子は第3図に示すように、センサ基板11上に形
成された各電極12,13,21,22にそれぞれリード線15,16,2
5,26をボンディングし、これらのリード線15,16,25,26
をベース31に植設したステム32〜35に接続し、そしてベ
ース31に不図示のステンレス製金網を被せることにより
ガスセンサ20が構成される。
As shown in FIG. 3, the sensor element in which the gas sensitive body and the heating resistors 23 and 24 are formed as described above is connected to the electrodes 12, 13, 21, and 22 formed on the sensor substrate 11 with the lead wires 15 respectively. , 16,2
Bond 5,26 and these lead wires 15,16,25,26
Is connected to the stems 32 to 35 which are planted in the base 31, and the base 31 is covered with a stainless steel wire mesh (not shown) to form the gas sensor 20.

第3図のように組立てられたガスセンサ20は第4図に示
すように商用交流電源1に接続されてガス漏れ警報器と
して使用される。第4図において第13図に示した従来装
置と同一のものには同一の符号を付して説明を省略す
る。第4図において、1で再び商用交流電源を示し、ガ
スセンサ20の酸化ルテニウムを主成分とする第1の発熱
抵抗体および酸化すずを主成分とする第2の発熱抵抗体
が接続されるステム32,33が直接商用交流電源1に接続
されている。第4図に示す基本電気回路において、酸化
ルテニウムを主成分とする第1の発熱抵抗体の抵抗値は
28KΩになるようにトリミングされ、商用交流電源1は1
00V、負荷抵抗器5の抵抗値は8KΩ、分圧抵抗器4の抵
抗値は64KΩとして、その出力特性を通常のガス注入法
により実験した結果を第7図に示す。第7図において縦
軸は出力電圧(V)、横軸は被検ガスとしてのイソブタ
ン濃度(%)を示す。前記実験において、ガスセンサ20
は清浄空気中では酸化ルテニウムを主成分とする第1の
発熱抵抗体により300℃に加熱されていたが、0.2%のイ
ソブタン中では酸化すずを主成分とする第2の発熱抵抗
体の抵抗値が小さくなってヒータとして作用しガスセン
サ20は450℃に加熱されていた。第8図に比較例として
従来の白金厚膜ヒータを用いたガスセンサによる出力特
性図を示すように、この実施例によるガスセンサ20は従
来装置と同一の出力特性が得られる。第9図には他の比
較例として発熱抵抗体として酸化ルテニウムを主成分と
する発熱抵抗体のみを用いた場合の出力特性図を示し、
(イ)に示すような出力特性を得るためには発熱抵抗体の
電力を大きくしてガスセンサの温度を450℃に維持して
おかねばならずこの場合には酸化ルテニウムの熱的劣化
が促進される。(ロ)に示す出力特性は酸化ルテニウムの
熱的劣化が生じないガスセンサを300℃に加熱して維持
しておいた場合であり、この場合には十分な出力特性が
得られない。
The gas sensor 20 assembled as shown in FIG. 3 is connected to the commercial AC power source 1 as shown in FIG. 4 and used as a gas leak alarm. In FIG. 4, the same parts as those of the conventional device shown in FIG. 13 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. In FIG. 4, reference numeral 1 indicates a commercial AC power source again, and a stem 32 to which the first heating resistor whose main component is ruthenium oxide and the second heating resistor whose main component is tin oxide of the gas sensor 20 are connected. , 33 are directly connected to the commercial AC power supply 1. In the basic electric circuit shown in FIG. 4, the resistance value of the first heating resistor whose main component is ruthenium oxide is
Trimmed to 28KΩ, commercial AC power supply 1 is 1
FIG. 7 shows the results of an experiment in which the output characteristics of the load resistor 5 were 00 V, the resistance value of the load resistor 5 was 8 KΩ, and the resistance value of the voltage dividing resistor 4 was 64 KΩ by an ordinary gas injection method. In FIG. 7, the vertical axis represents the output voltage (V), and the horizontal axis represents the isobutane concentration (%) as the test gas. In the above experiment, the gas sensor 20
Was heated to 300 ° C by the first heating resistor mainly composed of ruthenium oxide in clean air, but the resistance value of the second heating resistor mainly composed of tin oxide was 0.2% in isobutane. Became smaller and acted as a heater, and the gas sensor 20 was heated to 450 ° C. As shown in FIG. 8 as a comparative example, an output characteristic diagram of a gas sensor using a conventional platinum thick film heater, the gas sensor 20 according to this embodiment can obtain the same output characteristic as the conventional device. As another comparative example, FIG. 9 shows an output characteristic diagram in the case where only a heating resistor containing ruthenium oxide as a main component is used as the heating resistor.
In order to obtain the output characteristics shown in (a), it is necessary to increase the electric power of the heating resistor and maintain the temperature of the gas sensor at 450 ° C. In this case, thermal degradation of ruthenium oxide is promoted. It The output characteristic shown in (b) is the case where the gas sensor that does not cause the thermal deterioration of ruthenium oxide is heated to and maintained at 300 ° C. In this case, sufficient output characteristics cannot be obtained.

第10図はガスセンサにおける0.2%濃度のイソブタンに
対する出力の経時安定性を示したものであり、縦軸は出
力電圧、横軸は通電時間(日)である。第10図におい
て、(ハ)は本発明によるガスセンサ、(ニ)(ホ)は比較例と
して酸化ルテニウムを主成分とする発熱抵抗体のみを用
い(ニ)は450℃に加熱維持し、(ホ)は300℃に加熱維持して
おいたものである。この図から明らかなように本発明に
よるガスセンサは長期間安定した出力特性を維持するこ
とができる。
FIG. 10 shows the temporal stability of the output with respect to 0.2% isobutane in the gas sensor, where the vertical axis is the output voltage and the horizontal axis is the energization time (days). In FIG. 10, (C) is a gas sensor according to the present invention, (D) (E) is a comparative example, and only a heating resistor containing ruthenium oxide as a main component is used, and (D) is heated and maintained at 450 ° C. ) Is heated and maintained at 300 ° C. As is clear from this figure, the gas sensor according to the present invention can maintain stable output characteristics for a long period of time.

第5図および第6図は本発明の他の実施例を示し、第1
図および第2図に示す実施例と異なる点は、第1の発熱
抵抗体23に重ねて第2の発熱抵抗体24を設けた点であ
る。勿論第1の発熱抵抗体23と第2の発熱抵抗体24との
間は絶縁されており、酸化すずを主成分とする第2の発
熱抵抗体24は被検ガスに反応し易くするために第1の発
熱抵抗体23の上部に設けられている。この実施例におい
ても第1図および第2図に示す実施例と同様に十分な出
力特性と経時安定性を有する。
5 and 6 show another embodiment of the present invention.
The difference from the embodiment shown in the drawings and FIG. 2 is that the second heating resistor 24 is provided so as to overlap the first heating resistor 23. Of course, the first heating resistor 23 and the second heating resistor 24 are insulated from each other, and the second heating resistor 24 containing tin oxide as a main component is made to easily react with the test gas. It is provided above the first heating resistor 23. Also in this embodiment, sufficient output characteristics and stability with time are provided as in the embodiment shown in FIGS.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上に説明したように本発明によれば、センサ基板の一
方の面に酸化すず系半導体からなるガス感応体を有し、
前記センサ基板の他方の面に発熱抵抗体を有するガス検
出装置において、前記発熱抵抗体を、常時所定温度に加
熱される第1の発熱抵抗体と被検ガスに反応して前記所
定温度よりも高温に加熱される第2の発熱抵抗体とによ
り構成し、前記第1の発熱抵抗体を酸化ルテニウムを主
成分とする発熱抵抗体とすることにより、一般家庭用商
用電源を用いてその電源電圧を直接ガスセンサに印加し
て加熱することができ、そしてガスセンサから所要の出
力を得ることができるとともに長期に安定したガスセン
サを提供することができる。
As described above, according to the present invention, the sensor substrate has a gas sensitive body made of a tin oxide semiconductor on one surface thereof,
In a gas detection device having a heating resistor on the other surface of the sensor substrate, the heating resistor reacts with a first heating resistor that is constantly heated to a predetermined temperature and a test gas, and is higher than the predetermined temperature. A second heating resistor that is heated to a high temperature, and the first heating resistor is a heating resistor containing ruthenium oxide as a main component, so that the commercial power supply for household use Can be directly applied to the gas sensor for heating, and a required output can be obtained from the gas sensor, and a gas sensor that is stable for a long period of time can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図ないし第4図はそれぞれ本発明の一実施例を示
し、第1図はセンサ素子の要部断面図、第2図は第1図
のQ矢印方向からみた表面図、第3図はガスセンサの組
立図、第4図はガス漏れ警報器の基本電気回路図、第5
図および第6図は本発明の異なる実施例の要部断面図お
よび要部表面図、第7図ないし第9図はそれぞれガスセ
ンサの出力特性を表わす出力特性図、第10図はガスセン
サの経時的出力特性を表わす特性図である。第11図ない
し第13図はそれぞれ従来装置を示し、第11図および第12
図はそれぞれガス感応部およびヒータを示す表面図、第
13図は基本電気回路図である。 11:センサ基板、14:ガス感応体、23:酸化ルテニウム
を主成分とする第1の発熱抵抗体、24:酸化すずを主成
分とする第2の発熱抵抗体。
1 to 4 each show an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a cross-sectional view of an essential part of a sensor element, FIG. 2 is a surface view as seen from the direction of arrow Q in FIG. 1, and FIG. Assembly drawing of the gas sensor, Fig. 4 is the basic electric circuit diagram of the gas leak alarm,
FIG. 6 and FIG. 6 are cross-sectional views and a surface view of a main part of a different embodiment of the present invention, FIGS. 7 to 9 are output characteristic diagrams showing the output characteristics of the gas sensor, and FIG. It is a characteristic view showing an output characteristic. 11 to 13 show a conventional device, respectively, and FIGS.
The figures show the front view of the gas sensitive part and the heater, respectively.
Figure 13 is a basic electric circuit diagram. 11: sensor substrate, 14: gas sensitive body, 23: first heating resistor containing ruthenium oxide as a main component, 24: second heating resistor containing tin oxide as a main component.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 窪田 一成 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−158549(JP,A) 特開 昭59−184849(JP,A) 実開 昭56−65451(JP,U) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Issei Kubota 1-1 Tanabe Nitta, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Fuji Electric Co., Ltd. (56) Reference JP-A-58-158549 (JP, A) Open Sho 59-184849 (JP, A) Actual Open Sho 56-65451 (JP, U)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】センサ基板の一方の面に酸化すず系半導体
からなるガス感応体を有し、前記センサ基板の他方の面
に発熱抵抗体を有するガス検出素子において、前記発熱
抵抗体は、常時所定温度に加熱される第1の発熱抵抗体
と被検ガスに反応して前記所定温度よりも高温に加熱さ
れる第2の発熱抵抗体とからなり、かつ前記第1の発熱
抵抗体は酸化ルテニウムを主成分とする発熱抵抗体であ
ることを特徴とするガス検出装置。
1. A gas detection element having a gas sensitive body made of tin oxide semiconductor on one surface of a sensor substrate and a heating resistor on the other surface of the sensor substrate, wherein the heating resistor is always It comprises a first heating resistor which is heated to a predetermined temperature and a second heating resistor which is heated to a temperature higher than the predetermined temperature in response to a gas to be detected, and the first heating resistor is oxidized. A gas detection device, which is a heating resistor containing ruthenium as a main component.
【請求項2】特許請求の範囲第1項記載のガス検出装置
において、第2の発熱抵抗体が酸化すずを主成分とする
発熱抵抗体であることを特徴とするガス検出装置。
2. The gas detection device according to claim 1, wherein the second heating resistor is a heating resistor whose main component is tin oxide.
JP25754987A 1987-10-13 1987-10-13 Gas detector Expired - Lifetime JPH0656371B2 (en)

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