JPH0653922A - Phase difference absorbing circuit - Google Patents

Phase difference absorbing circuit

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JPH0653922A
JPH0653922A JP4201692A JP20169292A JPH0653922A JP H0653922 A JPH0653922 A JP H0653922A JP 4201692 A JP4201692 A JP 4201692A JP 20169292 A JP20169292 A JP 20169292A JP H0653922 A JPH0653922 A JP H0653922A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frame pulse
circuit
output
pulse
phase difference
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4201692A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Yamashita
廣 山下
Koichi Okabe
恒一 岡部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
NEC Miyagi Ltd
Original Assignee
NEC Corp
NEC Miyagi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0653922A publication Critical patent/JPH0653922A/en
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Abstract

PURPOSE:To minimize delay amounts from a writing to a reading by deciding the delay amounts of a reading frame pulse by the phase difference of two input data signals or two writing frame pulse signals. CONSTITUTION:This circuit is equipped with a circuit constituted of monostable multivibrators 3 and 4 which detect the phase difference of writing frame pulse signals 103 and 106, and output a delayed writing frame pulse signal 113, AND circuits 5 and 6, and OR circuit 7, and a delay circuit 8 which delays the writing frame pulse signal 113 only in a delay time equal to the specific delay amounts between the writing and the reading in an elastic storage memory. The output signal 114 of the delay circuit 8 is inputted to each elastic storage memory as the reading frame pulse signal. The delay amounts of the elastic storage memory are decided by the phase difference of the writing frame pulse signals 103 and 106, and the delay time specific to the elastic storage memory.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、位相差吸収回路に関
し、特に時分割多重装置の位相同期回路に用いられる2
つの信号間の位相差を吸収する位相差吸収回路に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phase difference absorption circuit and, more particularly, to a phase synchronization circuit of a time division multiplexer.
The present invention relates to a phase difference absorption circuit that absorbs a phase difference between two signals.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の位相差吸収回路として、エラステ
ィックストアメモリを用いた位相差吸収回路がある。図
4は従来例のブロック図,図5は図4の動作を説明する
ためのタイミングチャートである。
2. Description of the Related Art As a conventional phase difference absorption circuit, there is a phase difference absorption circuit using an elastic store memory. FIG. 4 is a block diagram of a conventional example, and FIG. 5 is a timing chart for explaining the operation of FIG.

【0003】以下、図4,図5について従来例の動作を
説明する。エラスティックストアメモリ21及びエラス
ティックストアメモリ22にそれぞれ書込フレームパル
ス信号203、書込フレームパルス信号206をトリガ
として、入力データ201、入力データ204の書き込
みを行い、読出フレームパルス信号214をトリガとし
て、エラスティックストアメモリ21及びエラスティッ
クストアメモリ22よりデータの読出を行い、出力デー
タ202及び、出力データ205として出力している。
The operation of the conventional example will be described below with reference to FIGS. The write frame pulse signal 203 and the write frame pulse signal 206 are used as triggers to write the input data 201 and the input data 204 to the elastic store memory 21 and the elastic store memory 22, respectively, and the read frame pulse signal 214 is used as a trigger. Data is read from the elastic store memory 21 and the elastic store memory 22 and output as output data 202 and output data 205.

【0004】この時読出フレームパルスのタイミング
は、入力データ201及び入力データ204の位相差に
対して、十分なマージンを持たせて、エラスティックス
トアメモリよりデータの読出しを行う構成となってい
る。
At this time, the timing of the read frame pulse is set so that the phase difference between the input data 201 and the input data 204 has a sufficient margin and the data is read from the elastic store memory.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このように従来の位相
差吸収回路では、書込み内容の読出欠落や二度読み等を
防ぐため、エラスティックストアメモリからの読出しの
タイミングは十分なマージンを持たせているため、必要
以上に遅延時間がかかるという問題がある。
As described above, in the conventional phase difference absorption circuit, the timing of reading from the elastic store memory should have a sufficient margin in order to prevent the read omission or double reading of the written contents. Therefore, there is a problem that the delay time is longer than necessary.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の位相差吸収回路
は、第1の入力データを第1の書込フレームパルスによ
り書込み読出フレームパルスにより読出し第1の出力デ
ータとして出力する第1のエラスティクストアメモリ
と、第2の入力データを第2の書込フレームパルスによ
り書込み前記読出フレームパルスにより読出し第2の出
力データとして出力する第2のエラスティクストアメモ
リと、前記第1の書込フレームパルスを入力し所定の時
間幅T1のパルスを出力する第1の単安定マルチバイブ
レータと、前記第2の書込フレームパルスを入力し前記
時間幅T1のパルスを出力する第2の単安定マルチバイ
ブレータと、前記第1の書込フレームパルスと前記第1
および前記第2の単安定マルチバイブレータの出力パル
スとを入力する第1のAND回路と、前記第2の書込フ
レームパルスと前記第1および前記第2の単安定マルチ
バイブレータの出力パルスとを入力する第2のAND回
路と、前記第1および第2のAND回路の出力パルスを
入力するOR回路と、前記OR回路の出力パルスを所定
の時間幅T2だけ遅延させ前記読出フレームパルスとし
て出力する遅延回路とを備えている。
In the phase difference absorption circuit of the present invention, the first error data is output by reading the first input data by the first write frame pulse and writing the read data by the read frame pulse. A stick store memory, a second input data is written by a second write frame pulse, a second elastic store memory is read by the read frame pulse and is output as second output data, and the first write frame is written. A first monostable multivibrator which inputs a pulse and outputs a pulse having a predetermined time width T1, and a second monostable multivibrator which inputs the second write frame pulse and outputs a pulse having the time width T1. And the first write frame pulse and the first write frame pulse.
And a first AND circuit that inputs the output pulse of the second monostable multivibrator, the second write frame pulse, and the output pulses of the first and second monostable multivibrator. A second AND circuit for inputting the output pulses of the first and second AND circuits, and a delay for delaying the output pulse of the OR circuit by a predetermined time width T2 and outputting the read frame pulse. And a circuit.

【0007】[0007]

【実施例】次に、本発明の一実施例について図を参照し
て説明する。図1は本実施例のブロック図で、図2,図
3は、図1の動作を説明するタイミングチャートであ
る。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a block diagram of the present embodiment, and FIGS. 2 and 3 are timing charts for explaining the operation of FIG.

【0008】エラスティックストアメモリ1は、書込フ
レームパルス信号103をトリガとして入力データ10
1の書き込みを行い、エラスティックストアメモリ2
は、書込フレームパルス信号106をトリガとして入力
データ104の書き込みを行う。
The elastic store memory 1 uses the write frame pulse signal 103 as a trigger to input data 10
1 is written to the elastic store memory 2
Writes the input data 104 using the write frame pulse signal 106 as a trigger.

【0009】単安定マルチバイブレータ3は、書込フレ
ームパルス信号103を入力して、一定時間幅(T1)
のパルス信号109を出力する。この場合の一定時間幅
(T1)とは書込フレームパルス信号103,106間
の予想される最大限の位相差(T3)と書込フレームパ
ルス信号のパルス幅(T4)とを加えた時間とする。ま
た、単安定マルチバイブレータ4は、書込フレームパル
ス信号106を入力して、一定時間幅(T1)のパルス
信号110を出力する。
The monostable multivibrator 3 receives the write frame pulse signal 103 and has a constant time width (T1).
The pulse signal 109 is output. The constant time width (T1) in this case is the time obtained by adding the maximum expected phase difference (T3) between the write frame pulse signals 103 and 106 and the pulse width (T4) of the write frame pulse signal. To do. Further, the monostable multivibrator 4 inputs the write frame pulse signal 106 and outputs a pulse signal 110 having a constant time width (T1).

【0010】AND回路5は出力信号109及び出力信
号110と、書込フレームパルス信号103との論理積
をとるAND回路で、AND回路6は出力信号109及
び出力信号110と、書込フレームパルス信号106と
の論理積をとる。ここで図2(a)に示すように、書込
フレームパルス信号109が書込フレームパルス信号1
10に対して遅延量が多い場合には、AND回路6は出
力信号112として書込フレームパルス信号106を出
力し、(出力信号111は“L”レベルのまま)、逆に
書込フレームパルス信号103が書込フレームパルス信
号106に対して遅延量が多い場合には、出力信号11
1に書込フレームパルス信号103が出力される(出力
信号112は“L”レベルのまま)。
The AND circuit 5 is an AND circuit that takes the logical product of the output signals 109 and 110 and the write frame pulse signal 103, and the AND circuit 6 is the output signal 109 and output signal 110 and the write frame pulse signal. AND with 106. Here, as shown in FIG. 2A, the write frame pulse signal 109 is the write frame pulse signal 1
When the delay amount is larger than 10, the AND circuit 6 outputs the write frame pulse signal 106 as the output signal 112 (the output signal 111 remains at the “L” level), and conversely. When 103 has a large delay amount with respect to the write frame pulse signal 106, the output signal 11
The write frame pulse signal 103 is output at 1 (the output signal 112 remains at the “L” level).

【0011】また図3に示すように書込フレームパルス
信号103と書込フレームパルス信号106とが同じ遅
延量の場合には、出力信号111には書込フレームパル
ス信号103が、出力信号112には書込フレームパル
ス信号106がそれぞれ出力される。OR回路7は出力
信号111,112の論理和をとるOR回路で、信号1
13を出力し、遅延回路8は信号113に対して、エラ
スティックストアメモリ1あるいは2にデータを書き込
んでから、そのデータを読み出すまでの最小限必要な時
間(T2)の遅延を与えて出力する。
When the write frame pulse signal 103 and the write frame pulse signal 106 have the same delay amount as shown in FIG. 3, the output frame 111 is the write frame pulse signal 103 and the output frame 112 is the output signal 112. The write frame pulse signal 106 is output respectively. The OR circuit 7 is an OR circuit that takes the logical sum of the output signals 111 and 112.
13 is outputted, and the delay circuit 8 gives the signal 113 a delay of a minimum required time (T2) from writing the data in the elastic store memory 1 or 2 to reading the data and outputting the signal 113. .

【0012】エラスティックストアメモリ1及び2は、
遅延回路8からの出力信号114を読出フレームパルス
信号としてデータの読出を行い同位相の出力データ10
2及び105をそれぞれ出力する。
The elastic store memories 1 and 2 are
Data is read by using the output signal 114 from the delay circuit 8 as a read frame pulse signal, and the output data 10 having the same phase is output.
2 and 105 are output respectively.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、位相差の
ある2つの入力データの書込みから読出しまでの遅延時
間をその時の2つの書込フレームパルスの位相差とエラ
スティックストアメモリ固有の遅延量、すなわち書込み
から読出しまで必要最少限の時間とを加えたものとして
いるので、あらかじめマージンを見込んだ一定の遅延時
間を与える従来例に比べて遅延量を必要最少限に少なく
する効果がある。
As described above, according to the present invention, the delay time from the writing to the reading of two input data having a phase difference and the delay peculiar to the elastic store memory and the phase difference between the two write frame pulses at that time is determined. Since the amount, that is, the minimum required time from writing to reading is added, there is an effect that the delay amount is reduced to the minimum required as compared with the conventional example in which a constant delay time with a margin in advance is provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による一実施例のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of one embodiment according to the present invention.

【図2】図1における(a)入力信号に位相差のある場
合のタイミングチャート、(b)位相差がない場合のタ
イミングチャートである。
2A is a timing chart in the case where the input signals in FIG. 1 have a phase difference, and FIG. 2B is a timing chart in the case where there is no phase difference.

【図3】図1における入出力信号のタイミングチャート
である。
FIG. 3 is a timing chart of input / output signals in FIG.

【図4】従来例のブロック図である。FIG. 4 is a block diagram of a conventional example.

【図5】図4における入出力信号のタイミングチャート
である。
5 is a timing chart of input / output signals in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 エラスティックストアメモリ 2 単安定マルチバイブレータ 3 単安定マルチバイブレータ 4 AND回路 5 OR回路 6 遅延回路 7 AND回路 8 エラスティックストアメモリB 101 入力データ 104 入力データ 103 書込フレームパルス信号 106 書込フレームパルス信号 107 書込クロック 102 出力データ 109 単安定マルチバイブレータ3の出力信号 110 単安定マルチバイブレータ4の出力信号 111 AND回路5の出力信号 112 AND回路6の出力信号 113 OR回路7の出力信号 114 読出フレームパルス信号 105 出力データ 108 読出クロック 1 elastic store memory 2 monostable multivibrator 3 monostable multivibrator 4 AND circuit 5 OR circuit 6 delay circuit 7 AND circuit 8 elastic store memory B 101 input data 104 input data 103 write frame pulse signal 106 write frame pulse Signal 107 write clock 102 output data 109 output signal of monostable multivibrator 3 110 output signal of monostable multivibrator 4 111 output signal of AND circuit 112 output signal of AND circuit 6 113 output signal of OR circuit 7 114 read frame Pulse signal 105 Output data 108 Read clock

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の入力データを第1の書込フレーム
パルスにより書込み読出フレームパルスにより読出し第
1の出力データとして出力する第1のエラスティクスト
アメモリと、第2の入力データを第2の書込フレームパ
ルスにより書込み前記読出フレームパルスにより読出し
第2の出力データとして出力する第2のエラスティクス
トアメモリと、前記第1の書込フレームパルスを入力し
所定の時間幅T1のパルスを出力する第1の単安定マル
チバイブレータと、前記第2の書込フレームパルスを入
力し前記時間幅T1のパルスを出力する第2の単安定マ
ルチバイブレータと、前記第1の書込フレームパルスと
前記第1および前記第2の単安定マルチバイブレータの
出力パルスとを入力する第1のAND回路と、前記第2
の書込フレームパルスと前記第1および前記第2の単安
定マルチバイブレータの出力パルスとを入力する第2の
AND回路と、前記第1および第2のAND回路の出力
パルスを入力するOR回路と、前記OR回路の出力パル
スを所定の時間幅T2だけ遅延させ前記読出フレームパ
ルスとして出力する遅延回路とを備えることを特徴とす
る位相差吸収回路。
1. A first elastic store memory for outputting first input data as a first output data read by a write / read frame pulse by a first write frame pulse, and a second input data as a second output data. Write by the write frame pulse of, and read by the read frame pulse, the second elastic store memory which outputs as the second output data, and the first write frame pulse, and outputs a pulse of a predetermined time width T1. A first monostable multivibrator, a second monostable multivibrator which inputs the second write frame pulse and outputs a pulse of the time width T1, the first write frame pulse and the first monostable multivibrator. 1 and an output pulse of the second monostable multivibrator, and a second AND circuit
Second AND circuit for inputting the write frame pulse and the output pulse of the first and second monostable multivibrators, and an OR circuit for inputting the output pulse of the first and second AND circuits. , A delay circuit that delays the output pulse of the OR circuit by a predetermined time width T2 and outputs the delayed frame pulse as the read frame pulse.
【請求項2】 前記時間幅T1は前記第1の書込フレー
ムパルスと前記第2の書込フレームパルスとの予想され
る位相差と前記第1あるいは前記第2の書込フレームパ
ルスのパル幅とを加えた時間とし、前記時間幅T2は前
記第1あるいは前記第2のエラスティクストアメモリが
データを書込んでから読出すまでの必要最少限の時間と
することを特徴とする請求項1記載の位相差吸収回路。
2. The time width T1 is an expected phase difference between the first write frame pulse and the second write frame pulse and a pulse width of the first or second write frame pulse. 2. The time width T2 is set to be a minimum time required from the writing of data to the reading of data by the first or second elastic store memory. The described phase difference absorption circuit.
JP4201692A 1992-07-29 1992-07-29 Phase difference absorbing circuit Withdrawn JPH0653922A (en)

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Effective date: 19991005