JPH0545322A - Gas detecting apparatus - Google Patents

Gas detecting apparatus

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JPH0545322A
JPH0545322A JP19966491A JP19966491A JPH0545322A JP H0545322 A JPH0545322 A JP H0545322A JP 19966491 A JP19966491 A JP 19966491A JP 19966491 A JP19966491 A JP 19966491A JP H0545322 A JPH0545322 A JP H0545322A
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JP
Japan
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heater
gas
gas sensor
metal oxide
oxide semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP19966491A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazunari Kubota
一成 窪田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a gas detecting apparatus having excellent reliability without resistance change in heater by preventing the increase in temperature of the gas detecting apparatus in gas to be detected. CONSTITUTION:An alumina substrate 4, a metal oxide semiconductor 3, a heater 2 and a PTC thermistor 6 are provided. The metal oxide semiconductor 3 and the heater 2 are formed on the substrate 4 and constituted as a gas sensor. The PTC thermistor 6 is connected to the heater 2 in series and provided at the close proximity to the metal oxide semiconductor 3.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明はガス検出装置の温度制
御に係り特に可燃性ガス検出時のガスセンサの温度上昇
を防止して信頼性に優れるガスセンサの構成に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to temperature control of a gas detection device, and more particularly to a structure of a gas sensor which prevents temperature rise of a gas sensor when detecting a combustible gas and is excellent in reliability.

【0002】[0002]

【従来の技術】金属酸化物半導体は空気中では酸素を吸
着して高抵抗化するが可燃性ガス中では可燃性ガスを吸
着して低抵抗化する。ガス検出装置においてはガス反応
の応答性を高め且つ被検ガスの選択性を高めるためにガ
スセンサは300℃乃至400℃に加熱して使用され
る。
2. Description of the Related Art A metal oxide semiconductor adsorbs oxygen in air to increase its resistance, but adsorbs flammable gas in combustible gas to reduce its resistance. In the gas detection device, the gas sensor is heated to 300 ° C. to 400 ° C. and used in order to enhance the response of the gas reaction and the selectivity of the test gas.

【0003】加熱手段としては白金または酸化ルテニウ
ムが用いられるが最近は量産性に優れる酸化ルテニウム
が多用される傾向にある。図7は従来の一般家庭用ガス
漏れ警報器を示す電気回路図である。ヒータ2には酸化
ルテニウムが用いられ、AC100Vが印加される。ヒ
ータの電気抵抗は20KΩであり0.5Wが消費されガ
スセンサの感応体を380℃に加熱保持することができ
る。感応体である金属酸化物半導体3は負荷抵抗5と直
列に接続されAC100Vが印加される。ヒータ2と金
属酸化物半導体3は基板4の上に厚膜状に形成される。
負荷抵抗5の出力は増幅回路7で増幅されサイリスタ8
を介してブザー9を鳴らす。空気中ではガスセンサの感
応体の温度はヒータの発熱により前述のように300℃
乃至400℃であるが被検ガス中では感応体の発熱によ
り500℃乃至600℃になる。
Platinum or ruthenium oxide is used as the heating means, but recently ruthenium oxide, which is excellent in mass productivity, is often used. FIG. 7 is an electric circuit diagram showing a conventional general household gas leak alarm. Ruthenium oxide is used for the heater 2, and AC 100V is applied. The electric resistance of the heater is 20 KΩ, 0.5 W is consumed, and the sensitive body of the gas sensor can be heated and maintained at 380 ° C. The metal oxide semiconductor 3, which is a sensitive body, is connected in series with the load resistor 5 and AC 100V is applied. The heater 2 and the metal oxide semiconductor 3 are formed as a thick film on the substrate 4.
The output of the load resistor 5 is amplified by the amplifier circuit 7 and the thyristor 8
Buzzer 9 sounds via. In air, the temperature of the sensor of the gas sensor is 300 ° C as described above due to the heat generated by the heater.
Although the temperature is from 400 to 400 ° C., it is 500 to 600 ° C. in the test gas due to the heat generation of the sensitive body.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】一般家庭用ガス漏れ警
報器が被検ガス中におかれる機会は非常に少ないと考え
られる。しかしながらガスセンサの感応体が500℃乃
至600℃の高温度に加熱されることは好ましいことで
はない。ヒータの断線あるいは金属酸化物半導体の抵抗
変化に繋がるからである。この発明は上述の点に鑑みて
なされその目的は可燃性ガス検出時に感応体による発熱
を防止してヒータ抵抗の変化を生ずることがなく信頼性
に優れるガス検出装置を提供することにある。
It is considered that there is very little chance that a general household gas leak alarm will be placed in the gas under test. However, it is not preferred that the sensitive body of the gas sensor is heated to a high temperature of 500 ° C to 600 ° C. This is because the heater may be disconnected or the resistance of the metal oxide semiconductor may change. The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a gas detection device which prevents heat generation by a responsive body when detecting a combustible gas, does not cause a change in heater resistance, and is excellent in reliability.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば基板と、金属酸化物半導体と、ヒータと、PTC
サーミスタとを有し、金属酸化物半導体とヒータとは基
板上に形成されガスセンサとなるものであり PTCサ
ーミスタは前記ヒータと直列に接続され且つ前記ガスセ
ンサの金属酸化物半導体に近接して設けるとすることに
より達成される。
According to the present invention, the above objects are achieved by a substrate, a metal oxide semiconductor, a heater, and a PTC.
A thermistor is provided, and the metal oxide semiconductor and the heater are formed on a substrate to form a gas sensor. The PTC thermistor is connected in series with the heater and is provided close to the metal oxide semiconductor of the gas sensor. It is achieved by

【0006】[0006]

【作用】感応体の発熱によりガスセンサの感応体温度が
上昇したときPTCサーミスタの抵抗が増大する。その
ためヒータへの供給電流が減少しガスセンサの温度上昇
が抑制される。PTCサーミスタは抵抗の温度係数がプ
ラスであるので温度上昇によって抵抗が増大する。
The function of the PTC thermistor increases when the temperature of the sensitive body of the gas sensor rises due to heat generation of the sensitive body. Therefore, the current supplied to the heater is reduced and the temperature rise of the gas sensor is suppressed. Since the temperature coefficient of resistance of the PTC thermistor is positive, the resistance increases as the temperature rises.

【0007】[0007]

【実施例】次にこの発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1はこの発明の実施例に係るガス検出装置を示
す電気回路図である。従来のガス検出装置とはPTCサ
ーミスタ6がヒータ2に直列に接続される点が異なる。
図4はこの発明の実施例に係るガス検出装置を示す斜視
図である。ベース27の上にステム21、22、23、
24、25、26が設けられ、ガスセンサ28の感応体
がリード線14、15を介してステム21、22にガス
センサ28のヒータがリード線18、19を介してステ
ム23、24に固定される。PTCサーミスタ6がステ
ム25、26に固定される。PTCサーミスタ6はガス
センサの感応体に近接して設けられる。ガスセンサの感
応体温度上昇は容易にPTCサーミスタにより検知され
る。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an electric circuit diagram showing a gas detection device according to an embodiment of the present invention. It differs from the conventional gas detection device in that the PTC thermistor 6 is connected to the heater 2 in series.
FIG. 4 is a perspective view showing a gas detection device according to an embodiment of the present invention. On the base 27, the stems 21, 22, 23,
24, 25, and 26 are provided, and the sensitive body of the gas sensor 28 is fixed to the stems 21 and 22 via the lead wires 14 and 15, and the heater of the gas sensor 28 is fixed to the stems 23 and 24 via the lead wires 18 and 19. The PTC thermistor 6 is fixed to the stems 25 and 26. The PTC thermistor 6 is provided close to the sensitive body of the gas sensor. The rise in temperature of the gas sensor is easily detected by the PTC thermistor.

【0008】図2はこの発明の実施例に係るガスセンサ
を示す平面図である。アルミナ製の基板4の上に白金電
極12、13及び酸化スズ感応体3が積層される。白金
電極12、13にはリード線14、15が圧接される。
FIG. 2 is a plan view showing a gas sensor according to an embodiment of the present invention. Platinum electrodes 12 and 13 and a tin oxide sensitizer 3 are laminated on a substrate 4 made of alumina. Lead wires 14 and 15 are pressed against the platinum electrodes 12 and 13, respectively.

【0009】図3はこの発明の実施例に係るガスセンサ
を示す裏面図である。アルミナ基板4の上に白金電極1
6、17及びヒータ2が積層される。白金電極16、1
7にはリード線18、19が圧接される。ヒータ2は主
成分が酸化ルテニウムからなる。
FIG. 3 is a rear view showing a gas sensor according to an embodiment of the present invention. Platinum electrode 1 on alumina substrate 4
6, 17 and the heater 2 are laminated. Platinum electrodes 16, 1
Lead wires 18 and 19 are pressed against the wire 7. The heater 2 is mainly composed of ruthenium oxide.

【0010】このようなガスセンサはつぎのようにして
調製される。アルミナ基板に白金ペーストを塗布し、焼
成して感応体及びヒータ用に白金電極を形成する。次に
酸化ルテニウム系ペーストを塗布し且つ焼成してヒータ
を形成する。発熱抵抗体であるヒータはレーザトリミン
グ法により所定の抵抗値に調整することができる。感応
体はスクリーン印刷法のほか蒸着法やスパッタ法などに
よっても製造することができる。
Such a gas sensor is prepared as follows. Platinum paste is applied to an alumina substrate and fired to form platinum electrodes for the sensitive body and heater. Next, a ruthenium oxide paste is applied and baked to form a heater. The heater, which is a heating resistor, can be adjusted to a predetermined resistance value by a laser trimming method. The sensitive body can be manufactured by a screen printing method, a vapor deposition method, a sputtering method, or the like.

【0011】感応体は金属スズを硝酸で酸化して得た酸
化スズ粉末にバインダを混合してペーストを調製し、こ
のペーストを基板に塗布して焼成したのち塩化パラジウ
ム液を含浸し且つ熱処理して調製される。
The sensitizer was prepared by mixing a tin oxide powder obtained by oxidizing metallic tin with nitric acid and a binder to prepare a paste. The paste was applied to a substrate and baked, and then impregnated with a palladium chloride solution and heat-treated. Prepared.

【0012】感応体の抵抗は空気中では200KΩ以上
であるが被検ガス中(例えば0.2%イソブタン)では
6KΩとなる。負荷抵抗が6KΩのとき感応体で消費さ
れる電力は0.4W以上となりヒータの消費電力0.5
Wに加えると全消費電力は0.9W以上となりガスセン
サの感応体温度は550℃となる。
The resistance of the sensitive body is 200 KΩ or more in air, but 6 KΩ in the test gas (for example, 0.2% isobutane). When the load resistance is 6KΩ, the power consumed by the sensor is 0.4W or more, and the heater power consumption is 0.5.
When added to W, the total power consumption becomes 0.9 W or more, and the temperature of the gas sensor is 550 ° C.

【0013】ガスセンサが長期間被検ガス中に置かれる
と徐々にヒータ抵抗が減少する。酸化ルテニウムを主成
分とするヒータは感応体温度450℃以下で使用すると
きは電気抵抗の変化は認められないが500℃以上で使
用すると電気抵抗が変化する。
When the gas sensor is placed in the test gas for a long time, the heater resistance gradually decreases. A heater containing ruthenium oxide as a main component shows no change in electric resistance when used at a temperature of the sensitive body of 450 ° C. or lower, but changes in electric resistance when used at 500 ° C. or higher.

【0014】PTCサーミスタがヒータと直列に接続さ
れているときは空気中においてヒータ抵抗は20KΩで
あり消費電力は0.5W、ガスセンサ感応体温度は38
0℃で従来と変わらない。
When the PTC thermistor is connected in series with the heater, the heater resistance in air is 20 KΩ, the power consumption is 0.5 W, and the gas sensor responsive body temperature is 38.
At 0 ℃, it is the same as before.

【0015】これに対し被検ガス雰囲気中ではガスセン
サの感応体温度は450℃より高くならず被検ガス中に
長時間通電したまま置かれてもヒータ抵抗は変化しなか
った。これはガスセンサの下側に置かれたPTCサーミ
スタが空気中では80℃以下であり電気抵抗も100Ω
以下であるが被検ガス中では感応体の発熱によりガスセ
ンサの感応体温度が上昇してPTCサーミスタの温度も
上昇しそれにつれてPTCサーミスタの電気抵抗が大き
くなり酸化ルテニウムに流す電流値を制限するためであ
る。被検ガス雰囲気中ではPTCサーミスタの温度は1
20℃であり電気抵抗は2KΩ以上に増大していた。
On the other hand, in the test gas atmosphere, the temperature of the sensitive body of the gas sensor did not rise above 450 ° C., and the heater resistance did not change even when the test gas was left energized for a long time. This is because the PTC thermistor placed below the gas sensor is below 80 ° C in air and the electrical resistance is 100Ω.
In the test gas, the temperature of the gas sensor's sensitive body rises due to the heat generated by the sensitive body in the test gas, and the temperature of the PTC thermistor also rises, which increases the electrical resistance of the PTC thermistor and limits the current value flowing to ruthenium oxide. Is. The temperature of the PTC thermistor is 1 in the test gas atmosphere.
The temperature was 20 ° C., and the electric resistance had increased to 2 KΩ or more.

【0016】図5はこの発明の実施例に係るガス検出装
置につきヒータ抵抗の経時変化(特性イ)を従来の特性
(特性ロ)と対比して示す線図である。被検ガスは0.
2%イソブタンガスが用いられた。従来のガス検出装置
のヒータ抵抗はガスセンサの温度が上昇するために徐々
に減少するがこの発明の実施例に係るガス検出装置にお
いてはガスセンサの感応体温度が上昇せずヒータ抵抗の
変化は認められない。
FIG. 5 is a diagram showing the change over time (characteristic a) in the heater resistance of the gas detecting apparatus according to the embodiment of the present invention in comparison with the conventional characteristic (characteristic b). The test gas is 0.
2% isobutane gas was used. The heater resistance of the conventional gas detecting device gradually decreases as the temperature of the gas sensor rises, but in the gas detecting device according to the embodiment of the present invention, the temperature of the sensitive body of the gas sensor does not rise and the change of the heater resistance is recognized. Absent.

【0017】図6はこの発明の異なる実施例に係るガス
検出装置のガスセンサを示す裏面図である。このガスセ
ンサにおいては酸化スズの感応体は前述と同様である。
図6において基板4の上に白金電極16、17、リード
線18、19、ヒータ2が設けられる他に白金電極2
9、30、31、32、PTCサーミスタ33、34、
リード線35、36、37、38が設けられる。PTC
サーミスタ33と34はヒータ2と直列に接続される。
PTCサーミスタ33、34はチタン酸鉛(PbTiO
3 )を主成分とする厚膜より構成される。PTCサーミ
スタ33、34は200℃近傍にキュリー点を有し、感
応体が400℃を越えるとPTCサーミスタが温度20
0℃となりPTCサーミスタとして機能するようにな
る。
FIG. 6 is a rear view showing a gas sensor of a gas detector according to another embodiment of the present invention. In this gas sensor, the sensitizer of tin oxide is the same as that described above.
In FIG. 6, in addition to the platinum electrodes 16 and 17, the lead wires 18 and 19, and the heater 2 being provided on the substrate 4, the platinum electrode 2
9, 30, 31, 32, PTC thermistors 33, 34,
Lead wires 35, 36, 37, 38 are provided. PTC
The thermistors 33 and 34 are connected in series with the heater 2.
The PTC thermistors 33 and 34 are lead titanate (PbTiO 3
It is composed of a thick film whose main component is 3 ). The PTC thermistors 33 and 34 have a Curie point near 200 ° C., and the temperature of the PTC thermistor rises above 20 ° C. when the sensitizer exceeds 400 ° C.
It becomes 0 ° C and it functions as a PTC thermistor.

【0018】[0018]

【発明の効果】この発明によれば基板と、金属酸化物半
導体と、ヒータと、PTCサーミスタとを有し、金属酸
化物半導体とヒータとは基板上に形成されガスセンサと
なるものであり、PTCサーミスタは前記ヒータと直列
に接続され且つ前記ガスセンサの金属酸化物半導体に近
接して設けられるものであるので被検ガス中において感
応体の発熱によりガスセンサの感応体温度が上昇したと
きPTCサーミスタの抵抗がそれに直ちに追随して増大
する。そのためヒータへの供給電流が減少しヒータ温度
が下降するので従来のようにガスセンサのヒータ温度が
感応体温度により上昇して抵抗値が変化することがなく
なり信頼性に優れるガス検出装置が得られる。
According to the present invention, the substrate, the metal oxide semiconductor, the heater, and the PTC thermistor are provided, and the metal oxide semiconductor and the heater are formed on the substrate to form a gas sensor. Since the thermistor is connected in series with the heater and is provided in the vicinity of the metal oxide semiconductor of the gas sensor, the resistance of the PTC thermistor when the temperature of the sensitive body of the gas sensor rises due to heat generation of the sensitive body in the test gas. Will immediately follow it and increase. Therefore, since the current supplied to the heater is reduced and the heater temperature is lowered, the heater temperature of the gas sensor is not increased by the temperature of the sensitive body and the resistance value is not changed as in the conventional case, and a highly reliable gas detection device can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の実施例に係るガス検出装置を示す電
気回路図
FIG. 1 is an electric circuit diagram showing a gas detection device according to an embodiment of the present invention.

【図2】この発明の実施例に係るガスセンサを示す平面
FIG. 2 is a plan view showing a gas sensor according to an embodiment of the present invention.

【図3】この発明の実施例に係るガスセンサを示す裏面
FIG. 3 is a back view showing a gas sensor according to an embodiment of the present invention.

【図4】この発明の実施例に係るガス検出装置を示す斜
視図
FIG. 4 is a perspective view showing a gas detection device according to an embodiment of the present invention.

【図5】この発明の実施例に係るガス検出装置につきヒ
ータ抵抗の経時変化(特性イ)を従来の特性(特性ロ)
と対比して示す線図
FIG. 5 shows changes in heater resistance over time (characteristic b) of the gas detecting apparatus according to the embodiment of the present invention as compared with conventional characteristics (characteristic b)
Diagram shown in contrast to

【図6】この発明の異なる実施例に係るガス検出装置に
つきそのガスセンサを示す裏面図
FIG. 6 is a rear view showing a gas sensor of a gas detection device according to another embodiment of the present invention.

【図7】従来の一般家庭用ガス漏れ警報器を示す電気回
路図
FIG. 7 is an electric circuit diagram showing a conventional general household gas leak alarm device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 交流100V電源 2 ヒータ 3 感応体 4 アルミナ基板 5 負荷抵抗 6 PTCサーミスタ 7 増幅回路 8 サイリスタ 9 警報ブザ 12 白金電極 13 白金電極 14 リード線 15 リード線 16 白金電極 17 白金電極 18 リード線 19 リード線 21 ステム 22 ステム 23 ステム 24 ステム 25 ステム 26 ステム 27 ベース 28 ガスセンサ 29 白金電極 30 白金電極 31 白金電極 32 白金電極 33 PTCサーミスタ 34 PTCサーミスタ 35 リード線 36 リード線 37 リード線 38 リード線 1 AC 100V power supply 2 Heater 3 Sensitive body 4 Alumina substrate 5 Load resistance 6 PTC thermistor 7 Amplifying circuit 8 Thyristor 9 Alarm buzzer 12 Platinum electrode 13 Platinum electrode 14 Lead wire 15 Lead wire 16 Platinum electrode 17 Platinum electrode 18 Lead wire 19 Lead wire 21 Stem 22 Stem 23 Stem 24 Stem 25 Stem 26 Stem 27 Base 28 Gas Sensor 29 Platinum Electrode 30 Platinum Electrode 31 Platinum Electrode 32 Platinum Electrode 33 PTC Thermistor 34 PTC Thermistor 35 Lead Wire 36 Lead Wire 37 Lead Wire 38 Lead Wire

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板と、金属酸化物半導体と、ヒータと、
PTCサーミスタとを有し、 金属酸化物半導体とヒータとは基板上に形成されガスセ
ンサとなるものでありPTCサーミスタは前記ヒータと
直列に接続され且つ前記ガスセンサの金属酸化物半導体
に近接して設けられるものであることを特徴とするガス
検出装置。
1. A substrate, a metal oxide semiconductor, a heater,
A PTC thermistor, the metal oxide semiconductor and the heater are formed on a substrate to serve as a gas sensor, and the PTC thermistor is connected in series with the heater and is provided close to the metal oxide semiconductor of the gas sensor. A gas detection device characterized by being a thing.
【請求項2】請求項1記載のガス検出装置において、P
TCサーミスタは基板と独立に設けられるものであるこ
とを特徴とするガス検出装置。
2. The gas detection device according to claim 1, wherein P
The gas detection device, wherein the TC thermistor is provided independently of the substrate.
【請求項3】請求項1記載のガス検出装置において、P
TCサーミスタは基板上に厚膜の形で設けられるもので
あることを特徴とするガス検出装置。
3. The gas detection device according to claim 1, wherein P
The gas detection device, wherein the TC thermistor is provided in the form of a thick film on the substrate.
【請求項4】請求項1記載のガス検出装置において、金
属酸化物半導体が酸化スズであることを特徴とするガス
検出装置。
4. The gas detection device according to claim 1, wherein the metal oxide semiconductor is tin oxide.
【請求項5】請求項1記載のガス検出装置において、ヒ
ータが酸化ルテニウムを主成分とする発熱抵抗体である
ことを特徴とするガス検出装置。
5. The gas detecting device according to claim 1, wherein the heater is a heating resistor containing ruthenium oxide as a main component.
JP19966491A 1991-08-09 1991-08-09 Gas detecting apparatus Pending JPH0545322A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006017681A (en) * 2004-07-05 2006-01-19 Noritz Corp Humidity detector
JP2018036174A (en) * 2016-09-01 2018-03-08 Tdk株式会社 Gas sensor

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