JPH0652524A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH0652524A JPH0652524A JP20258492A JP20258492A JPH0652524A JP H0652524 A JPH0652524 A JP H0652524A JP 20258492 A JP20258492 A JP 20258492A JP 20258492 A JP20258492 A JP 20258492A JP H0652524 A JPH0652524 A JP H0652524A
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- magnetoresistive
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気抵抗効果型ヘッドに関し、バル
クハウゼン雑音の抑制を実現することを目的とする。 【構成】 センス電流ｉを、シャントバイアス導体膜１
２に、引出し導体１５-1から引出し導体１５-2に向かっ
て流れるように供給する。このセンス電流ｉが発生する
磁界が、ＭＲ素子１３のコア部の磁化の方向を、記録媒
体対向面１１ａ側に傾斜させるよう構成する。
クハウゼン雑音の抑制を実現することを目的とする。 【構成】 センス電流ｉを、シャントバイアス導体膜１
２に、引出し導体１５-1から引出し導体１５-2に向かっ
て流れるように供給する。このセンス電流ｉが発生する
磁界が、ＭＲ素子１３のコア部の磁化の方向を、記録媒
体対向面１１ａ側に傾斜させるよう構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果型ヘッドに
関する。
関する。
【０００２】磁気抵抗効果型ヘッドは、再生信号の線形
性が良いことに加えて、バルクハウゼン雑音が発生しな
いことが必要とされる。
性が良いことに加えて、バルクハウゼン雑音が発生しな
いことが必要とされる。
【０００３】
【従来の技術】一般に、バルクハウゼン雑音の発生を抑
制するためには、磁気抵抗効果素子を単一磁区とするよ
うに磁区制御をしている。
制するためには、磁気抵抗効果素子を単一磁区とするよ
うに磁区制御をしている。
【０００４】また、再生信号の線形性を良くするために
は、単磁区化されている磁気抵抗効果素子のうち、記録
媒体の信号磁界を検知するコア部の磁化の方向を、水平
に対して傾斜した向きとしている。
は、単磁区化されている磁気抵抗効果素子のうち、記録
媒体の信号磁界を検知するコア部の磁化の方向を、水平
に対して傾斜した向きとしている。
【０００５】従来は、上記の磁化の傾斜の方向を上向き
又は下向き（記録媒体対向面側を向いた向き）とするか
については、特に検討がされていなかった。
又は下向き（記録媒体対向面側を向いた向き）とするか
については、特に検討がされていなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、磁気抵抗
効果素子のコア部の磁化の傾斜の方向と、バルクハウゼ
ン雑音の発生のし易さとの関係について実験した。
効果素子のコア部の磁化の傾斜の方向と、バルクハウゼ
ン雑音の発生のし易さとの関係について実験した。
【０００７】実験の結果、図７に示すように、同一の磁
気抵抗効果型ヘッド１について、バイアス磁界によって
磁化の方向を上向き４５度とした場合には、信号磁界の
強さを変化させたときに符号２で示すように、抵抗値が
急激に変化する現象が発生し、磁化の方向を下向き４５
度とした場合には、符号３で示すように抵抗値はなだら
かに変化することが分かった。
気抵抗効果型ヘッド１について、バイアス磁界によって
磁化の方向を上向き４５度とした場合には、信号磁界の
強さを変化させたときに符号２で示すように、抵抗値が
急激に変化する現象が発生し、磁化の方向を下向き４５
度とした場合には、符号３で示すように抵抗値はなだら
かに変化することが分かった。
【０００８】そこで、本発明は、上記の実験結果に基づ
いて、バルクハウゼン雑音の発生を抑制することを実現
した磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とす
る。
いて、バルクハウゼン雑音の発生を抑制することを実現
した磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、磁気
抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子を単磁区化する単
磁区化手段と、該磁気抵抗効果素子のうち記録媒体の信
号磁界を検知するコア部にバイアス磁界を付与するバイ
アス磁界付与手段とよりなり、上記コア部の端が露出し
ており、記録媒体に対向する記録媒体対向面を有する磁
気抵抗効果型ヘッドにおいて、上記バイアス磁界付与手
段を、上記磁気抵抗効果素子のコア部の磁化の方向を、
上記記録媒体対向面側に傾斜させる構成としたものであ
る。
抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子を単磁区化する単
磁区化手段と、該磁気抵抗効果素子のうち記録媒体の信
号磁界を検知するコア部にバイアス磁界を付与するバイ
アス磁界付与手段とよりなり、上記コア部の端が露出し
ており、記録媒体に対向する記録媒体対向面を有する磁
気抵抗効果型ヘッドにおいて、上記バイアス磁界付与手
段を、上記磁気抵抗効果素子のコア部の磁化の方向を、
上記記録媒体対向面側に傾斜させる構成としたものであ
る。
【００１０】請求項２の発明は、磁気抵抗効果素子と、
該磁気抵抗効果素子を単磁区化する単磁区化手段と、該
磁気抵抗効果素子のうち記録媒体の信号磁界を検知する
コア部にバイアス磁界を付与するバイアス磁界付与手段
とよりなり、上記コア部の端が露出しており、記録媒体
に対向する記録媒体対向面を有する磁気抵抗効果型ヘッ
ドにおいて、上記磁気抵抗効果素子のうち、上記コア部
を含む中央部を、記録媒体方向面の方向に突出してお
り、略逆台形状を有し、両側の斜辺の水平に対する角度
θが０°＜θ＜４５°である突出部分を有する構成とし
たものである。
該磁気抵抗効果素子を単磁区化する単磁区化手段と、該
磁気抵抗効果素子のうち記録媒体の信号磁界を検知する
コア部にバイアス磁界を付与するバイアス磁界付与手段
とよりなり、上記コア部の端が露出しており、記録媒体
に対向する記録媒体対向面を有する磁気抵抗効果型ヘッ
ドにおいて、上記磁気抵抗効果素子のうち、上記コア部
を含む中央部を、記録媒体方向面の方向に突出してお
り、略逆台形状を有し、両側の斜辺の水平に対する角度
θが０°＜θ＜４５°である突出部分を有する構成とし
たものである。
【００１１】
【作用】請求項１のバイアス磁界付与手段がコア部の磁
化の方向を記録媒体対向面側に傾斜させる構成は、コア
部に磁壁を発生しにくくするように作用する。
化の方向を記録媒体対向面側に傾斜させる構成は、コア
部に磁壁を発生しにくくするように作用する。
【００１２】請求項２の突出部分の斜辺の水平に対する
角度θを０°＜θ＜４５°に定めた構成は、コア部に磁
壁を発生しにくくするように作用する。
角度θを０°＜θ＜４５°に定めた構成は、コア部に磁
壁を発生しにくくするように作用する。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の第１実施例になる磁気抵抗効
果型ヘッド１０を示す。
果型ヘッド１０を示す。
【００１４】１１はヘッドスライダであり、１１ａは記
録媒体に対向する面、１１ｂは後端面である。
録媒体に対向する面、１１ｂは後端面である。
【００１５】２５は下部シールドであり、上記の後端面
１１ｂ上に形成してある。２６は上部シールドである。
１１ｂ上に形成してある。２６は上部シールドである。
【００１６】下部シールド２５上に、バイアス磁界付与
手段としてのシャントバイアス導体膜１２，磁気抵抗効
果素子（ＮｉＦｅであり、以下ＭＲ素子という）１３，
単磁区化手段としての反強磁性膜（ＦｅＭｎ）１４-1，
１４-2が積重して形成してある。 ＭＲ素子１３は略細
長の矩形状であり、この長手方向が磁化容易軸としてあ
る。
手段としてのシャントバイアス導体膜１２，磁気抵抗効
果素子（ＮｉＦｅであり、以下ＭＲ素子という）１３，
単磁区化手段としての反強磁性膜（ＦｅＭｎ）１４-1，
１４-2が積重して形成してある。 ＭＲ素子１３は略細
長の矩形状であり、この長手方向が磁化容易軸としてあ
る。
【００１７】反強磁性膜１４-1，１４-2は、ＭＲ素子１
３の両側部に設けてある。
３の両側部に設けてある。
【００１８】ＭＲ素子１３の中央部分より、引出し導体
１５-1，１５-2が引き出されている。
１５-1，１５-2が引き出されている。
【００１９】引出し導体１５-1と１５-2との間の部分が
コア部１６であり、この部分にセンス電流が流れ、この
部分が記録媒体１７の信号磁界を検知する。
コア部１６であり、この部分にセンス電流が流れ、この
部分が記録媒体１７の信号磁界を検知する。
【００２０】１８は保護膜であり、上記下部シールド２
５上に形成してあり、上記の各膜１２，１４-1，１４-
2，ＭＲ素子１３，引出し導体１５-1，１５-2を覆って
いる。１９-1がセンス電流入力端子、１９-2がセンス電
流出力端子である。
５上に形成してあり、上記の各膜１２，１４-1，１４-
2，ＭＲ素子１３，引出し導体１５-1，１５-2を覆って
いる。１９-1がセンス電流入力端子、１９-2がセンス電
流出力端子である。
【００２１】上記ヘッド１０の動作時、センス電流ｉ
は、端子１９-1より、引出し導体１５-1→コア１６→引
出し導体１５-2→端子１９-2へと流れる。
は、端子１９-1より、引出し導体１５-1→コア１６→引
出し導体１５-2→端子１９-2へと流れる。
【００２２】シャントバイアス導体膜１２についてみる
と、センス電流ｉは、符号２０で示すように、引出し導
体層１５-1から引出し導体層１５-2に向かって、図１中
左方向に流れる。
と、センス電流ｉは、符号２０で示すように、引出し導
体層１５-1から引出し導体層１５-2に向かって、図１中
左方向に流れる。
【００２３】このシャントバイアス導体膜１２に流れる
センス電流ｉが形成する磁界が、バイアス磁界としてＭ
Ｒ素子１３のコア部１６に作用し、これによって、コア
部１６の磁化（センス電流が通電される前は、センス電
流ｉと同じ方向である）は、符号２１で示すように、水
平を示す矢印２０に対して、記録媒体対向面１１ａ側に
４５度傾斜した状態とされる。
センス電流ｉが形成する磁界が、バイアス磁界としてＭ
Ｒ素子１３のコア部１６に作用し、これによって、コア
部１６の磁化（センス電流が通電される前は、センス電
流ｉと同じ方向である）は、符号２１で示すように、水
平を示す矢印２０に対して、記録媒体対向面１１ａ側に
４５度傾斜した状態とされる。
【００２４】従って、上記の磁気ヘッド１０は、図７か
ら明らかなように、バルクハウゼン雑音を伴わずに、記
録媒体１７の信号磁界を検出して再生する。
ら明らかなように、バルクハウゼン雑音を伴わずに、記
録媒体１７の信号磁界を検出して再生する。
【００２５】また、ＭＲ素子１３は、両側の部分が中央
のコア部１６に対して、面１１ａより寸法ａ（例えば約
１μm ）後退した形状を有する。
のコア部１６に対して、面１１ａより寸法ａ（例えば約
１μm ）後退した形状を有する。
【００２６】これに対応して、反強磁性膜１４-1，１４
-2は、面１１ａより同じく寸法ａ後退して配設してい
る。
-2は、面１１ａより同じく寸法ａ後退して配設してい
る。
【００２７】このため、膜１４-1，１４-2は、面１１ａ
に対向する端面１４-1a ，１４-2aについても保護膜１
６によって覆われ、端面１４-1a ，１４-2a は面１１ａ
に露出していない。
に対向する端面１４-1a ，１４-2aについても保護膜１
６によって覆われ、端面１４-1a ，１４-2a は面１１ａ
に露出していない。
【００２８】このため、膜１４-1，１４-2自体は腐食し
易いものであるにも拘らず、膜１４-1，１４-2は腐食を
起こさず、ヘッド１０は長寿命を有する。
易いものであるにも拘らず、膜１４-1，１４-2は腐食を
起こさず、ヘッド１０は長寿命を有する。
【００２９】図２は、ＳＡＬバイアスを利用した磁気抵
抗効果型ヘッド１０Ａを示す。
抗効果型ヘッド１０Ａを示す。
【００３０】図中、図１に示す構成部分と対応する部分
には同一符号を付してその説明は省略する。
には同一符号を付してその説明は省略する。
【００３１】３０は軟磁性膜（ＳＡＬ膜）、３１は非磁
性導体層である。
性導体層である。
【００３２】センス電流ｉは、コア部１６の部分につい
てみると、矢印２０で示すように流される。
てみると、矢印２０で示すように流される。
【００３３】これにより、軟磁性膜３０が矢印３２で示
すように磁化される。この磁化された膜３０がＭＲ素子
１３にバイアス磁界を作用し、この磁化が符号２１で示
すように、矢印２０に対して面１１ａ側に４５度傾斜し
た状態とされる。
すように磁化される。この磁化された膜３０がＭＲ素子
１３にバイアス磁界を作用し、この磁化が符号２１で示
すように、矢印２０に対して面１１ａ側に４５度傾斜し
た状態とされる。
【００３４】図３は、セルフバイアスを利用した磁気抵
抗効果型ヘッド１０Ｂを示す。
抗効果型ヘッド１０Ｂを示す。
【００３５】４０は下部シールド、４１は上部シールド
である。
である。
【００３６】図４に併せて示すように、ＭＲ素子１３
は、上下シールド４０，４１の間の中心４２に対して、
下部シールド４０側にδだけずらして配置してある。
は、上下シールド４０，４１の間の中心４２に対して、
下部シールド４０側にδだけずらして配置してある。
【００３７】センス電流ｉは、コア１６の部分について
みると、矢印２０で示すように流される。
みると、矢印２０で示すように流される。
【００３８】コア１６を流れるセンス電流ｉによって、
下部シールド４０が矢印４３で示すように磁化され、上
部シールド４１が矢印４４で示すように磁化される。Ｍ
Ｒ素子１３には、下部シールド４０が発生する磁界が上
部シールド４１が発生する磁界よりも強く作用する。こ
れにより、ＭＲ素子１３のコア１６の部分の磁化は、符
号２１で示すように、矢印２０に対して面１１ａ側に４
５度傾斜した状態とされる。
下部シールド４０が矢印４３で示すように磁化され、上
部シールド４１が矢印４４で示すように磁化される。Ｍ
Ｒ素子１３には、下部シールド４０が発生する磁界が上
部シールド４１が発生する磁界よりも強く作用する。こ
れにより、ＭＲ素子１３のコア１６の部分の磁化は、符
号２１で示すように、矢印２０に対して面１１ａ側に４
５度傾斜した状態とされる。
【００３９】上記の図２及び図３に示すヘッド１０Ａ，
１０Ｂも、図１に示すヘッド１０と同様に、バルクハウ
ゼン雑音の発生が抑制され、且つ長寿命を有する。
１０Ｂも、図１に示すヘッド１０と同様に、バルクハウ
ゼン雑音の発生が抑制され、且つ長寿命を有する。
【００４０】次に、本発明の第４実施例になる磁気抵抗
効果型ヘッド１０Ｃについて、図５を参照して説明す
る。
効果型ヘッド１０Ｃについて、図５を参照して説明す
る。
【００４１】ＭＲ素子１３Ａの中央部１３Ａ-1は、両側
部分１３Ａ-2，１３Ａ-3に対して、記録媒体対向面１１
ａの方向に突出している、略逆台形状の突出部分１３Ａ
-4を有する形状である。
部分１３Ａ-2，１３Ａ-3に対して、記録媒体対向面１１
ａの方向に突出している、略逆台形状の突出部分１３Ａ
-4を有する形状である。
【００４２】ここで、突出部分１３Ａ-4の両側の斜辺１
３Ａ-4a ，１３Ａ-4b の水平線５０に対する角度θは、
３０度と小さい。
３Ａ-4a ，１３Ａ-4b の水平線５０に対する角度θは、
３０度と小さい。
【００４３】１３Ａ-4c は、面１１ａに露出している直
線状の露出辺であり、長さＢを有する。
線状の露出辺であり、長さＢを有する。
【００４４】１３Ａ-4d は、斜辺１３Ａ-4a と露出辺１
３Ａ-4c とが形成する角部、１３Ａ-4e は、斜辺１３Ａ
-4b と露出辺１３Ａ-4c とが形成する角部である。
３Ａ-4c とが形成する角部、１３Ａ-4e は、斜辺１３Ａ
-4b と露出辺１３Ａ-4c とが形成する角部である。
【００４５】引出し導体１５-1，１５-2は、夫々上記角
部１３Ａ-4d ，１３Ａ-4e にかかるように設けてある。
部１３Ａ-4d ，１３Ａ-4e にかかるように設けてある。
【００４６】コア部１６Ａは、ＰＱＲＳで定まる矩形状
である。端１６Ａａ（辺ＰＳ）は直線状であり、途中に
角部を有しない。
である。端１６Ａａ（辺ＰＳ）は直線状であり、途中に
角部を有しない。
【００４７】コア部１６Ａの幅Ｗは上記寸法Ｂより狭く
Ｗ＜Ｂである。
Ｗ＜Ｂである。
【００４８】再生時、センス電流ｉは、コア１６Ａにつ
いては、導体１５-2から導体１５-1へ向かって矢印２０
Ａで示すように流される。
いては、導体１５-2から導体１５-1へ向かって矢印２０
Ａで示すように流される。
【００４９】これにより、コア１６Ａの磁化は、矢印２
１で示すように、水平に対して上方向に、即ち面１１ａ
とは反対の方向に４５度傾斜した状態とされる。
１で示すように、水平に対して上方向に、即ち面１１ａ
とは反対の方向に４５度傾斜した状態とされる。
【００５０】この磁気ヘッド１０Ｃを使用して実験した
ところ、図６に、線５１で示すように、磁界の強さの変
化に対する電気抵抗の変化は比例的であり、バルクハウ
ゼン雑音が発生しないことを確認した。
ところ、図６に、線５１で示すように、磁界の強さの変
化に対する電気抵抗の変化は比例的であり、バルクハウ
ゼン雑音が発生しないことを確認した。
【００５１】本発明者は、上記角度θを種々変えたヘッ
ドを製造し、バルクハウゼン雑音が発生するか否かにつ
いて実験をしたところ、角度θが４５度以下であれば、
コア部の磁化の方向を斜め上向きとしても、バルクハウ
ゼン雑音が発生しないことを確認した。
ドを製造し、バルクハウゼン雑音が発生するか否かにつ
いて実験をしたところ、角度θが４５度以下であれば、
コア部の磁化の方向を斜め上向きとしても、バルクハウ
ゼン雑音が発生しないことを確認した。
【００５２】また、コア部の磁化の方向を斜め下向きと
したヘッド１０Ｄについては、図１の実施例の場合と同
様となり、図６に符号５２で示すように、抵抗値はなだ
らかに変化し、バルクハウゼン雑音は発生しない。
したヘッド１０Ｄについては、図１の実施例の場合と同
様となり、図６に符号５２で示すように、抵抗値はなだ
らかに変化し、バルクハウゼン雑音は発生しない。
【００５３】上記ヘッド１０Ｃ，１０Ｄも、前記のヘッ
ド１０〜１０Ｂと同じく、膜１４-1，１４-2は腐食せ
ず、長寿命を有する。
ド１０〜１０Ｂと同じく、膜１４-1，１４-2は腐食せ
ず、長寿命を有する。
【００５４】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、バルクハウゼン雑音が発生することを効果的に抑
制することが出来る。
れば、バルクハウゼン雑音が発生することを効果的に抑
制することが出来る。
【００５５】請求項２の発明によれば、バルクハウゼン
雑音が発生することを効果的に抑制することが出来る。
雑音が発生することを効果的に抑制することが出来る。
【図１】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第１実施例の
要部を記録媒体対向面側からみた図である。
要部を記録媒体対向面側からみた図である。
【図２】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第２実施例の
要部を記録媒体対向面側からみた図である。
要部を記録媒体対向面側からみた図である。
【図３】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第３実施例の
要部を記録媒体対向面側からみた図である。
要部を記録媒体対向面側からみた図である。
【図４】図３中、IV−IV線に沿う断面図である。
【図５】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第４実施例の
要部を示す図である。
要部を示す図である。
【図６】図５のヘッドの実験結果を示す図である。
【図７】ＭＲ素子のコア部の磁化の方向とバルクハウゼ
ン雑音の発生との関係を示す図である。
ン雑音の発生との関係を示す図である。
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ 磁気抵抗効果
型ヘッド １１ ヘッドスライダ １１ａ 記録媒体対向面 １１ｂ 後端面 １２ シャントバイアス導体膜 １３，１３Ａ 磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子） １３Ａ-1 中央部 １３Ａ-2，１３Ａ-3 両側部分 １３Ａ-4 突出部分 １３Ａ-4a ，１３Ａ-4b 斜辺 １３Ａ-4c 直線状の露出辺 １３Ａ-4d ，１３Ａ-4e 角部 １４-1，１４-2 反強磁性膜 １４-1a ，１４-2a 端面 １５-1，１５-2 引出し導体 １６，１６Ａ コア部 １６Ａａ 端 １７ 記録媒体 １８ 保護膜 １９-1 センス電流入力端子 １９-2 センス電流出力端子 ２０，２０Ａ コア部のセンス電流を示す矢印 ３０ 軟磁性膜 ３１ 非磁性導体層 ４０，２５ 下部シールド ４１，２６ 上部シールド ４２ 中心 ５０ 水平線
型ヘッド １１ ヘッドスライダ １１ａ 記録媒体対向面 １１ｂ 後端面 １２ シャントバイアス導体膜 １３，１３Ａ 磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子） １３Ａ-1 中央部 １３Ａ-2，１３Ａ-3 両側部分 １３Ａ-4 突出部分 １３Ａ-4a ，１３Ａ-4b 斜辺 １３Ａ-4c 直線状の露出辺 １３Ａ-4d ，１３Ａ-4e 角部 １４-1，１４-2 反強磁性膜 １４-1a ，１４-2a 端面 １５-1，１５-2 引出し導体 １６，１６Ａ コア部 １６Ａａ 端 １７ 記録媒体 １８ 保護膜 １９-1 センス電流入力端子 １９-2 センス電流出力端子 ２０，２０Ａ コア部のセンス電流を示す矢印 ３０ 軟磁性膜 ３１ 非磁性導体層 ４０，２５ 下部シールド ４１，２６ 上部シールド ４２ 中心 ５０ 水平線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金峰 理明 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素
子を単磁区化する単磁区化手段と、該磁気抵抗効果素子
のうち記録媒体の信号磁界を検知するコア部にバイアス
磁界を付与するバイアス磁界付与手段とよりなり、上記
コア部の端が露出しており、記録媒体に対向する記録媒
体対向面を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 上記バイアス磁界付与手段を、上記磁気抵抗効果素子
（１３）のコア部（１６）部の磁化の方向（２１）を、
上記記録媒体対向面（１１ａ）側に傾斜させる構成とし
たことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】 磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素
子を単磁区化する単磁区化手段と、該磁気抵抗効果素子
のうち記録媒体の信号磁界を検知するコア部にバイアス
磁界を付与するバイアス磁界付与手段とよりなり、上記
コア部の端が露出しており、記録媒体に対向する記録媒
体対向面を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 上記磁気抵抗効果素子のうち、上記コア部を含む中央部
を、記録媒体対向面の方向に突出しており、略逆台形状
を有し、両側の斜辺の水平に対する角度θが０°＜θ＜
４５°である突出部分（１３Ａ-4）を有する構成とした
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20258492A JPH0652524A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20258492A JPH0652524A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0652524A true JPH0652524A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16459907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20258492A Pending JPH0652524A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652524A (ja) |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP20258492A patent/JPH0652524A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021210 |