JPH0655435A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0655435A JPH0655435A JP20768192A JP20768192A JPH0655435A JP H0655435 A JPH0655435 A JP H0655435A JP 20768192 A JP20768192 A JP 20768192A JP 20768192 A JP20768192 A JP 20768192A JP H0655435 A JPH0655435 A JP H0655435A
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- JP
- Japan
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- sheet
- semiconductor substrate
- bumps
- adhesive film
- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】上面にバンプを有する半導体基板の下面研磨に
より生ずるクラック及び面荒れを防止する。 【構成】バンプ２を含む表面に設けたレジスト膜３の上
に熱硬化性樹脂を含む接着剤膜４を厚く塗布したシート
５を貼付けて紫外線を照射し、接着剤膜４を硬化させ弾
力性を持たせることにより、バンプの突起を吸収して基
板下面の研磨によるクラックを防ぎ鏡面度を向上させ
る。
より生ずるクラック及び面荒れを防止する。 【構成】バンプ２を含む表面に設けたレジスト膜３の上
に熱硬化性樹脂を含む接着剤膜４を厚く塗布したシート
５を貼付けて紫外線を照射し、接着剤膜４を硬化させ弾
力性を持たせることにより、バンプの突起を吸収して基
板下面の研磨によるクラックを防ぎ鏡面度を向上させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に半導体基板裏面の研磨方法に関する。
関し、特に半導体基板裏面の研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法を図面を参
照して説明する。
照して説明する。
【０００３】図３（ａ）〜（ｃ）は従来の半導体装置の
製造方法を説明するための工程順に示した断面図であ
る。
製造方法を説明するための工程順に示した断面図であ
る。
【０００４】まず、図３（ａ）に示すように、半導体基
板１の上面に設けたバンプ２を含む表面にレジスト膜３
をスピンコートし、レジスト膜３の上に厚さ１０μｍの
接着剤膜７を有するシート５を貼り付ける。
板１の上面に設けたバンプ２を含む表面にレジスト膜３
をスピンコートし、レジスト膜３の上に厚さ１０μｍの
接着剤膜７を有するシート５を貼り付ける。
【０００５】次に、図３（ｂ）に示すように、半導体基
板１の下面を研磨する。
板１の下面を研磨する。
【０００６】次に、図３（ｃ）に示すように、シート５
およびレジスト膜３を剥離して、所望の厚さの半導体基
板１を得る。
およびレジスト膜３を剥離して、所望の厚さの半導体基
板１を得る。
【０００７】ここで、シート５はバンプ２の突起を十分
吸収しておらず、半導体基板１の下面を研磨した場合に
バンプ２の下部の半導体基板１の厚さが薄くなってしま
い、クラックや割れを発生させる。
吸収しておらず、半導体基板１の下面を研磨した場合に
バンプ２の下部の半導体基板１の厚さが薄くなってしま
い、クラックや割れを発生させる。
【０００８】なお、シート５の接着剤膜７の厚さを２０
μｍ以上に厚くした場合にはシート５はバンプ２の突起
を十分吸収できるが、半導体基板１の下面を研磨すると
きに弾力があり過ぎて基板が逃げる為にうまく研磨出来
ず、厚さの変動が大きく、研磨面の鏡面の度合い（荒
さ）が悪くなるという問題点がある。これは、シート５
の基材を柔かくしても同様の結果となる。
μｍ以上に厚くした場合にはシート５はバンプ２の突起
を十分吸収できるが、半導体基板１の下面を研磨すると
きに弾力があり過ぎて基板が逃げる為にうまく研磨出来
ず、厚さの変動が大きく、研磨面の鏡面の度合い（荒
さ）が悪くなるという問題点がある。これは、シート５
の基材を柔かくしても同様の結果となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
の製造方法では、シートがバンプの突起を十分吸収でき
ず、バンプの部分の基板の厚さが薄くなったり、クラッ
クが発生したり、シートの密着性が悪くなって基板が割
れるという問題がある。
の製造方法では、シートがバンプの突起を十分吸収でき
ず、バンプの部分の基板の厚さが薄くなったり、クラッ
クが発生したり、シートの密着性が悪くなって基板が割
れるという問題がある。
【００１０】また、シートの基材を柔かいものとした
り、接着剤の厚さを厚くして、バンプの突起を吸収しよ
うとすると、シートの弾力が高い為に基板がブレードか
ら逃げてうまく下面が削れず、基板の厚さが変動した
り、下面の鏡面度が悪くなるという問題があった。
り、接着剤の厚さを厚くして、バンプの突起を吸収しよ
うとすると、シートの弾力が高い為に基板がブレードか
ら逃げてうまく下面が削れず、基板の厚さが変動した
り、下面の鏡面度が悪くなるという問題があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体基板の上面に設けたバンプを含む表面
に熱硬化性樹脂を含む接着剤膜を塗布したシートを貼付
ける工程と、前記接着剤膜を硬化させた後前記半導体基
板の下面を研磨して鏡面を形成する工程とを含んで構成
される。
造方法は、半導体基板の上面に設けたバンプを含む表面
に熱硬化性樹脂を含む接着剤膜を塗布したシートを貼付
ける工程と、前記接着剤膜を硬化させた後前記半導体基
板の下面を研磨して鏡面を形成する工程とを含んで構成
される。
【００１２】
【実施例】次に、本発明について図面を用いて説明す
る。
る。
【００１３】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施
例を説明するための工程順に示した断面図である。
例を説明するための工程順に示した断面図である。
【００１４】まず、図１（ａ）に示すように、半導体基
板１の上面に設けたバンプ２を含む表面にレジスト膜３
を塗布し、レジスト膜３の上に変成アクリレートを５〜
３０ｗｔ％含む熱硬化性樹脂からなる接着剤膜４を２０
〜３０μｍの厚さで厚めに塗布したシート５の接着剤膜
４をレジスト膜３に接触させて貼り付ける。次に、シー
ト５の上面より紫外線６を照射して接着剤膜４を硬化さ
せる。
板１の上面に設けたバンプ２を含む表面にレジスト膜３
を塗布し、レジスト膜３の上に変成アクリレートを５〜
３０ｗｔ％含む熱硬化性樹脂からなる接着剤膜４を２０
〜３０μｍの厚さで厚めに塗布したシート５の接着剤膜
４をレジスト膜３に接触させて貼り付ける。次に、シー
ト５の上面より紫外線６を照射して接着剤膜４を硬化さ
せる。
【００１５】次に、図１（ｂ）に示すように、半導体基
板１の下面を鏡面研磨する。
板１の下面を鏡面研磨する。
【００１６】次に、図１（ｃ）に示すように、シート５
およびレジスト膜３を剥離して所望の厚さを有する半導
体基板１を得る。ここで、半導体基板１は凹みやクラッ
クを防止できる。
およびレジスト膜３を剥離して所望の厚さを有する半導
体基板１を得る。ここで、半導体基板１は凹みやクラッ
クを防止できる。
【００１７】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施
例を説明するための工程順に示した断面図である。
例を説明するための工程順に示した断面図である。
【００１８】図２（ａ）に示すように、半導体基板１の
上面に設けたバンプ２を含む表面に熱硬化性樹脂からな
る接着剤膜４を厚く塗布したシート５を貼付け、シート
５の上面から紫外線６を照射して接着剤膜４を硬化させ
る。
上面に設けたバンプ２を含む表面に熱硬化性樹脂からな
る接着剤膜４を厚く塗布したシート５を貼付け、シート
５の上面から紫外線６を照射して接着剤膜４を硬化させ
る。
【００１９】次に、図２（ｂ）に示すように、半導体基
板１の下面を鏡面研磨する。
板１の下面を鏡面研磨する。
【００２０】次に、図２（ｃ）に示すように、シート５
を剥離する。
を剥離する。
【００２１】本実施例では接着剤膜４の厚さを厚くする
ことにより、バンプの吸収力を向上させてレジスト膜を
不要とする利点がある。
ことにより、バンプの吸収力を向上させてレジスト膜を
不要とする利点がある。
【００２２】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、バンプを有
する半導体基板の下面を研磨する工程に使用するシート
に熱硬化性樹脂を含む接着剤を塗布して半導体ウェハへ
貼り付けた後、紫外線を照射して接着剤を硬化させるこ
とにより、弾力性が高い事による面荒れの問題を接着剤
膜の厚さを厚く（１０→２０〜３０μｍ）して、バンプ
の吸収性を良くする事によりクラックの無い研磨が可能
となり、鏡面度の高い半導体基板が得られるという効果
を有する。
する半導体基板の下面を研磨する工程に使用するシート
に熱硬化性樹脂を含む接着剤を塗布して半導体ウェハへ
貼り付けた後、紫外線を照射して接着剤を硬化させるこ
とにより、弾力性が高い事による面荒れの問題を接着剤
膜の厚さを厚く（１０→２０〜３０μｍ）して、バンプ
の吸収性を良くする事によりクラックの無い研磨が可能
となり、鏡面度の高い半導体基板が得られるという効果
を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための工程順
に示した断面図。
に示した断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を説明するための工程順
に示した断面図。
に示した断面図。
【図３】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
工程順に示した断面図。
工程順に示した断面図。
１ 半導体基板 ２ バンプ ３ レジスト膜 ４，７ 接着剤膜 ５ シート ６ 紫外線
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の上面に設けたバンプを含む
表面に熱硬化性樹脂を含む接着剤膜を塗布したシートを
貼付ける工程と、前記接着剤膜を硬化させた後前記半導
体基板の下面を研磨して鏡面を形成する工程とを含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20768192A JP2910428B2 (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20768192A JP2910428B2 (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0655435A true JPH0655435A (ja) | 1994-03-01 |
| JP2910428B2 JP2910428B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=16543816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20768192A Expired - Fee Related JP2910428B2 (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2910428B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011029450A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
-
1992
- 1992-08-04 JP JP20768192A patent/JP2910428B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011029450A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2910428B2 (ja) | 1999-06-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990309 |
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