JPH06506308A - Photodefinable interlevel dielectric - Google Patents

Photodefinable interlevel dielectric

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JPH06506308A JP4509439A JP50943992A JPH06506308A JP H06506308 A JPH06506308 A JP H06506308A JP 4509439 A JP4509439 A JP 4509439A JP 50943992 A JP50943992 A JP 50943992A JP H06506308 A JPH06506308 A JP H06506308A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。 (57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 光規定可能なインターレベル誘電体 先行技街 本発明に超小型電子回路における導電層の分離を提供するために使用される材料 に関する.特に、本発明は光重合されることができてその結果多層構造が所望さ れる誘電体層が形成されることができる重合体材料に関する.そのような層は優 れた絶縁体であり、良好な耐薬品性を有しておりそして勿論それらが置かれる基 体上に接着しなければならない。[Detailed description of the invention] Photodefinable interlevel dielectric Advance technique town Materials used in the present invention to provide separation of conductive layers in microelectronic circuits Regarding. In particular, the present invention can be photopolymerized so that multilayer structures are desired. The present invention relates to polymeric materials on which dielectric layers can be formed. Such a layer is are insulators, have good chemical resistance and of course the substrate on which they are placed. Must be glued onto the body.

ポリイミドは多くの他の重合体に比較して優れた耐温度性および耐薬品性を有し ているのでポリイミドはそのような誘電体のために用いられて来た.ポリイミド の使用を開示する文献および特許が米国特許第4,908,096号(この特許 を参照することにより本明細書中に組み入れる)において本発明の発明者により 広(論じられている.ポリイミドの欠点、即ち、それらが硬化中多量の揮発性物 質を放出し、水分を吸収し、貧弱な接着を有しておりそして比較的に高い膨張率 を有していることが論じられている.上記米国特許は改良された性質を有するイ ンターレベル(interlevel) m電体として他の重合体、即ちジアル デヒドとフェノールとの縮合生成物の、ビニルベンジルエーテルまたはアルキル エーテルを開示しそして特許請求している。Polyimide has superior temperature and chemical resistance compared to many other polymers. Polyimide has been used for such dielectrics because of its polyimide Literature and patents disclosing the use of (incorporated herein by reference) by the inventor of the present invention. Disadvantages of polyimides, namely that they contain large amounts of volatile substances during curing. release quality, absorb moisture, have poor adhesion and relatively high expansion rate It has been argued that it has The above U.S. patent is an invention with improved properties. Interlevel Other polymers, i.e. dial Vinyl benzyl ether or alkyl condensation product of dehyde and phenol ether is disclosed and claimed.

本発明は有用なインターレベル誘電体を提供することが見い出された他の重合体 に関する。The present invention relates to other polymers found to provide useful interlevel dielectrics. Regarding.

米国特許第4,855.375において、本発明の発明者は誘電体応用分野のた めの積層板をつくるのに適用性を有するビスフェノールとホルムアルデヒドとの エーテルであるオリゴマーを開示した.米国特許第4,816.498号におい て、ジアルデヒドと3〜4モルのフェノールとの縮合生成物である点で上記米国 特許第4.855,375号とは異なる他の群のオリゴマー縮合生成物が開示さ れている.これらのオリゴマーはまたビニルベンジルエーテルとアルキルエーテ ルとの混合物を提供するためにエーテル化される.それらは電子応用分野のため の積層板をつくるために用いられることができる.両方のそのようなオリゴマー は以下の記載において分かるように、インターレベル(interlevel)  m電体として有用であることが今や見い出された.関連重合体はPCT/US 9 1109391およびPCT/US9 1109392において開示されて いる。In U.S. Pat. No. 4,855.375, the inventors of the present invention The combination of bisphenol and formaldehyde has applicability in making laminates. Disclosed oligomers that are ethers. In U.S. Patent No. 4,816.498 The above U.S.A. is a condensation product of dialdehyde and 3 to 4 moles of phenol. Other groups of oligomeric condensation products different from patent 4,855,375 are disclosed. It is. These oligomers are also vinylbenzyl ethers and alkyl ethers. etherified to provide a mixture with They are for electronic applications can be used to make laminates. Both such oligomers is interlevel, as will be seen in the following description. It has now been discovered that it is useful as an electric material. Related polymers are PCT/US No. 9 1109391 and PCT/US9 1109392 There is.

本発肌q概! 本発明は基体上に重合体から所定のパターンを形成する方法およびそのようにし て造られた誘電体層を包含する。Genuine skin q summary! The present invention provides a method for forming a predetermined pattern from a polymer on a substrate and a method for doing so. It includes a dielectric layer made of

そのようなパターンは、基体上にプレポリマーを被覆し、マスキングパターンの 露出部分を光照射してプレポリマーを不溶性にし、被覆の光照射されていないマ スクされた部分を次に選択的に溶解して不溶性の光照射されたプレポリマーを残 しそして光照射されたプレポリマーを硬化して所定のパターンで不溶融性のガラ ス状固体を形成することにより形成される。Such patterns are created by coating a prepolymer onto a substrate and applying a masking pattern. The exposed areas are irradiated to make the prepolymer insoluble, and the unirradiated areas of the coating are The screened portions are then selectively dissolved to leave an insoluble light-irradiated prepolymer. The irradiated prepolymer is then cured to form an infusible glass in a predetermined pattern. It is formed by forming a sliver-like solid.

本プレポリマーは二価フェノールとホルムアルデヒドとのオリゴマー状縮合生成 物のエーテルであるかあるいは前記オリゴマーおよびジアルデヒドと3〜4モル のフェノールとのオリゴマー状縮合生成物のエーテルである第2のプレポリマー の混合物のいずれかである。This prepolymer is an oligomeric condensation product of dihydric phenol and formaldehyde. or 3 to 4 mol of said oligomer and dialdehyde. a second prepolymer which is an ether of the oligomeric condensation product of Either a mixture of

第1のオリゴマーは式 (式中、繰り返し単位Qは構造 を有し、そして nは1〜lOの整数であり、 SはOまたは1であり、 各々のXは独立してCH.、C (CHs)t 、O,S,Son 、CO#よ びOC.H,Oからなる群から選ばれ、 各々のR,およびR8は独立して、水素、1〜10個の炭素原子を有するアルキ ルおよびアルコキシ部分、フェニルおよびフェノキシカ)らなる群力1ら選器f れ、aおよびbは独立して0または1〜4の整数であり、ZはCZまたはBrで あり、 EはすべてのEの少なくとも50%がビニルベンジルとして、ビニルベンジル部 分、1〜lO個の炭素原子を有するアルキルはベンジルからなる群から選ばれる ) を有する。The first oligomer has the formula (In the formula, the repeating unit Q is the structure has, and n is an integer from 1 to lO, S is O or 1, Each X is independently CH. ,C(CHs)t,O,S,Son,CO#yo and OC. selected from the group consisting of H, O, Each R, and R8 are independently hydrogen, alkyl having 1 to 10 carbon atoms. and alkoxy moieties, phenyl and phenoxy moieties). , a and b are independently 0 or an integer from 1 to 4, and Z is CZ or Br. can be, E is a vinylbenzyl moiety, with at least 50% of all E being vinylbenzyl. alkyl having 1 to 10 carbon atoms is selected from the group consisting of benzyl; ) has.

好ましい態様において、Eは少なくとも70%がビニルベンジルて残りのEがプ ロピルであり、そしてXはC (CHs)gである力1また番よC (CHs) tおよびCOの両方である。In a preferred embodiment, E is at least 70% vinylbenzyl and the remaining E is vinylbenzyl. Lopil, and X is C (CHs) g Force 1 again number C (CHs) t and CO.

第2オリゴマーは(a)1モルの割合のジアルデヒドと(b)約3〜約4モルの 割合のフェノールとのオリゴマー状縮合生成物のエーテルであり、し力・も前記 ジアルデヒドはOHC (CL)、CHO (但しm&よ0である力・また番よ 1〜6の整数である)、シクロペンタンジアルデヒド、フタルアルデヒド、イソ フタルアルデヒド、テレフタルアルデヒド、ヘキサヒドロフタルアルデヒド、パ ノクロヘプタンジアルデヒド、ヘキサヒドロイソフタルアルデヒド、−Nキサヒ ドロテレフタルアルデヒドおよびシクロオクタンジアルデヒドからなる群から選 ばれ、フェノールは構造式R,C,H□OH(但し、R5は水素または1〜約1 0個の炭素原子を含有するアルキル基である)を有しそして前記オリゴマー状縮 合生成物のフェノール残基はビニルベンジル対地の部分の比が約1:1〜約6: 1で、ビニフレベンジル、1〜10個の炭素原子を含有するアルキル部分、5〜 lO個の炭素原子を含有するシクロアルキル部分およびベンジルからランダムに 選ばれた1種またはそれ以上の置換基でエーテル化されてエーテル部分を提供す る。The second oligomer comprises (a) a proportion of 1 mole of dialdehyde and (b) a proportion of from about 3 to about 4 moles. It is an ether of an oligomeric condensation product with a proportion of phenol, and the Dialdehyde is OHC (CL), CHO (however, m & yo 0 force/matabanyo (an integer from 1 to 6), cyclopentanedialdehyde, phthalaldehyde, iso Phthalaldehyde, terephthalaldehyde, hexahydrophthalaldehyde, nocloheptane dialdehyde, hexahydroisophthalaldehyde, -N xahi selected from the group consisting of droterephthalaldehyde and cyclooctanedialdehyde. Phenol has the structural formula R, C, H□OH (where R5 is hydrogen or 1 to about 1 an alkyl group containing 0 carbon atoms) and the oligomeric condensation The phenolic residue of the synthesis product has a vinylbenzyl to base moiety ratio of about 1:1 to about 6: 1, vinylebenzyl, an alkyl moiety containing 1 to 10 carbon atoms, 5 to Randomly from cycloalkyl moieties containing lO carbon atoms and benzyl etherified with one or more selected substituents to provide an ether moiety; Ru.

社棗旦と塁携Ω起鳳 1金生樹崖 米国特許第4,855,375号において、本発明の発明者は二価フェノールと ホルムアルデヒドとのオリゴマー状縮合生成物のエーテルの製造および用途そし て複合品、特に電子的用途のための積層板を開示した。これらの組成物は米国特 許第4.816.498号のオリゴマーと組み合わせてインターレベル(int −erlevel)誘電体として使用されることができ、しかもそれらは低い水 吸収性、低い比誘電率、低い熱膨張率、高いガラス転移温度、高い熱安定性、高 い固形分被覆濃度を有しそして光化学的に硬化可能であり、熱硬化可能でありそ して硬化処理中揮発性勧賞をほとんど発生させないかまたは全く発生させないこ とが今や見いだされた。パターンを形成するのに使用されるプレポリマーは2つ のタイプのものである。第1のは式 %式% それらは二価フェノールとホルムアルデヒドの縮合生成物であるオリゴマーのエ ーテル化から生ずる。生成物は種々の分子量を有するオリゴマーの混合物であろ う0mり返し単位Qの数であるnは1〜10に変化するであろう、好ましくはn は1または1〜6の整数でありそしてnの数の平均は約3である。Company Natsudan and Baseball Omega Kiho 1 Kinsho Cliff In U.S. Pat. No. 4,855,375, the inventors of the present invention discovered that dihydric phenols and Preparation and use of ethers of oligomeric condensation products with formaldehyde disclosed composite articles, particularly laminates for electronic applications. These compositions are Interlevel (int -erlevel) can be used as dielectrics, yet they have low water absorption, low dielectric constant, low coefficient of thermal expansion, high glass transition temperature, high thermal stability, high It has a high solids coverage and is photochemically curable and heat curable. to produce little or no volatile compounds during the curing process. has now been found. There are two prepolymers used to form the pattern. It is of the type. The first is the formula %formula% They are oligomeric esters that are the condensation products of dihydric phenols and formaldehyde. arises from terization. The product may be a mixture of oligomers with different molecular weights. The number of repeating units Q, n, will vary from 1 to 10, preferably n is 1 or an integer from 1 to 6, and the average number of n is about 3.

繰り返し単位Qそれ自体は構造 を有する。縮合は右側の構造におけるように同じ環上に生ずるかまたは左側の構 造におけるように異なる環上に生ずることが出来ることに注目すべきである。繰 り返し単位Q中の芳香族環は直接結合されているかあるいは介在部分Xにより分 離されており、即ちSはOまたは1である0部分Xの各々はメチレン(CHs) 、イソプロピリデン(C(CHz)J、酸素、硫黄、スルホニル(SOり、カル ボニル(CO)またはジオキシフェニレン基(OC,H,O)(但し、この中の 二つの酸素はおたがいに対してパラまたはメタである)のいずれかである、好ま しくはXはC(CHs)tであるかまたはC(CH,)、とCOの両方である。Repeating unit Q itself is a structure has. The fusion can occur on the same ring as in the structure on the right or on the structure on the left. It should be noted that they can occur on different rings, such as in structures. Repeat The aromatic rings in the repeating unit Q are either directly bonded or separated by an intervening moiety each of the 0 moieties X are separated, i.e. S is O or 1, methylene (CHs) , isopropylidene (C(CHz)J, oxygen, sulfur, sulfonyl (SO), carbon Bonyl (CO) or dioxyphenylene group (OC, H, O) (However, in this The two oxygens are either para or meta to each other, preferably Or X is C(CHs)t or both C(CH,) and CO.

芳香族環の各々は!換基を有してもよくまたは全く置換されていな(でもよい。Each of the aromatic rings! May have substituents or may not be substituted at all.

したがって、R,およびR8は独立して、水素、1〜lO個の炭素原子を含有す るアルキル部分、フェニル部分、1〜10個の炭素原子を含有するアルコキシ部 分、およびフェノキシ(C−Hs O)のような部分から選ばれる。適当なアル キル部分の例はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプ チル、オクチル、ノニルおよびデシル部分である。R,−R,=Hである可変基 が全く望ましいけれども、メチルおよびtert−ブチル基が好ましいアルキル 部分である。Therefore, R and R8 are independently hydrogen, hydrogen containing 1 to 10 carbon atoms; alkyl moieties, phenyl moieties, alkoxy moieties containing 1 to 10 carbon atoms; , and moieties such as phenoxy (C-HsO). suitable al Examples of kill moieties are methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, hepyl. tyl, octyl, nonyl and decyl moieties. Variables that are R, -R, =H Although highly desirable, methyl and tert-butyl groups are preferred. It is a part.

基本的樹脂は、芳香族環中にハロゲン原子を導入することにより難燃材に変性で きる。したがって、Zはハロゲン原子、特に臭素であってよく、そして芳香族環 がハロゲン化される場合、aおよびbは1〜4の整数である。多ハロゲン化物質 は難燃材として好ましくそしてしたがってaおよびbは2.3または4であるこ とが推奨される。Basic resins can be modified into flame retardants by introducing halogen atoms into the aromatic ring. Wear. Thus, Z may be a halogen atom, especially bromine, and an aromatic ring. When is halogenated, a and b are integers from 1 to 4. Polyhalogenated substances is preferred as a flame retardant and therefore a and b are 2.3 or 4. is recommended.

オリゴマー状縮合生成物は、本発明のインターレベル誘電体樹脂において、実賞 的にすべてがエーテル基として末端封鎖されている多数のフェノール性ヒドロキ シル基を有する。最良の場合はエーテル部分Eがビニルベンジルである場合、即 ち、構造 (但し、これはメタ異性体またはパラ異性体であってよくそして通常メタ異性体 とパラ異性体との混合物である)のものである場合に生ずる。すべてビニルベン ジル部分で末端封鎖されたフェノール性ヒドロキシルを有することが望ましいけ れどもすべてよりやや少ないエーテル基がビニルベンジルである場合が費用の面 で有利であるがしかし通常やや低い比誘電率が犠牲になる。E部分の少な(とも 50%はビニルベンジル部分であるべきであるが、しかしより良好な性能特性は エーテル基の70〜100%がビニルベンジル場合に生じそして最良のプレポリ マー生成物はそのような基の95〜100%がビニルベンジルである場合に生ず る。しかしながら多くの適用のためにはビニルベンジル基での、完全より少ない 末端封鎖が許容できるがしかしすべてのヒドロキシル基は封鎖されるべきである 。The oligomeric condensation product has practical advantages in the interlevel dielectric resin of the present invention. Numerous phenolic hydroxyl groups, all end-capped as ether groups, It has a syl group. In the best case, if the ether moiety E is vinylbenzyl, then immediately T-Structure (However, this may be a meta or para isomer and is usually a meta isomer.) and para isomer). all vinylben It is desirable to have a phenolic hydroxyl end-capped with a diyl moiety. However, in terms of cost, it is preferable that slightly less than all of the ether groups are vinylbenzyl. however, a somewhat lower dielectric constant is usually sacrificed. E part is small (tomo) 50% should be vinylbenzyl moiety, but better performance properties occurs when 70-100% of the ether groups are vinylbenzyl and the best prepolymer mer products occur when 95-100% of such groups are vinylbenzyl. Ru. However, for many applications less than full vinylbenzyl groups are required. End-capping is acceptable but all hydroxyl groups should be capped .

エーテル基がビニルベンジル以外の基を含む場合はEは1〜10個の炭素原子を 含有するアルキル基であるかまたはベンジル基である。Eがアルキル基である場 合、第一級アルキル基が好ましく、特に1〜4個の炭素原子を有する第一級低級 アルキル基が好ましい、したがって、最も望ましいアルキル基はメチル、エチル 、1−プロピル、1−ブチルおよび1−メチル−1−プロピルからなる。他のア ルキル基は1−ペンチル、1−ヘキシル、1−へブチル、1−オクチル、1−ノ ニル、1−デシル、2−メチル−1−ブチル、3−メチル−1−ブチル、2゜3 −ジメチル−1−ブチル、3.3−ジメチル−1−ブチル、2−メチル−1−ペ ンチル等からなる。When the ether group contains a group other than vinylbenzyl, E has 1 to 10 carbon atoms. It is a containing alkyl group or a benzyl group. When E is an alkyl group primary alkyl groups are preferred, especially primary lower alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms. Alkyl groups are preferred; therefore, the most desirable alkyl groups are methyl, ethyl , 1-propyl, 1-butyl and 1-methyl-1-propyl. other a Alkyl groups are 1-pentyl, 1-hexyl, 1-hebutyl, 1-octyl, 1-no Nyl, 1-decyl, 2-methyl-1-butyl, 3-methyl-1-butyl, 2゜3 -dimethyl-1-butyl, 3,3-dimethyl-1-butyl, 2-methyl-1-butyl Consisting of Nchiru et al.

好ましいl!様において、Eは少な(とも70%がビニルベンジルでありそして 残りのEがプロピルである。Preferable l! , E is small (both 70% vinylbenzyl and The remaining E is propyl.

第2のタイプのオリゴマーは1モルの割合の或種のジアルデヒドと約3〜約4モ ルの割合のフェノールとのオリゴマー状縮合生成物のエーテルである。さらに特 定的にはエーテル部分はビニルベンジル部分、1〜10個の炭素原子を含有する アルキル部分、5〜約10個の炭素原子を有するシクロアルキル部分およびベン ジル部分の中からランダムに選ばれ、その場合においてビニルベンジル対地のエ ーテル部分の比は少なくともl:1でありそして6:1はどの大きさでもよい。The second type of oligomer has a proportion of 1 mole of certain dialdehyde and about 3 to about 4 moles. It is an ether of an oligomeric condensation product with phenol in a proportion of 1. Even more special Qualitatively, the ether moiety is a vinylbenzyl moiety, containing from 1 to 10 carbon atoms. alkyl moieties, cycloalkyl moieties having from 5 to about 10 carbon atoms and benzyl moieties; The vinyl benzyl part is randomly selected from among the vinyl benzyl parts. The ratio of the ether moieties is at least 1:1 and can be as large as 6:1.

フェノール系オリゴマーは1モルの割合の選択されたジアルデヒドと3〜4モル の割合のフェノールとの縮合生成物である0本発明の実施において4モルより多 (の割合のフェノールが使用されることができるが4モルより多くない割合のフ ェノールがジアルデヒドと反応するだろう。The phenolic oligomer has a proportion of 1 mole of the selected dialdehyde and 3 to 4 moles. In the practice of this invention, more than 4 moles of the condensation product with phenol in a proportion of (a proportion of phenol can be used but not more than 4 moles of phenol) The phenol will react with the dialdehyde.

本発明において使用できる一つのクラスのジアルデヒドは弐〇HC(CH,)。One class of dialdehydes that can be used in the present invention is HC (CH,).

CHO(但し、mは0または1〜6の整数である)の線状末端アルキレンジアル デヒドである。そのようなジアルデヒドはグリオキサール、マロンジアルデヒド 、スクシンジアルデヒド、グルタルアルデヒド、アジフアルデヒド(adiph aldehy−de) 、ピメルアルデヒド(pimelaldebyde)お よびセバクアルデヒド(sebacalde−byde)を包含する0mがO〜 4であるアルデヒドが特に好ましくそして本発明の実施においてグリオキサール (m−0)が特に好ましい。Linear terminal alkylene dial of CHO (where m is 0 or an integer from 1 to 6) It is dehyde. Such dialdehydes are glyoxal, malondialdehyde , succindialdehyde, glutaraldehyde, adiph aldehyde), pimelaldehyde and and sebacaldehyde (sebacalde-byde). Particularly preferred are the aldehydes which are 4 and in the practice of this invention glyoxal (m-0) is particularly preferred.

オリゴマー縮合生成物の製造において使用されることができる他のアルデヒドは シクロペンタンジアルデヒド、フタルアルデヒド、イソフタルアルデヒド、テレ フタルアルデヒド、ヘキサヒドロフタルアルデヒド(即ち、芳香族環がシクロヘ キサン環に還元されたフタルアルデヒドの還元された対応物)、シクロヘプタン ジアルデヒドおよびシクロオクタンジアルデヒドを包含する。Other aldehydes that can be used in the preparation of oligomeric condensation products are Cyclopentanedialdehyde, phthalaldehyde, isophthalaldehyde, tele Phthalaldehyde, hexahydrophthalaldehyde (i.e., the aromatic ring is reduced counterpart of phthalaldehyde reduced to a xane ring), cycloheptane Includes dialdehydes and cyclooctanedialdehydes.

オリゴマーは1モルの割合の上記ジアルデヒドと3〜約4モルの割合のフェノー ルとの縮合生成物である。フェノールは一般構造式R1C,H,OH(但し、R 3は水素または1〜約8個の炭素原子を有するアルキル基である)を有する。最 も望ましいフェノールはフェノールそれ自体、即ち、R3が水素である場合であ る。The oligomer contains 1 mole of the dialdehyde and 3 to about 4 mole of phenol. It is a condensation product with Phenol has the general structural formula R1C,H,OH (however, R 3 is hydrogen or an alkyl group having from 1 to about 8 carbon atoms). most Also desirable is the phenol itself, i.e. when R3 is hydrogen. Ru.

R1がアルキル基である場合、アルキル基が1〜約4個の炭素原子を含有するの が最も望ましくそしてR1がメチル基である場合のクレゾールが他の好ましい種 のフェノールである。When R1 is an alkyl group, the alkyl group contains 1 to about 4 carbon atoms. is most preferred and cresol is the other preferred species when R1 is a methyl group. It is a phenol.

縮合生成物はフェノール−ホルムアルデヒド樹脂に対しての類似体である。即ち 、生成物は2モルの割合のフェノールと各アルデヒド基との縮合から生ずる。The condensation product is an analog to phenol-formaldehyde resin. That is, , the product results from the condensation of 2 molar proportions of phenol with each aldehyde group.

反応を例示するためにフェノールとグリオキサールとを用いる、“単量体”生成 物と見ることが出来る最も簡単な場合において、生成物は、構造(式中において 、フェノールとグリオキサールとの縮合点に対してほとんどもっばらオルトおよ びバラでありそしてほとんどパラである。しかしながら、上記生成物は1分子あ たり4個のフェノール基を有しておりそしてこれらの任意の1つがグリオキサー ルの他の分子と反応することができ、このグリオキサールは次にフェノールの他 の3分子とさらに縮合して構造式を与える。上記オリゴマー生成物は2のグリオ キサールに対して7のフェノールのモル割合から生ずる0次にこのオリゴマーは グリオキサールの他の分子と反応することができそしてこのグリオキサールの他 の分子は3つの追加のフェノールと反応して、3のグリオキサールに対して10 のフェノール基のモル比を有する構造式 を有する次に高いオリゴマーを得ることができる。同様のやり方で、その次に高 いオリゴマーは13:4のフェノール対グリオキサールのモル比を有し、その次 に高いオリゴマーは16:5であり、等々で、その場合限定モル比は3:lであ る。内部環化なしには3:1より低い比は決して達成されない、即ち、グリオキ サールの1分子はオリゴマーの少なくとも2個のフェノール部分と反応されるこ とが必要であることを述べる必要がある。同様のやり方で“単量体”である縮合 生成物は4:1のフェノール−グリオキサールの限定比を有する。“Monomer” production using phenol and glyoxal to illustrate the reaction In the simplest case where the product can be viewed as a product, it has the structure (in the formula , almost exclusively ortho and to the condensation point of phenol and glyoxal. It is very different and almost completely different. However, one molecule of the above product has four phenolic groups and any one of these is glyoxer. This glyoxal can then react with other molecules of phenol. Further condensation with three molecules gives the structural formula. The above oligomeric product is a glioma of 2. This oligomer of zero order resulting from a molar ratio of phenol to xal of 7 is Glyoxal can react with other molecules and this glyoxal other molecule reacts with three additional phenols to give a ratio of 10 to 3 glyoxal. Structural formula with molar ratio of phenolic groups of The next higher oligomer with . In a similar manner, then The oligomer has a phenol to glyoxal molar ratio of 13:4, followed by oligomers with a high ratio of 16:5, etc., in which case the limiting molar ratio is 3:1. Ru. Ratios lower than 3:1 are never achieved without internal cyclization, i.e. One molecule of Sahl is reacted with at least two phenolic moieties of the oligomer. It is necessary to state that this is necessary. Condensation of “monomers” in a similar manner The product has a phenol-glyoxal limiting ratio of 4:1.

縮合生成物は上に述べたとおりそれ自体フェノールでありそしてオリゴマーの混 合物である。この混合物は分子あたりのフェノール部分の数により特徴づけられ る0本発明は1分子あたり4〜約60のフェノール部分そしてさらに普通には1 分子あたり4〜約22のフェノール部分を有する縮合生成物に関する。生成物は オリゴマーの混合物であり、好ましい混合物は1分子あたり平均として約5〜約 8のフェノール部分を有することにより特徴づけられる。The condensation product is itself a phenol as mentioned above and is a mixture of oligomers. It is a compound. This mixture is characterized by the number of phenolic moieties per molecule. The present invention contains from 4 to about 60 phenolic moieties per molecule, and more usually 1 Concerning condensation products having from 4 to about 22 phenolic moieties per molecule. The product is A mixture of oligomers, preferred mixtures having an average of about 5 to about 5 oligomers per molecule. It is characterized by having 8 phenolic moieties.

さらに特定的には、ジアルデヒドがグリオキサールでありそしてフェノールがフ ェノール自体である場合、各々のオリゴマー状生成物は約400〜6000そし てさらに望ましくは約400〜2200の分子量を有する。オリゴマー状生成物 の混合物は約500〜約800の平均分子量により特徴づけられることができる 。More specifically, the dialdehyde is glyoxal and the phenol is fluorine. In the case of phenol itself, each oligomeric product has about 400 to 6000 More preferably, it has a molecular weight of about 400 to 2,200. oligomeric products can be characterized by an average molecular weight of about 500 to about 800. .

本発明の熱硬化性樹脂は上記オリゴマー状縮合生成物のエーテルである0本発明 の一つの変形において、フェノール縮合生成物は最終樹脂をさらに難燃性にする ためにエーテル形成のまえにハロゲン化される。増大した難燃性は特にハロゲン が塩素または臭素である場合に生じそして臭素化生成物の使用が好ましい。ハロ ゲンはフェノール性ヒドロキシル基に対してオルトおよびパラの位置に導入され る。もしすべてのオルトおよびバラの位置が利用できるならば1つのフェノール 部分あたり最大の3個のハロゲン原子が導入されることができる。ときには最大 より少ないハロゲン含有量が有利であるけれども、多くの場合は最大的にハロゲ ン化されたオリゴマー状縮合生成物をつ(るのが望ましい、しかし前者の場合に 、1つのフェノール部分あたり少なくとも1つの塩素または臭素原子が存在する ことは明らかであろう、フェノール縮合生成物は、実質的にすべて(約99.5 %より大)のヒドロキシルをエーテル部分に変換するように封鎖される。エーテ ル部分の各々は、ビニルベンジル対すべての他のエーテル部の比が少なくともl :1そして6:1はどの高さであってよい場合の第1タイプのオリゴマーに関し て上記したとおりにビニルベンジル、1〜10個の炭素原子を含有するアルキル 、5〜10個の炭素原子のシクロアルキルおよびベンジル部分からなる群からラ ンダムに選ばれる。The thermosetting resin of the present invention is an ether of the above oligomeric condensation product. In one variation, the phenolic condensation product makes the final resin even more flame retardant. halogenated prior to ether formation. Increased flame retardancy is particularly important for halogen is chlorine or bromine and the use of brominated products is preferred. Halo The gene is introduced at the ortho and para positions to the phenolic hydroxyl group. Ru. One phenol if all ortho and rose positions are available A maximum of 3 halogen atoms per moiety can be introduced. sometimes maximum Although lower halogen content is advantageous, in many cases maximum halogen content It is desirable to collect oligomeric condensation products, but in the former case , there is at least one chlorine or bromine atom per phenolic moiety It will be clear that substantially all of the phenol condensation products (approximately 99.5 %) of the hydroxyls are capped to convert them to ether moieties. Aete Each of the ether moieties has a ratio of vinylbenzyl to all other ether moieties of at least 1 :1 and 6:1 for the first type of oligomer, which height may be vinylbenzyl, alkyl containing 1 to 10 carbon atoms, as defined above; , cycloalkyl and benzyl moieties of 5 to 10 carbon atoms. chosen randomly.

プレポリマーは二価フェノールをホルムアルデヒドと酸触媒作用縮合反応させ、 次にこれらをエーテルに変化させることにより実質的にすべてのフェノール性ヒ ドロキシルを末端封鎖することにより造られることができる。酸触媒作用縮合反 応は末端ヒドロキシルメチレン基(−CH!O)りの形成を避けることが好まし い、エーテル形成による末端封鎖は塩基性媒体中でフェノール縮合生成物をハロ ゲン化フルキルまたはハロゲン化ベンジルと反応させることによるような任意の 適当手段により行なわれることができる。The prepolymer is produced by an acid-catalyzed condensation reaction of dihydric phenol with formaldehyde. Virtually all phenolic hydrogen can then be removed by converting these into ethers. It can be made by end-capping droxyl. acid catalyzed condensation reaction In reaction, it is preferable to avoid the formation of terminal hydroxyl methylene groups (-CH!O). However, end-capping by ether formation converts phenol condensation products into halo in basic medium. any such as by reacting with a furkyl or benzyl halide. This can be done by any suitable means.

得られた熱硬化性オリゴマーは種々の硬化手段により関連する架橋結合とともに 重合されることができる。硬化が熱手段により行なわれる場合、それは一般に約 100〜300℃そしてさらに特定的には約120〜300℃の温度で空気中ま たは不活性雰囲気中でオリゴマー樹脂を加熱することにより自動的に開始される 。硬化はまたアゾ−ビス−イソブチロニトリル、過酸化ベンゾイル、ジー1−ブ チルペルオキシド等のような遊離基開始剤を用いる化学的手段によりもたらせる ことができる0本発明において、硬化は増感剤または光開始剤の存在下にまたは 不存在下に、特に可視光線または紫外光線による照射により始められ、次に熱硬 化して不融性、不溶性のガラス状固体を生成する。The resulting thermosetting oligomers are cured with associated crosslinks by various curing means. Can be polymerized. If curing is carried out by thermal means, it will generally be approximately in air at a temperature of 100-300°C and more specifically about 120-300°C. or automatically by heating the oligomer resin in an inert atmosphere. . Curing can also be performed using azo-bis-isobutyronitrile, benzoyl peroxide, di-butyronitrile, can be effected by chemical means using free radical initiators such as chil peroxide etc. In the present invention, curing is carried out in the presence of a sensitizer or photoinitiator or irradiation, especially with visible or ultraviolet light, followed by heat curing. to form an infusible, insoluble glassy solid.

口 hotodefinable 本オリゴマーは不動態化剤として、インターレベル(interlevel)誘 電体として、デバイスデーブ誘電体分離(絶縁体分離トレンチ)を提供する手段 として、高温ハンダマスクとして、ホトレジスト等として使用されることができ る。以下には多くは主としてインターレベル誘電体としてその用途を記載するけ れども当業者は本発明の材料を他の適用分野において同様にどのように使用する かはこの記載から認識するだろう。Mouth hotdefinable This oligomer can be used as a passivating agent to induce interlevel As an electric body, the device Dave means to provide dielectric isolation (insulator isolation trench) Can be used as, as high temperature solder mask, photoresist etc. Ru. Many of the following will mainly describe their uses as interlevel dielectrics. However, those skilled in the art will know how to use the materials of the invention in other applications as well. You will recognize it from this description.

オリゴマーは適当な基体に被覆として適用される。被覆は2〜15μmの厚さを 有するのが好ましく、5〜10μmが最も好ましい、たいていの部分のためには 使用される基体はシリコンウェーハ、集積回路のシリコンチップ、印刷回路板ま たはセラミック基板である。感光性オリゴマーはスピンコーティングにより、ス プレーコーティングにより、ドクターナイフの使用によりあるいは均一な被覆を 得るために当業界に知られている任意の他の従来の技術により適用されることが できる。粘度が過渡に高い場合には適当な溶媒中の樹脂の溶液が使用されること ができる。オリゴマーは極性非プロトン溶媒、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化 水素、ケトン、エステル等を包含する広いクラスの溶媒に可溶性である0本発明 の実施において使用されることができる溶媒の例はジメチルホルムアミド(DM F) 、ヘキサメチルホスホルアミド(HMPA) 、N−メチルアセトアミド (NMAc)、N、N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、ジメチルスルホキ シド(DMSO) 、N−メチルピロリドン(NMP) 、ベンゼン、トルエン 、キシレン、エチルベンゼン、クメン、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化 炭素、クロロベンゼン、テトラクロロエタン、テトラクロロエチレン、トリクロ ロエタン、ガンマ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ヘ キサノン、ヘプタノン、オクタノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢 酸2−メトキシエチル、メトキシエタノール、エトキシエタノール、ジグリム、 トリグリム等を包含する。fJ媒は基体と感光性オリゴマーとの両方と非反応性 であるべきでありそして樹脂を溶解して少なくとも約10重量−容量パーセント 溶液を提供することができるべきである。溶媒はさらに処理するまえに典型的に は除去されるので出来るだけ低い沸点の溶媒が上記考慮と一致させて使用される のがまた好ましい。The oligomer is applied as a coating to a suitable substrate. The coating has a thickness of 2 to 15 μm. For most parts, it is preferred to have, most preferably 5-10 μm. The substrates used are silicon wafers, integrated circuit silicon chips, printed circuit boards or or a ceramic substrate. Photosensitive oligomers are made by spin coating. By spray coating, by using a doctor knife or evenly coat the coating. can be applied by any other conventional technique known in the art to obtain can. If the viscosity is transiently high, a solution of the resin in a suitable solvent should be used. Can be done. Oligomers are polar aprotic solvents, aromatic hydrocarbons, halogenated carbonized The present invention is soluble in a wide class of solvents including hydrogen, ketones, esters, etc. An example of a solvent that can be used in the practice of is dimethylformamide (DM F), hexamethylphosphoramide (HMPA), N-methylacetamide (NMAc), N,N-dimethylacetamide (DMAc), dimethylsulfo Sid (DMSO), N-methylpyrrolidone (NMP), benzene, toluene , xylene, ethylbenzene, cumene, dichloromethane, chloroform, tetrachloride Carbon, chlorobenzene, tetrachloroethane, tetrachloroethylene, trichloro loethane, gamma-butyrolactone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, Xanone, heptanone, octanone, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, vinegar 2-methoxyethyl acid, methoxyethanol, ethoxyethanol, diglyme, Includes triglyme and the like. The fJ medium is non-reactive with both the substrate and the photosensitive oligomer. and the resin should be dissolved at least about 10 weight-volume percent. Should be able to provide solutions. The solvent is typically is removed, so a solvent with the lowest possible boiling point is used consistent with the above considerations. It is also preferable.

オリゴマーは直接光重合されることができるけれども、光増感剤または光開始剤 が使用されてもよくそして照射時間を減少させるために有用であり得る。光増感 剤または光開始剤が使用される場合、それは被覆する段階でオリゴマーと共に加 えられそしてオリゴマーに関連して約0.001〜約5.0重量パーセントの量 で増大するだろう0本発明の実施において連続的に使用されることができる光増 感剤または光開始剤の例は、ベンゾフェノン、4.4′−ビス(ジメチルアミノ )ベンゾフェノン、4.4′−ジメトキシベンゾフェノン、キサントン、アセト フェノン、4−トリフルオロメチル−アセトフェノン、トリフェニレン、チオキ サントン、アントラキノン、4−フェニルベンゾフェノン、ナフタレン、2−ア セトナフタレン、1−アセトナフタレン、クリセン、アントラセン、9.10− ジクロロアントラセン、ピレン、トリフェニレン、1−フルオロナフタレン、1 −クロロナフタレン、1−ブロモナフタレン、1−ヨードナフタレン、1.3− ジシアノベンゼン、イソフタル酸ジメチル、イソフタル酸ジエチル、3−シアノ 安息香酸メチル、3−シアノ安息香酸エチル、3−シアノ安息香酸フェニル、2 ゜2−ジメトキシアセトフェノン、2.2−ジェトキシアセトフェノン、2,2 ′−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2.2’−ジェトキシ−2−フ ェニルアセトフェノン、ベンゾインメチルエーテルおよび1−フェニル−1,2 −ブロパンジオンー2−0−ベンゾイルオキシムを包含する。好ましい増感剤は ベンゾフェノン、4.4′−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、1.3− ジシアノベンゼン、イソフタル酸ジメチル、イソフタル酸ジエチル、3−シアノ 安息香酸メチル、および3−シアノ安息香酸フェニルを包含する。Although the oligomer can be directly photopolymerized, a photosensitizer or photoinitiator may be used and may be useful to reduce irradiation time. photosensitization If an agent or photoinitiator is used, it is added along with the oligomer during the coating step. from about 0.001 to about 5.0 weight percent relative to the oligomer. The light intensifier that can be used continuously in the practice of the present invention will increase at 0. Examples of sensitizers or photoinitiators are benzophenone, 4,4'-bis(dimethylamino ) benzophenone, 4,4'-dimethoxybenzophenone, xanthone, acetate Phenone, 4-trifluoromethyl-acetophenone, triphenylene, thioxy Santhone, anthraquinone, 4-phenylbenzophenone, naphthalene, 2-a Setonaphthalene, 1-acetonaphthalene, chrysene, anthracene, 9.10- Dichloroanthracene, pyrene, triphenylene, 1-fluoronaphthalene, 1 -chloronaphthalene, 1-bromonaphthalene, 1-iodonaphthalene, 1.3- Dicyanobenzene, dimethyl isophthalate, diethyl isophthalate, 3-cyano Methyl benzoate, ethyl 3-cyanobenzoate, phenyl 3-cyanobenzoate, 2 ゜2-dimethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxyacetophenone, 2,2 '-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2'-jethoxy-2-phenyl Phenylacetophenone, benzoin methyl ether and 1-phenyl-1,2 -bropanedione-2-0-benzoyloxime. The preferred sensitizer is Benzophenone, 4.4'-bis(dimethylamino)benzophenone, 1.3- Dicyanobenzene, dimethyl isophthalate, diethyl isophthalate, 3-cyano Includes methyl benzoate, and phenyl 3-cyanobenzoate.

感光性オリゴマーが基体に溶液として適用された場合、使用された溶媒は照射ま えに除去されなければならない、したがって、照射まえに、もし存在するならば 存在する本質的にすべての溶媒を除去するのに十分な時間の間被覆された基体を 加熱するのが慣例であり、“ソフトベーキング(softbake) ”として 知られている段階である。低い沸点の溶媒の使用が好ましいのはこの理由のため である。When the photosensitive oligomer is applied as a solution to the substrate, the solvent used is not irradiated or Therefore, before irradiation, if present, coated substrate for a period sufficient to remove essentially all solvent present. It is customary to heat the This is a known stage. It is for this reason that the use of low boiling point solvents is preferred. It is.

オリゴマーは特に約110℃はどの低さの温度で硬化が始まる可能性があるので 、半硬化被覆を提供するのに十分な熱を使用するのが許容できる。ソフトベーキ ングは真空中で、不活性な雰囲気(例えば、窒素、ヘリウム、アルゴン等)下で または空気中で行なわれることができる。Oligomers can begin to harden at temperatures as low as about 110°C. , it is acceptable to use sufficient heat to provide a semi-cured coating. soft bake The process is carried out in vacuum under an inert atmosphere (e.g. nitrogen, helium, argon, etc.). Or it can be done in air.

所望のパターンまたは画像を含有するマスクは被覆された基体に接触してまたは 近接して置かれそしてオリゴマー被覆は次にX線、電子ビーム、イオンビーム、 紫外線または可視光線によってマスクを通して照射される。経済上の理由のため にそして製造の容易性の理由のために約200〜約800ナノメーターの範囲の 放射線を使用するのが好ましい、低い波長の放射線により良好な解像度を提供す る傾向があるので200〜500nm範囲の放射線が好ましい、この処理を用い ると、被覆の照射された部分は架橋結合され、その結果光架橋結合されたオリゴ マーは元の感光性オリゴマーがまったく可溶性のままである同じ溶媒中にかなり 不溶性である。A mask containing the desired pattern or image is placed in contact with the coated substrate or placed in close proximity and the oligomer coating is then exposed to X-rays, electron beams, ion beams, Irradiation through the mask by ultraviolet or visible light. for economic reasons and in the range of about 200 to about 800 nanometers for reasons of ease of manufacture. It is preferable to use radiation, as lower wavelength radiation provides better resolution. Radiation in the 200-500 nm range is preferred as it tends to The irradiated portions of the coating are then crosslinked, resulting in photocrosslinked oligos. mer remains quite soluble in the same solvent in which the original photosensitive oligomer remains completely soluble. Insoluble.

照射は酸素の存在下でもまたは不存在下でもいずれにおいても行なわれることが できる。所望される示差的溶解度特性を提供するのに適当な光架橋結合のために 必要な露光時間は使用する光の波長、その強度、光増感剤または光開始剤の存在 または不存在等によって左右され、2.3秒から数分に変化する。製造の目的の ために、より短かい露光時間が高度に好ましい。本発明の感光性オリゴマーの一 つの望ましい特性はそれらがフィルムの全体の厚さにわたって光化学的に架橋結 合することである。したがってパターンは現像の際まったくアンダーカッティン グを示さないかまたはほとんど示さない。Irradiation can be carried out either in the presence or absence of oxygen. can. For suitable photocrosslinking to provide the desired differential solubility properties The required exposure time depends on the wavelength of the light used, its intensity, and the presence of a photosensitizer or photoinitiator. It varies from 2.3 seconds to several minutes depending on the presence or absence of the device. manufacturing purpose Therefore, shorter exposure times are highly preferred. One of the photosensitive oligomers of the present invention Two desirable properties are that they are photochemically cross-linked throughout the entire thickness of the film. It is to match. Therefore, the pattern is completely undercut during development. Shows little or no sign.

選択的なパターンは溶媒を用いての現像の際に現われる。上記のように、照射に より感光性オリゴマー樹脂は広範囲に架橋結合されてオリゴマーの架橋結合され た、即ち照射された部分とオリゴマーの架橋結合されていない、即ち照射されて ない部分との間に大きな差のある溶解度を引き続いて有するようになる。現像に おいて使用される溶媒は一般に被覆する目的のためにオリゴマーの溶液をつくる のに使用された溶媒と同じ溶媒である。したがって溶媒のクラスは非プロトン溶 媒、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ケトン類、エステル類、グリム類、 カルピトール、混合溶媒系等を包含する。A selective pattern appears upon development with a solvent. As mentioned above, for irradiation The more photosensitive oligomer resins are extensively cross-linked, the more the oligomers are cross-linked. i.e., the irradiated portion and the oligomer are not cross-linked, i.e., the irradiated portion is It continues to have a large difference in solubility between the parts that are not present. For development Solvents used in generally create solutions of oligomers for coating purposes. This is the same solvent used for. Therefore, the class of solvents is solvents, aromatic hydrocarbons, halogenated hydrocarbons, ketones, esters, glymes, Includes calpitol, mixed solvent systems, etc.

現像により、高くなった部分が光化学的に架橋結合されたオリゴマーに相当する 選択的パターンが現われる。これらのレリーフ構造物は次に熱により硬化されて 、高温、化学的劣化およびイオン移動に対して高度に抵抗性でありそして有効な 保護層および誘電絶縁体として役に立つ高度に架橋結合された不溶融性のガラス 状固体を提供する。硬化はズニル基の架橋結合により伴ないそして熱的に、化学 的にまたは光化学的に行なわれることができ、熱的硬化が好ましい。熱的硬化は 一般に約り00℃〜約300℃の範囲の温度範囲で行なわれそしてしばしば複数 の段階で行なわれる。そこで例えば、硬化は最初に0.5〜5時間約150℃〜 約200℃の温度で行なわれ、そのあとの硬化は約0.5〜24時間約180℃ 〜300℃で行なわれる。硬化はまたアゾ−ビス−イソブチロリトリル、過酸化 ベンゾイル、ジーも一ブチルペルオキシド等のような遊離基開始剤を用いて行な われることができる。The raised area after development corresponds to photochemically cross-linked oligomers. A selective pattern emerges. These relief structures are then hardened by heat. , highly resistant to high temperatures, chemical degradation and ionic migration and effective Highly cross-linked, infusible glass that serves as a protective layer and dielectric insulator Provides a solid. Curing is accompanied by cross-linking of the Zunyl groups and thermally, chemically Curing can be carried out manually or photochemically, with thermal curing being preferred. Thermal curing is Generally carried out over a temperature range of about 00°C to about 300°C and often multiple It is carried out at the stage of Therefore, for example, curing is performed at approximately 150°C for 0.5 to 5 hours. Curing is carried out at a temperature of approximately 200°C, followed by curing at approximately 180°C for approximately 0.5 to 24 hours. Performed at ~300°C. Curing is also possible with azo-bis-isobutyrolitrile, peroxide It is also carried out using free radical initiators such as benzoyl, monobutyl peroxide, etc. It can be done.

本発明のオリゴマーはそれらが高い濃度の固形分を有する溶液として被覆される ことができそしてしたがって蒸発させなければならない溶媒がより少ないので、 光規定可能な(photodef 1nable)適用において特に有用である ことが見い出された。また、硬化中揮発性副生成物が発生しないのでフィルムの 収縮がほとんどない。The oligomers of the invention are coated as a solution where they have a high solids concentration. since less solvent can be used and thus has to be evaporated, Particularly useful in photodefinable applications It was discovered that Also, since no volatile by-products are generated during curing, the film There is almost no contraction.

芝I処理 基体(即ち、セラミック、アルミナ、シリコン、プリント配線板、等)は、当業 界に知られているとおりの通常の清浄化方法を用い、従来の清浄化用溶媒(例え ば塩化メチレン、クロロホルム、ゼネソルブ@(Genesolv@ )、トリ クロロエチレン、エタノール、メタノール、亜硫酸水素ナトリウム、亜硫酸ナト リウム、亜硫酸カリウム等)を用いて清浄化されることができる。さらに基体は その上にすでに溶着されている回路を含有してもよい、1&体は清浄化処理後使 用されてもよくまたは基体と金属および(または)重合体誘電体層との間の接着 性を増大させるために表面処理されてもよい。Turf I treatment Substrates (i.e., ceramic, alumina, silicon, printed wiring boards, etc.) can be prepared by those skilled in the art. Using conventional cleaning methods as known in the art, using conventional cleaning solvents (e.g. For example, methylene chloride, chloroform, Genesolv@, tri Chloroethylene, ethanol, methanol, sodium bisulfite, sodium sulfite potassium sulfite, etc.). Furthermore, the base May contain circuits already welded onto it, 1&body should be used after cleaning process. Adhesion between a substrate and a metal and/or polymeric dielectric layer may be used or It may be surface treated to increase its properties.

もし使用されるならば基体と誘電体層との接着促進側は本発明の重合体と反応す ることができる反応性基を含有する表面シリル化剤の範囲から選ばれることがで きる。使用できる表面シリル化剤の例は、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニ ルトリメトキシシラン、ビニルメチルジェトキシシラン、ビニルトリエトキシシ ラン、ジェトキシメチルビニルフェネチルシラン、ジメトキシメチルビニルフェ ネチルシラン、トリエトキシビニルフェネチルシラン、トリメトキシビニルフェ ネチルシラン等である。好ましいシリル化剤はビニルメチルジメトキシシラン、 ビニルメチルジェトキシシラン、ジェトキシメチルビニルフェネチルシランおよ びジメトキシメチルビニルフェネチルシランである0表面シリル化剤はアルコー ル−水溶液から浸漬、スピンコーティングまたは他の技術により基体上に適用さ れる0例えばシリル化剤の1〜10重量%溶液はアルコール(例えばメタノール 、エタノール、イソプロパツール等)の85〜98重量%および水の1〜13重 量%の中に溶解される。基体はこの溶液の中に15秒〜5分間浸漬され、1分〜 5時間空気乾燥されそして次に対流オーブン、真空オーブンまたはホットプレー トのいずれかの中で60℃〜100℃で1分〜5時間ソフトベーキングされる。If used, the adhesion promoting side between the substrate and the dielectric layer will react with the polymer of the invention. may be selected from a range of surface silylating agents containing reactive groups that can Wear. Examples of surface silylating agents that can be used are vinylmethyldimethoxysilane, vinyl rutrimethoxysilane, vinylmethyljethoxysilane, vinyltriethoxysilane Ran, Jetoxymethylvinylphenethylsilane, Dimethoxymethylvinylphenethylsilane Netylsilane, triethoxyvinylphenethylsilane, trimethoxyvinylphene Such as netylsilane. Preferred silylating agents are vinylmethyldimethoxysilane, Vinylmethyljethoxysilane, jetoxymethylvinylphenethylsilane and The surface silylating agent is alcohol and dimethoxymethylvinylphenethylsilane. - Applied onto a substrate by dipping, spin coating or other techniques from an aqueous solution. For example, a 1-10% by weight solution of the silylating agent can be prepared in an alcohol (e.g. methanol). , ethanol, isopropanol, etc.) and 1 to 13 parts by weight of water. Dissolved in the amount%. The substrate is immersed in this solution for 15 seconds to 5 minutes, and then for 1 minute to 5 minutes. air dried for 5 hours and then placed in a convection oven, vacuum oven or hot plate Soft baking is performed at 60° C. to 100° C. for 1 minute to 5 hours.

清浄化されそして(または)表面処理された基体は金属パターンでカバーされ、 その後に本発明の誘電体層でカバーされる0例えばクロムの500〜1000人 の層、銅の8000〜20000人の層およびクロムの500〜1ooo人の層 が表面上にスパッタリングされてもよい0次に金属層は市販ホトレジストで被覆 されそしてスピンコーティング、ソフトベーキング、画像形成、現像およびハー ドベーキングのサイクルを利用する推奨される処理計画に従って処理される。こ れはパターンを造るためにエツチングにより除去されるべき金属層の部分を露出 している。金属は標準の湿潤技術を利用してエツチングされる;例えば頂部のク ロム層はアルミニウムで活性化された1〜30%塩酸溶液で10秒〜5分間エツ チングされ、銅層は過硫酸ナトリウム溶液で10秒〜1o分間エツチングされ、 底部のクロム層はアルミニウムで活性化された1〜30%塩酸で10秒〜5分間 エツチングされ、そして最後にエツチングされた基体は10〜60秒間脱イオン 水で洗浄される9次に、残っているホトレジストは、ホトレジストのために推奨 される処理技術に従って金属パターンからストリッピングされる。最後に清浄化 された基体は次の処理工程の前に乾燥される。The cleaned and/or surface treated substrate is covered with a metal pattern, 500 to 1000 of e.g. chromium, which is then covered with a dielectric layer of the invention. layer, 8000~20000 layer of copper and 500~1ooo layer of chromium A zero-order metal layer may be sputtered onto the surface and coated with a commercially available photoresist. and spin coating, soft baking, imaging, development and hardening. Processed according to a recommended treatment plan that utilizes a baking cycle. child This exposes the portion of the metal layer that is to be etched away to create the pattern. are doing. The metal is etched using standard wet techniques; e.g. The ROM layer is etched in a 1-30% hydrochloric acid solution activated with aluminum for 10 seconds to 5 minutes. the copper layer was etched with sodium persulfate solution for 10 seconds to 10 minutes; The bottom chrome layer was treated with aluminum activated 1-30% hydrochloric acid for 10 seconds to 5 minutes. etched and finally the etched substrate is deionized for 10-60 seconds. 9. Next, the remaining photoresist is washed with water, recommended for photoresist The metal pattern is stripped from the metal pattern according to a processing technique used. Finally clean up The treated substrate is dried before the next processing step.

誘電体層は基体およびその金属パターン上に被覆されそして次のとおりに処理さ れる;適当な溶媒(トルエン、NMP、DMF等)中のプレポリマー(例えば1 0〜80重量%)が30〜90秒間500〜250Orpm(7)速度で基体上 ニスピンコーティングされ、プレポリマーを被覆された基体は、窒素ブリード( bleed)を用いてまたは窒素ブリードなしに真空オーブン中で15分〜24 時間25〜60℃の温度でソフトベーキングされ、次にソフトベーキングされた 被覆はバイアス(vtas”)等のための所望のデザインのマスクを使用して1 5秒〜30分間紫外光源(220〜320 nmの範囲)を用いて画像形成され 、次に光硬化された重合体は5〜120秒間超音波を用いてまたは超音波を使用 せずにあるいはスプレィにより25〜35℃で適当な溶媒システム(例えば、ト ルエン、トルエン/ヘキサン、トルエン/エタノール、シクロヘキサン、酢酸エ チル、酢酸ブチル、ジグリム等)を用いて現像され、次に現像された基体は、現 像用溶媒とは混和性であるがしかし重合体システムのためには貧溶媒である溶媒 システム(例えばヘキサン、ペンタン、エタノール等)に基づいて停止浴または リンス浴または溶媒スプレーにさらされることができ(任意工程)、次にバイア ス(vias)は、プラズマエツチングまたはウェットエツチングを用いて清浄 化されそして最後に乾燥された基体は、30分〜10時間25℃から300℃へ の傾斜で加熱し、5時間300℃に維持しそして次に30分間〜10時間300 ℃から25°Cへの傾斜で冷却することを包含する好ましい硬化サイクルを用い て真空中でまたは不活性雰囲気(i[素、アルゴン等)中でハードベーキングさ れる。A dielectric layer is coated on the substrate and its metal pattern and processed as follows. prepolymer (e.g. 1 0-80 wt%) on the substrate at a speed of 500-250 Orpm (7) for 30-90 seconds. Nispin-coated, prepolymer-coated substrates are treated with nitrogen bleed ( bleed) or without nitrogen bleed in a vacuum oven for 15 to 24 minutes. Soft baked at a temperature of 25-60℃ for an hour, then soft baked The coating is done using a mask of the desired design for the bias (vtas) etc. Images were formed using an ultraviolet light source (220-320 nm range) for 5 seconds to 30 minutes. , then the photocured polymer is cured using ultrasound for 5-120 seconds or using ultrasound. in a suitable solvent system (e.g. toluene, toluene/hexane, toluene/ethanol, cyclohexane, acetic acid butyl, butyl acetate, diglyme, etc.) and then the developed substrate is Solvents that are miscible with imaging solvents but are poor solvents for polymeric systems. Stop bath or based on system (e.g. hexane, pentane, ethanol etc.) Can be exposed to a rinse bath or solvent spray (optional step), then via Vias are cleaned using plasma etching or wet etching. The cured and finally dried substrate was heated from 25°C to 300°C for 30 minutes to 10 hours. Heat at a ramp of 300°C for 5 hours and then 300°C for 30 minutes to 10 hours. Using a preferred curing cycle that includes cooling with a ramp from 25°C to 25°C, Hard-baked in vacuum or in an inert atmosphere (i.e., argon, etc.) It will be done.

その処理は、所望の電気的および誘電的水準の電子相互接続構造体を形成するた めに必要に応じて繰り返えされる。The processing is performed to form electronic interconnect structures of desired electrical and dielectric level. be repeated as necessary.

50.0.のビスフェノール−A−ホルムアルデヒド(BPA−F)(Mn−3 94、Mw=680.1,7の分散度(dispersity) )は機械的か きまぜ機、温度計、熱監視器(There−0−Watch)、追加漏斗および 窒素パージを設けた1000dの3つ首丸底フラスコ中の220Jdのアセトン 中に溶解された。66ミリリツトル(0,4644モル)の塩化ビニルベンジル (60/40のバラ/メタm性体止)を反応混合物に加えそして30分間かきま ぜた0反応混合物を65℃に加熱しそして次にメタノールの143ミリリツトル 中の水酸化カリウムの41.80 g (0゜745モル)を1時間の時間にわ たって反応混合物に加えた1反応混合物を1時間還流加熱させた。かきまぜなが ら反応混合物を周囲の温度に冷却しそしてさらに18時間かきまぜた0反応混合 物を回収し、硫酸マグネシウム上で乾燥し、ろ過しそして真空下濃縮してMn− 501、Mw−778,1,6の分散度の赤色樹脂状生成物を得た。50.0. Bisphenol-A-formaldehyde (BPA-F) (Mn-3 94, Mw = 680.1. Is the dispersity of 7 mechanical? Stirrer, thermometer, heat monitor (There-0-Watch), addition funnel and 220 Jd of acetone in a 1000d three neck round bottom flask with nitrogen purge dissolved in 66 milliliters (0,4644 moles) of vinylbenzyl chloride (60/40 rose/metam) was added to the reaction mixture and stirred for 30 minutes. Heat the reaction mixture to 65°C and then add 143 ml of methanol. 41.80 g (0°745 mol) of potassium hydroxide in The reaction mixture was heated to reflux for 1 hour. Stirring The reaction mixture was cooled to ambient temperature and stirred for an additional 18 hours. The material was collected, dried over magnesium sulfate, filtered and concentrated under vacuum to give Mn- A red resinous product with a dispersity of 501, Mw-778, 1,6 was obtained.

5TBPA−F 70VBz OPr 次のとおりにしてビスフェノール−A−ホルムアルデヒド(BPA−F)を遣っ た:ビスフェノールーAの456.58g(2,00モル)、パラホルムアルデ ヒドの90.00g(100モルのホルムアルデヒド官能性)および500ミリ リツトルのエタノールは機械かきまぜ機、温度計、熱監視器(Ther輸−0J latch)、コンデンサー、追加漏斗および窒素パージを設けた2000ミリ リツトルの3つ首フラスコ中に装入された0反応混合物を80゛Cに加熱し、2 .OOミリリットルの濃硫酸を30分の間隔にわたって滴下して加えた0反応を 1日間80℃に維持した。5TBPA-F 70VBz OPr Use bisphenol-A-formaldehyde (BPA-F) as follows: : 456.58g (2,00mol) of bisphenol-A, paraformalde 90.00 g of hydride (100 moles of formaldehyde functionality) and 500 m A little ethanol is prepared using a mechanical stirrer, a thermometer, and a heat monitor (Ther-0J). latch), condenser, addition funnel and nitrogen purge. The reaction mixture, placed in a three-necked flask, was heated to 80 °C and 2 .. 0 reaction in which OO ml of concentrated sulfuric acid was added dropwise over 30 min intervals. It was maintained at 80°C for 1 day.

ディーン・スタークトラップを備えた反応器を用いて溶媒を反応混合物から蒸留 そして次に樹脂をアルミニウムのさらに注入してMn=740、Mw−8800 ,12,0の分散度の樹脂の50g7gを生成した。Distilling the solvent from the reaction mixture using a reactor equipped with a Dean-Stark trap Then, resin is further injected into aluminum to obtain Mn=740, Mw-8800. , 50 g 7 g of resin with a dispersity of , 12,0 were produced.

機械的かきまぜ機、追加漏斗、コンデンサー、温度計、窒素パージおよび熱監視 器(There−0−11atch)を設けた2 000dの3つ首丸底フラス コ中の700ミリリツトルのN−メチルピロリジノン(NMP)中に上記BPA −Fの228.31グラムを溶解した。この反応混合物に21167g (1, 400モル)の塩化ビニルベンジル(60/40のパラ/メタの異性体比)およ び0.10 gの2,6−ジter t−ブチル−P−クレゾール(BIT)を 加えた0反応混合物を60℃に加熱しそして325ミリリツトルのメタノール中 の水酸化カリウムの98.2g(1゜750モル)を1.5時間の間隔にわたっ て滴下して加えた。窒素パージ下かきまぜながら19時間60℃で反応を維持し た。その反応混合物に臭化n−プロピルの99.63 g (0,810モル) を加え、次にこの反応混合物に2時間間隔にわたって1501dのメタノール中 の水酸化カリウムの45.45 g (0,810モル)を加え、反応を18時 間60℃に維持した。室温に冷却後、反応混合物を別の漏斗に移し、2リツトル のトルエンを加えそして次に2リツトルの水で4回洗浄し、硫酸マグネシウム上 で乾燥し、ろ過しそして真空下ストリッピングして、Mn−1100、Mw−1 8000,17,0の分散度の樹脂の636.6gを生成した。Mechanical stirrer, addition funnel, condenser, thermometer, nitrogen purge and thermal monitoring 2000d three-necked round bottom frass with a container (There-0-11atch) The above BPA is added to 700 ml of N-methylpyrrolidinone (NMP) in a -228.31 grams of F were dissolved. To this reaction mixture, 21167 g (1, 400 mol) of vinylbenzyl chloride (60/40 para/meta isomer ratio) and and 0.10 g of 2,6-di-tert-butyl-P-cresol (BIT). The reaction mixture was heated to 60°C and dissolved in 325 ml of methanol. of potassium hydroxide over a period of 1.5 hours. and added dropwise. Maintain the reaction at 60 °C for 19 h with stirring under a nitrogen purge. Ta. 99.63 g (0,810 mol) of n-propyl bromide was added to the reaction mixture. was added and then the reaction mixture was diluted with 1501d in methanol over a 2 hour interval. 45.45 g (0,810 mol) of potassium hydroxide was added and the reaction was continued at 6 p.m. The temperature was maintained at 60°C. After cooling to room temperature, transfer the reaction mixture to another funnel and add 2 liters. of toluene and then washed four times with 2 liters of water and poured onto magnesium sulfate. dried, filtered and stripped under vacuum to give Mn-1100, Mw-1 636.6 g of resin with a dispersity of 8000.17.0 was produced.

IRは残留のヒドロキシル部分の存在を示さない。IR shows no residual hydroxyl moieties present.

」−1 スチレン ビス エノール−A−ホルムアル−ヒトのム5TBPA−F 70V Bz 30Prビスフェノール−A−ホルムアルデヒド(BPA−F)を次のと おりにして造った:機械的かきまぜ機、温度針、熱監視器(There−0−1 1atch)、コンデンサー、追加漏斗および窒素パージを備えた2000ミリ リツトルの3つ首フラスコ中に456.6g(:L00モル)のビスフェノール −A、45.04g(1,50モルのホルムアルデヒド官能性)のパラホルムア ルデヒドおよび350ミリリツトルのエタノールを装入した0反応混合物を80 ℃に加熱し、4.00ミリリ−/ トルの濃硫酸を5分間の間隔にわたって滴下 して加えた0反応を1日間80℃に維持した。”-1 Styrene Bis Enol-A-Formal-Human 5TBPA-F 70V Bz 30Pr bisphenol-A-formaldehyde (BPA-F) as follows Built as a cage: mechanical stirrer, temperature needle, heat monitor (There-0-1 1 patch), 2000 mm with condenser, addition funnel and nitrogen purge 456.6 g (:L00 mol) of bisphenol in a three-necked flask -A, 45.04 g (1,50 mol formaldehyde functionality) of paraforma The reaction mixture charged with aldehyde and 350 milliliters of ethanol was ℃ and dropwise addition of 4.00 milliliters/torr of concentrated sulfuric acid over 5 minute intervals. The zero reaction was added and maintained at 80°C for 1 day.

ディーシースタークトラップを備えた反応器を用いて溶媒を反応混合物からN1 1IIしそして次に樹脂をアルミニウムのさらに注入して、Mn−230、Mw −1400,5,8の分散度を有する樹脂の447.6gを生成した。The solvent was removed from the reaction mixture using a reactor equipped with a DC Stark trap. 1II and then the resin was further injected with aluminum to form Mn-230, Mw 447.6 g of resin with a dispersity of -1400.5.8 was produced.

機械的かきまぜ機、追加漏斗、コンデンサー、温度針、窒素パージおよび熱監視 器(Tber曽−0−Watch)を設けた2000ミリリツトルの3つ首丸底 フラスコ中の700ミリリツトルのN−メチルピロリジノン(NMP)中に22 8.29グラムの上記BPA−Fを溶解した。この反応混合物に、21167g  (1,400モル)の塩化ビニルベンジル(60/40のパラ/メタ異性体比 )および0.10 gの2゜6−シーtart−ブチル−p−クレゾール(BH T)を加えた0反応混合物を60℃に加熱しそしてメタノールの430ミリリツ トル中の水酸化カリウムの98.19g(1,750モル)を2時間間隔にわた って滴下して加えた。窒素パージ下かきまぜながら19時間60℃で反応を維持 した。臭化n−プロピルの99.63g(0,810モル)を反応混合物に加え 、次にこの反応混合物に230ミリリツトルのメタノール中の水酸化カリウムの 45.45g(0,810モル)を1.25時間間隔にわたって加え、その反応 を18時間60℃で維持した。処理後、反応混合物の小量の分画の分析は残留ヒ ドロキシル基を示す、その反応混合物に臭化n−プロピルの9.96 g (0 ,081モル)を加えそして次にメタノールの30ミリリツトル中の水酸化カリ ウムの4.54 g (0,081モル)を反応混合物に加えそして60℃で6 時間反応させた。室温に冷却後、反応混合物を別の漏斗に移し、1.5リツトル のトルエンを加えそして次に1リツトルの水で4回洗浄し、硫酸マグネシウム上 で乾燥し、ろ過しそして真空下ストリッピングするとMn−730、Mw−18 00,2,5の分散度の樹脂を334.73g生成した。IRは残留しドロキシ ル部分の存在を示さない。Mechanical stirrer, addition funnel, condenser, temperature needle, nitrogen purge and thermal monitoring 2000ml three-neck round bottom with a watch (Tber So-0-Watch) 22 in 700 milliliters of N-methylpyrrolidinone (NMP) in a flask. 8.29 grams of the above BPA-F was dissolved. To this reaction mixture, 21167 g (1,400 mol) of vinylbenzyl chloride (60/40 para/meta isomer ratio ) and 0.10 g of 2°6-tart-butyl-p-cresol (BH Heat the reaction mixture to 60°C and add 430ml of methanol. 98.19 g (1,750 moles) of potassium hydroxide in I added it dropwise. Maintain reaction at 60 °C for 19 h with stirring under nitrogen purge. did. 99.63 g (0,810 mol) of n-propyl bromide was added to the reaction mixture. , then this reaction mixture was added with 230 milliliters of potassium hydroxide in methanol. 45.45 g (0,810 mol) was added over a 1.25 hour interval and the reaction was maintained at 60°C for 18 hours. After treatment, analysis of a small fraction of the reaction mixture 9.96 g of n-propyl bromide (0 , 081 mol) and then potassium hydroxide in 30 ml of methanol. 4.54 g (0,081 mol) of um were added to the reaction mixture and heated at 60 °C. Allowed time to react. After cooling to room temperature, transfer the reaction mixture to another funnel and add 1.5 liters. of toluene and then washed four times with 1 liter of water and poured onto magnesium sulfate. dried, filtered and stripped under vacuum to give Mn-730, Mw-18 334.73g of resin with a dispersity of 00,2,5 was produced. IR remains and droxy does not indicate the existence of the file part.

例−土 スチレン ビスフェノール−A−ホルムアル−゛ヒ゛−ジヒドロキシベンゾフェ /70)金1(STBPA−F−BP 70VBz 30Pr))ビスフェノー ル−A−ホルムアルデヒド−ジヒドロキシベンゾフェノン(BPA−F−BP) を次のとおりにして造った:機械的かきまぜ機、温度計、熱監視器(There −0−Watch)、コンデンサー、追加漏斗および窒素パージを設けた200 0ミリリツトルの3つ首フラスコ中にビスフェノールAの433.75g (1 ,90モル)、4.4’−ジヒドロキシベンゾフェノンの21.42g(0,1 0モル)、パラホルムアルデヒドの69.07g(2,30モルのホルムアルデ ヒド官能性)およびエタノールの500ミリリツトルを装入した0反応混合物を 80℃に加熱し、4.00ミリリツトルの濃硫酸を3分間間隔において滴下して 加えた。1日間80℃で反応を維持した。ディーシースタークトラップを備えた 反応器を用いて反応混合物から溶媒を蒸留しそして次に樹脂をアルミニウムのさ らに注入して、Mn−300、Mw−2300,7,9の分散度を有する樹脂を 415.5g得た。Example – soil Styrene bisphenol-A-formal-hyperdihydroxybenzophene /70) Gold 1 (STBPA-F-BP 70VBz 30Pr)) Bisphenol Ru-A-formaldehyde-dihydroxybenzophenone (BPA-F-BP) was constructed with the following: mechanical stirrer, thermometer, heat monitor (there -0-Watch), condenser, addition funnel and nitrogen purge 433.75 g of bisphenol A (1 , 90 mol), 21.42 g of 4,4'-dihydroxybenzophenone (0,1 0 mol), 69.07 g of paraformaldehyde (2.30 mol of formaldehyde), 0 reaction mixture charged with 500 ml of ethanol) and 500 ml of ethanol. Heat to 80℃ and add 4.00ml of concentrated sulfuric acid dropwise at 3 minute intervals. added. The reaction was maintained at 80°C for 1 day. Equipped with a DC Stark trap A reactor is used to distill the solvent from the reaction mixture and then the resin is poured into aluminum pellets. Inject the resin with a dispersity of Mn-300, Mw-2300, 7,9. 415.5g was obtained.

機械的かきまぜ機、追加漏斗、コンデンサー、温度計、窒素パージおよび熱監視 器(There−0−1+Iatch)を設けた2000ミリリツトルの3つ首 丸底フラスコ中のN−メチルピロリジノン(NMP)の700ミリリツトル中に 上記BPA−F−BPの228.29グラムを溶解した。この反応混合物中に塩 化ビニルベンジル(60/40のバラ/メタ 異性体比)の213.67g ( 1,400モル)を加えた。その反応混合物を60℃に加熱しそしてメタノール の375ミリリツトル中の水酸化カリウムの98.19g (1,750モル) を2.0時間の間隔にわたって滴下して加えた。窒素パージ下かきまぜながら1 9時間60℃でその反応を維持した。その反応混合物に臭化n−プロピルの99 .63g(0,810モル)を加え、次にこの反応混合物にメタノールの250 ミリリツトル中の水酸化カリウムの45.45g(0,810モル)を2時間の 間隔にわたって加え、その反応を18時間60℃で維持した0反応混合物から少 量の分画を取り出し、ワークアップ(worked−uρ)処理しそしてIRの 分析は残留ヒドロキシル部分を示す0反応混合物に臭化n−プロピルの9.96  g (0,081モル)を加えそして次にメタノールの20ミリリツトル中の 水酸化カリウムの4.54 g (0,081モル)を加えそしてその反応混合 物を18時間反応させた。室温に冷却後、反応混合物を別の漏斗に移し、1.5 リツトルのトルエンを加えそして次に1リツトルの水で3回洗浄し、硫酸マグネ シウム上で乾燥し、ろ過しそして真空下ストリッピングしてMn=700、Mw −2400,3,4+71分散度の樹脂を2LL8g得た。IRは残留ヒドロキ シル部分の存在を示さない。Mechanical stirrer, addition funnel, condenser, thermometer, nitrogen purge and thermal monitoring 2000ml three-necked bottle with a container (There-0-1+Iatch) in a 700 ml bottle of N-methylpyrrolidinone (NMP) in a round bottom flask. 228.29 grams of the above BPA-F-BP was dissolved. salt in this reaction mixture 213.67 g of vinylbenzyl chloride (60/40 rose/meta isomer ratio) ( 1,400 mol) was added. The reaction mixture was heated to 60°C and methanol 98.19 g (1,750 moles) of potassium hydroxide in 375 milliliters of was added dropwise over a 2.0 hour interval. 1 while stirring under nitrogen purge. The reaction was maintained at 60°C for 9 hours. 99 of n-propyl bromide in the reaction mixture. .. 63 g (0,810 mol) and then to the reaction mixture 250 g (0,810 mol) of methanol. 45.45 g (0,810 mol) of potassium hydroxide in milliliter was heated for 2 hours. The reaction mixture was added over intervals and the reaction was maintained at 60°C for 18 hours. Amounts of fractions were removed, worked-up and subjected to IR Analysis shows residual hydroxyl moieties of 9.96% of n-propyl bromide in the reaction mixture. g (0,081 mol) and then in 20 ml of methanol Add 4.54 g (0,081 mol) of potassium hydroxide and mix the reaction The material was allowed to react for 18 hours. After cooling to room temperature, the reaction mixture was transferred to another funnel and 1.5 Add a liter of toluene and then wash three times with 1 liter of water and remove the sulfuric acid magnet. Mn=700, Mw 2LL8g of resin having a dispersity of -2400,3,4+71 was obtained. IR is residual hydroxyl Does not indicate the presence of sill parts.

機械的かきまぜ機、追加漏斗、コンデンサー、温度計、熱監視器(Ther−一 〇−11atch)、乾燥用チューブおよび窒素パージを設けた3000ミリリ ツトルの丸底3つ首フラスコにテトラフェノールエタン(TPE)(Mn−27 4、Mwm711)の353.0g (0,500モル)、BHTの3.30g (0,0150モル)およびN−メチルピロリジノン(NMP)の1670ミリ リツトルを加えた。TPAの溶解の際、塩化ヒニルヘンジル(VBC) (7) 37 :19 g (2,45モル)を加えた0反応混合物を60℃に加熱しそ してメタノールの360ミリリツトル中の水酸化カリウムの160.25g ( 2,500モル)を300分間間隔わたって滴下して加えた。混合物をさらに3 .5時間にわたって60℃に維持し、次に1−ブロモプロパンの127.0ミリ リツトル(1,400モル)を加えた0次にメタノールの150ミリリツトル中 の水酸化カリウムの68.68g (1,070モル)を300分間間隔わたっ て滴下して加えそして温度を60℃にさらに1.5時間維持した。Mechanical stirrer, addition funnel, condenser, thermometer, heat monitor (Ther-1) 〇-11atch), 3000mm cylinder equipped with drying tube and nitrogen purge Tetraphenolethane (TPE) (Mn-27 4, 353.0 g (0,500 mol) of Mwm711), 3.30 g of BHT (0,0150 mol) and 1670 ml of N-methylpyrrolidinone (NMP) Added Little. When dissolving TPA, Hinylhenzyl chloride (VBC) (7) 37:0 reaction mixture to which 19 g (2.45 mol) was added was heated to 60 °C. 160.25g of potassium hydroxide in 360ml of methanol ( 2,500 mol) was added dropwise over a period of 300 minutes. 3 more of the mixture .. maintained at 60°C for 5 hours and then heated to 127.0 mm of 1-bromopropane. (1,400 moles) in 150 milliliters of zero order methanol. 68.68 g (1,070 mol) of potassium hydroxide was added over 300 minute intervals. was added dropwise and the temperature was maintained at 60°C for a further 1.5 hours.

混合物を冷却しそしてトルエンの2リツトルを加えた。混合物を5リツトルの水 で1回そして5リツトルの1M塩化ナトリウム溶液で3回洗浄した。有機相を硫 酸ナトリウム上で乾燥し、シーライトを通過させてろ過し、またろ過しそして真 空上濃縮して、Mn−576、Mw=915.1.59の分散度を有する樹脂状 生成物を84%得た。The mixture was cooled and 2 liters of toluene were added. Mixture with 5 liters of water and three times with 5 liters of 1M sodium chloride solution. Sulfurize the organic phase dried over sodium chloride, filtered through Celite, filtered again and dried Concentrated in air to obtain a resinous material with Mn-576, Mw=915.1.59 dispersity. 84% product was obtained.

■一旦 スチレン −トーフェノールエ ンの入(100’ビニルベンジル 5TTPE  100VBz機械的かきまぜ機、追加漏斗、コンデンサー、温度計、熱監視器 (Therm−0−Wa tch)、乾燥用チューブおよび窒素パージを設けた 2000ミリリツトルの丸底3つ首フラスコにテトラフェノールエタン(Mn= 274、Mw−711)の200.0g (0,284モル)、BHTの1.8 8g (0,00853モル)およびN−メチルピロリジノン(NMP)の95 0ミリリツトルを加えた。、TPHの溶解の際、塩化ビニルヘンシル(VBC) の242.65g (1,50モル)を加えた。■Once Contains styrene-tophenolene (100' vinylbenzyl 5TTPE  100VBz mechanical stirrer, addition funnel, condenser, thermometer, heat monitor (Therm-0-Watch), equipped with a drying tube and nitrogen purge. Tetraphenol ethane (Mn= 274, Mw-711) 200.0g (0,284 mol), BHT 1.8 8 g (0,00853 mol) and 95 of N-methylpyrrolidinone (NMP) Added 0 ml. , during the dissolution of TPH, vinyl chloride (VBC) 242.65 g (1,50 mol) of

反応混合物を60°Cに加熱しそしてメタノールの230ミリリツトル中の水酸 化カリウムの101.95g (1,590モル)を300分間間隔わたって滴 下して加えた。その混合物をさらに4675時間にわたって60℃に維持した。The reaction mixture was heated to 60°C and hydroxyl acid in 230 ml of methanol was added. 101.95 g (1,590 mol) of potassium oxide was added dropwise over 300 minute intervals. I took it down and added it. The mixture was maintained at 60° C. for an additional 4675 hours.

塩化ビニルベンジルの15.17g (0,0994モル)を加えた。メタノー ルの15ミリリンドル中の水酸化カリウムの6.37g(0,0994モル)を 300分間間隔わたって滴下して加えそして温度をさらに1.7時間60℃に維 持した。塩化ビニルベンジルの15.17g (0,0994モル)を加えた0 次にメタノールの15ミリリツトル中の水酸化カリウムの6.37g (0,0 994モル)を300分間間隔わたって滴下して加えそして温度をさらに1時間 60°Cに維持した。15.17 g (0,0994 mol) of vinylbenzyl chloride was added. methanol 6.37 g (0,0994 mol) of potassium hydroxide in 15 milliliters of Add dropwise over 300 minute intervals and maintain temperature at 60°C for an additional 1.7 hours. I held it. 0 to which 15.17 g (0,0994 mol) of vinylbenzyl chloride was added. Next, 6.37 g of potassium hydroxide (0,0 994 mol) was added dropwise over 300 minute intervals and the temperature was increased for a further 1 hour. It was maintained at 60°C.

混合物を冷却しそしてトルエンの1.2リツトルを加えた。混合物を3リツトル の水で1回そして3リツトルの1M塩化ナトリウム溶液で2回洗浄した。有機相 を硫酸ナトリウム上で乾燥し、シーライト中に通過させてろ遇し、またろ過しそ して真空下−a縮して、Mn=778、Mw= 1079、l、39の分散度の 樹脂状生成物を95%生成した。The mixture was cooled and 1.2 liters of toluene was added. 3 liters of mixture of water and twice with 3 liters of 1M sodium chloride solution. organic phase dried over sodium sulfate, filtered through Celite, and filtered again. and condensed under vacuum to obtain a dispersity of Mn=778, Mw=1079, l, and 39. 95% resinous product was produced.

斑−ユ 例1.2.3および4、それぞれの1連のスチレン末端ビスフェノール−A−ホ ルムアルデヒド(STBPA−F)樹脂のサンプルA、B、C1およびDを次の 硬化サイクル:80℃で2時間、100℃で16時間、120℃で4時間、16 0°Cで16時間、200℃で2時間そして225℃で1時間、を経て硬化しそ してそれらの性質を測定した。その結果を次の表に要約する。Spot Yu Examples 1.2.3 and 4, each of a series of styrene-terminated bisphenol-A-phosphors. Lumaldehyde (STBPA-F) resin samples A, B, C1 and D were Curing cycle: 2 hours at 80°C, 16 hours at 100°C, 4 hours at 120°C, 16 It will cure after 16 hours at 0°C, 2 hours at 200°C and 1 hour at 225°C. and measured their properties. The results are summarized in the following table.

一−1 Tg (”C) ”’ 206 >300 >300 >300T s p ( ’C) ”’ 193±6118±5205±3153±3αwe (ppm/ ”C) ”’ 55±1 52±4 49±3 80±8αthe (pps/  ”C) ”’ 77±1 66±4 75±4125±6ε″” 3.29  2.86 2.86 2.91t a n 6 ”’ 0.004 0.001  0.006 0.006ε’ ” ND 2.90 2.91 2.94ta nδ3′″’ N D O,00050,0060,017水吸収%” ND  O,1540,3000,264ND:測定されず (萄 示差走査熱量計によるガラス転移温度。1-1 Tg ("C)"' 206 > 300 > 300 > 300 T s p ( 'C)"' 193±6118±5205±3153±3αwe (ppm/ “C)”’ 55±1 52±4 49±3 80±8αthe (pps/ “C)”’77±1 66±4 75±4125±6ε””3.29 2.86 2.86 2.91t a n 6”’ 0.004 0.001 0.006 0.006ε’” ND 2.90 2.91 2.94ta nδ3'''' N D O, 00050, 0060, 017 water absorption%'' O, 1540, 3000, 264ND: Not measured (Glass transition temperature measured by differential scanning calorimeter.

伽) 熱機械分析(Thers+o Mechanical Analysis )による軟化点(微量熱転移)。伽) Thermomechanical Analysis (Thers+o Mechanical Analysis ) softening point (trace thermal transition).

(C) 25℃〜軟化点間の熱膨張率。(C) Coefficient of thermal expansion between 25°C and softening point.

(イ) 25℃〜260℃間の熱膨張率。(a) Coefficient of thermal expansion between 25°C and 260°C.

(e) I M Hzおよび25℃における0%相相対温湿での比誘電率。(e) Relative permittivity at 1M Hz and 0% relative temperature and humidity at 25°C.

(f) IMHzおよび25℃における0%相相対温湿でのロスタンジェント( loss tangent) * @ IMHzおよび25℃における50%相対的湿度での比誘電率。(f) Loss tangent at IMHz and 0% relative temperature and humidity at 25°C ( loss tangent) * @ Relative permittivity at 50% relative humidity at IMHz and 25°C.

(ハ) IMHzおよび25℃における50%相対的湿度でのロスタンジェント (loss tangent) * (i) 168時間25℃での50%相対的湿度における。(c) Loss tangent at IMHz and 50% relative humidity at 25°C (loss tangent) * (i) 168 hours at 25°C and 50% relative humidity.

班−1 例1の5TBPA−Fの0.4936gをDMFの4.4493gに溶解した溶 液lからサンプルA〜Dを遣った0例1の5TBPA−Fの0.5049gおよ び4.4′−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノンの0.0063gをDMF の4.6008gに溶解した溶液2からサンプルE〜Hを造った0例1のSTB PA−Fの0.415g#よび4,4′−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノ ンの0.0250gをDMFの5.3100gに溶解した溶液3からサンプルI  −Lを造った。Group-1 A solution of 0.4936 g of 5TBPA-F from Example 1 dissolved in 4.4493 g of DMF. 0.5049 g of 5TBPA-F of Example 0 using Samples A to D from Solution 1 and and 0.0063 g of 4,4'-bis(dimethylamino)benzophenone in DMF. Samples E-H were prepared from Solution 2 dissolved in 4.6008 g of STB of Example 1. 0.415g of PA-F and 4,4'-bis(dimethylamino)benzopheno Sample I was prepared from solution 3 in which 0.0250 g of DMF was dissolved in 5.3100 g of DMF. -I made L.

これらの溶液を10秒間1150rpmでシリコンウェーハ上にスピンコーティ ングした0種々の時間間隔でウェーハを200ワツトの水Il蒸気ランプに露光 させそして次にDMF中における溶解度を調べた。Spin coat these solutions onto a silicon wafer at 1150 rpm for 10 seconds. The wafer was exposed to a 200 watt water vapor lamp at various time intervals. and then the solubility in DMF was investigated.

A 30 容易に溶解:溶解に対してわずかに抵抗。A30 Easily soluble: Slightly resistant to dissolution.

B 60 溶解に抵抗:溶媒への長い露出(>0.5時間)で溶解。B60 Resistant to dissolution: Dissolves with long exposure to solvent (>0.5 hours).

C120溶解に抵抗:溶媒への長い露出(>0.5時間)で溶解。Resistant to C120 dissolution: dissolves with long exposure to solvent (>0.5 hours).

D 300 溶解に非常に抵抗。D 300 Very resistant to dissolution.

E 30 溶解に対して若干抵抗:溶媒への長い露出(>0.5時間)で溶解。E30 Slightly resistant to dissolution: Dissolves with long exposure to solvent (>0.5 hours).

F 60 溶解に対して抵抗:溶媒への長い露出(>0.5時間)で溶解。F60 Resistant to dissolution: Dissolves with long exposure to solvent (>0.5 hours).

G 120 溶解に対して抵抗:溶媒への長い露出(>0.5時間)で溶解。G120 Resistant to dissolution: Dissolves with long exposure to solvent (>0.5 hours).

H300溶解に対して非常に抵抗。Very resistant to H300 dissolution.

1 30 溶解に対して抵抗:溶媒への長い露出(>1.0時間)で溶解。1.30 Resistant to dissolution: Dissolves with long exposure to solvent (>1.0 hours).

J 60 溶解に対して抵抗:溶媒への長い露出(>1.0時間)で溶解。J60 Resistant to dissolution: Dissolves with long exposure to solvent (>1.0 hours).

K 120 溶解に対して非常に抵抗。K 120 Very resistant to dissolution.

L 300 溶解に対して非常に抵抗。L 300 Very resistant to dissolution.

±−ユ トルエン中の5TBPA−F C例2)の40.60重量%溶液を60秒間11 000rpでシリコン表面上にスピンコーティングした。被覆されたデスクを真 空下18時間25℃でソフトベーキングした0次にそれらを石英/水フィルター を用いて、200ワツトの水銀蒸気ランプでUV照射線に3分間露光した0次に 照射された被覆および未硬化被覆を種々の溶媒に露出しそして溶解された樹脂の 量を測定した。結果を次の表に示す。±−yu A 40.60% by weight solution of 5TBPA-F Example 2) in toluene was heated at 11 Spin coating onto a silicon surface at 000 rpm. true coated desk After soft baking at 25℃ for 18 hours under air, they were filtered through a quartz/water filter. The zero order was exposed to UV radiation for 3 minutes using a 200 watt mercury vapor lamp. Expose the irradiated and uncured coatings to various solvents and remove the dissolved resin. The amount was measured. The results are shown in the table below.

l−−主 5TBPA−F自 の″ 六 れた5TBPA−Fの0 oooooo 。l--Lord 5TBPA-F's 6 0 of 5TBPA-F ooooooo.

30 95.8B 96.93 54.71 25.95 6.51 −1.2 060 98.82 99.39 61.18 31.01 8.28 −2. 41120 98.24 99.39 65.29 36.0B 11.24  −3.01180 97.65 10Q、00 66.47 3B、61 13 .02 −1.81300 98.24 100.OQ 68.82 42.4 1 15.98 −1.20a) シリコンウェーハ上に被覆されそして18時 間25℃でソフトベーキングされた5TBPA−F。30 95.8B 96.93 54.71 25.95 6.51 -1.2 060 98.82 99.39 61.18 31.01 8.28 -2. 41120 98.24 99.39 65.29 36.0B 11.24 -3.01180 97.65 10Q, 00 66.47 3B, 61 13 .. 02 -1.81300 98.24 100. OQ 68.82 42.4 1 15.98 - 1.20a) coated on silicon wafer and 18 o'clock 5TBPA-F soft baked at 25°C.

b)重量%溶液。b) Weight % solution.

l−一↓ 5TBPA−F”の7°″ ′ れた5TBPA−Fの0− 30 95.88 94.27 90.59 56.82 14.04 0.0 060 98.82 98.44 95.88 64.39 18.13 −1 .21120 98.24 96.88 95.29 70.45 22.22  0.00180 97.65 97.92 96.47 74.24 26. 32 0.00300 98.24 98.44 97.06 78.03 3 0.41 1.21a) シリコンウェーハ上に被覆されそして18時間25° Cでソフトベーキングされた5TBPA−F。l-1↓ 7°″ of 5TBPA-F” 0- of 5TBPA-F 30 95.88 94.27 90.59 56.82 14.04 0.0 060 98.82 98.44 95.88 64.39 18.13 -1 .. 21120 98.24 96.88 95.29 70.45 22.22 0.00180 97.65 97.92 96.47 74.24 26. 32 0.00300 98.24 98.44 97.06 78.03 3 0.41 1.21a) Coated on silicon wafer and 25° for 18 hours 5TBPA-F soft baked at C.

b)重量%溶液。b) Weight % solution.

l−一旦 れた5TBPA−F−の° ″ 六 た5TBPA−Fの0 30 1.74 4.71 1.16 −0.61 −0.60 −0.586 0 1.16 3.53 1.74 −1.22 −1.80 −1.7312 0 1.74 4.12 0.58 −1.22 −2.40 −2.3118 0 1.74 4.71 0.00 −5.49 −1.80 −2.3130 0 2.91 −3.53 2.91 1.22 −1.80 −1.738)  シリコンウェーハ上に被覆され、18時間25℃でソフトベーキングされ、そ して石英/水フィルターを用いて、200ワツトの水銀蒸気ランプで3分間硬化 された5TBPA−F。l-once °   6 of 5TBPA-F- 0 of 5TBPA-F 30 1.74 4.71 1.16 -0.61 -0.60 -0.586 0 1.16 3.53 1.74 -1.22 -1.80 -1.7312 0 1.74 4.12 0.58 -1.22 -2.40 -2.3118 0 1.74 4.71 0.00 -5.49 -1.80 -2.3130 0 2.91 -3.53 2.91 1.22 -1.80 -1.738) Coated on a silicon wafer and soft baked at 25℃ for 18 hours. Cured in a 200 watt mercury vapor lamp for 3 minutes using a quartz/water filter. 5TBPA-F.

b)重量%溶液。b) Weight % solution.

表−一旦 oo o o o o 。table - once oo o o o o .

30 1.74 0.60 −0.61 0.00 0.00 −0.5160  1.16 0.60 0.00 −1.17 −1.20 −2.02120  1.74 0.00 0.61 −1.75 −1.80 −2.53180  1.74 1.19 0.61 0.60 −0.60 −3.03300  2.91 1.79 1.83 1.75 −1.20 −3.03a) シリ コンウェーハ上に被覆され、18時間25℃でソフトベーキングされ、そして石 英/水フィルターを用いて、200ワツト水1[気ランプで3分間硬化された5 TBPA−F。30 1.74 0.60 -0.61 0.00 0.00 -0.5160 1.16 0.60 0.00 -1.17 -1.20 -2.02120 1.74 0.00 0.61 -1.75 -1.80 -2.53180 1.74 1.19 0.61 0.60 -0.60 -3.03300 2.91 1.79 1.83 1.75 -1.20 -3.03a) Siri coated onto a con wafer, soft-baked at 25°C for 18 hours, and then 200 watts of water using a water filter [5] cured in an air lamp for 3 minutes TBPA-F.

b)重量%溶液。b) Weight % solution.

30 1.07 −1.05 −2.20 0.0060 2.67 1.05  0.00 −1.21120 4.2B 2.62 1.65’ 0.001 80 6.42 4.19 3.30 0.00300 9.63 7.33  6.59 1.21a) シリコンウェーハ上に被覆されそして18時間25℃ でソフトベーキングされた5TBPA−F。30 1.07 -1.05 -2.20 0.0060 2.67 1.05 0.00 -1.21120 4.2B 2.62 1.65' 0.001 80 6.42 4.19 3.30 0.00300 9.63 7.33 6.59 1.21a) Coated on silicon wafer and kept at 25°C for 18 hours 5TBPA-F soft baked.

b)重量%溶液。b) Weight % solution.

表−一旦 れた5TBPA−F”のr ” れ?−5TBPA−FのO o o oo 。table - once 5TBPA-F" r" Re? -5TBPA-F O o o oo .

30 −2.67 −1.55 −2.58 〜0.5160 −2.14 − 1.55 −2.06 −2.02120 −2.67 −2.07 −2.5 8 −2.53180 −4.28 −4.15 −5.15 −3.0330 0 −3.21 −1.04 −2.06 −3.03a) シリコンウェーハ 上に被覆され、18時間25℃でソフトベーキングされ、そして石英/水フィル ターを用いて、200ワツト水銀蒸気ランプにより3分間硬化された5TBPA −F。30 −2.67 −1.55 −2.58 ~ 0.5160 −2.14 − 1.55 -2.06 -2.02120 -2.67 -2.07 -2.5 8 -2.53180 -4.28 -4.15 -5.15 -3.0330 0 -3.21 -1.04 -2.06 -3.03a) Silicon wafer coated on top, soft baked at 25°C for 18 hours, and quartz/water filtered. 5TBPA cured for 3 minutes with a 200 watt mercury vapor lamp using a -F.

b)重量%溶液。b) Weight % solution.

友−一旦 5TBPA−F”・ゝの″ れた5TBPA−FのO oo oo oo。Friend - once 5TBPA-F"・ゝの" 5TBPA-F O oo oo oo.

30 98.25 93.78 −1.04 93.26 7.98 91.3 360 98.83 100.00 −0.52 100.00 12.77  100.00120 99.42 100.48 0.00 100.00 1 3.83 100.00180 100.00 98.09 −5.21 96 .0? 12.23 94.22300 100.00 100.00 0.5 2 101.12 1B、62 100.58a) シリコンウェーハ上に被覆 されそして18時間25℃でソフトベーキングされた5TBPA−F。30 98.25 93.78 -1.04 93.26 7.98 91.3 360 98.83 100.00 -0.52 100.00 12.77 100.00120 99.42 100.48 0.00 100.00 1 3.83 100.00180 100.00 98.09 -5.21 96 .. 0? 12.23 94.22300 100.00 100.00 0.5 2 101.12 1B, 62 100.58a) Coated on silicon wafer 5TBPA-F and soft baked at 25° C. for 18 hours.

b)現像用溶媒への各々の露出後、ニトロメタンおよび酢酸エチル現像システム のためにエタノールリンスが使用された。b) Nitromethane and ethyl acetate development system after each exposure to developing solvent An ethanol rinse was used for this purpose.

ju た5TBPA−F論・瓢の゛ ′ カ た5TBPA−FのO oo o o o o 。Ju 5TBPA-F Theory - Gourd's ゛ ka 5TBPA-F O oo o o o o .

30 1.16 −0.53 0.00 −2.06 −2.01 4.866 0 2.33 0.53 −10.53 1.03 −6.03 −4.321 20 4.07 2.14 −1.58 6.70 −2.51 6.4918 0 5.81 2.67 −4.74 3.61 −6.53 0.00300  6.40 1.60 −2.63 7.73 −1.51 7.57a) シ リコンウェーハ上に被覆され、18時間25℃でソフトベーキングされ、そして 石英/水フィルターを用いて、200ワツト水銀蒸気ランプで3分間硬化された 5TBPA−F。30 1.16 -0.53 0.00 -2.06 -2.01 4.866 0 2.33 0.53 -10.53 1.03 -6.03 -4.321 20 4.07 2.14 -1.58 6.70 -2.51 6.4918 0 5.81 2.67 -4.74 3.61 -6.53 0.00300 6.40 1.60 -2.63 7.73 -1.51 7.57a) coated onto a silicon wafer, soft baked at 25°C for 18 hours, and Cured for 3 minutes in a 200 watt mercury vapor lamp using a quartz/water filter. 5TBPA-F.

b)現像用溶媒への各々の露出後ニトロメタンおよび酢酸メチル現像システムの ためにエタノールリンスが使用された。b) of nitromethane and methyl acetate development systems after each exposure to developing solvents. An ethanol rinse was used for this purpose.

oo o o o 。oo o o o .

30 98.32 98.38 97.83 14.95 95.7960 1 00.00 100.00 100.00 19.59 98.95120 1 00.00 100.54 100.54 22.68 100.00180  94.97 96.76 97.28 23.20 96.84300 101 .12 100.54 100.54 29.90 100.53a) シリコ ンウェーハ上に被覆されそして18時間25℃でソフトベーキングされた5TB PA−F。30 98.32 98.38 97.83 14.95 95.7960 1 00.00 100.00 100.00 19.59 98.95120 1 00.00 100.54 100.54 22.68 100.00180 94.97 96.76 97.28 23.20 96.84300 101 .. 12 100.54 100.54 29.90 100.53a) Silico 5TB coated onto a wafer and soft baked at 25°C for 18 hours. PA-F.

b)現像用溶媒への各々の露出後エタノールリンスが使用された。b) An ethanol rinse was used after each exposure to developing solvent.

表−−1λ れた5TBPA−F”・’ のr″ 六れた5TBPA−FのO oo o o o 。Table--1λ 5TBPA-F''・' r''6 5TBPA-F O oo o o o .

30 2.76 2.16 5.26 −2,65 3.6860 5.52  5.95 5.79 −1.59 7.37120 5.52 7.57 3. 68 −2.65 8.95180 1.66 4.32 −0.53 −5. 82 5.79300 6.63 8.65 6.32 −1.59 7.89 8) シリコンウェーハ上に被覆され、18時間25°Cでソフトベーキングさ れ、そして石英/水フィルターを用いて、200ワツトの水銀蒸気ランプにより 3分間硬化された5TBPA−F。30 2.76 2.16 5.26 -2,65 3.6860 5.52 5.95 5.79 -1.59 7.37120 5.52 7.57 3. 68 -2.65 8.95180 1.66 4.32 -0.53 -5. 82 5.79300 6.63 8.65 6.32 -1.59 7.89 8) Coated on silicon wafer and soft baked at 25°C for 18 hours. and a 200 watt mercury vapor lamp using a quartz/water filter. 5TBPA-F cured for 3 minutes.

b)現像用溶媒への各々の露出後にエタノールリンスが使用された。b) An ethanol rinse was used after each exposure to developing solvent.

廻−1旦 例2の5TBPA−Fをトルエンに溶解して40.60重量%の5TBPA−F および59.40重量%のトルエンの組成の溶液を生成した。60秒間500〜 2000rpmのスピンコーティング速度を使用してシリコン表面上にこの溶液 をスピンコーティングし、真空下25℃で18時間ソフトベーキングした9次に USAFテスト解像パターン及び石英/水フィルターを使用してそのサンプルを 200ワツト水銀ランプでのUV照射線に60〜180秒間露光した0次a)へ キサンリンスとともにトルエンまたはb)エタノールリンスとともにジグリムを 用いて、その光硬化された重合体を25°Cで45秒〜120秒間現像した。2 時間25℃〜230℃の傾斜で加熱し、1時間230℃に維持しそして次に2時 間にわたって室温に冷却する真空下の硬化サイクルを使用して、空気乾燥基体を ハードベーキングした。Mawari-1dan 5TBPA-F of Example 2 was dissolved in toluene to give 40.60% by weight of 5TBPA-F. and 59.40% by weight of toluene. 500~ for 60 seconds Apply this solution onto a silicon surface using a spin coating speed of 2000 rpm. The 9th layer was spin-coated and soft-baked for 18 hours at 25°C under vacuum. The sample was analyzed using a USAF test resolution pattern and a quartz/water filter. To the 0th order a) exposed for 60-180 seconds to UV radiation in a 200 Watt mercury lamp toluene with xane rinse or b) diglyme with ethanol rinse. The photocured polymer was developed at 25° C. for 45 seconds to 120 seconds. 2 Heat with a ramp from 25°C to 230°C for an hour, maintain at 230°C for 1 hour and then for 2 hours. Air dry the substrate using a curing cycle under vacuum with cooling to room temperature over a period of time. Hard baked.

光硬化された重合体のフィルム厚さが、タイラー・ポプリン タリサーフ1゜( Taylor−Hobson Ta1ysurf 10) 粗面計を使用して測 定された。The film thickness of the photocured polymer was 1° (Tyler Poplin Talysurf). Taylor-Hobson Talysurf 10) Measured using a profilometer determined.

1500180トルエン 90 19.62 500 120 ジグIJ ム1 20 16.53 800 120 トルxン90 14.04 800 12 0 ジグリム 60 14.05 800 120 ジグIJ ム120 14 .76 800 60 ジグリム 90 12.27 1000 120 ジグ リム 45 12.88 1000 120 ジグリム90 14.49 10 00 60 ジグリム 120 12.110 1500 120 ジグリム  45 9.611 1500 120 ジグリム90 10.712 1500  60 ジグリム120 10.013 2000 120 ジグリム60 7 .414 2000 60 ジグリム 60 8.315 2000 120  ジグリム 90 8.0例2(7)STBPA−Fをキシレンニ溶解して5TB PA−F(7)42.16重量%およびキシレンの57.84重量%の組成の溶 液を生成した。60秒間500〜2000rpmのスピンコーティング速度を使 用してシリコン表面にこの溶液をスピンコーティングし、真空下25℃で18時 間ソフトベーキングした0次にUSAFテスト解像パターンおよび石英/水フィ ルターを使用して200ワツトの水銀ランプでのUV照射線へそのサンプルを1 20秒〜180秒間露光した0次にエタノールリンスとともに酢酸エチル(Et Ac)またはジグリムを用いて25℃で45秒〜120秒間、光硬化重合体を現 像した。2時間で25°C〜230°Cの傾斜で加熱し、1時間230℃に維持 しそして次に2時間にわたって室温に冷却する真空下の硬化サイクルを使用して 、空気乾燥基体をハードベーキングした。1500180 Toluene 90 19.62 500 120 Jig IJ M1 20 16.53 800 120 Torxun 90 14.04 800 12 0 Jig rim 60 14.05 800 120 Jig IJ rim 120 14 .. 76 800 60 Jig 90 12.27 1000 120 Jig Rim 45 12.88 1000 120 Jigrim 90 14.49 10 00 60 Digrim 120 12.110 1500 120 Digrim 45 9.611 1500 120 Jigrim 90 10.712 1500 60 Digrim 120 10.013 2000 120 Digrim 60 7 .. 414 2000 60 Jigrim 60 8.315 2000 120 Diglyme 90 8.0 Example 2 (7) Dissolve STBPA-F in xylene to 5TB A solution with a composition of 42.16% by weight of PA-F (7) and 57.84% by weight of xylene. produced a liquid. Use a spin coating speed of 500-2000 rpm for 60 seconds. This solution was spin-coated onto a silicon surface using 0-order USAF test resolution patterns and quartz/water filters soft-baked for a while. Using a router, transfer the sample to UV irradiation with a 200 watt mercury lamp. After exposure for 20 seconds to 180 seconds, ethyl acetate (Et Ac) or diglyme for 45 to 120 seconds at 25°C. imaged. Heat ramp from 25°C to 230°C in 2 hours and maintain at 230°C for 1 hour using a curing cycle under vacuum, cooling to room temperature for 2 hours. , the air-dried substrate was hard-baked.

タイラー・ポプリン タリサーフ10 (Taylor−Bobson Ta1 ysurf 10) 粗面針を使用して光硬化重合体のフィルムの厚さを分析し た。Tyler Poplin Talysurf 10 (Taylor-Bobson Ta1 ysurf 10) Analyze the thickness of the photocurable polymer film using a rough needle. Ta.

2 500 120 ジグリム 90 20.53 500 180 EtAc  120 18.24 800 180 EtAc 120 9.35 800  120 ジグリム 90 8.56 800 120 E t A c 90  9.77 1000 120 EtAc 90 B、08 1000 120  ジグリム 90 8.99 1000 120 ジグリム 90 8.410  1500 120 EtAc 90 7.811 1500 120 EtA c 45 7.812 1500 120 ジグリム 45 8.013 20 00 120 ジグリム 45 8.714 2000 120 ジグリム 4 5 7.515 2000 120 EtAc 45 10.0医−土I トルエン中の60.87重量%の5TBPA−F−BP (例4)の溶液を40 秒間11000rpでシリコン表面上にスピンコーティングした。被覆されたデ スクを真空下18時間25℃でソフトベーキングした0次に石英/水フィルター を用いて、200ワツトの水銀蒸気ランプでのUV照射線に3分間それらを露光 した0次に照射された被覆および未硬化被覆を種々の溶媒に露出しそして溶解さ れた樹脂の量を測定した。結果を以下の表に示す。2 500 120 Digrim 90 20.53 500 180 EtAc 120 18.24 800 180 EtAc 120 9.35 800 120 Digrim 90 8.56 800 120 E t A c 90 9.77 1000 120 EtAc 90 B, 08 1000 120 Digrim 90 8.99 1000 120 Digrim 90 8.410 1500 120 EtAc 90 7.811 1500 120 EtA c 45 7.812 1500 120 Digrim 45 8.013 20 00 120 Digrim 45 8.714 2000 120 Digrim 4 5 7.515 2000 120 EtAc 45 10.0 Medical-Sat I A solution of 60.87% by weight 5TBPA-F-BP (Example 4) in toluene was Spin coating onto a silicon surface at 11000 rpm for seconds. coated de Zero-order quartz/water filter soft-baked at 25°C for 18 hours under vacuum Expose them for 3 minutes to UV radiation with a 200 watt mercury vapor lamp using The zero-order irradiated coatings and uncured coatings were exposed to various solvents and dissolved. The amount of resin released was measured. The results are shown in the table below.

oooooo。ooooooo.

30 96.62 2.06 6.34 99.00 96.23 96.15 60 100.00 2.75 9.86 101.00 99.69 99. 04120 5.50 14.44 −−− −−− −−−180 5.15  19.72 −−− −−− −−−300 4.47 19.37 −−−  −−− −−−a) シリコンウェーハ上に被覆されそして18時間25゛C でソフトベーキングされた5TBPA−F−BP。30 96.62 2.06 6.34 99.00 96.23 96.15 60 100.00 2.75 9.86 101.00 99.69 99. 04120 5.50 14.44 --- --- --- 180 5.15 19.72 --- --- --- 300 4.47 19.37 --- --- ---a) Coated on silicon wafer and heated at 25°C for 18 hours 5TBPA-F-BP soft-baked in

o o o o oo。o o o o oo.

30 7.43 1.01 1.03 6.29 6.18 6.6460 7 .7? 2.02 3.09 7.34 8.73 9.59120 9.80  1.6B 3.09 7.34 11.64 9.23180 9.80 2 .02 4.47 7.69 12.36 9.59300 9.46 2.6 9 3.09 B、39 15.64 8.86a) シリコンウェーハ上に被 覆され、18時間25°Cでソフトベーキングされ、石英/水フィルターを用い て、200ワツトの水銀蒸気ランプで3分間硬化された5TBPA−F−BP。30 7.43 1.01 1.03 6.29 6.18 6.6460 7 .. 7? 2.02 3.09 7.34 8.73 9.59120 9.80 1.6B 3.09 7.34 11.64 9.23180 9.80 2 .. 02 4.47 7.69 12.36 9.59300 9.46 2.6 9 3.09 B, 39 15.64 8.86a) Covered on silicon wafer Covered and soft baked at 25°C for 18 hours using a quartz/water filter. 5TBPA-F-BP was cured in a 200 watt mercury vapor lamp for 3 minutes.

L−ユニ 5TBPA−F−BP聰・1 の″ れた5TBPA−F−BPの0 oooo oo。L-uni 5TBPA-F-BP So・1'' 0 of 5TBPA-F-BP oooooooo.

30 95.86 98.65 4.53 97.63 98.95 100. 0060 100.69 100.34 7.32 100.00 98.95  100.72a) シリコンウェーハ上に被覆されそして18時間25℃でソ フトベーキングされた5TBPA−F−BP。30 95.86 98.65 4.53 97.63 98.95 100. 0060 100.69 100.34 7.32 100.00 98.95 100.72a) Coated on a silicon wafer and soaked at 25°C for 18 hours. 5TBPA-F-BP soft baked.

b) 現像用溶媒への各々の露出後エタノールリンスが使用された。b) An ethanol rinse was used after each exposure to developing solvent.

表−一」」− れた5TBPA−F−BP−・bの° ″ 六れた5TBPA−F−BPの0 oooo oo。Table 1” 5TBPA-F-BP-・b ° ″ 6 5TBPA-F-BP-0 oooooooo.

30 15.32 16.61 2.10 13.71 4.75 6.786 0 13.25 17.29 2.80 19.40 8.14 7.1212 0 12.91 16.27 2.10 22.0? 13.56 7.461 80 11.92 17.29 1.40 22.74 16.61 7.46 300 14.24 15.93 2.IQ 23.41 20.00 6.4 4a) シリコンウェーハ上に被覆され、18時間25℃でソフトベーキングさ れそして石英/水フィルターを用いて、200ワツトの水i2!g気ランプでの 3分間硬化された5TBPA−F−BP。30 15.32 16.61 2.10 13.71 4.75 6.786 0 13.25 17.29 2.80 19.40 8.14 7.1212 0 12.91 16.27 2.10 22.0? 13.56 7.461 80 11.92 17.29 1.40 22.74 16.61 7.46 300 14.24 15.93 2. IQ 23.41 20.00 6.4 4a) Coated on silicon wafer and soft baked at 25°C for 18 hours. And using a quartz/water filter, 200 watts of water i2! in the g-lamp 5TBPA-F-BP cured for 3 minutes.

b) 現像用溶媒への各々の露出後エタノールリンスが使用された。b) An ethanol rinse was used after each exposure to developing solvent.

30 97.93 B1.91 21.0560 99.66 90.78 2 5.96120 100.00 93.52 29.12180 93.52  30.88 300 93.86 31.93 a) シリコンウェーハ上に被覆されそして18時間25℃でソフトベーキング された5TBPA−F−BP。30 97.93 B1.91 21.0560 99.66 90.78 2 5.96120 100.00 93.52 29.12180 93.52 30.88 300 93.86 31.93 a) Coated on silicon wafer and soft baked at 25°C for 18 hours 5TBPA-F-BP.

b)現像用溶媒への各々の露出後エタノールリンスが使用された。b) An ethanol rinse was used after each exposure to developing solvent.

30 13.98 6.64 8.2560 13.26 6.99 3.30 120 12.90 8.39 2.97180 12.19 8.39 2. 31300 12.19 8.04 2.31a) シリコンウェーハ上に被覆 され、18時間25℃でソフトベーキングされそして石英/水フィルターを用い て、200ワンドの水銀1気ランプで3分間硬化された5TBPA−F−BP。30 13.98 6.64 8.2560 13.26 6.99 3.30 120 12.90 8.39 2.97180 12.19 8.39 2. 31300 12.19 8.04 2.31a) Coating on silicon wafer and soft baked at 25°C for 18 hours and using a quartz/water filter. 5TBPA-F-BP was cured in a 200 wand mercury lamp for 3 minutes.

b)現像用溶媒への各々の露出後エタノールリンスが使用された。b) An ethanol rinse was used after each exposure to developing solvent.

■−上ユ 例4の5TBPA、−F−BPをトルエンに溶解して5TBPA−F−BPの4 6、17重量%およびトルエンの53.83重量%の組成の溶液を生成した。4 0秒間500〜200Orpmのスピンコーティング速度を使用して、この溶液 をシリコン表面上にスピンコーティングした。USAFテスト解像パターンおよ び石英/水フィルターを使用して、そのサンプルを200ワツトの水銀ランプで のUV照射線に30〜90秒間露光した0次にエタノールリンスとともに酢酸ブ チル(BuAc)またはジグリムを用いて、光硬化重合体を25℃で15秒間現 像した。2時間で25℃〜230°Cの傾斜で加熱し、1時間230℃に維持さ れそして次に2時間にわたって室温に冷却する真空下での硬化サイクルを使用し て、空気乾燥基体をハードベーキングした。■−Upper Yu Dissolve 5TBPA, -F-BP of Example 4 in toluene to obtain 4 of 5TBPA-F-BP. A solution with a composition of 6.17% by weight and 53.83% by weight of toluene was produced. 4 Apply this solution using a spin coating speed of 500-200 Orpm for 0 seconds. was spin-coated onto a silicon surface. USAF test resolution pattern and Using a quartz/water filter, the sample was exposed to a 200 watt mercury lamp. After exposure to UV radiation for 30-90 seconds, acetic acid blotch with ethanol rinse was used. Develop the photocured polymer for 15 seconds at 25°C using chill (BuAc) or diglyme. imaged. Heat ramp from 25°C to 230°C for 2 hours and maintain at 230°C for 1 hour. using a curing cycle under vacuum, cooling to room temperature for 2 hours. The air-dried substrate was then hard baked.

タイラー・ポプリンタリサーフ10 (Taylor−Hobson 丁aly surf 10) 粗面計を使用して光硬化重合体のフィルムの厚さを分析した 。Tyler Poplin Surf 10 (Taylor-Hobson) surf 10) The thickness of the photocurable polymer film was analyzed using a profilometer. .

−表一一λ1− 1 500 90 BuAc 15 9.62 500 30 BuAc 15  8.23 500 90 ジグリム 15 8.24 800 90 ジグリ ム 15 7.65 800 30 ジグリム 15 7.26 800 90  BuAc 15 7.27 1000 90 BuAc 15 6.38 1 000 45 BuAc 15 6.39 1000 90 ジグリム 15  6.410 1500 90 ジグリム 15 5.811 1500 90  BuAc 15 5.912 1500 90 BuAc 15 5.313  2000 90 BuAc 15 4.814 2000 30 BuAc 1 5 4.615 2000 90 ジグリム 15 4.8■−1土 例2のスチレン末端ビスフェノール−A−ホルムアルデヒド(STBPA−F) と例5のスチレン末端テトラフェノールエタン(STTPE)との一連(下記の サンプルA、BおよびC)の混合物をつ(す、次の硬化サイクル二80℃で2時 間、100℃で16時間、120℃で4時間、160℃で16時間、200°C で2時間そして225℃で1時間を経て硬化しそしてそれらの性質を測定した。-Table 11 λ1- 1 500 90 BuAc 15 9.62 500 30 BuAc 15 8.23 500 90 Jigrim 15 8.24 800 90 Jigrim Mu 15 7.65 800 30 Jigrim 15 7.26 800 90 BuAc 15 7.27 1000 90 BuAc 15 6.38 1 000 45 BuAc 15 6.39 1000 90 Digrim 15 6.410 1500 90 Digrim 15 5.811 1500 90 BuAc 15 5.912 1500 90 BuAc 15 5.313 2000 90 BuAc 15 4.814 2000 30 BuAc 1 5 4.615 2000 90 Jigrim 15 4.8■-1 Sat Styrene-terminated bisphenol-A-formaldehyde (STBPA-F) of Example 2 and the styrene-terminated tetraphenolethane (STTPE) of Example 5 (see below). The mixture of samples A, B and C) was then cured for 2 hours at 80°C for the next curing cycle. 16 hours at 100℃, 4 hours at 120℃, 16 hours at 160℃, 200℃ C. for 2 hours and 225.degree. C. for 1 hour and their properties determined.

表−一又l 5TBPA−F: 5TTPEの A B C 3TBPA−F:5TTPE 90:10 75:25 so:s。Table - Straight 5TBPA-F: 5TTPE A B C 3TBPA-F:5TTPE 90:10 75:25 so:s.

Tg (’C) ”’ >300 >300 >300Tsp(’C)’ゝ)1 30±5134±6218±7age (ppm/”C) Lc′ 51+3  66+2 39+2αgms(Ppm/”C) ”’ 62±2 85±2 4 4±1ε”” 2.85 2.85 2.90tanδ”’ 0.0003 0 .002 0.003ε′ (豐’ 2.89 2.88 2.94t a n  6 ”’ 0.002 0.002 0.003水吸収%1”ゝ 0.169  0.152 0.163(a) 示差走査熱量計によるガラス転移温度。Tg ('C)"'>300>300>300Tsp('C)')1 30±5134±6218±7age (ppm/”C) Lc′ 51+3 66+2 39+2αgms(Ppm/”C)”’ 62±2 85±2 4 4±1ε"" 2.85 2.85 2.90tanδ"' 0.0003 0 .. 002 0.003ε' (豐' 2.89 2.88 2.94t a n 6”’ 0.002 0.002 0.003 Water absorption% 1” 0.169 0.152 0.163 (a) Glass transition temperature measured by differential scanning calorimeter.

[有]) 熱機械的分析による軟化点(微量熱転移)。[Yes]) Softening point (trace thermal transition) by thermomechanical analysis.

(C) 25°C〜軟化点間の熱膨張率。(C) Coefficient of thermal expansion between 25°C and softening point.

(d)25°C〜260℃間の熱膨張率。(d) Coefficient of thermal expansion between 25°C and 260°C.

(e) IMHzおよび25℃でのO%%対的湿度における比誘電率。(e) Dielectric constant at IMHz and 0% relative humidity at 25°C.

(f) IMHzおよび25°Cでの0%相相対温湿におけるロスタンジェント (loss tangent)。(f) Loss tangent at 0% relative temperature and humidity at IMHz and 25°C (loss tangent).

(6) IMHzおよび25°Cでの50%相対的湿度における比誘電率。(6) Dielectric constant at IMHz and 50% relative humidity at 25°C.

(ロ) IMHzおよび25°Cでの50%相対的湿度におけるロスタンジェン ト(loss tangent) m (i) 16a時間25°Cでの50%相対的湿度における。(b) Lostangen at IMHz and 50% relative humidity at 25°C loss tangent (i) 16a hours at 50% relative humidity at 25°C.

医−上1 50 : 50の5TBPA−F (例2):5TTPE (例5)の39.8 9%の樹脂固形分の被覆用溶液をトルエン溶液において造った。60秒間110 00rpでのスピンコーティングを経て溶液をシリコン表面に適用した。被覆さ れたデスクを真空下18時間25℃でソフトベーキングした0次に、石英/水フ ィルターを用いて、それらを200ワツトの水銀蒸気ランプでのUV照射線に3 分間露光した。照射された被覆および未硬化被覆を次に種々の溶媒に露出しそし て溶解された樹脂の量を測定した。結果を次の表に示す。Medicine - Upper 1 50: 50 of 5TBPA-F (Example 2): 5TTPE (Example 5) of 39.8 A 9% resin solids coating solution was made in toluene solution. 110 for 60 seconds The solution was applied to the silicon surface via spin coating at 00 rpm. coated The desk was soft-baked at 25°C for 18 hours under vacuum, then fused to quartz/water. Using a filter, they were exposed to UV radiation from a 200 watt mercury vapor lamp for 3 hours. Exposure was made for a minute. The irradiated and uncured coatings are then exposed to various solvents and The amount of resin dissolved was measured. The results are shown in the table below.

oooooo。ooooooo.

30 91.97 88.10 88.24 2.41 85.54 −6.9 860 100.00 98.8! 97.65 16.87 9B、80 1 .16120 97.81 97.62 97.65 20.48 98.80  3.49180 101.46 98.81 98.82 22.89 10 0.00 4.65300 101.46 98.81 97.65 25.3 0 100.00 4.65a) シリコンウェーハに被覆されそして18時間 25℃でソフトベーキングされたso:soの5TBPA−F:5TTPE。30 91.97 88.10 88.24 2.41 85.54 -6.9 860 100.00 98.8! 97.65 16.87 9B, 80 1 .. 16120 97.81 97.62 97.65 20.48 98.80 3.49180 101.46 98.81 98.82 22.89 10 0.00 4.65300 101.46 98.81 97.65 25.3 0 100.00 4.65a) Coated on silicon wafer and for 18 hours So:so 5TBPA-F:5TTPE soft baked at 25°C.

oooooo。ooooooo.

30 1.12 2.30 −1.12 −4.40 8.89 −1.096 0 17.98 12.64 14.61 4.40 20.00 B、701 20 14.61 10.34 11.24 −2.20 15.56 1.0 9180 1?、98 14.94 16.85 2.20 20.00 5. 43300 1?、98 13.79 16.85 0.00 20.00 3 .26a) シリコンウェーハ上に被覆され、18時間25℃でソフトベーキン グされそして石英/水フィルターを用いて、200ワツトの水!!蒸気ランプで 3分間硬化された50:50の5TBPA−F : 5TTPE。30 1.12 2.30 -1.12 -4.40 8.89 -1.096 0 17.98 12.64 14.61 4.40 20.00 B, 701 20 14.61 10.34 11.24 -2.20 15.56 1.0 9180 1? , 98 14.94 16.85 2.20 20.00 5. 43300 1? , 98 13.79 16.85 0.00 20.00 3 .. 26a) Coated on silicon wafer and soft baked at 25°C for 18 hours 200 watts of water using filters and quartz/water filters! ! with a steam lamp 50:50 5TBPA-F:5TTPE cured for 3 minutes.

−−1i so:soの5TBPA−F : 5TTPE謳・らの゛ ′ カ?−5TBP A−F 5TTPEの o o o o o 。--1i so: so's 5TBPA-F: 5TTPE song and others' ゛ 'ka? -5TBP A-F 5TTPE o o o o o .

30 B3.53 85.15 86.81 86.78 B7.3660 9 4.12 94.06 93.41 96.67 95.40120 94.1 2 93.07 94.51 95.56 94.25180 92.94 9 4.06 93.41 95.56 95.40300 92.94 95.0 5 94.51 95.56 95.40a) シリコンウェーハに被覆されそ して18時間25℃でソフトベーキングされた50:50の5TBPA−F:5 TTPE。30 B3.53 85.15 86.81 86.78 B7.3660 9 4.12 94.06 93.41 96.67 95.40120 94.1 2 93.07 94.51 95.56 94.25180 92.94 9 4.06 93.41 95.56 95.40300 92.94 95.0 5 94.51 95.56 95.40a) Silicon wafer is coated with 50:50 5TBPA-F:5 soft-baked at 25°C for 18 hours TTPE.

b)現像用溶媒露出後のサンプルのエタノールリンス。b) Ethanol rinsing of samples after exposure to developing solvent.

稟−−1旦 た50:50の5TBPA−F:5TTPE”・1の゛ 力た5TBPA−F  5TTPEのO o o o o o 。稟--1dan 5TBPA-F with 50:50: 5TTPE”・5TBPA-F with 1 5TTPE O o o o o o .

30 11.11 B、70 21.65 18.1B 19.7860 23 .33 21.74 24.74 21.59 20.88120 16.67  16.30 1B、56 13.64 16.48180 20.00 20 .65 23.71 18.18 18.68300 20.00 19.57  22.68 19.32 16.48a) シリコンウェーハ上に被覆され、 18時間25℃でソフトベーキングされそして石英/水フィルターを用いて、2 00ワツトの水銀蒸気ランプで3分間硬化された50 : 50の5TBPA− F : 5TTPE。30 11.11 B, 70 21.65 18.1B 19.7860 23 .. 33 21.74 24.74 21.59 20.88120 16.67 16.30 1B, 56 13.64 16.48180 20.00 20 .. 65 23.71 18.18 18.68300 20.00 19.57 22.68 19.32 16.48a) coated on a silicon wafer, Soft-baked at 25°C for 18 hours and using a quartz/water filter, 50:50 5TBPA cured for 3 minutes in a 00 Watt mercury vapor lamp F: 5TTPE.

b)現像用溶媒露出後のサンプルのエタノールリンス。b) Ethanol rinsing of samples after exposure to developing solvent.

l工 so:soの5TBPA−F : 5TTPE”−’の′ 究た5TBPA−F  5TTPEの0 30 32.95 46.59 −3.3360 47.73 63.64 4 .44120 50.00 68.18 3.33180 51、14 69. 32 3.33300 54.55 70.45 3.33a) シリコンウェ ーハに被覆されそして18時間25℃でソフトベーキングされたso:soの5 TBPA−F:5TTPE。l engineering so: so's 5TBPA-F: 5TTPE''-''s 5TBPA-F 0 of 5TTPE 30 32.95 46.59 -3.3360 47.73 63.64 4 .. 44120 50.00 68.18 3.33180 51, 14 69. 32 3.33300 54.55 70.45 3.33a) Silicon wafer 5 of so:so was coated with TBPA-F: 5TTPE.

b)現像用溶媒露出後のサンプルのエタノールリンス。b) Ethanol rinsing of samples after exposure to developing solvent.

30 7.61 10.64 7.3760 10.87 12.77 8.4 2120 7.61 12.77 8.42180 7.61 12.77 8 .42300 7.61 12.77 6.32a) シリコンウェーハ上に被 覆され、18時間25℃でソフトベーキングされそして石英/水フィルターを用 いて、200ワツトの水銀真気ランプで3分間硬化されたso:soの5TBP A−F : 5TTPE。30 7.61 10.64 7.3760 10.87 12.77 8.4 2120 7.61 12.77 8.42180 7.61 12.77 8 .. 42300 7.61 12.77 6.32a) Covered on silicon wafer Covered, soft baked at 25°C for 18 hours and filtered using a quartz/water filter. 5TBP of so:so cured for 3 minutes in a 200 watt mercury vacuum lamp. A-F: 5TTPE.

b) 現像用溶媒露出後のサンプルのエタノールリンス。b) Ethanol rinsing of the sample after exposure to developing solvent.

班−1旦 例2の5TBPA−Fおよび例5の5TTPEをトルエンに溶解して23.39 重量%の5TBPA−F、23.39重量%の5TTPEおよび53.22重量 %のトルエンの組成の溶液を生成した。60秒間500〜2000rpmのスピ ンコーティング速度を使用して、この溶液をシリコン表面上にスピンコーティン グし、真空下25°Cで18時間ソフトベーキングした0次にUSAFテスト解 像パターンおよび石英/水フィルターを使用して、そのサンプルを200ワツト 水銀ランプでのUV照射線に60〜180秒間露光した0次にエタノールリンス とともに酢酸ブチル(BuAc)またはジグリムを用いて、光硬化重合体を25 ℃で15秒〜45秒間現像した。2時間25℃〜230℃での傾斜で加熱し、1 時間230℃に維持しそして次に2時間にわたって室温に冷却する真空下での硬 化サイクルを使用して空気乾燥基体をハードベーキングした。Group-1st 5TBPA-F from Example 2 and 5TTPE from Example 5 were dissolved in toluene to yield 23.39 wt% 5TBPA-F, 23.39wt% 5TTPE and 53.22wt. % toluene was produced. Speed at 500-2000 rpm for 60 seconds Spin coat this solution onto the silicon surface using a slow coating speed. Zero-order USAF test solution Using an image pattern and a quartz/water filter, the sample was Ethanol rinse after 60-180 seconds exposure to UV radiation in a mercury lamp The photocurable polymer was cured using butyl acetate (BuAc) or diglyme with Developed for 15 to 45 seconds at <RTIgt;C. Heat at a gradient of 25°C to 230°C for 2 hours, Harden under vacuum maintaining at 230 °C for an hour and then cooling to room temperature for 2 hours. The air-dried substrate was hard-baked using a drying cycle.

タイラー・ポプリンタリサーフ10(↑aylor−Hobson Ta1ys urf 10) 粗面針を使用して光硬化重合体のフィルムの厚さを分析した。Tyler Poplin Surf 10 (↑aylor-Hobson Talys urf 10) The thickness of the photocurable polymer film was analyzed using a rough needle.

−表−X 1 500 120 ジグリム 45 16.22 500 180 ジグリム  30 18.03 500 120 B u A c 30 16.04 8 00 120 B u A c 30 12.55 800 90 BuAc  30 12.86 800 90 ジグリム 15 11.97 1000 9 0 ジグリム 15 10.38 1000 90 BuAc 15 11.0 9 1000 60 B u A c 15 10.810 1500 90  BuAc 15 9.211 1500 60 BuAc 15 9.012  1500 90 ジグリム 15 9.513 1800 90 ジグリム 1 5 11.214 1800 90 BuAc 15 8.315 1800  60 BuAc 15 8.1補正書の翻訳文提出書 (特許法第184条の8) 平成 5年 9月λ71;-Table-X 1 500 120 Digrim 45 16.22 500 180 Digrim 30 18.03 500 120 B u A c 30 16.04 8 00 120 B u A c 30 12.55 800 90 BuAc 30 12.86 800 90 Digrim 15 11.97 1000 9 0 Digrim 15 10.38 1000 90 BuAc 15 11.0 9 1000 60 B u A c 15 10.810 1500 90 BuAc 15 9.211 1500 60 BuAc 15 9.012 1500 90 Digrim 15 9.513 1800 90 Digrim 1 5 11.214 1800 90 BuAc 15 8.315 1800 60 BuAc 15 8.1 Translation submission form of amendment (Article 184-8 of the Patent Act) September 1993 λ71;

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 1.(a)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、繰り返し単位Qは構造 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等があります▼を 有し、そして nは1〜10の整数であり、 sは0または1であり、 各々のXは独立してCH2、C(CH3)2、O、S、SO2、COおよびOC 6H4Oからなる群より選ばれ、 各々のR1およびR2は独立して、水素、1〜10個の炭素原子を含有するアル キル及びアルコキシ部分、フェニルおよびフェノキシからなる群よむ選ばれ、a およびbは独立して0または1〜4の整数であり、ZはClまたはBrであり、 Eはビニルベンジル部分、1〜10個の炭素原子を有するアルキル部分またはベ ンジルからなる群より選ばれ、ただしすべてのEの少なくとも50%はビニルベ ンジル部分であることを条件とする)を有する、二価フェノールとホルムアルデ ヒドとのオリゴマー状縮合生成物のエーテルであるプレポリマーで基体を被覆し 、 (b)(a)の被覆プレポリマーにマスキング中を通して照射して照射されてい る前記被覆の部分を選択的に架橋結合し、(c)(a)のプレポリマー被覆の照 射されていない部分を選択的に溶解し、そして (d)前記架橋結合されたプレポリマーの被覆をさらに架橋結合し、且つ該プレ ポリマーを不融性ガラス状固体に変換するのに十分な時間100℃〜300℃の 範囲の温度に加熱することにより該プレポリマー被覆の架橋結合された部分を硬 化させる、 ことを特徴とする、重合体を所定のパターンで基体上に形成する方法。1. (a) Formula ▲Contains mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ (In the formula, the repeating unit Q is the structure ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ or ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ have, and n is an integer from 1 to 10, s is 0 or 1, Each X is independently CH2, C(CH3)2, O, S, SO2, CO and OC selected from the group consisting of 6H4O, Each R1 and R2 is independently hydrogen, alkyl containing 1 to 10 carbon atoms. Kyl and alkoxy moieties, selected from the group consisting of phenyl and phenoxy, a and b are independently 0 or an integer from 1 to 4, Z is Cl or Br, E is a vinylbenzyl moiety, an alkyl moiety having 1 to 10 carbon atoms or a base; selected from the group consisting of dihydric phenol and formaldehyde, The substrate is coated with a prepolymer, which is an ether of an oligomeric condensation product with hydride. , (b) The coated prepolymer of (a) is irradiated by passing through the masking. (c) selectively crosslinking portions of the coating of (a); selectively dissolve the unirradiated areas, and (d) further crosslinking the crosslinked prepolymer coating and at 100°C to 300°C for a sufficient time to convert the polymer into an infusible glassy solid. Harden the cross-linked portion of the prepolymer coating by heating to a range of temperatures. to make A method for forming a polymer in a predetermined pattern on a substrate, characterized in that: 2.(a)(1)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、繰り返し単位Qは構造 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等があります▼を 有し、そして nは1〜10の整数であり、 sは0または1であり、 各々のXは独立してCH2、C(CH3)2、O、S、SO2、COおよびOC 6H4Oからなる群より選ばれ、 各々のR1およびR2は水素、1〜10個の炭素原子を含有するアルキルおよび アルコキシ部分、フェニルおよびフェノキシからなる群より独立して選ばれ、a およびbは独立して0または1〜4の整数であり、ZはClまたはBrであり、 Eはビニルベンジル部分、1〜10個の炭素原子を含有するアルキル部分、また はベンジルからなる群より選ばれ、ただしすべてのEの少なくとも50%はビニ ルベンジル部分であることを条件とする)を有する、二価フェノールとホルムア ルデヒドとのオリゴマー状縮合生成物のエーテルおよび(2)(i)1モル割合 のジアルデヒドと(ii)約3〜約4モル割合のフェノールとのオリゴマー状縮 合生成物のエーテルであって、しかも前記ジアルデヒドがOHC(CH2)mC HO(但しmは0または1〜6の整数である)、シクロペンタンジアルデヒド、 フタルアルデヒド、イソフタルアルデヒド、テレフタルアルデヒド、ヘキサヒド ロフタルアルデヒド、シクロヘプタンジアルデヒド、ヘキサヒドロイソフタルア ルデヒド、ヘキサヒドロテレフタルアルデヒドおよびシクロオクタンジアルデヒ ドからなる群より選ばれ、前記フェノールが構造R3C6H4(但しR3は水素 または1〜約10個の炭素原子を含有するアルキル基である)を有し、そして前 記オリゴマー状縮合生成物のフェノール残基がビニルベンジル対他の部分の比が 1:1〜約6:1で、ビニルベンジル、1〜10個の炭素原子を含有するアルキ ル部分、5〜10個の炭素原子のシクロアルキル部分、およびベンジルからなる 群よりランダムに選ばれた、1つまたはそれ以上の置換基で−テル化されてエー テル部分を提供する、前記オリゴマー状縮合生成物のエーテル、 からなるプレポリマーの混合物で基体を被覆し、(b)(a)の被覆プレポリマ ーにマスキングパターン中を通して照射して照射されている前記被覆の部分を選 択的に架橋結合し、(c)(a)のプレポリマー被覆の照射されていない部分を 選択的に溶解し、そして (d)前記架橋結合された被覆をさらに架橋結合し且つ該プレポリマーを不融性 ガラス状固体に変換するのに十分な時間100℃〜300℃の範囲の温度におい て加熱することにより、該プレポリマー被覆の架橋結合された部分を硬化させる 、 ことを特徴とする、重合体を所定のパターンで基体上に形成する方法。2. (a) Formula (1) ▲Contains mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ (In the formula, the repeating unit Q is the structure ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ or ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ have, and n is an integer from 1 to 10, s is 0 or 1, Each X is independently CH2, C(CH3)2, O, S, SO2, CO and OC selected from the group consisting of 6H4O, Each R1 and R2 is hydrogen, alkyl containing 1 to 10 carbon atoms and an alkoxy moiety independently selected from the group consisting of phenyl and phenoxy; and b are independently 0 or an integer from 1 to 4, Z is Cl or Br, E is a vinylbenzyl moiety, an alkyl moiety containing 1 to 10 carbon atoms, or is selected from the group consisting of benzyl, provided that at least 50% of all E dihydric phenol and formamine, with the proviso that it is a rubenzyl moiety) Ether and (2) (i) 1 molar proportion of oligomeric condensation products with aldehyde of dialdehyde and (ii) about 3 to about 4 molar proportions of phenol. The ether of the synthesis product, and the dialdehyde is OHC(CH2)mC HO (where m is 0 or an integer of 1 to 6), cyclopentanedialdehyde, Phthalaldehyde, isophthalaldehyde, terephthalaldehyde, hexahyde Loftaldehyde, cycloheptane dialdehyde, hexahydroisophthala hexahydroterephthaldehyde and cyclooctanedialdehyde The phenol has the structure R3C6H4 (where R3 is hydrogen or an alkyl group containing from 1 to about 10 carbon atoms), and the preceding The phenolic residues of the oligomeric condensation products described above have a ratio of vinylbenzyl to other moieties. 1:1 to about 6:1, vinylbenzyl, alkyl containing 1 to 10 carbon atoms; a cycloalkyl moiety of 5 to 10 carbon atoms, and a benzyl moiety. etherified with one or more substituents randomly selected from the group. an ether of said oligomeric condensation product, providing an ether moiety; coating a substrate with a mixture of prepolymers consisting of (b) the coated prepolymer of (a); irradiate through the masking pattern to select the areas of the coating that are irradiated. (c) selectively cross-links the non-irradiated portions of the prepolymer coating of (a). selectively dissolve, and (d) further crosslinking said crosslinked coating and rendering said prepolymer infusible; at a temperature in the range of 100°C to 300°C for a sufficient time to convert to a glassy solid. curing the crosslinked portions of the prepolymer coating by heating with , A method for forming a polymer in a predetermined pattern on a substrate, characterized in that: 3.R1およびR2が水素または1〜10個の炭素原子を有するアルキルである 請求の範囲第1項または第2項の方法。3. R1 and R2 are hydrogen or alkyl having 1 to 10 carbon atoms The method according to claim 1 or 2. 4.R1およびR2がメチルまたはt−ブチル部分である請求の範囲第1項また は第2項の方法。4. Claim 1 or 2, wherein R1 and R2 are methyl or t-butyl moieties. is the method in Section 2. 5.ZがBrであり、そしてaおよびbが1〜4である請求の範囲第1項または 第2項の方法。5. Claim 1, wherein Z is Br and a and b are 1 to 4, or Method of Section 2. 6.Eが、少なくとも70〜100%がビニルベンジル部分でありそして残りの Eが1〜10個の炭素原子を有するアルキルである請求の範囲第1項または第2 項の方法。6. E is at least 70-100% vinylbenzyl moiety and the remaining Claim 1 or 2, wherein E is alkyl having 1 to 10 carbon atoms. Section method. 7.ジアルデヒドがOHC(CH2)mCHOでありmが0または1〜6の整数 である請求の範囲第2項の方法。7. The dialdehyde is OHC(CH2)mCHO and m is 0 or an integer from 1 to 6 The method according to claim 2, wherein: 8.R3が水素またはメチルである請求の範囲第2項の方法。8. 3. The method of claim 2, wherein R3 is hydrogen or methyl. 9.縮合生成物(2)のエーテル部分が約70%のビニルベンジルおよび30% のプロピルである請求の範囲第2項の方法。9. The ether portion of condensation product (2) is approximately 70% vinylbenzyl and 30% 3. The method of claim 2, wherein the propyl is propyl. 10.縮合生成物(2)の分子量が400〜6000である請求の範囲第2項の 方法。10. Claim 2, wherein the condensation product (2) has a molecular weight of 400 to 6,000. Method. 11.請求の範囲第1項または第2項の方法により製造された硬化重合体を含む 電子相互接続構造体。11. Contains a cured polymer produced by the method according to claim 1 or 2. Electronic interconnect structure. 12.前記硬化重合体がクロム金属層に接着されている請求の範囲第11項の電 子相互接続構造体。12. 12. The electrical device of claim 11, wherein said cured polymer is adhered to a chromium metal layer. Child interconnect structure.
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US4900794A (en) * 1988-11-28 1990-02-13 Allied-Signal Inc. Styrene terminated multifunctional oligomeric phenols as new thermosetting resins for composites

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005141243A (en) * 2000-01-31 2005-06-02 Mitsubishi Paper Mills Ltd Photosensitive composition and photosensitive lithographic printing plate material
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